TWI692665B

TWI692665B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI692665B
Application number: TW107144743A
Authority: TW
Inventors: 陳鵬聿; 郭雅佩; 陳弘祥
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-08-10
Filing date: 2018-12-12
Publication date: 2020-05-01
Also published as: TWI684047B; TW202009906A; TW202009563A; TW202009561A; TWI687742B; TW202009562A; TWI684174B

Abstract

一種顯示裝置，包括基板、多個主動式畫素以及多個被動式畫素。基板具有第一顯示區以及連接第一顯示區的第二顯示區。多個被動式畫素位於第一顯示區上。多個主動式畫素位於第二顯示區上。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種包括兩種畫素的顯示裝置。

目前，為了增加產品的使用便利性，許多廠商會將顯示裝置與相機結合在一起。舉例來說，現有的手機或平板電腦內時常附載有相機功能。在現有的手機或平板電腦中，為了提供足夠的邊框區來設置前鏡頭，顯示區的面積往往會被限縮。舉例來說，常常會於顯示面板上之邊框區鑽孔，用以設置相機的鏡頭。然而，鑽孔的部分不具備顯示功能，導致可以顯示畫面的顯示區之面積被限縮。

本發明提供一種顯示裝置，可以增加能夠顯示畫面之區域的面積，藉此獲得窄邊框或無邊框的優點。

本發明的一實施例提供一種顯示裝置，包括基板、多個主動式畫素以及多個被動式畫素。基板具有第一顯示區以及連接第一顯示區的第二顯示區。多個被動式畫素位於第一顯示區上。多個主動式畫素位於第二顯示區上。

本發明的一實施例提供一種顯示裝置，包括基板、至少一驅動電路、主動元件、絕緣層、第一電極、第二電極、第一發光層、第二發光層以及第三電極。基板具有第一顯示區以及連接第一顯示區的第二顯示區。至少一驅動電路位於基板上，主動元件位於第二顯示區上，且電性連接至至少一驅動電路，而絕緣層覆蓋於主動元件上。第一電極以及第二電極位於絕緣層上，且第一電極位置對應於第一顯示區，第二電極位置對應第二顯示區上。其中，第一電極電性連接至至少一驅動電路，且第二電極電性連接至主動元件。第三電極位於第一電極與第二電極上。第一發光層設置於第一電極與第三電極之間，且位置對應於第一顯示區，而第二發光層則設置於第二電極與第三電極之間，且位置對應於第二顯示區。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1、1a、1b、1c、1d:顯示裝置

100:基板

110:第一顯示區

120:第二顯示區

200:光學模組

A1:第一電極

A2:第二電極

AA:顯示區

BA:周邊區

CH:通道層

D:汲極

DL:資料線

DR:驅動電路

E1:第一發光層

E2:第二發光層

G:閘極

GI:閘絕緣層

H1、H2、O:開口

I1:第一絕緣層

I2:第二絕緣層

DR1:第一驅動電路

DR2:第二驅動電路

L1:第一發光二極體

L1r:第一紅色發光二極體

L1g:第一綠色發光二極體

L1b:第一藍色發光二極體

L1w:第一白色發光二極體

L2:第二發光二極體

L2r:第二紅色發光二極體

L2g:第二綠色發光二極體

L2b:第二藍色發光二極體

L2w:第二白色發光二極體

P1:第一畫素

P2:第二畫素

PDL:畫素定義層

S:源極

SL:掃描線

SW1:第一側

SW2:第二側

T、Tr、Tg、Tb、Tw:主動元件

TR:穿透區

T1:第三電極

T2:第三電極

W1:第一走線

W2:第二走線

圖1A是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖1B是圖1A剖線AA’以及剖線BB’的剖面示意圖。

圖2A是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖2B是圖2A剖線CC’的剖面示意圖。

圖3是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖4是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖5是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。

