DE102015107456B4 - Halbleitervorrichtung mit Felddielektrikum in einem Randgebiet, Halbleitervorrichtung mit Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur in einem Randgebiet und Halbbrückenschaltung - Google Patents
Halbleitervorrichtung mit Felddielektrikum in einem Randgebiet, Halbleitervorrichtung mit Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur in einem Randgebiet und Halbbrückenschaltung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102015107456B4 DE102015107456B4 DE102015107456.7A DE102015107456A DE102015107456B4 DE 102015107456 B4 DE102015107456 B4 DE 102015107456B4 DE 102015107456 A DE102015107456 A DE 102015107456A DE 102015107456 B4 DE102015107456 B4 DE 102015107456B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- depletable
- expansion zone
- semiconductor device
- zones
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 133
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 19
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001940 magnetic circular dichroism spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
- H01L29/0653—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7391—Gated diode structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7809—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors having both source and drain contacts on the same surface, i.e. Up-Drain VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (100), der Transistorzellen (TC) umfasst, die in einem aktiven Gebiet (610) angeordnet sind und in einem Randgebiet (690) zwischen dem aktiven Gebiet (610) und einer Seitenoberfläche (103) des Halbleiterkörpers (100) fehlen,ein Felddielektrikum (211), das an eine erste Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angrenzt und in dem Randgebiet (690) eine mit Gateelektroden (150) der Transistorzellen (TC) verbundene leitende Struktur (157) von dem Halbleiterkörper (100) trennt, wobei das Felddielektrikum (211) einen Übergang (Tr) von einer ersten zu einer zweiten, größeren vertikalen Ausdehnung umfasst, undeine nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eines Leitfähigkeitstyps von Body/Anodenzonen (115) der Transistorzellen (TC) und elektrisch verbunden mit wenigstens einer der Body/Anodenzonen (115), wobei der Übergang (Tr) in der vertikalen Projektion der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) ist, wobei die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) das aktive Gebiet (610) umgibt und die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) gerade erste Abschnitte (170a) mit einer ersten Dotierstoffkonzentration und lateral gekrümmte zweite Abschnitte (170b) mit einer zweiten Dotierstoffkonzentration aufweist, wobei die ersten Abschnitte (170a) die zweiten Abschnitte (170b) verbinden und die zweite Dotierstoffkonzentration höher ist als die erste Dotierstoffkonzentration ist.
Description
- Anwendungen, wie Halbbrückenschaltungen, verwenden eine Bodydiode zwischen einer Body- und einer Driftzone in einem Halbleiterkörper einer Halbleiterschaltvorrichtung als eine Freilaufdiode in dem Rückwärtsmodus der Schaltvorrichtung. In dem vorwärts vorgespannten Modus der Bodydiode bilden in die Driftzone injizierte Löcher und Elektronen ein Ladungsträgerplasma hoher Dichte, das in einem niedrigen Vorwärtsspannungsabfall der Bodydiode resultiert. Ein signifikanter Teil der Ladungsträger flutet ein Randgebiet, das ein aktives Gebiet, das Transistorzellen umfasst, von einer Seitenoberfläche des Halbleiterkörpers trennt. Wenn sich die Schaltvorrichtung von rückwärts vorgespannt nach vorwärts vorgespannt ändert, ändert sich die Bodydiode von vorwärts vorgespannt nach rückwärts vorgespannt, und bewegliche Ladungsträger werden von der Driftzone entfernt.
- Die Druckschrift
US 2001 / 0 005 031 A1 beschreibt verschiedene Superjunction-MOSFETs mit einer p-dotierten Diffusionsschicht in der vertikalen Projektion einer Stufe einer polykristallinen Siliziumschicht, wobei über die Siliziumschicht die Gateelektroden der Transistorzellen mit einem Gatepad auf der Vorderseite des Chips verbunden sind. Die p-dotierte Diffusionsschicht ist mit einer Flächendichte von 2E15 cm-2 implantiert und schließt direkt an das Kanaldiffusionsgebiet der äußersten Transistorzelle an. An die p-dotierte Diffusionsschicht kann nach außen ein flaches, schwach p-dotiertes Gebiet anschließen, das die p-dotierten Säulen des Randbereichs miteinander verbindet und das aktive Gebiet umschließt. Die DruckschriftUS 2008 / 0 135 926 A1 beschreibt einen weiteren Superjunction-MOSFET mit einer oberflächennahen p-dotierten RESURF(reduced surface field)-Schicht, die außen an eine p-dotiere Wanne des aktiven Gebiets anschließt. Die RESURF-Schicht ist als Ring ausgebildet, der das aktive Gebiet einschließt. Die Dotierstoffkonzentration in der RESURF-Schicht ist niedriger als in der p-dotierten Wanne des aktiven Gebiets. Ausgehend von der Halbleiteroberfläche erstreckt sich eine n-dotierte RESURF-Schicht in den oberen Teil der RESURF-Schicht. Die n-dotierte RESURF-Schicht bildet einen Ring um das aktive Gebiet. - Es ist wünschenswert, zuverlässigere Halbleitervorrichtungen vorzusehen.
- ZUSAMMENFASSUNG
- Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung und eine Halbbrückenschaltung vorzusehen, welche den obigen Forderungen genügen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 oder 13 bzw. eine Halbbrückenschaltung mit den Merkmalen des Patentanspruches 19 gelöst.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Der Fachmann wird zusätzliche Merkmale und Vorteile nach Lesen der folgenden Detailbeschreibung und Betrachten der begleitenden Zeichnungen erkennen.
- Figurenliste
- Die beigefügten Zeichnungen sind beigeschlossen, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu liefern, und sie sind in die Offenbarung einbezogen und bilden einen Teil von dieser. Die Zeichnungen veranschaulichen die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der Erfindung. Andere Ausführungsbeispiele der Erfindung und beabsichtigte Vorteile werden sofort gewürdigt, da sie unter Hinweis auf die folgende Detailbeschreibung besser verstanden werden.
-
1A ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel, das auf planare Gateelektroden und einen stufenlosen Übergang eines Felddielektrikums zwischen einem Halbleiterkörper und einer leitenden Struktur bezogen ist. -
1B ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel, das auf planare Gateelektroden und einen gestuften Übergang eines Felddielektrikums zwischen einem Halbleiterkörper und einer leitenden Struktur bezogen ist. -
1C ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles eines Superjunction- bzw. Superübergang-IGFET gemäß einem Ausführungsbeispiel, das auf planare Gateelektroden und einen stufenlosen Übergang eines Felddielektrikums zwischen einem Halbleiterkörper und einer leitenden Struktur bezogen ist. -
1D ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles einer Superjunction-IGFET gemäß einem Ausführungsbeispiel, das auf eine vergrabene verarmbare Ausdehnungszone und einen stufenlosen Übergang eines Felddielektrikums zwischen einer leitenden Struktur und einem Halbleiterkörper bezogen ist. -
1E ist schematische Schnittdarstellung eines Teiles eines Superjunction-IGFET gemäß einem Ausführungsbeispiel, das auf vergrabene Gateelektroden bezogen ist. -
1F ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles einer MCD (MOS-gesteuerte Diode) gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. -
2A ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone, die ein aktives Gebiet längs einer Umfangslinie bei einer konstanten Dotierungskonzentration umgibt. -
2B ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel, das eine nicht verarmbare Ausdehnungszone vorsieht, die ein aktives Gebiet umgibt und die Abschnitte einer angereicherten Dotierungskonzentration umfasst. -
2C ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einem vergrößerten Teil einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone, die in der vertikalen Projektion einer Gatekonstruktion gebildet ist. -
2D ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone, die exklusiv in der vertikalen Projektion einer Gatekonstruktion gebildet ist. -
2E ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone, die einen Abschnitt einer angereicherten Dotierungskonzentration in der vertikalen Projektion einer Gatekonstruktion umfasst. -
2F ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel, das eine segmentierte nicht verarmbare Ausdehnungszone vorsieht. -
2G ist eine schematische laterale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einem Teil einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone, die in der vertikalen Projektion eines Teiles einer Gatekonstruktion gebildet ist. -
3 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles einer Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel mit einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone in der vertikalen Projektion eines Teiles einer Gatekonstruktion. -
4 ist ein schematisches Diagramm, das Abschaltverluste zum Veranschaulichen von Effekten der Ausführungsbeispiele vergleicht. -
5A ist ein schematisches Schaltungsdiagramm einer Halbbrückenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit zwei n-Typ-IGFETs. -
5B ist ein schematisches Schaltungsdiagramm einer Halbbrückenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit einem p-Typ- und einem n-Typ-IGFET. -
5C ist ein schematisches Schaltungsdiagramm einer Halbbrückenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel mit IGBTs. -
5D ist ein schematisches Schaltungsdiagramm einer Halbbrückenschaltung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. - DETAILBESCHREIBUNG
- In der folgenden Detailbeschreibung wird Bezug genommen auf die begleitenden Zeichnungen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen für Veranschaulichungszwecke spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgebildet werden kann. Es ist zu verstehen, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne von dem Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Beispielsweise können Merkmale, die für ein Ausführungsbeispiel veranschaulicht oder beschrieben sind, bei oder im Zusammenhang mit anderen Ausführungsbeispielen verwendet werden, um zu noch einem weiteren Ausführungsbeispiel zu gelangen. Es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung derartige Modifikationen und Veränderungen umfasst. Die Beispiele sind mittels einer spezifischen Sprache beschrieben, die nicht als den Bereich der beigefügten Patentansprüche begrenzend aufgefasst werden sollte. Die Zeichnungen sind nicht maßstabsgetreu und dienen nur für Veranschaulichungszwecke. Zur Klarheit sind die gleichen Elemente mit entsprechenden Bezugszeichen in den verschiedenen Zeichnungen versehen, falls nicht etwas anderes festgestellt wird.
