DE20219869U1 - Leuchtdiode - Google Patents
LeuchtdiodeInfo
- Publication number
- DE20219869U1 DE20219869U1 DE20219869U DE20219869U DE20219869U1 DE 20219869 U1 DE20219869 U1 DE 20219869U1 DE 20219869 U DE20219869 U DE 20219869U DE 20219869 U DE20219869 U DE 20219869U DE 20219869 U1 DE20219869 U1 DE 20219869U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- emitting diode
- cover
- tight cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 abstract 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
- F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
- F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
- F21V29/773—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section the planes containing the fins or blades having the direction of the light emitting axis
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
- F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
- F21K9/233—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/06—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/56—Cooling arrangements using liquid coolants
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
- F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
- F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
- F21V29/777—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section the planes containing the fins or blades having directions perpendicular to the light emitting axis
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V31/00—Gas-tight or water-tight arrangements
- F21V31/005—Sealing arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
Leuchtdiode
Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiode und insbesondere eine schnell kühlende Leuchtdiode, die übliche Beleuchtungseinrichtungen ersetzen kann, die den Schaltungsaufbau vereinfacht, Energie einspart und den Lichtwirkungsgrad verbessert, um die Lebensdauer des leuchtenden Halbleiters zu erhöhen.
Leuchtdioden (LED) werden in modernen Technologien vielfach verwendet, und zwar in unterschiedlichen Spezifikationen im Bereich der Anzeige, der Darstellung, der Verkehrslichttechnik, der Beleuchtung, usw..
Eine übliche Leuchtdiode enthält einen abgedeckten Halbleiter und eine Elektrode, wobei durch wärmeisolierendes Epoxyd der Halbleiter sowie Zuleitungen geschützt werden.
LED's haben jedoch auch Nachteile: Der Schaltungsaufbau eines Satzes eines Halbleiters und einer Elektrode ist mit Epoxydharz umgeben, das einen geschlossenen Raum für Wärme darstellt. Obgleich der Halbleiter einer LED üblicherweise eine Kaltlichtquelle darstellt, erzeugt der Halbleiter jedoch Wärme beim Licht aussenden und die Temperatur der aktiven Ebene erreicht 4000C. Gleichwohl ist die Strahlungseffizienz der LED nicht betroffen, da sie einen hohen Energieaustauschwirkungsgrad aufweist. Die Umgebung des Halbleiters ist der goldene Strahlungsbereich. Die Hitze kann jedoch nicht abgestrahlt werden, da der Halbleiter 11 von dem Epoxyd umgeben ist. Die Hitze kann nur auf einem Weg abgeleitet werden, nämlich über die Zuleitungen, welche die Regel der Hitzeableitung mißachtet.
Obgleich die Temperatur einer LED konstant oder gering ist, heißt dies nicht, dass eine LED keine Wärme produziert. Die LED ist ein Element aus Halbleiter, so dass Überhitzungstemperaturen zu einem Bruch der „Junction" (der aktiven Schicht einer P-N-Verbindung) führt, so das.s der Abgabewirkungsgrad reduziert ist und sogar Schäden entstehen. Höhere Ströme führen zum Einbrennen der LED, so dass die Hitze ein hauptsächlicher Grund ist, dass die Qualität der LED und des Halbleiters sich verschlechtert.
• ·
Aufgrund von Dampf und Oxidation und weil das den Halbleiter und die Elektrode umgebende Material Epoxydharz ist, erzeugt die Verbindung zwischen der Zuleitung und dem Epoxyd einen Freiraum, wenn Wärme produziert wird. Daher können Feuchtigkeit, Luft und andere Unreinheiten leicht in die LED eintreten und den Halbleiter korrodieren, welches den Abbau beschleunigt und die Lebenszeit verkürzt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine schnell kühlende Leuchtdiode anzugeben, die die vorgenannten Nachteile vermeidet.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
Gemäß der Erfindung ist die Schaltung des Halbleiters und der Elektrode fest auf einem Substrat und einer Zuleitung fixiert und in einer strahlungs- und gasdichten Abdeckung (z. B. Glas) aufgenommen. Gas wird im Volumen vollständig herausgesaugt und es wird isolierende oder kühlende Flüssigkeit oder Gas (Dielektrikum) eingeführt und abgedichtet, so dass die LED in stabiler Umgebung und keine Luft, Feuchtigkeit und Unreinheiten, die den Halbleiter beschädigen, eintreten können. Soweit es die Hitze betrifft, kann diese in einen Strahlungsbereich um den Chip geleitet werden oder an äußere Lamellen und dann durch die dielektrische gasdichte Abdeckung schnell nach außen in die Luft abgeleitet werden, so dass Spezifikationen nicht mehr beschränkt sind und die Merkmale und die Lebensdauer beträchtlich verbessert sind.
In einer weiteren Ausbildungsform der Erfindung ist eine schnell kühlende Leuchtdiode angegeben, die mehrere Chips enthält, da sie gute Abstrahlungswerte aufweist. Z. B. kann Weißlicht durch Mischen von blauen und gelben Halbleitern erzeugt werden, und die Mischung von blauen, grünen und roten Halbleitern kann verschiedene Lichtfarben erzeugen. Aufgrund hoher Volumenleistung kann die schnell konventionelle kühlende Leuchtdioden-Leuchten und LED-Arrays ersetzen.
Gemäß einem dritten Aspekt der Erfindung wird eine Leuchtdiode angegeben, bei der die Abdichtung in einem metallenen Behälter aufgenommen ist, um Start- und
Steuerschaltungen darin aufzunehmen, und diese direkt mit einem üblichen Lampensockel zu verbinden.
Nachstehend wird die Erfindung im einzelnen anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer üblichen Leuchtdiode,
Fig. 2 eine vergrößerte Ansicht eines Teils von Fig. 1, die den Freiraum des Zufuhrdrahtes und des Epoxyharzes zeigt,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Kaltlicht-Leuchtdiode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 4 eine Schnittansicht, die die Kühlung zeigt, und
Fig. 5 eine Schnittansicht, die eine andere Ausführungsform der Erfindung zeigt.
Fig. 3 zeigt die perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Halbleiter 31 ist primär auf dem Substrat 32 angeordnet und an einer Elektrode 33 befestigt. Die Zuleitung 34 erstreckt sich durch die Abdichtung 35. Der Körper des genannten Elements wird mit einer gasdichten Abdeckung 36 versehen, aus der das Gas vollständig herausgesaugt ist. Schließlich wird das Dielektrikum 37 in die Abdeckung injiziert. In der Abdeckung befindet sich das Substrat 32, an dem ein Satz von Lamellen 38 befestigt ist. Die Abdichtung befindet sich in einem Metallbehälter und nimmt Start- und Steuerschaltungen auf und kann mit einem üblichen Lampensockel verbunden werden. Das Ende der Abdichtung 35 ist über die Zuleitung 34 mit der Elektrode 35 verbunden. Die gasdichte Abdeckung 36 besteht als flache (Fig. 2) oder gewölbte (Fig. 3) Abdeckung aus einem Material hoher thermischer Leitfähigkeit und kann unterschiedliche Spezifikationen und Formen aufweisen. Der Innenraum ist für die Körperelemente bestimmt. Das Dielektrikum 37 ,das in die gasdichte Abdeckung 36 injiziert wird, berührt den Chip 31 und das Substrat 32 direkt und es beruht auf Gas oder einer isolierenden Kühlflüssigkeit. Ein anderes Beispiel ist ein Vakuumraum gemäß Fig. 4. Hierbei wird die vom Chip 31
produzierte Wärme 50 durch Strahlungsabgabe verteilt und es ist genügend Raum für Chips vorhanden, die in dem Vakuumraum befestigt werden können.
Fig. 5 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit einer Leuchtdiode. Wie in der Figur dargestellt ist, wird der Chip 31 eingeschaltet, um Licht zu erzeugen. Die entstehende Wärme 50 wird durch das Dielektrium 37, das den Chip 31 umgibt, das Substrat 32 und die Stromzufuhr 34 abgegeben und von der Oberfläche der gasdichten Abdeckung und den Substratlamellen 38 schnell abgegeben, um die Wärmeaustauschrate zu verbessern.
Die Erfindung verwendet Konstruktionsmerkmale und Elektronikcharakteristika, welche die physikalischen Gesetze beachten und den Wärmeaustausch beträchtlich verbessern, um den Durchbruch von Leuchtdioden zu verbessern und die Lebensdauer zu erhöhen. Die Erfindung ist sehr kosteneffektiv in der Industrie und trifft die aktuellen Bedürfnisse und Sicherheitsanforderungen.
Obgleich die vorstehende Beschreibung Ausführungsformen darstellt, ist es dem Fachmann geläufig, dass jegliche Änderungen oder Abweichungen der Beispiele der vorliegenden Erfindung am Schutzumfang der beigefügten Ansprüche verbleiben.
■*-
Claims (3)
1. Schnell kühlende Leuchtdiode mit einem Substrat (32) mit einem Satz von Halbleitern, die an dem Substrat befestigt sind, einer gasdichten Abdeckung (36) aus hochthermisch leitfähigem Material, wobei deren Innenseite den Halbleiter (31) und das Substrat (32) aufnimmt, mit einer Elektrode (33), wobei eine Mehrzahl von Halbleitern auf dem Substrat befestigt und mit der Elektrode verbunden sind, mit einer Abdeckung, welche in einem Metallbehälter aufgenommen ist und den Grund der gasdichten Abdeckung abdichten kann, mit zwei oder mehr Zuleitungen, die sich von der gasdichten Abdeckung erstrecken, einem Dielektrikum (37) als isolierende Kühlflüssigkeit oder Gasfüllung in der gasdichten Abdeckung, welche die Halbleiter berührt, wobei das Dielektrikum in die gasdichte Abdeckung einführbar ist, nachdem Gas aus der Abdeckung entfernt ist, und die Wärme durch die dielektrische Umgebung des Halbleiters, des Substrats und der Zuleitungen abführbar und von der Oberfläche der gasdichten Abdeckung entfernbar ist, wobei Substratlamellen den thermischen Austausch bei der Erzeugung von Lichtenergie verbessern.
2. Leuchtdiode nach Anspruch 1, bei der das Dielektrikum als Vakuum ausgebildet ist und die durch die Halbleiter erzeugte Wärme über Strahlungsabgabe verteilt wird.
3. Leuchtdiode nach Anspruch 1, bei der die Abdeckung mit einem üblichen Lampensockel verbindbar ist, und die Leiterenden der Abdichtung mit der Zuleitung der Elektrode verbunden sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE20219869U DE20219869U1 (de) | 2002-12-21 | 2002-12-21 | Leuchtdiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE20219869U DE20219869U1 (de) | 2002-12-21 | 2002-12-21 | Leuchtdiode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE20219869U1 true DE20219869U1 (de) | 2003-05-15 |
Family
ID=7978237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20219869U Expired - Lifetime DE20219869U1 (de) | 2002-12-21 | 2002-12-21 | Leuchtdiode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE20219869U1 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1596440A1 (de) * | 2004-05-11 | 2005-11-16 | Excel Cell Electronic Co., Ltd. | Leuchtdiode |
US7253447B2 (en) | 2003-02-28 | 2007-08-07 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device with the light emitting element and method for manufacturing the light emitting element |
DE102007017113A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit einer optisch aktiven Schicht, Anordnung mit einer Vielzahl von optisch aktiven Schichten und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
DE102008008599A1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiteranordnung, insbesondere Leuchtdiodenanordnung und Leuchtmittelanordnung |
US7851815B2 (en) | 2005-10-22 | 2010-12-14 | Noctron Holding S.A. | Light-emitting element having at least one light-emitting chip crystal |
EP2187119A3 (de) * | 2008-09-19 | 2011-06-15 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Lampenvorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
EP1953837A3 (de) * | 2007-01-31 | 2014-01-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterbauelement mit einer optisch aktiven Schicht, Anordnung mit einer Vielzahl von optisch aktiven Schichten und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
-
2002
- 2002-12-21 DE DE20219869U patent/DE20219869U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7253447B2 (en) | 2003-02-28 | 2007-08-07 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device with the light emitting element and method for manufacturing the light emitting element |
DE102004009998B4 (de) * | 2003-02-28 | 2010-05-06 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi | Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode |
US7737462B2 (en) | 2003-02-28 | 2010-06-15 | Citizen Electronics Co., Ltd | Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode |
US7745835B2 (en) | 2003-02-28 | 2010-06-29 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode |
EP1596440A1 (de) * | 2004-05-11 | 2005-11-16 | Excel Cell Electronic Co., Ltd. | Leuchtdiode |
US7851815B2 (en) | 2005-10-22 | 2010-12-14 | Noctron Holding S.A. | Light-emitting element having at least one light-emitting chip crystal |
DE102007017113A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit einer optisch aktiven Schicht, Anordnung mit einer Vielzahl von optisch aktiven Schichten und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
US8564007B2 (en) | 2007-01-31 | 2013-10-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component comprising an optically active layer, arrangement comprising a multiplicity of optically active layers and method for producing a semiconductor component |
EP1953837A3 (de) * | 2007-01-31 | 2014-01-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterbauelement mit einer optisch aktiven Schicht, Anordnung mit einer Vielzahl von optisch aktiven Schichten und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
DE102008008599A1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiteranordnung, insbesondere Leuchtdiodenanordnung und Leuchtmittelanordnung |
EP2187119A3 (de) * | 2008-09-19 | 2011-06-15 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Lampenvorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10051159C2 (de) | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle | |
DE102008003670B4 (de) | Lichtquelle mit mehreren LED-Chips | |
DE102004036157B4 (de) | Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul | |
DE102014109647B4 (de) | Lichtemittierendes Modul und Beleuchtungsvorrichtung | |
EP1770796B1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement | |
DE102014118238A1 (de) | Licht emittierende Vorrichtung, dieselbe beinhaltende Beleuchtungsvorrichtung und Montiersubstrat | |
DE202005021952U1 (de) | Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung | |
DE112016002349T5 (de) | Lichtemissionseinrichtung und Fahrzeuglampe mit dieser | |
DE102012002859A1 (de) | Beleuchtungsquelle mit veringerter Innenkerngröße | |
DE202011110024U1 (de) | Weisslichtgerät | |
DE10159695A1 (de) | Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat | |
DE102017119888A1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung | |
DE102016109308B4 (de) | Strahlungsemittierendes bauelement | |
EP2507548B1 (de) | Retrofit led-lampe | |
DE102017104606A1 (de) | Lichtemittierender Apparat und Beleuchtungsapparat | |
DE102016102778A1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung | |
DE102014109717A1 (de) | Substrat, Licht emittierende Vorrichtung, Beleuchtungslichtquelle und Leuchteinrichtung | |
DE20007730U1 (de) | Vorrichtung mit lichtemittierenden Dioden | |
DE102011086359A1 (de) | LED-Modul | |
DE102014110087A1 (de) | Licht emittierendes Modul, Beleuchtungsvorrichtung und Beleuchtungsausstattung | |
EP2443390B1 (de) | Kühlkörper für halbleiterleuchtelemente | |
DE20219869U1 (de) | Leuchtdiode | |
EP2350522A1 (de) | Led-beleuchtungsvorrichtung, insbesondere für tunnels | |
DE10260432A1 (de) | Leuchtdiode | |
DE102018109216A1 (de) | LED-Modul, LED-Leuchtmittel und Verfahren zur Herstellung derselben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20030618 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: FUH, LIH MING, TW Free format text: FORMER OWNER: MING, FUH LIH, TALI, TW Effective date: 20051004 |
|
R156 | Lapse of ip right after 3 years |
Effective date: 20060701 |