DE10151724A1

DE10151724A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren eines Musterfilms auf einem Halbleitersubstrat

Info

Publication number: DE10151724A1
Application number: DE10151724A
Authority: DE
Inventors: Yukio Morishige; Makoto Oomiya
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: Laserfront Technologies Inc
Priority date: 2000-10-19
Filing date: 2001-10-19
Publication date: 2002-06-06
Anticipated expiration: 2021-10-20
Also published as: JP3479838B2; US20020047095A1; DE10151724B4; US6890387B2; US20050178752A1; JP2002131888A; KR100444709B1; KR20020033438A; SG106643A1; TW573049B

Abstract

Um einen weißen Defekt auf einer Oberfläche eines Substrats zu korrigieren, wird das Substrat mit der Oberfläche nach unten gewandt gehalten, Laserlicht wird nach oben auf den Defekt an der Oberfläche in Materialgas gestrahlt und als ein Ergebnis wird der weiße Defekt mit Film abgedeckt.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die Korrektur eines Musters auf einem Halbleitersub strat und insbesondere auf einer Halbleiterfotomaske.

Eine Halbleiterfotomaske wird zum Belichten eines Wafers mit einer Schaltungsstruktur beim Herstellungsvorgang einer Halbleitervorrichtung, einer Flüssigkristallanzeigevor richtung, etc., verwendet. Eine Halbleiterfotomaske ist ein transparentes Halbleitersubstrat, auf welchem ein dünner Musterfilm, der ein opaquer Film ist, ausgebildet ist. Wenn der Musterfilm auf dem Substrat gebildet ist, können zwei Arten von Defekten auftreten: ein Weißdefekt oder ein Fehldefekt, bei dem ein Teil des Musterfilms verloren geht, und ein Schwarzdefekt oder ein Überschußdefekt, bei dem das Substrat unnötig mit Film abgedeckt wird.

Zum Korrigieren von Weißdefekten auf einer Halbleiterfotomaske steht die Laser-CVD (chemische Dampfabscheidung) zur Verfügung. Gemäß der Laser-CVD wird Laserlicht auf die Weißdefekte auf dem Substrat in einem Chrom enthaltenden Materialgas gestrahlt. La serlicht löst thermisch Materialgas um die Weißdefekte und als ein Ergebnis hat der Film Chromaufwachsungen oberhalb der Weißdefekte.

Ein Beispiel der herkömmlichen Technik zum Korrigieren von Weißdefekten auf einer Halbleiterfotomaske ist die Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichungsnummer H10- 324973, nämlich 324973/1998, die im Nachfolgenden als erste herkömmliche Technik bezeichnet wird. Gemäß der ersten herkömmlichen Technik ist ein optisches System für einen Laserstrahler/Lasermikroskop, das eine Laserlichtquelle und eine Einheit zum Be strahlen Beobachten hat, oberhalb des Substrats, in Materialgas gesetzt, angeordnet. Das optische System strahlt Laserlicht auf die Weißdefekte auf dem Substrat nach unten. Das optische System formt das Laserlicht durch seinen Schlitz und projiziert auf das Substrat ein Muster. Als ein Ergebnis korrigiert das optische System die Defekte präzise.

Andererseits werden Schwarzdefekte, nämlich ein unnötiger Teil des Musterfilms, her kömmlicherweise verdampft, um eine Halbleiterfotomaske zu korrigieren, indem der Teil mit Laserlicht bestrahlt wird.

Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (JP-A) Nr. H7-104459, nämlich 104459/1995, mit dem Titel "Method and Apparatus for correcting defects on a foto mask" wird im Nachfolgenden als zweite herkömmliche Technik bezeichnet. Gemäß der zweiten herkömmlichen Technik wird als erstes ein Musterfilm auf eine Oberfläche des transpa renten Substrats aufgedruckt. Als nächstes wird das Substrat auf die Oberfläche gelegt. Dann wird von der anderen Oberfläche durch das Substrat auf die Schwarzdefekte Licht gestrahlt, um die Schwarzdefekte zu verdampfen. Da die erstere Oberfläche nach unten gewandt ist, tropfen Teilchen, die beim Verdampfen der Schwarzdefekte erzeugt werden, nach unten und hängen daher nicht an der ersteren Oberfläche.

Gemäß der ersten herkömmlichen Technik wird Laserlicht nach unten auf Weißdefekte auf einem Substrat gestrahlt, um den Musterfilm zu bilden, der die Weißdefekte abdeckt. Die Laser-CVD erzeugt Teilchen aus zersetztem Materialgas. Die Teilchen in der Luft fallen nach unten und haften wiederum um den Bereich, an welchem das Laserlicht auf das Sub strat gestrahlt worden ist. Aus den anhaftenden Teilchen bildet CVD einen unnötigen Film auf dem Substrat. Als ein Ergebnis bläht sich die Kante des Musterfilms an dem Rand des Maskenmusters auf. Verglichen mit der zweiten herkömmlichen Technik hat die erste her kömmliche Technik weniger Präzision.

Gemäß der zweiten herkömmlichen Technik ist andererseits die Oberfläche des Substrats, auf welche Laserlicht gestrahlt wird, nach unten gewandt, und daraus folgt, daß die meisten Teilchen, welche durch das Laserlicht erzeugt werden, nach unten fallen. Teilchen, die 0,1 µm oder kleiner sind, haften jedoch häufig wieder an dem Substrat und verursachen eine Abnahme der Durchlässigkeit um den Bereich, der mit Laserlicht bestrahlt worden ist. Die Abnahme der Durchlässigkeit beeinträchtigt das neueste Gerät zum Korrigieren von Foto masken mit dem Maßstab 0,13 µm, was einem Maßstab von 0,5 µm auf dessen Original fotomaske entspricht, ernsthaft.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Korrigieren von Defekten eines Musterfilms auf der Oberfläche eines Substrats mit hoher Genauigkeit zu schaffen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung hat das Verfahren die Schritte: Halten des Substrats mit der Oberfläche nach unten gewandt; Bestrahlen eines Weißdefektes auf der Oberfläche mit Laserlicht nach oben; Blasen von Materialgas zum Ausbilden eines Musterfilms auf der Oberfläche; und Ausbilden des Musterfilms über dem Weißdefekt.

