-
QUERVERWEIS AUF VERWANDTE
ANMELDUNG
-
Diese
Anmeldung beansprucht die Priorität aus der am 26. Januar
2007 eingereichten
koreanischen
Patentanmeldung Nr. 10-2007-0008611 , deren Inhalt hiermit
in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme aufgenommen ist.
-
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
-
1. Gebiet der Erfindung
-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung beziehen sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein
Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung. Ausführungsbeispiele
der Erfindung beziehen sich insbesondere auf eine Halbleitervorrichtung
mit isolierenden Sperrschichten und ein Verfahren zum Herstellen
der Halbleitervorrichtung.
-
2. Beschreibung der verwandten
Technik
-
Die
jeweiligen Größen von Muster bei einer Halbleitervorrichtung
können reduziert werden, um den Grad einer Integration
der Halbleitervorrichtung zu erhöhen. Zu einem gewissen
Ausmaß werden jedoch praktische Grenzen der Bildung relativ
feiner Muster unter Verwendung einer Fotolithografie erreicht. Ein
Verfahrensspielraum für Kontaktstöpsel, die bei
Speichern verwendet werden, wird beispielsweise reduziert. D. h.,
die Größe eines Kontaktstöpsels wurde
reduziert und das Trennungsintervall zwischen Kontaktstöpseln
wurde reduziert. Ein Überbrückungsproblem kann
demgemäß zwischen Speicherungsknotenschichten,
die mit den Kontaktstöpseln verbunden sind, auftreten,
und eine Zuverlässigkeit des Speichers kann erheblich reduziert
werden.
-
Ein
Bilden von kompakt angeordneten Kontaktstöpseln oder Speicherungsknotenschichten
in einer Halbleitervorrichtung mit Verbindungsleitungen (z. B. Bitleitungselektroden
oder Gate-Elektroden), die um die Kontaktstöpsel oder die
Speicherungsknotenschichten angeordnet sind, ist zusätzlich
sogar schwieriger. Es ist schwieriger, da sich eine Möglichkeit
eines Bildens einer Überbrückung zwischen den
Verbindungsleitungen und den Kontaktstöpseln oder zwischen
den Verbindungsleitungen und den Speicherungsknoten bei jenem Fall
erhöht. Äußerst aufwendige Einrichtungen
zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen waren daher erforderlich,
um Kontaktstöpsel oder Speicherungsknotenschichten mit
relativ feinen Muster zu bilden.
-
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung schaffen eine Halbleitervorrichtung, die einen relativ
hohen Grad einer Integration hat und die eine relativ hohe Zuverlässigkeit
hat. Ausführungsbeispiele der Erfindung schaffen ferner
ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung.
-
Bei
einem Ausführungsbeispiel schafft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung
mit einem Halbleitersubstrat mit einer ersten Mehrzahl erster aktiver Regionen,
wobei die ersten aktiven Regionen der ersten Mehrzahl erster aktiver
Regionen durch eine Vorrichtungstrennschicht definiert sind und
entlang einer ersten Richtung angeordnet sind; einer Mehrzahl von
Bitleitungselektroden, die mit der ersten Mehrzahl erster aktiver
Regionen verbunden sind, wobei sich jede der Bitleitungselektroden
entlang einer zweiten Richtung erstreckt; und einer Mehrzahl erster
isolierender Sperrschichten. Jede der ersten isolierenden Sperrschichten
erstreckt sich entlang einer dritten Richtung, mindestens eine der
ersten isolierenden Sperrschichten ist auf einem entsprechenden
ersten Abschnitt der Vorrichtungstrennschicht, die zwischen zwei
ersten aktiven Regionen der ersten Mehrzahl erster aktiver Regionen
angeordnet ist, angeordnet, und die zwei ersten aktiven Regionen sind
entlang der ersten Richtung benachbart.
-
Bei
einem anderen Ausführungsbeispiel schafft die Erfindung
ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem
Bilden einer Vorrichtungstrennschicht in einem Halbleitersubstrat,
um eine erste Mehrzahl erster aktiver Regionen zu definieren, wobei
die ersten aktiven Regionen der ersten Mehrzahl erster aktiver Regionen
entlang einer ersten Richtung angeordnet sind; einem Bilden einer Mehrzahl
von Bitleitungselektroden auf dem Halbleitersubstrat, wobei sich
die Bitleitungselektroden in einer zweiten Richtung erstrecken und
mit der ersten Mehrzahl erster aktiver Regionen verbunden sind;
einem Bilden einer isolierenden Zwischenschicht, die die Bitleitungselektroden
teilweise umgibt, und einem Bilden einer Mehrzahl erster isolierender
Sperrschichten in der isolierenden Zwischenschicht. Jede der ersten
isolierenden Sperrschichten erstreckt sich in einer dritten Richtung,
mindestens eine der ersten isolierenden Sperrschichten ist auf einem
entsprechenden ersten Abschnitt der Vorrichtungstrennschicht, die
zwischen zwei ersten aktiven Regionen der Mehrzahl erster aktiver
Regionen angeordnet ist, angeordnet, und die zwei ersten aktiven
Regionen sind entlang der ersten Richtung benachbart.
-
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden hierin unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben, in denen:
-
1, 3, 5, 7, 9 und 11 Draufsichten
sind, die ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung
darstellen;
-
2, 4, 6, 8, 10 und 12 Querschnittsansichten
entlang einer Linie I'-I' von 1, 3, 5, 7, 9 bzw. 11 sind,
die ferner das durch 2, 4, 6, 8, 10 und 12 dargestellte
Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung darstellen.
-
11 und 12 ferner
eine Zwischenstruktur bei der Herstellung eines Halbleiterspeichers gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellen;
-
13 eine
Querschnittsansicht ist, die eine Zwischenstruktur bei der Herstellung
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen
Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
-
14 bis 16 ein
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß noch
einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellen,
wobei 14 eine Draufsicht einer Zwischenstruktur
bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung ist, 15 eine
Querschnittsansicht entlang einer Linie I'-I' von 14 ist
und 16 eine Querschnittsansicht ist, die eine Zwischenstruktur
bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die unter Verwendung
des in 14 bis 16 dargestellten
Verfahrens hergestellt wird, darstellt;
-
17 eine
Draufsicht ist, die eine Zwischenstruktur bei der Herstellung einer
Halbleitervorrichtung gemäß noch einem anderen
Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt; und
-
18 eine
Draufsicht ist, die eine Zwischenstruktur bei der Herstellung einer
Halbleitervorrichtung gemäß noch einem anderen
Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt.
-
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN
-
In
den Zeichnungen sind die Dicken von Schichten und Regionen nicht
notwendigerweise maßstabsgetreu. Wie hierin verwendet,
kann zusätzlich, wenn eine erste Komponente als „auf"
einer zweiten Komponente beschrieben ist, die erste Komponente direkt
auf der zweiten Komponente sein, oder dazwischen liegende Komponenten
können anwesend sein.
-
1 bis 12 stellen
ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar, und 11 und 12 stellen
eine Zwischenstruktur bei der Herstellung der Halbleitervorrichtung
gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung
dar.
-
Bezug
nehmend auf 1 und 2 wird bei
dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel eine Vorrichtungstrennschicht 110 in
einem Halbleitersubstrat 105 gebildet, um eine Mehrzahl
erster aktiver Regionen 115a und eine Mehrzahl zweiter
aktiver Regionen 115b zu definieren. Die Vorrichtungstrennschicht 110 kann
durch beispielsweise ein Bilden eines Grabens in dem Halbleitersubstrat 105 und
dann ein Füllen des Grabens mit einer isolierenden Schicht
gebildet werden. Die ersten und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b können
durch Seitenwände der Vorrichtungstrennschicht 110 definiert
sein.
-
Richtungen
X1 bis X4 (d. h. erste bis vierte Richtung) werden hierin verwendet,
um Ausführungsbeispiele der Erfindung zu beschreiben. Richtungen
X1 bis X4 sind in 1, 3, 5, 7, 9, 11, 14, 17 und 18 dargestellt.
Wie hierin definiert, ist jede der Richtungen X1 bis X4 parallel
zu der Arbeitsoberfläche des Halbleitersubstrats 105.
Jede „Richtung" ist ferner durch einen in den Zeichnungen
angezeigten Pfeil definiert und umfasst die Richtung, die durch
den Pfeil angezeigt wird, (d. h. die positive Richtung) und die
Richtung, die entgegengesetzt zu der Richtung ist, in die der Pfeil
weist (d. h. die negative Richtung). Alle Linien, die parallel zu
dem Pfeil sind, erstrecken sich zusätzlich in der Richtung,
die durch den Pfeil definiert ist. Die Richtung X1 ist beispielsweise
durch den Pfeil, der die Richtung X in den Zeichnungen anzeigt, definiert,
und eine Linie, die sich von dem Pfeil, der die Richtung X1 anzeigt,
(sowohl in der Richtung als auch entgegengesetzt zu der Richtung,
in der der Pfeil weist) erstreckt, und alle Linien, die parallel
zu dem Pfeil, der die Richtung X1 anzeigt, sind, erstrecken sich
ebenfalls entlang der Richtung X1. Wenn davon gesprochen wird, dass
sich zwei Richtungen „unterscheiden", bedeutet dies zusätzlich,
dass sich eine einzelne Linie nicht in beide jener zwei Richtungen
erstrecken kann und dass zwei Linien, die sich jeweils in jene zwei
Richtungen erstrecken, auch nicht parallel sind.
-
Die
ersten und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b können
beispielsweise entlang der Richtung X1 (d. h. einer ersten Richtung)
angeordnet sein. Bei dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel sind die ersten aktiven Regionen 115a entlang
der Richtung X1 angeordnet, und die zweiten aktiven Regionen 115b sind
ebenfalls entlang der Richtung X1 angeordnet. D. h., die ersten
aktiven Regionen 115a sind entlang von Linien, die sich
in der Richtung X1 erstrecken, angeordnet, und die zweiten aktiven
Regionen 115b sind ebenfalls entlang von Linien, die sich
in der Richtung X1 erstrecken, angeordnet. Die ersten aktiven Regionen 115a,
die entlang der gleichen Linie angeordnet sind, sind entlang der
Richtung X1 voneinander getrennt. Die zweiten aktiven Regionen 115b,
die entlang der gleichen Linie angeordnet sind, sind ebenso entlang
der Richtung X1 voneinander getrennt. Bei dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel ist jedoch keine erste aktive Region 115a entlang
der gleichen Linie, die sich in der Richtung X1 erstreckt, wie eine
zweite aktive Region 115b angeordnet. D. h., keine erste
aktive Region 115a ist entlang der Richtung X1 von einer
zweiten aktiven Region 115b getrennt. Wie in 1 dargestellt
ist, können zusätzlich beispielsweise Linien in
der Richtung X1, entlang derer (eine) erste aktive Region(en) 115a angeordnet
ist (sind), mit Linien in der Richtung X1, entlang derer zweite
aktive Regionen 115(b) angeordnet sind, abwechselnd angeordnet
sein. Eine solche abwechselnde Anordnung ist zum Erreichen eines
relativ hohen Grads einer Integration bei der Halbleitervorrichtung,
die hergestellt wird, vorteilhaft.
-
Die
ersten und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b können
alternativ als in einer Matrix angeordnet beschrieben sein. Bei
diesem Fall ist der Name möglicherweise umgekehrt oder
nicht identifiziert. Bezug nehmend auf 1 können
beispielsweise eine erste aktive Region 115a und eine zweite aktive
Region 115b als entlang einer einzelnen Linie, die sich
in einer Richtung X2 (d. h. einer zweiten Richtung) erstreckt, angeordnet
beschrieben sein. Die Anordnung der ersten und der zweiten aktiven Regionen 115a und 115b kann
daher auf unterschiedliche Weisen beschrieben sein, eine solche Beschreibung
beschränkt jedoch nicht den Schutzbereich der Erfindung,
wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert
ist.
-
Wie
hierin verwendet, bedeutet, wenn davon gesprochen wird, dass sich
ein Element (das ein Loch sein kann) in einer besonderen Richtung „erstreckt",
dass die größte Abmessung des Elements in einer
Ebene, die im Wesentlichen parallel zu der Arbeitsoberfläche
des Halbleitersubstrats 105 ist, entlang einer Linie ist,
die sich in jener Richtung erstreckt. Bezug nehmend auf 1 ist
beispielsweise die größte Abmessung der ersten
aktiven Region 115a entlang einer Linie, die sich in der
Richtung X1 erstreckt, es kann daher davon gesprochen werden, dass
sich die erste aktive Region 115a in der Richtung X1 erstreckt.
-
Bei
dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel erstreckt sich jede der ersten aktiven
Regionen 115a und der zweiten aktiven Regionen 115b in
der Richtung X1. Für eine Gruppe von ersten aktiven Regionen 115a, die
entlang einer Linie, die sich in der Richtung X1 erstreckt, angeordnet
sind, sind daher die ersten aktiven Regionen 115a jener
Gruppe entlang der gleichen Richtung wie die Richtung, in der sich
jede der ersten aktiven Regionen 115a jener Gruppe erstreckt,
angeordnet. D. h., jene ersten aktiven Regionen 115a sind
entlang der Richtung X1 angeordnet und erstrecken sich jeweils in
dieser. Für eine Gruppe von zweiten aktiven Regionen 115b,
die entlang einer Linie, die sich in der Richtung X1 erstreckt,
angeordnet sind, sind ebenso die zweiten aktiven Regionen 115b jener
Gruppe entlang der gleichen Richtung wie die Richtung, in der sich
jede der zweiten aktiven Regionen 115b jener Gruppe erstreckt,
angeordnet. Bei modifizierten Versionen des unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels können jedoch aktive Regionen
entlang einer Linie angeordnet sein, die sich in einer anderen Richtung
als der Richtung, in der sich jede der aktiven Regionen erstreckt,
erstreckt.
-
Bezug
nehmend auf 1 und 2 sind eine
Mehrzahl von Gate-Elektroden 120 in inneren Abschnitten
von ersten und zweiten aktiven Regionen 115a und 115b ausgenommen.
Die Gate-Elektroden 120 können demgemäß unter
oberen Oberflächen der ersten und der zweiten aktiven Regionen 115a und 115b angeordnet
sein. Isolierende Gate-Filme 118 sind zusätzlich
zwischen die Gate-Elektroden 120 und die ersten aktiven
Regionen 115a und zwischen die Gate-Elektroden 120 und die
zweiten aktiven Regionen 115b gebracht. Bedeckende isolierende
Schichten 125 sind an den Gate-Elektroden 120 gebildet.
Die Gate-Elektroden 120 bilden Wortleitungen und erstrecken
sich in einer Richtung X4 (d. h. einer vierten Richtung). Die Gate-Elektroden 120 erstrecken
sich möglicherweise nicht in der gleichen Richtung wie
die ersten und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b.
Bei dem Ausführungsbeispiel von 1 bis 12 erstrecken
sich die Gate-Elektroden 120 in der Richtung X4, und die
ersten und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b erstrecken
sich in der Richtung X1. Eine Vorrichtungstrennschicht 110 kann
beispielsweise einen Oxidfilm aufweisen, und eine bedeckende isolierende
Schicht 125 kann beispielsweise einen Nitridfilm aufweisen.
-
Source-/Drain-Regionen
(nicht gezeigt) können zusätzlich in den ersten
und den zweiten aktiven Regionen 115a und 115b auf
beiden Seiten der Gate-Elektroden 120 definiert sein. D.
h., Source-/Drain-Regionen können in einer ersten aktiven Region 115a auf
einer ersten Seite eines Paars von Gate-Elektroden 120 und
auf einer zweiten Seite des Paars von Gate-Elektroden 120 definiert
sein, und Source-/Drain-Regionen können in einer zweiten
aktiven Region 115b auf einer ersten Seite eines Paars von
Gate-Elektroden 120 und auf einer zweiten Seite des Paars
von Gate-Elektroden 120 definiert sein. Die Source-/Drain-Regionen
können durch Implantieren von Verunreinigungen in das Halbleitersubstrat 105 gebildet
sein.
-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind jedoch nicht auf die im Vorhergehenden beschriebene Struktur
für Gate-Elektroden 120 begrenzt. Bei einer modifizierten
Version des unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels sind beispielsweise Gate-Elektroden 120 eines planaren
Typs auf den oberen Oberflächen der ersten und der zweiten
aktiven Regionen 115a und 115b angeordnet.
-
Bezug
nehmend auf 3 und 4 sind bei
dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel eine Mehrzahl von Bitleitungselektroden 135 mit
den ersten aktiven Regionen 115a und den zweiten aktiven
Regionen 115b verbunden. Die Bitleitungselektroden 135 können sich
in einer anderen Richtung als der Richtung, in der sich die Gate-Elektroden 120 erstrecken,
erstrecken. Die Bitleitungselektroden 135 können
sich beispielsweise in der Richtung X2 (d. h. der zweiten Richtung)
erstrecken und abwechselnd mit den ersten und den zweiten aktiven
Regionen 115a und 115b verbunden sein. Die Bitleitungselektroden 135 können
ferner optional Nasen, die in sowohl der positiven Richtung X4 als
auch der negativen Richtung X4 vorspringen (d. h., die in Richtungen,
die entgegengesetzt zueinander, beide jedoch entlang der Richtung
X4 sind, vorspringen) aufweisen.
-
Die
Bitleitungselektroden 135 können sich jeweils
in einer anderen Richtung als der Richtung, in der sich die ersten
und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b erstrecken,
erstrecken. Bei dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispiel
erstreckt sich jede Bitleitungselektrode 135 in der Richtung
X2, und die ersten und die zweiten aktiven Regionen 115a und 115b erstrecken
sich jeweils in der Richtung X1. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel,
das eine Modifikation des unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels ist, kann jedoch die Richtung X2 der
Richtung X1 entsprechen. Bei jenem Fall sind die Bitleitungselektroden 135 gewöhnlich
mit lediglich entweder den ersten oder den zweiten aktiven Regionen 115a und 115b verbunden.
-
Die
Bitleitungselektroden 135 sind mit den ersten aktiven Regionen 115a und/oder
den zweiten aktiven Regionen 115b unter Verwendung von
Stöpseln 130 verbunden. Bei dem unter Bezugnahme
auf 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispiel
sind die Bitleitungselektroden 135 mit den ersten aktiven
Regionen 115a und den zweiten aktiven Regionen 115b unter
Verwendung von Stöpseln 130 verbunden. Bedeckende
isolierende Schichten 140 sind zusätzlich an den
Bitleitungselektroden 135 gebildet, und isolierende Abstandshalterschichten 145 sind
an Seitenwänden der Bitleitungselektroden 135 und
der bedeckenden isolierenden Schichten 140 gebildet.
-
Ein
Abschnitt einer isolierenden Zwischenschicht 150 mit Stöpseln 130 wird
insbesondere gebildet. Die Bitleitungselektroden 135 und
die bedeckenden isolierenden Schichten 140 werden dann gebildet,
und die isolierenden Abstandshalterschichten 145 werden
an den Seitenwänden der Bitleitungselektroden 135 und
der bedeckenden isolierenden Schichten 140 gebildet. Es
kann von der isolierenden Zwischenschicht 150 folgend mehr
gebildet werden, um die Bitleitungselektroden 135, die
bedeckenden isolierenden Schichten 140 und die isolierenden
Abstandshalterschichten 145 abzudecken.
-
Die
isolierenden Abstandshalterschichten 145 und die bedeckenden
isolierenden Schichten 140 können eine Ätzselektivität
hinsichtlich der isolierenden Zwischenschicht 150 haben.
Die isolierende Zwischenschicht 150 kann beispielsweise
einen Oxidfilm aufweisen, und die bedeckenden isolierenden Schichten 140 und
die isolierenden Abstandshalterschichten 145 können
jeweils einen Nitridfilm aufweisen. Die isolierende Zwischenschicht 150 kann eine
einzelne Schicht sein oder eine Mehrschichtenstruktur haben.
-
Bei
einer modifizierten Version des unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels kann eine (nicht gezeigte) Ätzstoppschicht
an dem Halbleitersubstrat 105 gebildet werden, bevor die
isolierende Zwischenschicht 150 gebildet wird. Bevor die Ätzstoppschicht
gebildet wird, kann zusätzlich eine (nicht gezeigte) Pufferschicht
gebildet werden. Die Ätzstoppschicht verhindert ein Überätzen
der isolierenden Zwischenschicht 150, wenn erste und zweite
isolierende Sperrschichten 155a und 155b von 6 folgend
gebildet werden. Die Ätzstoppschicht kann beispielsweise
einen Nitridfilm aufweisen, und die Pufferschicht kann beispielsweise
einen Oxidfilm aufweisen.
-
Bezug
nehmend auf 5 und 6 werden
bei dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel eine Mehrzahl erster isolierender Sperrschichten 155a und
eine Mehrzahl zweiter isolierender Sperrschichten 155b gebildet.
Die ersten isolierenden Sperrschichten 155a werden auf
Abschnitten der Vorrichtungstrennschicht 110, die zwischen
benachbarten ersten aktiven Regionen 115a angeordnet sind,
angeordnet, und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b werden
auf Abschnitten der Vorrichtungstrennschicht 110, die zwischen
benachbarten zweiten aktiven Regionen 115b angeordnet sind,
angeordnet. Jede der ersten isolierenden Sperrschichten 155a und
jede der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b erstreckt
sich entlang einer Richtung X3 (d. h. einer dritten Richtung). Bei
dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel unterscheidet sich ferner beispielsweise
die Richtung X3 von der Richtung X2, und die Richtungen X1, X2 und
X3 unterscheiden sich alle voneinander.
-
Bei
dem unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel durchdringen beispielsweise erste Abschnitte
der ersten isolierenden Sperrschichten 155a die isolierende Zwischenschicht 150 zwischen
den benachbarten ersten aktiven Regionen 115a, um die Vorrichtungstrennschicht 110 zu
berühren. Die ersten isolierenden Sperrschichten 155a können
ferner in der Vorrichtungstrennschicht 110 ausgenommen
werden. Die ersten isolierenden Sperrschichten 155a erstrecken
sich zusätzlich über die zweiten aktiven Regionen 115b,
und zweite Abschnitte der ersten isolierenden Sperrschichten 155a sind
auf den Bitleitungselektroden 135, die auf den zweiten
aktiven Regionen 115b angeordnet sind, angeordnet. Detaillierter
beschrieben können die zweiten Abschnitte der ersten isolierenden
Sperrschichten 155a die bedeckenden isolierenden Schichten 140 berühren
oder können in den bedeckenden isolierenden Schichten 140 ausgenommen
sein.
-
Erste
Abschnitte der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b durchdringen ähnlich
die isolierende Zwischenschicht 150 zwischen den zweiten aktiven
Regionen 115b und berühren die Vorrichtungstrennschicht 110 oder
sind in der Vorrichtungstrennschicht 110 ausgenommen. Die
zweiten isolierenden Sperrschichten 155b erstrecken sich
zusätzlich über die ersten aktiven Regionen 115a,
und zweite Abschnitte der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b können
auf den Bitleitungselektroden 135, die auf den ersten aktiven
Regionen 115a angeordnet sind, angeordnet sein. Detaillierter
beschrieben können die zweiten Abschnitte der zweiten isolierenden
Sperrschichten 155b die bedeckenden isolierenden Schichten 140 berühren
oder können in den bedeckenden isolierenden Schichten 140 ausgenommen
sein. Bezug nehmend auf 6 sind bei dem unter Bezugnahme
auf 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispiel
die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b in den bedeckenden
isolierenden Schichten 140 ausgenommen.
-
Gemäß Ausführungsbeispielen
der Erfindung können die ersten und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b gleichzeitig
gebildet werden, die ersten isolierenden Sperrschichten 155a können
vor den zweiten isolierenden Sperrschichten 155b gebildet
werden, oder die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b können
vor den ersten isolierenden Sperrschichten 155a gebildet
werden. Da die ersten und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b einen Ätzbereich
der isolierenden Zwischenschicht 150 definieren können,
können diese eine Ätzselektivität hinsichtlich
der isolierenden Zwischensicht 150 haben. Die ersten und
die zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b können beispielsweise
einen Nitridfilm aufweisen.
-
Bei
einer modifizierten Version des unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels sind, wenn die ersten und die zweiten
aktiven Regionen 115a und 115b nicht unterschieden
sind, die ersten und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b möglicherweise nicht
unterschieden.
-
Bezug
nehmend auf 7 und 8 sind eine
Mehrzahl erster Kontaktlöcher 165a, die Enden der
ersten aktiven Regionen 115a freilegen, und eine Mehrzahl
zweiter Kontaktlöcher 165b, die Enden der zweiten
aktiven Regionen 115b freilegen, in der isolierenden Zwischenschicht 150 gebildet.
Die Enden der ersten und der zweiten aktiven Regionen 115a und 115b,
die durch die ersten und die zweiten Kontaktlöcher 165a und 165b freigelegt
sind, können Source-/Drain-Regionen sein.
-
Die
ersten und die zweiten Kontaktlöcher 165a und 165b können
durch beispielsweise ein Ätzen der isolierenden Zwischenschicht 150 unter
Verwendung eines Maskenmusters 160 als ein Ätzschutzfilm
gebildet werden. Das Maskenmuster 160 kann beispielsweise Öffnungen 162 aufweisen,
die sich jeweils in der Richtung X1 erstrecken und die Abschnitte
der isolierenden Zwischenschicht 150, die auf benachbarten
Enden benachbarter erster aktiver Regionen 115a angeordnet
sind, und Abschnitte der isolierenden Zwischenschicht 150,
die auf benachbarten Enden benachbarter zweiter aktiver Regionen 115b angeordnet
sind, freilegen. Die ersten und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b können
sich über Löcher, die in der isolierenden Zwischenschicht 150 gebildet
sind, erstrecken, wobei die Löcher den Öffnungen 162 des
Maskenmusters 160 entsprechen. Das Maskenmuster 160 kann
beispielsweise ein Fotoresistmuster aufweisen.
-
Wenn
die isolierende Zwischenschicht 150 geätzt wird,
können die ersten und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b in
einem relativ kleinen Maße geätzt werden. Jedes
erste Kontaktloch 165a ist daher durch eine erste isolierende Sperrschicht 155a teilweise
definiert, und jedes zweite Kontaktloch 165b ist durch
eine zweite isolierende Sperrschicht 155b teilweise definiert.
Benachbarte erste Kontaktlöcher 165a, die keinen
Abschnitt einer Bitleitungselektrode 135, der zwischen
diesen angeordnet ist, haben, sind insbesondere durch einen Abschnitt
einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a geteilt,
und benachbarte zweite Kontaktlöcher 165b, die
keinen Abschnitt einer Bitleitungselektrode 135, der zwischen
diesen angeordnet ist, haben, sind durch einen Abschnitt einer der
zweiten isolierenden Sperrschichten 155b geteilt.
-
Als
ein Resultat können die ersten Kontaktlöcher 165a getrennt,
jedoch nahe benachbart zueinander zuverlässig gebildet
werden, und die zweiten Kontaktlöcher 165b können
ebenfalls getrennt, jedoch nahe benachbart zueinander zuverlässig
gebildet werden. Aufgrund der ersten und der zweiten isolierenden
Sperrschichten 155a und 155b kann ferner ein Verfahrensspielraum
hinsichtlich des Maskenmusters 160 zum Bilden der ersten
und der zweiten Kontaktlöcher 165a und 165b erhöht
werden.
-
Bezug
nehmend auf 9 und 10 sind die
ersten und die zweiten Kontaktlöcher 165a und 165b mit
einer leitfähigen Schicht gefüllt, um erste und
zweite Kontaktstöpsel 170a und 170b zu
bilden. Die leitfähige Schicht kann planarisiert sein,
so dass die leitfähige Schicht lediglich in den ersten
und den zweiten Kontaktlöchern 165a und 165b verbleibt.
Die Planarisierung kann durch beispielsweise ein chemisch-mechanisches
Polieren (CMP) oder ein Rückätzverfahren durchgeführt
werden.
-
Die
ersten Kontaktstöpsel 170a sind mit Abschnitten
(d. h. den Source-/Drain-Regionen) der ersten aktiven Regionen 115a verbunden.
Die zweiten Kontaktstöpsel 170b sind zusätzlich
mit Abschnitten (d. h. den Source-/Drain-Regionen) der zweiten aktiven
Regionen 115b verbunden. Seitenwände der ersten
Kontaktstöpsel 170a berühren die ersten
isolierenden Sperrschichten 155a, und Seitenwände
der zweiten Kontaktstöpsel 170b berühren
die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b.
-
Benachbarte
erste Kontaktstöpsel 170a sind entweder durch
einen Abschnitt einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a voneinander
getrennt oder haben einen Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135,
der zwischen diesen angeordnet ist. D. h., ein Abschnitt einer der
ersten isolierenden Sperrschichten 155a trennt ein erstes
Paar erster Kontaktstöpsel 170a, die entlang der
Richtung X1 benachbart sind (d. h., ein Abschnitt einer der ersten
isolierenden Sperrschichten 155a ist zwischen dem ersten Paar
erster Kontaktstöpsel 170a angeordnet), und ein
Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135 ist zwischen
einem zweiten Paar erster Kontaktstöpsel 170a,
die entlang der Richtung X1 benachbart sind, angeordnet. Das erste
und das zweite Paar benachbarter Kontaktstöpsel 170a können
zusätzlich einen ersten Kontaktstöpsel 170a gemeinsam
haben. D. h., ein erster Kontaktstöpsel 170a kann
in sowohl dem ersten als auch dem zweiten Paar benachbarter Kontaktstöpsel 170a sein.
Wie hierin verwendet, bedeutet zusätzlich, wenn davon gesprochen
wird, dass eine erste Komponente ein Paar zweiter Komponenten „trennt"
(oder davon gesprochen wird, dass das Paar zweiter Komponenten durch
die ersten Komponenten „getrennt" ist), dass die zwei zweiten
Komponenten, die das Paar bilden, durch die erste Komponente getrennt
sind. Wie hierin verwendet, bedeutet ebenso, wenn davon gesprochen
wird, dass eine erste Komponente „zwischen" einem Paar
zweiter Komponenten „angeordnet" ist, dass die erste Komponente
zwischen den zwei zweiten Komponenten, die das Paar zweiter Komponenten
bilden, angeordnet ist. Wie hierin verwendet, sind zusätzlich „Paare"
von Komponenten nicht notwendigerweise zueinander verschieden, eine
einzelne erste Komponente kann daher in einem ersten Paar der ersten
Komponenten und in einem zweiten Paar der ersten Komponenten umfasst
sein.
-
Benachbarte
zweite Kontaktstöpsel 170b sind ähnlich
entweder durch einen Abschnitt einer der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b voneinander
getrennt, oder ein Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135 ist
zwischen diesen angeordnet. D. h., ein Abschnitt einer der zweiten
isolierenden Sperrschichten 155b trennt ein erstes Paar
benachbarter zweiter Kontaktstöpsel 170b, die
entlang der Richtung X1 benachbart sind, und ein Abschnitt einer der
Bitleitungselektroden 135 ist zwischen einem zweiten Paar
benachbarter zweiter Kontaktstöpsel 170b, die
entlang der Richtung X1 benachbart sind, angeordnet. Ein zweiter
Kontaktstöpsel 170b kann zusätzlich in
sowohl dem ersten als auch dem zweiten Paar benachbarter Kontaktstöpsel 170b sein.
-
Jedes
Paar benachbarter erster Kontaktstöpsel 170a,
die auf einem Abschnitt der Vorrichtungstrennschicht 110 angeordnet
sind, kann daher durch einen Abschnitt einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a getrennt
sein. Jedes Paar benachbarter zweiter Kontaktstöpsel 170b,
die auf einem Abschnitt der Vorrichtungstrennschicht 110 angeordnet
sind, kann ebenso durch einen Abschnitt einer der zweiten isolierenden
Sperrschichten 155b getrennt sein. Die ersten Kontaktstöpsel 170a können
demgemäß zuverlässig voneinander getrennt sein,
selbst wenn diese relativ nahe zueinander angeordnet sind, und die
zweiten Kontaktstöpsel 170b können zuverlässig
voneinander getrennt sein, selbst wenn diese relativ nahe zueinander
angeordnet sind. Die Möglichkeit einer Überbrückung,
die zwischen den ersten Kontaktstöpseln 170a oder
zwischen den zweiten Kontaktstöpseln 170b gebildet
wird, kann daher reduziert werden. Wenn die ersten und die zweiten
Kontaktstöpsel 170a und 170b eine kompakte
Anordnung haben, können die jeweiligen Längen der
ersten und der zweiten aktiven Regionen 115a und 115b reduziert
werden, was wiederum dazu beiträgt, den Grad der Integration
der Halbleitervorrichtung, in der jene Komponenten angeordnet sind,
zu verbessern.
-
Bezug
nehmend auf 11 und 12 werden
erste Speicherungsknotenschichten 175a an den ersten Kontaktstöpseln 170a gebildet,
und zweite Speicherungsknotenschichten 175b werden auf den
zweiten Kontaktstöpseln 170b gebildet. Die ersten
und die zweiten Speicherungsknotenschichten 175a und 175b können
beispielsweise bei einer DRAM-Vorrichtung untere Elektroden eines
Kondensators sein. Die ersten und die zweiten Speicherungsknotenschichten 175a und 175b können
durch Verwenden von ersten und zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b als
Bezüge ohne weiteres getrennt sein. Eine Möglichkeit
eines Erzeugens einer Überbrückung zwischen den
ersten und den zweiten Speicherungsknotenschichten 175a und 175b kann
daher reduziert werden.
-
Die
Halbleitervorrichtung gemäß dem unter Bezugnahme
auf 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispiel
ist nicht auf DRAM-Vorrichtungen begrenzt, die ersten und die zweiten
Speicherungsknotenschichten 175a und 175b können
daher weggelassen sein oder modifiziert sein, um andere Formen zu
haben.
-
Nachdem
die unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Verfahren durchgeführt sind, wird eine Halbleitervorrichtung,
die der in 1 bis 12 dargestellten
Zwischenstruktur entspricht, durch ein Verfahren, das einem Fachmann
allgemein bekannt ist, fertiggestellt.
-
Bei
der Halbleitervorrichtung gemäß dem unter Bezugnahme
auf 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispiel
sind die ersten isolierenden Sperrschichten 155a auf Abschnitten
der Vorrichtungstrennschicht 110, die zwischen benachbarten ersten
aktiven Regionen 115a angeordnet sind, angeordnet, und
die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b sind auf Abschnitten
der Vorrichtungstrennschicht 110, die zwischen benachbarten
zweiten aktiven Regionen 115b angeordnet sind, angeordnet. Die
ersten isolierenden Sperrschichten 155a trennen zusätzlich
Elemente, die auf benachbarten ersten aktiven Regionen 115a angeordnet
sind, und die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b trennen
Elemente, die auf benachbarten zweiten aktiven Regionen 115b angeordnet
sind. Ein Trennungsintervall zwischen mehreren benachbarten ersten
Kontaktstöpseln 170a, die mit den ersten aktiven
Regionen 115a elektrisch verbunden sind, kann daher verringert
werden, während im Wesentlichen verhindert wird, dass eine Überbrückung
zwischen diesen erzeugt wird, und ein Trennungsintervall zwischen mehreren
benachbarten zweiten Kontaktstöpseln 170b, die
mit den zweiten aktiven Regionen 115b elektrisch verbunden
sind, kann verringert werden, während im Wesentlichen verhindert
wird, dass ein Überbrückung zwischen diesen erzeugt
wird. Der Grad der Integration einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung kann demgemäß erhöht
werden, und die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung
kann ebenfalls verbessert werden.
-
13 ist
eine Querschnittsansicht, die eine Zwischenstruktur bei der Herstellung
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen
Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Das unter
Bezugnahme auf 13 beschriebene Ausführungsbeispiel
ist eine modifizierte Version des unter Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels. Eine Beschreibung von Merkmalen und/oder Verfahren,
die beiden Ausführungsbeispielen gemeinsam sind, kann daher
hier weggelassen sein.
-
13 entspricht 10 und 12.
Das unter Bezugnahme auf 1 bis 8 beschriebene
Verfahren wird demgemäß für das unter
Bezugnahme auf 13 beschriebene Ausführungsbeispiel
unverändert durchgeführt.
-
Bezug
nehmend auf 13 werden erste Speicherungsknotenschichten 270a in
den ersten Kontaktlöchern 165a von 8 gebildet.
Zweite Speicherungsknotenschichten (nicht gezeigt) können ferner
in den zweiten Kontaktlöchern 165b von 7 gebildet
werden. Die in 9 bis 12 dargestellten
ersten und zweiten Kontaktstöpsel 170a und 170b können
daher bei dem unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Ausführungsbeispiel weggelassen sein.
-
Die
ersten Speicherungsknotenschichten 270a können
mit den ersten aktiven Regionen 115a verbunden werden,
und die zweiten Speicherungsknotenschichten können mit
den zweiten aktiven Regionen 115b verbunden werden. Benachbarte
erste Speicherungsknotenschichten 270a haben entweder einen
Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135, der zwischen
diesen angeordnet ist, oder sind durch einen Abschnitt einer der
ersten isolierenden Sperrschichten 155a getrennt (d. h.,
haben eine der ersten isolierenden Sperrschichten 155a,
die zwischen diesen angeordnet ist). Die Wahrscheinlichkeit eines
Bildens einer Überbrückung zwischen den ersten
Speicherungsknotenschichten 270a kann folglich wesentlich
reduziert werden. Ein Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135 kann
beispielsweise zwischen einem ersten Paar benachbarter erster Speicherungsknotenschichten 270a angeordnet
sein, und ein Abschnitt einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a kann
zwischen einem zweiten Paar benachbarter erster Speicherungsknotenschichten 270a angeordnet
sein. Benachbarte zweite Speicherungsknotenschichten haben ferner
entweder einen Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135,
der zwischen diesen angeordnet ist, oder sind durch einen Abschnitt
einer der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b getrennt.
Die Wahrscheinlichkeit eines Bildens einer Überbrückung
zwischen den zweiten Speicherungsknotenschichten kann folglich wesentlich
reduziert werden.
-
Für
jede erste Speicherungsknotenschicht 270a berührt
eine Seitenwand der ersten Speicherungsknotenschicht 270a eine
der ersten isolierenden Sperrschichten 155a. Zwei erste
Speicherungsknotenschichten 270a können zusätzlich
auf entgegengesetzten Seiten einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a benachbart
zueinander angeordnet sein. Für jede zweite Speicherungsknotenschicht
berührt ähnlich eine Seitenwand der zweiten Speicherungsknotenschicht
eine der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b. Zwei
zweite Speicherungsknotenschichten können zusätzlich
auf entgegengesetzten Seiten einer der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b benachbart
zueinander angeordnet sein. Der Grad der Integration der Halbleitervorrichtung
kann demgemäß verbessert werden.
-
Bei
einer modifizierten Version des unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Ausführungsbeispiels können die jeweiligen Höhen
der ersten und der zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b größer
als bei dem unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Ausführungsbeispiel sein, die jeweiligen Höhen
der ersten Speicherungsknotenschichten 270a und der zweiten
Speicherungsknotenschichten können daher größer
als bei dem unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Ausführungsbeispiel sein.
-
14 bis 16 stellen
ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar. 14 ist eine Draufsicht einer
Zwischenstruktur bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung
gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, 15 ist
eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I'-I' von 14,
und 16 ist eine Querschnittsansicht, die eine Zwischenstruktur
bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Das unter
Bezugnahme auf 14 bis 16 beschriebene
Ausführungsbeispiel ist eine modifizierte Version des unter
Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels. Eine Beschreibung von Merkmalen und/oder
Verfahren, die beiden Ausführungsbeispielen gemeinsam sind,
kann daher hier weggelassen sein.
-
14 und 15 entsprechen 7 und 8,
und 16 entspricht 10. Eine
Beschreibung bezüglich 14 und 15 beginnt
daher dort, wo eine Beschreibung bezüglich 1 bis 6 endet.
-
Bezug
nehmend auf 14 und 15 werden
eine Mehrzahl erster Kontaktlöcher 365a, die Enden
erster aktiver Regionen 115a freilegen, und eine Mehrzahl
zweiter Kontaktlöcher 365b, die Enden zweiter
aktiver Regionen 115b freilegen, in einer isolierenden
Zwischensicht 150 gebildet. Unter Verwendung eines Maskenmusters 360 als
ein Ätzschutzfilm werden die ersten und die zweiten Kontaktlöcher 365a und 365b durch Ätzen
der isolierenden Zwischensicht 150 gebildet.
-
Das
Maskenmuster 360 kann beispielsweise ein Linientypmuster
haben, wobei Abschnitte des Maskenmusters 360 zwischen
den ersten aktiven Regionen 115a und den zweiten aktiven
Regionen 115b angeordnet sind und sich in der Richtung
X1 erstrecken. Die ersten Kontaktlöcher 365a sind
zum Teil durch erste isolierende Sperrschichten 155a und isolierende
Abstandshalterschichten 145, die auf Seitenwänden
von Bitleitungselektroden 135 angeordnet sind, definiert.
Die zweiten Kontaktlöcher 365b sind ähnlich
zum Teil durch zweite isolierende Sperrschichten 155b und
die isolierenden Abstandshalterschichten 145, die auf Seitenwänden
der Bitleitungselektroden 135 angeordnet sind, definiert.
-
D.
h., die ersten Kontaktlöcher 365a sind selbst
ausgerichtet, und benachbarte erste Kontaktlöcher 365a haben
entweder einen Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135,
der zwischen diesen angeordnet ist, oder sind durch einen Abschnitt
einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a getrennt.
Die zweiten Kontaktlöcher 365b sind ähnlich selbst
ausgerichtet, und benachbarte zweite Kontaktlöcher 365b haben
entweder einen Abschnitt einer der Bitleitungselektroden 135,
der zwischen diesen angeordnet ist, oder sind durch einen Abschnitt
einer der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b getrennt.
Da ein solches Linientypmaskenmuster 360 ohne weiteres
gebildet werden kann, kann ein Verfahrensspielraum zum Bilden der
ersten und der zweiten Kontaktlöcher 365a und 365b erheblich
verbessert werden. Das Maskenmuster 360 kann beispielsweise
ein Fotoresistmuster aufweisen.
-
Bezug
nehmend auf 14 bis 16 werden
die ersten Kontaktlöcher 365a und die zweiten Kontaktlöcher 365b mit
einer leitfähigen Schicht gefüllt, um erste Kontaktstöpsel 370a und
(nicht gezeigte) zweite Kontaktstöpsel zu bilden. Die leitfähige Schicht
kann beispielsweise planarisiert werden, so dass diese innerhalb
der ersten und der zweiten Kontaktlöcher 365a und 365b definiert
ist (d. h., verbleibt lediglich in diesen). Eine Planarisierung
kann unter Verwendung eines CMP oder eines Rückätzverfahrens
durchgeführt werden. Wenn die Planarisierung durchgeführt
wird, können obere Oberflächen der ersten und
der zweiten Sperrschichten 155a und 155b bis zu
einem Ausmaß, dass die oberen Oberflächen der
ersten und der zweiten Sperrschichten 155a und 155b mit
oberen Oberflächen bedeckender isolierender Schichten 140 auf
einer gleichen Ebene sind, teilweise entfernt werden.
-
Bei
dem unter Bezugnahme auf 14 bis 16 beschriebenen
Ausführungsbeispiel sind die ersten Kontaktstöpsel 370a zwischen
den isolierenden Abstandshalterschichten 145, die auf Seitenwänden
der Bitleitungselektroden 135 angeordnet sind, und den
ersten isolierenden Sperrschichten 155a selbst ausgerichtet.
Die zweiten Kontaktstöpsel sind ähnlich zwischen
den isolierenden Abstandshalterschichten 145, die auf Seitenwänden
der Bitleitungselektroden 135 angeordnet sind, und den
zweiten isolierenden Sperrschichten 155b selbst ausgerichtet.
-
Für
jeden ersten Kontaktstöpsel 370a berührt
daher eine Seitenwand eine der ersten isolierenden Sperrschichten 155a,
und eine andere Seitenwand berührt eine der isolierenden
Abstandshalterschichten 145. Für jeden zweiten
Kontaktstöpsel berührt ähnlich eine Seitenwand
eine der zweiten isolierenden Sperrschichten 155b, und
eine andere Seitenwand berührt eine der isolierenden Abstandshalterschichten 145.
Wenn diese durch einen Abschnitt einer der ersten isolierenden Sperrschichten 155a getrennt
sind, können benachbarte erste Kontaktstöpsel 370a trotz
dem, dass diese relativ nahe zueinander angeordnet sind, zuverlässig
getrennt sein. Wenn diese durch einen Abschnitt einer der zweiten isolierenden
Sperrschichten 155b getrennt sind, können ähnlich
benachbarte zweite Kontaktstöpsel trotz dem, dass diese
relativ nahe zueinander angeordnet sind, zuverlässig getrennt
sein. Als ein Resultat kann die Wahrscheinlichkeit einer Überbrückung
reduziert werden, die zwischen benachbarten ersten Kontaktstöpseln 370a,
die relativ nahe zueinander angeordnet sind, oder zwischen benachbarten
zweiten Kontaktstöpseln, die relativ nahe zueinander angeordnet sind,
gebildet wird.
-
Ähnlich
zu dem unter Bezugnahme auf 11 und 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiel sind folgend erste Speicherungsknotenschichten 175a auf
den ersten Kontaktstöpseln 370a gebildet, und
zweite Speicherungsknotenschichten 175b sind auf dem zweiten
Kontaktstöpseln gebildet.
-
Bei
einer modifizierten Version des unter Bezugnahme auf 14 bis 16 beschriebenen Ausführungsbeispiels
ist das in 16 dargestellte Verfahren weggelassen. Ähnlich
zu dem unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Ausführungsbeispiel werden dann erste Speicherungsknotenschichten 270a innerhalb
der ersten Kontaktlöcher 365a von 15 gebildet,
und zweite Speicherungsknotenschichten werden innerhalb der zweiten
Kontaktlöcher 365b gebildet. D. h., die ersten
Speicherungsknotenschichten 270a und die zweiten Speicherungsknotenschichten
können selbst ausgerichtet sein.
-
17 ist
eine Draufsicht, die eine Zwischenstruktur bei der Herstellung einer
Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der
Erfindung darstellt. Das unter Bezugnahme auf 17 beschriebene
Ausführungsbeispiel ist eine modifizierte Version des unter
Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels. Eine Beschreibung von Merkmalen und/oder Verfahren,
die beiden Ausführungsbeispielen gemeinsam sind, kann daher
hier weggelassen sein.
-
17 entspricht 7.
Unter Bezugnahme auf 17 beschriebene Verfahren können
daher durchgeführt werden, nachdem die unter Bezugnahme
auf 1 bis 6 beschriebenen Verfahren durchgeführt
sind.
-
Bezug
nehmend auf 17 werden eine Mehrzahl erster
Kontaktlöcher 465a, die Enden der ersten aktiven
Regionen 115a freilegen, und eine Mehrzahl zweiter Kontaktlöcher 465b,
die Enden der zweiten aktiven Regionen 115b freilegen,
in der isolierenden Zwischenschicht 150 gebildet. Die ersten und
die zweiten Kontaktlöcher 465a und 465b werden
durch Ätzen der isolierenden Zwischenschicht 150 unter
Verwendung eines Maskenmusters 460 als ein Ätzschutzfilm
gebildet.
-
Bei
dem unter Bezugnahme auf 17 beschriebenen
Ausführungsbeispiel weist beispielsweise das Maskenmuster 460 Öffnungen 462 auf,
die sich jeweils in der Richtung X1 erstrecken und jeweils einen
Abschnitt der isolierenden Zwischenschicht 150, der über
entweder einer der ersten aktiven Regionen 115a oder einer
der zweiten aktiven Regionen 115b angeordnet ist, freilegen.
Durch Ätzen der Abschnitte der isolierenden Zwischenschicht 150,
die durch die Öffnungen 462 freigelegt sind, werden die ersten
Kontaktlöcher 465a gebildet, die durch die isolierenden
Abstandshalterschichten 145, die auf den Bitleitungselektroden 135 angeordnet
sind, getrennt sind, und die zweiten Kontaktlöcher 465b werden
gebildet, die durch die isolierenden Abstandshalterschichten 145,
die auf den Bitleitungselektroden 135 angeordnet sind,
getrennt sind. Auf diese Weise können die ersten Kontaktlöcher 465a,
die in der Richtung X1 benachbart zueinander angeordnet und zuverlässig
getrennt sind, gebildet werden, und die zweiten Kontaktlöcher 465b,
die in der Richtung X1 benachbart zueinander angeordnet und zuverlässig getrennt
sind, können gebildet werden.
-
Wenn
die Öffnungen 462 falsch ausgerichtet sind, können
zusätzlich die ersten isolierenden Sperrschichten 155a die
ersten Kontaktlöcher 465a weiter trennen, und
die zweiten isolierenden Sperrschichten 155b können
die zweiten Kontaktlöcher 465b weiter trennen.
Ein Verfahrensspielraum zum Bilden der ersten und der zweiten Kontaktlöcher 465a und 465b kann
demgemäß erheblich verbessert werden.
-
Folgende
Verfahren bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die der
in 17 dargestellten Zwischenstruktur entspricht,
können ähnlich zu den unter Bezugnahme auf 9 bis 12 beschriebenen
Verfahren oder den unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Verfahren sein.
-
18 ist
eine Draufsicht, die eine Zwischenstruktur bei der Herstellung der
Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der
Erfindung darstellt. Das unter Bezugnahme auf 18 beschriebene
Ausführungsbeispiel ist eine modifizierte Version des unter
Bezugnahme auf 1 bis 12 beschriebenen
Ausführungsbeispiels. Eine Beschreibung von Merkmalen und/oder Verfahren,
die beiden Ausführungsbeispielen gemeinsam sind, kann daher
hier weggelassen sein.
-
18 entspricht
beispielsweise 7. Unter Bezugnahme auf 18 beschriebene
Verfahren können daher durchgeführt werden, nachdem
unter Bezugnahme auf 1 bis 6 beschriebene
Verfahren durchgeführt sind.
-
Bezug
nehmend auf 18 werden eine Mehrzahl erster
Kontaktlöcher 565a, die Enden der ersten aktiven
Regionen 115a freilegen, und eine Mehrzahl zweiter Kontaktlöcher 565b,
die Enden der zweiten aktiven Regionen 115b freilegen,
in der isolierenden Zwischenschicht 150 gebildet. Die ersten und
die zweiten Kontaktlöcher 565a und 565b werden
durch Ätzen der isolierenden Zwischenschicht 150 unter
Verwendung eines Maskenmusters 560 als ein Ätzschutzfilm
gebildet.
-
Das
Maskenmuster 560 weist beispielsweise Öffnungen 562 auf,
die sich jeweils in der Richtung X3 erstrecken und einen Abschnitt
der isolierenden Zwischenschicht 150, der über
einem Ende einer der ersten aktiven Regionen 115a und einem
Ende einer der zweiten aktiven Regionen 115b angeordnet
ist, freilegen. Durch Ätzen der Abschnitte der isolierenden
Zwischenschicht 150, die durch die Öffnungen 562 freigelegt
sind, können die ersten Kontaktlöcher 565a und
die zweiten Kontaktlöcher 565b gebildet werden,
die durch Abschnitte der Bitleitungselektroden 135, auf
denen die isolierenden Abstandshalterschichten 145 angeordnet
sind, getrennt sind. Die ersten Kontaktlöcher 565a und
die zweiten Kontaktlöcher 565b können
demgemäß zuverlässig getrennt sein, während
diese ferner relativ nahe benachbart zueinander sind.
-
Wenn
die Öffnungen 562 falsch ausgerichtet sind, können
außerdem die ersten und zweiten isolierenden Sperrschichten 155a und 155b bei
einem Trennen benachbarter erster Kontaktlöcher 565a und bei
einem Trennen benachbarter zweiter Kontaktlöcher 565b helfen.
Ein Verfahrensspielraum zum Bilden der ersten und der zweiten Kontaktlöcher 565a und 565b kann
daher erheblich verbessert werden.
-
Folgende
Verfahren bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die der
in 18 dargestellten Zwischenstruktur entspricht,
können ähnlich zu den unter Bezugnahme auf 9 bis 12 beschriebenen
Verfahren oder den unter Bezugnahme auf 13 beschriebenen
Verfahren sein.
-
Bei
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung können Kontaktstöpsel zuverlässig
getrennt sein, während diese ferner relativ nahe zueinander
angeordnet sind. Gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung kann daher die Wahrscheinlichkeit, dass eine Überbrückung
zwischen Kontaktstöpseln in einer Halbleitervorrichtung mit
einem relativ hohen Grad einer Integration möglicherweise
erzeugt wird, reduziert werden. Da die Kontaktstöpsel zuverlässig
voneinander getrennt sind, kann ferner die Wahrscheinlichkeit verringert werden,
dass eine Überbrückung zwischen Speicherungsknotenschichten,
die über den Kontaktstöpseln gebildet sind, erzeugt
wird. Gemäß Ausführungsbeispielen der
Erfindung können ferner Kontaktstöpsel oder Ladungsspeicherungsknotenschichten
unter Verwendung isolierender Abstandshalterschichten, die auf Bitleitungselektroden
angeordnet sind, und isolierender Sperrschichten selbst ausgerichtet
sein. Gemäß Ausführungsbeispielen der
Erfindung kann ferner ein Verfahrensspielraum zum Bilden von Kontaktlöchern
(und daher ferner zum Bilden von Kontaktstöpseln und Speicherungsknotenschichten)
erheblich verbessert werden.
-
Obwohl
Ausführungsbeispiele der Erfindung hierin beschrieben wurden,
können verschiedenartige Änderungen der Ausführungsbeispiele
durch einen Fachmann vorgenommen sein, ohne von dem Schutzbereich
der Erfindung, wie er durch die beigefügten Ansprüche
definiert ist, abzuweichen.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - KR 10-2007-0008611 [0001]