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QUERVERWEIS
AUF EINE ZUGEHÖRIGE
ANMELDUNG
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Diese
Anmeldung basiert auf dem und beansprucht den Vorteil einer Priorität von der
früheren
japanischen Patentanmeldung Nr. 2006-062047, eingereicht am 8. März 2006
in Japan, deren gesamte Inhalte hierin durch Bezugnahme enthalten
sind.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Schreib- oder "Zeichnungs"-Verfahren eines
Strahls mit geladenen Partikeln, ein Erzeugungs- oder "Kreations"-Verfahren zum Schreiben
von Daten und ein computerlesbares Aufzeichnungsmedium mit einem
darauf aufgezeichneten Programm. Beispielsweise betrifft sie ein
Elektronenstrahl-Schreibverfahren zum Strahlen von Elektronenstrahlen
auf ein Ziel-Werkstück,
während
die Elektronenstrahlen variabel geformt werden, oder ein Erzeugungsverfahren
zum Schreiben von Daten, um in eine Elektronenstrahlmuster-Schreibvorrichtung
eingegeben zu werden. Alternativ dazu betrifft sie ein Programm zum
Verkörpern
dieser Verfahren.
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Beschreibung
des zugehörigen
Standes der Technik
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Eine
Mikrolithographie-Technologie, die eine Miniaturisierung von Halbleitervorrichtungen
fördert,
ist extrem wichtig, weil nur dieser Prozess ein Ausbilden eines
Musters in Halbleiterherstellungsprozessen durchführt. In
den letzten Jahren werden Schaltkreisleitungsbreiten, die dann verwendet
werden, wenn ein erwünschtes
Muster auf Halbleitervorrichtungen geschrieben wird, Jahr für Jahr mit
einer Erhöhung
bezüglich einer
Hochintegration von LSI sehr klein. Um ein erwünschtes Schaltkreismuster auf
diesen Halbleitervorrichtungen auszubilden, ist ein ursprüngliches
Muster hoher Präzision,
wie beispielsweise ein Fadenkreuz oder eine Fotomaske, nötig. Die
Elektronenstrahl-Schreibtechnologie
zum Schreiben eines Musters hierin hat im Wesentlichen eine exzellente
Auflösung
und wird daher zum Herstellen solcher ursprünglichen Muster hoher Präzision verwendet.
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30 zeigt
ein schematisches Diagramm zum Erklären von Operationen einer herkömmlichen
Musterschreibvorrichtung mit variabel geformtem Elektronenstrahl.
Wie es in der Figur gezeigt ist, enthält die Musterschreibvorrichtung
mit variabel geformten Elektronenstrahlen (EB-(Elektronenstrahl-)Schreibvorrichtung) zwei
Aperturplatten und arbeitet wie folgt. Eine erste Apertur 410 hat
eine Öffnung
oder ein "Loch" 411 in
der Form von beispielsweise einem Rechteck zum Formen eines Elektronenstrahls 330.
Diese Form der rechteckigen Öffnung
kann auch ein Quadrat, ein Rhombus, ein Rhomboid, etc. sein. Eine
zweite Apertur 420 hat eine speziell geformte Öffnung 421 zum
Formen des Elektronenstrahls 330, der durch die Öffnung 411 der
ersten Apertur 410 gelaufen ist, in ein erwünschtes
Rechteck. Der Elektronenstrahl 330, der eine Ladepartikelquelle 430 verließ und durch
die Öffnung 411 gelaufen
ist, wird durch einen Deflektor bzw. eine Ablenkvorrichtung abgelenkt.
Dann läuft
der Elektronenstrahl 330 durch einen Teil der speziell
geformten Öffnung 421 der zweiten
Apertur 420 und erreicht ein Ziel-Werkstück 340,
das auf einer Bühne
montiert ist, die sich während des
Schreibens kontinuierlich in einer vorbestimmten Richtung (z.B.
der X-Achsenrichtung) bewegt. Anders ausgedrückt wird eine Rechteckform,
die durch sowohl die Öffnung 411 als
auch die speziell geformte Öffnung 421 führen kann,
zum Schreiben eines Musters des Ziel-Werkstücks 340 verwendet,
das auf der Bühne
montiert ist. Dieses Verfahren zum Schreiben oder "Ausbilden" einer gegebenen
variablen Form durch Führen
bzw. Laufenlassen von Strahlen durch sowohl die Öffnung 411 als auch
die speziell geformte Öffnung 421 wird
das "variable Formen" genannt.
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Bei
dem oben angegebenen Elektronenstrahl-Schreiben ist eine äußerst präzise kritische
Dimensionseinheitlichkeit erforderlich, wenn ein Muster auf ein
Ziel-Werkstück,
wie beispielsweise eine Maske, geschrieben wird. Jedoch wird bei
dem Elektronenstrahl-Schreiben ein Phänomen auftreten, das Nähen- bzw.
Nachbarschaftseffekt genannt wird. Im Fall eines Strahlens von Elektronenstrahlen
auf eine Maske wird dort, wo eine Schutzschicht angewendet wird,
um ein Schaltkreismuster darauf zu schreiben, das Phänomen des Nachbarschaftseffekts
durch ein Rückstreuen
erzeugt, was bedeutet, dass ein Elektronenstrahl einen Schutzschichtfilm
durchdringt, eine Schicht unter dem Schutzschichtfilm erreicht,
um reflektiert zu werden, und wieder in den Schutzschichtfilm eintritt.
Als Ergebnis wird ein Muster geschrieben, das bezüglich der
Dimension von einem erwünschten
abgewichen ist. Das bedeutet, dass eine Schwankung bezüglich der
Dimension auftritt.
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Andererseits
tritt dann, wenn der Schutzschichtfilm entwickelt wird oder die
Schicht unter ihm geätzt wird,
nach einem Schreiben eines Musters eine Dimensionsschwankung auf,
die Ladeeffekt genannt wird, der aus der Dichte eines Schaltkreismusters
resultiert.
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Als
Technik zum Korrigieren des Nachbarschaftseffekts oder des Ladeeffekts
wird das gesamte Schaltkreismuster virtuell in eine Vielzahl von
kleinen Bereichen aufgeteilt, wie beispielsweise 500 Quadrat-μm für den globalen
Ladeeffekt, 0,5 Quadrat-μm
für den
Nachbarschaftseffekt oder 50 Quadrat-μm für den Mikro-Ladeeffekt, und
wird eine Abbildung erzeugt, die ein Ausmaß eines Einflusses zeigt. Es
ist beispielsweise in der veröffentlichten
ungeprüften
japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-195787 (JP-A-2005-195787) offenbart,
dass ein Schaltkreismuster einer vorbestimmten Bereichsdichte von
50% geeignet geschrieben werden kann und eine Dosis zum Schreiben
unter Verwendung einer Dosis (eines festen Werts), einer Abbildung
von Nachbarschaftseffekt-Einflusswerten und einer Abbildung eines
Nachbarschaftseffekt-Korrekturkoeffizienten η, der aus dem Ladeeffekt-Korrekturmaß berechnet
ist, berechnet werden kann. Darüber
hinaus ist beispielsweise in JP-A-2000-75467 eine Technik zum Korrigieren
des Ladeeffekts nicht durch Korrigieren einer Dosis, sondern durch
neues Bemaßen
einer Musterdimension in den Maskenentwurfsdaten im Voraus offenbart.
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Wie
es oben angegeben ist, hat es beim Elektronenstrahl-Schreiben eine
Entwicklung gegeben, den Nachbarschaftseffekt durch schwankendes Ändern einer
Dosis zu korrigieren. Wenn es möglich
ist, ein Muster unter Verwendung einer isofokalen Dosis zu schreiben,
kann eine Musterdimensionsschwankung selbst dann verhindert werden,
wenn eine Höhenabweichung
einer Ziel-Werkstücksoberfläche oder
ein fokaler Positionsabweichungsfehler, der durch einen Linsenerregungsfehler,
etc. verursacht ist, bei der fokalen bzw. Brennpunktposition auftritt.
