CN2679856Y - 一种大功率发光二极管器件 - Google Patents

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唐国庆
顾海军
谢雪茹
俞振中
王国定
涂江
刘宏铭
马伟
沈寿珍
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Abstract

本实用新型提供一种大功率发光二极管器件，其具有低热阻和高度集成化的结构，散热性能出色，使用寿命延长并且机械强度高，可用于1～5瓦功率器件的封装。它包含：引线框架，其表面包含向两端延伸的电极引脚；设置在所述引线框架其中一个表面的发光芯片，所述芯片的引线与所述引脚连为一体；透镜，其设置于所述引线框架表面并且位于所述发光芯片上方；透明硅胶，其填充在所述发光芯片与透镜之间；塑料包封体，其封闭住所述铝基板和透镜周围的引线框架表面。

Description

一种大功率发光二极管器件
发明领域
本实用新型涉及发光器件，特别涉及一种具有新型结构的大功率发光二极管(LED)器件。
背景技术
近来，随着照明应用范围的进一步拓展，越来越多的灯光工程采用色彩丰富的LED作为点缀光源。LED由于其工作寿命长，省电节能，工作电压低，所以是一种非常好的光源。但是传统的LED存在功率小、亮度低的缺点，难以胜任某些应用场合。为此，选用大功率LED器件就成为必然的选择，但是这种大功率LED器件与一般的功率器件一样，需要解决散热的问题。此外，LED器件往往应用于室外环境，对器件的密闭性、集成性和机械强度等都有较高的要求。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种大功率发光二极管(LED)器件，其具有高度集成化的结构，散热性能出色，使用寿命延长并且机械强度高。
本实用新型的发明目的通过以下技术方案实现：
一种大功率发光二极管器件，包含：
引线框架，其表面包含向两端延伸的电极引脚；
设置在所述引线框架其中一个表面的发光芯片，所述芯片的引线与所述引脚连为一体；
透镜，其设置于所述引线框架表面并且位于所述发光芯片上方；
透明硅胶，其填充在所述发光芯片与透镜之间；
塑料包封体，其封闭住所述铝基板和透镜周围的引线框架表面。
为了进一步改进芯片散热性能，提高器件的功率容量，比较好的是，在上述大功率发光二极管器件中，进一步包含表面经氧化处理的铝基板，其固定于所述引线框架的另外一个表面。
比较好的是，在上述大功率发光二极管器件中，所述电极引脚在靠近引线框架端部处的宽度较大。
在上述大功率发光二极管器件中，采用透镜覆盖在发光芯片上，与传统的环氧树脂封装相比，提高了耐高温性能，延长了器件的质量和寿命，发光质量也得到了提高。此外，发光芯片的引线与引线框架的引脚连为一体，因此节省了焊接引脚的工时，提高了器件的可靠性。最后，经氧化处理的铝基板结构也有利于热量从器件背面散发出去，因此散热效果较好。
附图说明
图1为按照本实用新型的大功率发光二极管器件的剖面示意图。
图2为图1所示大功率发光二极管的平面示意图。
具体实施方式
以下借助附图描述本实用性的较佳实施例。
如图1所示，本实用新型的大功率发光二极管(LED)器件包含引线框架1、发光芯片2、透镜3、透明硅胶(未画出)、铝基板4和塑料包封体5。
参见图1和图2，引线框架1的表面设置向两端延伸的电极引脚1a，而发光芯片2设置在引线框架1的其中一个表面，芯片2的引线2a与引脚1a连为一体。如此可以节省焊接引脚的工时，改善器件结构，提高了器件的可靠性。电极引脚1a在靠近引线框架1端部处的宽度较其它位置处的宽度大，因此有利于器件的外部连接。引线框架1可采用0.3mm～0.5mm的无氧铜片作为基体，这将大大提高发光芯片2的散热效率，使散热比较均匀，有利于芯片稳定发光，延长了芯片的使用寿命。
透镜3设置于引线框架1表面并且位于发光芯片2的上方，为了将它们结合在一起，在发光芯片2与透镜3之间填充具有合适透射系数和折射系数的透明硅胶以确保出光效率。在本实用新型中，由于采用透镜来代替传统的环氧树脂封装，因此克服了环氧树脂导热效果差、发光角度控制差和耐高温性能不好的缺点，提高了器件的发光质量、使用寿命和发光效率。
如图1所示，在引线框架1的另外一个表面上固定放置经氧化处理的铝基板4，因此进一步提高了器件的散热能力。同时，铝基板与引脚彼此绝缘，在电路设计表面散热板与电极之间是完全独立的，所以可以很方便地在同一块散热板上进行串并联。
再次参见图1和2，引线框架1由塑料包封体5进行包封，从而将铝基板4和透镜3周围的引线框架表面封闭住。

Claims (3)

1、一种大功率发光二极管器件，其特征在于，包含：
引线框架，其表面包含向两端延伸的电极引脚；
设置在所述引线框架其中一个表面的发光芯片，所述芯片的引线与所述引脚连为一体；
透镜，其设置于所述引线框架表面并且位于所述发光芯片上方；
透明硅胶，其填充在所述发光芯片与透镜之间；
塑料包封体，其封闭住所述铝基板和透镜周围的引线框架表面。
2、如权利要求1所述的大功率发光二极管器件，其特征在于，进一步包含表面经氧化处理的铝基板，其固定于所述引线框架的另外一个表面。
3、如权利要求1或2所述的大功率发光二极管器件，其特征在于，所述电极引脚在靠近引线框架端部处的宽度较大。
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Patentee after: Shanghai Dachen Photoelectric Technology Co., Ltd.

Address before: 946 Jinqiao Road, Jinqiao Export Processing Zone, Shanghai, Pudong New Area: 201206

Patentee before: Dachen Photoelectric Sci-Tech Co Ltd, Jinqiao, Shanghai

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