JPH10215042A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH10215042A JPH10215042A JP1398997A JP1398997A JPH10215042A JP H10215042 A JPH10215042 A JP H10215042A JP 1398997 A JP1398997 A JP 1398997A JP 1398997 A JP1398997 A JP 1398997A JP H10215042 A JPH10215042 A JP H10215042A
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- layer
- wiring conductor
- resin insulating
- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁基板に反りが発生しボンディングパッドに
電子部品を確実、強固に電気的接続できない。 【解決手段】絶縁基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜
配線導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置す
る薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルー
ホール導体９を介して電気的に接続してなり、最上層の
有機樹脂絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体層３と電
気的に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディ
ングパッド１０を設けて成る多層配線基板であって、前
記絶縁基板１はその内部で、前記一主面と略平行な方向
の略全面に金属層７が埋設されている。
電子部品を確実、強固に電気的接続できない。 【解決手段】絶縁基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜
配線導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置す
る薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルー
ホール導体９を介して電気的に接続してなり、最上層の
有機樹脂絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体層３と電
気的に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディ
ングパッド１０を設けて成る多層配線基板であって、前
記絶縁基板１はその内部で、前記一主面と略平行な方向
の略全面に金属層７が埋設されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに代えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようなってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに代えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようなってきた。
【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、ビスマレイミドトリアジン樹脂や
ガラス繊維を織り込んだガラス布にエポキシ樹脂を含浸
させて形成されるガラスエポキシ樹脂等から成る絶縁基
板の上面に、スピンコート法及び熱硬化処理等によって
形成されるエポキシ樹脂から成る有機樹脂絶縁層と、銅
やアルミニウム等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の
薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって形成される薄膜配線導体層とを交互に積層
させるとともに、上下に位置する薄膜配線導体層を有機
樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着させたス
ルーホール導体を介して電気的に接続させた構造を有し
ており、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線
導体層と電気的に接続するボンディングパッドを形成し
ておき、該ボンディングパッドに半導体素子等の能動部
品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等に
より接続させるようになっている。
した多層配線基板は、ビスマレイミドトリアジン樹脂や
ガラス繊維を織り込んだガラス布にエポキシ樹脂を含浸
させて形成されるガラスエポキシ樹脂等から成る絶縁基
板の上面に、スピンコート法及び熱硬化処理等によって
形成されるエポキシ樹脂から成る有機樹脂絶縁層と、銅
やアルミニウム等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の
薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって形成される薄膜配線導体層とを交互に積層
させるとともに、上下に位置する薄膜配線導体層を有機
樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着させたス
ルーホール導体を介して電気的に接続させた構造を有し
ており、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線
導体層と電気的に接続するボンディングパッドを形成し
ておき、該ボンディングパッドに半導体素子等の能動部
品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等に
より接続させるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
て形成される多層配線基板は、絶縁基板の上面に有機樹
脂絶縁層を形成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱
硬化時に発生する応力が作用して絶縁基板に大きな反り
を発生させてしまい、その結果、絶縁基板の上面に形成
されている有機樹脂絶縁層表面のボンディングパッドの
形成位置にばらつきが生じ、ボンディングパッドに半導
体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の
電極を確実、強固に電気的接続することができないとい
う欠点を招来した。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
て形成される多層配線基板は、絶縁基板の上面に有機樹
脂絶縁層を形成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱
硬化時に発生する応力が作用して絶縁基板に大きな反り
を発生させてしまい、その結果、絶縁基板の上面に形成
されている有機樹脂絶縁層表面のボンディングパッドの
形成位置にばらつきが生じ、ボンディングパッドに半導
体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の
電極を確実、強固に電気的接続することができないとい
う欠点を招来した。
【０００９】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに全
体に反りが発生するのを有効に防止し、ボンディングパ
ッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の
受動部品の電極を確実、強固に電気的接続することがで
きる多層配線基板を提供することにある。
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに全
体に反りが発生するのを有効に防止し、ボンディングパ
ッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の
受動部品の電極を確実、強固に電気的接続することがで
きる多層配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板の少
なくとも一主面上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層
とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導
体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介し
て電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面
に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子
部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多層
配線基板であって、前記絶縁基板はその内部で、前記一
主面と略平行な方向の略全面に金属層が埋設されている
ことを特徴とするものである。
なくとも一主面上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層
とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導
体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介し
て電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面
に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子
部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多層
配線基板であって、前記絶縁基板はその内部で、前記一
主面と略平行な方向の略全面に金属層が埋設されている
ことを特徴とするものである。
【００１１】また本発明は、前記金属層の厚み（Ｔ 1）
が、絶縁基板の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１０
０≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１０であることを特徴とするものであ
る。
が、絶縁基板の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１０
０≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１０であることを特徴とするものであ
る。
【００１２】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。
【００１３】また本発明の多層配線基板によれば、絶縁
基板の内部で、有機樹脂絶縁層が被着形成される主面と
略平行な方向の略全面に、その厚み（Ｔ 1）が絶縁基板
の厚み（Ｔ2 ）に対してＴ2 ／１００≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１
０の金属層を埋設させたことから絶縁基板は外力に対す
る機械的強度が向上し、絶縁基板上に有機樹脂絶層を形
成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱硬化時に発生
する応力が作用したとしても絶縁基板に大きな反りが発
生することは殆どなく、その結果、ボンディングパッド
の形成位置が同一の平面となり、ボンディングパッドに
半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部
品の電極を確実、強固に電気的接続することが可能とな
る。
基板の内部で、有機樹脂絶縁層が被着形成される主面と
略平行な方向の略全面に、その厚み（Ｔ 1）が絶縁基板
の厚み（Ｔ2 ）に対してＴ2 ／１００≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１
０の金属層を埋設させたことから絶縁基板は外力に対す
る機械的強度が向上し、絶縁基板上に有機樹脂絶層を形
成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱硬化時に発生
する応力が作用したとしても絶縁基板に大きな反りが発
生することは殆どなく、その結果、ボンディングパッド
の形成位置が同一の平面となり、ボンディングパッドに
半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部
品の電極を確実、強固に電気的接続することが可能とな
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄
膜配線導体層である。
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄
膜配線導体層である。
【００１５】前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設
されており、該多層配線部４を支持する支持部材として
作用する。
層２と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設
されており、該多層配線部４を支持する支持部材として
作用する。
【００１６】前記絶縁基板１はガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板
やガラス繊維を織り込んだ布にビスマレイミドトリアジ
ン樹脂を含浸させたビスマレイミドトリアジン基板等の
電気絶縁基板を複数枚積層するとともにその各々を一体
的に接合させて形成されており、例えば、ガラスエポキ
シ樹脂基板を使用して形成する場合は、ガラス繊維を織
り込んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させたものを
複数枚積層し、しかる後、前記エポキシ樹脂前駆体を１
００℃〜２００℃の温度で熱硬化させることによって製
作される。
布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板
やガラス繊維を織り込んだ布にビスマレイミドトリアジ
ン樹脂を含浸させたビスマレイミドトリアジン基板等の
電気絶縁基板を複数枚積層するとともにその各々を一体
的に接合させて形成されており、例えば、ガラスエポキ
シ樹脂基板を使用して形成する場合は、ガラス繊維を織
り込んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させたものを
複数枚積層し、しかる後、前記エポキシ樹脂前駆体を１
００℃〜２００℃の温度で熱硬化させることによって製
作される。
【００１７】また前記絶縁基板１には上下両主面に貫通
する孔径が例えば、３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５
が形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が絶縁基
板１の上下両面に導出する導電層６が被着されている。
する孔径が例えば、３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５
が形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が絶縁基
板１の上下両面に導出する導電層６が被着されている。
【００１８】前記貫通孔５は後述する絶縁基板１の上面
に形成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電
気回路とを電気的に接続する、或いは絶縁基板１の上下
両主面に多層配線部４を配設した場合には両主面の多層
配線部４の薄膜配線導体層同士を電気的に接続する導電
層６を形成するための形成孔として作用し、絶縁基板１
にドリル孔あけ加工法を施すことによって絶縁基板１の
所定位置に所定形状に形成される。
に形成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電
気回路とを電気的に接続する、或いは絶縁基板１の上下
両主面に多層配線部４を配設した場合には両主面の多層
配線部４の薄膜配線導体層同士を電気的に接続する導電
層６を形成するための形成孔として作用し、絶縁基板１
にドリル孔あけ加工法を施すことによって絶縁基板１の
所定位置に所定形状に形成される。
【００１９】更に前記貫通孔５の内壁及び絶縁基板１の
上下両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅や
ニッケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及
びエッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁
に両端を絶縁基板１の上下両面に導出させた状態で被着
形成される。
上下両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅や
ニッケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及
びエッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁
に両端を絶縁基板１の上下両面に導出させた状態で被着
形成される。
【００２０】前記絶縁基板１にはまたその内部に多層配
線部４が配設される面と略平行な方向で、かつ略全面に
わたって金属層７が埋設されており、該金属層７によっ
て絶縁基板１の外力に対する機械的強度が大幅に改善さ
れ、絶縁基板１の上面に後述する多層配線部４の有機樹
脂絶縁層２を形成する際、絶縁基板１に有機樹脂絶縁層
２の熱硬化時に発生する応力が作用したとしても絶縁基
板１に大きな反りを発生することは殆どない。
線部４が配設される面と略平行な方向で、かつ略全面に
わたって金属層７が埋設されており、該金属層７によっ
て絶縁基板１の外力に対する機械的強度が大幅に改善さ
れ、絶縁基板１の上面に後述する多層配線部４の有機樹
脂絶縁層２を形成する際、絶縁基板１に有機樹脂絶縁層
２の熱硬化時に発生する応力が作用したとしても絶縁基
板１に大きな反りを発生することは殆どない。
【００２１】前記金属層７は銅やアルミニウム、銀、ニ
ッケル、鉄等の金属材料からなり、銅等の金属材料箔
を、複数枚のガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミド
トリアジン基板を積層結合させて絶縁基板１を得る際、
積層されるガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミドト
リアジン基板間に配しておくことによって絶縁基板１の
内部に埋設される。
ッケル、鉄等の金属材料からなり、銅等の金属材料箔
を、複数枚のガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミド
トリアジン基板を積層結合させて絶縁基板１を得る際、
積層されるガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミドト
リアジン基板間に配しておくことによって絶縁基板１の
内部に埋設される。
【００２２】また前記金属層７はその厚み（Ｔ 1）が、
絶縁基板１の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１００
＞Ｔ 1となると金属層７による絶縁基板１の機械的強度
の改善が不十分となって多層配線部４の有機樹脂絶縁層
２を形成する際に絶縁基板１に反りが発生してしまい、
またＴ 1＞Ｔ2 ／１０となると金属層７と有機樹脂絶縁
層２との間に両者の熱膨張係数の相違に起因して大きな
熱応力が発生するとともに該熱応力によって剥離が発生
してしまう。従って、前記金属層７はその厚み（Ｔ 1）
が、絶縁基板１の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１
００≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１０の範囲に特定される。
絶縁基板１の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１００
＞Ｔ 1となると金属層７による絶縁基板１の機械的強度
の改善が不十分となって多層配線部４の有機樹脂絶縁層
２を形成する際に絶縁基板１に反りが発生してしまい、
またＴ 1＞Ｔ2 ／１０となると金属層７と有機樹脂絶縁
層２との間に両者の熱膨張係数の相違に起因して大きな
熱応力が発生するとともに該熱応力によって剥離が発生
してしまう。従って、前記金属層７はその厚み（Ｔ 1）
が、絶縁基板１の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１
００≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１０の範囲に特定される。
【００２３】更に前記絶縁基板１の上面には有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に配設されて
形成される多層配線部４が被着されており、該多層配線
部４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜
配線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄
膜配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路とし
て作用する。
縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に配設されて
形成される多層配線部４が被着されており、該多層配線
部４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜
配線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄
膜配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路とし
て作用する。
【００２４】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０〜２００℃
の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによ
って形成される。
エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０〜２００℃
の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによ
って形成される。
【００２５】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成され
ており、該スルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体９を形成するための形成
孔として作用する。
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成され
ており、該スルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体９を形成するための形成
孔として作用する。
【００２６】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル８は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。
ル８は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。
【００２７】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
【００２８】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール８の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
８の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工
することによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホ
ール８内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３
及びスルーホール導体９は薄膜形成技術により形成され
ることから配線の微細化が可能であり、これによって薄
膜配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能と
なる。
ホール８の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
８の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工
することによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホ
ール８内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３
及びスルーホール導体９は薄膜形成技術により形成され
ることから配線の微細化が可能であり、これによって薄
膜配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能と
なる。
【００２９】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。
【００３０】また前記有機樹脂絶縁層２はその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としておくと有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固となる。
従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５ｍｍ
の長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１
μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐ
ｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦
０．１μｍが１２５００以上としておくとことが好まし
い。
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としておくと有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固となる。
従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５ｍｍ
の長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１
μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐ
ｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦
０．１μｍが１２５００以上としておくとことが好まし
い。
【００３１】前記有機樹脂絶縁層２上面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を出した。
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を出した。
【００３２】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の上
面にＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアク
ティブイオンエッチング処理をすることによって表面が
所定の粗さに粗される。
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の上
面にＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアク
ティブイオンエッチング処理をすることによって表面が
所定の粗さに粗される。
【００３３】更に前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
８を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
８を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３４】また更に前記多層配線部４の各薄膜配線導
体層３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体
層３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体
層３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、
また４０μｍを越えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導
体層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚み
は１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
体層３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体
層３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体
層３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、
また４０μｍを越えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導
体層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚み
は１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３５】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２の上面に薄膜配線導体層
３と電気的に接続しているボンディングパッド１０が形
成されており、該ボンディングパッド１０は的に接続さ
せる作用をなす。
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２の上面に薄膜配線導体層
３と電気的に接続しているボンディングパッド１０が形
成されており、該ボンディングパッド１０は的に接続さ
せる作用をなす。
【００３６】前記ボンディングパッド１０は金属層７の
埋設によって絶縁基板１に反りが発生していないことか
らその全てが略同一の平面に存在することとなり、その
結果、ボンディングパッド１０に半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を確実、強固に電気的
接続することが可能となる。
埋設によって絶縁基板１に反りが発生していないことか
らその全てが略同一の平面に存在することとなり、その
結果、ボンディングパッド１０に半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を確実、強固に電気的
接続することが可能となる。
【００３７】前記ボンディングパッド１０は例えば、直
径２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンデ
ィングパッド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品
Ａの電極を熱圧着等により接続させれば、半導体素子や
容量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電
気的に接続されることとなる。
径２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンデ
ィングパッド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品
Ａの電極を熱圧着等により接続させれば、半導体素子や
容量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電
気的に接続されることとなる。
【００３８】なお、前記ボンディングパッド１０は薄膜
配線導体層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料からなり、最上層の
有機樹脂絶縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に
同時に前記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成
される。
配線導体層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料からなり、最上層の
有機樹脂絶縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に
同時に前記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成
される。
【００３９】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンディングパッ
ド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を
熱圧着等により接続させ、電子部品Ａの電極をボンディ
ングパッド１０を介して薄膜配線導体層３に電気的に接
続させることによって半導体装置や混成集積回路装置と
なり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に接続す
れば前記電子部品Ａが外部電気回路に接続されることと
なる。
上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンディングパッ
ド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を
熱圧着等により接続させ、電子部品Ａの電極をボンディ
ングパッド１０を介して薄膜配線導体層３に電気的に接
続させることによって半導体装置や混成集積回路装置と
なり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に接続す
れば前記電子部品Ａが外部電気回路に接続されることと
なる。
【００４０】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は絶縁基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層２と
複数の薄膜配線導体層３とを交互に積層して形成される
多層配線部４を被着させたが、該多層配線部４を絶縁基
板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けても
よい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は絶縁基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層２と
複数の薄膜配線導体層３とを交互に積層して形成される
多層配線部４を被着させたが、該多層配線部４を絶縁基
板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けても
よい。
【００４１】
【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
【００４２】また本発明の多層配線基板によれば、絶縁
基板の内部で、有機樹脂絶縁層が被着形成される主面と
略平行な方向の略全面に、その厚み（Ｔ 1）が絶縁基板
の厚み（Ｔ2 ）に対してＴ2 ／１００≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１
０の金属層を埋設させたことから絶縁基板は外力に対す
る機械的強度が向上し、絶縁基板上に有機樹脂絶層を形
成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱硬化時に発生
する応力が作用したとしても絶縁基板に大きな反りが発
生することは殆どなく、その結果、ボンディングパッド
に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動
部品の電極を確実、強固に電気的接続することが可能と
なる。
基板の内部で、有機樹脂絶縁層が被着形成される主面と
略平行な方向の略全面に、その厚み（Ｔ 1）が絶縁基板
の厚み（Ｔ2 ）に対してＴ2 ／１００≦Ｔ 1≦Ｔ2 ／１
０の金属層を埋設させたことから絶縁基板は外力に対す
る機械的強度が向上し、絶縁基板上に有機樹脂絶層を形
成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱硬化時に発生
する応力が作用したとしても絶縁基板に大きな反りが発
生することは殆どなく、その結果、ボンディングパッド
に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動
部品の電極を確実、強固に電気的接続することが可能と
なる。
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
１・・・絶縁基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ４・・・多層配線部 ６・・・導電層 ７・・・金属層 ８・・・スルーホール ９・・・スルーホール導体 １０・・ボンディングパッド Ａ・・・電子部品
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板の少なくとも一主面上に、有機樹
脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに
上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設け
たスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最
上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電
気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディン
グパッドを設けて成る多層配線基板であって、前記絶縁
基板はその内部で、前記一主面と略平行な方向の略全面
に金属層が埋設されていることを特徴とする多層配線基
板。 - 【請求項２】前記金属層はその厚み（Ｔ 1）が、絶縁基
板の厚みを（Ｔ2 ）としたとき、Ｔ2 ／１００≦Ｔ 1≦
Ｔ2 ／１０であることを特徴とする請求項１記載の多層
配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1398997A JPH10215042A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1398997A JPH10215042A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10215042A true JPH10215042A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11848650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1398997A Pending JPH10215042A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10215042A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6928726B2 (en) * | 2003-07-24 | 2005-08-16 | Motorola, Inc. | Circuit board with embedded components and method of manufacture |
| US7286366B2 (en) | 2005-03-24 | 2007-10-23 | Motorola, Inc. | Multilayer circuit board with embedded components and method of manufacture |
| DE102007040876A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-04-03 | Denso Corp., Kariya | Mehrschicht-Leiterplatte |
| US8284557B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-10-09 | Kyocera Corporation | Circuit board, mounting structure, and method for manufacturing circuit board |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP1398997A patent/JPH10215042A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6928726B2 (en) * | 2003-07-24 | 2005-08-16 | Motorola, Inc. | Circuit board with embedded components and method of manufacture |
| US7286366B2 (en) | 2005-03-24 | 2007-10-23 | Motorola, Inc. | Multilayer circuit board with embedded components and method of manufacture |
| US7594318B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-09-29 | Motorola, Inc. | Multilayer circuit board with embedded components and method of manufacture |
| DE102007040876A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-04-03 | Denso Corp., Kariya | Mehrschicht-Leiterplatte |
| US8284557B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-10-09 | Kyocera Corporation | Circuit board, mounting structure, and method for manufacturing circuit board |
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