- Die Begriffe „haben“, „enthalten“, „umfassen“, „aufweisen“ und ähnliche Begriffe sind offene Begriffe, und diese Begriffe geben das Vorhandensein der festgestellten Strukturen, Elemente oder Merkmale an, schließen jedoch zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht aus. Die unbestimmten Artikel und die bestimmten Artikel sollen sowohl den Plural als auch den Singular umfassen, falls sich aus dem Zusammenhang nicht klar etwas anderes ergibt.
- Der Begriff „elektrisch verbunden“ beschreibt eine permanente niederohmige Verbindung zwischen elektrisch verbundenen Elementen, beispielsweise einen direkten Kontakt zwischen den betreffenden Elementen oder eine niederohmige Verbindung über ein Metall und/oder einen hochdotierten Halbleiter. Der Begriff „elektrisch gekoppelt“ umfasst, dass ein oder mehrere dazwischenliegende Elemente, die für eine Signalübertragung gestaltet sind, zwischen den elektrisch gekoppelten Elementen vorgesehen sein können, beispielsweise Elemente, die steuerbar sind, um zeitweise eine niederohmige Verbindung in einem ersten Zustand und eine hochohmige elektrische Entkopplung in einem zweiten Zustand vorzusehen.
- Die Figuren veranschaulichen relative Dotierungskonzentrationen durch Angabe von „-“ oder „+“ nächst zu dem Dotierungstyp „n“ oder „p“. beispielsweise bedeutet „n-“ eine Dotierungskonzentration, die niedriger ist als die Dotierungskonzentration eines „n“-Dotierungsbereiches, während ein „n+“-Dotierungsbereich eine höhere Dotierungskonzentration hat als ein „n“-Dotierungsbereich. Dotierungsbereiche der gleichen relativen Dotierungskonzentration haben nicht notwendigerweise die gleiche absolute Dotierungskonzentration. Beispielsweise können zwei verschiedene „n“-Dotierungsbereiche die gleichen oder verschiedene absolute Dotierungskonzentrationen haben.
- Die
1A bis1E beziehen sich auf steuerbare Halbleitervorrichtungen500 , die aktive Transistorzellen und/oder steuerbare Entsättigungs- oder Injektionszellen umfassen, beispielsweise steuerbare Halbleiterdioden, wie MCDs, IGFETs (Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate) einschließlich MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-FETs) in der üblichen Bedeutung einschließlich FETs mit Metall-Gates sowie FETs mit Nicht-Metall-Gates, JFETs (Junction-Feldeffekttransistoren), IGBTs (Bipolartransistoren mit isoliertem Gate) und Thyristoren als Beispiel. - Jede der Halbleitervorrichtungen
500 beruht auf einem Halbleiterkörper100 aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, wie Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Germanium (Ge), einem Silizium-Germanium-Kristall (SiGe), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs) oder irgendeinem anderen AIIIBV-Halbleiter. - Der Halbleiterkörper
100 hat eine erste Oberfläche101 , die angenähert planar sein kann oder die durch eine Ebene gegeben sein kann, die durch koplanare Oberflächenabschnitte aufgespannt ist, sowie eine hauptsächlich planare zweite Oberfläche102 parallel zu der ersten Oberfläche101 . Ein Mindestabstand zwischen den ersten und zweiten Oberflächen101 ,102 ist gewählt, um eine gegebene bzw. spezifizierte Spannungssperrfähigkeit der Halbleitervorrichtung500 zu erzielen. Eine Seitenoberfläche103 verbindet die ersten und zweiten Oberflächen101 ,102 . - In einer Ebene senkrecht zu der Schnittebene kann der Halbleiterkörper
100 eine rechteckförmige Gestalt mit einer Randlänge in dem Bereich von einigen Millimetern haben oder kann scheibenförmig mit einem Durchmesser von einigen Zentimetern sein. Eine Normale zu der ersten Oberfläche101 definiert eine vertikale Richtung, und Richtungen orthogonal zu der vertikalen Richtung sind laterale Richtungen. - Der Halbleiterkörper
100 umfasst eine Driftzone120 eines ersten Leitfähigkeitstyps sowie eine Sockelschicht130 zwischen der Driftzone120 und der zweiten Oberfläche102 . - Eine Dotierstoffkonzentration in der Driftzone
120 kann graduell oder in Stufen mit zunehmendem Abstand zu der ersten Oberfläche101 wenigstens in Teilen von deren vertikaler Ausdehnung bzw. Erstreckung zunehmen oder abnehmen. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen kann die Dotierstoffkonzentration in der Driftzone120 angenähert gleichmäßig sein. Eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone120 kann zwischen 5E12 cm-3 und 1E16 cm-3, beispielsweise in einem Bereich von 5E13 cm-3 bis 5E15 cm-3, sein. Die Driftzone120 kann weitere Dotierstoffzonen umfassen, beispielsweise eine Superjunctionstruktur bzw. Superübergangsstruktur. - Die Sockelschicht
130 kann den ersten Leitfähigkeitstyp haben, wenn die Halbleitervorrichtung500 eine Halbleiterdiode, ein IGFET oder ein JFET ist, sie kann einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der komplementär zu dem ersten Leitfähigkeitstyp ist, wenn die Halbleitervorrichtung500 ein IGBT oder ein Thyristor ist, oder sie kann Zonen von beiden Leitfähigkeitstypen umfassen, die sich zwischen der Driftzone120 und der zweiten Oberfläche102 erstrecken, wenn die Halbleitervorrichtung500 eine MCD oder ein RC-IGBT (rückwärts leitender IGBT) ist. Die Dotierstoffkonzentration in der Sockelschicht130 ist ausreichend hoch, um einen ohmschen Kontakt mit einem direkt an die zweite Oberfläche102 angrenzenden Metall zu bilden. Wenn der Halbleiterkörper100 auf Silizium Si beruht, kann eine mittlere Dotierstoffkonzentration für eine p-Typ-Sockelschicht 130 oder p-Typ-Zonen der Sockelschicht130 wenigstens 1E16 cm-3, beispielsweise wenigstens 5E17 cm-3, sein. - Die Halbleitervorrichtungen
500 umfassen weiterhin aktive, funktionale Transistorzellen TC in einem aktiven Gebiet610 , während ein Randgebiet690 zwischen der Seitenoberfläche103 und dem aktiven Gebiet610 leer bzw. frei von irgendwelchen funktionalen Transistorzellen des in dem aktiven Gebiet610 vorhandenen Typs ist. Jede aktive Transistorzelle TC umfasst Body/Anodenzonen115 des zweiten Leitfähigkeitstyps, die erste pn-Übergänge pn1 mit der Driftzone120 bilden, sowie Sourcezonen110 , die zweite pn-Übergänge mit den Body/Anodenzonen115 bilden. Die Sourcezonen110 können Wannen sein, die sich von der ersten Oberfläche101 in den Halbleiterkörper100 , beispielsweise in die Body/Anodenzonen115 , erstrecken. - Eine Gatestruktur
150 umfasst eine leitende Gateelektrode155 , die eine stark dotierte polykristalline Siliziumschicht oder eine Metall enthaltende Schicht umfassen oder aus einer solchen bestehen kann, sowie ein Gatedielektrikum151 , das die Gateelektrode155 von dem Halbleiterkörper100 trennt. Das Gatedielektrikum151 koppelt kapazitiv die Gateelektrode155 mit Kanalteilen der Body/Anodenzonen115 . - In den dargestellten Ausführungsbeispielen und für die folgende Beschreibung ist der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ, und der zweite Leitfähigkeitstyp ist der p-Typ. Ähnliche Überlegungen, wie unten angegeben, gelten für Ausführungsbeispiele, bei denen der erste Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist, während der zweite Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist.