Jedoch ist die beim Korrigieren des Nachbarschaftseffekts gemäß dem oben
angegebenen Dosisänderungsverfahren
gestrahlte optimale Dosis nicht notwendigerweise gemäß der isofokalen
Dosis. Daher wird selbst dann, wenn ein Muster mit der optimalen
Dosis geschrieben wird, die durch eine Nachbarschaftseffektkorrektur
berechnet ist, um gemäß der Dimension
des Musters zu sein, wenn ein Fehler bei der Brennpunktposition
entsteht, eine Abweichung in jeder Musterdimension erzeugt. Anders
ausgedrückt
ist bei dem Verfahren zum Korrigieren des Nachbarschaftseffekts
mittels eines schwankenden Änderns
der Dosis eine Toleranz für
einen Musterdimensionsfehler, der durch einen fokalen Positionsabweichungsfehler
verursacht ist, klein.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Schreibverfahren
zum Verhindern einer Musterdimensionsschwankung zur Zeit eines fokalen
Positionsabweichungsfehlers, der erzeugt wird, zur Verfügung zu stellen
und ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Berechnen von Schreibdaten
zur Verfügung
zu stellen, um bei dem zu erzielenden Schreibverfahren verwendet
zu werden.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Schreibverfahren mit
geladenen Partikelstrahlen ein Eingeben von Entwurfsmusterdaten,
ein virtuelles Teilen eines Schreibbereichs, um mit den Entwurfsmusterdaten
beschrieben zu werden, in eine Vielzahl von kleinen Bereichen auf
eine gitterartige Weise, ein Berechnen einer Musterdichte in jedem
der Vielzahl von kleinen Bereichen basierend auf den Entwurfsmusterdaten,
ein Berechnen eines Ausmaßes
eines erneuten Bemaßens
für jede
Musterdichte in einem Fall eines Strahlens eines geladenen Partikelstrahls
bei einer isofokalen Dosis, ein erneutes Bemaßen einer Dimension der Entwurfsmusterdaten
in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen basierend auf dem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen und ein Schreiben eines
erneut bemaßten
Entwurfsmusters auf einem Ziel-Werkstück mit der
isofokalen Dosis entsprechend der Musterdichte, die vor dem erneuten
Bemaßen
in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen berechnet wurde.
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Gemäß einem
anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält eine Unterstützungsvorrichtung
einer Musterschreibvorrichtung mit geladenem Partikelstrahl einen
Musterdichte-Berechnungsteil, der zum Eingeben von Entwurfsmusterdaten,
zum virtuellen Teilen eines Schreibbereichs, um mit den Entwurfsmusterdaten
beschrieben zu werden, in eine Vielzahl von kleinen Bereichen auf
eine gitterartige Weise und zum Berechnen einer Musterdichte in
jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen basierend auf den Entwurfsmusterdaten konfiguriert
ist, eine Speichervorrichtung, die zum Speichern erster Korrelationsdaten über eine
Korrelation zwischen der Musterdichte und einer isofokalen Dosis
eines geladenen Partikelstrahls und zweiter Korrelationsdaten über eine
Korrelation zwischen der Musterdichte und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
konfiguriert ist, einen Berechnungsteil für eine isofokale Dosis, der
zum Lesen der ersten Korrelationsdaten aus der Speichervorrichtung
und zum Berechnen der isofokalen Dosis des geladenen Partikelstrahls
in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen unter Verwendung der
ersten Korrelationsdaten konfiguriert ist, einen Verarbeitungsteil
für ein
erneutes Bemaßen,
der zum Lesen der zweiten Korrelationsdaten aus der Speichervorrichtung und
zum erneuten Bemaßen
einer Dimension der Entwurfsmusterdaten in jedem der Vielzahl von
kleinen Bereichen unter Verwendung der zweiten Korrelationsdaten
konfiguriert ist, und einen Ausgabeteil, der zum Ausgeben der isofokalen
Dosis des geladenen Partikelstrahls und von erneut bemaßten Entwurfsmusterdaten
in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen zu einer Musterschreibvorrichtung
konfiguriert ist, die unter Verwendung des geladenen Partikelstrahls
ein Muster auf ein Ziel-Werkstück
schreibt.
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Gemäß einem
anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Schreibdaten-Erzeugungsverfahren
ein Eingeben von Entwurfsmusterdaten, ein virtuelles Teilen eines
Schreibbereichs, um mit den Entwurfsmusterdaten beschrieben zu werden,
in eine Vielzahl von kleinen Bereichen auf eine gitterartige Weise, ein
Berechnen einer Musterdichte in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen
basierend auf den Entwurfsmusterdaten, ein Berechnen einer isofokalen
Dosis in jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen unter Verwendung
von Korrelationsdaten über
eine Korrelation zwischen der Musterdichte und der isofokalen Dosis,
ein erneutes Bemaßen
einer Dimension der Entwurfsmusterdaten in jedem der Vielzahl von
kleinen Bereichen unter Verwendung von Korrelationsdaten über eine
Korrelation zwischen der Musterdichte und einem Ausmaß eines erneuten
Bemaßens
und ein Ausgeben der isofokalen Dosis in jedem der Vielzahl von
kleinen Bereichen und von erneut bemaßten Entwurfsmusterdaten in
jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen.
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Gemäß einem
anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein computerlesbares Aufzeichnungsmedium
mit einem Programm, das aufgezeichnet ist, um zu veranlassen, dass
ein Computer Prozesse ausführt,
ein Speichern von Entwurfsmusterdaten in einer Speichervorrichtung,
ein Lesen der Entwurfsmusterdaten aus der Speichervorrichtung, ein
virtuelles Teilen eines Schreibbereichs, um mit den Entwurfsmusterdaten
beschrieben zu werden, in eine Vielzahl von kleinen Bereichen auf
eine gitterartige Weise, ein Berechnen einer Musterdichte in jedem
der Vielzahl von kleinen Bereichen basierend auf den Entwurfsmusterdaten,
ein Lesen erster Korrelationsdaten über eine Korrelation zwischen
der Musterdichte und einer isofokalen Dosis aus einer Speichervorrichtung,
die die ersten Korrelationsdaten speichert, ein Berechnen der isofokalen
Dosis jedes der Vielzahl von kleinen Bereichen unter Verwendung
der ersten Korrelationsdaten, ein Lesen zweiter Korrelationsdaten über eine
Korrelation zwischen der Musterdichte und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
aus einer Speichervorrichtung, die die zweiten Korrelationsdaten
speichert, ein erneutes Bemaßen
einer Dimension der Entwurfsmusterdaten in jedem der Vielzahl von
kleinen Bereichen unter Verwendung der zweiten Korrelationsdaten
und ein Ausgeben der isofokalen Dosis von jedem der Vielzahl von
kleinen Bereichen und von erneut bemaßten Entwurfsmusterdaten in
jedem der Vielzahl von kleinen Bereichen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Ablaufdiagramm, das Beispiele von Hauptschritten eines beim
Ausführungsbeispiel
1 beschriebenen Elektronenstrahl-Musterschreibverfahrens
zeigt;
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2 ist
ein schematisches Diagramm, das die Strukturen einer Musterschreibvorrichtung
und einer Unterstützungsvorrichtung
der beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebenen Musterschreibvorrichtung zeigt;
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3 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebenes Beispiel eines Auswertungsmusters;
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4 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis im Fall einer Musterdichte von
0%;
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5 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in dem Fall einer Musterdichte
von 50%;
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6 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in dem Fall einer Musterdichte
von 100;
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7 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Musterdichte und einer Dosis
in Bezug auf die isofokale Dosis und die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis;
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8 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Korrelation zwischen einer Differenz und einer Musterdichte;
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9 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Dosis und einer Musterdimension
bei der besten Brennpunktposition;
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10 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Musterdichte und einer Dosisbreite;
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11 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Musterdichte und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens;
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12 zeigt
ein schematisches Diagramm zum Erklären eines beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebenen Gitterbereichs;
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13 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
beschriebes Beispiel eines in Musterdaten enthaltenen Entwurfsmusters
vor einem erneuten Bemaßen;
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14 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
beschriebenes Beispiel eines in Entwurfsdaten enthaltenen Entwurfsmusters
nach einem erneuten Bemaßen;
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15 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebenes Beispiel eines Auswertungsmusters;
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16 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 0% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 0%;
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17 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer Musterbreitendimension
in Bezug auf die isofokale Dosis und die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
in einem Nachbarschaftseffektbereich mit einer Musterdichte von
0% und einem globalen Bereich mit einer Musterdichte von 50%;
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18 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 0% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 100%;
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19 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 50% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 0%;
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20 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 50% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 50%;
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21 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer Musterbreitendimension
in Bezug auf die isofokale Dosis und die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
in einem Nachbarschaftseffekt-Bereich mit einer Musterdichte von
50% und einem globalen Bereich mit einer Musterdichte von 100%;
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22 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 100% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 0%;
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23 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 100% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 50%;
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24 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 100% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 50%;
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25 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer isofokalen Dosis und Musterdichten
in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich;
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26 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
und Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich;
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27 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Kombination von Musterdichten
und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens;
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28 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene dreidimensionale Korrelation zwischen einer Kombination
von Musterdichten und einem Ausmaß eines erneuten Bemaßens;
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29 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebenes schematisches Diagramm zum Erklären eines Gitterbereichs bzw.
Netzbereichs; und
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30 zeig
ein schematisches Diagramm zum Erklären von Operationen einer herkömmlichen
Musterschreibvorrichtung mit einem variabel geformten Elektronenstrahl.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Bei
den folgenden Ausführungsbeispielen
werden Strukturen beschrieben werden, die einen Elektronenstrahl
als ein Beispiel eines geladenen Partikelstrahls verwenden. Der
geladene Partikelstrahl ist nicht auf den Elektronenstrahl beschränkt und
kann derjenige sein, der ein geladenes Partikel bzw. Teilchen verwendet, wie
beispielsweise ein Ionenstrahl.