圖1A是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖1B是圖1A剖線AA’以及剖線BB’的剖面示意圖。為了方便說明，圖1A省略繪示了部分構件，舉例來說，圖1A中的第一畫素僅以簡單的矩形繪示，第二畫素僅以簡單的矩形加上主動元件的電路符號繪示。

請參考圖1A與圖1B，顯示裝置1包括基板100、多個第一畫素P1以及多個第二畫素P2。在本實施例中，顯示裝置1還包括至少一驅動電路DR、多條第一走線W1以及多條第二走線W2。基板100具有顯示區AA，顯示區AA包括第一顯示區110以及連接第一顯示區110的第二顯示區120。在本實施例中，第二顯示區120環繞第一顯示區110，但本發明不以此為限。在本實施例中，基板100還具有周邊區BA，周邊區BA環繞顯示區AA，且驅動電路DR位於基板100的周邊區BA上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，基板100可以不具有周邊區BA，驅動電路DR可以設置於基板100的顯示區AA上及/或基板100背面。在本實施例中，驅動電路DR包括第一驅動電路DR1以及第二驅動電路DR2，多條第一走線W1以及多條第二走線W2設置於基板100上，且多個第一畫素P1與多個第二畫素P2可透過多條第一走線W1或多條第二走線W2電性連接到驅動電路DR。

多個第二畫素P2位於第二顯示區120上。在本實施例中，第二畫素P2為主動式畫素，各第二畫素P2包括主動元件T以及第二發光二極體L2。雖然在本實施例中，以各第二畫素P2包括一個主動元件T以及一個第二發光二極體L2為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各第二畫素P2包括多個主動元件T以及多個第二發光二極體L2。換句話說，各第二畫素P2包括多個子畫素。

詳言之，主動元件T位於基板100的第二顯示區120上，且主動元件T電性連接至驅動電路DR。在本實施例中，第二走線W2電性連接於主動元件T與驅動電路DR，其中第二走線W2包括資料線DL以及掃描線SL。於圖1B之實施例中，主動元件T包括通道層CH、閘極G、源極S與汲極D。具體而言，閘極G電性連接至掃描線SL，且透過掃描線SL而電性連接至第一驅動電路DR1。閘極G重疊於通道層CH，且閘極G與通道層CH之間夾有閘絕緣層GI。源極S與汲極D位於通道層CH上，且電性連接至通道層CH。源極S電性連接至資料線DL，且透過資料線DL而電性連接至第二驅動電路DR2。

在本實施例中，主動元件T是以底部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件T也可以是頂部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。

第二發光二極體L2電性連接至主動元件T。詳言之，請參閱圖1B，第二發光二極體L2包括第二電極A2、第二發光層E2以及第三電極T2。具體而言，第一絕緣層I1位於主動元件T上，換言之，第一絕緣層I1位於閘絕緣層GI、源極S與汲極D上。於本實施例中，第二絕緣層I2位於第一絕緣層I1上，使得主動元件T與第二發光二極體L2之間設置兩層絕緣層，但本發明不以此為限，可依不同主動元件的特性或其他製程考量，增加或減少絕緣層的層數。第二電極A2位於第一絕緣層I1(第二絕緣層I2)上，且位置對應於第二顯示區120上。於本實施例的第二畫素P2中，第二發光二極體L2係電性連接主動元件T。具體而言，第二電極A2透過開口O而電性連接至主動元件T的汲極D，其中開口O貫穿第一絕緣層I1以及第二絕緣層I2，如此一來，第二電極A2即可經由開口O而連接於主動元件T。畫素定義層PDL位於第二絕緣層I2上，且具有開口H2，其中第二發光層E2位於開口H2中。詳言之，開口H2形成於畫素定義層PDL，且開口H2形成位置對應於第二電極A2，如此一來，當第二發光層E2位於開口H2內時，使得第二發光層E2的位置亦對應於第二電極A2。於本實施例中，第三電極T2位於畫素定義層PDL以及第二發光層E2上，使得第二發光層E2設置於第二電極A2與第三電極T2之間，如此一來，可透過第二電極A2與第三電極T2的驅動電性(如電壓、電流、電場..等特性)來控制第二發光層E2的發光亮度。換言之，於本實施例之第二畫素P2中，可以透過電性驅動信號輸入於主動元件T，進而控制第二發光二極體L2的發光亮度，以形成第二畫素P2為主動式畫素。舉例而言，當第二發光二極體L2為有機發光二極體時，第二畫素P2為主動式有機發光二極體(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)。