Das Verfahren kann ferner die Schritte aufweisen: Bestrahlen eines Schwarzdefektes auf der Oberfläche mit Laserlicht nach oben; und Verdampfen des unnötigen Teils des Muster films, um den Schwarzdefekt zu korrigieren.

Das Verfahren kann ferner die Schritte aufweisen: Blasen von Sauerstoffgas auf die Ober fläche; Strahlen eines ersten Laserlichtes nach oben auf den unnötigen Teil eines Muster films auf der Oberfläche, um die oberste Schicht des Teils zu oxidieren; Strahlen eines zweiten Laserlichts nach oben auf die oxidierte oberste Schicht, um die oxidierte oberste Schicht abzuschälen; und Wiederholen der Schritte Strahlen des ersten und zweiten Laser lichts, um den unnötigen Teil des Musterfilms zu eliminieren.

Der Schritt Blasen kann ferner das Blasen von Spülgas, welches verhindert, daß ein Fenster zum Leiten von Laserlicht trübe wird, und von Trägergas sein, welches in dem CVD-Gas enthalten ist, um Materialgas zu tragen, und die Hauptkomponente der Spül- und Träger gase kann Heliumgas sein.

Das Substrat kann angesaugt werden, um bei dem Halteschritt gehalten zu werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung hat die Vorrichtung: einen Halter zum Halten des Sub strats mit der Oberfläche nach unten gewandt; einen Laserstrahler zum Strahlen von Laser licht nach oben auf einen Weißdefekt an der Oberfläche; eine Gaszirkuliereinheit zum Zu führen und Abziehen von Gas, welches das Materialgas enthält; ein Gasfenster zum Blasen von Materialgas auf die Oberfläche und Leiten von Laserlicht von der Laserquelle durch das Gasfenster auf den Weißdefekt, um auf dem Weißdefekt einen Musterfilm auszubilden.

Die Vorrichtung kann ferner eine optische Einheit zum Beobachten des Musterfilms auf dem Substrat aufweisen. In diesem Fall kann das Substrat für Licht durchlässig sein und die Vorrichtung kann ferner eine eindringende Lichtquelle haben, um Licht durch das Sub strat auf die untere Oberfläche des Substrats zu strahlen, um mit der unteren Oberfläche zu beleuchten. Darüberhinaus kann die Saugeinheit eine obere, völlig durchlässige Abdeckung aufweisen, und die eindringende Lichtquelle kann ein Objektiv aufweisen, das so gestaltet ist, daß es die Verzerrung des Objektivs mit Bezug auf die Gesamtdicke der Abdeckung und des Substrates kompensiert.

Gemäß der Vorrichtung kann der Laserstrahler eine erste Laserquelle zum Strahlen eines ersten Laserlichts zum Verdampfen des Musterfilms und eine zweite Laserquelle zum Strahlen eines zweiten Laserlichts für die Laser-CVD aufweisen. In diesem Fall wird das erste Laserlicht durch das Gasfenster auf die Schwarzdefekte gestrahlt, um die Schwarzde fekte zu verdampfen. Das zweite Laserlicht wird durch das Gasfenster auf die Weißdefekte gestrahlt, wobei Materialgas durch die Gaszirkulationseinheit zugeführt wird, um über den Weißdefekten einen Film auszubilden.

Gemäß der Vorrichtung kann die Gaszirkulationseinheit Spülgas, das ein Trübewerden eines Fensters zum Leiten von Laserlicht verhindert, und Trägergas zuführen, das in dem CVD-Gas enthalten ist, um Materialgas zu tragen. Vorzugsweise ist die Hauptkomponente der Spül- und Trägergase Heliumgas.

Der Halter kann das Substrat ansaugen, um das Substrat zu halten.

Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild zur Verwendung bei der Beschreibung einer Musterkor rekturvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 zeigt eine Ansicht im Schnitt zur Verwendung bei der Beschreibung des Gasfensters 6 gemäß der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 3 zeigt eine Ansicht im Schnitt zur Verwendung bei der Beschreibung der Saugeinheit 9 gemäß der vorliegenden Erfindung.

1. Erste Ausführungsform

Es wird eine Ausführungsform einer Musterkorrekturvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bezugnehmend auf die Fig. 1 erzeugt eine erste Laserquelle (La serquelle 1) Laserlicht für das Verdampfen des Films, nämlich zum Korrigieren der Schwarzdefekte, und hat einen Nd:YVO4-Laser, der Laserlicht einer Impulsbreite von 0,8 ns und einer Wellenlänge von 355 nm und einer Oszillationsfrequenz von 3 Hz erzeugt. Die zweite Laserquelle (Laserquelle 2) erzeugt Laserlicht für die Laser-CVD, nämlich zum Korrigieren der Weißdefekte, und hat einen Nd:YLF-Laser, der Laserlicht mit einer Im pulsbreite von 30 ns, einer Wellenlänge von 349 nm und einer Oszillationsfrequenz von 7 Hz erzeugt.

Eine Laserstrahler-Mikroskopoptikeinheit 3 strahlt Laserlicht, das durch die Laserquellen 1 und 2 erzeugt worden ist, auf eine untere Oberfläche eines Substrats 16, das für Licht durchlässig ist, und dient als ein Mikroskop zum Betrachten eines Musters auf dem Sub strat 16. Die Laserstrahler/Mikroskop-Optikeinheit 3 ist unterhalb des Substrats 16 ange ordnet, um Laserlicht nach oben durch ein Gasfenster 6 auf die untere Oberfläche zu strahlen. Ein Objektiv 4 konzentriert Laserlicht, das von der Laserstrahler/Mikroskop-Op tikeinheit 3 abgestrahlt worden ist, und leitet das Laserlicht durch das Gasfenster 6 auf das Substrat 16.

Mit dem Gasfenster 6 ist über eine Leitung eine Gaszirkulationseinheit 5 verbunden. Die Gaszirkulationseinheit 5 führt CVD und Spülgase zu. Ferner sieht die Gaszirkulationsein heit 5 die Gase, welche vom Gasfenster 6 abgegeben werden, ab und immunisiert diese. Das CVD-Gas enthält Material- und Trägergase. Beispielsweise ist das Materialgas ein Chromkarbonylgas, die Träger- und Spülgase sind Heliumgas oder Argongas.

