DE102004009998B4 - Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode - Google Patents

Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode Download PDF

Info

Publication number
DE102004009998B4
DE102004009998B4 DE200410009998 DE102004009998A DE102004009998B4 DE 102004009998 B4 DE102004009998 B4 DE 102004009998B4 DE 200410009998 DE200410009998 DE 200410009998 DE 102004009998 A DE102004009998 A DE 102004009998A DE 102004009998 B4 DE102004009998 B4 DE 102004009998B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
base
circuit board
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE200410009998
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004009998A1 (de
Inventor
Nodoka Fujiyoshida Oishi
Koichi Fujiyoshida Fukasawa
Sadato Fujiyoshida Imai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of DE102004009998A1 publication Critical patent/DE102004009998A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004009998B4 publication Critical patent/DE102004009998B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

Licht ausstrahlende Diode (20), umfassend:
eine Basis (21, 31, 41), die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und ein rechteckiges Parallelepiped aufweist;
eine Leiterplatte (22), die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis (21, 31, 41) befestigt ist, wobei
die Leiterplatte (22) eine Öffnung (22b) aufweist, welche eine Montagefläche (21c) auf der oberen Oberfläche der Basis (21, 31, 41) freilegt;
leitende Muster (23, 24), welche Anoden- und Kathoden-Muster aufweisen, die auf der Leiterplatte (22) ausgebildet sind;
ein Licht ausstrahlendes Diode-Element (25), welches eine Anode und eine Kathode an einer oberen Oberfläche des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes (25) aufweist, und auf der oberen Oberfläche der Basis (21, 31, 41) an der Montagefläche (21c) befestigt ist; und
Verbindungsmittel (26a–26d) für das elektrische Verbinden des Licht ausstrahlenden Diode-Elements mit den leitenden Mustern,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Verbindungsmittel (26a, 26d) vier...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Licht ausstrahlende Diode (LED) großer Helligkeit, die ein Licht ausstrahlendes Diode-Element (LED-Elementumfasst, und auf ein Verfahren für das Herstellen der LED und insbesondere auf das LED-Element und die Licht ausstrahlende Vorrichtung, die in Bezug auf eine Wärmeabstrahlung verbessert ist.
  • Das LED-Element aus einem Verbindungshalbleiter wird durch seine lange Lebensdauer und die kleine Größe verbreitet verwendet. Weiterhin wurde ein LED-Element aus einem GaN-Halbleiter, das blaues Licht ausstrahlt, produziert, und die LED, die ein solches LED-Element umfasst, als eine kleine Hintergrundbeleuchtung bei einem tragbaren Telefon und einer Fahrzeuganzeige verwendet wird, wobei das Feld der Verwendung in der hohe Helligkeit und eine hohe Leistung aufweist, ausgedehnt wird.
  • In den letzten Jahren wurden durch die Massenproduktion und die Miniaturisierung der LED verschiedene LEDS für die Oberflächenmontage produziert. Wenn jedoch solche LEDS bei hoher Helligkeit und hoher Leistung betrieben werden, so ergibt sich das Problem der Wärmeabstrahlung. Wenn nämlich der Ansteuerstrom erhöht wird, um die Helligkeit zu erhöhen, so erhöht sich der elektrische Leistungsverlust im Verhältnis zur Zunahme des Ansteuerstroms, und das Meiste der elektrischen Energie wird in Wärme umgewandelt, wodurch die LED auf eine hohe Temperatur gebracht wird. Die Lichtausstrahlungseffi zienz (die Effizienz der Umwandlung des Stroms in Licht) der LED nimmt ab, wenn die Temperatur der LED hoch ist. Weiterhin verkürzt sich die Lebensdauer des LED-Elements, und die Transparenz der Harzabdeckung des LED-Elements nimmt durch eine Farbänderung dieser bei hoher Temperatur ab, was bewirkt, dass die Zuverlässigkeit der LED reduziert wird.
  • Um diese Probleme zu lösen, sind verschiedene Wärmeabstrahlvorrichtungen vorgeschlagen worden. Als eine Vorrichtung wurde eine LED vorgeschlagen, bei dem ein Paar von leitenden Elementen, die aus einem wärmeleitenden Metall hergestellt sind, an einem Isolationselement befestigt werden, und bei dem ein LED-Element auf den leitenden Elementen montiert wird. Die offengelegte japanische Patentanmeldung JP 11-307 820 beschreibt eine solche LED.
  • 16 ist eine perspektivische Ansicht, die die konventionelle LED zeigt.
  • Die LED 1 umfasst ein Paar leitende Elemente 2a und 2b, die aus einem Metall hergestellt sind, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, ein Isolationselement 3, das aus einem Harz hergestellt ist, für das Isolieren der leitenden Elemente 2a und 2b und das Kombinieren der Elemente. Das Isolationselement 3 weist eine Öffnung 3a, die eine länglich kreisförmige Form besitzt, auf. Ein Teil jeder der leitfähigen Elemente 2a, 2b ist in der Öffnung freigelegt. Ein LED-Element 4 ist an den freigelegten Teilen der leitenden Elemente 2a, 2b befestigt, so dass das LED-Elemente 4 elektrisch und thermisch mit den leitenden Elementen 2a und 2b verbunden ist. Das LED-Element 4 ist durch ein transparentes Abdichtelement 5 eingekapselt.
  • Die LED 1 ist auf einem Drucksubstrat 6 montiert, und die leitenden Elemente 2a und 2b sind mit einem Paar leitender Muster 6a und 6b durch Lot verbunden.
  • Wenn ein Ansteuerstrom an das LED-Element 4 von den Mustern 6a und 6b durch die leitenden Elemente 2a und 2b angelegt wird, so strahlt das LED-Element 4 Licht ab. Die Wärme, die in dem LED-Element 4 durch einen Leistungsverlust erzeugt wird, wird zum Drucksubstrat 6 durch die leitenden Elemente 2a und 2b übertragen, so dass die Wärme effizient vom Drucksubstrat 6 abgestrahlt wird, wenn das Substrat aus einem Material, das eine hoher Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt ist.
  • Eine andere konventionelle Wärmeabstrahlvorrichtung ist in der offengelegten japanischen Patentanmeldung JP 2002-252 373 A offenbart. In dieser Vorrichtung sind eine Basis für das Montieren eines LED-Elementes und Leiterrahmen als Anschlusselektroden aus demselben Material hergestellt, und die Basis und die Leiterrahmen sind auf demselben Niveau angeordnet, und die Basis wird direkt auf einem Substrat montiert.
  • 17 ist eine Schnittansicht, die die konventionelle LED zeigt. Die LED 10 umfasst eine Basis 11 und ein Paar Leiterrahmen 12a und 12b, die aus demselben leitenden Material hergestellt und sicher auf einem Drucksubstrat 16 durch Lot 17 montiert sind, so dass die Basis 11 und die Leiterrahmen 12a, 12b auf derselben Ebene positioniert und thermisch miteinander kombiniert sind. Ein LED-Element 13 ist auf dem Boden der Basis 11 montiert, um somit thermisch mit der Basis 11 verbunden zu werden.
  • Die Anode und die Kathode des LED-Elementes 13 sind elektrisch mit den Leiterrahmen 12a, 12b durch Leiterdrähte 14a und 14b verbunden. Ein transparentes Harz 15 kapselt das LED-Element 13, die Leiterrahmen 12a, 12b und die Drähte 14a, 14b ein.
  • Wenn ein Ansteuerstrom an das LED-Element 13 von dem Drucksubstrat 16 durch die Leiterrahmen 12a und 12b angelegt wird, so sendet das LED-Element 13 Licht aus. Die Wärme, die in dem LED-Element 13 durch einen Leistungsverlust erzeugt wird, wird durch die Basis 11 auf das Drucksubstrat 16 übertragen, so dass die Wärme effizient vom Drucksubstrat 16 abgestrahlt wird, wenn das Substrat aus einem Material, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt ist.