多個第一畫素P1位於第一顯示區110上。在本實施例中，第一畫素P1為被動式畫素，各第一畫素P1包括第一發光二極體L1。雖然在本實施例中，以各第一畫素P1包括一個第一發光二極體L1為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各第一畫素P1包括多個第一發光二極體L1。換句話說，各第一畫素P1包括多個子畫素。

請參閱圖1A與圖1B，第一發光二極體L1電性連接至驅動電路DR。在本實施例中，第一走線W1電性連接第一發光二極體L1與驅動電路DR。在本實施例中，第一走線W1與部分連接至主動元件T的資料線DL實質上為同一條導線。換句話說，第一走線W1連接至部分第二走線W2，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一走線W1與第二走線W2互相分離。第一發光二極體L1包括第一電極A1、第一發光層E1以及第三電極T1。具體而言，第一電極A1位於第一絕緣層I1(第二絕緣層I2)上，且第一電極A1位置對應於第一顯示區110上。於本實施例中，第一電極A1透過資料線DL而電性連接至第二驅動電路DR2。請參閱圖1B之第一畫素P1，畫素定義層PDL位於第二絕緣層I2上，且具有開口H1，其中第一發光層E1位於開口H1中。詳言之，開口H1形成於畫素定義層PDL，且開口H1形成位置對應於第一電極A1，如此一來，當第一發光層E1位於開口H1內時，使得第一發光層E1的位置亦對應於第一電極A1。於本實施例中，第三電極T1位於畫素定義層PDL以及第一發光層E1上，使得第一發光層E1設置於第一電極A1與第三電極T1之間，如此一來，可透過第一電極A1與第三電極T1的驅動電性(如電壓、電流、電場..等特性)來控制第一發光層E1的發光亮度。換言之，於本實施例之第一畫素P1中，驅動電路DR是直接將電性驅動信號傳遞至第一發光二極體L1，而未需經由畫素內之主動元件(如第二畫素P2的主動元件T)，即可控制第一發光二極體L1的發光亮度，以形成第一畫素P1為被動式畫素。舉例而言，當第一發光二極體L1為有機發光二極體時，第一畫素P1為被動式有機發光二極體(Passive-Matrix Organic Light-Emitting Diode,PMOLED)。

在本實施例中，第一發光二極體L1的第三電極T1以及第二發光二極體L2的第三電極T2電性連接且一體成形。換句話說，第三電極T1(T2)實質為整面式地覆蓋於第一顯示區與第二顯示區。舉例而言，第一電極A1與第二電極A2皆為發光二極體之陽極，且第一電極A1與第二電極A2為結構分離，可透過同一道光罩來形成圖案化的電極結構。第三電極T1(T2)則為發光二極體之陰極，且為整面式的形成於第一顯示區與第二顯示區，使得第三電極T1(對應於第一顯示區)與第三電極T2(對應於第二顯示區) 為同一材料、同一層別。在本實施例中，第一發光二極體L1與第二發光二極體L2電性連接至相同的第二驅動電路DR2，但本發明不以此為限。在其他實施例中，用來控制第二發光二極體L2的驅動電路可以與用來控制第一發光二極體L1的驅動電路分離。換句話說，第二發光二極體L2可以藉由其他訊號線而電性連接至其他驅動電路，並不限制第二發光二極體L2一定要藉由資料線DL而電性連接至第二驅動電路DR2。

在本實施例中，第一畫素P1與第二畫素P2的面積是由畫素定義層PDL所界定。在一些實施例中，第一畫素P1與第二畫素P2的面積約等於對應的兩條掃描線以及對應的兩條資料線所圍繞出來的面積，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，第一發光二極體L1於基板100上垂直投影的面積與第二發光二極體L2於基板100上垂直投影的面積相同。在一些實施例中，第一畫素P1於基板100上垂直投影的面積與第二畫素P2於基板100上垂直投影的面積相同。換句話說，顯示裝置1對應第一顯示區110位置處的解析度可以等於顯示裝置1對應第二顯示區120位置處的解析度，但本發明不以此為限。在其他實施例中，顯示裝置1對應第一顯示區110位置處的解析度可以不同於顯示裝置1對應第二顯示區120位置處的解析度。

在本實施例中，第一發光二極體L1以及第二發光二極體L2是以有機發光二極體為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一發光二極體L1以及第二發光二極體L2為微型發光二極體(micro-LED)，且包含無機的發光層。

在本實施例中，第一畫素P1不具有主動元件，也就是說，第一畫素P1中的電路較第二畫素P2簡單。因此，第一畫素P1相較於第二畫素P2具有較高的穿透率。

光學模組200位置對應於第一顯示區110。光學模組200設置於基板100背面的第一顯示區110上。光學模組200例如為電荷耦合元件(Charge-coupled Device)、三維感測裝置(3D sensor)、虹膜辨識裝置等等。當欲執行拍攝功能時，影像可以穿過第一顯示區110，並抵達光學模組200。此外，由於第一顯示區110上的第一畫素P1具備顯示功能。因此，在不需要執行拍攝功能時，第一顯示區110上的第一畫素P1可以顯示圖示(Icon)，如電池電量、網路訊號或其他影像。換句話說，於本實施例中，第一顯示區110為被動式畫素P1，使得光學模組200設置的位置係對應於被動式畫素P1。如此一來，被動式畫素P1能提供較高的穿透率，增加光學模組200的使用效能，同時，亦能兼顧被動式畫素P1的顯示作用，進而形成第一顯示區110能夠進行顯示作用，同時亦可提供光學模組200的使用效能。另外，以使用者的角度來看，本實施例之顯示裝置能夠實現全面屏的顯示作用，且不易看到光學模組200實體結構，確能夠達到光學模組200的使用性，進而增加顯示裝置的美觀度與顯示品質。

基於上述，由於顯示裝置1包括第一畫素P1以及第二畫素P2，顯示裝置1具有較高的穿透率，且可以增加能夠顯示畫面之區域的面積，藉此獲得窄邊框或無邊框的優點。

圖2A是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖2B是圖2A剖線CC’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2A與圖2B的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖2A與圖2B，在本實施例中，顯示裝置1a的各第一畫素P1(被動式畫素)包括多個第一發光二極體L1(如：第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g以及第一藍色發光二極體L1b)以及穿透區TR。穿透區TR位於第一發光二極體L1一側。

第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g以及第一藍色發光二極體L1b分別電性連接至同一條掃描線SL，且第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g以及第一藍色發光二極體L1b分別電性連接至不同條資料線DL。第一畫素P1中第一發光二極體L1的數量可以依照實際需求而進行調整。

在圖2A與圖2B之實施例中，第一發光二極體L1與第二發光二極體L2的層疊結構皆與圖1A與圖1B之實施例相同，在此不在多加贅述。於本實施例中，第一畫素P1更包含穿透區TR，可以增加第一畫素P1的穿透度，進而提升光學模組200的使用效能與靈敏度。具體而言，第三電極T1於對應穿透區TR處具有開口H3。換句話說，穿透區TR中未設置第三電極T1，使穿透區TR具有較高的穿透率。在其他變形例中，除了第三電極T1外，開口H3亦可形成於其他層別，換言之，於穿透區TR中，除了沒有第三電極T1外，亦可同時沒有其他層別，如第一發光層E1、第一電極A1、各絕緣層等。

在本實施例中，畫素定義層PDL的部分開口H1重疊於穿透區TR，因此，部分第一發光層E1位於穿透區TR中，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素定義層PDL的開口H1不重疊於穿透區TR，且穿透區TR中未設置第一發光層E1，如圖5之實施例。

在本實施例中，顯示裝置1a的各第二畫素P2(主動式畫素)包括多個主動元件T(如：主動元件Tr、主動元件Tg以及主動元件Tb)、多個第二發光二極體L2(如：第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b)。第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b分別電性連接至主動元件Tr、主動元件Tg以及主動元件Tb。主動元件Tr、主動元件Tg以及主動元件Tb電性連接至同一條掃描線SL，且主動元件Tr、主動元件Tg以及主動元件Tb分別電性連接至不同條資料線DL。各第二畫素P2中主動元件T以及第二發光二極體L2的數量可以依照實際需求而進行調整。

部分第一畫素P1(被動式畫素)的第一發光二極體L1 位於穿透區TR的第一側SW1，另一部分第一畫素P1(被動式畫素)的第一發光二極體L1位於穿透區TR的第二側SW2，第一側SW1不同於第二側SW2。且第一發光二極體L1位於穿透區TR的第一側SW1的第一畫素P1與第一發光二極體L1位於穿透區TR的第二側SW2的第一畫素P1交替排列。藉此，顯示裝置對應於第一顯示區110處的穿透率可以分佈的較為均勻。

圖3是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖2A與圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖3，顯示裝置1b的各第二畫素P2(主動式畫素)包括多個主動元件T(如：主動元件Tr、主動元件Tg、主動元件Tb以及主動元件Tw)、多個第二發光二極體L2(如：第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g、第二藍色發光二極體L2b以及第二白色發光二極體L2w)。第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g、第二藍色發光二極體L2b以及第二白色發光二極體L2w分別電性連接至主動元件Tr、主動元件Tg、主動元件Tb以及主動元件Tw。

雖然在本實施例中，是以第二畫素P2包括第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g、第二藍色發光二極體L2b以及第二白色發光二極體L2w為例，但本發明不以此為限。第二畫素P2還可以包括其他顏色的發光二極體。在本實施例中，第二白色發光二極體L2w可以使第二畫素P2具有較高的穿透率。

圖4是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖4，顯示裝置1c的各第一畫素P1(被動式畫素)多個第一發光二極體L1(如：第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g、第一藍色發光二極體L1b以及第一白色發光二極體L1w)以及穿透區TR。

雖然在本實施例中，是以第一畫素P1包括第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g、第一藍色發光二極體L1b以及第一白色發光二極體L1w為例，但本發明不以此為限。第一畫素P1還可以包括其他顏色的發光二極體。在本實施例中，第一白色發光二極體L1w可以使第一畫素P1具有較高的穿透率。

圖5是依照本發明的實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖2A與圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖5的顯示裝置1d與圖2B的顯示裝置1a之差異在於：顯示裝置1d的第一畫素P1中，穿透區TR中未設置第一發光層E1。

在本實施例中，畫素定義層PDL的開口H1不重疊於穿透區TR，且穿透區TR中未設置第一發光層E1以及第一電極A1。因此，穿透區TR有較高的穿透率。

綜上所述，本發明的顯示裝置包括第一畫素以及第二畫素兩種不同的畫素，可以增加顯示裝置能夠顯示畫面之區域的面積，藉此獲得窄邊框或無邊框的優點。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧顯示裝置

100‧‧‧基板

110‧‧‧第一顯示區

120‧‧‧第二顯示區

AA‧‧‧顯示區

BA‧‧‧周邊區

DL‧‧‧資料線

DR‧‧‧驅動電路

DR1‧‧‧第一驅動電路

DR2‧‧‧第二驅動電路

P1‧‧‧第一畫素

P2‧‧‧第二畫素

SL‧‧‧掃描線

T‧‧‧主動元件

W1‧‧‧第一走線

W2‧‧‧第二走線

Claims

一種顯示裝置，包括：一基板，具有一第一顯示區以及連接該第一顯示區的一第二顯示區；一光學模組，位置對應於該第一顯示區；多個被動式畫素，位於該第一顯示區上，且各該被動式畫素包括一第一發光二極體；以及多個主動式畫素，位於該第二顯示區上，各該主動式畫素包括一主動元件與一第二發光二極體，且該主動元件電性連接於該第二發光二極體；至少一驅動電路，位於該基板上；一第一走線，設置於該基板上，且該第一走線電性連接該第一發光二極體與該驅動電路；一第二走線，設置於該基板上，且該第二走線電性連接該主動元件與該驅動電路。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該主動式畫素於該基板上垂直投影的面積與各該被動式畫素於該基板上垂直投影的面積相同。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該被動式畫素包括：一穿透區，位於該第一發光二極體一側。
如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中部分該些被動式畫素的該些第一發光二極體位於該些穿透區的第一側，另一部分該些被動式畫素的該些第一發光二極體位於該些穿透區的第二側，其中該第一側不同於該第二側，且該部分該些被動式畫素與該另一部分該些被動式畫素交替排列。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該主動式畫素的該第二發光二極體包括一第二紅色發光二極體、一第二綠色發光二極體、一第二藍色發光二極體以及一第二白色發光二極體。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該被動式畫素的該第一發光二極體包括一第一紅色發光二極體、一第一綠色發光二極體以及一第一藍色發光二極體。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該被動式畫素的該第一發光二極體包括一第一紅色發光二極體、一第一綠色發光二極體、一第一藍色發光二極體以及一第一白色發光二極體。
一種顯示裝置，包括：一基板，具有一第一顯示區以及連接該第一顯示區的一第二顯示區；一光學模組，位置對應於該第一顯示區；至少一驅動電路，位於該基板上；多個第一畫素以及多個第二畫素，分別位於該第一顯示區以及該第二顯示區上，其中各該第一畫素包括：一第一發光二極體，包括一第一電極、一第一發光層以及一第三電極，其中該第一電極以及該第一發光層位置對應於該第一顯示區，該第一電極電性連接至該至少一驅動電路，且該第一發光層設置於該第一電極與該第三電極之間；且各該第二畫素包括：一主動元件，位於該第二顯示區上，且電性連接至該至少一驅動電路；以及一第二發光二極體，且該第二發光二極體包括一第二電極、一第二發光層及該第三電極，其中該第二電極以及該第二發光層位置對應該第二顯示區，該第二電極電性連接至該主動元件，且該第二發光層設置於該第二電極與該第三電極之間；以及一絕緣層，覆蓋於該主動元件，其中該第一電極以及該第二電極位於該絕緣層上，且該第三電極位於該第一電極與該第二電極上。
如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中各該第一畫素於該基板上垂直投影的面積與各該第二畫素於該基板上垂直投影的面積相同。
如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中各該第一畫素更包括：一穿透區，位於該第一發光二極體的一側；以及一開口，形成於該第三電極，其中該開口的位置對應於該穿透區。
如申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，其中部分該些第一畫素的該些第一發光二極體位於該些穿透區的一第一側，另一部分該些第一畫素的該些第一發光二極體位於該些穿透區的一第二側，該第一側不同於該第二側。
如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中各該第二畫素的該第二發光二極體包括一第二紅色發光二極體、一第二綠色發光二極體、一第二藍色發光二極體以及一第二白色發光二極體。
如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中各該第一畫素的該第一發光二極體包括一第一紅色發光二極體、一第一綠色發光二極體以及一第一藍色發光二極體。
如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中各該第一畫素的該第一發光二極體包括一第一紅色發光二極體、一第一綠色發光二極體、一第一藍色發光二極體以及一第一白色發光二極體。
如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該些第一發光二極體與該些第二發光二極體電性連接。