Das Gasfenster 6 ist unterhalb des Substrats 16 angeordnet. Das Gasfenster 16 hat eine Struktur zum Abdecken der unteren Oberfläche des Substrats 16 und hat ein Fenster zum Aufnehmen von Laserlicht durch das Objektiv 4 von der Laserstrah ler/Mikroskopoptikeinheit 3. Das Gasfenster 6 wird durch die Leitung von der Gaszirkula tionseinheit 5 mit der CVD- und Spülgasen versorgt, und sprüht auf die untere Oberfläche des Substrats 16, das CVD-Gas, welches Materialgas für den Musterfilm enthält, und das Spülgas, welches ein Trübewerden des Fensters verhindert. Ferner saugt das Gasfenster 6 das gesprühte Gas an, um dieses in die Gaszirkulationseinheit 5 auszugeben.

Eine Einzelheit des Gasfensters 6 ist in der Fig. 2 dargestellt. Um die Struktur des Gasfen sters 6 deutlich zu zeigen, ist in der Fig. 2 das Gasfenster 6 deutlich von dem Substrat 16 getrennt. Das Gasfenster 6 und das Substrat 16 sind jedoch tatsächlich nur um ungefähr 0,5 mm beabstandet.

Wie in der Fig. 2 gezeigt, ist das Gasfenster 6 unterhalb des Substrats 16 angeordnet. Das Gasfenster 6 hat eine zylindrische Form mit einem ungefähr konischen Hohlraum in der Mitte des Gasfensters 6. Der Boden des Gasfensters 6, nämlich die dem Objektiv 4 zuge wandte Unterseite des Gasfensters 6 hat eine Öffnung, die größer als die Öffnung an der Oberseite des Gasfensters 6 ist. Die Öffnung an der Unterseite ist durch ein Fenster 20 ein genommen, das die Gase stoppt, Laserlicht von der Laserstrahler-/Mikroskop-Optikeinheit 3 über das Objektiv 4 jedoch durchläßt.

An der Seite des Gasfensters 6 sind eine Spülgasdüse 21 und eine Materialzufuhrdüse 22 durch den Hohlraum eingebettet. Die Spülgasdüse 21 mündet in der Nähe des Fensters 20, um ein Trübewerden des Fensters 20 zu verhindern. Die Materialzuführdüse 22 mündet in der Nähe einer Laserstrahlöffnung 25, die sich an der Oberseite des Gasfensters 6 öffnet, um das CVD-Gas aus dem Hohlraum zu sprühen, das Material- und Trägergase enthält und von der Gaszirkulationseinheit 5 zugeführt ist.

Weiterhin hat die Oberseite des Gasfensters 6 eine runde Nut 23 an einem Umfang, der zum Laserstrahlloch 25 zentriert ist. Das Gas, welches auf das Substrat 16 gesprüht wird, wird von der runden Nut 23 aus angesaugt und durch eine Ansaugleitung 24 zu der Gaszir kulationseinheit 5 abgeführt.

In der Fig. 2 zeigen Pfeile die Richtungen, in welche Gas um die Oberseite des Gasfensters 6 strömt. Das Spülgas sprüht als erstes aus der Spülgasdüse 21 auf das Fenster 20, steigt als nächstes durch das Laserstrahlloch 25, strömt dann zwischen dem Gasfenster 6 und dem Substrat 16 um die Nut 23 und wird danach durch die Ansaugleitung 24 abgesaugt. Das CVD-Gas sprüht als erstes aus der Materialzuführdüse 22 durch das Laserstrahlloch 25 auf die Unterseite des Substrats 16, strömt als nächstes zwischen dem Gasfenster 6 und dem Substrat 16 zur runden Nut 23 und wird dann als nächstes durch die Saugleitung 24 abge saugt.

Durch die runde Nut 23 werden nicht nur die Spül- und CVD-Gase, sondern auch die Luft um das Gasfenster 6 angesaugt. Daraus folgt, daß die CVD- und Spülgase, die durch das Laserstrahlloch 25 ausgesprüht werden, gegenüber der Luft um das Gasfenster 6 isoliert sind. Als ein Ergebnis kann die Musterkorrekturvorrichtung ohne eine Vakuumvorrichtung stetig Musterfilm auf dem Substrat 16 durch Laser-CVD abscheiden.

Laserlicht, welches von der Laserstrahler/Mikroskop-Optikeinheit 3 durch das Objektiv 4 abgestrahlt wird, wird durch das Fenster 20 geleitet, geht durch den Hohlraum des Gasfen sters 6 und das Laserstrahlloch 25 und wird auf die Unterseite des Substrats 16 gestrahlt.

Wiederum bezugnehmend auf Fig. 1 beleuchtet eine eindringende Lichtquelle 7 das licht durchlässige/transparente Substrat 16, um das winzige Muster auf dem Substrat 16 durch die Laserstrahler/Mikroskop-Optikeinheit 3 zu messen. Die eindringende Lichtquelle 7 ist so gestaltet, daß sie bezüglich der Kompensation der Dicke des Substrats 16 einen opti mierten optischen Winkel hat und eine lichtdurchlässige Abdeckung 31 einer Ansaugein heit 9 hat (siehe Fig. 3).

Die Laserstrahler/Mikroskop-Optikeinheit 3, das Objektiv 4, das Gasfenster 4 und die ein dringende Lichtquelle 7 bilden ein optisches System zum Messen des winzigen Musters auf dem Substrat 16. Die Wellenlänge des Lichtes für die Messung beträgt 365 nm. In ei nem Meßmodus stehen die eindringende Lichtquelle 7, ein Meßlicht und ein Schlitzspalt licht als Lichtquelle für das optische System zur Verfügung. Das Schlitzspaltlicht projiziert die Form des auf das Substrat 16 gestrahlten Laserlichtes.

Ein X-Y-Objekttisch 8 trägt das Substrat 16 horizontal zwischen dem Ort der Zulieferung an einer Handhabung 14 (dem Ort, wo das Substrat 16 in der Fig. 1 durch eine durchgezo gene Linie dargestellt ist) und dem Ort oberhalb des Gasfensters 6. Der X-Y-Objekttisch 8 ist für Licht durchlässig, damit Licht von der Eindringlichtquelle 7 in den X-Y-Objekttisch 8 eindringen kann.