- Wenn eine an die Gateelektrode
150 angelegte Spannung eine voreingestellte Schwellenspannung überschreitet, sammeln sich Elektronen in den Kanalteilen der Body/Anodenzonen115 direkt angrenzend an das Gatedielektrikum151 und bilden Inversionskanäle, die die ersten pn-Übergänge pn1 kurzschließen. - Die Gatestruktur
150 umfasst einen Leer- bzw. Blind- bzw. Ruheteil150a einschließlich einer Leer- bzw. Blind- bzw. Ruhegateelektrode155a in dem Randgebiet690 . Die Leergateelektrode155a und die Gateelektrode155 sind elektrisch und strukturell miteinander verbunden und können Teile der gleichen geschichteten Struktur sein. Eine Gatekonstruktion330 kann mit der Gateelektrode155 über die Leergateelektrode155a verbunden sein. - Die Gatekonstruktion
330 kann jeweils wenigstens eines aus einem Gatepad bzw. -kissen, einem Gatefinger und einer Gateschiene, elektrisch mit der Gateelektrode155 verbunden, umfassen. Ein Gatepad kann ein Metallpad sein, das als ein Landepad für einen Bonddraht oder einen anderen Chip-Leiterrahmen oder eine Chip-Chip-Verbindung, wie einen gelöteten Clip bzw. eine gelötete Klammer geeignet ist. Das Gatepad kann zwischen einer ersten Lastelektrode310 und der Seitenoberfläche103 oder in einem Mittenteil des Halbleiterkörpers100 angeordnet sein. Eine Gateschiene kann eine Metallleitung sein, die das aktive Gebiet610 umgibt. Ein Gatefinger kann eine Metallleitung sein, die die aktiven Gebiete610 in getrennte Zellfelder trennt. Ein Zwischenschichtdielektrikum210 trennt die Gatekonstruktion330 von dem Halbleiterkörper100 und kann die Gateelektrode155 von der ersten Lastelektrode310 isolieren. - Eine leitende Struktur
157 verbindet strukturell und elektrisch die Leergateelektrode155a mit der Gatekonstruktion330 oder mit einer Gatekontaktstruktur315g , die sich von der Gatekonstruktion330 in das Zwischenschichtdielektrikum210 erstreckt. Die leitende Struktur157 kann ein Teil eines integrierten Gatewiderstandes oder einer polykristallinen Siliziumdiode sein oder kann unterhalb der Gatekonstruktion330 weggelassen werden. Ein Teil des Zwischenschichtdielektrikums210 zwischen der leitenden Struktur157 und dem Halbleiterkörper100 bildet ein Felddielektrikum211 . Das Felddielektrikum211 hat einen Übergang Tr zwischen einer ersten vertikalen Ausdehnung nahe zu der Gatedielektrikumdicke in einem Teil direkt angrenzend an die Leergateelektrode155a und einer zweiten vertikalen Ausdehnung, die größer ist als die erste vertikale Ausdehnung, in einem Abschnitt direkt angrenzend an die Gatekonstruktion330 oder die Gatekontaktstruktur315g . Der Übergang Tr kann kontinuierlich sein oder kann eine oder mehrere Stufen umfassen. - Die Gateelektrode
155 , die Leergateelektrode155a und die leitende Struktur157 können homogene Strukturen sein oder können eine geschichtete Struktur einschließlich einer oder mehrerer Metall enthaltenden Schichten haben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel können die Gateelektrode155 , die Leergateelektrode155a und die leitende Struktur157 eine stark dotierte polykristalline Siliziumschicht umfassen oder aus einer solchen bestehen. - Das Gatedielektrikum
151 kann ein Halbleiteroxid, beispielsweise ein thermisch gewachsenes oder aufgetragenes Siliziumoxid, ein Halbleiternitrid, beispielsweise ein aufgetragenes oder thermisch gewachsenes Siliziumnitrid, oder ein Halbleiteroxynitrid, beispielsweise Siliziumoxynitrid, umfassen oder aus einem solchen bestehen. - Die erste Lastelektrode
310 kann beispielsweise eine Anodenelektrode einer MCD, eine Sourceelektrode eines IGFET oder eine Emitterelektrode eines IGBT sein. Kontaktstrukturen315 verbinden elektrisch die erste Lastelektrode310 mit den Body/Anodenzonen115 und den Sourcezonen110 . Die erste Lastelektrode310 kann ein erster LastanschlussL1 , beispielsweise der Anodenanschluss einer MCD, der Emitteranschluss eines IGBT oder der Sourceanschluss eines IGFET sein oder elektrisch mit einem solchen gekoppelt oder verbunden sein. - Eine zweite Lastelektrode
320 , die direkt an die zweite Oberfläche102 und die Sockelschicht130 angrenzt, kann einen zweiten LastanschlussL2 , der der Kathodenanschluss einer MCD, der Kollektoranschluss eines IGBT oder der Drainanschluss eines IGFET sein kann, bilden oder elektrisch mit einem solchen verbunden sein. - Jede der ersten und zweiten Lastelektroden
310 ,320 kann als Hauptbestandteil bzw. Hauptbestandteile aus Aluminium (Al), Kupfer (Cu) oder Legierungen von Aluminium oder Kupfer, beispielsweise AlSi, AlCu oder AlSiCu, bestehen oder diese enthalten. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen kann wenigstens eine der ersten und zweiten Lastelektroden310 ,320 als Hauptbestandteil bzw. Hauptbestandteile Nickel (Ni), Titan (Ti), Wolfram (W), Tantal (Ta), Vanadium (V), Silber (Ag), Gold (Au), Platin (Pt) und/oder Palladium (Pd) enthalten. Beispielsweise kann wenigstens eine der ersten und zweiten Lastelektroden310 ,320 zwei oder mehr Unterschichten umfassen, wobei jede Unterschicht einen oder mehrere Stoffe aus Ni, Ti, V, Ag, Au, Pt, W und Pd als Hauptbestandteil bzw. Hauptbestandteile, beispielsweise ein Silizid, ein Nitrid und/oder eine Legierung, enthält. - Das Zwischenschichtdielektrikum
210 kann eine oder mehrere dielektrische Schichten aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, dotiertem oder undotiertem Siliziumglas, beispielsweise BSG (Borsilikatglas), PSG (Phosphorsilikatglas) oder BPSG (Borphosphorsilikatglas) als Beispiel umfassen. - In der vertikalen Projektion des Überganges Tr in das Felddielektrikum
211 umfasst der Halbleiterkörper100 eine nicht verarmbare Ausdehnungszone170 des zweiten Leitfähigkeitstyps. Die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 ist elektrisch mit wenigstens einer der Body/Anodenzonen115 verbunden und kann beispielsweise direkt an eine äußerste Zone der Body/Anodenzonen115 angrenzen oder diese überlappen. Eine Nettodotierstoffkonzentration in der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 ist ausreichend hoch derart, dass die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 nicht vollständig verarmt wird, wenn die jeweilige Halbleitervorrichtung500 in ihren maximalen Sperrratings betrieben wird. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Nettodotierstoffkonzentration der nicht verarmbaren Ausdehnungszone
170 derart, dass, wenn eine maximale Spannung zwischen den ersten und zweiten Lastelektroden310 ,320 anliegt, die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 nicht vollständig verarmt unabhängig von einer an die Gatekonstruktion330 angelegten Gatespannung, sofern die angelegten Spannung innerhalb der maximalen Ratings der Halbleitervorrichtung500 für die Gatespannung ist. - Wenn die Halbleitervorrichtung
500 betrieben wird mit dem vorwärts vorgespannten ersten pn-Übergang pn1 zwischen den Body/Anodenzonen115 und der Driftzone120 injizieren die Body/Anodenzonen115 Löcher, und die Sockelschicht130 injiziert Elektronen in die Driftzone120 . Die injizierten Ladungsträger bilden ein Ladungsträgerplasma in dem aktiven Gebiet610 und in dem Randgebiet690 , also in beiden Gebieten. Wenn die Halbleitervorrichtung500 nach Rückwärts-Vorspannen kommutiert, ziehen der erste pn-Übergang pn1 und die zweite Lastelektrode320 Elektronen ab, und die erste Elektrode310 zieht Löcher ab. Löcher, die von dem Randgebiet690 zu der erste Lastelektrode310 fließen, verlaufen zu der äußersten Kontaktstruktur315 , die elektrisch die erste Lastelektrode310 mit den äußersten Source- und Body/Anodenzonen110 ,115 des aktiven Gebietes610 verbindet. Der Lochstromfluss resultiert in hohen Lochkonzentrationen und hohen Lochstromdichten in einem Teil des Randgebietes690 in der vertikalen Projektion der leitenden Struktur157 . - Andererseits ist in Gebieten des Halbleiterkörpers
100 unterhalb des Überganges Tr die elektrische Oberflächenfeldstärke hoch, was in einer gesteigerten Ladungsträgermultiplikation resultiert. Als ein Ergebnis der Oberflächenfeldstärke und des Lochstromflusses ist die dynamische Durchbruchspannung lokal reduziert, und das Felddielektrikum211 kann irreversibel beschädigt werden. - Die nicht verarmbare Ausdehnungszone
170 bewirkt, dass ein elektrisches Oberflächenfeld lediglich jenseits einer minimalen Lochstromdichte gebildet wird, die die Ladung der stationären p-Typ-Dotierstoffe in der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 kompensiert. Ein Steigern der p-Typ-Dotierstoffkonzentration reduziert die elektrische Oberflächenfeldstärke derart, dass die dynamische Durchbruchspannung lokal gesteigert werden kann. Das Felddielektrikum211 ist zuverlässiger, und in einer Halbbrückenschaltung kann die Halbleitervorrichtung500 steilere und raschere Gatesignale des kommutierenden Schalters der Halbbrückenschaltung aushalten. - Im Fall eines Silizium-Halbleiterkörpers