  • Als andere Vorrichtung wird vorgeschlagen, dass Durchgangsöffnungen in das Drucksubstrat 16 durch leitende Muster ausgebildet werden, und dass Wärmeabstrahlungselemente auf der Unterseite des Drucksubstrats angeordnet sind, so dass Wärme zu den Wärmeabstrahlungselementen überführt wird.
  • In der LED, das in 16 gezeigt ist, kann, wenn das Drucksubstrat 6 aus einem Material, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, wie einem Metallkernsubstrat, hergestellt ist, eine Wärmeabstrahlungswirkung erwartet werden.
  • Das Drucksubstrat 6 ist jedoch im allgemeinen aus einem billigen Material, wie einem Epoxidharz, das eine niedrige Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt. Die Wärmeleitfähigkeit des Epoxidharzes beträgt nämlich einige Hundertstel einer Kupferlegierung, die als das Material des Metallkernsubstrats verwendet wird. Somit wird die Wärme nicht ausreichend auf das Drucksubstrat überführt, so dass die Temperatur des LED-Elementes erhöht und die Qualität der LED erniedrigt wird.
  • Ein Metallkern kann jedoch durch die hohen Herstellungskosten nicht verwendet werden. Weiterhin ergibt sich das Problem, dass eine hohe Montagedichte unmöglich ist, da es schwierig ist, eine Verdrahtung auf beiden Seiten eines Metallkerns herzustellen. Zusätzlich ist es notwendig, die Oberfläche des Metallkernsubstrats durch das Vorsehen einer Isolationsschicht auf dem Substrat zu isolieren, da es sich beim Me tallkern um ein leitendes Material handelt. Die Isolationsschicht reduziert jedoch die Wärmeleitfähigkeit und erniedrigt die Wärmeabstrahlungswirkung.
  • Die LED 10 der 17 weist ebenfalls dieselben Probleme wie die LED der 16 auf. Da die Basis direkt am Drucksubstrat 16 befestigt wird, muss die Wärmeleitung von der Basis zum Drucksubstrat 16 wirksam sein. Wenn jedoch das Drucksubstrat 16 aus Epoxidharz hergestellt ist, so kann keine Wärmeabstrahlungswirkung erwartet werden. Wenn weiterhin die leitenden Durchgangsöffnungen zwischen der Basis 11 und den Wärmeabstrahlungselementen, die an der Unterseite des Drucksubstrats 16 angeordnet sind, vorgesehen sind, ist die Wärmeverbindung zwischen ihnen nicht so wirksam, und somit kann keine große Verbesserung der Wärmeabstrahlung erzielt werden.
  • WO 02/097 884 A1 beschreibt ein LED-Modul, das eine Vielzahl von LEDs aufweist. Jede LED ist an einer elektrischisolierenden Basis befestigt. Darüber hinaus sind die Basen an einem Substrat befestigt, das als Wärmeableitelement funktioniert. Optional können die LEDs direkt an dem wärmeableitenden Substrat befestigt werden. Des Weiteren umfasst das LED-Modul ein Wärmeabstrahlungselement, an dem die Basen oder das wärmeableitende Element befestigt sind, ein wärmeleitender Kern und wärmeleitende Rippen.
  • US 6 498 355 B1 beschreibt eine Anordnung von Licht ausstrahlenden Dioden umfassend ein Metallsubstrat, ein auf dem Metallsubstrat vorgesehenes elektrische Layer, ein auf dem Metallsubstrat vorgesehenes wärmeleitende Element, und eine lichtausstrahlende Diode, die auf dem wärmeleitenden Element durch thermische Verbindung befestigt ist.
  • US 6 501 103 B1 beschreibt eine Anordnung von Licht ausstrahlenden Dioden, die ein wärmeabstrahlendes Substrat, eine auf dem wärmeabstrahlenden Substrat angeordnete Wärmeabstrahlungsplatte, einen auf der Wärmeabstrahlungsplatte angeordneten Chip, und eine Leiterplatte aufweist.
  • DE 43 36 961 C2 beschreibt eine Wärmeübertragungsvorrichtung umfassend eine Wärmeleitfolie und eine Metallfolie, die auf der Wärmeleitfolie angeordnet ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine LED, die eine ausgezeichnete Wärmeabstrahlungseigenschaft aufweist, bereit zu stellen.
  • Eine andere Aufgabe besteht darin, eine LED großer Helligkeit unter Verwendung eines Drucksubstrats für das Montieren der LED großer Helligkeit, bei dem das Material des Drucksubstrats nicht eingeschränkt ist, bereit zu stellen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine LED, die eine Basis, die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und die eine Wärmeabstrahloberfläche, die auf einer ihrer Oberflächen ausgebildet ist, besitzt, mindestens eine Leiterplatte, die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis befestigt ist, Freilegungsmittel für das Ausbilden einer freigelegten Montagefläche auf der Oberfläche der Basis, leitende Muster, die auf der Leiterplatte ausgebildet sind, ein LED-Element, das an der Basis an der Montagefläche befestigt ist, und Verbindungsmittel für das elektrische Verbinden des LED-Elementes mit den leitenden Mustern umfasst, bereitgestellt.
  • Das Freilegungsmittel ist eine gelochte Öffnung, die in der Leiterplatte ausgebildet ist, und das Verbindungsmittel umfasst eine Vielzahl von Leiterdrähten.
  • Ein Einkapselungselement ist für das Schützen des LED-Elementes vorgesehen.
  • Kühlrippen sind auf der Wärmeabstrahlungsoberfläche der Basis für das Erhöhen der Wärmeabstrahlungswirkung vorgesehen.
  • Es wird ferner eine Licht ausstrahlende Vorrichtung vorgesehen.
  • Die LED umfasst eine Basis, die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und eine flache Plattenform und eine Wärmeabstrahlungsoberfläche, die auf einer ihrer Oberflächen ausgebildet ist, aufweist. Weiterhin umfasst die LED mindestens eine Leiterplatte, die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis befestigt ist, Freilegungsmittel für das Ausbilden einer freigelegten Montagefläche auf der Oberfläche der Basis, leitende Muster, die an der Leiterplatte befestigt sind und ein LED-Element, das an der Basis an der Montagefläche befestigt ist. Weiterhin umfasst die LED Verbindungsmittel für das elektrische Verbinden des LED-Elementes mit den leitenden Mustern und ein Drucksubstrat, das leitende Muster, die auf seiner Unterseite vorgesehen sind und an den leitenden Mustern auf der Leiterplatte befestigt sind, umfasst, um so die beiden leitenden Muster elektrisch miteinander zu verbinden.
  • Das Drucksubstrat weist eine Öffnung für das Abgeben des Lichts, das vom LED-Element ausstrahlenden Chip ausgestrahlt wird, auf, und ein Wärmeabstrahlungselement ist an einer Unterseite der Basis befestigt.
  • Eine andere LED umfasst eine Basis, die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und eine flache Plattenform und eine Wärmeabstrahlungsoberfläche, die auf einer ihrer Oberflächen ausgebildet ist, aufweist. Weiterhin umfasst die LED mindestens eine Leiterplatte, die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis befestigt ist, Freilegungsmittel für das Ausbilden einer freigelegten Montagefläche auf der Oberfläche der Basis, leitende Muster, die an der Leiterplatte befestigt sind und ein LED-Element, das an der Basis an der Montagefläche befestigt ist. Weiterhin umfasst die LED Verbindungsmittel für das elektrische Verbinden des LED-Elementes mit den leitenden Mustern, Wärmehohlleiter, die von einer Seitenwand der Basis vorstehen, und ein Wärmeabstrahlungselement, das an den Enden der Wärmehohlleiter befestigt ist.
