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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet von Anzeigetechnologien und insbesondere auf ein Arraysubstrat, ein das Arraysubstrat umfassendes Anzeigefeld sowie eine das Arraysubstrat umfassende Anzeigevorrichtung.
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Mit fortschreitender Entwicklung der Anzeigetechnologien weist eine Anzeigevorrichtung tendenziell ein Aufbau mit schmalen Rändern auf. Die Anzeigevorrichtung ist mit einem größeren Bildschirm und schmaleren Rändern konzipiert. Für eine Anzeigevorrichtung, die eine feststehende Größe aufweist, führt der Aufbau mit schmalen Rändern zu einem großen Bildschirm, wodurch die Anzeigewirkung der Anzeigevorrichtung verbessert wird.
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Herkömmlicherweise stellt ein Integrieren von Gatesteuerschaltungen auf einem Anzeigefeld eine der wichtigsten Lösungen dar, um schmale Ränder zu erzielen. Indem man die Gatesteuerschaltungen auf dem Anzeigefeld integriert, statt eine herkömmliche integrierte Gatesteuerschaltung zu verwenden, kann nicht nur eine Verringerung der Materialkosten und des Herstellungsprozesses eines Produkts erreicht werden, sondern es kann auch die Funktionssicherheit des Produkts verbessert werden. Die Anzeigevorrichtung ist leichter, und der Aufbau mit schmalen Rändern wird erzielt.
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Jedoch können die Ränder des herkömmlichen Anzeigefeldes noch schmäler entworfen werden.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Arraysubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
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Diese Aufgabe wird durch ein Arraysubstrat gemäß Anspruch 1, ein Anzeigefeld gemäß Anspruch 8 und eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 9 gelöst.
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Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung wird ein Arraysubstrat bereitgestellt. Das Arraysubstrat umfasst eine Anzeigeregion und eine Nichtanzeigeregion. Die Nichtanzeigeregion ist mit Gatesteuerschaltungen und Signalleitungen außerhalb der Gatesteuerschaltungen ausgestattet. Die Signalleitungen und zumindest entweder eine Gateleitung und/oder eine Datenleitung befinden sich in einer selben Schicht. Jede Gatesteuerschaltung umfasst eine TFT-Vorrichtung (TFT = thin film transistor, Dünnfilmtransistor) und einen Kondensator. Die Gatesteuerschaltung ist über Anschlussleitungen mit den Signalleitungen bzw. einer zugehörigen Komponente in der Anzeigeregion verbunden. Der Kondensator umfasst eine erste Platte und eine zweite Platte und befindet sich über oder unter den Signalleitungen.
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Ferner wird gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ein Anzeigefeld bereitgestellt, das das vorstehende Arraysubstrat umfasst.
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Ferner wird gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitgestellt, die das vorstehende Anzeigefeld umfasst.
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Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
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1 eine schematische Draufsicht auf ein mit Gatesteuerschaltungen versehenes herkömmliches Arraysubstrat;
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2 ein schematisches Diagramm einer Gatesteuerschaltung;
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3a eine Draufsicht auf ein Layout eines Abschnitts, der in 2 in einem gestrichelten Kreis gezeigt ist;
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3b eine Schnittansicht des Layouts des Abschnitts, die entlang der in 3a gezeigten Linie A-A' genommen ist;
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4 eine schematische Draufsicht auf ein Arraysubstrat gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
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5a eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts 5, der in 4 in einem gestrichelten Kreis gezeigt ist;
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5b eine Schnittansicht des Abschnitts 5, die entlang einer in 5a gezeigten Linie B-B' genommen ist;
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6a eine schematische Draufsicht auf eine Pixeleinheit;
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6b eine Schnittansicht der Pixeleinheit, die entlang einer in 6a gezeigten Linie C-C' genommen ist;
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7a ein Vergleichsdiagramm von Schnittansichten einer Signalleitungsregion, einer TFT-Vorrichtungsregion und einer Pixeleinheit;
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7b ein weiteres Vergleichsdiagramm von Schnittansichten einer Signalleitungsregion, einer TFT-Vorrichtungsregion und einer Pixeleinheit;
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8 eine Draufsicht auf eine Signalleitungsregion und eine entlang einer Linie D-D' genommene Schnittansicht der Signalleitungsregion; und
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9 eine schematische Schnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
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Bei der Offenbarung ist ein Kondensator über oder unter einer Signalleitung angeordnet. Somit ist es möglich, dass der Kondensator keine zusätzliche Breite zu einem Rand beiträgt. Demgemäß wird eine Breite des Randes einer Anzeigevorrichtung weiter verringert, und ein Aufbau mit schmalen Rändern wird erzielt.
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In 1 ist eine Struktur eines herkömmlichen Anzeigefeldes gezeigt. Das Anzeigefeld umfasst eine Anzeigeregion 2 und eine Nichtanzeigeregion 1. Die Nichtanzeigeregion 1 umfasst: Gatesteuerschaltungsregionen 11, die mit mehreren kaskadierenden Gatesteuerschaltungen 111 versehen ist, und Signalleitungsregionen 12, die sich außerhalb der Gatesteuerschaltungen befinden und mit Signalleitungen 121 versehen sind. Sowohl die Gatesteuerschaltungsregionen 11 als auch die Signalleitungsregionen 12 außerhalb der Gatesteuerschaltungen sind symmetrisch auf zwei Seiten außerhalb der Anzeigeregion 2 angeordnet. Wie in 1 gezeigt ist, gleicht eine Breite W eines Randes des Anzeigefeldes einer Summe einer Breite W1 der Signalleitungsregion und einer Breite Wt der Gatesteuerschaltungsregion, d. h. W = W1 + Wt.