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Ausführungsbeispiel 1
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1 ist
ein Ablaufdiagramm, das Beispiele von Hauptschritten eines beim
Ausführungsbeispiel
1 beschriebenen Elektronenstrahl-Musterschreibverfahrens zeigt.
In 1 wird gemäß dem Elektronenstrahl-Musterschreibverfahren,
das als Beispiel eines Musterschreibverfahrens mit geladenem Partikelstrahl
dient, eine Reihe der folgenden Schritte als vorbereitende Schritte
ausgeführt:
ein Messschritt (S102) für
eine isofokale Dosis Dp (ISO) für
jede Musterdichte, ein Messschritt (S104) für eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC)
für jede
Musterdichte, ein Differenz-Berechnungsschritt
(S106), ein Dosisbreiten-Berechnungsschritt (S110)
und ein Berechnungsschritt (S112) für ein Ausmaß einer erneuten Bemaßung. Durch
ein Durchführen dieser
Schritte können
eine Korrelation zwischen einer Musterdichte und einer isofokalen
Dosis und eine Korrelation zwischen einer Musterdichte und einem
Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
erlangt werden. Als Nächstes
wird als außerhalb
der Musterschreibvorrichtung durchgeführte Verarbeitung, die als
Schreibdaten-Erzeugungsverfahren dient, eine Reihe der folgenden
Schritte ausgeführt:
ein Musterdaten-Eingabeschritt (S202), ein Musterdichte-Berechnungsschritt
(S204), ein Berechnungsschritt (S206) für eine isofokale Dosis Dp (ISO),
ein Dosisabbildungs-Erzeugungsschritt (S208), ein Berechnungsschritt
(S210) für
ein Ausmaß eines erneuten
Bemaßens,
ein Schritt eines erneuten Bemaßens
(S212) und ein Schreibdaten-Ausgabeschritt (S214). Dann wird als
innerhalb der Musterschreibvorrichtung durchgeführte Verarbeitung ein Schreibschritt (S216)
ausgeführt.
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2 ist
ein schematisches Diagramm, das die Strukturen einer Musterschreibvorrichtung
und einer Unterstützungsvorrichtung
der Musterschreibvorrichtung zeigt, die beim Ausführungsbeispiel
1 beschrieben werden. In der 1 enthält eine
Musterschreibvorrichtung 100, die als Beispiel einer Musterschreibvorrichtung
mit geladenem Partikelstrahl dient, einen Musterschreibteil 150 und
eine Steuerschaltung 160. Die Steuerschaltung 160 bildet
einen Steuerteil und der Musterschreibteil 150 enthält eine
Elektronen-Linsentrommel 102 und eine Schreibkammer 103.
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In
der Elektronen-Linsentrommel 102 sind eine Elektronenkanonenanordnung 201,
eine Belichtungslinse 202, eine erste Aperturplatte 203,
eine Projektionslinse 204, eine Ablenkvorrichtung 205,
eine zweite Aperturplatte 206, eine Objektivlinse 207 und
eine Ablenkvorrichtung 208 angeordnet. In der Schreibkammer 103 ist
eine XY-Bühne 105 angeordnet
und ist ein Ziel-Werkstück 101,
das zu beschreiben ist, auf die XY-Bühne 105 gelegt oder "platziert".
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Die
Unterstützungsvorrichtung 500 enthält einen
Steuercomputer 110, einen Speicher 122, ein Magnetplattenlaufwerk 109 und
eine externe Schnittstelle (I/F) 124. Die Unterstützungsvorrichtung 500,
die als Beispiel einer Schreibdaten-Erzeugungsvorrichtung dient,
unterstützt
die Musterschreibvorrichtung 100. Der Steuercomputer 110 hat
Funktionen eines Musterdichte-Berechnungsteils 112,
eines Berechnungsteils 114 für eine isofokale Dosis, eines
Abbildungserzeugungsteils 116, eines Berechnungsteils 118 für ein Ausmaß eines erneuten
Bemaßens
und eines Verarbeitungsteils 120 eines erneuten Bemaßens. Im
Magnetplattenlaufwerk 109 sind Korrelationsdaten (1) 152 und
Korrelationsdaten (2) 154 gespeichert. Die Korrelationsdaten
(1) 152 sind Information über eine Korrelation zwischen
einer Musterdichte und einer isofokalen Dosis. Die Korrelationsdaten
(2) 154 sind Information über eine Korrelation zwischen
einer Musterdichte und einem Ausmaß eines erneuten Bemaßens.
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Der
Speicher 122, das Magnetplattenlaufwerk 109 und
die externe Schnittstelle (I/F) 124 sind mit dem Steuercomputer 110 über nicht
gezeigte Busse verbunden. Daten von außerhalb der Unterstützungsvorrichtung 500 werden über die
externe I/F 124 eingegeben/ausgegeben.
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Strukturelemente,
die zum Beschreiben des Ausführungsbeispiels
1 erforderlich sind, sind in 2 dargestellt.
Andere Strukturelemente, die normalerweise für die Musterschreibvorrichtung 100 und
die Unterstützungsvorrichtung 500 nötig sind,
können
auch enthalten sein. In 2 wird eine Verarbeitung jeder
Funktion des Musterdichte-Berechnungsteils 112, des Berechnungsteils 114 für eine isofokale
Dosis, des Abbildungserzeugungsteils 116, des Berechnungsteils 118 für ein Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
und des Verarbeitungsteils 120 eines erneuten Bemaßens durch
den Steuercomputer 110 ausgeführt, der als Beispiel eines
Computers dient. Jedoch sollte es nicht ausschließlich darauf
beschränkt
sein. Beispielsweise können
sie durch Hardware einer elektrischen Schaltung ausgeführt werden.
Alternativ dazu können
sie durch eine Kombination aus Hardware einer elektrischen Schaltung
und Software oder eine Kombination aus Hardware und Firmware ausgeführt werden.
Die Steuerschaltung 160 kann die Musterschreibvorrichtung 100 durch
Ausführen
von Software unter Verwendung eines Steuercomputers, der als Beispiel
von Computern dient, steuern. Alternativ dazu kann es durch Hardware
einer elektrischen Schaltung, eine Kombination aus Hardware und Software
oder eine Kombination aus Hardware und Firmware ausgeführt werden.
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Ein
Elektronenstrahl 200, der ein Beispiel eines geladenen
Strahls ist und die Elektronenkanonanordnung 201 verlässt, wird
durch die Belichtungslinse 202 auf das gesamte von beispielsweise
einer rechteckigen Öffnung
gestrahlt oder "geschossen", welche in der ersten
Aperturplatte 203 ausgebildet ist. An dieser Stelle wird
der Elektronenstrahl 200 geformt, um beispielsweise ein
erwünschtes
Rechteck zu sein. Dann wird, nachdem er durch die erste Aperturplatte 203 geführt worden
ist, der Elektronenstrahl 200 eines ersten Aperturbilds durch
die Projektionslinse 204 geführt, um eine zweite Aperturplatte 206 zu
erreichen. Die Position des ersten Aperturbilds auf der zweiten
Aperturplatte 206 wird durch die Ablenkvorrichtung 205 gesteuert,
und dadurch können
die Form und die Größe des Strahls
geändert
werden. Nachdem er durch die zweite Aperturplatte 206 geführt worden
ist, wird der Elektronenstrahl 200 eines zweiten Aperturbilds
bezüglich
des Brennpunkts durch die Objektivlinse 207 eingestellt
und durch die Ablenkvorrichtung 208 abgelenkt, um eine
erwünschte
Position auf dem Ziel-Werkstück 101 zu
erreichen, das auf der XY-Bühne 105 platziert
ist. Ein Schreiben wird durchgeführt,
während
sich die XY-Bühne 105 kontinuierlich
bewegt. Jedes Strukturelement wird durch die Steuerschaltung 160 gesteuert.
Eingangs/Ausgangs-Daten, wie beispielsweise ein durch einen Steuercomputer (nicht
gezeigt) in der Steuerschaltung 160 berechnetes Ergebnis,
werden in einer Speichervorrichtung, wie beispielsweise einem Speicher
(nicht gezeigt), gespeichert.
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Das
Elektronenstrahl-Schreibverfahren gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird hierin nachfolgend erklärt
werden. Zuerst werden als Vorbereitungsschritt eine Korrelation
zwischen einer Musterdichte (Musterbereichsdichte) und einer isofokalen
Dosis und eine Korrelation zwischen einer Musterdichte und einem
Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
erhalten.
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Im
Schritt (S102) als Messschritt (S102) für eine isofokale Dosis Dp (ISO)
für jede
Musterdichte wird eine isofokale Dosis Dp (ISO) für jede Musterdichte
in Bezug auf Muster einer Vielzahl von Musterdichten gemessen. 3 zeigt
ein Beispiel eines beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebenen Auswertungsmusters. In der Figur ist als Beispiel
ein Auswertungssubstrat 10 gezeigt, auf welchem drei Typen
von Auswertungsmustern geschrieben sind. Das erste ist ein Auswertungsmuster 12,
dessen Musterdichte als etwa 0% angesehen werden kann. Das zweite
ist ein Auswertungsmuster 14, dessen Musterdichte 50% ist.
Das dritte ist ein Auswertungsmuster 16, dessen Musterdichte
als etwa 100% angesehen werden kann. Ein Schutzschichtfilm wird auf
dem Auswertungssubstrat 10 aufgetragen. Unter Verwendung
dieses Auswertungssubstrats 10 wird eine optimale isofokale
Dosis Dp (ISO) jedes Auswertungsmusters gemessen, während eine
Brennpunktposition und eine Dosis durch die Musterschreibvorrichtung 100 geändert wird.
Beim Messen wird, wie es in 3 gezeigt
ist, ein Musterbreitendimension CD (kritische Dimension) eines Schutzschichtmusters,
für welches Schreib-
und Verarbeitungsprozeduren durchgeführt worden sind, gemessen.
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Im
Schritt S104 wird als Messschritt für eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
Dp (PEC) für
jede Musterdichte eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC)
für jede
Musterdichte in Bezug auf Muster einer Vielzahl von Musterdichten
gemessen. Gleich dem Fall eines Messens der isofokalen Dosis Dp
(ISO) wird das Auswertungssubstrat 10 verwendet, auf welchem
ein Schutzschichtfilm aufgetragen worden ist. Die optimale Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
Dp (PEC) jedes Auswertungsmusters wird gemessen, während eine
Brennpunktposition und eine Dosis durch die Musterschreibvorrichtung 100 geändert wird.
Gleichermaßen
wird eine Musterbreitendimension CD eines Schutzschichtmusters,
für welches
Schreib- und Verarbeitungsprozeduren durchgeführt worden sind, gemessen,
wie es in 3 gezeigt ist.
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4 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis im Fall einer Musterdichte von
0%. 5 zeigt eine beim Ausführungsbeispiel 1 beschriebene
Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer Musterbreitendimension
in Bezug auf die isofokale Dosis und die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis im
Fall einer Musterdichte von 50%. 6 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis im Fall einer Musterdichte von
100%.
-
In
den 4, 5 und 6 zeigt
die Abszissenachse eine Brennpunktposition (ein Defokussierungsausmaß) an und
zeigt die Ordinatenachse eine Musterbreitendimension an. Wie es
aus den 4, 5 und 6 verstanden
wird, ist es, wie die Dosis Dp (ISO), die nicht von einer Brennpunktposition
abhängt, möglich, die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis derart einzustellen, dass sie
bei einer bestimmten Musterdichte unabhängig von einer Brennpunktposition
ist, was beispielsweise dem Fall der Musterdichte von 50% in 5 entsprich.-Es
ist unmöglich,
die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
derart einzustellen, dass sie bei allen Musterdichten unabhängig von
einer Brennpunktposition ist. Wie es in den Fällen der Musterdichten von 0%
und 100% in den 4 und 6 gezeigt
ist, weicht die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in Abhängigkeit
von einer Brennpunktposition stark von der isofokalen Dosis ab.
Darüber
hinaus ändert
sich eine Abweichung zwischen der isofokalen Dosis Dp (ISO) und
der Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC) in Abhängigkeit
von der Musterdichte.
-
7 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Musterdichte und einer Dosis
in Bezug auf die isofokale Dosis und die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis.
In der Figur sind die isofokale Dosis Dp (ISO) und die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp
(PEC) bei der besten Brennpunktposition bei jeder Musterdichte gezeigt.
Wie es oben angegeben ist, ändert
sich in Abhängigkeit
von der Musterdichte eine Abweichung zwischen der isofokalen Dosis
Dp (ISO) und der Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC). Die
Daten der isofokalen Dosis in 7 sind die
Korrelationsdaten (1) 152, die eine Korrelation zwischen einer Musterdichte
und einer isofokalen Dosis anzeigen.
-
Im
Schritt S106 als der Differenz-Berechnungsschritt wird eine Differenz ΔDp zwischen
der isofokalen Dosis Dp (ISO) und der Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
Dp (PEC) bei jeder Musterdichte berechnet. Die Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis bedeutet
eine Dosis, bei welcher ein Nachbarschaftseffekt korrigiert worden
ist. 8 zeigt eine Korrelation zwischen einer Differenz
und einer Musterdichte gemäß dem Ausführungsbeispiel
1. In der Figur zeigt die Abszissenachse eine Musterdichte an und
zeigt die Ordinatenachse eine Differenz ΔDp an.
-
In
einem Schritt S110 als der Dosisbreiten-Berechnungsschritt wird ein Musterdimensions-Schwankungsmaß (eine
Dosisbreite (DL)) bei einer Änderung
einer Einheitsdosis der isofokalen Dosis Dp (ISO) bei jeder Musterdichte
berechnet. 9 zeigt eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Dosis und einer Musterdimension
bei der besten Brennpunktposition. In der Figur zeigt die Abszissenachse
eine Dosis an und zeigt die Ordinatenachse eine Musterdimension
CD an. Wenn das Auswertungsmuster der 3 geschrieben
wird und die Musterdimension CD gemessen wird, werden eine isofokale
Dosis Dp (ISO) und eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC)
gemessen, während
eine Dosis geändert
wird. Daher ist hierin eine Musterdimension CD in Bezug auf die
Dosisänderung
bei der besten Brennpunktposition (z = 0) gezeigt. In 9 ist
eine Dosis bei der Position, die durch einen Kreis umgeben ist,
die isofokale Dosis Dp (ISO) jeder Musterdichte. Die Kurve der Musterdimension
CD in Bezug auf die Dosis bei jeder Musterdichte, die in 9 gezeigt
ist, ist differenziert. Das bedeutet, dass d(Musterdimension CD)/d(Dosis)
berechnet wird. Dadurch ist es möglich,
ein Musterdimensions-Schwankungsmaß (eine
Dosisbreite) bei einer Änderung einer
Einheitsdosis der isofokalen Dosis Dp (ISO) bei jeder Musterdichte
zu berechnen.
-
10 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Musterdichte und einer Dosisbreite.
In der Figur ist eine berechnete Dosisbreite gezeigt. Die Abszissenachse
zeigt eine Musterdichte an und die Ordinatenachse zeigt eine Dosisbreite
an.
-
In
einem Schritt S112 als der Berechnungsschritt für ein Ausmaß einer neuen Bemaßung wird
ein Ausmaß einer
neuen Bemaßung,
das im Voraus verarbeitet werden sollte, für Dimensionen eines Entwurfsmusters für jede Musterdichte
berechnet. Ein Dimensionsschwankungsausmaß für jede Musterdichte kann durch
Multiplizieren der Differenz ΔDp,
die oben angegeben ist, mit einem Dimensionsschwankungsausmaß (einer
Dosisbreite) bei einer Änderung
einer Einheitsdosis der isofokalen Dosis berechnet werden. Das Dimensionsschwankungsausmaß für jede Musterdichte
dient als Ausmaß einer
erneuten Bemaßung ΔCD.
-
11 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebene Beziehung zwischen einer Musterdichte und einem Ausmaß einer
erneuten Bemaßung.
In der Figur zeigt die Abszissenachse eine Musterdichte an und zeigt
die Ordinatenachse ein Ausmaß einer
erneuten Bemaßung ΔCD an. Die
in 11 gezeigten Daten sind die Korrelationsdaten
(2) 154, die eine Korrelation zwischen einer Musterdichte
und einem Ausmaß einer erneuten
Bemaßung
anzeigen.
-
Wie
es oben angegeben ist, werden die Korrelation zwischen einer Musterdichte
und einer isofokalen Dosis und die Korrelation zwischen einer Musterdichte
und einem Ausmaß einer
erneuten Bemaßung
als Vorbereitungsschritt berechnet. Dann werden die berechneten
Korrelationsdaten (1) 152 und die Korrelationsdaten (2) 154 auf
dem Magnetplattenlaufwerk 109 der Unterstützungsvorrichtung 500 gespeichert.
Als nächstes werden
unter Verwendung der obigen Daten Schreibdaten, um in die Musterschreibvorrichtung 100 eingegeben
zu werden, durch die Unterstützungsvorrichtung 500 erzeugt.
-
In
einem Schritt S202 als der Musterdaten-Eingabeschritt gibt der Steuercomputer 110 Musterdaten zum
Schreiben eines Musters auf das Ziel-Werkstück 101 über die
externe I/F 124 ein. Die eingegebenen Musterdaten werden
in einer Speichervorrichtung, wie beispielsweise dem Magnetplattenlaufwerk 109 gespeichert oder "gemerkt". Diese Musterdaten
sollen die Entwurfsmusterdaten sein.
-
In
einem Schritt S204 als der Musterdichte-Berechnungsschritt teilt der Musterdichte-Berechnungsteil 112 virtuell
einen mit den Musterdaten zu beschreibenden Schreibbereich in eine
Vielzahl von gitterartigen kleinen Bereichen. Es ist für die Größe des kleinen
Bereichs vorzuziehen, dass er kleiner als der Einflussbereich σpec des
Nachbarschaftseffekts ist, wie beispielsweise etwa 1/10 des Einflussbereichs σpec.
Dann wird ein Musterbereich in jedem virtuell geteilten kleinen
Bereich (Gitterbereich) basierend auf den Musterdaten berechnet. Der
Abbildungserzeugungsteil 116 ordnet die berechnete Musterdichte
zu einem jeweiligen Gitterbereich 30 zu, um eine Musterdichteabbildung
zu erzeugen. Die erzeugte Musterdichteabbildung wird in einer Speichervorrichtung,
wie beispielsweise dem Speicher 122 oder dem Magnetplattenlaufwerk 109,
gespeichert.
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12 zeigt
ein schematisches Diagramm zum Erklären eines im Ausführungsbeispiel
1 beschriebenen Gitterbereichs. Beim Ausführungsbeispiel 1 wird, wie
es in 12 gezeigt ist, eine Berechnung
für ein
Modell durch virtuelles Teilen eines Ziel-Werkstücks 20, wie beispielsweise
einer Maske, in eine Vielzahl von kleinen Bereichen 30 (Gitterbereichen)
auf eine gitter- bzw. maschen- bzw. netzartige (gitterartige oder
gitterfensterartige) Weise von vorbestimmten Gitterdimensionen durchgeführt. Beispielsweise
ist es, um einen Nachbarschaftseffekt-Korrekturfehler auf etwa 0,5%
zu unterdrücken,
vorzuziehen, das Ziel-Werkstück 20 in
eine Vielzahl von Gittern bzw. Maschen (Bereichen) zu teilen, die
jeweils eine Gitterdimension von etwa 1 μm haben.
-
In
einem Schritt S206 als der Berechnungsschritt für eine isofokale Dosis Dp (ISO)
liest der Berechnungsteil 114 für eine isofokale Dosis die
Korrelationsdaten (1) 154 in Bezug auf eine Musterdichte
und eine isofokale Dosis vom Magnetplattenlaufwerk 109.
Dann wird unter Verwendung der durch die Korrelationsdaten (1) 152 angezeigten
Beziehung eine isofokale Dosis Dp (ISO) jedes Gitterbereichs 30 berechnet.
Da die Musterdichte in jedem Gitterbereich 30 bereits berechnet
worden ist, kann die optimale isofokale Dosis Dp (ISO) jedes Gitterbereichs 30 basierend
auf der in 7 gezeigten Korrelation berechnet
werden.
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In
einem Schritt S208 als der Dosisabbildungserzeugungsschritt ordnet
der Abbildungserzeugungsteil 116 die berechnete isofokale
Dosis Dp (ISO) jedem Gitterbereich 30 zu, um eine Dosisabbildung
zu erzeugen. Die erzeugte Dosisabbildung wird in einer Speichervorrichtung,
wie beispielsweise dem Speicher 122 oder dem Magnetplattenlaufwerk 109,
gespeichert.
-
In
einem Schritt S210 als der Berechnungsschritt für ein Ausmaß einer erneuten Bemaßung liest
der Berechnungsteil 118 für ein Ausmaß einer erneuten Bemaßung die
Korrelationsdaten (2) 154 über eine Musterdichte und ein
Ausmaß einer
erneuten Bemaßung
aus dem Magnetplattenlaufwerk 109. Dann wird unter Verwendung
der Korrelationsinformation über
eine Musterdichte und ein Ausmaß einer
erneuten Bemaßung ein
Ausmaß einer
erneuten Bemaßung
jedes Gitterbereichs 30 berechnet. Da die Musterdichte
in jedem Gitterbereich 30 bereits berechnet worden ist,
kann das Ausmaß einer
erneuten Bemaßung
jedes Gitterbereichs 30 basierend auf der in 11 gezeigten
Korrelation berechnet werden.
-
In
einen Schritt S212 als der Schritt eines erneuten Bemaßens bemaßt der Verarbeitungsteil 120 für ein erneutes
Bemaßen
eine in einen jeweiligen Gitterbereich 30 lokalisierte
Entwurfsmusterdimension durch das Ausmaß für ein erneutes Bemaßen neu,
das durch den Berechnungsteil 118 für ein Ausmaß eines erneuten Bemaßens für jeden
Gitterbereich 30 berechnet ist. 13 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebenes Beispiel eines in Musterdaten enthaltenen Entwurfsmusters
vor einem erneuten Bemaßen. 14 zeigt ein
beim Ausführungsbeispiel
1 beschriebenes Beispiel eines in Musterdaten enthaltenen Entwurfsmusters nach
einem erneuten Bemaßen.
Beispielsweise können
durch erneutes Bemaßen
der Dimensionen eines in 13 gezeigten
Entwurfsmuster 42 reduzierte Dimensionen wie ein Muster 44 nach
einem in 14 gezeigten erneuten Bemaßen erhalten
werden. Dimensionen werden durch das erneute Bemaßen in diesem
Fall reduziert, aber es kann einen Fall eines Erweiterns von Dimensionen
durch ein erneutes Bemaßen
in Abhängigkeit
von einer Musterdichte geben. Bezüglich des Ausmaßes eines
erneuten Bemaßens
werden dann, wenn Muster im selben Gitterbereich 30 sind,
Dimensionen der Muster durch dieselbe Dimension erneut bemaßt. Musterdaten
mit neu bemaßten
Entwurfsmustern werden in einer Speichervorrichtung, wie beispielsweise
dem Speicher 122 oder dem Magnetplattenlaufwerk 109,
gespeichert.
-
Wie
es oben angegeben ist, können
Daten der Dosisabbildung, bei welcher eine isofokale Dosis Dp (ISO)
einem jeweiligen Gitterbereich 30 zugeordnet ist, und neu
bemaßte
Musterdaten, welche auf Mustern sind, die in jedem Gitterbereich 30 neu
bemaßt
sind, als Schreibdaten erzeugt werden.
-
In
einem Schritt S214 als der Schreibdaten-Ausgabeschritt gibt der Steuercomputer 110 die
Schreibdaten über
die externe I/F 124 zu der Musterschreibvorrichtung 100 aus.
Die Schreibdaten enthalten, wie es oben angegeben ist, Daten der
Dosisabbildung, bei welcher eine isofokale Dosis Dp (ISO) einem
jeweiligen Gitterbereich 30 zugeordnet ist, und Musterdaten,
die auf Mustern sind, die in einem jeweiligen Gitterbereich 30 neu
bemaßt
sind.
-
In
einem Schritt S216 als der Schreibschritt gibt die Steuerschaltung 160 die
Schreibdaten von der Unterstützungsvorrichtung 500 ein
und steuert jede Struktur des Musterschreibteils 150 basierend
auf den eingegebenen Schreibdaten, um ein erwünschtes Muster auf das Ziel-Werkstück 101 zu
schreiben. Dann schreibt die Musterschreibvorrichtung 100 ein
neu bemaßtes
Entwurfsmuster unter Verwendung der isofokalen Dosis Dp (ISO), die
der Dosisabbildung für
jede Musterdichte in jedem Gitterbereich 30 vor einem erneuten
Bemaßen zugeordnet
worden ist.
-
Da
es die oben angegebene Struktur möglich macht, bei der isofokalen
Dosis zu schreiben, kann eine Dimensionsschwankung eines Musters
zur Zeit eines Brennpunktpositionsabweichungsfehlers gesteuert werden.
-
Darüber hinaus
kann deshalb, weil die Dimensionen eines Entwurfsmusters neu bemaßt sind,
das durch Schreiben mit der isofokalen Dosis erzeugte Dimensionsschwankungsausmaß gleichzeitig
korrigiert werden. Folglich ist es möglich, ein Muster mit keinem
oder einem geringen Dimensionsschwankungsfehler zu schreiben.
-
Ausführungsbeispiel 2
-
Wie
es oben angegeben ist, wird gemäß dem Ausführungsbeispiel
1 die isofokale Dosis, etc., nur in den Auswertungsmustern 12, 14 und 16,
die in 3 gezeigt sind, gemessen. Basierend auf einem
Ergebnis des Messens werden die Korrelationsdaten (1) 152 und
die Korrelationsdaten (2) 154 erzeugt. Dann wird basierend
auf diesen Daten und einer Musterdichte in einem Gitter, in welchem
der Nachbarschaftseffekt berücksichtigt
ist, was später
detailliert erklärt
wird, eine isofokale Dosis für
den Fall eines Schreibens von Entwurfsmusterdaten berechnet. Ein
Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
wird auf gleiche Weise auch berechnet. Wenn ein Einfluss um die
Auswertungsmuster 12, 14 und 16 berücksichtigt
wird, kann weiterhin eine äußerst präzise isofokale
Dosis, etc., gemessen werden. Aus diesem Grund wird bei einem Ausführungsbeispiel
2 die Struktur in dem Fall eines Berücksichtigens des Einflusses
um das Auswertungsmuster erklärt
werden. Die Strukturen der Unterstützungsvorrichtung 500 und
der Musterschreibvorrichtung 100 beim Ausführungsbeispiel
2 sind dieselben wie diejenigen des Ausführungsbeispiels 1. Darüber hinaus
sind die Schritte bis zu dem Schreiben dieselben wie diejenigen
des Ausführungsbeispiels
1, außer
einem Berücksichtigen
eines Einflusses eines peripheren Musters.
-
Das
Elektronenstrahl-Schreibverfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel 2 wird hierin
nachfolgend erklärt
werden. Um damit zu beginnen, wird eine Korrelation zwischen einer ersten
und einer zweiten Musterdichte und einer isofokalen Dosis als Vorbereitungsschritt
berechnet. Die Korrelation zwischen der ersten und der zweiten Musterdichte
und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
wird auch berechnet. Die erste Musterdichte ist eine Musterdichte
in einem gitterartigen kleinen Bereich, der derart virtuell geteilt
ist, um in einer Größe zu sein,
die den Einfluss eines Nachbarschaftseffekts berücksichtigt. Vorzugsweise ist
die Größe der ersten
Musterdichte kleiner als der Einflussbereich σpec des
Nachbarschaftseffekts, wie beispielsweise etwa 1/10 des Einflussbereichs σpec,
wie es oben angegeben ist. Beispielsweise ist es bevorzugt, die
Größe von 1 μm in jeweils
den Richtungen X und Y zu verwenden. Dieser kleine Bereich, in welchem
der Nachbarschaftseffekt berücksichtigt
wird, wird hierin nachfolgend Nachbarschaftseffektgitter oder Nachbarschaftseffektbereich
genannt. Andererseits ist die zweite Musterdichte eine Musterdichte
in einem gitterartigen kleinen Bereich, der derart virtuell aufgeteilt
ist, um in einer Größe zu sein,
die einen Einfluss peripherer Muster berücksichtigt. Vorzugsweise ist
die Größe der zweiten
Musterdichte kleiner als der Einflussbereich σglobal des
Verdunkelungs- oder des Ladeeffekts, wie beispielsweise etwa 1/10
des Einflussbereichs σglobal. Beispielsweise ist es bevorzugt,
die Größe von 500 μm in jeweils
den Richtungen X und Y zu verwenden. Dieser kleine Bereich wird hierin
nachfolgend globales Gitter oder globaler Bereich genannt.
-
In
einem Schritt 102 als der Messschritt für eine isofokale Dosis Dp (ISO)
für jede
Musterdichte wird eine isofokale Dosis Dp (ISO) für jedes
Muster in Bezug auf Muster einer Vielzahl von Musterdichten mit
verschiedenen ersten und zweiten Musterdichten gemessen. Das bedeutet,
dass eine isofokale Dosis Dp (ISO) für jede Kombination der ersten
und der zweiten Musterdichte gemessen wird.
-
15 zeigt
ein Beispiel eines beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebenen Auswertungsmusters. Ein globales Auswertungsmuster,
das aus der Gruppe von Auswertungsmustern 12–16 zusammengesetzt
ist, die in 3 gezeigt sind, und drei Typen
von peripheren Mustern um die Gruppe von Auswertungsmustern 12–16 werden
als Beispiel auf ein Auswertungssubstrat 50 geschrieben.
Das erste globale Auswertungsmuster ist ein globales Auswertungsmuster 20,
bei welchem die Musterdichte des peripheren Musters um die Gruppe
von Auswertungsmustern 12–16 als etwa 0% angesehen
werden kann. Das zweite globale Auswertungsmuster ist ein globales
Auswertungsmuster 22, bei welchem die Musterdichte des
peripheren Musters um die Gruppe von Auswertungsmustern 12–16 50%
ist. Das dritte globale Auswertungsmuster ist ein globales Auswertungsmuster 24,
bei welchem die Musterdichte des peripheren Musters als etwa 100%
angesehen werden kann. 15 zeigt zwei Muster, nämlich das
globale Auswertungsmuster 20 und das globale Auswertungsmuster 22.
Das bedeutet, dass die zwei Muster, nämlich das globale Auswertungsmuster 20 und
das globale Auswertungsmuster 22, auf dieses Auswertungssubstrat 50 geschrieben
werden. Darüber
hinaus werden auf ein anderes Auswertungssubstrat 50 vom
selben Typ das globale Auswertungsmuster 20 und das globale
Auswertungsmuster 24 geschrieben. Die Kombination aus globalen
Auswertungsmustern die auf jedes Auswertungssubstrat 50 zu
schreiben sind, ist nicht auf diese beschränkt. Was nötig ist, besteht nur in einem
Schreiben von drei globalen Auswertungsmustern 20, 22 und 24.
Wenn ein Bereich für
das periphere Muster sicherbar bzw. garantierbar ist, können drei
globale Auswertungsmuster 20, 22 und 24 auf
dasselbe Substrat geschrieben werden. Wenn beispielsweise die Größe der Gruppe
von Auswertungsmustern 12–16 500 Quadrat-μm ist, ist
es für
die Größe des globalen
Auswertungsmusters vorzuziehen, 4 Quadrat-cm oder größer zu sein.
Was erforderlich ist, besteht nur im Vorbereiten eines peripheren
Musters mit etwa 2 cm aus der Peripherie des Auswertungsmusters 10.
Die optimale isofokale Dosis Dp (ISO) in jedem Auswertungsmuster
wird gemessen, während
eine Brennpunktposition und eine Dosis durch die Musterschreibvorrichtung 100 geändert wird,
und zwar unter Verwendung des Auswertungssubstrats 50,
auf welchem ein Schutzschichtfilm aufgetragen ist. Beim Messen wird
eine Musterbreitendimension CD, die in 3 gezeigt
ist, eines Schutzschichtmusters, für welches Schreib- und Verarbeitungsprozeduren
durchgeführt
worden sind, gemessen.
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In
einem Schritt S104 als der Messschritt für eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis
Dp (PEC) für jede
Musterdichte wird eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC)
gemessen, während
Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
geändert
werden. Das Messen wird für jede
Musterdichte in Bezug auf Muster einer Vielzahl von Musterdichten
durchgeführt.
Gleich dem Fall eines Messens der isofokalen Dosis Dp (ISO) wird
eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC) gemessen, während eine
Brennpunktposition und eine Dosis durch die Musterschreibvorrichtung 100 geändert wird,
und zwar unter Verwendung des Auswertungssubstrats 50,
auf welchem ein Schutzschichtfilm aufgetragen ist. Beim Messen wird
eine in 3 gezeigte Musterbreitendimension
CD eines Schutzschichtmusters, für
welches Schreib- und Verarbeitungsprozeduren durchgeführt worden
sind, wie beim obigen Fall gemessen.
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16 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 0% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 0%.
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17 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 0% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 50%.
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18 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 0% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 100%.
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19 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 50% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 0%.
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20 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 50% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 50%.
-
21 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 50% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 100.
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22 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 100% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 0%.
-
23 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 100% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 50%.
-
24 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Brennpunktposition und einer
Musterbreitendimension in Bezug auf die isofokale Dosis und die
Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis in einem Nachbarschaftseffektbereich
mit einer Musterdichte von 100% und einem globalen Bereich mit einer
Musterdichte von 100%.
-
In
den 16 bis 24 zeigt
die Abszissenachse eine Brennpunktposition (ein Defokussierungsausmaß) an und
zeigt die Ordinatenachse eine Musterbreitendimension wie bei den 4 bis 6 an.
-
25 zeigt
eine die beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer isofokalen Dosis und Musterdichten
in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich.
In der Figur ist die isofokale Dosis Dp (ISO) bei der besten Brennpunktposition
bei jeder Musterdichte gezeigt. Es kann verstanden werden, dass
die Dosis Dp (ISO) bei jeder Musterdichte im Nachbarschaftseffektbereich
in Abhängigkeit
von einer Musterdichte im globalen Bereich variiert. Darüber hinaus
sind die Daten der isofokalen Dosis in 25 auch
Korrelationsdaten, die eine Korrelation zwischen Musterdichten im
globalen Bereich und im Nachbarschaftseffektbereich und der isofokalen
Dosis anzeigen. Obwohl 25 eine zweidimensionale Kurve zeigt,
um auf einfache Weise angeschaut zu werden, sind es dreidimensionale
Korrelationsdaten, bei welchem jede Achse jeweils eine Dosis Dp
(ISO), eine Musterdichte im Nachbarschaftseffektbereich und eine
Musterdichte im globalen Bereich anzeigt. Diese Korrelationsdaten
werden beim Ausführungsbeispiel
2 auf dem Magnetplattenlaufwerk 109 als die Korrelationsdaten
(1) 152 gespeichert.
-
26 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis und
Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich. In
der Figur ist eine Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp (PEC)
bei der besten Brennpunktposition bei jeder Musterdichte gezeigt.
Es kann verstanden werden, dass die Dosis Dp (PEC) bei jeder Musterdichte
im Nachbarschaftseffektbereich auch in Abhängigkeit von einer Musterdichte
im globalen Bereich variiert.
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In
einem Schritt S106 als der Differenz-Berechnungsschritt wird eine Differenz ΔDp zwischen
einer isofokalen Dosis Dp (ISO) und einer Nachbarschaftseffekt-Korrekturdosis Dp
(PEC) für
jede Kombination von Musterdichten in einem globalen Bereich und
einem Nachbarschaftseffektbereich berechnet.
-
In
einem Schritt S110 als der Dosisbreiten-Berechnungsschritt wird ein Musterdimensions-Schwankungsausmaß (= eine
Dosisbreite) bei einer Änderung
einer Einheitsdosis der isofokalen Dosis Dp (ISO) in jeder Kombination
von Musterdichte in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
berechnet. Das Berechnungsverfahren der Dosisbreite ist dasselbe
wie dasjenige des Ausführungsbeispiels
1.
-
In
einem Schritt S112 als der Berechnungsschritt für ein Ausmaß eines erneuten Bemaßens wird
ein Ausmaß eines
erneuten Bemaßens,
welches im Voraus für
Dimensionen eines Entwurfsmusters verarbeitet werden sollte, für jede Kombination
von Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
berechnet. Ein Dimensionsschwankungsausmaß für jede Kombination von Musterdichten
kann durch Multiplizieren der Differenz ΔDp, die oben angegeben ist,
mit einem Dimensionsschwankungsausmaß (einer Dosisbreite) bei einer Änderung
einer Einheitsdosis der isofokalen Dosis berechnet werden. Das Dimensionsschwankungsausmaß für jede Kombination
von Musterdichten dient als Ausmaß eines erneuten Bemaßens ΔCD.
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27 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene Beziehung zwischen einer Kombination von Musterdichten
und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens.
In der Figur zeigt die Abszissenachse eine Musterdichte in einem
Nachbarschaftseffektbereich an und zeigt die Ordinatenachse ein
Ausmaß eines
erneuten Bemaßens ΔCD an. 27 zeigt
die Musterdichten von 0%, 50% und 100% in einem globalen Bereich, um
auf einfache Weise angeschaut zu werden. 28 zeigt
eine beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebene dreidimensionale Korrelation zwischen einer Kombination
von Musterdichten und einem Ausmaß eines erneuten Bemaßens. Obwohl 27 eine
zweidimensionale Kurve zeigt, um auf einfache Weise angeschaut zu werden,
gibt es dreidimensionale Korrelationsdaten, wie es in 28 gezeigt
ist, wobei eine Korrelation unter einem Ausmaß eines erneuten Bemaßens, einer
Musterdichte in einem Nachbarschaftseffektbereich und einer Musterdichte
in einem globalen Bereich durch die Achsen angezeigt ist. Diese
Korrelationsdaten werden gemäß dem Ausführungsbeispiel
2 auf dem Magnetplattenlaufwerk 109 als die Korrelationsdaten
(2) 154 gespeichert.
-
Als
der Vorbereitungsschritt, wie er oben angegeben ist, werden eine
Korrelation zwischen einer Kombination von Musterdichten in einem
globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich und einer
isofokalen Dosis und eine Korrelation zwischen einer Kombination
von Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
berechnet. Als Nächstes
werden unter Verwendung der obigen Daten Schreibdaten, um in die
Musterschreibvorrichtung 100 eingegeben zu werden, durch
die Unterstützungsvorrichtung 500 erzeugt.
-
In
einem Schritt S202 als der Musterdaten-Eingabeschritt gibt der Steuercomputer 110 Musterdaten (Entwurfsmusterdaten)
zum Schreiben eines Musters auf das Ziel-Werkstück 101 ein. Die eingegebenen
Musterdaten werden in einer Speichervorrichtung, wie beispielsweise
dem Magnetplattenlaufwerk 109, gespeichert.
-
In
einem Schritt S204 als der Musterdichte-Berechnungsschritt teilt der Musterdichte-Berechnungsteil 112 virtuell
einen Schreibbereich, um mit den Musterdaten beschrieben zu werden,
in eine Vielzahl von gitterartigen globalen Bereichen auf. Gleichermaßen teilt
der Musterdichte-Berechnungsteil 112 virtuell
den Schreibbereich in eine Vielzahl von gitterartigen Nachbarschaftseffektbereichen
auf.
-
29 zeigt
ein beim Ausführungsbeispiel
2 beschriebenes schematisches Diagramm zum Erklären eines Gitterbereichs. Beim
Ausführungsbeispiel
2 wird, wie es in 29 gezeigt ist, ein Modell durch
virtuelles Aufteilen eines Ziel-Werkstücks, wie beispielsweise einer
Maske, in einen Maschen- bzw. Netzbereich (Gitterbereich) berechnet,
der aus einer Vielzahl von kleinen Bereichen auf eine maschenartige
(gitterartige oder gitteranordnungsartige) Weise von vorbestimmten
Gitterdimensionen zusammengesetzt ist. Beispielsweise kann er virtuell
in Maschen bzw. Gitter (Bereiche) aufgeteilt sein, die jeweils eine
Gitterdimension von etwa 500 μm als
ein globaler Bereich haben. Darüber
hinaus kann er in Gitter (Bereiche) aufgeteilt sein, die jeweils
eine Gitterdimension von etwa 1 μm
als ein Nachbarschaftseffektbereich haben.
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Der
Musterdichte-Berechnungsteil 112 berechnet eine Musterdichte
in jedem globalen Bereich basierend auf Musterdaten. Eine Musterdichte ρglobal (x)
in einem globalen Bereich kann basierend auf der folgenden Gleichung
(1) berechnet werden. Obwohl die Gleichung hierin in Bezug auf die
x-Richtung ausgebildet ist, um auf einfache Weise verstanden zu
werden, muss auch die y-Richtung berücksichtigt werden.
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Der
Abbildungserzeugungsteil 116 ordnet die berechnete Musterdichte
im globalen Bereich einem jeweiligen Gitterbereich zu, um eine Musterdichteabbildung
zu erzeugen. Die erzeugte Musterdichteabbildung des globalen Bereichs
wird in einer Speichervorrichtung, wie beispielsweise dem Speicher 122 oder
dem Magnetplattenlaufwerk 109, gespeichert. Gleichermaßen berechnet
der Musterdichte-Berechnungsteil 112 eine Musterdichte
in jedem Nachbarschaftseffektbereich basierend auf den Musterdaten.
Eine Musterdichte ρpec(x) in einem Nachbarschaftseffektbereich
kann basierend auf der folgenden Gleichung (2) berechnet werden.
Obwohl die Gleichung hierin in Bezug auf die x-Richtung ausgebildet
ist, um auf einfache Weise verstanden zu werden, muss auch die y-Richtung berücksichtigt
werden.
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Der
Abbildungserzeugungsteil 116 ordnet die berechnete Musterdichte
im Nachbarschaftseffektbereich einem jeweiligen Gitterbereich zu,
um eine Musterdichteabbildung zu erzeugen. Die erzeugte Musterdichteabbildung
des Nachbarschaftseffektbereichs wird auch in der Speichervorrichtung,
wie beispielsweise dem Speicher 122 oder dem Magnetplattenlaufwerk 109,
gespeichert.
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In
einem Schritt S206 als der Berechnungsschritt für eine isofokale Dosis Dp (ISO)
liest der Berechnungsteil 114 für eine isofokale Dosis die
Korrelationsdaten (1) 152 über eine Musterdichte und eine
isofokale Dosis aus dem Magnetplattenlaufwerk 109. Dann
wird unter Verwendung der durch die Korrelationsdaten (1) 152 angezeigten
Beziehung eine isofokale Dosis Dp (ISO) entsprechend einer Kombination
von Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
berechnet.
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In
einem Schritt S208 als der Dosisabbildungs-Erzeugungsschritt ordnet der Abbildungserzeugungsteil 116 die
durch den Berechnungsteil 114 für eine isofokale Dosis berechnete
isofokale Dosis Dp (ISO) einem jeweiligen Nachbarschaftseffektbereich
zu, um eine Dosisabbildung zu erzeugen. Die erzeugte Dosisabbildung
wird in einer Speichervorrichtung, wie beispielsweise dem Speicher 122 oder
dem Magnetplattenlaufwerk 109, gespeichert.
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In
einem Schritt S210 als der Berechnungsschritt für ein Ausmaß eines erneuten Bemaßens liest
der Berechnungsteil 118 für ein Ausmaß eines erneuten Bemaßens die
Korrelationsdaten (2) 154 über eine Korrelation zwischen
Musterdichten in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
und einem Ausmaß eines
erneuten Bemaßens
aus dem Magnetplattenlaufwerk 109. Dann wird unter Verwendung
der Korrelationsinformation ein Ausmaß eines erneuten Bemaßens in
Bezug auf eine Kombination von Musterdichten in einem globalen Bereich
und einem Nachbarschaftseffektbereich für jeden Nachbarschaftseffektbereich
berechnet.
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In
einem Schritt S212 als der Schritt für ein erneutes Bemaßen bemaßt der Verarbeitungsteil 120 für ein erneutes
Bemaßen
eine in einem jeweiligen Nachbarschaftseffektbereich lokalisierte
Entwurfsmusterdimension durch das Ausmaß eines erneuten Bemaßens neu,
das durch den Berechnungsteil 118 für ein Ausmaß eines erneuten Bemaßens berechnet
ist, für
jeden Nachbarschaftseffektbereich.
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Wie
es oben angegeben ist, können
Schreibdaten erzeugt werden durch Verwenden von Daten einer Dosisabbildung,
wobei eine unter Berücksichtigung
einer Musterdichte in einem globalen Bereich berechnete isofokale
Dosis Dp (ISO) einem jeweiligen Nachbarschaftseffektbereich zugeordnet
ist, und von Musterdaten in jedem Nachbarschaftseffektbereich, die
durch Durchführen
eines erneuten Bemaßens
unter Berücksichtigung
einer Musterdichte im globalen Bereich erzeugt sind.
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In
einem Schritt S214 als der Schreibdaten-Ausgabeschritt gibt der Steuercomputer 110 die
oben angegebenen Schreibdaten zur Musterschreibvorrichtung 100 aus.
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In
einem Schritt S216 als der Schreibschritt gibt die Steuerschaltung 160 die
Schreibdaten von der Unterstützungsvorrichtung 500 ein
und steuert jede Struktur des Musterschreibteils 150 basierend
auf den eingegebenen Schreibdaten, um ein erwünschtes Muster auf das Ziel-Werkstück 101 zu
schreiben. Dann schreibt die Musterschreibvorrichtung 100 ein
neu bemaßtes
Entwurfsmuster unter Verwendung der isofokalen Dosis Dp (ISO), die
der Dosisabbildung zugeordnet worden ist, für jede Kombination von Musterdichten
in einem globalen Bereich und einem Nachbarschaftseffektbereich
in jedem Gitterbereich vor einem erneuten Bemaßen.
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Die
oben angegebene Struktur macht es möglich, ein hochpräzises Muster
zu schreiben, bei welchem eine Musterdichte in einem globalen Bereich
berücksichtigt
worden ist.
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Verarbeitungsinhalte
und Operationsinhalte von dem, was in der obigen Beschreibung durch "Teil" oder "Schritt" ausgedrückt ist,
können
durch ein computerausführbares
Programm konfiguriert sein. Es kann durch ein Softwareprogramm ausgeführt werden,
oder alternativ dazu durch irgendeine Kombination von Software,
Hardware und/oder Firmware. Wenn es durch ein Programm konfiguriert
ist, ist das Programm auf ein Aufzeichnungsmedium, wie beispielsweise
ein Magnetplattenlaufwerk, ein Magnetbandlaufwerk, eine FD, einen
ROM (Nurlesespeicher), eine DVD, eine CD oder eine MD, aufzeichenbar
oder speicherbar. Beispielsweise wird es auf ein Magnetplattenlaufwerk 146 aufgezeichnet.
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Darüber hinaus
kann der Steuercomputer 110, der in 2 als Computer
dient, über
einen nicht dargestellten Bus mit einem RAM (Direktzugriffsspeicher),
einem ROM und einem Magnetplatten-(HD-)Laufwerk, der bzw. das als
Beispiel einer Speichervorrichtung dient, einer Tastatur (K/B) und
einer Maus, die als Beispiel einer Eingabeeinrichtung dienen, einem
Monitor und einem Drucker, die als Beispiel einer Ausgabeeinrichtung dienen,
oder einer externen Schnittstelle (I/F), FD, DVD, CD, etc., die
als Beispiel einer Eingabe/Ausgabe-Einrichtung dienen, verbunden
sein.
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Wie
es oben angegeben ist, sind die Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme
auf konkrete Beispiele beschrieben worden. Jedoch ist die vorliegende
Erfindung nicht auf diese konkreten Beispiele beschränkt. Beispielsweise
wird bei den Ausführungsbeispielen
eine Dosisabbildung, bei welcher eine isofokale Dosis Dp (ISO) einem
jeweiligen Gitterbereich 30 zugeordnet ist, erzeugt, aber
sie ist nicht auf die Abbildung beschränkt. Tabellendaten, etc., bei
welchen ein Koordinatenwert und eine Dosis Dp (ISO) korreliert sind,
können
beispielsweise ausreichend sein. Irgendwelche Daten, durch welche
eine Dosis Dp (ISO) bei einer Bestrahlungsposition spezifiziert
werden kann, sind zu verwenden. Gleichermaßen ist, obwohl eine Musterdichteabbildung,
bei welcher eine Musterdichte einem jeweiligen Gitterbereich 30 zugeordnet
ist, erzeugt ist, sie nicht auf die Abbildung beschränkt. Tabellendaten,
etc., bei welchen ein Koordinatenwert und eine Musterdichte korreliert
sind, können
beispielsweise ausreichend sein. Irgendwelche Daten, durch welche
eine Musterdichte bei einer Bestrahlungsposition spezifiziert werden
kann, sind zu verwenden. Dasselbe gilt für ein globales Gitter.
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Darüber hinaus
sollte sich die vorliegende Erfindung nicht auf den beabsichtigten
Zweck einer Elektronenstrahl-Musterschreibvorrichtung
beschränken.
Beispielsweise ist zusätzlich
zu dem beabsichtigten Zweck eines Ausbildens eines Schutzschichtmusters
direkt auf einer Maske oder einem Wafer eine Elektronenstrahl-Musterschreibvorrichtung
auf den Fall eines Herstellens einer Maske für Fotointervallschalter, einer Röntgenstrahlmaske,
etc. anwendbar. Darüber
hinaus ist bei den Ausführungsbeispielen
eine Schreibdaten-Erzeugungsvorrichtung
am Äußeren der
Musterschreibvorrichtung 100 als die Unterstützungsvorrichtung 500 angeordnet,
aber sie kann derart strukturiert sein, dass sie in der Musterschreibvorrichtung 100 als
Teil enthalten ist. Weiterhin ist in den 13 und 14 das
Entwurfsmuster als Rechteck (alle Winkel sind 90 Grad) als Beispiel
gezeigt, aber es ist nicht darauf beschränkt. Ein allgemeines zweidimensionales
Muster, wie beispielsweise ein Dreieck, ein Kreis, eine Ellipse,
ein Ring und dasjenige mit einer schrägen Linie mit einem beliebigen
Winkel, kann verwendet werden.
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Vorrichtungskonfigurationen,
Steuerverfahren, etc., die nicht direkt beim Erklären der
vorliegenden Erfindung erforderlich sind, sind hierin nicht spezifisch
beschrieben. Jedoch kann eine nötige
Vorrichtungskonfiguration und ein nötiges Steuerverfahren auf geeignete
Weise ausgewählt
und verwendet werden. Beispielsweise sollte es, während eine
Konfiguration einer Steuereinheit zum Steuern der Musterschreibvorrichtung 100 nicht
detailliert beschrieben ist, verstanden werden, dass eine benötigte Steuereinheitenkonfiguration
auf geeignete Weise ausgewählt
und verwendet werden kann. Darüber
hinaus kann die Unterstützungsvorrichtung 500 ein
Computergerät,
wie beispielsweise ein Personalcomputer (P/C) und eine Workstation,
oder eine Arithmetikschaltungskarte sein.
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Weiterhin
sind irgendein anderes Schreibverfahren von geladenen Partikelstrahlen,
eine Schreibvorrichtung von geladenen Partikelstrahlen, ein Schreibdaten-Erzeugungsverfahren
und eine Schreibdaten-Erzeugungsvorrichtung,
die Elemente der vorliegenden Erfindung enthalten und die bezüglich des
Entwurfs durch Fachleute auf dem Gebiet modifizierbar sind, und
ein Programm, das veranlasst, dass ein Computer Operationen in Bezug
auf das Obige ausführt,
innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung enthalten.
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Zusätzliche
Vorteile und Modifikationen werden Fachleuten auf dem Gebiet ohne
weiteres einfallen. Daher ist die Erfindung in ihren breiten Aspekten
nicht auf die spezifischen Details und die repräsentativen Ausführungsbeispiele
beschränkt,
die hierin gezeigt und beschrieben sind. Demgemäß können verschiedene Modifikationen
durchgeführt
werden, ohne vom Sinngehalt oder Schutzumfang des allgemeinen erfinderischen
Konzepts abzuweichen, wie es durch die beigefügten Ansprüche und ihre Äquivalente
definiert ist.