An dem X-Y-Objekttisch 8 ist eine Saugeinheit 9 befestigt, um an dem Substrat 16 anzu haften und dieses zu halten. Die folgende Beschreibung zeigt den detaillierten Aufbau der Saugeinheit 9. Wie in der Fig. 3 gezeigt, hat die Saugeinheit 9 einen Saughalter 30 mit ei ner quadratischen Rahmenform. In die Oberseite des Rahmens des Saughalters 30 ist eine 3 mm dicke, lichtdurchlässige Abdeckung 31 eingebettet. An der Oberseite des Saughalters 30 sind Innengewindebuchsen 32 zum Befestigen des Saughalters 30 an dem X-Y-Objekt tisch 8 eingebettet. Entlang der Innenseite des Saughalters 30 unterhalb der lichtdurchlässi gen Abdeckung 31 ist eine O-Dichtungsringnut 33 eingeschnitten. In die O-Dichtungsring nut 33 ist ein gummiartiger O-Dichtungsring 34 eingelegt, um den Spalt zwischen der Saugeinheit 9 und dem Substrat 16 luftdicht zu halten.

An der Seite des Saughalters 30 ist ein Rohr 10 eingesetzt. Wie in der Fig. 1 gezeigt, ist das Rohr 10 über einen Drucksensor 11 mit einer Pumpe 12 verbunden. Die Pumpe 12 saugt die Luft aus dem Spalt zwischen der Saugeinheit 9 und dem Substrat 16 und daraus folgend haftet die Saugeinheit 9 am Substrat 16 an.

Wie in der Fig. 3 gezeigt, entspricht die Unterseite des Substrats 16 der Oberseite der Saugeinheit 9, wenn die Saugeinheit 9 am Substrat 16 anhaftet. Dieser Aufbau der Muster korrekturvorrichtung ermöglicht, daß sich der X-Y-Objekttisch 8 ohne Hindernis in einer horizontalen Ebene unter Beibehaltung eines winzigen Spaltes zwischen dem Gasfenster 6 und dem Substrat 16 bewegt. Um den winzigen Spalt beizubehalten kann Gas zwischen dem Gasfenster 6 und dem Substrat 16 stetig strömen. Daher verhindert dieser Aufbau Gasturbulenz, die die Ausbildung eines Musterfilms zerstört, und eine Gasleckage vom Inneren des Gasfensters 6 verursacht.

Wiederum bezugnehmend auf Fig. 1 nimmt eine Bildverarbeitungseinheit 13, die in der Fig. 1 mit gestrichelter Linie dargestellt ist, ein Bild des Substrats 16 auf der Handhabung 14 auf, um zu bestätigen, ob das Substrat 16 auf einem Gestell der Handhabung 14 in einer korrekten Position abgelegt ist.

Wenn das Substrat 16 auf dem Gestell der Handhabung 14 abgelegt ist, dreht die Handha bung 14 zum Ort der Zuführung des Substrats 16 zur Saugeinheit 9. Dann hebt die Hand habung 14 das Gestell durch ihren Z-Achsenmechanismus an, damit die Saugeinheit 9 in die Lage kommt, am Substrat 16 anzuhaften.

Nachdem das Korrigieren der Defekte einer Fotomaske beendet ist, läßt die Saugeinheit 9 das Substrat 16 frei und legt das Substrat 16 auf dem Gestell der Handhabung 14 ab. Dann senkt die Handhabung 14 das Gestell durch den Z-Achsenmechanismus und dreht sich zum Ort für das Herausnehmen des Substrats 16 aus der Musterkorrekturvorrichtung.

Eine Steuerung 15 steuert die Arbeiten der Musterkorrekturvorrichtung, der Laserquellen 1 und 2, der Laserstrahler/Mikroskop-Optikeinheit 3, der Gaszirkulationseinheit 5, der Ein dringlichtquelle 7, des X-Y-Objekttisches 8, des Drucksensors 11, der Pumpe 12, der Handhabung 14 und der Bildverarbeitungseinheit 14.

Es wird nun der Arbeitsvorgang der Musterkorrekturvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.

(1) Eine Fotomasken-Prüfvorrichtung hat zuvor auf einer Fotomaske weiße und schwarze Defekte detektiert. Die Fotomaskenprüfvorrichtung fordert Information über die Defekte an. Im folgenden werden die Daten, die die Information über die Defekte repräsentieren, als Defektdaten bezeichnet. Die Defektdaten enthalten Daten, welche repräsentieren, wo und welche Defekte detektiert worden sind, und werden in der Steuerung 15 in der Musterkor rekturvorrichtung gespeichert.

Als erstes legt eine Bedienungsperson der Musterkorrekturvorrichtung das Substrat 16 ei ner 6-Inch-Fotomaske auf das Gestell der Handhabung 14. Die Steuerung 15 bewirkt, daß die Bildverarbeitungseinheit 13 das Substrat 16 auf dem Gestell der Handhabung 14 er kennt, um Information über die Positionierung des Substrats 16 auf dem Gestell der Hand habung 14 anzufordern. Die Positionsinformation enthält die Position des Mittelpunktes des Substrats 16 und einen Winkel, in welchem das Substrat 16 in der X-Y-Ebene zu set zen ist. Unter Bezugnahme auf die Positionsinformation dirigiert die Steuerung 15 die Handhabung 14, um das Gestell herumzudrehen, um eine Nichtübereinstimmung zwischen dem Winkel des Substrats 16 und dem Winkel der Saugeinheit 9 zu beseitigen, wenn das Substrat 16 an den Ort für die Zuführung zur Saugeinheit 9 fährt. Gleichzeitig weist die Steuerung 15 den X-Y-Objekttisch 8 an, seine Horizontalposition exakt fein abzustimmen, damit das Substrat 16 direkt unterhalb der Saugeinheit 9 positioniert ist, wenn das Gestell der Handhabung 14 zum Ort der Zulieferung umdreht.

Als nächstes weist die Steuerung 15 die Handhabung 14 an, den Z-Achsenmechanismus bis zu der vorbestimmten Position anzuheben, und die Pumpe 12 mit dem Absaugen der Luft aus der Saugeinheit 9 zu beginnen. Unter Bezugnahme auf den Druck, der durch den Drucksensor 11 gemessen worden ist, stellt die Pumpe 12 die Leitfähigkeit der Saugeinheit 9 so ein, daß der Druck innerhalb der Saugeinheit 9 0,3 atm wird. Ferner weist die Steue rung 15 die Handhabung 14 an, den Z-Achsenmechanismus in eine Bereitschaftsposition abzusenken und in Bereitschaft zu stehen.