  • Eine Licht abstrahlende Vorrichtung weist eine Vielzahl von LEDs auf, wobei jede LED eine Basis, die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und eine flache Plattenform und eine Wärmeabstrahlungsoberfläche, die auf einer ihrer Oberflächen ausgebildet ist, aufweist. Weiterhin weist die LED mindestens eine Leiterplatte, die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis befestigt ist, Freilegungsmittel für das Ausbilden einer freigelegten Montagefläche auf der Oberfläche der Basis, leitende Muster, die an der Leiterplatte befestigt sind, ein LED-Element, das an der Basis an der Montagefläche befestigt ist und Verbindungsmittel für das elektrische Verbinden des LED-Elementes mit den leitenden Mustern, auf. Die Licht ausstrahlende Vorrichtung weist ein Wärmeabstrahlungselement, das aus einem flexiblen Material hergestellt ist, auf, und die LEDs werden auf einer Oberfläche des Wärmeabstrahlungselements abgestützt.
  • Die vorliegende Erfindung liefert weiter ein Verfahren für das Herstellen von LEDS, das die Schritte des Herstellens einer Leiterplattenaggregation, die eine Vielzahl von Abschnitten aufweist, des Herstellens einer Basisaggregation, die dieselbe Größe wie die Leiterplattenaggregation aufweist, des Ausbildens einer Montageöffnung in jedem Abschnitt der Leiterplattenaggregation, und des Vorsehens einer Vielzahl von leitenden Mustern auf jedem Abschnitt, des Befestigens der Leiterplattenaggregation und der Basisaggregation aneinander, des Montierens eines LED-Elementes auf der Leiterplattenaggregation an der Montageöffnung, des elektrischen Verbindens des LED-Elementes mit den leitenden Mustern durch Drähte, des Einkapselns des LED-Elementes und der Drähte durch ein Einkapselungselement, und des Zerteilens der Aggregation der LEDS umfasst.
  • Diese und andere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen deutlicher.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie II-II der 1;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 6 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI der 5;
  • 7 ist eine Schnittansicht einer LED gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die eine sechste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 9 ist eine Seitenansicht, die eine siebte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 10 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Leiterplattenaggregation und eine Basisaggregation zeigt;
  • 11 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Kombinationsschritt der Leiterplattenaggregation und der Basisaggregation zeigt;
  • 12 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Montageschritt eines LED-Elements zeigt;
  • 13 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Drahtverbindungsschritt zeigt;
  • 14 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Verkapselungsschritt zeigt;
  • 15 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zerteilungsschritt zeigt;
  • 16 ist eine perspektivische Ansicht, die eine konventionelle LED zeigt; und
  • 17 ist eine Schnittansicht, die ein konventionelles LED zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 2 ist eine Schnittansicht entlang eine Linie II-II der 1.
  • Die LED 20 großer Helligkeit umfasst eine Basis 21, die ein rechteckiges Parallelepiped aufweist und aus einem Metallkernmaterial aus einer Kupferlegierung, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt ist, und eine Leiterplatte 22, die an der oberen Oberfläche der Basis durch Haftmittel 22a gegenüber einer Wärmeabstrahlungsoberfläche 21a auf der Unterseite befestigt ist. Die Leiterplatte ist kunststoffimprägniert und weist eine Isolationsqualität auf.
  • Ein Paar leitender Muster 23 und 24 sind auf der Leiterplatte 22 durch eine Kupferfolie ausgebildet. Die leitenden Muster 23 und 24 weisen Anschlussabschnitte 23a, 23b, 24a und 24b an den jeweiligen Ecken als Verbindungsoberflächen auf. Die Anschlussabschnitte 23a, 23b, 24a und 24b sind gegenüber der Wärmeabstrahlungsoberfläche 21a der Basis 21 zwischen der Leiterplatte 22 und der Basis 21 angeordnet.
  • Eine Montageöffnung 22b, die eine kreisförmige Form aufweist, ist in der Leiterplatte 22 ausgebildet, um eine Montagefläche 21c der oberen Oberfläche der Basis 21 frei zu legen. Ein LED-Element 25 ist auf der Montagefläche 21c montiert und an der Fläche durch eine Silberpaste 25a, die eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, befestigt. Somit ist die LED-Element 25 thermisch mit der Basis 21 durch die Silberpaste 25a verbunden.
  • Ein Paar Anoden und ein Paar Kathoden (nicht gezeigt) sind elektrisch mit den leitenden Mustern 23, 24 durch vier Leiterdrähte 26a, 26b, 26c und 26d verbunden. Um eine LED großer Helligkeit zu verwirklichen, ist ein großer Ansteuerstrom notwendig. Zu diesem Zweck ist es vorteilhaft, einen hohen Strom an die Anoden und Kathoden des LED-Elementes durch jeweils zwei Drähte anzulegen. Das LED-Element 25, die Leiterdrähte 26a–26d und ein Teil der Leiterplatte 22 sind durch ein Einkapselungselement 27 eingekapselt, um diese Elemente zu schützen.
  • Wenn eine Ansteuerspannung an die leitenden Muster 23 und 24 angelegt wird, so wird die Spannung an das LED-Element 25 durch die Drähte 26a–26d angelegt. Somit wird das LED-Element 25 angesteuert, um Leistung zu verbrauchen, um Energie zu erzeugen. Ein Teil der Energie wird zu Licht, das abgegeben wird und durch das Einkapselungselement 27 hindurchgeht, und ein großer Teil der Energie wird zu Wärme, die von dem LED-Element abgegeben wird. Die Wärme des LED-Elementes wird durch die Silberpaste 25a zur Basis 21, die eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit aufweist, überführt. Somit wird die Wärme effizient zur Basis 21 überführt.
  • Wenn ein Wärmeabstrahlungselement, das eine große Wärmekapazität aufweist, an der die Wärme abstrahlenden Oberfläche 21a der Unterseite der Basis 21 angehaftet wird, so wird die Wärme der Basis 21 auf das Wärmeabstrahlungselement über führt, um somit eine effiziente Wärmeabstrahlung zu verwirklichen.
  • In dieser Ausführungsform wird die Basis 21, obwohl nur ein LED-Element vorgesehen ist, in Form einer länglichen Platte ausgebildet, so dass eine Vielzahl von LED-Elementen auf der Basis montiert werden können. Weiterhin können eine Vielzahl von Leiterplatten 22 an der oberen Oberfläche der Basis 21 befestigt werden, um somit die Montagefläche 21c auszubilden.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eine LED großer Helligkeit gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Dieselben Teile wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszahlen wie die in den 1 und 2 bezeichnet.
  • Die LED 30 großer Helligkeit weist eine Basis 31 auf, die ein rechteckiges Parallelepiped besitzt und aus einem Metallkernmaterial aus einer Kupferlegierung, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt ist. Eine Leiterplatte 22 ist an der oberen Oberfläche der Basis 31 durch Haftmittel befestigt. Da die Leiterplatte 22, das LED-Element 25 und das Einkapselungselement 27 dieselben wie in der ersten Ausführungsform sind, wird ihre Erläuterung nachfolgend weggelassen.
  • Es ist eine Vielzahl von parallelen Kühlrippen 31a auf der Unterseite der Basis 31 ausgebildet, um die Wärmeabstrahlfläche zu erhöhen.