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2 ist ein schematisches Diagramm einer Gatesteuerschaltung. Allgemein ist die Gatesteuerschaltung zumindest mit einer Dünnfilmtransistor(TFT)-Vorrichtung 1111 und einem Kondensator 1112 versehen, die in 2 durch einen gestrichelten Kreis gezeigt sind. 3a ist eine Draufsicht auf ein Layout des in 2 in dem gestrichelten Kreis gezeigten Abschnitts. Üblicherweise befinden sich eine Gateelektrode 221 der TFT-Vorrichtung und eine untere Platte 211 des Kondensators auf einer selben Schicht und sind mit einem selben Metallmaterial in einem selben Prozess hergestellt. Eine Schicht 222 stellt eine Halbleiterschicht der TFT-Vorrichtung dar. Üblicherweise befinden sich eine Drainelektrode 223 der TFT-Vorrichtung und eine obere Platte 213 des Kondensators in einer selben Schicht und sind mit einem selben Metallmaterial in einem selben Prozess hergestellt. In 3a sind eine TFT-Vorrichtung und ein Kondensator lediglich schematisch gezeigt, während eine dielektrische Schicht zwischen der oberen Platte und der unteren Platte des Kondensators nicht gezeigt ist. W2 stellt eine Breite einer TFT-Vorrichtungsregion dar. Alle TFT-Vorrichtungen der Gatesteuerschaltung und alle Leitungen, die die TFT-Vorrichtungen verbinden, sind in der TFT-Vorrichtungsregion angeordnet. Die Breite der TFT-Vorrichtungsregion ist üblicherweise größer als eine Breite einer in 3a gezeigten TFT-Vorrichtung. W3 stellt eine Breite einer Kondensatorregion dar. Die Breite Wt der Gatesteuerschaltungsregion gleicht einer Summe aus W2 und W3, und demgemäß gleicht die Breite eines Randes des Anzeigefeldes einer Summe aus W1, W2 und W3. Anders als bei herkömmlichen Technologien ist der Kondensator bei dem Arraysubstrat, dem Anzeigefeld und der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung über oder unter den Signalleitungen angeordnet. Somit ist es möglich, dass der Kondensator keine zusätzliche Breite zu einem Rand beiträgt. Demgemäß kann eine Breite des Randes der Anzeigevorrichtung weiter verringert werden, wodurch ein Aufbau mit schmalen Rändern erzielt wird.
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3b ist eine Querschnittsansicht der TFT-Vorrichtung 1111 und des Kondensators 1112, die entlang der Linie A-A' in 3a genommen ist. Die TFT-Vorrichtung 111 umfasst in der Darstellung die auf einer Schicht 30 angeordnete Gateelektrode 221, die Halbleiterschicht 222 und die Drainelektrode 223. Der Kondensator 1112 umfasst in der Darstellung die auf der Schicht 30 angeordnete untere Platte 211, die obere Platte 213 und eine zwischen der oberen Platte und der unteren Platte angeordnete Isolatorschicht 23. Die Schicht 23 ist auch zwischen der Halbleiterschicht 222 und der Gateelektrode 221 angeordnet.
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4 veranschaulicht eine schematische Draufsicht auf ein Arraysubstrat gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Das Arraysubstrat umfasst eine Anzeigeregion 42 und eine Nichtanzeigeregion 41. In der Anzeigeregion 42 sind mehrere Gateleitungen 421, mehrere Datenleitungen 422 sowie Pixeleinheiten vorgesehen. Die Datenleitungen schneiden sich mit den Gateleitungen und sind von den Gateleitungen isoliert, und die Pixeleinheiten sind in Pixelregionen angeordnet, die durch Schnittpunkte der Datenleitungen und der Gateleitungen definiert sind. Jede Pixeleinheit umfasst einen TFT 423, der als Pixelschalter fungiert, und eine mit dem TFT 423 elektrisch verbundene Pixelelektrode 424. Die Nichtanzeigeregion 41 ist mit Gatesteuerschaltungen (die sich in Gatesteuerschaltungsregionen 411 befinden) und Signalleitungen (die sich in Signalleitungsregionen 412 befinden) außerhalb der Gatesteuerschaltungen versehen.
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Die Gatesteuerschaltungsregion ist mit in Kaskade geschalteten Gatesteuerschaltungen versehen. Jede Gatesteuerschaltung umfasst ein Ausgangsende zum Ausgeben eines Zeilenabtastsignals. Das Zeilenabtastsignal wird über das Ausgangsende an die Gateleitung in der Anzeigeregion 42 des Arraysubstrats ausgegeben, um eine Zeile von Pixeln in der Anzeigeregion 42 dahin gehend anzusteuern, ein- oder ausgeschaltet zu werden. Ein Ausgangssignal jeder Gatesteuerschaltung wird als Rücksetzsignal für eine vorherige Gatesteuerschaltung oder als Vorladesignal für eine nächste Gatesteuerschaltung genommen. Somit wird ein fortschreitendes Abtasten einer Anzeigevorrichtung erzielt. Diverse Signale (beispielsweise ein Taktsignal, ein Rücksetzsignal) werden über die in den Signalleitungsregionen außerhalb der Gatesteuerschaltungen angeordneten Signalleitungen in die Gatesteuerschaltungen eingegeben.
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5a ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts 5, der in 4 in einem gestrichelten Kreis gezeigt ist, und 5b ist eine Schnittansicht des Abschnitts 5, die entlang einer in 5a gezeigten Linie B-B' genommen ist. Wie in 5a und 5b gezeigt ist, umfasst die Gatesteuerschaltung zumindest einen TFT 4111 und einen Kondensator 4112. Der Kondensator ist über den Signalleitungen angeordnet (alternativ dazu kann der Kondensator unter den Signalleitungen angeordnet sein) und ist über eine erste Isolierschicht 54 von den Signalleitungen 51 isoliert. Der Kondensator 4112 umfasst eine erste Platte 531, eine zweite Platte 521 und eine zwischen der ersten Platte 531 und der zweiten Platte 521 vorgesehene zweite Isolierschicht 58. Ein unteres Substrat 50, die erste Isolierschicht 54 und die zweite Isolierschicht 58, die in 5b gezeigt sind, sind in 5a nicht gezeigt. Es ist zu beachten, dass in 5a und 5b lediglich ein Kondensator und ein TFT als Beispiel veranschaulicht sind. Alternativ dazu können mehrere Kondensatoren über oder unter den Signalleitungen angeordnet sein. Üblicherweise umfasst die Gatesteuerschaltung mehrere TFTs und andere Elemente. In 5a stellt ein mit dem TFT elektrisch verbundener weißer Block 4113 andere Elemente als den TFT dar. Die Struktur des weißen Blocks 4113 kann mit einer üblichen Struktur einer herkömmlichen Gatesteuerschaltung implementiert sein, beispielsweise eine Struktur von Elementen, die nicht der TFT 4111 und der Kondensator 4112 in 2 sind. Alternativ dazu kann ein Element 531 eine zweite Platte darstellen, und ein Element 521 kann eine erste Platte darstellen.
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Außerdem sind Signale, die über die Signalleitungen 51 angelegt werden, Eingangssignale, die seitens der Gatesteuerschaltung benötigt werden und die verschiedene Pulssignale und verschiedene Konstantpegelsignale umfassen können. Die Pulssignale umfassen ein Taktsignal, ein Anstoßsignal und ein Rücksetzsignal. Das Taktsignal dient zum Erzeugen jeweiliger Gatesignale (Torsignale). Das Anstoßsignal dient zum Erzeugen eines ersten Gatesignals. Das Rücksetzsignal dient zum Erzielen einer Rücksetzung in dem Fall, dass ein Feld anzuzeigen beginnt. Die Konstantpegelsignale umfassen ein Hochpegelsignal VGH und ein Niedrigpegelsignal VGL. Die Anzahl der Signalleitungen variiert mit unterschiedlichen Gatesteuerschaltungen. Die Signalleitungen 51 befinden sich in einer selben Schicht wie zumindest entweder die Gateleitungen und/oder die Datenleitungen. In einem ersten Fall befinden sich die Signalleitungen in einer einzigen Schicht, die eine selbe Schicht ist wie die Gateleitungen. In einem zweiten Fall befinden sich die Signalleitungen in einer einzigen Schicht, die eine selbe Schicht ist wie die Datenleitungen. In einem dritten Fall befinden sich die Signalleitungen in zwei Schichten, wobei sich ein Teil der Signalleitungen in einer selben Schicht wie die Gateleitungen befindet und ein Teil der Signalleitungen in einer selben Schicht wie die Datenleitungen befindet.
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Wie in 4, 5a und 5b gezeigt ist, beträgt eine Breite der Signalleitungsregion 412 W1, eine Breite der Gatesteuerschaltungsregion 411 beträgt Wt und die Breite W1 der Signalleitungsregion ist größer als eine Breite W3 des Kondensators. Somit ist eine Breite W eines Randes eines Anzeigefeldes gleich einer Summe der Breite W1 der Signalleitungsregion und der Breite Wt der Gatesteuerschaltungsregion 411, d. h. W = W1 + Wt. Da der Kondensator über oder unter den Signalleitungen angeordnet ist, es möglich, dass die Breite W3 des Kondensators nicht zu der Breite Wt der Gatesteuerschaltungsregion beiträgt, und demgemäß ist die Breite Wt der Gatesteuerschaltungsregion gleich einer Breite W2 einer in 3a gezeigten TFT-Vorrichtungsregion. Das heißt, dass W = W1 + W2. Die Breite des Randes des Anzeigefeldes gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist kleiner als die eines herkömmlichen Anzeigefeldes um die Breite W3 des Kondensators. Somit ist eine Breite des Randes einer Anzeigevorrichtung verringert. Es ist zu beachten, dass allgemein die Breite W1 der Signalleitungsregion größer ist als die Breite W3 des Kondensators, somit gleicht die Breite W eines Randes des Anzeigefeldes einer Summe der Breite W1 der Signalleitungsregion und der Breite W2 der TFT-Vorrichtungsregion. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung kann die Breite W1 der Signalleitungsregion kleiner sein als die Breite W3 des Kondensators. In diesem Fall gleicht die Breite W eines Randes des Anzeigefeldes einer Summe der Breite W2 der TFT-Vorrichtungsregion und der Breite W3 des Kondensators, und demgemäß ist die Breite des Randes des Anzeigefeldes hier geringer als die des herkömmlichen Anzeigefeldes. Somit ist die Breite des Randes der Anzeigevorrichtung verringert. Gemäß (einem) beliebigen der obigen Ausführungsbeispiele ist es möglich, dass die Breite W1 der Signalleitungsregion und die Breite W3 des Kondensators nicht gleichzeitig zu der Breite W des Randes beitragen. Somit kann ferner ein schmalerer Rand erzielt werden.
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Bei dem Arraysubstrat können sowohl die erste Platte als auch die zweite Platte des Kondensators aus einem Metallmaterial hergestellt sein oder aus einem transparenten Material hergestellt sein. Alternativ dazu ist entweder die erste Platte oder die zweite Platte aus einem Metallmaterial hergestellt, und die andere Platte ist aus einem transparenten Material hergestellt. Das transparente Material kann ein transparentes Metalloxid sein, beispielsweise kann das transparente Material zumindest eines der Folgenden umfassen: InGaZnO, InGaO, ITZO und AlZnO.
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Für eine aus dem Metallmaterial hergestellte Platte kann zumindest ein Loch vorgesehen sein. Somit kann eine UV-Durchlässigkeit verbessert werden, wenn an einem Flüssigkristallanzeigefeld eine Härtung mit einem Dichtungsmittel durchgeführt wird. Demgemäß ist eine UV-Härtungseffizienz verbessert, und eine Produktproduktivität ist verbessert.
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Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ein Arraysubstrat vorgesehen. Ähnliche Teile des Arraysubstrats gemäß dem Ausführungsbeispiel und des Arraysubstrats gemäß dem obigen Ausführungsbeispiel werden hier nicht näher beschrieben. Optional kann sich zumindest eine von zwei Platten eines Kondensators gemäß dem Ausführungsbeispiel in einer selben Schicht wie ein Pixelarray befinden und kann aus einem selben Material hergestellt sein wie das Pixelarray. Auf diese Weise können der Kondensator und das Pixelarray mit einem selben Prozess hergestellt sein, wobei an der Herstellung des Kondensators kein zusätzlicher Prozess beteiligt ist, wodurch Kosten eingespart werden.
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6a ist eine Draufsicht auf eine Pixeleinheit in einer Anzeigeregion, und 6b ist eine Schnittansicht der Pixeleinheit, die entlang der in 6a gezeigten Linie C-C' genommen ist. Wie in 6a und 6b gezeigt ist, ist die Anzeigeregion mit einer Datenleitung 66 und einer Gateleitung 61 versehen, die voneinander isoliert sind und einander schneiden. Eine Pixeleinheit ist in einer Pixelregion angeordnet, die durch benachbarte Datenleitungen und benachbarte Gateleitungen unterteilt ist. Alternativ dazu ist die Pixeleinheit an einem Schnittpunkt der Datenleitung 66 und der Gateleitung 61 angeordnet. Die Pixeleinheit umfasst einen TFT, eine Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode. Die in den 6a und 6b gezeigte Pixeleinheit weist eine Einzeldomänenstruktur auf, und die Pixelelektrode befindet sich über der gemeinsamen Elektrode. Die Offenbarung ist nicht auf diesen Fall beschränkt. Die Pixelelektrode kann sich unter der gemeinsamen Elektrode befinden, und die Pixeleinheit kann eine Dualdomänenstruktur, eine Pseudodualdomänenstruktur oder eine Multidomänenstruktur aufweisen. Der TFT kann ein TFT aus amorphem Silizium (a-Si), ein TFT aus Polysilizium (Poly-Si) oder ein TFT aus amorphem Siliziumoxid sein. Der TFT kann eine Top-Gate-Struktur (Oberes-Gate-Struktur) und eine Bottom-Gate-Struktur (Unteres-Gate-Struktur) aufweisen.
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Wie in der Anzeigeregion 42 und der Signalleitungsregion 412 in 7a gezeigt ist, befinden sich die Pixelelektrode 63 und die erste Platte 531 in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Die gemeinsame Elektrode 62 und die zweite Platte 521 befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Somit ist an der Herstellung des Kondensators kein zusätzlicher Prozess beteiligt, und entsprechend werden Kosten eingespart. Da die Positionen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode ausgetauscht werden können, kann die erste Platte unter der zweiten Platte angeordnet sein. Somit können sich die Pixelelektrode und die erste Platte in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, und die gemeinsame Elektrode und die zweite Platte können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Wie in 7a gezeigt ist, muss auf den Platten des Kondensators kein Loch vorgesehen sein, da sowohl die erste Platte 531 als auch die zweite Platte 521 des Kondensators aus einem transparenten Material hergestellt sind. Der Prozess wird vereinfacht und die UV-Durchlässigkeit wird beträchtlich verbessert, wenn die Härtung mit einem Dichtungsmittel durchgeführt wird, wodurch die Produktproduktivität verbessert wird. Alternativ dazu können sich die erste Platte 531 und entweder die Pixelelektrode 63 oder die gemeinsame Elektrode 62 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, während die zweite Platte 521 individuell hergestellt ist. Desgleichen können sich die zweite Platte 521 und entweder die Pixelelektrode 63 oder die gemeinsame Elektrode 62 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, während die erste Platte 531 individuell hergestellt ist. Da die Positionen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode ausgetauscht werden können, kann sich die erste Platte unter der zweiten Platte befinden. Die zweite Platte und entweder die gemeinsame Elektrode oder die Pixelelektrode können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, während die erste Platte individuell hergestellt ist. Desgleichen können sich die erste Platte und entweder die Pixelelektrode oder die gemeinsame Elektrode in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, während die zweite Platte individuell hergestellt ist.
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Gemäß dem Ausführungsbeispiel sollten die erste Platte und die zweite Platte des Kondensators jeweils mit einer zugehörigen TFT-Vorrichtung in der Gatesteuerschaltung elektrisch verbunden sein, um Funktionen des Kondensators, beispielsweise eine Signalkopplung und einen Bootvorgang, bei der Gatesteuerschaltung zu erreichen. Wie in 7a gezeigt ist, ist in der Signalleitungsregion die erste Isolierschicht 54 zwischen den Signalleitungen 51 und der zweiten Platte 521 vorgesehen, und die zweite Isolierschicht 58 ist zwischen der ersten Platte 531 und der zweiten Platte 521 vorgesehen. Bei der Pixeleinheit in der Anzeigeregion 42 sind eine dritte Isolierschicht 64 und eine Halbleiterschicht 65 zwischen einer Gatemetallschicht 61 und einer Datenmetallschicht 66 vorgesehen, eine vierte Isolierschicht 67 ist zwischen der Datenmetallschicht 66 und der gemeinsamen Elektrode 62 vorgesehen, und eine fünfte Isolierschicht 68 ist zwischen der gemeinsamen Elektrode 62 und der Pixelelektrode 63 vorgesehen. In der TFT-Vorrichtungsregion 411 sind eine sechste Isolierschicht 74 und eine Halbleiterschicht 75 zwischen einer Gateleitungsmetallschicht 71 und einer Datenleitungsmetallschicht 76 vorgesehen, und eine siebte Isolierschicht 77 und eine achte Isolierschicht 78 sind über der Datenleitungsmetallschicht vorgesehen. Hier können Durchgangslöcher vorgesehen sein. Die erste Platte 531 des über der Signalleitungsregion 412 befindlichen Kondensators ist durch ein Durchgangsloch 761 mit einer Sourceelektrode oder einer Drainelektrode einer TFT-Vorrichtung in der Gatesteuerschaltung verbunden, und die zweite Platte 521 des Kondensators ist durch ein Durchgangsloch 762 mit einer Gateelektrode einer TFT-Vorrichtung in der Gatesteuerschaltung verbunden. Das Durchgangsloch 761 durchdringt die achte Isolierschicht 78 und die siebte Isolierschicht 77, um die Datenleitungsmetallschicht 76 freizulegen. Das Durchgangsloch 762 durchdringt die siebte Isolierschicht 77 und die sechste Isolierschicht 74, um die Gateleitungsmetallschicht 71 freizulegen. Je nach den Erfordernissen des Schaltungsaufbaus kann die erste Platte 531 des Kondensators durch ein Durchgangsloch mit der Gateelektrode einer TFT-Vorrichtung verbunden sein, wobei das Durchgangsloch die achte Isolierschicht 78, die siebte Isolierschicht 77 und die sechste Isolierschicht 74 durchdringt, um die Gateleitungsmetallschicht 71 freizulegen. Die zweite Platte 521 des Kondensators kann durch ein Durchgangsloch mit der Sourceelektrode oder der Drainelektrode einer TFT-Vorrichtung verbunden sein, wobei das Durchgangsloch die siebte Isolierschicht 77 durchdringt, um die Datenleitungsmetallschicht 76 freizulegen. Man muss verstehen, dass eine der ersten Platte und der zweiten Platte des Kondensators durch ein Durchgangsloch mit der Gateelektrode oder der Sourceelektrode oder der Drainelektrode einer zugehörigen TFT-Vorrichtung elektrisch verbunden sein kann und die andere der ersten Platte und der zweiten Platte durch ein anderes Durchgangsloch mit der Gateelektrode oder der Sourceelektrode oder der Drainelektrode einer zugehörigen TFT-Vorrichtung elektrisch verbunden sein kann. Die Durchgangslöcher sind nicht auf die Gatesteuerschaltungsregion begrenzt und können je nach Schaltungserfordernissen überall in der Nichtanzeigeregion 41 vorgesehen sein.
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Wie in 7a gezeigt ist, kann ein Draht 73, der die erste Platte 531 des Kondensators durch das Durchgangsloch 761 mit der Sourceelektrode oder der Drainelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht 73 und entweder die Pixelelektrode 63 oder die gemeinsame Elektrode 62 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Ein Draht 72, der die zweite Platte 521 des Kondensators durch das Durchgangsloch 762 mit der Gateelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, kann individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht 72 und entweder die gemeinsame Elektrode 62 oder die Pixelelektrode 63 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Da die Positionen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode ausgetauscht werden können, kann die erste Platte unter der zweiten Platte angeordnet sein. Ein Draht, der die zweite Platte des Kondensators durch das Durchgangsloch mit der Sourceelektrode oder der Drainelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, kann individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht und die gemeinsame Elektrode oder die Pixelelektrode in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Ein Draht, der die erste Platte des Kondensators durch das Durchgangsloch mit der Gateelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, kann individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht und die Pixelelektrode oder die gemeinsame Elektrode in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein.
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Wie in 7a gezeigt ist, ist in der Signalleitungsregion die erste Isolierschicht 54 zwischen der Signalleitung 51 und der zweiten Platte 521 vorgesehen, und die zweite Isolierschicht 58 ist zwischen der ersten Platte 531 und der zweiten Platte 521 vorgesehen. Bei der Pixeleinheit in der Anzeigeregion 42 sind die dritte Isolierschicht 64 und die Halbleiterschicht 65 zwischen der Gateleitungsmetallschicht 61 und der Datenleitungsmetallschicht 66 vorgesehen, die vierte Isolierschicht 67 ist zwischen der Datenleitungsmetallschicht 66 und der gemeinsamen Elektrode 62 vorgesehen, und die fünfte Isolierschicht 68 ist zwischen der gemeinsamen Elektrode 62 und der Pixelelektrode 63 vorgesehen. In der TFT-Vorrichtungsregion 411 sind die sechste Isolierschicht 74 und die Halbleiterschicht 75 zwischen der Gateleitungsmetallschicht 71 und der Datenleitungsmetallschicht 76 vorgesehen, und die siebte Isolierschicht 77 und die achte Isolierschicht 78 sind über der Datenleitungsmetallschicht vorgesehen. Die Isolierschichten umfassen zumindest entweder eine organische und/oder eine anorganische Schicht und können Einzelschichtfilme oder laminierte Filme sein. Allgemein ist die dritte Isolierschicht 64 eine Gateisolierschicht, die vierte Isolierschicht 67 umfasst eine Passivierungsschicht und eine organische Schicht, und die fünfte Isolierschicht 68 ist eine Passivierungsschicht. Die sechste Isolierschicht 74 und die dritte Isolierschicht 64 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die siebte Isolierschicht 77 und die vierte Isolierschicht 67 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die achte Isolierschicht 78 und die fünfte Isolierschicht 68 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die Signalleitungen 51 können in einer selben einzelnen Schicht wie die Gateleitungsmetallschicht angeordnet sein. Somit können sich die erste Isolierschicht 54 und zumindest eine Schicht in der dritten Isolierschicht 64 und der vierten Isolierschicht 67 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, d. h. die erste Isolierschicht 54 kann zumindest eine der Gateisolierschicht, der Passivierungsschicht und der organischen Schicht umfassen. Alternativ dazu können die Signalleitungen 51 in einer selben einzelnen Schicht wie die Datenleitungsmetallschicht angeordnet sein. Somit können sich die erste Isolierschicht 54 und zumindest eine Schicht in der dritten Isolierschicht 64 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, d. h. die erste Isolierschicht 54 kann zumindest entweder die Passivierungsschicht und/oder die organische Schicht umfassen. Alternativ dazu können die Signalleitungen 51 in zwei Schichten angeordnet sein, ein Teil der Signalleitungen befindet sich in einer selben Schicht wie die Gatemetallschicht, und ein Teil der Signalleitungen befindet sich in einer selben Schicht wie die Datenmetallschicht. Somit können sich die erste Isolierschicht 54 und zumindest eine Schicht in der vierten Isolierschicht 67 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, d. h. die erste Isolierschicht 54 kann zumindest entweder die Passivierungsschicht und/oder die organische Schicht umfassen. Die zweite Isolierschicht 58 und die fünfte Isolierschicht 68 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein.
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Da der Kondensator über den Signalleitungen angeordnet ist, sollte – um den Kondensator stabil zu halten – die erste Isolierschicht 54, die zwischen den Signalleitungen 51 und der zweiten Platte oder der ersten Platte vorgesehen ist, dick genug sein, sodass ein Pulssignal in den Signalleitungen den Kondensator nicht stört oder dass es möglich ist, dass eine durch das Pulssignal bewirkte Interferenz einen Normalbetrieb des Kondensators nicht beeinträchtigt. Zu diesem Zweck sollte die erste Isolierschicht 54 eine Dicke aufweisen, die 5.000 Å oder mehr beträgt.
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Die Isolierschichten können Einzelschichtfilme sein, die aus Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid hergestellt sind. Alternativ dazu können die Isolierschichten laminierte Filme sein, die aus den oben beschriebenen Materialien hergestellt sind. Die Isolierschichten können anhand einer chemischen Abscheidung aus der Gasphase, einer Wärmeverdampfung oder dergleichen hergestellt werden.
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Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ein Arraysubstrat vorgesehen. Ähnliche Teile des Arraysubstrats gemäß dem Ausführungsbeispiel werden hier nicht näher beschrieben. Wie in 7b gezeigt ist, ist bei dem Arraysubstrat gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung in der Pixelregion ferner eine Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 vorgesehen. Die Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 kann sich über oder unter der gemeinsamen Elektrode 62 befinden, oder die Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 kann sich in einer selben Schicht wie die gemeinsame Elektrode 62 befinden. Die Gemeinsame-Elektrode-Leitung ist aus einem Metallmaterial hergestellt. Somit ist die Leitfähigkeit der gemeinsamen Elektrode erhöht. Demgemäß ist eine Ansprechgeschwindigkeit der Anzeigevorrichtung verbessert, und die Leistungsfähigkeit der Anzeigevorrichtung ist verbessert.
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Wie in der Anzeigeregion 42 und der Signalleitungsregion 412 in 7b gezeigt ist, befinden sich die Pixelelektrode 63 und die erste Platte 531 in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Die gemeinsame Elektrode 62 und die zweite Platte 521 befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Somit ist an der Herstellung des Kondensators kein zusätzlicher Prozess beteiligt, und entsprechend werden Kosten eingespart. Da die Positionen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode ausgetauscht werden können, kann die erste Platte unter der zweiten Platte angeordnet sein. Somit können sich die Pixelelektrode und die erste Platte in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, und die gemeinsame Elektrode und die zweite Platte können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Wie in 7b gezeigt ist, muss auf den Platten des Kondensators kein Loch vorgesehen sein, da sowohl die erste Platte als auch die zweite Platte des Kondensators aus einem transparenten Material hergestellt sind. Der Prozess wird vereinfacht und die UV-Durchlässigkeit wird beträchtlich verbessert, wenn die Härtung mit einem Dichtungsmittel durchgeführt wird, wodurch die Produktproduktivität verbessert wird. Alternativ dazu können sich die erste Platte 531 und entweder die Pixelelektrode 63 oder die gemeinsame Elektrode 62 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die zweite Platte 521 ist individuell hergestellt, oder die zweite Platte 521 und die Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Desgleichen können sich die zweite Platte 521 und entweder die Pixelelektrode 63 oder die gemeinsame Elektrode 62 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die erste Platte 531 ist individuell hergestellt, oder die erste Platte 531 und die Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Da die Positionen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode ausgetauscht werden können, kann sich die erste Platte unter der zweiten Platte befinden. Die zweite Platte und entweder die gemeinsame Elektrode oder die Pixelelektrode können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die erste Platte ist separat hergestellt, oder die erste Platte und die Gemeinsame-Elektrode-Leitung befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Desgleichen können sich die erste Platte und entweder die Pixelelektrode oder die gemeinsame Elektrode in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die zweite Platte ist individuell hergestellt, oder die zweite Platte und die Gemeinsame-Elektrode-Leitung befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet.
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Gemäß dem Ausführungsbeispiel sollten die erste Platte und die zweite Platte des Kondensators jeweils mit einer zugehörigen TFT-Vorrichtung in der Gatesteuerschaltung elektrisch verbunden sein, um Funktionen des Kondensators, beispielsweise eine Signalkopplung und einen Bootvorgang, bei der Gatesteuerschaltung zu erreichen. Wie in 7b gezeigt ist, sind bei der Pixeleinheit in der Anzeigeregion 42 eine dritte Isolierschicht 64 und eine Halbleiterschicht 65 zwischen einer Gatemetallschicht 61 und einer Datenmetallschicht 66 vorgesehen, eine vierte Isolierschicht 67 ist zwischen der Datenmetallschicht 66 und der gemeinsamen Elektrode 62 vorgesehen, und eine fünfte Isolierschicht 68 ist zwischen der gemeinsamen Elektrode 62 und der Pixelelektrode 63 vorgesehen. In der TFT-Vorrichtungsregion 411 sind eine sechste Isolierschicht 74 und eine Halbleiterschicht 75 zwischen einer Gateleitungsmetallschicht 71 und einer Datenleitungsmetallschicht 76 vorgesehen, und eine siebte Isolierschicht 77 und eine achte Isolierschicht 78 sind über der Datenleitungsmetallschicht vorgesehen. Hier können Durchgangslöcher vorgesehen sein. Die erste Platte 531 des über der Signalleitungsregion 412 befindlichen Kondensators ist durch ein Durchgangsloch 761 mit einer Sourceelektrode oder einer Drainelektrode einer TFT-Vorrichtung in der Gatesteuerschaltung verbunden, und die zweite Platte 521 des Kondensators ist durch ein Durchgangsloch 762 mit einer Gateelektrode einer TFT-Vorrichtung in der Gatesteuerschaltung verbunden. Das Durchgangsloch 761 durchdringt die achte Isolierschicht 78 und die siebte Isolierschicht 77, um die Datenleitungsmetallschicht 76 freizulegen. Das Durchgangsloch 762 durchdringt die siebte Isolierschicht 77 und die sechste Isolierschicht 74, um die Gateleitungsmetallschicht 71 freizulegen. Je nach den Erfordernissen des Schaltungsaufbaus kann die erste Platte 531 des Kondensators durch ein Durchgangsloch mit der Gateelektrode einer TFT-Vorrichtung verbunden sein, wobei das Durchgangsloch die achte Isolierschicht 78, die siebte Isolierschicht 77 und die sechste Isolierschicht 74 durchdringt, um die Gateleitungsmetallschicht 71 freizulegen. Die zweite Platte 521 des Kondensators kann durch ein Durchgangsloch mit der Sourceelektrode oder der Drainelektrode einer TFT-Vorrichtung verbunden sein, wobei das Durchgangsloch die siebte Isolierschicht 77 durchdringt, um die Datenleitungsmetallschicht 76 freizulegen. Man muss verstehen, dass eine der ersten Platte und der zweiten Platte des Kondensators durch ein Durchgangsloch mit einer der Gateelektrode und der Sourceelektrode oder der Drainelektrode der zugehörigen TFT-Vorrichtung elektrisch verbunden sein kann, während die andere der ersten Platte und der zweiten Platte durch ein anderes Durchgangsloch mit der anderen der Gateelektrode und der Sourceelektrode oder der Drainelektrode elektrisch verbunden sein kann. Die Durchgangslöcher sind nicht auf die Gatesteuerschaltungsregion begrenzt und können je nach Schaltungserfordernissen überall in der Nichtanzeigeregion 41 vorgesehen sein.
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Wie in 7b gezeigt ist, kann ein Draht 73, der die erste Platte 531 des Kondensators durch das Durchgangsloch 761 mit der Sourceelektrode oder der Drainelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht 73 und entweder die Pixelelektrode 63, die gemeinsame Elektrode 62 oder die Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Ein Draht 72, der die zweite Platte 521 des Kondensators durch das Durchgangsloch 762 mit der Gateelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, kann individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht 72 und entweder die gemeinsame Elektrode 62, die Pixelelektrode 63 oder die Gemeinsame-Elektrode-Leitung 69 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die Gemeinsame-Elektrode-Leitung ist aus einem Metallmaterial hergestellt. Somit ist die Leitfähigkeit der gemeinsamen Elektrode erhöht, und der Kondensator kann eine bessere Leistungsfähigkeit aufweisen. Da die Positionen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode ausgetauscht werden können, kann die erste Platte unter der zweiten Platte angeordnet sein. Ein Draht, der die zweite Platte des Kondensators durch das Durchgangsloch mit der Sourceelektrode oder der Drainelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, kann individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht und die gemeinsame Elektrode oder die Pixelelektrode oder die Gemeinsame-Elektrode-Leitung in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Ein Draht, der die erste Platte des Kondensators durch das Durchgangsloch mit der Gateelektrode der TFT-Vorrichtung verbindet, kann individuell hergestellt sein. Alternativ dazu können sich der Draht und die die Pixelelektrode oder die gemeinsame Elektrode in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein.
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Wie in 7b gezeigt ist, ist in der Signalleitungsregion die erste Isolierschicht 54 zwischen der Signalleitung 51 und der zweiten Platte 521 vorgesehen, und die zweite Isolierschicht 58 ist zwischen der ersten Platte 531 und der zweiten Platte 521 vorgesehen. Bei der Pixeleinheit in der Anzeigeregion 42 sind die dritte Isolierschicht 64 und die Halbleiterschicht 65 zwischen der Gateleitungsmetallschicht 61 und der Datenleitungsmetallschicht 66 vorgesehen, die vierte Isolierschicht 67 ist zwischen der Datenleitungsmetallschicht 66 und der gemeinsamen Elektrode 62 vorgesehen, und die fünfte Isolierschicht 68 ist zwischen der gemeinsamen Elektrode 62 und der Pixelelektrode 63 vorgesehen. In der TFT-Vorrichtungsregion 411 sind die sechste Isolierschicht 74 und die Halbleiterschicht 75 zwischen der Gateleitungsmetallschicht 71 und der Datenleitungsmetallschicht 76 vorgesehen, und die siebte Isolierschicht 77 und die achte Isolierschicht 78 sind über der Datenleitungsmetallschicht vorgesehen. Die Isolierschichten umfassen zumindest entweder eine organische und/oder eine anorganische Schicht und können Einzelschichtfilme oder laminierte Filme sein. Allgemein ist die dritte Isolierschicht 64 eine Gateisolierschicht, die vierte Isolierschicht 67 umfasst eine Passivierungsschicht und eine organische Schicht, und die fünfte Isolierschicht 68 ist eine Passivierungsschicht. Die sechste Isolierschicht 74 und die dritte Isolierschicht 64 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die siebte Isolierschicht 77 und die vierte Isolierschicht 67 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die achte Isolierschicht 78 und die fünfte Isolierschicht 68 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein. Die Signalleitungen 51 können in einer selben einzelnen Schicht wie die Gateleitungsmetallschicht angeordnet sein. Somit können sich die erste Isolierschicht 54 und zumindest eine Schicht in der dritten Isolierschicht 64 und der vierten Isolierschicht 67 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, d. h. die erste Isolierschicht 54 kann zumindest eine der Gateisolierschicht, der Passivierungsschicht und der organischen Schicht umfassen. Alternativ dazu können die Signalleitungen 51 in einer selben einzelnen Schicht wie die Datenleitungsmetallschicht angeordnet sein. Somit können sich die erste Isolierschicht 54 und zumindest eine Schicht in der dritten Isolierschicht 64 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, d. h. die erste Isolierschicht 54 kann zumindest entweder die Passivierungsschicht und/oder die organische Schicht umfassen. Alternativ dazu können die Signalleitungen 51 in zwei Schichten angeordnet sein, ein Teil der Signalleitungen befindet sich in einer selben Schicht wie die Gatemetallschicht, und ein Teil der Signalleitungen befindet sich in einer selben Schicht wie die Datenmetallschicht. Somit können sich die erste Isolierschicht 54 und zumindest eine Schicht in der vierten Isolierschicht 67 in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein, d. h. die erste Isolierschicht 54 kann zumindest entweder die Passivierungsschicht und/oder die organische Schicht umfassen. Die zweite Isolierschicht 58 und die fünfte Isolierschicht 68 können sich in einer selben Schicht befinden und mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet sein.
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Da der Kondensator über den Signalleitungen angeordnet ist, sollte – um den Kondensator stabil zu halten – die erste Isolierschicht 54, die zwischen den Signalleitungen 51 und der zweiten Platte oder der ersten Platte vorgesehen ist, dick genug sein, sodass ein Pulssignal in den Signalleitungen den Kondensator nicht stört oder dass es möglich ist, dass eine durch das Pulssignal bewirkte Interferenz einen Normalbetrieb des Kondensators nicht beeinträchtigt. Zu diesem Zweck sollte die erste Isolierschicht 54 eine Dicke aufweisen, die 5.000 Å oder mehr beträgt.
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Die Isolierschichten können Einzelschichtfilme sein, die aus Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid hergestellt sind. Alternativ dazu können die Isolierschichten laminierte Filme sein, die aus den oben beschriebenen Materialien hergestellt sind. Die Isolierschichten können anhand einer chemischen Abscheidung aus der Gasphase, einer Wärmeverdampfung oder dergleichen hergestellt werden.
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Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ein Arraysubstrat vorgesehen. Mit dem Arraysubstrat wird eine Stabilität eines Kondensators verbessert.
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Um einen Einfluss auf den Kondensator, der durch ein Pulssignal verursacht wird, zu verringern, und um die Stabilität des Kondensators weiter zu verbessern, kann eine Verdrahtungsreihenfolge für Signalleitungen in einer Signalregion beim Entwerfen des Layouts verändert werden, und ein Konstantpegelsignal wie beispielsweise ein Hochpegelsignal (VGH-Signal) und ein Niedrigpegelsignal (VGL-Signal) wird an die Signalleitungen unter dem Kondensator angelegt. Da während der meisten Zeiträume ein Rücksetzsignal (RESET) und ein Startsignal (STP) als Konstantpegelsignale angesehen werden können, können sie auch an die Signalleitungen angelegt werden.
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8 veranschaulicht eine Draufsicht und eine Schnittansicht einer Signalleitungsregion. Wie in 8 gezeigt ist, sind erste Platten 531 und zweite Platen 521 von Kondensatoren streifenförmig, und die streifenförmigen Platten überlappen sich nicht mit den Signalleitungen 51 unter den Kondensatoren, was aus der entlang einer Linie D-D' genommenen Schnittansicht deutlicher hervorgehen mag. In der Schnittansicht weisen die ersten Platten 531 eine selbe Größe auf wie die zweiten Platten 521, während die ersten Platten 531 in der Draufsicht eine geringere Größe aufweisen als die zweiten Platten 532. Dies dient lediglich Veranschaulichungszwecken, und tatsächliche Größen der Platten werden durch 8 eventuell nicht dargestellt. Um zu gewährleisten, dass die Kondensatoren durch das an die Signalleitungen darunter angelegte Signal nicht beeinflusst werden können, ungeachtet dessen, ob das Signal ein Konstantpegelsignal oder ein Pulssignal ist, sind die streifenförmigen ersten Platten durch einen Draht 5311 miteinander verbunden, und die streifenförmigen zweiten Platten sind durch einen Draht 5211 miteinander verbunden. Der Draht 5311 und die streifenförmigen ersten Platten befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet. Der Draht 5211 und die streifenförmigen zweiten Platten befinden sich in einer selben Schicht und sind mit einem selben Material in einem selben Prozess gebildet.
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Ferner sind die ersten Platten und die zweiten Platten der Kondensatoren nicht darauf beschränkt, streifenförmig zu sein. Alternativ dazu können die ersten Platten und die zweiten Platten lagenförmig, ringförmig oder gitterförmig sein. In dem Fall, dass sich die Kondensatoren stark mit den Signalleitungen überlappen, kann das Konstantpegelsignal an die Signalleitungen unter den Kondensatoren angelegt werden, oder überlappende Bereiche der Kondensatoren und der Signalleitungen können verringert werden, um einen durch das Pulssignal bewirkten Einfluss auf die Kondensatoren zu verringern. In dem Fall, dass Größen der Kondensatoren ausreichend sind, sind die ersten Platten und die zweiten Platten angeordnet, ohne sich mit den Signalleitungen darunter zu überlappen.
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Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ein Anzeigefeld vorgesehen. Das Anzeigefeld umfasst das Arraysubstrat gemäß einem der vorstehenden Ausführungsbeispiele. Das Anzeigefeld kann ein Flüssigkristallanzeigefeld, ein OLED-Anzeigefeld (OLED = Organic Light Emitting Diode, organische Licht emittierende Diode) oder dergleichen sein. Ein Flüssigkristallanzeigefeld ist in 9 gezeigt. Das Anzeigefeld 90 umfasst ein Arraysubstrat 91 gemäß den vorstehenden Ausführungsbeispielen, ein Farbfilmsubstrat (CF – color film) 92, das einen Farbresist aufweist, und eine Flüssigkristallschicht 93. Das CF 92 ist gegenüber dem Arraysubstrat 91 angeordnet, und die Flüssigkristallschicht 93 ist zwischen dem Arraysubstrat 91 und dem CF 92 vorgesehen.
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Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung vorgesehen. Die Anzeigevorrichtung umfasst das Anzeigefeld gemäß dem vorherigen Ausführungsbeispiel. Die in der Offenbarung vorgesehene Anzeigevorrichtung kann beliebige Produkte oder Komponenten sein, die eine Anzeigefunktion aufweisen, beispielsweise ein Flüssigkristallanzeigefeld, ein E-Papier, ein OLED-Feld, ein Flüssigkristallanzeigefernseher, eine Flüssigkristallanzeige, ein digitaler Fotorahmen, ein Mobiltelefon oder ein Tablet-PC. Da die Kondensatoren in den Signalleitungsregionen und nicht in den Gatesteuerschaltungsregionen angeordnet sind, können Größen der Gatesteuerschaltungen reduziert sein. Demgemäß wird eine Breite eines Randes der Anzeigevorrichtung weiter verringert, und ein Aufbau mit schmalen Rändern wird erzielt.
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Gemäß einem oder mehreren der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele können die Gatesteuerschaltungen auf zwei Außenseiten der Anzeigeregion symmetrisch angeordnet sein, d. h. eine bilaterale Steuerung ist implementiert. Alternativ dazu können die Gatesteuerschaltungen auf einer Seite außerhalb der Anzeigeregion angeordnet sein, d. h. eine unilaterale Steuerung ist implementiert.