Nachdem die Saugeinheit 9 am Substrat 16 anhaftet, weist die Steuerung 15 den X-Y-Ob jekttisch 8 an, das Substrat 16 in die Position oberhalb des Gasfensters 6 zu fahren. In die ser Position weist die Steuerung 15 die Gaszirkulationseinheit 5 an, Spülgas und CVD-Gas dem Gasfenster 6 zuzuführen. Es wird davon ausgegangen, daß sowohl das Trägergas, wel ches in dem CVD-Gas enthalten ist, als auch das Spülgas Argongas ist; das Materialgas, welches in dem CVD-Gas enthalten ist, ist ein Chromkarbonylgas; die Strömungsge schwindigkeit des CVD-Gases beträgt 70 sccm und die Strömungsgeschwindigkeit des Spülgases beträgt 1500 sccm.

Unter Bezugnahme auf die Defektdaten, die zuvor in der Steuerung 15 gespeichert worden sind, weist die Steuerung 15 den X-Y-Objekttisch 8 an, das Substrat 16 so zu bewegen, daß ein weißer Defekt auf dem Substrat 16 direkt oberhalb des Laserstrahlloches 25 des Gas fensters 6 positioniert ist. Die Bedienungsperson mißt zur Überprüfung den weißen Defekt auf dem Substrat 16 durch die Laserstrahler-Mikroskop-Optikeinheit 3 mit ihren eigenen Augen, und stellt als nächstes exakt die Größe, den Winkel und die Position eines Schlitz spaltes für den Bestrahlungslaser der Laserstrahler-Mikroskop-Optikeinheit 3 ein. Dann strahlt die Laserquelle 2, die Laserlicht für CVD abstrahlt, Laserlicht 5 Sekunden auf den weißen Defekt, um den Film zu bilden. Diese Vorgänge werden für alle weißen Defekte auf dem Substrat 16 wiederholt.

Wenn alle weißen Defekte auf dem Substrat 16 korrigiert sind, stoppt die Bedienungsper son die Zufuhr von CVD-Gas und es wird nur Spülgas zugeführt. Als nächstes weist die Steuerung 15 den X-Y-Objekttisch 8 an, einen schwarzen Defekt auf dem Substrat 16 di rekt über das Laserstrahlloch 25 des Gasfensters 6 zu fahren. Die Bedienungsperson mißt den schwarzen Defekt auf dem Substrat 16 durch die Laserstrahler /Mikroskopoptikeinheit 3 mit ihren eigenen Augen zur Sicherstellung, und als nächstes wird die Größe, der Winkel und die Position eines Spaltschlitzes für die Laserbestrahlung mit der Laserstrah ler/Mikroskop-Optikeinheit 3 fein eingestellt. Dann strahlt die Laserquelle 1, die Laserlicht für die Verdampfung eines Films strahlt, zwei Schüsse Laserlicht auf den weißen Defekt, um einen unnötigen Teil des Musterfilms zu verdampfen. Diese Vorgänge werden für alle schwarzen Defekte auf dem Substrat 16 wiederholt.

Nachdem alle schwarzen Defekte auf dem Substrat 16 korrigiert sind, stoppt die Steuerung 15 die Zufuhr des Spülgases und weist dem X-Y-Objekttisch 8 an, die Saugeinheit 9 über das Gestell der Handhabung 14 zu fahren. Dann weist die Steuerung 15 die Handhabung 14 an, den Z-Achsenmechanismus anzuheben, und die Saugeinheit 9, das Substrat 16 freizu geben, um das Substrat 16 auf das Gestell der Handhabung 14 zu legen. Als nächstes weist die Steuerung 15 die Handhabung 14 an, den Z-Achsenmechanismus abzusenken und das Substrat 16 an den Ort umzudrehen, wo die Bedienungsperson das Substrat 16 empfangen kann. Zum Schluß nimmt die Bedienungsperson 16 das Substrat 16 aus der Musterkorrek turvorrichtung heraus.

(2) Verglichen mit einer typischen herkömmlichen Technik wird die Musterkorrekturvor richtung im folgenden beschrieben.

Herkömmlicherweise ist eine Laserlichtquelle zum Ausbilden eines Films auf einem Sub strat oberhalb des Substrats angeordnet und strahlt Laserlicht nach unten auf das Substrat. Es wird angenommen, daß ein Quadrat von 5 µm × 5 µm Chromfilm auf einem Substrat unter idealen Herstellbedingungen gemäß der vorliegenden Technik ausgebildet werden soll. Als Spül- und CVD-Gas wird Argongas verwendet. In diesem Fall ist es wahrschein lich, daß obwohl Laserlicht auf das Substrat mit einem Quadrat von 5 µm × 5 µm gestrahlt wird, daß die CVD-Größe, das heißt die Größe des Films, der tatsächlich auf dem Substrat ausgebildet wird, auf ungefähr 5,4 µm × 5,4 µm wächst. Ferner ist selbst unter der gleichen Bedingung die CVD-Größe über 0,1 µm schwankend.

Andererseits wird angenommen, daß das gleiche Quadrat auf einem Substrat unter idealen Bearbeitungsbedingungen gemäß der Musterkorrekturvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird. Wenn in diesem Fall Laserlicht auf das Substrat in einem Quadrat von 5 µm × 5 µm aufgestrahlt wird, wächst die CVD-Größe auf ungefähr 5,2 µm × 5,2 µm. Die Abweichung der CVD-Größe beträgt ungefähr 0,07 µm. Darüberhinaus fin det, wenn Heliumgas als Spül- und CVD-Gas anstatt von Argongas verwendet wird und Licht auf ein Quadrat mit 5 µm × 5 µm auf dem Substrat gestrahlt wird, sowohl beim Wachsen als auch bei der Abweichung der CVD-Größe eine starke Vergrößerung statt. In diesem Fall beträgt die CVD-Größe 4,9 µm × 4,9 µm und die Abweichung der CVD-Größe beträgt 0,03 µm.

Die mittlere freie Weglänge der Teilchen in dem Heliumgas ist ungefähr 10 mal länger als diejenige in Argongas oder in Luft. Daraus folgt, daß Teilchen schneller und umfassender in Heliumgas diffundieren als in Argongas oder in Luft. Als ein Ergebnis wird bewirkt, daß die Teilchen in Heliumgas durch die Laser-CVD schneller das Substrat verlassen, und die Dichte der Teilchen in der Nähe des Substrats, die möglicherweise wiederum am Substrat anhaften können, ist niedriger als in Argongas oder in Luft. Diese Wirkung steht selbst dann zur Verfügung, wenn nur eines der Spül- und Trägergase Heliumgas und das andere Argongas ist.

Ungeachtet der Gasart, in welcher das Substrat angeordnet ist, wird wie vorstehend er wähnt, bewirkt, daß Teilchen verursacht durch die Vorgänge zum Korrigieren der Defekte nach unten fallen, da Laserlicht nach oben auf die Unterseite des Substrats 16 gestrahlt wird. Als ein Ergebnis wird die Wahrscheinlichkeit, daß Teilchen wieder am Substrat an haften, stark verringert.

Wie in der Fig. 2 gezeigt, wird das Spülgas an der Oberseite des Gasfensters 6 laufend auf steigen. Der aufsteigende Strom bläst gegen das Substrat 16 und bewirkt eine Grenzschicht des Gasstroms unter das Substrat 16. Die Grenzschicht hat eine Dicke von mehreren 10 Mikrometern. In der Grenzschicht fallen die Teilchen nach unten. Andererseits werden unter der Grenzschicht die Teilchen in einem Radialstrom von der oberen Mitte des Gas fensters 6 zur runden Nut 23 hin eingefangen.

Die Dicke der Grenzschicht hängt von der Viskosität des Gases der Ebenheit des Substrats 16, etc., ab. Im allgemeinen ist die Grenzschicht in Argongas dicker als in Heliumgas. Da jedoch die mittlere freie Weglänge der Teilchen in Heliumgas länger als in Argongas ist, ist die CVD größer durch Laser-CVD in Heliumgas enger als in Argongas.

(3) Als nächstes wird der Arbeitsvorgang der Saugeinheit 9 beschrieben.

Die Saugeinheit 9 beaufschlagt die Oberseite des Substrats 16, die gegenüber der Unter seite zum Maskieren liegt, mit einem negativen Druck, um an dem Substrat 16 anzuhaften. Dieses Verfahren des Haltens ist wirksam, weil: das Substrat 16 an seiner Unterseite für nach unten gewandte Maskierseiten gehalten werden kann; und zwischen der Unterseite des Substrats 16 und dem Gasfenster 6 kein Hindernis ist.

Die Oberseite der Saugeinheit 9 ist mit der lichtdurchlässigen Abdeckung 31 abgedeckt. Bezogen auf die Gesamtdicke der lichtdurchlässigen Abdeckung 31 und des Substrats 16 kann eine Kompensation für die Verzerrung des Objektives, das in der Eindringlichtquelle 7 enthalten ist, optimiert werden, nämlich es kann die optische Verzerrung des Lichtes, das durch die Eindringlichtquelle 7 abgestrahlt wird, kompensiert werden. Daraus folgt, daß das optische System für die Beleuchtung, welches die Eindringlichtquelle 7, die licht durchlässige Abdeckung 31 und das Substrat 16 umfaßt, eine numerische Appertur verlie hen werden kann, die für die numerische Appertur des Objektives 4 optimiert ist. Als ein Ergebnis kann die Bedienungsperson die Mustermaske auf dem Substrat 16 als ein hoch auflösendes Bild messen.

Der Negativdruck, mit dem die Saugeinheit 9 das Substrat 16 beaufschlagt, kann gemäß der Dicke des Substrates 16 ausgewählt sein. Wenn das Substrat 16 beispielsweise 5 Inchsquare ist und eine Dicke von 2,3 mm hat, kann der Negativdruck beispielsweise 0,3 kg/cm² niedrig sein. Dadurch kann verhindert werden, daß der negative Druck das Substrat 16 bricht.

Diese Musterkorrekturvorrichtung stoppt die Zufuhr von CVD-Gas, wenn ein unnötiger Musterfilm beseitigt wird, nämlich wenn schwarze Defekte korrigiert werden. Die Wir kung der Korrektur von schwarzen Defekten mit der Zufuhr von CVD-Gas scheint sich jedoch kaum von der Wirkung der Korrektur von schwarzen Defekten ohne die Zufuhr von CVD-Gas zu unterscheiden. Daher muß die Musterkorrekturvorrichtung nicht die Zufuhr von CVD-Gas stoppen, wenn schwarze Defekte korrigiert werden. Das Stoppen der Zufuhr von CVD-Gas beim Korrigieren von schwarzen Defekten ermöglicht eine Einsparung des Materialgasverbrauchs der Musterkorrekturvorrichtung, und als ein Ergebnis kann das Austauschen des Materialgases verzögert werden.

Ferner muß bei dieser Musterkorrekturvorrichtung die Neigung des Substrats 16 nicht überprüft werden, nachdem die Saugeinheit 9 am Substrat 16 anhaftet. Die Musterkorrek turvorrichtung kann jedoch einen Sperrmechanismus aufweisen, um die Neigung des Sub strates 16 falls notwendig zu überprüfen. Der Sperrmechanismus hat beispielsweise Senso ren zum Messen der Höhe des Substrats 16.

Bei dieser Musterkorrekturvorrichtung weist die Oberfläche, die für das Korrigieren der Defekte bearbeitet wird, nach unten, wenn die Oberfläche durch die Saugeinheit 9 gehalten ist, damit auf einer Fotomaske weiße Defekte durch Laser-CVD korrigiert werden können. Daraus folgt, daß die Musterkorrekturvorrichtung verhindern kann, daß Teilchen, welche durch die Laser-CVD verursacht sind, wieder am Substrat 16 anhaften. Der Unterschied zwischen der Fläche auf dem Substrat 16, die durch Laserlicht bestrahlt wird, und der Flä che auf dem Substrat 16, die mit einem Film abgedeckt ist, ist kleiner. Die Abweichung der mit Film abgedeckten Fläche ist kleiner. Als ein Ergebnis kann die Musterkorrekturvor richtung die Fotomaske mit hoher Genauigkeit bearbeiten.

Ferner enthält die Musterkorrekturvorrichtung zwei Laserquellen. Eine der Laserquellen strahlt für die Verdampfung von Film Laserlicht ab. Die andere strahlt Laserlicht für die Laser-CVD ab. Daraus folgt, daß eine einzelne Musterkorrekturvorrichtung allein die Funktionen zum Korrigieren sowohl der weißen als auch der schwarzen Defekte durchfüh ren kann. Beide Laserquellen strahlen Laserlicht an die Unterseite des Substrats. Daraus folgt, daß Teilchen die sowohl durch Laser-CVD zum Korrigieren der weißen Defekte als auch durch Verdampfen eines unnötigen Films zum Korrigieren der schwarzen Defekte verursacht werden, nach unten fallen, und nicht wieder am Substrat anhaften. Als ein Er gebnis kann die Musterkorrekturvorrichtung weiße und schwarze Defekte auf einer Foto maske mit hoher Genauigkeit korrigieren.

Ferner kann Heliumgas für die Hauptkomponente des Spülgases und des Trägergases zur Verfügung stehen und verhindern, daß Teilchen, die durch Laser-CVD verursacht worden sind, wiederum am Substrat 16 anhaften. Gemäß dem Heliumgas kann die Musterkorrek turvorrichtung den Musterfilm auf dem Substrat 16 mit höherer Genauigkeit bearbeiten.

Um ferner das Substrat 16 zu halten, haftet die Saugeinheit 9 an dem Substrat 16, wenn Defekte des Musterfilms auf dem Substrat 16 korrigiert werden. Das Anhaften des Sub strats 16 ermöglicht, daß das Substrat 16 nach unten gewandt ist, wenn die Saugeinheit 9 das Substrat 16 hält.

Ferner ist die Kompensation der Verzerrung des Objektivs, das in der Eindringlichtquelle 7 enthalten ist, unter Bezug auf die Gesamtdicke der lichtdurchlässigen Abdeckung 31 und des Substrats 16 für die numerische Appertur des Objektivs 4 optimiert. Hieraus resultiert, daß die Bedienungsperson die Mustermaske auf dem Substrat 16 als ein hoch aufgelöstes Bild beobachten kann.

Zweite Ausführungsform

Die zweite Ausführungsform ist zur Verbesserung eines Verfahrens zum Korrigieren von schwarzen Defekten geschaffen, die ein unnötiger Teil des Films auf einer Fotomaske sind. Die Musterkorrekturvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform wie vorstehend be schrieben wird für die folgende Beschreibung der zweiten Ausführungsform verwandt.

Gemäß der ersten Ausführungsform wird Argon oder Heliumgas als Spülgas verwendet. Gemäß der zweiten Ausführungsform wird andererseits Sauerstoffgas als Spülgas und kein CVD-Gas verwendet. In dieser Situation strahlt die Laserquelle 1 einen Schuß Laserlicht auf einen schwarzen Defekt. Der Schuß hat 25%o der Stärke des Laserlichtes, welches her kömmlicherweise zum Eliminieren eines schwarzen Defektes verwendet wird. Der Schuß eliminiert den Chromoxidfilm, der auf der Oberseite des Chromfilms als eine AR-Hof schicht b ausgebildet ist (Reflektion verhindernder Film), und zwar in der Größenordnung von ungefähr 200 Å, um eine Schicht, die unter derjenigen der AR-Hofschicht liegt, frei zulegen.

Als nächstes strahlt die Laserquelle 2 Laserlicht 0,5 sec auf das Substrat. In dieser Zeit ist die Stärke des Laserlichtes geringer als die Stärke zum Verdampfen des Chromfilmes, da mit die Oberseite der freigelegten Chromschicht oxidiert wird und die Farbe ändert. Dann strahlt die Laserquelle 1 einen weiteren Laserschuß auf die freigelegte Chromschicht. Da nach wird die freigelegte Chromschicht abgeschält und eine weitere Chromschicht wird neuerdings freigelegt. Nach dem das Freilegen und Abschälen einer Chromschicht unge fähr zehn mal wiederholt worden ist, ist der Chromfilm eines schwarzen Defektes auf dem Substrat 16 beseitigt, und es erscheint die Glasoberfläche des Substrats 16.

Die zweite Ausführungsform kann schwarze Defekte durch Laserlicht mit 25% niedrigerer Stärke als diejenige des Laserlichts, welches in der herkömmlichen Technik verwendet wird, beseitigen. Die niedrigere Stärke des Laserlichts ermöglicht, daß das Substrat 16 we niger zerstört wird. Gemäß den herkömmlichen Techniken zum Beseitigen von schwarzen Defekten wird eine Quarzglasschicht des Substrats 16 selbst unter optimierten Bedingun gen mit einer Tiefe von 300 Å abgetragen. Andererseits wird gemäß der zweiten Ausfüh rungsform die Quarzglasschicht mit einer Tiefe von 50 Å abgetragen.

Gemäß der zweiten Ausführungsform wird der Chromfilm oxidiert und dann beseitigt. Das Molekulargewicht von Chromoxid ist größer als das von nichtoxidiertem Chrom. Daher fallen die Teilchen, die die zweite Ausführungsform erzeugt, wenn sie einen Chromfilm beseitigt, leicht nach unten, und daraus resultiert, daß sie kaum wieder am Substrat 16 an haften. Verglichen mit der herkömmlichen Technik zum Eliminieren von schwarzen De fekten kann die zweite Ausführungsform einen Film auf dem Substrat 16 bilden, dessen Kanten äußerst gerade sind und glatte Wände haben. Wenn ferner ein quadratischer schwarzer Defekt von 5 µm × 5 µm auf dem Substrat 16 gemäß den herkömmlichen Tech niken korrigiert worden ist, weicht der Transmissionsfaktor um die korrigierten schwarzen Defekte auf dem Substrat 16 um ungefähr 1,5% ab. Wenn andererseits der gleiche schwarze Defekt gemäß der zweiten Ausführungsform korrigiert worden ist, fällt der Transmissionsfaktor nur um 1,0% oder weniger.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird das Substrat mit der Oberseite nach unten ge wandt gehalten und auf die Oberfläche wird Materialgas zum Ausbilden des Musterfilmes geblasen. In dieser Situation wird Laserlicht nach oben auf einen weißen Defekt gestrahlt, um über dem weißen Defekt einen Musterfilm auszubilden. Wenn das Laserlicht auf den weißen Defekt gestrahlt wird, werden Teilchen erzeugt. Die Teilchen fallen jedoch nach unten und haften nicht wiederum am Substrat an. Daraus folgt, daß die vorliegende Erfin dung verhindern kann, daß ein Musterfilm übermäßig wächst und in unregelmäßiger Größe wächst. Als ein Ergebnis wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Fotomaske mit ho her Genauigkeit bearbeitet.

Um ferner einen schwarzen Defekt auf dem Substrat zu korrigieren, kann Laserlicht nach oben auf den schwarzen Defekt gestrahlt werden, um den unnötigen Teil des Musterfilms zu verdampfen. Obwohl in der Luft Teilchen erzeugt werden, wenn der schwarze Defekt verdampft wird, fallen die Teilchen nach unten und haften nicht wieder am Substrat an.

Um einen unnötigen Teil des Musterfilmes zu beseitigen, kann die vorliegende Erfindung wiederholt die obere Schicht des Musterfilms oxidieren und die Schicht abschälen. In die sem Fall ist die bei einem Mal abgeschälte Schicht so dünn, daß das Substrat beim Beseiti gen eines unnötigen Teils des Musterfilms weniger zerstört wird.

Als Spül- und CVD-Gas der Musterkorrekturvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfin dung steht Heliumgas zur Verfügung. Wenn Spül- und CVD-Gas Heliumgas als Haupt komponente enthalten, haften weniger Teilchen wieder an dem Substrat an.

Urn das Substrat zu halten, kann die vorliegende Erfindung das Substrat ansaugen. Das Ansaugen des Substrates ist für das nach unten Weisen der Oberfläche des Substrats, auf welcher Defekte durch Laserlicht bestrahlt werden, hilfreich.

Die Musterkorrekturvorrichtung mit der oberen Abdeckung und dem Objektiv macht es möglich, daß die Bedienungsperson das Substrat mit eindringendem Licht mit hoher Auf lösung betrachten kann.

Obwohl die vorliegende Erfindung insoweit anhand der wenigen Ausführungsformen der selben beschrieben worden ist, ist es für den Fachmann leicht möglich, diese Erfindung in verschiedenen Arten und Weisen zu realisieren.

Claims

1. Verfahren zum Korrigieren von Defekten eines Musterfilms auf einer Oberfläche eines Substrats, mit den Schritten:
Halten des Substrats mit der Oberfläche nach unten gewandt;
Blasen von Materialgas zum Ausbilden eines Musterfilms auf die Oberfläche; und
Bestrahlen eines weißen Defektes auf der Oberfläche mit Laserlicht nach oben, um über dem weißen Defekt einen Musterfilm auszubilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit den Schritten:
Bestrahlen eines schwarzen Defektes auf der Oberfläche mit nach oben gerichtetem Laserlicht; und
Verdampfen eines unnötigen Teils des Musterfilms, um den schwarzen Defekt zu korrigieren.

3. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit den Schritten:
Blasen von Sauerstoffgas auf die Oberfläche;
Bestrahlen des unnötigen Teils des Musterfilms auf der Oberfläche mit nach oben gerichtetem Laserlicht, um die obere Schicht des Teils zu oxidieren;
Bestrahlen der oxidierten oberen Schicht mit nach oben gerichtetem Laserlicht, um die oxidierte obere Schicht abzuschälen; und
Wiederholen der Schritte Bestrahlen mit erstem und zweitem Laserlicht zum Beseiti gen des unnötigen Teils des Musterfilms.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei:
der Schritt Blasen weiterhin Blasen von Spülgas umfaßt, wodurch verhindert wird, daß ein Fenster zum Leiten von Laserlicht trübe wird, und Blasen von Trägergas umfaßt, das in dem CVD-Gas enthalten ist, um das Materialgas zu tragen; und
die Hauptkomponente der Spül- und Trägergase Heliumgas ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat in dem Schritt Halten angesaugt wird, um gehalten zu werden.

6. Vorrichtung zum Korrigieren von Defekten eines Musterfilms auf der Oberfläche eines Substrats, mit:
einem Halter zum Halten des Substrats mit der Oberfläche nach unten gewandt;
einer Gaszirkulationseinheit zum Zuführen und Abziehen von Gas, das Materialgas enthält;
einem Laserstrahler zum Strahlen von Laserlicht nach oben auf einen weißen Defekt auf der Oberfläche;
einem Gasfenster zum Blasen von Materialgas auf die Oberfläche und Leiten von La serlicht von der Laserquelle durch das Gasfenster auf den weißen Defekt, um über dem weißen Defekt einen Musterfilm auszubilden.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, weiterhin mit einer Optikeinheit zum Betrachten des Mu sterfilms auf dem Substrat.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei das Substrat für Licht durchlässig ist, weiterhin mit einer Eindringlichtquelle zum Strahlen von Licht durch das Substrat auf die untere Oberflä che des Substrats, um die untere Oberfläche zu beleuchten.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei:
die Saugeinheit eine obere Abdeckung aufweist, die für Licht durchlässig ist; und
die Eindringlichtquelle ein Objektiv aufweist, das so gestaltet ist, daß es die Verzer rung des Objektivs, bezogen auf die Gesamtdicke von Abdeckung und Substrat kompen siert.

10. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei:
der Laserstrahler eine erste Laserquelle zum Strahlen eines ersten Laserlichts zum Verdampfen des Musterfilms, und eine zweite Laserquelle zum Strahlen eines zweiten La serlichts für Laser-DVD aufweist;
das erste Laserlicht durch das Gasfenster auf schwarze Defekte gestrahlt wird, um die schwarzen Defekte zu verdampfen; und
das zweite Laserlicht durch das Gasfenster auf weiße Defekte gestrahlt wird, wobei Materialgas durch die Gaszirkulationseinheit zugeführt wird, um über den weißen Defekten einen Film auszubilden.

11. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei:
die Gaszirkulationseinheit Spülgas zuführt, das verhindert, daß das Fenster zum Lei ten des Laserlichtes trübe wird, und Trägergas zuführt, das in dem CVD-Gas enthalten ist, um Materialgas zu tragen; und
die Hauptkomponente der Spül- und Trägergase Heliumgas ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei der Halter das Substrat ansaugt, um das Substrat zu halten.