100 ist die effektive Dosis von p-Typ-Dotierstoffen in der nicht verarmbaren Ausdehnungszone größer als 2,5E12 cm-2, beispielsweise wenigstens 1E13 cm-2. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die p-Typ-Dotierstoffdosis in der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 größer als 2E13 cm-2. Die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 grenzt direkt an die p-Typ-Body/Anodenzone 115 der äußersten Transistorzelle TC des aktiven Gebietes610 bezüglich des Randgebietes690 an oder überlappt mit dieser oder ist elektrisch mit dieser verbunden. - Innerhalb der nicht verarmbaren Ausdehnungszone
170 ist die Fremdstoffkonzentration konstant oder nimmt um nicht mehr als 50% ab zwischen einem Startpunkt des Überganges Tr, wo eine vertikale Ausdehnung des Überganges Tr beginnt, von der ersten vertikalen Ausdehnung zuzunehmen, und einem Bezugspunkt bei einem Abstand von wenigstens 1 µm zu dem Startpunkt. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Fremdstoffkonzentration konstant oder weicht um nicht mehr als 50% über einen Abstand von wenigstens 3 µm, beispielsweise wenigstens 8 µm, bis zu dem Startpunkt in der Richtung ab, längs der der Übergang Tr anwächst. - Eine vertikale Ausdehnung der nicht verarmbaren Ausdehnungszone
170 senkrecht zu der ersten Oberfläche101 kann eine vertikale Ausdehnung der Body/Anodenzonen115 der Transistorzellen TC überschreiten. - Die Halbleitervorrichtung
500 von1B weicht von der Halbleitervorrichtung500 von1A dadurch ab, dass eine dedizierte Kontaktstruktur315a die Lastelektrode310 direkt mit der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 in dem Randgebiet690 elektrisch verbindet. Die dedizierte Kontaktstruktur315a ist räumlich von irgendeiner Sourcezone110 getrennt. Der Übergang Tr des Felddielektrikums211 umfasst eine Stufe, die einer vertikalen Stufe in der leitenden Struktur157 entspricht. - Die Halbleitervorrichtung
500 von1C ist ein Superjunction-IGFET, der auf der Halbleitervorrichtung500 von1A beruht. Die erste Lastelektrode310 ist wirksam als Sourceelektrode, die elektrisch mit einem Sourceanschluss S verbunden ist. Die zweite Lastelektrode320 ist wirksam als Drainelektrode D. Eine Randabschlusskonstruktion195 , die in einem direkt an die Seitenoberfläche103 angrenzenden Teil des Randgebietes690 gebildet ist, kann eine Drainelektrodenkonstruktion325 auf einer Front- bzw. Vorderseite des Halbleiterkörpers100 entgegengesetzt zu der zweiten Lastelektrode320 umfassen. - Die Driftzone
120 kann eine Superjunctionstruktur180 umfassen, die erste Zonen181 des ersten Leitfähigkeitstyps und zweite Zonen182 des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist. Wenigstens die zweiten Zonen182 oder wenigstens die ersten Zonen181 können säulenförmige Strukturen sein, die durch Implantation, beispielsweise in aufeinanderfolgenden Epitaxie- und Implantationsschritten, gebildet sind. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen sind die zweiten Zonen182 gebildet durch Auftragen oder Abscheiden von Material, das p-Typ-Dotierstoffe enthält, in Trenches bzw. Gräben, die temporal bzw. zeitweise zwischen den ersten Zonen181 gebildet sind, oder durch Einführen von Dotierstoffen durch Seitenwände der Trenches, die sich temporal von der ersten Oberfläche101 in die Driftzone120 erstrecken. - Die lateralen Querschnittsgebiete der zweiten Zonen
182 können Kreise, Ovale, Ellipsen oder Rechtecke mit oder ohne gerundete Ecken sein, und die ersten Zonen181 können ein Gitter mit den zweiten Zonen182 bilden, die in den Maschen angeordnet sind. Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel sind laterale Querschnittsgebiete der ersten Zonen181 Kreise, Ellipsen, Ovale oder Rechtecke mit oder ohne gerundete Ecken, und die zweiten Zonen182 bilden ein Gitter, wobei die ersten Zonen181 in den Maschen angeordnet sind. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel bilden die ersten und zweiten Zonen181 ,182 ein regelmäßiges Streifenmuster, wobei sich die Streifen durch einen signifikanten Teil des aktiven Gebietes610 erstrecken können oder das aktive Gebiet610 kreuzen können. - Die Dotierstoffkonzentrationen in den ersten und zweiten Zonen
181 ,182 können zueinander derart eingestellt werden, dass der Teil der Driftzone120 , der die Superjunctionstruktur180 umfasst, vollständig in einem rückwärts sperrenden Modus der Halbleitervorrichtung500 verarmt werden kann. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel können die ersten und zweiten Zonen
181 ,182 exklusiv innerhalb des aktiven Gebietes610 gebildet werden, während das Randgebiet690 oder ein Gategebiet in der vertikalen Projektion von Gatekonstruktionen, wie Gatepads, Gatefinger und/oder Gateschienen, frei von irgendeiner Superjunctionstruktur sind, beispielsweise frei bzw. leer von irgendwelchen ersten und zweiten Zonen181 ,182 . Beispielsweise kann die Halbleitervorrichtung500 eine Superjunctionstruktur mit ersten und zweiten Zonen181 ,182 in dem aktiven Gebiet610 und lediglich intrinsischen oder schwach dotierten Bereichen des ersten Leitfähigkeitstyps, die eine geringere Nettofremdstoffkonzentration als die ersten Zonen181 haben, in dem Randgebiet610 und in der vertikalen Projektion von Gategebieten umfassen. Alternativ können die ersten Zonen181 und zweiten Zonen182 in dem Randgebiet610 und/oder in der vertikalen Projektion der Gategebiete überlappen, um Bereiche einer niedrigen Nettodotierstoffkonzentration in den betreffenden Gebieten zu bilden. - Gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird eine Superjunctionstruktur bzw. Superübergangstruktur mit ersten und zweiten Zonen
181 ,182 in dem aktiven Gebiet610 und dem Randgebiet690 , also beiden Gebieten, gebildet. Eine verarmbare Ausdehnungszone175 kann direkt an die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 und eine, einige oder alle der zweiten Zonen182 in dem Randgebiet690 längs der dargestellten Schnittlinie angrenzen oder mit diesen überlappen. - Die p-Typ-Dotierstoffdosis in der verarmbaren Ausdehnungszone
175 ist ausreichend niedrig, so dass die verarmbare Ausdehnungszone175 in dem Sperrmodus der Halbleitervorrichtung500 vollständig verarmt wird. Beispielsweise kann die implantierte p-Typ-Dotierstoffdosis in der verarmbaren Ausdehnungszone175 aus einer Implantationsdosis von höchstens 3,5E12 cm-2 resultieren, was, wenn Segregationseffekte betrachtet werden, in einer verbleibenden effektiven p-Typ-Dotierstoffdosis von höchstens 2E12 cm-2 in Silizium resultiert. - Eine vertikale Ausdehnung der nicht verarmbaren Ausdehnungszone
170 senkrecht zu der ersten Oberfläche101 kann eine vertikale Ausdehnung der Body/Anodenzonen115 der Transistorzellen TC überschreiten. Beispielsweise kann in dem rückwärts vorgespannten Modus ein Rand einer Verarmungszone in dem Halbleiterkörper100 , ausgerichtet zu der ersten Oberfläche101 , einen größeren Abstand zu der ersten Oberfläche101 in der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 als in p-Typ-Strukturen haben, die die Body/Anodenzonen115 und die zweiten Zonen182 umfassen. - Wenn die Halbleitervorrichtung
500 kommutiert, werden die ersten und zweiten Zonen181 ,182 verarmt, wobei in den zweiten Zonen182 Löcher längs der vertikalen Richtung laufen und die erste Oberfläche101 erreichen. In dem Randgebiet690 addiert sich ein sich ergebender Lochstrom an der ersten Oberfläche101 in der Richtung der nächsten Kontaktstruktur315 zu einem Lochstrom, der aus Löchern resultiert, die in die Driftzone120 in dem vorwärts vorgespannten Modus des Body-pn-Überganges pn1 injiziert sind. Als ein Ergebnis ist in Superjunctionvorrichtungen bzw. Superübergangvorrichtungen der oben diskutierte Effekt signifikanter, da ein größerer Anteil der Löcher zuerst zu der ersten Oberfläche101 geleitet ist und dann längs der ersten Oberfläche in der Richtung des ersten Kontaktes315 geführt ist. Der Effekt kann sogar mehr hervorgehoben sein, da in dem aktiven Gebiet610 die zweiten Zonen182 die Lochentladung beschleunigen und, wenn schließlich der Lochstrom in dem aktiven Gebiet610 abgeschnürt wird, das Randgebiet690 noch Löcher entlädt und aufgrund einer Streuinduktivität weiter gesteigerte Lochstromdichten führt. - Die verarmbare Ausdehnungszone
175 reduziert den Widerstand, der für den gesamten Lochstromfluss von wenigstens einer oder einigen der zweiten Zonen182 des Randgebietes690 zu der Kontaktstruktur315 wirksam ist, die elektrisch die ersten Lastelektroden310 mit den Ausdehnungszonen170 ,175 verbindet, und kann die Schaltverluste reduzieren. - Zusätzlich reduziert die vergleichsweise hohe Lochstromdichte signifikant die dynamische Durchbruchspannung des Felddielektrikums