  • Wenn die Ansteuerspannung an das LED-Element 25 angelegt wird, so wird das LED-Element 25 angesteuert, um die Leistung zu konsumieren, um Energie zu erzeugen. Ein Teil der Energie wird zu Licht, das hindurchgehend durch das Element 27 abgegeben wird, und ein großer Teil der Energie wird zu Wärme, die von dem LED-Element abgegeben wird. Die Wärme des LED-Elementes wird wirksam zur Basis 31 überführt. Da eine Vielzahl von Kühlrippen 31a auf der Unterseite der Basis 31 vorgesehen sind, wird die Wärme wirksam abgestrahlt, um das LED-Element 25 zu kühlen. Wenn ein Kühlgebläse vorgesehen ist, um das LED-Element 25 zu kühlen, so wird die Wärmeabstrahlung effizienter durchgeführt. Die Kühlrippen können auf Seitenwänden der Basis 31 ausgebildet werden.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Dieselben Teile wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszahlen wie die in den 1 und 2 bezeichnet, und es wird ihre Erläuterung weggelassen.
  • Die LED 40 großer Helligkeit weist eine Basis 41 auf, die ein rechtwinkliges Parallelepiped besitzt und aus einem Metallkernmaterial einer Kupferlegierung, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt ist.
  • Es wird eine Vielzahl von zylindrischen Wärmeabstrahlungsöffnungen 41a in einer der Seiten der Basis 41 parallel mit der Unterseite der Basis ausgebildet. Es ist vorteilhaft, wenn die Öffnung 41a gelocht ist. Wenn ein wärmeleitendes Material in die Öffnung eingeschoben wird, so nimmt die Wärmeabstrahlungswirkung zu.
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht einer LED großer Helligkeit gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 6 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI der 5.
  • Dieselben Teile wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszahlen wie die in den 1 und 2 bezeichnet, und es wird ihre Erläuterung weggelassen.
  • Die LED 50 großer Helligkeit weist eine Basis 51 auf, die ein rechtwinkliges Parallelepiped besitzt und aus einem Metallkernmaterial einer Kupferlegierung, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, hergestellt ist.
  • Es ist ein zylindrischer Vorsprung 51a auf der Basis 51 an einer Ecke ausgebildet. Auf dem Vorsprung ist ein Anschlussabschnitt 51b als eine Anschlusselektrode vorgesehen. Die Leiterplatte 22 weist für den Vorsprung 51a eine Vertiefung auf. Die Höhe des Anschlussabschnitts 51b ist gleich der des Anschlussabschnitts 23a, 23b.
  • Ein LED-Element 52 weist eine Anode 52a auf ihrer oberen Oberfläche und eine Kathode 52b auf ihrer Unterseite auf. Die Anode 52a ist mit dem Anschlussabschnitt 23a durch den Draht 26a verbunden, und die Kathode 52b ist mit dem Anschlussabschnitt 51b des Vorsprungs 51a durch die Basis 51 elektrisch verbunden.
  • Wenn die Ansteuerspannung an das LED-Element 52 von den Anschlussabschnitten 23a und 51b angelegt wird, so wird das LED-Element 52 angesteuert, um Leistung zu verbrauchen, um Energie zu erzeugen. Ein Teil der Energie wird zu Licht, und ein großer Teil der Energie wird zu Wärme, die von dem LED-Element abgegeben wird. Die Wärme des LED-Elementes wird wirksam zur Basis 51 überführt, um das LED-Element 52 zu kühlen.
  • Gemäß der vierten Ausführungsform wird die Basis 51 als ein Leitelement verwendet. Somit kann ein LED-Element, die Elektroden auf der oberen Oberfläche und auf der Unterseite aufweist, verwendet werden.
  • 7 ist eine Schnittansicht einer LED gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Dieselben Teile wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszahlen wie in den 1 und 2 bezeichnet.
  • Die LED 60 umfasst eine LED 20 großer Helligkeit der ersten Ausführungsform, und zusätzlich ein Drucksubstrat 61 als ein Substrat und ein Wärmeabstrahlungselement 62, das eine Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  • Das Drucksubstrat 61 weist leitende Muster 61a aus Kupferfolie auf seiner Unterseite und eine gelochte Öffnung 61b, die eine kreisförmige Form besitzt, auf. Das Einkapselungselement 27 steht von der Öffnung 61b vor und gibt das Licht, das von dem LED-Element 25 ausgestrahlt wird, als Entladungslicht 63 ab. Die leitenden Muster 61a sind elektrisch und mechanisch mit den Anschlussabschnitten 23a, 23b, 24a und 24b mit Lot 61c verbunden. Das Wärmeabstrahlungselement 62 ist an der Wärmeabstrahlungsoberfläche 21a der Basis 21 befestigt, um thermisch damit verbunden zu sein.
  • Wenn die Ansteuerspannung an die Anschlussabschnitte 23a, 23b, 24a und 24b durch die leitenden Muster 61a angelegt wird, um den Ansteuerstrom an das LED-Element 25 zu liefern, wird das LED-Element 25 angesteuert, um Licht auszustrahlen. Das Licht wird als Entladungslicht 63, das durch das Einkapselungselement 27 hindurch geht, abgegeben. Die Wärme, die von dem LED-Element abgegeben wird, wird wirksam zur Basis 21 und zum Wärmeabstrahlungselement 62 überführt.
  • Gemäß der fünften Ausführungsform wird die Wärme, die von dem LED-Element 25 abgegeben wird, wirksam zum Wärmeabstrahlungselement 62 durch die Basis 21 überführt, damit die Wärme an die Atmosphäre abgestrahlt werden kann. Somit wird der Wärmeanstieg in dem LED-Element in Grenzen gehalten. Somit ist es möglich, eine LED bereit zu stellen, die einem großen Ansteuerstrom widerstehen kann, um Licht großer Helligkeit abzustrahlen. Durch die Wärmeabstrahlwirkung kann weiter die Zerstörung der Verbindungen in dem LED-Element und die Helligkeitsminderung, die durch die Farbänderung des Einkapselungselements 27 durch die hohe Wärme verursacht wird, verhindert werden, um somit eine LED, die eine hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer aufweist, zu verwirklichen.
  • Das Drucksubstrat 61, das mit den Anschlussabschnitten 23a, 23b, 24a und 24b verbunden ist, ist entfernt von der Wärmeabstrahlungsoberfläche 21a der Basis 21 angeordnet. Somit ist es nicht notwendig, dass das Drucksubstrat 61 eine Wärmeabstrahlungsrolle spielt, und somit ist es nicht notwendig, das Substrat mit teuerem Material, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, wie einem Metallkern, herzustellen. Somit ist es möglich, frei ein billiges Material, wie ein Glasepoxidharz, auszuwählen.
  • Um die Wärmeabstrahlungswirkung des Wärmeabstrahlungselements 62 zu erhöhen, ist es vorteilhaft, die Fläche des Elements zu erhöhen oder eine Vielzahl von Vorsprüngen auf den Oberflächen des Elements auszubilden. Obwohl die LED 20 der ersten Ausführungsform in der fünften Ausführungsform verwendet wird, kann eine andere LED jeder Ausführungsform verwendet werden. Wenn die zweite Ausführungsform verwendet wird, so ist es, da die Basis 31 eine hohe Wärmeabstrahlwirkung aufweist, nicht notwendig, das Wärmeabstrahlungselement 62 zu verwenden.
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die eine sechste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Dieselben Teile wie in der dritten Ausführungsform, die in 4 gezeigt ist, sind mit denselben Bezugszahlen bezeichnet. Eine LED 70 umfasst eine LED 40 großer Helligkeit der dritten Ausführungsform, und zusätzlich ein Paar Wärmehohlleiter 71 als ein Wärmeleitelement und eine Wärmeabstrahlungsplatte 72, die aus einem Material hergestellt ist, das eine Wärmeleitfähigkeit aufweist. Im Wärmehohlleiter 71 ist eine Flüssigkeit, die eine Wärmeleitfähigkeit besitzt, eingebracht.
  • Ein Ende jedes Wärmehohlleiters 71 ist in die Wärmeabstrahlöffnung 41a der Basis 41 eingeschoben, und das andere Ende des Wärmehohlleiters 71 ist an der Wärmeabstrahlungsplatte 72 befestigt, so dass die Basis 41 thermisch mit der Wärmeabstrahlungsplatte 72 verbunden ist.
  • Wenn die Ansteuerspannung an das LED-Element 25 angelegt wird, so wird das LED-Element 25 angesteuert, um Licht abzugeben. Das Licht wird als Entladungslicht abgegeben. Wärme, die von dem LED-Element abgegeben wird, wird wirksam zur Basis 41 und zur Wärmeabstrahlungsplatte 72, indem sie durch die Wärmehohlleiter 71 hindurch geht, überführt.
  • Gemäß der sechsten Ausführungsform ist das LED-Element 25, damit es thermisch verbunden ist, auf der Basis 41, die eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, montiert. Die Basis 41 ist thermisch mit den Wärmehohlleitern 71 verbunden, und die Wärmehohlleiter sind thermisch mit der Wärmeabstrahlungsplatte 72 verbunden. Die Wärmeabstrahlungsplatte 72 strahlt die überführte Wärme wirksam an die Atmosphäre ab. Somit wird der Wärmeanstieg in dem LED-Element in Grenzen gehalten. Somit ist es möglich, eine LED-Vorrichtung, die einem großen Ansteuerstrom widersteht, um Licht großer Helligkeit abzustrahlen, bereit zu stellen.
  • Da das Licht ausstrahlende Element 40 und die Wärmeabstrahlungsplatte 72 durch die Wärmehohlleiter 71 voneinander getrennt werden können, ist es möglich, eine LED-Vorrichtung die in einem System leicht zusammengebaut werden kann, zu liefern.
  • Wie in der fünften Ausführungsform ist es nicht notwendig, dass ein Drucksubstrat (nicht gezeigt) eine Wärmeabstrahlungsrolle spielt und somit ist es nicht notwendig, das Substrat aus einem teueren Material, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, wie mit einem Metallkern, herzustellen.
  • Um die Wärmeabstrahlungswirkung der Wärmeabstrahlungsplatte 72 zu erhöhen, ist es vorteilhaft, die Form der Platte zu ändern, und die Anzahl der Wärmehohlleiter 71 kann erhöht werden. Die Basis 41 und die Wärmehohlleiter 71 können durch Haftmittel, die eine Wärmeleitfähigkeit aufweisen, verbunden werden.
  • 9 ist eine Seitenansicht, die eine siebte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Dieselben Teile wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszahlen bezeichnet. Eine LED-Vorrichtung umfasst eine Vielzahl von LEDS 20 großer Helligkeit der ersten Ausführungsform, ein flexibles Drucksubstrat 81 und ein gekrümmtes Wärmeabstrahlungselement 82.
  • Das flexible Drucksubstrat 81 weist drei gelochte Öffnungen 81a, 81b und 81c, in welchen Einkapselungselemente 27 der LEDS 20 eingeschoben sind, auf. Leitende Muster auf dem Drucksubstrat 81 sind mit den Anschlussabschnitten der LEDS 20 durch Lot 83 verbunden. Das Wärmeabstrahlungselement 82 weist drei Vertiefungen 82a, 82b und 82c auf, wobei in jede die Basis 21 der LEDS 20 eingeschoben und daran befestigt wird, um thermisch damit verbunden zu sein.
  • Wenn ein Ansteuerstrom an die LEDS 20 großer Helligkeit durch das Drucksubstrat 81 geliefert wird, so strahlen die LED-Elemente 25 Lichtstrahlen 84a, 84b und 84c aus. Wärme, die von den LED-Elementen 25 abgegeben wird, wird zum Wärmeabstrahlungselement 82 durch die Basen 21 überführt, um abgestrahlt zu werden.
  • Gemäß der siebten Ausführungsform sind die Basen 21 der LED-Elemente 25 auf dem Wärmeabstrahlungselement 82 montiert, um thermisch mit diesem verbunden zu sein. Das Wärmeabstrahlungselement 82 strahlt wirksam die überführte Wärme in die Atmosphäre ab. Somit wird der Wärmeanstieg in dem LED-Element in Grenzen gehalten. Somit ist es möglich, eine LED-Vorrichtung, die einem großen Ansteuerstrom widersteht, um Licht großer Helligkeit abzustrahlen, bereit zu stellen.
  • Wie in der fünften Ausführungsform muss das Drucksubstrat 81 keine Wärmeabstrahlungsrolle spielen, und somit ist es nicht notwendig, das Substrat aus einem teueren Metall, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, wie einem Metallkern, herzustellen.
  • In der LED Vorrichtung 80 sind eine Vielzahl LEDS 20 großer Helligkeit vorgesehen. Somit ist es, wenn beispielsweise LEDs großer Helligkeit in den Farben rot, gelb und grün angeordnet sind, möglich, eine LED-Vorrichtung für das Ausstrahlen von Licht verschiedener Farbe zu liefern.
  • Da die LEDS 20 großer Helligkeit auf dem flexiblen Wärmeabstrahlungselement 82 montiert sind, können die abgegebenen Lichtstrahlen konzentriert werden, wie das in 9 gezeigt ist, oder sie können zerstreut werden, indem das Wärmeabstrahlungselement in eine konvexe Form gebogen wird.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren für das gleichzeitige Herstellen einer Vielzahl von LEDS großer Helligkeit unter Bezug auf die 10 bis 15 beschrieben.
  • 10 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Leiterplattenaggregation 90 und eine Basisaggregation 91 zeigt. Die Leiterplattenaggregation 90 ist aus einem isolierenden Material hergestellt und weist vier Abschnitte auf. In jeden Abschnitt wird ein leitendes Muster 91a durch das Ätzen von Kupfer ausgebildet, und es wird ein Montageloch 90b ausgebildet. Die Basisaggregation 91 besteht aus einem Metallkern, der eine Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  • 11 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Kombinationsschritt der Leiterplattenaggregation 90 und der Basisaggregation 91 zeigt. Die Leiterplattenaggregation 90 ist an der Oberfläche der Basisaggregation 91 durch ein Haftmittel befestigt, um eine kombinierte Leiterplatten-Basisaggregation 92 auszubilden.
  • 12 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Montageschritt eines LED-Elementes zeigt. Ein LED-Element 93 wird auf der Leiterplatten-Basisaggregation 92 an einem freigelegten Abschnitt in der Montageöffnung 90b montiert und durch eine Silberpaste daran befestigt.
  • 13 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Drahtverbindungsschritt zeigt. Die Elektroden des LED-Elementes 93 werden mit den leitenden Mustern 90a durch vier Drähte 94 verbunden.
  • 14 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Einkapselungsschritt zeigt. Das LED-Element 93 in jedem Abschnitt und die Drähte 94 werden durch ein Einkapselungselement 95 aus transparentem Harz eingekapselt. Auf diese Weise wird jede LED auf der kombinierten Leiterplatten-Basis-Aggregation 92 vollends fertig gestellt.
  • Die kombinierte Leiterplatten-Basis-Aggregation 92 wird an Grenzen zwischen den Abschnitten zertrennt, wie das in 16 gezeigt ist, so dass eine einzelne LED 96 fertig gestellt wird.
  • Somit kann gemäß der vorliegenden Erfindung eine große Anzahl von LED gleichzeitig bei niedrigen Kosten hergestellt werden.
  • Wenn Lichtstreumittel, fluoreszierende Substanzen oder Strahlverstärkungsmittel in das Einkapselungselement 27 eingeschlossen sind, so können verschiedene LED und Vorrichtungen großer Helligkeit, die sich im Richtungsverhalten und der Wellenlänge des abgegeben Lichts unterscheiden, zur Verfügung gestellt werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist das LED-Element auf der Basis, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, montiert. Somit wird die Wärme, die in dem LED-Element erzeugt wird, wirksam zur Basis geleitet, so dass eine LED Element großer Helligkeit, das ausgezeichnete Wärmeabstrahlungswirkungen aufweist, bereit gestellt werden kann.
  • Während die Erfindung in Verbindung mit bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wurde, wird verständlich, dass diese Beschreibung den Umfang der Erfindung, der durch die folgenden Ansprüche definiert wird, nur darstellen und nicht beschränken soll.

Claims (10)

  1. Licht ausstrahlende Diode (20), umfassend: eine Basis (21, 31, 41), die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und ein rechteckiges Parallelepiped aufweist; eine Leiterplatte (22), die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis (21, 31, 41) befestigt ist, wobei die Leiterplatte (22) eine Öffnung (22b) aufweist, welche eine Montagefläche (21c) auf der oberen Oberfläche der Basis (21, 31, 41) freilegt; leitende Muster (23, 24), welche Anoden- und Kathoden-Muster aufweisen, die auf der Leiterplatte (22) ausgebildet sind; ein Licht ausstrahlendes Diode-Element (25), welches eine Anode und eine Kathode an einer oberen Oberfläche des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes (25) aufweist, und auf der oberen Oberfläche der Basis (21, 31, 41) an der Montagefläche (21c) befestigt ist; und Verbindungsmittel (26a–26d) für das elektrische Verbinden des Licht ausstrahlenden Diode-Elements mit den leitenden Mustern, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsmittel (26a, 26d) vier Leiterdrähte (26a–26d) umfassen, welche das Licht ausstrahlende Diode-Element (25) mit den leitenden Mustern (23, 24) verbinden, wobei zwei Leiterdrähte die Anode des Licht ausstrahlenden Diode-Elements (25) mit dem Anoden-Muster auf der Leiterplatte (22) und zwei Leiterdrähte die Kathode des Licht ausstrahlenden Diode-Elements mit dem Kathoden-Muster auf der Leiterplatte (22) elektrisch verbinden.
  2. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die leitenden Muster (23, 24) vier Anschlussabschnitte (23a, 23b, 24a, 24b) an den jeweiligen Ecken auf der Leiterplatte (22) aufweisen.
  3. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis eine wärmeausstrahlende Oberfläche (21a) aufweist, die auf ihrer unteren Oberfläche ausgebildet ist.
  4. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass sie weiter ein Einkapselungselement (27) für das Schützen des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes (25) und die Verbindungsmittel (26a–26d) umfasst.
  5. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 1 bis 4, wobei sie weiter ein Drucksubstrat (61) umfasst, welches leitende Muster (61a) aufweist, die auf seiner Unterseite vorgesehen und an den leitenden Mustern (23, 24) auf der Leiterplatte (22) befestigt sind, um somit die beiden leitenden Muster (23, 24) elektrisch zu verbinden; dadurch gekennzeichnet, dass das Drucksubstrat (61) eine Öffnung (61b) für das Abgeben des Lichts, das von dem Licht ausstrahlenden Diode-Element (25) abgegeben wird, umfasst.
  6. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass sie weiter eine wärmeausstrahlendes Element (31a), das an einer Unterseite der Basis befestigt ist, umfasst.
  7. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass sie weiter Wärmehohlleiter (71), die von einer Seitenwand der Basis vorstehen, und ein Wärmeabstrahlungselement (72), das an den Enden der Wärmehohlleiter befestigt ist, umfasst.
  8. Die Licht ausstrahlende Diode (20) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie weiter Wärmeabstrahlungsöffnungen (41a), die in einer der Seiten der Basis (41) ausgebildet sind, umfasst.
  9. Licht ausstrahlende Diode (50), umfassend: eine Basis (51), die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und ein rechteckiges Parallelepiped aufweist; eine Leiterplatte (22), die aus einem isolierenden Material hergestellt und auf einer oberen Oberfläche der Basis befestigt ist, wobei die Leiterplatte (22) eine Öffnung (22b) aufweist, welche eine Montagefläche auf der oberen Oberfläche der Basis freilegt; ein leitendes Muster (23, 24) für die Anode oder Kathode, die auf der Leiterplatte (22) ausgebildet sind, und für die Kathode oder Anode, die jeweils als ein Anschlussabschnitt auf der Basis ausgebildet sind; ein Licht ausstrahlendes Diode-Element (25), die eine Anode und eine Kathode aufweist, und auf der Basis an der Montagefläche befestigt ist; Verbindungsmittel (26a) für das elektrische Verbinden der Licht ausstrahlenden Diode (25) mit den leitenden Mustern; dadurch gekennzeichnet, dass das Licht ausstrahlende Diode-Element die Anode oder Kathode auf einer oberen Oberfläche des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes (25) aufweist, und die Verbindungsmittel einen Leiterdraht (26a) umfassen, der die Anode (Kathode) des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes (25) mit einem der leitenden Mustern verbindet; das Licht ausstrahlende Diode-Element die Kathode oder Anode auf einer unteren Oberfläche des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes (25) aufweist, und die Verbindungsmittel die Basis umfassen, die mit der unteren Oberfläche des Licht ausstrahlenden Diode-Elementes verbunden ist, wobei sie weiter einen Vorsprung (51a), der auf einer oberen Oberfläche der Basis ausgebildet ist, umfasst, und wobei ein Anschlussabschnitt (51b) der Basis auf dem Vorsprung vorgesehen ist.
  10. Licht ausstrahlende Vorrichtung (80), die eine Vielzahl von Licht ausstrahlenden Dioden (20) aufweist, wobei jede der Licht ausstrahlenden Dioden (20) folgendes umfasst: eine Basis (21), die aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist und eine flache Plattenform und eine Wärmeabstrahlungsoberfläche (21a), die auf einer ihrer Oberflächen ausgebildet ist, umfasst; mindestens eine Leiterplatte (22), die aus einem isolierenden Material hergestellt und an einer oberen Oberfläche der Basis befestigt ist, wobei die Leiterplatte (22) eine Öffnung (22b) aufweist, welche eine Montagefläche (21c) auf der oberen Oberfläche der Basis freilegt; leitende Muster, welche Anoden- und Kathoden-Muster aufweisen, die auf der Leiterplatte ausgebildet sind; ein Licht ausstrahlendes Diode-Element (25), das an der oberen Oberfläche der Basis an der Montagefläche befestigt ist; Verbindungsmittel für das elektrische Verbinden des Licht ausstrahlenden Diode-Element mit den leitenden Mustern; dadurch gekennzeichnet, dass die Licht ausstrahlende Vorrichtung (80) ein Wärmeabstrahlungselement, das aus einem flexiblen Material hergestellt ist, aufweist, und die wärmeausstrahlende Oberfläche (21a) der Licht ausstrahlenden Diode auf dem Wärmeabstrahlungselemente abgestützt werden.
DE200410009998 2003-02-28 2004-03-01 Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode Expired - Fee Related DE102004009998B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003/052776 2003-02-28
JP2003052776A JP2004265986A (ja) 2003-02-28 2003-02-28 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004009998A1 DE102004009998A1 (de) 2004-09-09
DE102004009998B4 true DE102004009998B4 (de) 2010-05-06

Family

ID=32844547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200410009998 Expired - Fee Related DE102004009998B4 (de) 2003-02-28 2004-03-01 Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode

Country Status (4)

Country Link
US (3) US7253447B2 (de)
JP (1) JP2004265986A (de)
CN (1) CN100452448C (de)
DE (1) DE102004009998B4 (de)

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309292A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
JP2004311791A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Sharp Corp 照明装置、バックライト装置および表示装置
DE102004034166B4 (de) * 2003-07-17 2015-08-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
JP2005236182A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Pentax Corp 半導体発光素子
US8294166B2 (en) 2006-12-11 2012-10-23 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
JP2006086469A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
DE102004047324A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
WO2006038778A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit
US7331691B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-19 Goldeneye, Inc. Light emitting diode light source with heat transfer means
US20100096993A1 (en) * 2004-11-29 2010-04-22 Ian Ashdown Integrated Modular Lighting Unit
US20070273290A1 (en) * 2004-11-29 2007-11-29 Ian Ashdown Integrated Modular Light Unit
KR100631903B1 (ko) * 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
JP2006245084A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Mitsubishi Electric Corp 発光装置
EP1861876A1 (de) * 2005-03-24 2007-12-05 Tir Systems Ltd. Halbleiter-beleuchtungseinrichtungs-gehäuse
EP1872401B1 (de) * 2005-04-05 2018-09-19 Philips Lighting Holding B.V. Elektronische bauelementekapselung mit integriertem evaporator
US7633177B2 (en) * 2005-04-14 2009-12-15 Natural Forces, Llc Reduced friction wind turbine apparatus and method
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Ｌｅｄ用基板およびｌｅｄパッケージ
WO2007013664A1 (en) * 2005-07-27 2007-02-01 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP2007036073A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Hitachi Displays Ltd 照明装置およびこの照明装置を用いた表示装置
JP4759357B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 日立アプライアンス株式会社 Ｌｅｄ光源モジュール
KR100767678B1 (ko) 2005-10-10 2007-10-17 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 냉각 시스템
US8100567B2 (en) * 2005-10-19 2012-01-24 Rambus International Ltd. Light-emitting devices and related systems
US20080099777A1 (en) * 2005-10-19 2008-05-01 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and related systems
US7771095B2 (en) * 2005-10-26 2010-08-10 Abl Ip Holding, Llc Lamp thermal management system
US7488097B2 (en) * 2006-02-21 2009-02-10 Cml Innovative Technologies, Inc. LED lamp module
US20070211183A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-13 Luminus Devices, Inc. LCD thermal management methods and systems
US7438440B2 (en) * 2006-04-25 2008-10-21 Abl Ip Holding Llc Lamp thermal management system
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
TWI363161B (en) * 2006-07-26 2012-05-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode lighting module with improved heat dissipation structure
JP2008053660A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 発光モジュール
JP2010508652A (ja) * 2006-10-31 2010-03-18 ティーアイアール テクノロジー エルピー 照明デバイスパッケージ
TW200822384A (en) * 2006-11-03 2008-05-16 Coretronic Corp LED package structure
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
WO2008060586A2 (en) 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US20080117597A1 (en) * 2006-11-17 2008-05-22 Foxconn Technology Co., Ltd. Light emitting diode module having a thermal management element
DE102007056270B4 (de) * 2006-11-24 2015-11-26 Osram Gmbh Beleuchtungseinheit mit einer LED-Lichtquelle
EP1928026A1 (de) 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Beleuchtungsvorrichtung mit lichtemittierenden Halbleiterelementen
JP4600455B2 (ja) * 2006-11-30 2010-12-15 東芝ライテック株式会社 照明装置
EP2103191B1 (de) * 2006-12-01 2016-04-27 ABL IP Holding LLC Systeme und verfahren zur wärmeverwaltung von lampen und beleuchtungskörpern mit led-quellen
DE102007017113A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit einer optisch aktiven Schicht, Anordnung mit einer Vielzahl von optisch aktiven Schichten und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
TW200847468A (en) * 2007-05-23 2008-12-01 Tysun Inc Heat-dissipating substrates for light-emitting diodes
TW200847469A (en) * 2007-05-23 2008-12-01 Tysun Inc Substrates of curved surface for light emitting diodes
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US7635205B2 (en) * 2007-07-24 2009-12-22 Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. LED lamp with heat dissipation device
DE102007046520A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Flächenelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Flächenelementes
DE102007057240A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einem Licht emittierendem Modul und einem flexiblen Leitungsträger
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
JP2009289543A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ
TWM349665U (en) * 2008-08-15 2009-01-21 Enermax Technology Corp Fan device with light emitting
TWM362513U (en) * 2009-01-22 2009-08-01 Yeh Chiang Technology Corp Packaging structure for LED
JP2010272744A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Kyushu Institute Of Technology Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
JP5499325B2 (ja) 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
US8186852B2 (en) 2009-06-24 2012-05-29 Elumigen Llc Opto-thermal solution for multi-utility solid state lighting device using conic section geometries
JP2011159825A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Kyushu Institute Of Technology Ｌｅｄ照明用モジュール装置及びその製造方法
US20110225818A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Shih-Bin Chiu Method of manufacturing an led illuminator device
US8486761B2 (en) * 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
US8319247B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
CN102313157A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 可成科技股份有限公司 高散热效率的发光二极管灯具模块及其制造方法
JP4910220B1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-04 国立大学法人九州工業大学 Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
TW201246618A (en) * 2010-10-19 2012-11-16 Kyushu Inst Technology Led module device, method for manufacturing same, led package used for led module device, and method for manufacturing same
JP4914998B1 (ja) * 2010-11-17 2012-04-11 国立大学法人九州工業大学 Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
CA2822650C (en) 2010-12-30 2017-03-07 Elumigen Llc Light assembly having light sources and adjacent light tubes
CN102683507A (zh) * 2011-03-09 2012-09-19 神基科技股份有限公司 光源模块构造及其制造方法
US8809880B2 (en) * 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
JP4904604B1 (ja) * 2011-02-17 2012-03-28 国立大学法人九州工業大学 Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
KR101881498B1 (ko) * 2011-02-22 2018-08-24 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그것의 제조방법
JP4887529B1 (ja) * 2011-04-12 2012-02-29 国立大学法人九州工業大学 Ｌｅｄパッケージの製造方法
KR20120128962A (ko) * 2011-05-18 2012-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
EP2718616B1 (de) 2011-06-09 2015-10-14 Elumigen, LLC Festkörperbeleuchtungsvorrichtung unter verwendung von wärmekanälen in einem gehäuse
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
JP5942426B2 (ja) * 2011-12-28 2016-06-29 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
JP6019730B2 (ja) * 2012-05-14 2016-11-02 オムロン株式会社 紫外線照射装置及び紫外線照射ヘッド
CN104112981A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 中国科学院物理研究所 一种用于半导体激光器的冷却装置
JP6338136B2 (ja) * 2013-04-30 2018-06-06 東芝ライテック株式会社 車両用照明装置、および車両用灯具
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
JP6195760B2 (ja) * 2013-08-16 2017-09-13 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US9651219B2 (en) 2014-08-20 2017-05-16 Elumigen Llc Light bulb assembly having internal redirection element for improved directional light distribution
JP6459880B2 (ja) 2015-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN110612611B (zh) * 2016-05-24 2022-10-11 西铁城电子株式会社 Led照明装置及led照明装置的制造方法
JPWO2017209143A1 (ja) 2016-05-31 2019-03-28 シチズン電子株式会社 発光装置およびその製造方法
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
USD831591S1 (en) * 2017-01-20 2018-10-23 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD847769S1 (en) * 2017-01-31 2019-05-07 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP6904720B2 (ja) * 2017-02-14 2021-07-21 シチズン電子株式会社 発光体
USD846510S1 (en) * 2017-07-28 2019-04-23 Lumens Co., Ltd. Lens for LED package
USD840959S1 (en) * 2017-07-28 2019-02-19 Lumens Co., Ltd. LED package
JP7064127B2 (ja) * 2017-09-29 2022-05-10 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US11476399B2 (en) 2017-11-29 2022-10-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Jointing material, fabrication method for semiconductor device using the jointing material, and semiconductor device
US10810932B2 (en) * 2018-10-02 2020-10-20 Sct Ltd. Molded LED display module and method of making thererof
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
JP1695392S (de) * 2020-12-02 2021-09-21

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
JPH11307820A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装ｌｅｄとその製造方法
DE4336961C2 (de) * 1993-10-29 2000-07-06 Kerafol Keramische Folien Gmbh Flexible Wärmeübertragungsvorrichtung
EP1139439A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-04 Relume Corporation LED mit integriertem Kühler
JP2002252373A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
WO2002097884A1 (en) * 2001-05-26 2002-12-05 Gelcore, Llc High power led module for spot illumination
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6501103B1 (en) * 2001-10-23 2002-12-31 Lite-On Electronics, Inc. Light emitting diode assembly with low thermal resistance
WO2003019679A1 (fr) * 2001-08-28 2003-03-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Emetteur de lumiere mettant en application une diode electroluminescente
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
DE20219869U1 (de) * 2002-12-21 2003-05-15 Ming, Fuh Lih, Tali, Taichung Leuchtdiode
DE10260432A1 (de) * 2002-12-21 2004-07-08 Ming, Fuh Lih, Tali Leuchtdiode

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62196878A (ja) 1986-02-25 1987-08-31 Koito Mfg Co Ltd 照明装置
JPH0383557U (de) 1989-12-18 1991-08-26
DE4005757A1 (de) 1990-02-23 1991-08-29 Bosch Gmbh Robert Handwerkzeugmaschine mit bohrfutter
JPH0771131B2 (ja) 1990-09-27 1995-07-31 日本電気株式会社 内部故障監視装置
JPH05218509A (ja) 1992-01-30 1993-08-27 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置
JPH08129352A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Sukiru:Kk 電光表示シート
JPH11163412A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP3864263B2 (ja) 1999-08-24 2006-12-27 ローム株式会社 発光半導体装置
CN2413390Y (zh) * 2000-02-24 2001-01-03 台湾光宝电子股份有限公司 发光二极体装置
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN2508332Y (zh) * 2001-09-18 2002-08-28 林锡煌 发光二极管显示器

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4336961C2 (de) * 1993-10-29 2000-07-06 Kerafol Keramische Folien Gmbh Flexible Wärmeübertragungsvorrichtung
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
JPH11307820A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装ｌｅｄとその製造方法
EP1139439A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-04 Relume Corporation LED mit integriertem Kühler
JP2002252373A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
WO2002097884A1 (en) * 2001-05-26 2002-12-05 Gelcore, Llc High power led module for spot illumination
WO2003019679A1 (fr) * 2001-08-28 2003-03-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Emetteur de lumiere mettant en application une diode electroluminescente
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6501103B1 (en) * 2001-10-23 2002-12-31 Lite-On Electronics, Inc. Light emitting diode assembly with low thermal resistance
DE20219869U1 (de) * 2002-12-21 2003-05-15 Ming, Fuh Lih, Tali, Taichung Leuchtdiode
DE10260432A1 (de) * 2002-12-21 2004-07-08 Ming, Fuh Lih, Tali Leuchtdiode

Also Published As

Publication number Publication date
CN100452448C (zh) 2009-01-14
US20070241361A1 (en) 2007-10-18
CN1617362A (zh) 2005-05-18
US7745835B2 (en) 2010-06-29
US7253447B2 (en) 2007-08-07
JP2004265986A (ja) 2004-09-24
US20040169451A1 (en) 2004-09-02
US7737462B2 (en) 2010-06-15
DE102004009998A1 (de) 2004-09-09
US20070246730A1 (en) 2007-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004009998B4 (de) Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode
DE102004044149B4 (de) Hochleistungs-Leuchtdiodenvorrichtung
EP1547163B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE112007000055B4 (de) Kühlkörper tragende Trägerelemente, Verfahren zur Herstellung einer Baugruppe mit Licht emittierender Diode unter Verwendung eines solchen, und eine mittels des Verfahrens hergestellte Baugruppe mit Licht emittierender Diode
DE10159695B4 (de) Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat
EP1328976B1 (de) Led-modul
DE112006001634B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer oberflächenmontierbaren elektrischen Lichtemissionsvorrichtung mit einem Kühlkörper
DE102014016854B4 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102006004406B4 (de) Leuchtdiode mit elektrisch leitenden elastischen Elementen und zugehöriges Gerät
DE102004033106B4 (de) System und Verfahren für eine verbesserte thermische LED-Leitfähigkeit
DE112006000920B4 (de) LED-Einheit und LED-Beleuchtungslampe, die die LED-Einheit verwendet
DE102005028176A1 (de) Leuchtdiode
EP3167224B1 (de) Halbleiterlampe
DE102007044684B4 (de) Kompakte Hochintensitäts LED basierte Lichtquelle und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102007033057A1 (de) Trägerstreifen-basierende Gehäuse für lichtemittierende Festkörpervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Trägerstreifen-basierenden Gehäusen für lichtemittierende Festkörpervorrichtungen
DE102008016458A1 (de) Leiterplatte
DE102005008339A1 (de) Leuchtdiode (LED) und Herstellungsverfahren dafür
DE102006038099A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE102007021042A1 (de) Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
DE102006032416A1 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement
DE112006003435B4 (de) Lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungs- und Seitenabstrahlungsbauart
DE112005002855B4 (de) LED vom integrierten Typ und Herstellungsverfahren derselben
DE102014119390A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112020005745T5 (de) Leuchtvorrichtung, leuchtmodul, verfahren zum herstellen einerleuchtvorrichtung und verfahren zum herstellen eines leuchtmoduls
DE112016002425T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee