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Die
gegenwärtige
Erfindung bezieht sich auf eine Mehrschicht-Leiterplatte mit Schaltstrukturen, die
durch ein Substrat, das aus einem Isolationsmaterial hergestellt
ist, aufeinander laminiert sind.
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Herkömmlicherweise
hat die
JP-A-10-215042 eine
Mehrschicht-Leiterplatte offenbart, in der ein Verziehen gesteuert
wird. Die
JP-A-10-215042 offenbart
eine Mehrschicht-Leiterplatte, in der mehrere Harzisolationsschichten
und mehrere Dünnfilmverdrahtungsleiterschichten
auf einer Isolationsplatte aufeinander abwechselnd laminiert sind.
Die Dünnfilmverdrahtungsleiterschichten sind
miteinander durch Durchgangsausnehmungsleiter, die in den entsprechenden
Harzisolationsschichten ausgeformt sind, elektrisch verbunden. In
einer oberen Fläche
einer oberen Schicht der Harzisolationsschichten ist eine Verbindungsanschlussfläche vorgesehen.
Typischerweise ist die Verbindungsanschlussfläche mit der Dünnfilmverdrahtungsleiterschicht
und mit äußeren elektronischen
Teilen elektrisch verbunden. Auch ist meist vollständig innerhalb der
Isolationsplatte eine Metallschicht derart eingebettet, dass sie
sich mit einer Hauptfläche
der Isolationsplatte im Allgemeinen parallel erstreckt, um das Verziehen
der Mehrschicht-Leiterplatte einzuschränken.
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Die
Mehrschicht-Leiterplatte, die in der
JP-A-10-215042 offenbart ist, macht jedoch
unvorteilhafterweise die Metallschicht zum Steuern (Einschränken) des
Verziehens notwendig, und dies erhöht somit die Kosten.
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Es
ist Aufgabe der gegenwärtigen
Erfindung eine Mehrschicht-Leiterplatte bereitzustellen, in der ein
Verziehen ohne zusätzliches
Bauteil gesteuert wird.
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Gelöst wird
diese Aufgabe durch die Merkmale von Anspruch 1. Weitere vorteilhafte
Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Um
die Aufgabe der gegenwärtigen
Erfindung zu lösen
ist eine Mehrschicht-Leiterplatte
vorgesehen, die ein Substrat und geradzahlige Schaltstrukturen aufweist.
Das Substrat ist aus einem Isolationsmaterial hergestellt. Jede
der geradzahligen Schaltstrukturen ist aus einem leitenden Material
hergestellt, und die Schaltstrukturen sind mittels dem Substrat
in einer Laminationsrichtung aufeinander laminiert. Eine der Schaltstrukturen weist
ein im Allgemeinen äquivalentes
Volumen zu dem einer entsprechenden Struktur der Schaltstrukturen
auf. Hier befindet sich die eine der Schaltstrukturen auf einer
Ebene, die in Bezug zu einer mittigen Position der Schaltstrukturen
in der Laminationsrichtung zu einer entsprechenden Ebene symmetrisch ist,
auf der sich die entsprechende der Schaltstrukturen befindet.
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Die
Erfindung zusammen mit weiteren Aufgaben, Merkmalen und Vorteilen
davon ist am besten aus der folgenden Beschreibung, den angehefteten Ansprüchen und
der beigefügten
Zeichnung verständlich.
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Es
zeigen:
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1 eine
Teilschnittansicht, die eine schematische Struktur einer Mehrschicht-Leiterplatte
gemäß einer
Ausführungsform
der gegenwärtigen
Erfindung darstellt;
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2 eine
Explosionsdarstellung, die eine schematische Struktur der Mehrschicht-Leiterplatte gemäß der einen
Ausführungsform
der gegenwärtigen
Erfindung darstellt;
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3 eine
Draufsicht, die eine schematische Struktur der Mehrschicht-Leiterplatte gemäß der einen
Ausführungsform
der gegenwärtigen
Erfindung darstellt; und
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4 eine
Draufsicht, um eine Volumeneinstellung einer Schaltstruktur gemäß der einen
Ausführungsform
der gegenwärtigen
Erfindung zu erläutern.
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Im
Folgenden wird die eine Ausführungsform der
gegenwärtigen
Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben.
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Wie
in 1 gezeigt ist, weist eine Mehrschicht-Leiterplatte 100 der
gegenwärtigen
Ausführungsform
sechs Schichten von Schaltstrukturen L1 bis L6 auf, die mittels
einem Harzsubstrat 10 aufeinander laminiert sind. Typischerweise
sind die sechs Schichten der Schaltstrukturen L1 bis L6 miteinander durch
eine metallüberzogene
Durchgangsausnehmung 20 elektrisch verbunden.
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Wie
in 2 gezeigt ist, sind Harzplatten 11 bis 15,
in welchen die Schaltstrukturen L1 bis L6 ausgeformt sind, aufeinander
laminiert und aneinander befestigt, um das Harzsubstrat 10 auszuformen.
Beispielsweise sind die Harzplatten 11 bis 15 Isolations-(Dielektrik-)Harzplatten,
die durch Imprägnieren von
Verstärkungssubstraten,
wie zum Beispiel einem Glasstoff, mit einem Isolationsharz, wie
zum Beispiel einem Epoxidharz, hergestellt sind, um die Festigkeit der
Mehrschicht-Leiterplatte 100 aufrechtzuerhalten. Mit anderen
Worten die Harzplatten 11 bis 15 sind Prepregs.
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In
der gegenwärtigen
Ausführungsform
dient der Glasstoff, der mit dem Epoxidharz imprägniert wurde, als ein Beispiel
dafür,
jede Harzplatte 11 bis 15 zu beschreiben. Die
gegenwärtige
Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und sie kann beispielsweise
für eine
alternative Harzplatte einen Thermoplastikharzfilm, Keramik und
dergleichen verwenden.
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Die
Schaltstrukturen L1 bis L6 sind aus einem leitenden Material, wie
zum Beispiel Kupfer, hergestellt, und sie dienen als Signaldrähte der
Mehrschicht-Leiterplatte 100, als Energiezufuhrstruktur und
als Erdungsstruktur. Wie auch in 2 gezeigt ist,
weist eine der Schaltstrukturen L1 bis L6 ein zu einer entsprechenden
Struktur der Schaltstrukturen L1 bis L6 im Allgemeinen äquivalentes
Volumen auf. Hier befindet sich eine der Schaltstrukturen L1 bis
L6 auf einer Ebene, die in Bezug zu einer mittigen Position der
Schaltstrukturen L1 bis L6 in der Laminationsrichtung (d. h. einer
mittigen Position der Mehrschicht-Leiterplatte 100 in der
Laminationsrichtung) zu einer entsprechenden Ebene symmetrisch ist,
auf der sich die entsprechende eine Struktur der Schaltstrukturen
L1 bis L6 befindet. In dieser Beschreibung wird ein Paar aus der
einen der Schaltstrukturen L1 bis L6 und der entsprechenden einen
der Schaltstrukturen L1 bis L6 als symmetrisches Paar der Schaltstrukturen
L1 bis L6 bezeichnet. Typischerweise befindet sich die eine der Schaltstrukturen
L1 bis L6 auf der Ebene, die zu der entsprechenden Ebene in Bezug
auf eine imaginäre zentrale
Ebene symmetrisch ist, die sich zu der Laminationsrichtung senkrecht
erstreckt und die die mittige Position der Mehrschicht-Leiterplatte 100 enthält. Beispielsweise
weisen in der gegenwärtigen
Ausführungsform
die Schaltstrukturen L1 und L6 im Allgemeinen äquivalente Volumina zueinander
auf, die Schaltstrukturen L2 und L5 weisen im Allgemeinen äquivalente
Volumina zueinander auf, und die Schaltstrukturen L3 und L4 weisen
im Allgemeinen äquivalente
Volumina zueinander auf.
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Eine
Dicke quer über
die Gesamtheit von jeder der Schaltstrukturen L1 bis L6 ist auch
im Allgemeinen zueinander die gleiche. Daher weist die eine der
Schaltstrukturen L1 bis L6 einen im Allgemeinen äquivalenten Bereich zu dem
der entsprechenden Einen der Schaltstrukturen L1 bis L6 auf. Beispielsweise
haben die Schaltstrukturen L1 und L6 im Allgemeinen äquivalente
Bereiche zueinander. Dies ist zutreffend für ein Paar aus den Schaltstrukturen
L2 und L5 und für
ein Paar aus den Schaltstrukturen L3 und L4.
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Die
obige Mehrschicht-Leiterplatte 100 ist mit zwei oder mehr
elektronischen Teilen, wie zum Beispiel einem BGA-(Ballgitteranordnungs-)
Chip 200, montiert, wie es in 3 gezeigt
ist. Die Mehrschicht-Leiterplatte 100, in welcher die elektroni schen
Teile angebracht sind, dient als Bordbildverarbeitungs-ECU (elektronische
Steuereinheit), als Brennkraftmaschinen-ECU und dergleichen.
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Im
Folgenden wird ein Herstellungsverfahren der Mehrschicht-Leiterplatte 100 der
gegenwärtigen Ausführungsform
erläutert.
Als erstes werden leitende Materialien, welche die Schaltstrukturen
L1 bis L6 ausbilden sollen, an den entsprechenden Flächen der
Harzplatten 11 bis 15 bereitgestellt. Anschließend werden
die leitenden Materialien, die an den Harzplatten 11 bis 15 ausgeformt
sind, durch beispielsweise Ätzen
geeignet ausgestaltet, um die Schaltstrukturen L1 bis L6 zu bilden.
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In
diesem Strukturierungsprozess werden die leitenden Materialien derart
strukturiert, dass die Schaltstruktur L1 das im Allgemeinen äquivalente Volumen
zu dem der Schaltstruktur L6 aufweist, die sich auf einer Ebene
befindet, welche in Bezug auf eine mittige Position der Schaltstrukturen
L1 bis L6 in der Laminationsrichtung zu einer entsprechenden Ebene
symmetrisch ist, auf der sich die Schaltstruktur L1 befindet. Ebenso
werden die leitenden Materialien derart strukturiert, dass die Schaltstruktur
L2 das im Allgemeinen äquivalente
Volumen zu dem der Schaltstruktur L5 aufweist, die sich auf einer
anderen Ebene befindet, die in Bezug zu einer mittigen Position
der Schaltstrukturen L1 bis L6 in der Laminationsrichtung zu einer
anderen entsprechenden Ebene symmetrisch ist, auf der sich die Schaltstruktur
L2 befindet. Ebenfalls werden die leitenden Materialien derart strukturiert,
dass die Schaltstruktur L3 das im Allgemeinen äquivalente Volumen zu dem der Schaltstruktur
L4 aufweist, die sich auf einer anderen Ebene befindet, die in Bezug
auf eine mittige Position der Schaltstrukturen L1 bis L6 in der
Laminationsrichtung zu einer anderen entsprechenden Ebene symmetrisch
ist, auf der sich die Schaltstruktur L3 befindet. Somit ist die
Ebene in Bezug auf die mittige Position der Schaltstrukturen L1
bis L6 in der Laminationsrichtung symmetrisch zu der entsprechenden Ebene
angeordnet.
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Wenn
die leitenden Materialien strukturiert sind, werden sie gemäß der Verwendung
von jeder Schaltstruktur L1 bis L6 strukturiert. Mit anderen Worten
in einem Fall, in dem eine Schaltstruktur für eine Montageschicht (beispielsweise
eine Schaltstruktur L1 einer Oberflächenschicht) hergestellt wird,
die mit elektronischen Teilen montiert ist, wird das leitende Material
derart strukturiert, dass es ein vergleichsweise dünner Signaldraht
wird, welcher eine Verbindung zwischen Anschlussflächen zum
Montieren der elektronischen Bauteile herstellt. Auch in einem anderen Fall,
in dem eine Schaltstruktur für
eine andere Schicht (beispielsweise Schaltstrukturen L2, L5) hergestellt
werden, die eine Energiezufuhrstruktur und eine Erdungsstruktur
aus formt, wird das leitende Material derart strukturiert, dass es
eine feste Struktur mit einem vergleichsweise großen Bereich
wird.
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Anschließend werden,
wie oben, die leitenden Materialien geschnitten (es wird beispielsweise ein
Teil des leitenden Materials entfernt), um das Volumen von jeder
Schaltstruktur L1 bis L6 derart einzustellen, dass die eine Struktur
von dem symmetrischen Paar der Schaltstrukturen L1 bis L6 das im
Allgemeinen äquivalente
Volumen zu der anderen Struktur aufweist. In diesem Fall wird das
leitende Material derart geschnitten, dass das entfernte Segment
des leitenden Materials, das von dem leitenden Material abgeschnitten
und entfernt worden ist, ein vorbestimmtes Volumen aufweist. Mit
anderen Worten wie in 4 dargestellt ist, wird das
leitende Material derart geschnitten, dass ein (nicht dargestelltes)
entferntes Segment des leitenden Materials die Form eines Quadrates
von 1 mm × 1
mm hat, und das leitende Material weist dadurch einen Volumeneinstellabschnitt 30 mit
einem Leervolumen auf, das dem vorbestimmten Volumen entspricht.
Beispielsweise ist der Volumeneinstellabschnitt 30 ein
Loch, das in dem leitenden Material ausgeformt ist und das ein vorbestimmtes
Volumen hat. Die Volumeneinstellabschnitte 30 sind derart
ausgeformt, dass jede der Schaltstrukturen L1 bis L6 das jeweilige
Sollvolumen hat.
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Wie
oben erwähnt
werden die Volumeneinstellabschnitte 30, von denen jeder
das vorbestimmte Volumen aufweist, von dem leitenden Material abgeschnitten
bzw. abgetrennt und entfernt, um das Volumen von jeder der Schaltstrukturen
L1 bis L6 einzustellen. Somit kann das Volumen von jeder der Schaltstrukturen
L1 bis L6 leicht berechnet werden.
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Die
Form des Volumeneinstellabschnitts 30 ist nicht auf eine
quadratische Säule
bzw. Spalte beschränkt,
sondern sie kann auch eine zylindrische und eine dreieckige Säule bzw.
Spalte sein. Ferner sind die Größe und die
Gestalt des Volumeneinstellabschnitts 30 nicht auf das
Quadrat von 1 mm × 1 mm
begrenzt.
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Wenn
die Volumeneinstellabschnitte 30, welche das vorbestimmte
Volumen aufweisen, so ausgeformt sind, wie oben erwähnt, um
das Volumen von jeder der Schaltstrukturen L1 bis L6 einzustellen,
ist es wünschenswert,
dass die Volumeneinstellabschnitte 30 zu der entsprechenden
Schaltstruktur im Allgemeinen gleichförmig (gleichmäßig) vorgesehen sind.
Wenn beispielsweise das Volumen der Schaltstruktur L1 eingestellt
wird, sind die Volumeneinstellabschnitte 30 gleichförmig (gleichmäßig) zu der
gesamten Schaltstruktur L1 vorgesehen, so dass die Volumeneinstellab schnitte 30 nicht
zu beispielsweise einer Seite oder einem Teil der Schaltstruktur L1
ausgerichtet sind.
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Anschließend werden
die Harzplatten 11 bis 15, die mit den Schaltstrukturen
L1, L6 ausgeformt sind, wie oben erwähnt, aufeinander laminiert.
Daraufhin werden die laminierten Harzplatten 11 bis 15 erwärmt und
unter Vakuum zusammengedrückt,
damit sie gebondet bzw. verbunden (befestigt) sind. Auf diese Art
und Weise sind die Harzplatten 11 bis 15 als Einheit
verbunden, und sie formen das Harzsubstrat 10.
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Anschließend wird
in dem Harzsubstrat 10, das durch Laminieren und Bonden
hergestellt ist, eine Durchgangsausnehmung ausgeformt. Die metallüberzogene
Durchgangsausnehmung 20, die ein Zwischenschichtverbindungselement
ist, wird dadurch ausgeformt, dass ein Kupfermetallüberzug an der
obigen Durchgangsausnehmung vorgesehen wird, und die metallüberzogene
Durchgangsausnehmung 20 stellt unter den Schaltstrukturen
L1 bis L6 eine elektrische Verbindung bereit. Die elektrische Verbindung
unter den Schaltstrukturen L1 bis L6 ist nicht auf die metallüberzogene
Durchgangsausnehmung 20 begrenzt. Für jede der Harzplatten 11 bis 15 kann
zur elektrischen Verbindung jedoch eine alternative Verbindung,
wie zum Beispiel ein Durchkontaktierungsloch, vorgesehen sein.
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Ferner
sind die elektronischen Bauteile, wie zum Beispiel der BGA-Chip 200,
in der Mehrschicht-Leiterplatte 100 angebracht, die wie
oben ausgeformt ist. In diesem Fall wird ein Rückflussvorgang in einem Zustand
durchgeführt,
in welchem die elektronischen Bauteile an den Anschlussflächen angebracht
sind, die mit der Schaltstruktur L1 oder der Schaltstruktur L6 der
Mehrschicht-Leiterplatte 100 elektrisch verbunden sind.
Beispielsweise wird der Rückflussvorgang
dann durchgeführt,
nachdem Lötkugeln,
die Anschlüsse
des BGA-Chips 200 sind, mit den Anschlussflächen in
Kontakt gebracht worden sind, so dass der BGA-Chip 200 in
der Mehrschicht-Leiterplatte 100 angebracht
ist.
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Wie
oben erwähnt,
weist die eine der Schaltstrukturen L1 bis L6 das im Allgemeinen äquivalente
Volumen zu dem der entsprechenden der Schaltstrukturen L1 bis L6
auf. In diesem Fall befindet sich die eine der Schaltstrukturen
L1 bis L6 auf der Ebene, die in Bezug auf die mittige Position der Schaltstrukturen
L1 bis L6 in der Laminationsrichtung zur der entsprechenden Ebene
symmetrisch liegt, auf der sich die entsprechende der Schaltstrukturen L1
bis L6 befindet. Daher kann die Innenbeanspruchung (die Beanspruchung,
die auf die Schaltstrukturen L1 bis L6 und auf das Substrat 10 wirkt),
die durch einen Unterschied zwischen (a) einer linearen Ausdeh nung
des Isolationsmaterials, welches das Harzsubstrat 10 bildet,
und (b) einer linearen Ausdehnung des leitenden Materials, welches
die Schaltstrukturen L1 bis L6 bildet, gleichmäßig auf die gesamte Mehrschicht-Leiterplatte 100 verteilt
werden. Daher kann ein Verziehen der Mehrschicht-Leiterplatte 100 gesteuert
(eingeschränkt)
werden.
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Typischerweise
kann es aufgrund seiner Gestalt schwierig sein, die Verbindungsprüfung des BGA-Chips 200 durchzuführen, nachdem
dieser angebracht worden ist. Weil die Mehrschicht-Leiterplatte 100 der
gegenwärtigen
Erfindung das Verziehen steuern kann, wird daher die Mehrschicht-Leiterplatte 100 typischerweise
als Mehrschicht-Leiterplatte zum Anbringen des BGA-Chips 200 verwendet.
Weil die Mehrschicht-Leiterplatte 100 der gegenwärtigen Ausführungsform
das Verziehen steuern kann, kann die Mehrschicht-Leiterplatte 100 auch
mit einem verhältnismäßig großen BGA-Chip 200 sicher
bestückt
werden, ohne dass die Zuverlässigkeit
verschlechtert wird.
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Weil
die Mehrschicht-Leiterplatte 100 der gegenwärtigen Ausführungsform
auch das Verziehen steuern kann, kann der BGA-Chip 200 in
einem mittigen Abschnitt einer Oberfläche der Mehrschicht-Leiterplatte 100 angebracht
sein, wie es in 3 dargestellt ist, ohne dass
die Verbindungszuverlässigkeit verringert
wird. Das heißt,
wenn die gegenwärtige
Erfindung bei der Mehrschicht-Leiterplatte verwendet wird, an deren
mittigen Abschnitt einer Oberfläche davon
ein BGA-Chip angebracht ist, kann eingeschränkt werden, dass sich die Verbindungszuverlässigkeit
zwischen dem BGA-Chip
und der Mehrschicht-Leiterplatte verschlechtert.
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Es
ist auch typisch, dass jede der Schaltstrukturen L1 bis L6 zueinander
die im Allgemeinen gleiche Dicke hat. Um die Wärmeableitungseigenschaft zu
verbessern oder um mehr Strom bereitzustellen, kann jedoch die Dicke
teilweise vergrößert werden
(beispielsweise kann die Dicke einer Schaltstruktur von einer Schicht
vergrößert werden). In
einem solchen Fall wird für
eine Volumeneinstellung eine Dicke einer entsprechenden Schaltstruktur, welche
der Schaltstruktur entspricht, deren Dicke vergrößert worden ist, auch vergrößert. Als
Alternative kann die entsprechende Schaltstruktur einen größeren Bereich
zur Volumeneinstellung aufweisen.
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Das
Verziehen der Mehrschicht-Leiterplatte 100 kann zum Zeitpunkt
des Bonding-Vorgangs erzeugt werden, um die Harzplatten 11 bis 15 aneinander
zu bonden, oder es kann an einem Zeitpunkt des Rückflussvorgangs erzeugt werden,
um die elektronischen Bauteile zu montieren. In dem Herstellungsvorgang,
wie zum Beispiel dem Bonding-Vorgang und dem Rückflussvorgang, weist die Mehrschicht-Leiterplatte 100 ein
Handhabungsteil bzw. Griffteil auf, das in ihrer Peripherie ausgeformt
ist. Typischerweise ist das Handhabungsteil dafür ausgelegt, dass es von einer
Förderausstattung
und dergleichen gehalten wird. Wenn der Herstellungsvorgang endet
wird das Handhabungsteil entfernt. Mit anderen Worten die Mehrschicht-Leiterplatte 100,
die in 1 und dergleichen gezeigt ist, ist ein Produktteil
der Mehrschicht-Leiterplatte 100.
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Damit
das symmetrische Paar der Schaltstruktur in L1 bis L6 die im Allgemeinen
gleichen Volumina zueinander aufweist kann daher das symmetrische
Paar der Schaltstrukturen L1 bis L6 derart ausgeformt sein, dass
es die im Allgemeinen äquivalenten
Volumina in einen Zustand aufweist, in dem die Mehrschicht-Leiterplatte 100 das
Produktteil und das Handhabungsteil aufweist. Dadurch kann das Verziehen
der Mehrschicht-Leiterplatte 100 weiter verringert werden.
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Das
Harzsubstrat 100 weist auch Abschnitte ohne Schaltstruktur
auf, in welchen die Schaltstrukturen L1 bis L6 nicht ausgeformt
sind, und eine der Schaltstrukturen L1 bis L6 und ein entsprechender von
den Abschnitten ohne Schaltstruktur können in jeder Schicht im Allgemeinen
gleichförmig
vorgesehen sein. Aufgrund des oben Erwähnten kann eine Innenbeanspruchung
(eine Beanspruchung, die auf die Schaltstruktur und das Substrat
wirkt), welche durch einen Unterschied zwischen (a) einer linearen Ausdehnung
des Isolationsmaterials, welches das Harzsubstrat 10 bildet,
und (b) einer linearen Ausdehnung des leitenden Materials, welches
die Schaltstrukturen L1 bis L6 bildet, auch in jeder Schicht gleichförmig (gleichmäßig) verteilt
sein. Daher kann das Verziehen der Mehrschicht-Leiterplatte 100 weiter
gesteuert werden. In der gegenwärtigen Ausführungsform
bezeichnet beispielsweise die Schicht eine Ebene (wie zum Beispiel
eine Ebene), auf der sich die eine der Schaltstrukturen L1 bis L6 befindet.
Der entsprechende von den Abschnitten ohne Schaltstruktur befindet
sich ebenfalls auf der Ebene. Somit befinden sich beispielsweise
die Schaltstruktur L2 und der Abschnitt ohne Schaltstruktur des
Harzsubstrats 10, welcher der Schaltstruktur L2 entspricht,
auf der einen Schicht (Ebene), und die Schaltstruktur L2 und der
Abschnitt ohne Schaltstruktur sind auf der einen Schicht gleichförmig (gleichmäßig) vorgesehen.
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Das
obige symmetrische Paar der Schaltstrukturen L1 bis L6 ist derart
ausgeformt, dass es die im Allgemeinen äquivalenten Volumina zueinander
hat, und es kann auch in Bezug auf die mittige Position der Schaltstrukturen
L1 bis L6 in der Laminationsrichtung zueinander symmetrisch angeordnet sein.
Beispielsweise kann die mittige Position der Schaltstrukturen L1
bis L6 eine Gravitationsmitte der Mehrschicht-Leiterplatte 100 oder
eine Mitte der Mehrschicht-Leiterplatte 100 in der Laminationsrichtung
sein. Daher kann die Innenbeanspruchung (die Beanspruchung, die
auf die Schaltstrukturen L1 bis L6 und auf das Substrat 10 wirkt),
welche durch einen Unterschied zwischen (a) einer linearen Ausdehnung des
Isolationsmaterials, welches das Harzsubstrat 10 bildet,
und (b) einer linearen Ausdehnung des leitenden Materials, welches
die Schaltstrukturen L1 bis L6 bildet, zwischen dem symmetrischen
Paar der Schaltstrukturen gleichmäßig verteilt sein. Deshalb kann
das Verziehen der Mehrschicht-Leiterplatte 100 gesteuert
(eingeschränkt)
werden.
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In
der gegenwärtigen
Ausführungsform
ist die Mehrschicht-Leiterplatte 100 mit den sechs Schichten
als ein Beispiel erklärt.
Die gegenwärtige Erfindung
ist jedoch nicht auf die Mehrschicht-Leiterplatte 100 mit
sechs Schichten eingeschränkt.
Die Mehrschicht-Leiterplatte kann eine Mehrschicht-Leiterplatte
sein, die geradzahlige Schichten von Schaltstrukturen hat, deren
Anzahl ungleich sechs Schichten ist. Mit anderen Worten eine alternative Mehrschicht-Leiterplatte
kann Schallstrukturen haben, deren Anzahl auch anders als sechs
ist.
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Eine
erfindungsgemäße Mehrschicht-Leiterplatte
weist ein Substrat 10 und geradzahlige Schaltstrukturen
L1 bis L6 auf. Das Substrat 10 ist aus einem Isolationsmaterial
hergestellt. Jede der geradzahligen Schaltstrukturen L1 bis L6 ist
aus einem leitenden Material hergestellt, und die Schaltstrukturen
L1 bis L6 sind in einer Laminationsrichtung mittels des Substrats 10 aufeinander
laminiert. Eine der Schaltstrukturen L1 bis L6 weist ein im Allgemeinen äquivalentes
Volumen zu dem einer entsprechenden der Schaltstrukturen L1 bis
L6 auf. Hier befindet sich die eine der Schaltstrukturen L1 bis
L6 auf einer Ebene, die in Bezug auf eine mittige Position der Schaltstrukturen
L1 bis L6 in der Laminationsrichtung symmetrisch zu einer entsprechenden
Ebene ist, auf der sich die entsprechende der Schaltstrukturen L1
bis L6 befindet.