211 . Stattdessen vermindert die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 lokal die elektrische Oberflächenfeldstärke, ohne signifikant die laterale Spannungssperrfähigkeit zu beeinträchtigen, obwohl die Lochstromdichten um angenähert eine Größenordnung erhöht sind. - Die Halbleitervorrichtung
500 von1D weicht von dem Superjunction-IGFET von1C dadurch ab, dass die verarmbare Ausdehnungszone175 mit allen zweiten Zonen182 in dem Randgebiet690 zwischen der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 und der Seitenoberfläche103 verbunden ist und dass eine Spacer- bzw. Abstandshalterzone173 des ersten Leitfähigkeitstyps die verarmbare Ausdehnungszone175 von der ersten Oberfläche101 trennt. Die Spacerzone173 reduziert den Effekt von in Richtung des aktiven Gebietes610 fließenden Löchern während einer Kommutierung auf das Felddielektrikum211 . Das elektrische Oberflächenfeld ist homogener, die integrierte Ionisationsladung längs des Lochstromflusses ist reduziert, und die dynamische Durchbruchspannung ist weiter gesteigert. - Die Halbleitervorrichtung
500 von1E ist ein IGFET, der auf der Halbleitervorrichtung500 von1A beruht. Eine Feldstoppschicht128 , die eine Dotierstoffkonzentration hat, welche wenigstens zweimal so hoch wie in der Driftzone120 ist, trennt die Driftzone120 von der Sockelschicht130 . In einem anderen Ausführungsbeispiel ist eine Pufferschicht mit einer Dotierstoffkonzentration, die niedriger als in den ersten Zonen181 ist, zwischen der Sockelschicht130 und den zweiten Zonen182 gebildet. - Die Transistorzellen TC sind vertikale Transistorzellen TC, wobei die Gatestrukturen
150 vergrabene Gateelektroden155 aufweisen, die sich von der ersten Oberfläche101 in den Halbleiterkörper100 erstrecken. Eine dielektrische Struktur205 kann die erste Lastelektrode310 von den vergrabenen Gateelektroden155 trennen. - Andere Ausführungsbeispiele können sich auf IGBTs auf der Grundlage der IGFETs der
1C bis1E beziehen, wobei die Sockelschicht130 den p-Typ hat oder p-Typ-Zonen umfasst. Für IGBTs ist die erste Lastelektrode310 wirksam als eine Emitterelektrode, die einen Emitteranschluss bildet oder elektrisch mit einem solchen verbunden oder gekoppelt ist. Die zweite Lastelektrode320 ist wirksam als eine Kollektorelektrode und bildet einen Kollektoranschluss oder ist elektrisch mit einem solchen verbunden. - Die Halbleitervorrichtung
500 von1F ist eine MCD, die eine Barriere- bzw. Sperrschicht121 zwischen den Body/Anodenzonen115 und der Driftzone120 umfassen kann. Die Sockelschicht130 kann erste Zonen131 des ersten Leitfähigkeitstyps und zweite Zonen132 des zweiten Leitfähigkeitstyps umfassen, die sich jeweils zwischen der Driftzone120 und der zweiten Oberfläche102 erstrecken. Die Transistorzellen TC sind in dem normal vorwärts vorgespannten Zustand der MCD ausgeschaltet. Vor einer Kommutierung erzeugt ein an die Gateelektrode155 gelegtes Potential Inversionsschichten von den Sourcezonen110 zu der Driftzone120 durch die Body/Anodenzonen115 . Die Inversionsschichten schließen den ersten pn-Übergang pn1 zwischen den Body/Anodenzonen115 und der Driftzone120 kurz und reduzieren oder unterdrücken eine Lochinjektion von den Body/Anodenzonen115 in die Driftzone120 . Das Trägerplasma in der Driftzone120 ist reduziert, und die Erholungsladung kann vermindert werden. Die Barriereschicht121 reduziert den lateralen Spannungsabfall längs des ersten pn-Überganges pn1, um eine Injektion zwischen den Gatestrukturen115 in einem Abstand zu den Inversionsschichten zu vermeiden. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel, das sich auf IGFETs bezieht, die MGD- (MOS gated diode) Zellen umfassen, kann die Halbleitervorrichtung
500 IGFET-Zellen und MGD-Zellen mit Gateelektroden umfassen, die elektrisch mit der ersten Lastelektrode310 verbunden sind. In dem rückwärts leitenden Modus der Halbleitervorrichtung500 resultiert der Stromfluss zwischen den ersten und zweiten Lastelektroden310 ,320 darin, dass die Body/Anodenzonen115 negativ bezüglich der ersten Lastelektrode310 und den Gateelektroden der MGDs vorgespannt sind und eine Inversionsschicht in den Body/Anodenzonen115 gebildet werden kann. Wenn in dem Rückwärtsmodus der Gesamtstrom durch die Halbleitervorrichtung500 über einer Durchschnittsstromflussdichteschwelle ist, ist er typischerweise durch einen unipolaren Stromfluss dominiert, der die elektrischen Verluste verglichen mit dem Fall eines gesamten Stromflusses über die ersten pn-Übergänge pn1 reduziert. - Die
2A bis2G beziehen sich auf laterale Schnitte von Halbleitervorrichtungen500 zum Veranschaulichen von Ausführungsbeispielen der lateralen Ausdehnung der nicht verarmbaren Ausdehnungszonen170 von irgendwelchen Halbleitervorrichtungen500 der1A bis1E . - Ein Randgebiet
690 , das frei bzw. leer von funktionalen Transistorzellen ist, trennt ein aktives Gebiet610 , das die funktionalen Transistorzellen umfasst, von der Seitenoberfläche103 des Halbleiterkörpers100 . Das Randgebiet690 umfasst ein Gategebiet695 in der vertikalen Projektion einer Gatekonstruktion330 . In dem veranschaulichten Ausführungsbeispiel ist das Gategebiet695 einer Gatekonstruktion330 zugeordnet, die ein einziges Gatepad umfasst. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen kann die Gatekonstruktion330 mehr als ein Gatepad bzw. -kissen, eine Gateschiene und/oder eine oder mehrere Gatefinger umfassen, und das Gategebiet695 kann weitere Teile in der vertikalen Projektion von Gatefingern und/oder Gateschienen umfassen, die Abschnitte von elektrischen Verbindungen zwischen Gateelektroden und einem Gatepad in einer Metallisierungsebene bilden. Gatepad und Gategebiet695 können in einer Ecke oder längs einer der lateralen Seiten des Halbleiterkörpers100 angeordnet sein. Eine Gateschiene kann das aktive Gebiet610 umgeben. Ein Gatefinger kann das aktive Gebiet in getrennte Zellfelder trennen. -
2A zeigt eine nicht verarmbare Ausdehnungszone170 , die vollständig das aktive Gebiet610 längs einer Umfangslinie CL umgibt, welche das Gategebiet695 ausspart. Längs der Umfangslinie CL ist eine Nettodotierstoffkonzentration der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 konstant. Eine verarmbare Ausdehnungszone175 kann direkt an die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 in dem Randgebiet690 bei einer zu der Seitenoberfläche103 orientierten Seite angrenzen oder diese überlappen. -
2B bezieht sich auf ein Ausführungsbeispiel mit einer ersten, längs der Umfangslinie CL angenähert konstanten Nettodotierstoffkonzentration p1+ in ersten Abschnitten170a der nicht verarmbaren Ausdehnungszone und einer angereicherten zweiten Nettodotierstoffkonzentration p2+, die höher als, beispielsweise wenigstens zweimal so hoch wie die erste Nettodotierstoffkonzentration p1+ ist, in zweiten Abschnitten170b . Die zweiten Abschnitte170b können lateral gekrümmte Abschnitte nahe zu den Ecken des Halbleiterkörpers100 und/oder Abschnitte zwischen dem aktiven Gebiet610 und dem Gategebiet695 sein. Die ersten Abschnitte170a können gerade Abschnitte sein, die die zweiten Abschnitte170b verbinden. - Die zweiten Abschnitte
170b können durch Implantieren der betreffenden Dotierstoffe bei einer lokal gesteigerten Implantationsdosis oder durch Durchführen einer ersten Implantation mit einer gleichmäßigen Implantationsdosis längs der Umfangslinie CL und einer zweiten Implantation, die selektiv in den zweiten Abschnitten wirksam ist, gebildet werden. - Die höhere Dotierstoffkonzentration in den zweiten Abschnitten
170b kann einen gesteigerten Lochstrom nahe zu den Ecken und dem Gategebiet695 kompensieren und aus einer erhöhten Lochstromdichte in weiteren Teilen des Halbleiterkörpers100 ohne Source- und Bodykontakte, beispielsweise in dem Gategebiet695 und nahe zu den Ecken, wo mehr Löcher je Längeneinheit der Ausdehnungszonen170 ,175 längs der Umfangslinie CL gelegen sind, resultieren. - Die Dotierstoffkonzentrationsprofile der nicht verarmbaren Ausdehnungszonen
170 längs der Umfangslinie CL können weiter Abschnitte mit einer Dotierstoffkonzentration zwischen den ersten und zweiten Dotierstoffkonzentrationen umfassen. Die ersten Abschnitte170a der nicht verarmbaren Ausdehnungszone können eine Dotierstoffdosis von wenigstens 2,5E12 cm-2, beispielsweise wenigstens 1E13 cm-2 oder größer als 2E13 cm-2, enthalten. Die zweiten Abschnitte170b können eine Dotierstoffdosis enthalten, die wenigstens zweimal so hoch wie die erste Dotierstoffdosis, beispielsweise wenigstens viermal so hoch wie die erste Dotierstoffdosis ist. - In der Halbleitervorrichtung
500 in2C umfasst die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 einen vergrößerten Teil170x , der in der vertikalen Projektion eines Gatepads in dem Gategebiet695 gebildet ist. Der vergrößerte Teil170x kann sich über das vollständige Gategebiet695 erstrecken und kann die vollständige vertikale Projektion einer Gatekonstruktion, die wenigstens ein Gatepad umfasst, überlappen. Ein weiterer Teil der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 umgibt das aktive Gebiet610 , wie dies anhand von2A beschrieben ist. - In
2D ist die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 exklusiv in der vertikalen Projektion eines Gatepads in dem Gategebiet695 gebildet. Die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 kann weitere Abschnitte in weiteren Abschnitten des Gategebietes695 umfassen, die Gatefinger und/oder Gateschienen zugeordnet sind. - Die Halbleitervorrichtung
500 von2E unterscheidet sich von derjenigen in2B dadurch, dass die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 einen Abschnitt einer erhöhten Dotierstoffkonzentration170b umfasst, der sich über das vollständige oder wenigstens einen Hauptteil des Gategebietes695 erstreckt und mit wenigstens einem Hauptteil der vertikalen Projektion eines Gatepads überlappt. Die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 kann weiterhin Abschnitte in weiteren Abschnitten des Gategebietes695 umfassen, die Gatefinger und/oder Gateschienen zugeordnet sind. -
2F bezieht sich auf ein Ausführungsbeispiel mit der nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 , die isolierte Segmente umfasst, die längs der Umfangslinie CL angeordnet sind. Die Segmente können gekrümmte Abschnitte in den Ecken des Halbleiterkörpers100 und/oder Abschnitte zwischen dem aktiven Gebiet610 und dem Gategebiet695 umfassen. -
2G bezieht sich auf ein Layout bzw. eine Gestaltung mit dem Gategebiet695 , das längs einer der lateralen Seiten angeordnet und symmetrisch bezüglich einer lateralen Mittenachse des Halbleiterkörpers100 ist. Abschnitte der verarmbaren und nicht verarmbaren Ausdehnungszonen175 ,170 können vollständig das Gategebiet695 aufspannen. In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann das Gatepad in der Mitte des aktiven Gebietes610 gelegen sein. -
3 bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen500 mit einer nicht verarmbaren Ausdehnungszone170 , die wenigstens in einem Teil der vertikalen Projektion einer Gatekonstruktion330 gebildet ist. Die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 kann sich über wenigstens 40% der vertikalen Projektion der Gatekonstruktion330 , beispielsweise über wenigstens 80%, erstrecken. Gemäß einem Ausführungsbeispiel erstreckt sich die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 über die gesamte vertikale Projektion der Gatekonstruktion330 . Die Konfiguration der Gatekonstruktion330 , die leitende Struktur157 , die elektrisch die Gatekonstruktion330 mit Leergateelektroden155a verbindet, sowie die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 , wie in3 gezeigt, kann mit irgendeiner der Halbleitervorrichtungen500 kombiniert werden, die anhand der1A bis1F beschrieben sind. Eine Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur200 grenzt an eine erste Oberfläche101 des Halbleiterkörpers100 an. In dem Randgebiet690 trennt die Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur200 eine Gatekonstruktion330 von dem Halbleiterkörper100 . Die Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur200 kann eine leitende Struktur157 umfassen, wobei ein Felddielektrikum211 die leitende Struktur157 von dem Halbleiterkörper100 trennt und ein Deckdielektrikum212 die leitende Struktur157 von der Gatekonstruktion330 trennt. - In der vertikalen Projektion von wenigstens einem Teil der Gatekonstruktion
330 in dem Halbleiterkörper100 ist eine nicht verarmbare Ausdehnungszone170 eines Leitfähigkeitstyps von Body/Anodenzonen115 der Transistorzellen TC. Die Gatekonstruktion330 kann ein Gatepad, das als ein Landepad für einen Bonddraht geeignet ist, oder eine andere Chip-Leiterrahmen- oder Chip-Chip-Verbindung, wie ein gelöteter Clip, sein. Das Gatepad kann in direkter Verbindung mit der leitenden Struktur157 sein. Die leitende Struktur157 kann ein Teil eines integrierten Gatewiderstandes oder einer polykristallinen Siliziumdiode sein oder kann unter dem Gatepad weggelassen sein. Für weitere Einzelheiten wird Bezug genommen auf die Beschreibung der1A bis2G . - Während einer Kommutierung reduzieren die nicht verarmbaren Ausdehnungszonen
170 einen Widerstand, der für einen Lochstromfluss zwischen dem Randgebiet690 und dem äußersten Kontakt der ersten Lastelektrode310 , ausgerichtet zu dem Randgebiet690 , wirksam ist. Verglichen mit verarmbaren Ausdehnungszonen, die im Fall des Lochstromflusses vollständig verarmt sind und folglich einen vergleichsweise hohen ohmschen Widerstand haben, ist die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 nicht vollständig verarmt und verbessert folglich den Verarmungsprozess von Löchern und reduziert dynamische Schaltverluste. Während ohne nicht verarmbare Ausdehnungszonen170 eine Kapazität der Gatekonstruktion330 sich zu der Gate-Drain-Kapazität Cgd nach Verarmung der zweiten Zonen182 addiert, schirmt die nicht verarmbare Ausdehnungszone170 die Gatekonstruktion330 derart ab, dass die Gate-Drain-Kapazität Cgd nicht erhöht ist oder lediglich zu einem geringeren Ausmaß erhöht ist, was zu reduzierten Schaltverlusten führt. - Das Diagramm von
4 zeigt schematisch die Schaltverluste Eoff als eine Funktion des Laststromes Isat. Vergleichsbeispiele791 ohne nicht verarmbare Ausdehnungszonen zeigen höhere Schaltverluste als Vergleichsvorrichtungen792 , die nicht verarmbare Ausdehnungszonen umfassen. Die nicht verarmbaren Ausdehnungszonen reduzieren die Kommutierungsverluste. Da in Resonanzanwendungen Energie, die kapazitiv in der Halbleitervorrichtung500 gespeichert ist, wiedergewonnen wird, können Verluste, die aus einer Gatekonstruktion330 resultieren, zu einem Drittel der Gesamtkommutierungsverluste beitragen. - Die
5A bis5D beziehen sich auf elektronische Schaltungen700 , die eine oder mehrere Halbbrückenschaltungen710 aufweisen, die auf zwei Halbleiterschaltvorrichtungen711 ,712 mit Laststrompfaden beruhen, die in Serie zwischen Vdd und Gnd verbunden sind. Die Halbleiterschaltvorrichtungen711 ,712 können IGFETs oder IGBTs sein. Wenigstens eine der Halbleiterschaltvorrichtungen711 ,712 kann eine der Halbleitervorrichtungen500 der vorangehenden Figuren sein oder diese umfassen. Die Halbbrückenschaltung710 oder die gesamte elektronische Schaltung700 kann in einem Leistungsmodul integriert sein. - Die elektronische Schaltung
700 kann eine Gatetreiberschaltung720 umfassen, die ein erste Gatesignal bei einem ersten Treiberanschluss Gout1 und ein zweites Gatesignal bei einem zweiten Treiberanschluss Gout2 erzeugt und ansteuert. Die ersten und zweiten Treiberanschlüsse Gout1, Gout2 sind elektrisch mit Gateanschlüssen G der Halbleitervorrichtungen711 ,712 gekoppelt oder verbunden. Die Gatetreiberschaltung720 steuert die Gatesignale derart, dass während regulärer Schaltzyklen die ersten und zweiten Schaltvorrichtungen711 ,712 abwechselnd in dem Einschaltzustand sind. Während Entsättigungszyklen kann die Gatetreiberschaltung72 Entsättigungsimpulse vor Schalten einer der Schaltvorrichtungen711 ,712 in den Einschaltzustand anlegen. - In
5A sind die Schaltvorrichtungen711 ,712 n-IGFETs, wobei ein Sourceanschluss S der ersten Schaltvorrichtung711 und ein Drainanschluss D der zweiten Schaltvorrichtung712 elektrisch mit einem Schaltanschluss Sw verbunden sind. - In
5B ist die erste Schaltvorrichtung711 ,712 ein p-IGFET, und die zweite Schaltvorrichtung712 ist ein n-IGFET. - In
5C sind die Schaltvorrichtungen711 ,712 n-Kanal-IGBTs, wobei ein Emitteranschluss E der ersten Schaltvorrichtung711 und ein Kollektoranschluss C der zweiten Schaltvorrichtung712 elektrisch mit einem Schaltanschluss Sw verbunden sind. -
5D zeigt eine elektronische Schaltung700 mit zwei Halbbrücken710 , deren Lastpfade parallel verbunden und in einer Vollbrückenkonfiguration betrieben sind. Eine Last900 , beispielsweise eine induktive Last, kann mit den Schaltanschlüssen Sw der zwei Halbbrücken710 verbunden sein. Die Last900 kann eine Motorwicklung, eine induktive Kochplatte oder eine Transformatorwicklung in einer Schaltmodus-Stromversorgung als Beispiel sein. Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel kann die elektronische Schaltung700 drei Halbbrücken710 zum Antreiben eines Motors mit drei Wicklungen umfassen, wobei jede Wicklung zwischen einem Sternknoten der Motorwicklungen und einem der Schaltanschlüsse Sw der Halbbrücken710 verbunden ist.
Claims (19)
- Halbleitervorrichtung, umfassend: einen Halbleiterkörper (100), der Transistorzellen (TC) umfasst, die in einem aktiven Gebiet (610) angeordnet sind und in einem Randgebiet (690) zwischen dem aktiven Gebiet (610) und einer Seitenoberfläche (103) des Halbleiterkörpers (100) fehlen, ein Felddielektrikum (211), das an eine erste Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angrenzt und in dem Randgebiet (690) eine mit Gateelektroden (150) der Transistorzellen (TC) verbundene leitende Struktur (157) von dem Halbleiterkörper (100) trennt, wobei das Felddielektrikum (211) einen Übergang (Tr) von einer ersten zu einer zweiten, größeren vertikalen Ausdehnung umfasst, und eine nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eines Leitfähigkeitstyps von Body/Anodenzonen (115) der Transistorzellen (TC) und elektrisch verbunden mit wenigstens einer der Body/Anodenzonen (115), wobei der Übergang (Tr) in der vertikalen Projektion der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) ist, wobei die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) das aktive Gebiet (610) umgibt und die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) gerade erste Abschnitte (170a) mit einer ersten Dotierstoffkonzentration und lateral gekrümmte zweite Abschnitte (170b) mit einer zweiten Dotierstoffkonzentration aufweist, wobei die ersten Abschnitte (170a) die zweiten Abschnitte (170b) verbinden und die zweite Dotierstoffkonzentration höher ist als die erste Dotierstoffkonzentration ist.
- Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) elektrisch mit einer metallischen Lastelektrode (310) verbunden ist. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 oder2 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eine effektive Dotierstoffdosis größer als 2,5E12 cm-2 enthält. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , weiterhin umfassend: eine verarmbare Ausdehnungszone (175) des Leitfähigkeitstyps der Body/Anodenzonen direkt angrenzend an die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) und angeordnet zwischen der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) und der Seitenoberfläche (103). - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4 , bei der die verarmbare Ausdehnungszone (175) eine effektive Dotierstoffdosis von höchstens 2,0E12 cm-2 enthält. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4 oder5 , weiterhin umfassend: eine Spacerzone (173), die zwischen der ersten Oberfläche (101) und der verarmbaren Ausdehnungszone (175) vorgesehen ist und einen pn-Übergang mit der verarmbaren Ausdehnungszone (175) bildet. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis6 , bei der die leitende Struktur (157) ein Abschnitt einer elektrischen Verbindung zwischen einer Gatekonstruktion und Gateelektroden (155) der Transistorzellen (TC) ist. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis7 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) direkt an eine Body/Anodenzone (115) von wenigstens einer der Transistorzellen (TC) angrenzt. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis8 , bei der eine vertikale Ausdehnung der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) senkrecht zu der ersten Oberfläche (101) eine vertikale Ausdehnung der Body/Anodenzonen (115) der Transistorzellen (TC) überschreitet. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis9 , weiterhin umfassend: erste Zonen (181) eines ersten Leitfähigkeitstyps entgegengesetzt zu einem zweiten Leitfähigkeitstyp, gegeben durch den Leitfähigkeitstyp der Body/Anodenzonen (115), und zweite Zonen (182) des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei die ersten und zweiten Zonen (181, 182) abwechselnd in dem Halbleiterkörper (100) in dem aktiven Gebiet (610) und in dem Randgebiet (690) angeordnet sind, wobei in dem aktiven Gebiet (610) die zweiten Zonen (182) direkt an die Body/Anodenzonen (115) angrenzen und die ersten Zonen (181) pn-Übergänge mit den Body/Anodenzonen (115) bilden. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis10 , bei der eine Fremdstoffkonzentration in der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) nicht um mehr als 50% zwischen einem Startpunkt des Überganges (Tr), wo eine vertikale Ausdehnung des Überganges (Tr) von der ersten vertikalen Ausdehnung zuzunehmen beginnt, und einem Referenzpunkt bei einem Abstand von wenigstens 1 µm zu dem Startpunkt abnimmt. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis11 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eine erste Dotierstoffkonzentration in ersten Abschnitten zwischen dem aktiven Gebiet (610) und der Seitenoberfläche (103) und eine zweite Dotierstoffkonzentration, die höher als die erste Dotierstoffkonzentration ist, in zweiten Abschnitten zwischen dem aktiven Gebiet und einem Gategebiet in der vertikalen Projektion einer Gatekonstruktion enthält. - Halbleitervorrichtung, umfassend: einen Halbleiterkörper (100), der Transistorzellen (TC) aufweist, die in einem aktiven Gebiet (610) angeordnet sind und in einem Randgebiet (690) zwischen dem aktiven Gebiet (610) und einer Seitenoberfläche (103) des Halbleiterkörpers (100) fehlen, eine Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur, die an eine erste Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angrenzt und in dem Randgebiet (690) eine Gatekonstruktion von dem Halbleiterkörper (100) trennt, und eine nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eines Leitfähigkeitstyps von Body/Anodenzonen (115) der Transistorzellen (TC) in der vertikalen Projektion von wenigstens einem Teil der Gatekonstruktion in dem Halbleiterkörper (100) und elektrisch verbunden mit einer der Body/Anodenzonen (115), wobei die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) das aktive Gebiet (610) umgibt und die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) gerade erste Abschnitte (170a) mit einer ersten Dotierstoffkonzentration und lateral gekrümmte zweite Abschnitte (170b) mit einer zweiten Dotierstoffkonzentration aufweist, wobei die ersten Abschnitte (170a) die zweiten Abschnitte (170b) verbinden und die zweite Dotierstoffkonzentration höher ist als die erste Dotierstoffkonzentration.
- Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 13 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) sich über wenigstens 40% einer vertikalen Projektion der Gatekonstruktion erstreckt. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 13 oder14 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) elektrisch mit einer Lastelektrode verbunden ist. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 13 bis15 , bei der die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eine effektive Dotierstoffdosis größer als 2,5E12 cm-2 enthält. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 13 bis16 , weiterhin umfassend: eine verarmbare Ausdehnungszone (175) des Leitfähigkeitstyps der Body/Anodenzonen (115), direkt angrenzend an die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) und angeordnet zwischen der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) und der Seitenoberfläche (103). - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 17 , bei der die verarmbare Ausdehnungszone (175) eine effektive Dotierungsdosis von höchstens 2,0E12 cm-2 enthält. - Halbbrückenschaltung, umfassend: einen Halbleiterkörper (100), der Transistorzellen (TC) aufweist, die in einem aktiven Gebiet (610) angeordnet sind und in einem Randgebiet (690) zwischen dem aktiven Gebiet (610) und einer Seitenoberfläche (103) des Halbleiterkörpers (100) fehlen, ein Felddielektrikum (211), das an eine erste Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angrenzt und in dem Randgebiet (690) eine leitende Struktur (157), die mit Gateelektroden (150) der Transistorzellen (TC) verbunden ist, von dem Halbleiterkörper (100) trennt, wobei das Felddielektrikum (211) einen Übergang (Tr) von einer ersten zu einer zweiten größeren vertikalen Ausdehnung umfasst, und eine nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) eines Leitfähigkeitstyps von Body/Anodenzonen (115) der Transistorzellen (TC) und elektrisch verbunden mit wenigstens einer der Body/Anodenzonen (115), wobei der Übergang (Tr) in der vertikalen Projektion der nicht verarmbaren Ausdehnungszone (170) ist, wobei die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) das aktive Gebiet (610) umgibt und die nicht verarmbare Ausdehnungszone (170) gerade erste Abschnitte (170a) mit einer ersten Dotierstoffkonzentration und lateral gekrümmte zweite Abschnitte (170b) mit einer zweiten Dotierstoffkonzentration aufweist, wobei die ersten Abschnitte (170a) die zweiten Abschnitte (170b) verbinden und die zweite Dotierstoffkonzentration höher ist als die erste Dotierstoffkonzentration.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/277,169 US9773863B2 (en) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | VDMOS having a non-depletable extension zone formed between an active area and side surface of semiconductor body |
US14/277,169 | 2014-05-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102015107456A1 DE102015107456A1 (de) | 2015-11-19 |
DE102015107456B4 true DE102015107456B4 (de) | 2021-09-23 |
Family
ID=54361825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015107456.7A Active DE102015107456B4 (de) | 2014-05-14 | 2015-05-12 | Halbleitervorrichtung mit Felddielektrikum in einem Randgebiet, Halbleitervorrichtung mit Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur in einem Randgebiet und Halbbrückenschaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9773863B2 (de) |
KR (1) | KR101721313B1 (de) |
CN (2) | CN105185821B (de) |
DE (1) | DE102015107456B4 (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10468479B2 (en) * | 2014-05-14 | 2019-11-05 | Infineon Technologies Austria Ag | VDMOS having a drift zone with a compensation structure |
US9318587B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-04-19 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Injection control in semiconductor power devices |
US10361266B2 (en) * | 2014-06-09 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9871126B2 (en) * | 2014-06-16 | 2018-01-16 | Infineon Technologies Ag | Discrete semiconductor transistor |
CN105529262A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 |
DE102014116773A1 (de) * | 2014-11-17 | 2016-05-19 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung und Bipolartransistor mit isoliertem Gate mit Transistorzellen und Sensorzelle |
US10026805B2 (en) * | 2015-03-27 | 2018-07-17 | Farichild Semiconductor Corporation | Avalanche-rugged silicon carbide (SiC) power device |
DE102015110484B4 (de) | 2015-06-30 | 2023-09-28 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements |
US10705123B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-07-07 | Rohm Co., Ltd. | SiC semiconductor device with current sensing capability |
DE102016100519B4 (de) * | 2016-01-13 | 2023-05-17 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleitervorrichtungen, die eine Randkonstruktion mit geraden Abschnitten und Eckabschnitten umfassen |
JP6855700B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2021-04-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6832094B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2021-02-24 | ローム株式会社 | パワーモジュール及びモータ駆動回路 |
DE102016118499B4 (de) | 2016-09-29 | 2023-03-30 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements |
DE102016120772B4 (de) * | 2016-10-31 | 2020-06-10 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Halbleitervorrichtung mit Gatepad, Gateelektrode und Integrationsschicht |
US10312710B1 (en) * | 2017-01-31 | 2019-06-04 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Energy recovery pulse forming network |
DE102017105548A1 (de) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Halbleitervorrichtung, die eine gatekontaktstruktur enthält |
CN107591451A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 超结器件 |
RU184252U1 (ru) * | 2018-01-09 | 2018-10-19 | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" | Конструкция интегральных резисторов в микросхемах на эпитаксиальных структурах арсенида галлия |
EP3716340A1 (de) | 2019-03-25 | 2020-09-30 | Infineon Technologies Austria AG | Transistorvorrichtung |
CN111883585B (zh) * | 2020-08-21 | 2024-02-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 超结器件 |
JP2023137644A (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
IT202200006485A1 (it) | 2022-04-01 | 2023-10-01 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico con oscillazioni di commutazione ridotte |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010005031A1 (en) | 1999-12-09 | 2001-06-28 | Kozo Sakamoto | Power semiconductor device |
US20080135926A1 (en) | 2006-11-20 | 2008-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5973368A (en) | 1996-06-05 | 1999-10-26 | Pearce; Lawrence G. | Monolithic class D amplifier |
DE19840032C1 (de) * | 1998-09-02 | 1999-11-18 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dazu |
US7098506B2 (en) * | 2000-06-28 | 2006-08-29 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US6274905B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-08-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench structure substantially filled with high-conductivity material |
DE19947020B4 (de) | 1999-09-30 | 2006-02-23 | Infineon Technologies Ag | Kompensationsbauelement mit variabler Ladungsbilanz und dessen Herstellungsverfahren |
JP4765012B2 (ja) | 2000-02-09 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE10066053B4 (de) | 2000-12-08 | 2006-03-30 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung |
US6612214B2 (en) * | 2001-10-05 | 2003-09-02 | Robud | Die cutter blanket-anvil locking arrangement |
JP4945055B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2012-06-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006005275A (ja) | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
JP4825424B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
DE102005023026B4 (de) | 2005-05-13 | 2016-06-16 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauelement mit Plattenkondensator-Struktur |
DE102005038260B3 (de) | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US7737469B2 (en) * | 2006-05-16 | 2010-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having superjunction structure formed of p-type and n-type pillar regions |
JP5147203B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2013-02-20 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 絶縁ゲート型半導体装置 |
DE102006047489B9 (de) * | 2006-10-05 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement |
JP2008251923A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP4621708B2 (ja) | 2007-05-24 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102007030755B3 (de) | 2007-07-02 | 2009-02-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement mit einem einen Graben aufweisenden Randabschluss und Verfahren zur Herstellung eines Randabschlusses |
CN101345254A (zh) * | 2007-07-12 | 2009-01-14 | 富士电机电子技术株式会社 | 半导体器件 |
JP2009087998A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
CN100565879C (zh) * | 2008-01-08 | 2009-12-02 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 | 一种深沟槽大功率mos器件及其制造方法 |
CN101853854B (zh) * | 2010-03-12 | 2012-11-21 | 无锡新洁能功率半导体有限公司 | 一种改进型终端结构的沟槽功率mos器件 |
CN101814528B (zh) * | 2010-05-04 | 2011-06-22 | 无锡新洁能功率半导体有限公司 | 一种具有改进型终端的半导体器件及其制造方法 |
JP5633992B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2014-12-03 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPWO2012056536A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2014-03-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TWI407568B (zh) * | 2010-11-22 | 2013-09-01 | Sinopower Semiconductor Inc | 半導體元件 |
JP5569600B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2014-08-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8941188B2 (en) | 2012-03-26 | 2015-01-27 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor arrangement with a superjunction transistor and a further device integrated in a common semiconductor body |
US9536944B2 (en) * | 2012-12-04 | 2017-01-03 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US20140231928A1 (en) | 2013-02-18 | 2014-08-21 | Infineon Technologies Austria Ag | Super Junction Semiconductor Device with an Edge Area Having a Reverse Blocking Capability |
CN104282732B (zh) * | 2013-07-01 | 2017-06-27 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
US8958189B1 (en) | 2013-08-09 | 2015-02-17 | Infineon Technologies Austria Ag | High-voltage semiconductor switch and method for switching high voltages |
US10468479B2 (en) * | 2014-05-14 | 2019-11-05 | Infineon Technologies Austria Ag | VDMOS having a drift zone with a compensation structure |
-
2014
- 2014-05-14 US US14/277,169 patent/US9773863B2/en active Active
-
2015
- 2015-05-12 DE DE102015107456.7A patent/DE102015107456B4/de active Active
- 2015-05-13 KR KR1020150066701A patent/KR101721313B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-14 CN CN201510244477.9A patent/CN105185821B/zh active Active
- 2015-05-14 CN CN201910221604.1A patent/CN110085659A/zh active Pending
-
2017
- 2017-08-21 US US15/681,454 patent/US20170373140A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010005031A1 (en) | 1999-12-09 | 2001-06-28 | Kozo Sakamoto | Power semiconductor device |
US20080135926A1 (en) | 2006-11-20 | 2008-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110085659A (zh) | 2019-08-02 |
KR20150130934A (ko) | 2015-11-24 |
US20150333168A1 (en) | 2015-11-19 |
CN105185821B (zh) | 2019-04-23 |
KR101721313B1 (ko) | 2017-03-29 |
US20170373140A1 (en) | 2017-12-28 |
DE102015107456A1 (de) | 2015-11-19 |
CN105185821A (zh) | 2015-12-23 |
US9773863B2 (en) | 2017-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102015107456B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit Felddielektrikum in einem Randgebiet, Halbleitervorrichtung mit Zwischenschicht-Dielektrikumstruktur in einem Randgebiet und Halbbrückenschaltung | |
DE102013211572B4 (de) | Halbleiterbauelement mit ladungsträgerlebensdauerreduktionsmitteln | |
DE102016103384B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit nadelförmigen Feldplattenstrukturen in einem Transistorzellengebiet und in einem inneren Abschlussgebiet | |
DE10211688B4 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102016205111B4 (de) | Halbleiteranordnung mit einem IGBT und einer Freilaufdiode | |
DE102014113189B4 (de) | Halbleitervorrichtungen mit Feldelektrodenstrukturen, Gatestrukturen und Hilfsdiodenstrukturen | |
DE102013100683B4 (de) | Integrierte Schaltung mit Feldeffekttransistorstrukturen mit Gate- und Feldelektroden und Verfahren zum Herstellen einer solchen integrierten Schaltung | |
DE102014119466A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit streifenförmigen trenchgatestrukturen und gateverbinderstruktur | |
DE102015101762B4 (de) | Halbleitervorrichtung, verfahren zum herstellen derselben und igbt mit einer mit einer fremdstoffzone verbundenen emitterelektrode | |
DE102017110969A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit grosser bandlücke mit graben-gatestrukturen | |
DE60319899T2 (de) | Doppeldiffundierter MOSFET | |
DE102012105162B4 (de) | Integriertes Leistungshalbleiterbauelement, Herstellungsverfahren dafür und Chopperschaltung mit integriertem Halbleiterbauelement | |
CN110190125A (zh) | 碳化硅半导体器件 | |
DE19830332C2 (de) | Vertikales Halbleiterbauelement mit reduziertem elektrischem Oberflächenfeld | |
DE102008064829B3 (de) | Grabenisolierter Gate-Bipolartransistor | |
DE102015108440B3 (de) | Streifenförmige elektrodenstruktur einschliesslich eines hauptteiles mit einer feldelektrode und eines die elektrodenstruktur abschliessenden endteiles | |
DE202012013723U1 (de) | Halbleiterbauteil | |
DE102015118322B4 (de) | Bipolartransistor mit Superjunction-Struktur | |
DE112012003111T5 (de) | Diode, Halbleitervorrichtung und Mosfet | |
DE102013112831B4 (de) | Ladungskompensations-Halbleiterbauelement | |
DE102016101647A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit superjunction-struktur und transistorzellen in einem übergangsbereich entlang einem transistorzellenbereich | |
EP2462618A1 (de) | Feldeffekttransistor mit integrierter tjbs-diode | |
DE112017004153T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP0750351B1 (de) | MOS-Halbleiterbauelement mit verbesserten Durchlasseigenschaften | |
DE102017118121B4 (de) | Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |