DE102016221766B4

DE102016221766B4 - Arraysubstrat, Anzeigepaneel und dieses enthaltende Anzeigeeinrichtung

Info

Publication number: DE102016221766B4
Application number: DE102016221766.6A
Authority: DE
Inventors: Xiaoxiao Wu; Bingping LIU; Xiufeng Zhou; Xiai Xu; Shoujin Cai; Junyi Li; Guozhao Chen; Poping Shen
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2016-05-27
Filing date: 2016-11-07
Publication date: 2022-05-05
Anticipated expiration: 2036-11-08
Also published as: CN105807523A; DE102016221766A1; US10177172B2; CN105807523B; US20170345845A1

Abstract

Ein Arraysubstrat, mit einem Anzeigegebiet und einem Nicht-Anzeigegebiet;wobei das Nicht-Anzeigegebiet aufweist:ein Basissubstrat; undeine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht und eine dritte Metallschicht, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat angeordnet sind; undwobeiein Transistor und eine Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet angeordnet sind;eine Gate-Elektrode des Transistors in der ersten Metallschicht liegt und eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Transistors in der zweiten Metallschicht liegen;die Metallleitung in der dritten Metallschicht liegt; undeine auf das Basissubstrat projizierte senkrechte Projektion des Transistors zumindest teilweise eine auf das Basissubstrat projizierte senkrechte Projektion der Metallleitung überlappt,dadurch gekennzeichnet, dassin dem Nicht-Anzeigegebiet ferner eine gemeinsame Elektrode und eine gemeinsame Elektrodenleitung angeordnet sind, wobei das Nicht-Anzeigegebiet ferner eine gemeinsame Elektrodenschicht aufweist;die gemeinsame Elektrode in der gemeinsamen Elektrodenschicht liegt, wobei die gemeinsame Elektrode mit der gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist, unddie Metallleitung die gemeinsame Elektrodenleitung aufweist.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der chinesischen Patentanmeldung mit der Nr. 201610367624.6 , die am 27. Mai 2016 eingereicht wurde und deren gesamter Inhalt hiermit durch Bezugnahme miteingeschlossen ist.
TECHNISCHES GEBIET
Die Offenbarung betrifft die Anzeigetechnik und betrifft insbesondere ein Arraysubstrat und ein Anzeigepaneel und eine Anzeigeeinrichtung, die dieses enthält.
HINTERGRUND
Das Anzeigepaneel umfasst für gewöhnlich ein Anzeigegebiet und ein Grenzgebiet bzw. Randgebiet, das das Anzeigegebiet umgibt. Das Randgebiet kann mit diversen Strukturen, etwa einer Ansteuerschaltung, einer gemeinsamen Elektrode versehen sein. Die Ansteuerschaltung umfasst für gewöhnlich mehrere Dünnschichttransistoren und Signalleitungen und kann ferner andere Schaltungselemente, etwa Kondensatoren, aufweisen. Gegenwärtig wird tendenziell der Rand einer Flüssigkristallanzeige zunehmend schmäler. Jedoch ist die Verteilung der Schaltungselemente und der Signalleitungen in dem Randgebiet direkt von der Größe des Randgebiets beeinflusst.
Die US-Patentanmeldung US 2003/0058376 A1 beschreibt eine Flüssigkristallanzeige mit einem Anzeigegebiet und einem Randgebiet. Insbesondere beschreibt die Druckschrift ein Arraysubstrat gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die US-Patentanmeldung US 2012/0162179 A1 beschreibt ebenfalls eine Flüssigkristallanzeige, bei der zusätzlich zu einer Sourceelektrode und einer Gateelektrode in einem Randbereich ein metallischer Film angeordnet ist.
Die US-Patentanmeldung US 2008/0024416 A1 beschreibt eine Flüssigkristallanzeige, bei der eine transparente gemeinsame Elektrode oberhalb einer Pixelelektrode angeordnet ist.
Es sei auf 1 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer bestehenden Ausgestaltung der Verdrahtung und des Transistors in dem Randgebiet zeigt. Wie in 1 gezeigt ist, weist das Randgebiet ein Signalleitungsgebiet A1, ein Transistorgebiet A2 und ein Gebiet für eine gemeinsame Elektrodenleitung A3 auf. Dabei kann das Signalleitungsgebiet A1 mit mehreren Signalleitungen 224, 225 und 226 versehen sein. Das Transistorgebiet A2 kann mit einer Gate-Elektrode, einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Transistors versehen sein. Das Gebiet für die gemeinsame Elektrodenleitung A3 kann mit einer gemeinsamen Elektrodenleitung 223 versehen sein, die parallel mit der gemeinsamen Elektrode verbunden ist. 2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Arraysubstrats, das den Aufbau des Randgebiets, das in 1 gezeigt ist, enthält. Wie in 2 gezeigt ist, weist das Arraysubstrat ein Anzeigegebiet 2A und ein Nicht-Anzeigegebiet 2B auf. Das Anzeigegebiet 2A weist einen Transistor 210, eine Pixelelektrode 24 und eine gemeinsame Elektrode 26 auf. Das Nicht-Anzeigegebiet 2B weist das Signalleitungsgebiet A1, das Transistorgebiet A2 und das Gebiet für die gemeinsame Elektrodenleitung A3 auf. Dabei ist das Signalleitungsgebiet A1 mit den Signalleitungen 224, 225 und 226 versehen, die als Signalleitungen für eine Gate-Ansteuerschaltung oder eine Source-Ansteuerschaltung verwendet werden. Die Signalleitungen können beispielsweise Taktsignalleitungen sein, die zur Übertragung von Signalen für Schaltungselemente in der Gate-Ansteuerschaltung oder der Source-Ansteuerschaltung verwendet werden. Das Transistorgebiet A2 ist mit einem Transistor 220, der eine Gate-Elektrode 211, eine Source-Elektrode 221 und eine Drain-Elektrode 222 enthält, versehen. Alternativ kann der Transistor 220 ferner eine amorphe Siliziumschicht 25 aufweisen. Das Gebiet für die gemeinsame Elektrodenleitung A3 ist mit der gemeinsamen Elektrodenleitung 223, die mit der gemeinsamen Elektrode 26 verbunden ist, versehen. Man kann aus 2 erkennen, dass die Source-Elektrode 221 und die Drain-Elektrode 222 des Transistors 220, die gemeinsame Elektrodenleitung 223 und die Signalleitungen 224, 225 und 226 in der gleichen Schicht in dem Nicht-Anzeigegebiet 2B entsprechend der bekannten Ausgestaltung des Arraysubstrats angeordnet sind. Ferner sind das Signalleitungsgebiet A1, das Transistorgebiet A2 und das Gebiet für die gemeinsame Elektrodenleitung A3 parallel angeordnet und schneiden sich nicht.
Die Breite des Anzeigegebietrands ist durch die Breite des zuvor genannten Nicht-Anzeigegebiets 2B festgelegt. Um eine korrekte Funktion des Arraysubstrats sicherzustellen, unterliegen die Breite der Signalleitung, der Abstand zwischen den Signalleitungen und die Breite der gemeinsamen Elektrodenleitung gewissen Bedingungen. Indessen ist es unter Berücksichtigung der Schneidegenauigkeit während des Herstellungsvorganges schwierig, die Breite des Anzeigegebietrands, der das Nicht-Anzeigegebiet 2B enthält, weiter zu verringern, und somit ist die Gestaltung eines schmäleren Rands schwer erreichbar.
ÜBERBLICK
Im Hinblick auf das Vorhergehende wird erwartet, die Ausgestaltung der Schaltungselemente und der Verdrahtung in dem Nicht-Anzeigegebiet weiter zu optimieren, um dadurch die Größe des Rands der Flüssigkristallanzeige zu verringern. Um das zuvor genannte technische Problem zu lösen, stellt die Offenbarung ein Arraysubstrat und ein Anzeigepaneel und eine Anzeigeeinrichtung, die dieses enthält, bereit.
In einem Aspekt stellt die Offenbarung ein Arraysubstrat bereit, das ein Anzeigegebiet und ein Nicht-Anzeigegebiet aufweist. Das Nicht-Anzeigegebiet umfasst: ein Basissubstrat; und eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht und eine dritte Metallschicht, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat angeordnet sind. Es sind ein Transistor und eine Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet angeordnet. Die Gate-Elektrode des Transistors ist in der ersten Metallschicht angeordnet. Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors sind in der zweiten Metallschicht angeordnet. Die Metallleitung ist in der dritten Metallschicht angeordnet. Die senkrechte Projektion des Transistors auf das Basissubstrat überlappt zumindest teilweise die senkrechte Projektion der Metallleitung auf das Basissubstrat. In dem Nicht-Anzeigegebiet sind ferner eine gemeinsame Elektrode und eine gemeinsame Elektrodenleitung angeordnet, wobei das Nicht-Anzeigegebiet ferner eine gemeinsame Elektrodenschicht aufweist und die gemeinsame Elektrode in der gemeinsamen Elektrodenschicht liegt, wobei die gemeinsame Elektrode mit der gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist. Die Metallleitung weist die gemeinsame Elektrodenleitung auf.
In dem zweiten Aspekt stellt die Offenbarung ein Anzeigepaneel bereit, das das zuvor genannte Arraysubstrat und ein Farbschichtsubstrat aufweist, das gegenüberliegend zu dem zuvor genannten Arraysubstrat angeordnet ist.
In dem dritten Aspekt stellt die Offenbarung eine Anzeigeeinrichtung bereit, die das zuvor genannte Anzeigepaneel aufweist.
Da die Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet in der dritten Metallschicht, die sich von der Schicht unterscheidet, in der die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors angeordnet sind, und da die senkrechte Projektion der Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet auf das Basissubstrat zumindest teilweise die senkrechte Projektion des Transistors in dem Nicht-Anzeigegebiet auf das Basissubstrat überlappt, erreichen das Arraysubstrat, das Anzeigepaneel und die Anzeigeeinrichtung, wie sie in der Offenbarung bereitgestellt werden, einen Schichtaufbau der Verdrahtung und des Transistors in dem Nicht-Anzeigegebiet und verringern die Gesamtbreite, die von der Metallleitung und dem Transistor in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommen wird, und somit wird die Gestaltung eines schmäleren Rands ermöglicht.
Figurenliste
Andere Merkmale, Aufgaben und Vorteile der Offenbarung gehen deutlicher aus der detaillierten Beschreibung der nicht beschränkenden Ausführungsformen hervor, die mit Verweis auf die begleitenden Zeichnungen angegeben sind, in denen:

1 eine schematische Ansicht eines Layouts bzw. einer Ausgestaltung der Verdrahtung und des Transistors in dem Randgebiet gemäß dem Stand der Technik ist;
2 eine schematische Querschnittsansicht eines Arraysubstrats ist, das den Aufbau des Randgebiets enthält, das in 1 gezeigt ist;
3 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung;
4 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 3 gezeigten Arraysubstrats, das auf das Basissubstrat projiziert ist;
5 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer weiteren Ausführungsform der Offenbarung;
6 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 5 gezeigten Arraysubstrats, das auf das Basissubstrat projiziert ist;
7 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung;
8 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 7 gezeigten Arraysubstrats bei Projektion auf das Basissubstrat;
9 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittstruktur des Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung;
10 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 9 gezeigten Arraysubstrats bei Projektion auf das Basissubstrat;
11 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung;
12 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 11 gezeigten Arraysubstrats, wenn es auf das Basissubstrat projiziert ist;
13 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung;
14 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 13 gezeigten Arraysubstrats bei Projektion auf das Basissubstrat;
15 ist eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung; und
16 ist eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 15 gezeigten Arraysubstrats bei Projektion auf das Basissubstrat.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Im Weiteren wird mit Verweis auf die begleitenden Zeichnungen und Ausführungsformen eine weitergehende Beschreibung detailliert angegeben. Man erkennt, dass die speziellen Ausführungsformen, die hierin beschrieben sind, lediglich der Erläuterung der enthaltenen Erfindung und nicht der Beschränkung der Erfindung dienen. Ferner sollte weiter beachtet werden, dass nur die Teile, die mit der beteiligten Erfindung im Zusammenhang stehen, in den Zeichnungen zur einfacheren Beschreibung dargestellt sind.
Es sollte beachtet werden, dass die Merkmale in speziellen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern es keinen Konflikt gibt. Im Weiteren wird die Offenbarung detailliert mit Verweis auf die Zeichnungen in Verbindung mit Ausführungsformen dargestellt.
Es wird auf 3 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 3 gezeigt ist, umfasst das Arraysubstrat 300 ein Anzeigegebiet 3A und ein Nicht-Anzeigegebiet 3B. Das Nicht-Anzeigegebiet 3B umfasst: ein Basissubstrat 30; und eine erste Metallschicht 31, eine zweite Metallschicht 32 und eine dritte Metallschicht 33, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat angeordnet sind. Ein Transistor M3 und Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 sind in dem Nicht-Anzeigegebiet angeordnet. Eine Gate-Elektrode 311 des Transistors M3 liegt in der ersten Metallschicht 31. Eine Source-Elektrode 321 und eine Drain-Elektrode 322 des Transistors M3 liegen in der zweiten Metallschicht 32. Die Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 liegen in der dritten Metallschicht 33. Die senkrechte Projektion 310 des Transistors M3, die auf das Basissubstrat 30 projiziert ist, überlappt zumindest teilweise die auf das Basissubstrat 30 projizierte senkrechte Projektion 320 der Metallleitungen 331, 332, 333 und 334. Ferner überlappt die auf das Basissubstrat 30 projizierte senkrechte Projektion 310 des Transistors M3 zumindest teilweise die auf das Basissubstrat 30 projizierte senkrechte Projektion 320 der Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 in einer Richtung senkrecht zu der Erstreckung der Metallleitungen 331, 332, 333 und 334.
In dieser Ausführungsform können die in dem Nicht-Anzeigegebiet 3B angeordneten Metallleitungen solche Metallleitungen sein, die mit Schaltungselementen in dem Nicht-Anzeigegebiet verbunden sind. Ferner kann eine Ansteuerschaltung, die den Transistor M3 aufweist, und Signalleitungen in dem Nicht-Anzeigegebiet 3B angeordnet sein, wobei die Signalleitungen zur Übertragung von Signalen für den Transistor M3 verwendet werden. Die Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 können die Signalleitungen in der Ansteuerschaltung beinhalten.
Insbesondere können die Signalleitungen beispielsweise eine Taktsignalleitung oder eine Rücksetzsignalleitung, die zur Übertragung eines Signals zur Steuerung des Ein/Aus-Zustands des Transistors M3 verwendet wird, eine Spannungssignalleitung, die zur Übertragung eines Spannungssignals zu dem Transistor M3 verwendet wird, eine Eingangssignalleitung, die zur Übertragung eines Gate-Aktivierungssignals zu dem Transistor M3 verwendet wird, eine Datensignalleitung, die zur Übertragung eines Datensignals zu dem Transistor M3 verwendet wird, usw. enthalten.
Ferner kann eine gemeinsame Elektrode (in 3 nicht gezeigt) in dem Anzeigegebiet des Arraysubstrats 300 vorgesehen sein, und die gemeinsame Elektrode kann zur Bereitstellung einer gemeinsamen Spannung verwendet werden, die für die Anzeige erforderlich ist. Die gemeinsame Elektrode kann eine einheitliche Elektrode sein, die sich von dem Anzeigegebiet bis zu dem Nicht-Anzeigegebiet mit großem Widerstand erstreckt. Die Metallleitungen, die in dem Nicht-Anzeigegebiet 3B angeordnet sind, können ferner eine gemeinsame Elektrodenleitung enthalten. Die gemeinsame Elektrodenleitung kann mit der gemeinsamen Elektrode parallel verbunden sein, um den Widerstand der gemeinsamen Elektrode zu verringern.
In einigen Ausführungsformen ist der Transistor M3 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Fall weist der Transistor M3 eine Polysiliziumschicht 35 auf. Der Polysilizium-Dünnschichttransistor hat diverse Vorteile, etwa eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit, eine geringe Ansprechzeit, eine robuste Widerstandsfähigkeit gegen Lichteinwirkung, eine hohe Auflösung, eine geringe Größe, usw., so dass er für die Gestaltung eines Anzeigepaneels mit schmalem Rand und hoher Auflösung geeignet ist.
Es sollte beachtet werden, dass 3 schematisch eine Schemaansicht einer Lagebeziehung zwischen einem Transistor M3 und den Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 zeigt. Jedoch kann in praktischen Anwendungen die Anzahl an Transistoren M3 größer als Eins sein, die senkrechte Projektion 310 des auf das Basissubstrat 30 projizierten Transistors M3, der in 3 gezeigt ist, kann eine auf das Basissubstrat 30 projizierte senkrechte Projektion von mehreren Transistoren in dem Nicht-Anzeigegebiet sein, und die Anzahl der Metallleitungen kann eine beliebige positive ganze Zahl sein, wobei diese Eigenschaften in der Offenbarung nicht eingeschränkt sind.
Aus 3 kann man entnehmen, dass die Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 in dem Nicht-Anzeigegebiet 3B in einer anderen Metallschicht als der Metallschicht angeordnet sind, in der die Source-Elektrode 321 und die Drain-Elektrode 322 des Transistors M3 angeordnet sind. Ferner überlappt die senkrechte Projektion 310 des Transistors M3 auf das Basissubstrat 30 mit der senkrechten Projektion 320 der Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 auf das Basissubstrat. Daher ist die Gesamtbreite, die von dem Transistor M3 und den Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 in dem Nicht-Anzeigegebiet 3B eingenommen wird, verkleinert, wodurch die Gestaltung eines schmalen Randes möglich ist.
Es wird weiter auf 4 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des in 3 gezeigten und auf das Basissubstrat projizierten Nicht-Anzeigegebiets des Arraysubstrats ist. Wie in 4 gezeigt ist, überlappt die senkrechte Projektion 310 des Transistors M3 auf das Basissubstrat 30 zumindest teilweise die senkrechte Projektion 320 der Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 auf das Basissubstrat. Die Gesamtbreite des Rands, der von dem Transistor M3 und den Metallleitungen 331, 332, 333 und 334 eingenommen wird, ist kleiner als die Summe der Breiten von 310 und 320. Im Vergleich mit der Lösung des Stands der Technik zur Anordnung der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors, der Signalleitungen und der gemeinsamen Elektrodenleitung parallel in einer gleichen Metallschicht, verwendet die Offenbarung in effizienter Weise den Platz des Nicht-Anzeigegebiets in der Ebene senkrecht zu dem Basissubstrat. Daher wird die Gesamtbreite des Rands, der von dem Transistor und der Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommen wird, verringert.
In einigen Ausführungsformen weist die zuvor genannte Ansteuerschaltung eine Gate-Ansteuerschaltung auf. Es wird auf 5 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer weiteren Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 5 gezeigt ist, beinhaltet das Arraysubstrat 500 ein Anzeigegebiet 5A und ein Nicht-Anzeigegebiet 5B. Das Nicht-Anzeigegebiet 5B umfasst: ein Basissubstrat 50; und eine erste Metallschicht 51, eine zweite Metallschicht 52 und eine dritte Metallschicht 53, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat angeordnet sind. In dieser Ausführungsform sind ein Transistor M5 und Metallleitungen 531, 532 und 533 in dem Nicht-Anzeigegebiet 5B angeordnet. Eine Gate-Elektrode 512 des Transistors M5 ist in der ersten Metallschicht 51 angeordnet. Eine Source-Elektrode 521 und eine Drain-Elektrode 522 des Transistors M5 liegen in der zweiten Metallschicht 52. Die Metallleitungen 531, 532 und 533 liegen in der dritten Metallschicht 53. Die senkrechte Projektion 510 des Transistors M5 auf das Basissubstrat 50 überlappt teilweise die senkrechte Projektion 520 der Metallleitungen 531, 532 und 533 auf das Basissubstrat 50. Ferner überlappt die senkrechte Projektion 510 des Transistors M5 auf das Basissubstrat 50 zumindest teilweise die senkrechte Projektion 520 der Metallleitungen 531, 532 und 533 auf das Basissubstrat 50 in einer Richtung senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der Metallleitungen 531, 532 und 533. Alternativ ist der Transistor M5 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Falle weist der Transistor M5 eine Polysiliziumschicht 55 auf.
In dieser Ausführungsform ist eine Ansteuerschaltung in dem Nicht-Anzeigegebiet 5B angeordnet, und die Ansteuerschaltung umfasst eine Gate-Ansteuerschaltung. Die Gate-Ansteuerschaltung umfasst den Transistor M5 und Signalleitungen. Die Metallleitungen 531, 532 und 533 können die Signalleitungen in der Gate-Ansteuerschaltung sein. Ferner beinhaltet die Gate-Ansteuerschaltung eine erste Taktsignalleitung, eine zweite Taktsignalleitung, eine erste Spannungssignalleitung, eine zweite Spannungssignalleitung, eine Eingangssignalleitung und eine Rücksetzsignalleitung. Die Metallleitungen 531, 532 und 533 in dem zuvor genannten Arraysubstrat 500 beinhalten die erste Taktsignalleitung und/oder die zweite Taktsignalleitung und/oder die erste Spannungssignalleitung und/oder die zweite Spannungssignalleitung und/oder die Eingangssignalleitung und/oder die Rücksetzsignalleitung.
Die Gate-Ansteuerschaltung kann mehrere kaskadierte Schieberegistereinheiten aufweisen. Jede Schieberegistereinheit umfasst: mehrere Transistoren; und die erste Taktsignalleitung, die zweite Taktsignalleitung, die erste Spannungssignalleitung, die zweite Spannungssignalleitung, die Eingangssignalleitung und die Rücksetzsignalleitung, die zuvor beschrieben sind. Dabei werden die erste Taktsignalleitung und die zweite Taktsignalleitung für die Übertragung von Taktsignalen zu der Schieberegistereinheit in jeder Hierarchiestufe verwendet. Die erste Spannungssignalleitung und die zweite Spannungssignalleitung werden zur Übertragung eines ersten Spannungssignals und eines zweiten Spannungssignals zu der entsprechenden Schieberegistereinheit in jeder Hierarchiestufe verwendet. Das erste Spannungssignal und das zweite Spannungssignal können Konstantspannungssignale mit unterschiedlichen Spannungswerten sein. Die Eingangssignalleitung kann zur Übertragung eines Gate-Schiebeaktivierungssignals zu der Schieberegistereinheit in der ersten Hierarchiestufe verwendet werden. Die Rücksetzsignalleitung kann zur Übertragung eines Rücksetzsignals zu der Schieberegistereinheit in jeder Hierarchiestufe verwendet werden. Das von der Schieberegistereinheit ausgegebene Signal kann durch Steuerung mit dem Rücksetzsignal zurückgesetzt werden. Mindestens eine Signalleitung aus der ersten Taktsignalleitung, der zweiten Taktsignalleitung, der ersten Spannungssignalleitung, der zweiten Spannungssignalleitung, der Eingangssignalleitung und der Rücksetzsignalleitung kann in der dritten Metallschicht 53 angeordnet sein. Ferner überlappt die senkrechte Projektion der Signalleitungen, die in der dritten Metallschicht 53 liegen, auf das Basissubstrat 50 zumindest teilweise die auf das Basissubstrat 50 projizierte senkrechte Projektion des Transistors M5 in der Gate-Ansteuerschaltung.
In einer weiteren Ausführungsform liegt eine Abtastleitung 511 in dem Anzeigegebiet 5A. Die Erstreckungsrichtung der zuvor genannten Signalleitung verläuft senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der Abtastleitung. Die Abtastleitung 511 und die Gate-Elektrode des Transistors M5 in dem Nicht-Anzeigegebiet können in einer gleichen Schicht liegen.
Ferner umfasst das Nicht-Anzeigegebiet B5 eine erste Isolationsschicht 54, die zwischen der zweiten Metallschicht 52 und der dritten Metallschicht 53 liegt. Die erste Isolationsschicht 54 ist mit einem ersten Durchgangsloch 541 versehen, durch welches die Signalleitungen (d.h. die Metallleitungen 531, 532 und 533) in der Gate-Ansteuerschaltung mit der Source-Elektrode 521 oder der Drain-Elektrode 522 des Transistors M5 verbunden sein können (5 zeigt lediglich schematisch, dass die Signalleitung 531 mit der Source-Elektrode 521 des Transistors M5 über das erste Durchgangsloch 541 verbunden ist).
In praktischen Anwendungen kann die auf das Basissubstrat projizierte senkrechte Projektion 510 des Transistors M5 in dem Nicht-Anzeigegebiet die senkrechte Projektion mehrerer Transistoren auf das Basissubstrat 50 in dem Nicht-Anzeigegebiet 5B sein, und die senkrechte Projektion 520 der Signalleitungen 531, 532 und 533 auf das Basissubstrat 50 kann die senkrechte Projektion einer oder mehrerer Signalleitungen in der Ansteuerschaltung auf das Basissubstrat 50 sein. Die senkrechte Projektion 510 des Transistors M5 auf das Basissubstrat 50 kann die senkrechte Projektion 520 der Metallleitungen 531, 532 und 533 auf das Basissubstrat 50 abdecken.
Aus der 5 kann man entnehmen, dass das Arraysubstrat 500, wie es in dieser Ausführungsform bereitgestellt ist, ferner die von der Metallleitung und dem Transistor in dem Nicht-Anzeigegebiet in der Richtung der Abtastleitung eingenommene Breite verringert. Diese Verringerung der Breite beruht darauf, dass die dritte Metallschicht 53 auf der Seite der Metallschicht liegt, die mit der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors M5 weggerichtet von dem Basissubstrat versehen ist. Die Verringerung der Breite liegt ferner daran, dass mindestens eine der Signalleitungen 531, 532 und 533 in der Gate-Ansteuerschaltung in der dritten Metallschicht liegt. Daher ist die Breite des Rands der Anzeige verringert, wobei die Größe der Schaltungselemente unverändert bleibt.
Es wird nun auf 6 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 5 gezeigten Arraysubstrats auf das Basissubstrat ist. Wie in 6 gezeigt ist, überlappt die senkrechte Projektion 510 des Transistors M5 auf das Basissubstrat 50 die senkrechte Projektion 520 der Metallleitungen 531, 532 und 533 auf das Basissubstrat. Die Gesamtbreite des Rands, der von dem Transistor M5 und den Metallleitungen 531, 532 und 533 eingenommen wird, ist gleich der Breite der senkrechten Projektion 510 des Transistors M5. Im Vergleich mit der Lösung des Stands der Technik, wonach die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors, die Signalleitungen und die gemeinsame Elektrodenleitung in einer gleichen Metallschicht parallel liegen, wird in der Offenbarung in effizienter Weise die Gesamtbreite des von dem Transistor und der Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommenen Rands verkleinert.
In einigen Ausführungsformen liegen Datenleitungen in dem Anzeigegebiet des Arraysubstrats, und die zuvor genannte Ansteuerschaltung weist Multiplexer auf. Jeder der Multiplexer ist mit mehreren Datenleitungen verbunden. Der Multiplexer beinhaltet einen Transistor und eine dritte Taktsignalleitung und wird zur Übertragung von Datensignalen nacheinander auf die Datenleitungen verwendet, die mit dem Multiplexer verbunden sind, der durch das über die dritte Taktsignalleitung eingespeiste Signal gesteuert ist.
Insbesondere kann der Multiplexer N Transistoren und N dritte Taktsignalleitungen aufweisen, wobei die Gate-Elektrode jedes Transistors entsprechend mit einer dritten Taktsignalleitung verbunden ist. Die Source-Elektrode jedes Transistors ist mit einem Eingangsende der Multiplexer verbunden. Die Drain-Elektrode jedes Transistors ist entsprechend mit einer Datenleitung verbunden. Die zuvor genannte Anzahl N ist eine positive ganze Zahl. Die N Transistoren in dem Multiplexer werden der Reihe nach entsprechend der Steuerung der Taktsignale eingeschaltet, die über die N dritten Taktsignalleitungen übertragen werden. Daher werden die von dem Eingangsende des Multiplexers eingespeisten Signale der Reihe nach auf jede Datenleitung übertragen.
Es wird nun auf 7 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 7 gezeigt ist, weist das Arraysubstrat 700 ein Anzeigegebiet 7A und ein Nicht-Anzeigegebiet 7B auf. Das Nicht-Anzeigegebiet 7A beinhaltet eine erste Metallschicht 71, eine zweite Metallschicht 72 und eine dritte Metallschicht 73. In dem Nicht-Anzeigegebiet 7B ist ein Multiplexer angeordnet. Der Multiplexer weist auf: einen Transistors M7; und Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736. Dabei können die Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 eine dritte Taktsignalleitung aufweisen. Die Gate-Elektrode 711 des Transistors M7 liegt in der ersten Metallschicht 71. Die Source-Elektrode 721 und die Drain-Elektrode 722 des Transistors M7 liegen in der zweiten Metallschicht 72. Die Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 liegen in der dritten Metallschicht. In dem Anzeigegebiet 7A ist eine Datenleitung 723 angeordnet. Die Datenleitung 723 liegt in der gleichen Schicht wie die Source-Elektrode 721 und die Drain-Elektrode 722 des Transistors M7 in dem Nicht-Anzeigegebiet 7B. Alternativ ist der Transistor M7 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Falle weist der Transistor M7 ferner eine Polysiliziumschicht 75 auf.
In dieser Ausführungsform können die Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 eine oder mehrere Gruppen der dritten Taktsignalleitungen aufweisen. Beispielsweise beinhalten die Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 in 7 zwei Gruppen der dritten Taktsignalleitungen. Die erste Gruppe der dritten Taktsignalleitungen umfasst die Signalleitungen 731, 732 und 733, und die zweite Gruppe der dritten Taktsignalleitungen umfasst die Signalleitungen 734, 735 und 736.
Die senkrechte Projektion 710 des Transistors M7 auf das Basissubstrat 70 überlappt zumindest teilweise die senkrechte Projektion 720 der ersten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen 731, 732 und 733 auf das Basissubstrat und die senkrechte Projektion 730 der zweiten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen 734, 735 und 736 auf das Basissubstrat. Ferner überlappt die senkrechte Projektion 710 des Transistors M7 auf das Basissubstrat 70 zumindest teilweise die senkrechte Projektion 720 der ersten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen 731, 732 und 733 auf das Basissubstrat und die senkrechte Projektion 730 der zweiten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen 734, 735 und 736 auf das Basissubstrat in einer Richtung, die senkrecht zur Erstreckungsrichtung der Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 verläuft.
Das Nicht-Anzeigegebiet 7B umfasst ferner eine erste Isolationsschicht 74, die zwischen der zweiten Metallschicht 72 und der dritten Metallschicht 73 liegt. Die erste Isolationsschicht 74 ist mit einem ersten Durchgangsloch 741 versehen, durch welches die Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 mit der Source-Elektrode 721 oder der Drain-Elektrode 722 des Transistors M7 verbunden sind (7 zeigt lediglich schematisch, dass die Signalleitung 731 mit der Source-Elektrode 721 des Transistors M7 über das erste Durchgangsloch 741 verbunden ist).
Im Unterschied zu der in 5 gezeigten Ausführungsform liegen in der in 7 gezeigten Ausführungsform die Signalleitungen in dem Multiplexer zur Zuleitung von Signalen zu den Datenleitungen in einer anderen Metallschicht als der Schicht, in der die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors angeordnet sind. Die Erstreckungsrichtung der Signalleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 verläuft senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der Datenleitungen. Der Multiplexer liegt für gewöhnlich auf einer Seite oder auf zwei Seiten des Anzeigegebiets entlang der Richtung der Datenleitungen. Da die Signalleitungen in dem Multiplexer in einer anderen Metallschicht als der Schicht liegen, in der die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors angeordnet sind, und da die senkrechte Projektion der Signalleitungen auf das Basissubstrat teilweise oder vollständig die senkrechte Projektion des Transistors auf das Basissubstrat überlappt, kann in dem Arraysubstrat 700, das in der zuvor genannten Ausführungsform der Offenbarung beschrieben ist, die Größe des Anzeigebildschirmrands in der Richtung von Datenleitungen effizient verringert werden.
Es wird nun auf 8 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 7 gezeigten Arraysubstrats auf das Basissubstrat ist. Wie in 8 gezeigt ist, überlappt die senkrechte Projektion 710 des Transistors M7 auf das Basissubstrat 70 die senkrechte Projektion 720 der ersten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen (einschließlich der dritten Taktsignalleitungen 731, 732 und 733) auf das Basissubstrat, und die senkrechte Projektion 710 des Transistors M7 auf das Basissubstrat 70 überlappt die senkrechte Projektion 730 der zweiten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen (einschließlich der dritten Taktsignalleitungen 734, 735 und 736) auf das Basissubstrat. Die senkrechte Projektion 720 der ersten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen auf das Basissubstrat und die senkrechte Projektion 730 der zweiten Gruppe der dritten Taktsignalleitungen auf das Basissubstrat können in zwei gegenüberliegenden Gebieten der senkrechten Projektion 710 des Transistors M7 auf das Basissubstrat 70 liegen.
Aus der 8 kann man entnehmen, dass die Gesamtbreite des Rands, der von dem Transistor M7 und den Metallleitungen 731, 732, 733, 734, 735 und 736 eingenommen wird, gleich der Breite der senkrechten Projektion 710 des Transistors M7 ist. Im Vergleich zu der Lösung des Stands der Technik, in der die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors, die Signalleitungen und die gemeinsame Elektrodenleitung parallel zueinander in einer gleichen Metallschicht liegen, wird durch die Offenbarung in wirksamer Weise die Breite des Rands verringert, der von dem Transistor und der Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommen wird.
Auf der Grundlage der zuvor genannten Ausführungsform können ferner eine gemeinsame Elektrode und eine gemeinsame Elektrodenleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet des Arraysubstrats angeordnet sein. Dabei ist die gemeinsame Elektrode typischerweise als ein Block mit einem großen Widerstand ausgebildet und wird für die Zuleitung einer für die Anzeige erforderlichen gemeinsamen Spannung zu dem Arraysubstrat verwendet. Die gemeinsame Elektrodenleitung ist mit der gemeinsamen Elektrode parallel geschaltet, um den Wiederstand der gemeinsamen Elektrode zu verringern.
Es sei auf 9 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer weiteren Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 9 gezeigt ist, kann das Arraysubstrat 900 ein Anzeigegebiet 9A und ein Nicht-Anzeigegebiet 9B aufweisen. Das Nicht-Anzeigegebiet 9B umfasst: ein Basissubstrat 90; eine erste Metallschicht 91, eine zweite Metallschicht 92, eine dritte Metallschicht 93 und eine gemeinsame Elektrodenschicht 96, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 90 angeordnet sind. Eine Gate-Ansteuerschaltung, eine gemeinsame Elektrode 961 und eine gemeinsame Elektrodenleitung 923 liegen in dem Nicht-Anzeigegebiet 9B. Die Gate-Ansteuerschaltung weist auf: einen Transistor M9; und Signalleitungen 931, 932 und 933. Dabei beinhalten die Signalleitungen 931, 932 und 933 eine erste Taktsignalleitung und/oder eine zweite Taktsignalleitung und/oder eine erste Spannungssignalleitung und/oder eine zweite Spannungssignalleitung und/oder eine Eingangssignalleitung und/oder eine Rücksetzsignalleitung.
Eine Gate-Elektrode 912 des Transistors M9 liegt in der ersten Metallschicht 91. Eine Source-Elektrode 921 und eine Drain-Elektrode 922 des Transistors M9 liegen in der zweiten Metallschicht 92. Die Signalleitungen 931, 932 und 933 liegen in der dritten Metallschicht 93. Die gemeinsame Elektrode 961 liegt in der gemeinsamen Elektrodenschicht 96, und die gemeinsame Elektrodenleitung 923 liegt in der zweiten Metallschicht 92. Alternativ ist der Transistors M9 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Falle weist der Transistor M9 ferner eine Polysiliziumschicht 95 auf. Die gemeinsame Elektrodenleitung 923 hat eine erste senkrechte Projektion 910 auf das Basissubstrat 90. Die Signalleitungen 931, 932 und 933 haben eine zweite senkrechte Projektion 920 auf das Basissubstrat 90. Der Transistor M9 hat eine dritte senkrechte Projektion 930 auf das Basissubstrat 90. Die zweite senkrechte Projektion 920 überlappt die dritte senkrechte Projektion 930, oder die dritte senkrechte Projektion 930 deckt die zweite senkrechte Projektion 920 ab.
Des Weiteren weist das Nicht-Anzeigegebiet 9B ferner eine erste Isolationsschicht 94 auf, die zwischen der zweiten Metallschicht 92 und der dritten Metallschicht 93 liegt. Die erste Isolationsschicht 94 ist mit einem ersten Durchgangsloch 941 versehen, durch welches die Signalleitungen 931, 932 und 933 in der Gate-Ansteuerschaltung mit der Source-Elektrode 921 oder der Drain-Elektrode 922 des Transistors M9 verbunden sein können (9 zeigt lediglich schematisch, dass die Signalleitung 931 über das erste Durchgangsloch 941 mit der Source-Elektrode 921 des Transistors M9 verbunden ist).
Ferner kann das Anzeigegebiet 9A eine Abtastleitung 911 aufweisen, die in der gleichen Schicht wie die Gate-Elektrode 912 des Transistors M9 in dem Nicht-Anzeigegebiet 9B liegt. Alternativ ist eine zweite Isolationsschicht 97 zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht 96 und der zweiten Metallschicht 92 vorgesehen. Die zweite Isolationsschicht 97 ist mit einem zweiten Durchgangsloch 971 versehen, durch welches die gemeinsame Elektrode 961 mit der gemeinsamen Elektrodenleitung 923 verbunden ist.
Es wird ferner auf 10 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 9 gezeigten Arraysubstrats auf das Basissubstrat ist. Wie in 10 gezeigt ist, hat die gemeinsame Elektrodenleitung 923 eine erste senkrechte Projektion 910 auf das Basissubstrat 90. Die Signalleitungen 931, 932 und 933 haben eine zweite Projektion 920 auf das Basissubstrat. Der Transistor M9 hat eine dritte senkrechte Projektion 934 auf das Basissubstrat 90. Die dritte senkrechte Projektion 930 überlappt die zweite senkrechte Projektion 920. Die Gesamtbreite des von der gemeinsamen Elektrodenleitung 923, dem Transistor M9 und den Signalleitungen 931, 932 und 933 eingenommenen Rands ist gleich der Summe der Breiten der ersten senkrechten Projektion 910 und der dritten senkrechten Projektion 930. Im Vergleich mit der Lösung des Stands der Technik, wonach die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors, die Signalleitungen und die gemeinsame Elektrodenleitung in einer gleicher Metallschicht parallel zueinander liegen, wird in der Offenbarung in wirksamer Weise die Gesamtbreite des von dem Transistor und der Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommenen Rands verringert.
Im Unterschied zu der in 5 gezeigten Ausführungsform kann man der 9 entnehmen, dass das Nicht-Anzeigegebiet des Arraysubstrats 900 in der in 9 gezeigten Ausführungsform ferner mit einer gemeinsamen Elektrode 961 und einer gemeinsamen Elektrodenleitung 923 versehen sein kann. Die in 5 gezeigte Ausführungsform kann auf ein berührungsempfindliches Anzeigepaneel mit Eigen-Kapazität angewendet werden, in der die gemeinsame Elektrode auch als eine Berührungselektrode verwendet wird. In dem Anzeigegebiet ist eine Berührungselektrodenleitung angeordnet. Die Berührungselektrodenleitung kann als eine gemeinsame Elektrodenleitung verwendet werden, die zu der gemeinsamen Elektrode parallel geschaltet ist, um den Widerstand der gemeinsamen Elektrode zu verringern. Das heißt, das Nicht-Anzeigegebiet des Arraysubstrats in dem berührungsempfindlichen Anzeigepaneel mit Eigen-Kapazität muss nicht zusätzlich mit einer gemeinsamen Elektrodenleitung versehen sein. Jedoch kann in einem nicht berührungsempfindlichen Anzeigepaneel und in einem berührungsempfindlichen Anzeigepaneel mit gegenseitiger Kapazität das Nicht-Anzeigegebiet mit einer gemeinsamen Elektrodenleitung versehen sein, d.h. das in 9 gezeigte Arraysubstrat kann für das nicht berührungsempfindliche Anzeigepaneel und das berührungsempfindliche Anzeigepaneel mit gegenseitiger Kapazität verwendet werden.
Es wird nun auf 11 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer weiteren Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 11 gezeigt ist, kann das Arraysubstrat 1100 ein Anzeigegebiet 11A und ein Nicht-Anzeigegebiet 11 B aufweisen. Das Nicht-Anzeigegebiet 11B umfasst: ein Basissubstrat 110; und eine erste Metallschicht 111, eine zweite Metallschicht 112, eine dritte Metallschicht 113 und eine gemeinsame Elektrodenschicht 116, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 110 angeordnet sind. Eine Gate-Ansteuerschaltung, eine gemeinsame Elektrode 1161 und eine gemeinsame Elektrodenleitung 1131 liegen in dem Nicht-Anzeigegebiet 11B. Die Gate-Ansteuerschaltung umfasst: einen Transistor M11; und Signalleitungen 1123, 1124, 1125 und 1126.
Eine Gate-Elektrode 1112 des Transistors M11 liegt in der ersten Metallschicht 111. Eine Source-Elektrode 1121 und eine Drain-Elektrode 1122 des Transistors M11 liegen in der zweiten Metallschicht 112. Die Signalleitungen 1123, 1124, 1125 und 1126 liegen in der zweiten Metallschicht 112. Die gemeinsame Elektrode 1161 liegt in der gemeinsamen Elektrodenschicht 116. Die gemeinsame Elektrodenleitung 1131 liegt in der dritten Metallschicht 113. Alternativ ist der Transistor M11 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Fall weist der Transistor M11 ferner eine Polysiliziumschicht 115 auf. Die gemeinsame Elektrodenleitung 1131 hat eine erste senkrechte Projektion 1110 auf das bzw. auf dem Basissubstrat 110. Die Signalleitungen 1123, 1124, 1125 und 1126 haben eine zweite senkrechte Projektion 1120 auf dem Basissubstrat 110. Der Transistor M11 hat eine dritte senkrechte Projektion 1130 auf dem Basissubstrat 110. Die dritte senkrechte Projektion 1130 deckt die erste senkrechte Projektion 1110 ab.
Ferner kann das Anzeigegebiet 11A eine Abtastleitung 1111, die in der gleichen Schicht wie die Gate-Elektrode 1112 des Transistors M11 liegt, in dem Nicht-Anzeigegebiet 11B aufweisen. Alternativ ist eine dritte Isolationsschicht 117 zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht 116 und der dritten Metallschicht 113 vorgesehen. Die dritte Isolationsschicht 117 ist mit einem dritten Durchgangsloch 1171 versehen, durch welches die gemeinsame Elektrode 1161 mit der gemeinsamen Elektrodenleitung 1131 verbunden ist.
Es wird nun auf 12 weiter verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 11 gezeigten Arraysubstrats auf das Basissubstrat ist. Wie in 12 gezeigt ist, hat die gemeinsame Elektrodenleitung 1131 eine erste senkrechte Projektion 1110 auf dem Basissubstrat 110. Die Signalleitungen 1123, 1124, 1125 und 1126 haben eine zweite Projektion 1120 auf dem Basissubstrat. Der Transistor M11 hat eine dritte senkrechte Projektion 1130 auf dem Basissubstrat 110. Die dritte senkrechte Projektion 1130 deckt die erste senkrechte Projektion 1110 ab. Die Gesamtbreite des von der gemeinsamen Elektrodenleitung 1131, dem Transistor M11 und den Signalleitungen 1123, 1124, 1125 und 1126 eingenommenen Rands ist gleich der Summe der Breiten der zweiten senkrechten Projektion 1120 und der dritten senkrechten Projektion 1130. Im Vergleich zu der Lösung des Stand der Technik, wonach die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors, die Signalleitungen und die gemeinsame Elektrodenleitung in einer gleichen Metallschicht parallel zueinander liegen, wird in der Offenbarung in wirksamer Weise die Gesamtbreite des von dem Transistor und der Metallleitung eingenommenen Rands in dem Nicht-Anzeigegebiet verringert.
Es wird auf 13 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 13 gezeigt ist, kann das Arraysubstrat 1300 ein Anzeigegebiet 13A und ein Nicht-Anzeigegebiet 13B aufweisen. Das Nicht-Anzeigegebiet 13B umfasst: ein Basissubstrat 130; und eine erste Metallschicht 131, eine zweite Metallschicht 132, eine dritte Metallschicht 133 und eine gemeinsame Elektrodenschicht 136, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 130 angeordnet sind. In dem Nicht-Anzeigegebiet 13B sind eine Gate-Ansteuerschaltung, eine gemeinsame Elektrode 1361 und eine gemeinsame Elektrodenleitung 1334 angeordnet. Die Gate-Ansteuerschaltung umfasst: einen Transistor M13; und Signalleitungen 1331, 1332 und 1333.
In der ersten Metallschicht 131 liegt eine Gate-Elektrode 1312 des Transistors M13. Eine Source-Elektrode 1321 und eine Drain-Elektrode 1322 des Transistors M13 liegen in der zweiten Metallschicht 132. Die Signalleitungen 1331, 1332 und 1333 liegen in der dritten Metallschicht 133. Die gemeinsame Elektrode 1361 liegt in der gemeinsamen Elektrodenschicht 136. Die gemeinsame Elektrodenleitung 1334 liegt in der dritten Metallschicht 133. Alternativ ist der Transistors M13 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Falle weist der Transistors M13 ferner eine Polysiliziumschicht 135 auf. Die gemeinsame Elektrodenleitung 1334 hat eine erste senkrechte Projektion 1310 auf dem Basissubstrat 130. Die Signalleitungen 1331, 1332 und 1333 haben eine zweite senkrechte Projektion 1320 auf dem Basissubstrat 130. Der Transistors M13 hat eine dritte senkrechte Projektion 1330 auf dem Basissubstrat 130. Die dritte senkrechte Projektion 1330 deckt die zweite senkrechte Projektion 1320 ab.
Des Weiteren enthält das Nicht-Anzeigegebiet 13B eine vierte Isolationsschicht 134, die zwischen der zweiten Metallschicht 132 und der dritten Metallschicht 133 liegt. Die vierte Isolationsschicht 134 ist mit einem vierten Durchgangsloch 1341 versehen, durch welches die Signalleitungen 1331, 1332 und 1333 in der Gate-Ansteuerschaltung mit der Source-Elektrode 1321 oder der Drain-Elektrode 1322 des Transistors M13 verbunden sein können (13 zeigt lediglich schematisch, dass die Signalleitung 1331 mit der Source-Elektrode 1321 des Transistors M13 über das vierte Durchgangsloch 1341 verbunden ist).
Ferner kann das Anzeigegebiet 13A eine Abtastleitung 1311 aufweisen, die in der gleichen Schicht wie die Gate-Elektrode 1312 des Transistors M13 in dem Nicht-Anzeigegebiet 13B liegen kann. Die Erstreckungsrichtung der Signalleitungen 1331, 1332 und 1333 und der gemeinsamen Elektrodenleitung 1334 verläuft senkrecht zu der Abtastleitung 1311. Alternativ ist eine fünfte Isolationsschicht 137 zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht 136 und der dritten Metallschicht 133 vorgesehen. Die fünfte Isolationsschicht 137 ist mit einem fünften Durchgangsloch 1371 versehen, durch welches die gemeinsame Elektrode 1361 mit der gemeinsamen Elektrodenleitung 1334 verbunden ist.
Es wird ferner auf 14 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 13 gezeigten Arraysubstrats auf das Basissubstrat ist. Wie in 12 gezeigt ist, hat die gemeinsame Elektrodenleitung 1334 eine erste senkrechte Projektion 1310 auf dem Basissubstrat 130. Die Signalleitungen 1331, 1332, 1333 haben eine zweite Projektion 1320 auf dem Basissubstrat. Der Transistors M13 hat eine dritte senkrechte Projektion 1330 auf dem Basissubstrat 130. Die dritte senkrechte Projektion 1330 deckt die zweite senkrechte Projektion 1320 ab. Die Gesamtbreite des von der gemeinsamen Elektrodenleitung 1331, dem Transistor M13 und den Signalleitungen 1323, 1324, 1325 und 1326 eingenommenen Rands ist gleich der Summe der Breiten der ersten senkrechten Projektion 1310 und der dritten senkrechten Projektion 1330. Im Vergleich zu der Lösung des Stands der Technik, wonach die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors, die Signalleitungen und die gemeinsame Elektrodenleitung parallel in einer gleichen Metallschicht liegen, wird in der Offenbarung in wirksamer Weise die Gesamtbreite des von dem Transistor und der Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommenen Rands verringert.
Es sei auf 15 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer Querschnittsstruktur eines Arraysubstrats gemäß einer noch weiteren Ausführungsform der Offenbarung ist. Wie in 15 gezeigt ist, kann das Arraysubstrat 1500 ein Anzeigegebiet 15A und ein Nicht-Anzeigegebiet 15B aufweisen. Das Nicht-Anzeigegebiet 15B umfasst: ein Basissubstrat 150; und eine erste Metallschicht 151, eine zweite Metallschicht 152, eine dritte Metallschicht 153 und eine gemeinsame Elektrodenschicht 156, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat 150 angeordnet sind. Eine Gate-Ansteuerschaltung, eine gemeinsame Elektrode 1561 und eine gemeinsame Elektrodenleitung 1534 liegen in dem Nicht-Anzeigegebiet 15B. Die Gate-Ansteuerschaltung umfasst: einen Transistors M15; und Signalleitungen 1531, 1532 und 1533.
In der ersten Metallschicht 151 liegt eine Gate-Elektrode 1512 des Transistors M15. Eine Source-Elektrode 1521 und eine Drain-Elektrode 1522 des Transistors M15 liegen in der zweiten Metallschicht 152. Die Signalleitungen 1531, 1532 und 1533 liegen in der dritten Metallschicht 153. Die gemeinsame Elektrode 1561 liegt in der gemeinsamen Elektrodenschicht 156. Die gemeinsame Elektrodenleitung 1534 liegt in der dritten Metallschicht 153. Alternativ ist der Transistors M15 ein Polysilizium-Dünnschichttransistor. In einem derartigen Falle weist der Transistors M15 ferner eine Polysiliziumschicht 155 auf. Die gemeinsame Elektrodenleitung 1534 hat eine erste senkrechte Projektion 1510 auf dem Substrat 150. Die Signalleitungen 1531, 1532 und 1533 haben eine zweite senkrechte Projektion 1520 auf dem Basissubstrat 150. Der Transistor M15 hat eine dritte senkrechte Projektion 1530 auf dem Basissubstrat 150. Die dritte senkrechte Projektion 1530 deckt die erste senkrechte Projektion 1510 und die zweite senkrechte Projektion 1520 ab.
Des Weiteren umfasst das Nicht-Anzeigegebiet 15B ferner eine sechste Isolationsschicht 154, die zwischen der zweiten Metallschicht 152 und der dritten Metallschicht 153 angeordnet ist. Die sechste Isolationsschicht 154 ist mit einem sechsten Durchgangsloch 1541 versehen, durch welches die Signalleitungen 1531, 1532 und 1533 in der Gate-Ansteuerschaltung mit der Source-Elektrode 1521 oder der Drain-Elektrode 1522 des Transistors M15 verbunden sein können (15 zeigt lediglich schematisch, dass die Signalleitung 1533 mit der Source-Elektrode 1521 des Transistors M15 über das sechste Durchgangsloch 1541 verbunden ist).
Ferner kann das Anzeigegebiet 15A eine Abtastleitung 1511, die in der gleichen Schicht wie die Gate-Elektrode 1512 des Transistors M15 angeordnet ist, in dem Nicht-Anzeigegebiet 15B aufweisen. Die Erstreckungsrichtung der Signalleitungen 1531, 1532 und 1533 und der gemeinsamen Elektrodenleitung 1534 verläuft senkrecht zu der Abtastleitung 1511. Alternativ ist eine siebte Isolationsschicht 157 zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht 156 und der dritten Metallschicht 153 vorgesehen. Die siebte Isolationsschicht 157 ist mit einem Durchgangsloch 1571 versehen, durch welches die gemeinsame Elektrode 1561 mit der gemeinsamen Elektrodenleitung 1534 verbunden ist.
Es wird weiter auf 16 verwiesen, die eine schematische Ansicht einer senkrechten Projektion des Nicht-Anzeigegebiets des in 15 gezeigten Arraysubstrats auf das Basissubstrat ist. Wie in 16 gezeigt ist, hat die gemeinsame Elektrodenleitung 1534 eine erste senkrechte Projektion 1510 auf dem Basissubstrat 150. Die Signalleitungen 1531, 1532 und 1533 haben eine zweite Projektion 1520 auf dem Basissubstrat. Der Transistor M15 hat eine dritte senkrechte Projektion 1530 auf dem Basissubstrat 150. Die dritte senkrechte Projektion 1530 deckt die erste senkrechte Projektion 1510 und die zweite senkrechte Projektion 1520 ab. Die Gesamtbreite des von der gemeinsamen Elektrodenleitung 1531, dem Transistor M15 und den Signalleitungen 1523, 1524, 1525 und 1526 eingenommenen Rands ist gleich der Breite der dritten senkrechten Projektion 1530. Damit wird in dem in dieser Ausführungsform bereitgestellten Arraysubstrat die Fläche des Rands reduziert, der von der Metallleitung und dem Transistor in dem Nicht-Anzeigegebiet eingenommen wird, wodurch die Breite des Rands weiter verringert werden kann.
Eine Ausführungsform gemäß der Offenbarung stellt ferner ein Anzeigepaneel bereit, das aufweist: das in jeder der zuvor genannten Ausführungsformen beschriebene Arraysubstrat; und ein Farbschichtsubstrat, das gegenüberliegend zu dem Arraysubstrat angeordnet ist. Zu beachten ist, dass das Anzeigepaneel ferner eine Flüssigkristallschicht aufweisen kann, die zwischen dem Arraysubstrat und dem Farbschichtsubstrat angeordnet ist.
Eine Ausführungsform gemäß der Offenbarung stellt ferner eine Anzeigeeinrichtung bereit, die das zuvor genannte Anzeigepaneel enthält. In einer speziellen Implementierung kann die Anzeigeeinrichtung ferner diverse Strukturen, etwa eine Rückseitenbeleuchtungseinheit, eine Lichtleiterplatte, eine transparente Schicht und dergleichen aufweisen.
Die vorhergehende Beschreibung zeigt lediglich bevorzugte Ausführungsformen der Offenbarung und Darstellungen für die angewendeten technischen Prinzipien. Der Fachmann erkennt, dass der Schutzbereich der Offenbarung nicht auf die technischen Lösungen beschränkt ist, die durch spezielle Kombinationen der zuvor genannten technischen Merkmale gebildet werden, sondern dass damit andere technische Lösungen abgedeckt werden sollen, die durch beliebige Kombinationen der zuvor genannten technischen Merkmale oder durch äquivalente Merkmale davon erzeugt werden, ohne von dem erfindungsgemäßen Konzept der Offenbarung abzuweichen. Beispielsweise sind dies die technischen Lösungen, die durch Austausch zwischen den zuvor genannten Merkmalen und den technischen Merkmalen gebildet werden, die ähnliche Funktionen haben, wie sie in der Offenbarung (ohne darauf eingeschränkt zu sein) angegeben sind.

Claims

Ein Arraysubstrat, mit einem Anzeigegebiet und einem Nicht-Anzeigegebiet; wobei das Nicht-Anzeigegebiet aufweist: ein Basissubstrat; und eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht und eine dritte Metallschicht, die in einer Richtung senkrecht zu dem Basissubstrat angeordnet sind; und wobei ein Transistor und eine Metallleitung in dem Nicht-Anzeigegebiet angeordnet sind; eine Gate-Elektrode des Transistors in der ersten Metallschicht liegt und eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Transistors in der zweiten Metallschicht liegen; die Metallleitung in der dritten Metallschicht liegt; und eine auf das Basissubstrat projizierte senkrechte Projektion des Transistors zumindest teilweise eine auf das Basissubstrat projizierte senkrechte Projektion der Metallleitung überlappt, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Nicht-Anzeigegebiet ferner eine gemeinsame Elektrode und eine gemeinsame Elektrodenleitung angeordnet sind, wobei das Nicht-Anzeigegebiet ferner eine gemeinsame Elektrodenschicht aufweist; die gemeinsame Elektrode in der gemeinsamen Elektrodenschicht liegt, wobei die gemeinsame Elektrode mit der gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist, und die Metallleitung die gemeinsame Elektrodenleitung aufweist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 1, wobei eine Ansteuerschaltung in dem Nicht-Anzeigegebiet derart angeordnet ist, dass die Ansteuerschaltung den Transistor und eine Signalleitung enthält, wobei die Signalleitung für die Übertragung von Signalen zu dem Transistor verwendet ist und in der Metallleitung enthalten ist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 2, wobei die Ansteuerschaltung eine Gate-Ansteuerschaltung aufweist, wobei die Gate-Ansteuerschaltung eine erste Taktsignalleitung, eine zweite Taktsignalleitung, eine erste Spannungssignalleitung, eine zweite Spannungssignalleitung, eine Eingangssignalleitung und eine Rücksetzsignalleitung aufweist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 3, wobei die Signalleitung die erste Taktsignalleitung und/oder die zweite Signalleitung und/oder die erste Spannungssignalleitung und/oder die zweite Spannungssignalleitung und/oder die Eingangssignalleitung und/oder die Rücksetzsignalleitung enthält.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 4, wobei eine Abtastleitung in dem Anzeigegebiet angeordnet ist; und eine Erstreckungsrichtung der Signalleitung senkrecht zu einer Erstreckungsrichtung der Abtastleitung verläuft.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 2, wobei Datenleitungen in dem Anzeigegebiet angeordnet sind; die Ansteuerschaltung Multiplexer aufweist, wobei jeder der Multiplexer mit mehreren der Datenleitungen verbunden ist, wobei einer der Multiplexer den Transistor und eine dritte Taktsignalleitung aufweist und zur Übertragung von Datensignalen nacheinander auf die mehreren Datenleitungen verwendet wird, die mit dem Multiplexer verbunden sind, der durch ein über die dritte Taktsignalleitung eingespeistes Signal gesteuert ist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 6, wobei die Signalleitung die dritte Taktsignalleitung aufweist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 7, wobei die Erstreckungsrichtung der Signalleitung senkrecht zu einer Erstreckungsrichtung der Datenleitungen verläuft.
Das Arraysubstrat nach einem der Ansprüche 2-8, wobei das Nicht-Anzeigegebiet ferner eine erste Isolationsschicht aufweist, wobei die erste Isolationsschicht zwischen der zweiten Metallschicht und der dritten Metallschicht liegt, wobei die erste Isolationsschicht mit einem ersten Durchgangsloch versehen ist, und wobei die Signalleitung mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors durch das erste Durchgangsloch verbunden ist.
Das Arraysubstrat nach einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei die gemeinsame Elektrodenleitung eine erste senkrechte Projektion auf dem Basissubstrat hat; die Signalleitung eine zweite senkrechte Projektion auf dem Basissubstrat hat; und der Transistor eine dritte senkrechte Projektion auf dem Basissubstrat hat; die erste senkrechte Projektion oder die zweite senkrechte Projektion zumindest teilweise die dritte senkrechte Projektion überlappt.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 10, wobei die dritte senkrechte Projektion die erste senkrechte Projektion abdeckt; eine dritte Isolationsschicht zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht und der dritten Metallschicht vorgesehen ist; und die dritte Isolationsschicht mit einem dritten Durchgangsloch versehen ist, wobei die gemeinsame Elektrode mit der gemeinsamen Elektrodenleitung durch das dritte Durchgangsloch verbunden ist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 10, wobei die dritte senkrechte Projektion die zweite senkrechte Projektion abdeckt; eine vierte Isolationsschicht zwischen der zweiten Metallschicht und der dritten Metallschicht vorgesehen ist; die vierte Isolationsschicht mit einem vierten Durchgangsloch versehen ist, wobei die Source-Elektrode oder die Drain-Elektrode des Transistors über das vierte Durchgangsloch mit der Signalleitung verbunden ist; eine fünfte Isolationsschicht zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht und der dritten Metallschicht vorgesehen ist; und die fünfte Isolationsschicht mit einem fünften Durchgangsloch versehen ist, wobei die gemeinsame Elektrode durch das fünfte Durchgangsloch mit der gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 10, wobei die dritte senkrechte Projektion die erste und die zweite senkrechte Projektion abdeckt; eine sechste Isolationsschicht zwischen der zweiten Metallschicht und der dritten Metallschicht vorgesehen ist; die sechste Isolationsschicht mit einem sechsten Durchgangsloch versehen ist, wobei die Source-Elektrode oder die Drain-Elektrode des Transistors durch das sechste Durchgangsloch mit der Signalleitung verbunden ist; eine siebte Isolationsschicht zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht und der dritten Metallschicht vorgesehen ist; und die siebte Isolationsschicht mit einem siebten Durchgangsloch versehen ist, wobei die gemeinsame Elektrode durch das siebte Durchgangsloch mit der gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist.
Ein Anzeigepaneel, mit: dem Arraysubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 13; und einem Farbschichtsubstrat, das gegenüberliegend zu dem Arraysubstrat angeordnet ist.
Eine Anzeigeeinrichtung, die das Anzeigepaneel des Anspruchs 14 aufweist.