CN203300701U - 发光二极管装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种发光二极管装置，涉及发光二极管封装技术领域，包括支架，所述支架的底部设有支架电极，位于所述支架内部的支架电极上设有发光芯片，所述发光芯片外侧的所述支架内涂覆有第一硅胶层，所述第一硅胶层外侧涂覆有荧光胶层，所述荧光胶层外侧涂覆有第二硅胶层；所述第一硅胶层的折射率低于所述第二硅胶层的折射率。本实用新型发光二极管装置解决了现有技术中发光二极管装置可靠性低、亮度低、使用寿命短等技术问题。本实用新型发光二极管装置亮度高，可靠性高，使用寿命长，且发光效率高，成本低。

Description

发光二极管装置

技术领域

本实用新型涉及发光二极管封装技术领域，特别涉及一种发光二极管装置。

背景技术

发光二极管具有体积小、亮度高、热量低及耗电量低等优点，已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、手机背光源、车载光源等场合，随着白光LED技术的发展，LED在照明领域的应用也越来越广泛。

现有的发光二极管装置包括支架，支架的底部设有支架电极，位于支架内的支架电极上设有发光芯片，支架内涂覆有荧光胶覆盖住发光芯片。此种结构的发光二极管装置存在以下两点不足：

一、由于发光芯片在工作时会产生热能，发光芯片产生的热量会引起发光芯片、胶水和荧光粉的衰减，同时由于温度变化所产生的应力会使得荧光胶发生变形，会引起金线断线或接触不良，从而使得发光二极管装置的可靠性低，使用寿命短；

二、由于发光芯片、荧光胶与空气之间存在较大的折射率差，故容易引起全反射，从而使得发光二极管的亮度低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种发光二极管装置，此发光二极管装置亮度高，使用寿命长。

进一步的，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种发光二极管装置，此发光二极管装置亮度高，可靠性高，使用寿命长。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种发光二极管装置，包括支架，所述支架的底部设有支架电极，位于所述支架内部的支架电极上设有发光芯片，所述发光芯片外侧的所述支架内涂覆有第一硅胶层，所述第一硅胶层外侧涂覆有荧光胶层，所述荧光胶层外侧涂覆有第二硅胶层；所述第一硅胶层的折射率低于所述第二硅胶层的折射率。

其中，所述第一硅胶层为甲基类硅胶层，所述第二硅胶层为苯基类硅胶层。

其中，所述荧光胶层与所述第一硅胶层和第二硅胶层的结合面均为平面。

其中，所述第二硅胶层的表面设有与所述第二硅胶层一体的粗化结构。

其中，所述粗化结构为所述第二硅胶层表面的凸起阵列。

采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

由于封装胶分为第一硅胶层、荧光胶层和第二硅胶层，第一硅胶层靠近发光芯片，荧光胶层位于第一硅胶层与第二硅胶层中间，且第一硅胶层的折射率低于第二硅胶层的折射率。采用了折射率递增的涂胶顺序进行封装胶的涂覆，此涂胶顺序和工艺减小了发光芯片与空气之间的折射率差，从而减少了全反射的损失量，提高了光通量，进而提高了发光二极管装置的亮度；且荧光胶远离发光芯片，即远离了发热源，从而减小了荧光粉的衰减，延长了使用寿命。

由于第一硅胶层为甲基类硅胶层，第二硅胶层为苯基类硅胶层。甲基类硅胶耐高温能力强、弹性高、可靠性好，其耐高温性能减小了变形，弹性好可以缓冲对发光芯片和支架的大部分应力，减小了金线断线或接触不良的现象发生的机率，从而提高了发光二极管装置的可靠性和使用寿命；苯基类硅胶硬度高，且透湿透氧率低，可以对发光二极管装置的内部结构起到很好的保护作用，有利于提高发光二极管装置的使用寿命，且便于表面粗化处理。

由于荧光胶层与第一硅胶层和第二硅胶层的结合面均为平面，使得荧光粉分布均匀且可控，从而提高了发光二极管装置的发光效率，并可减少荧光粉的用量，大大节约成本。

由于第二硅胶层的表面设有与第二硅胶层一体的粗化结构，粗化结构可以将发光芯片发出的光折射出去，减少了出射光的全反射，有效提高了发光二极管装置的光通量，进一步的提高了发光二极管装置的亮度。

综上所述，本实用新型发光二极管装置解决了现有技术中发光二极管装置可靠性低、亮度低、使用寿命短等技术问题。本实用新型发光二极管装置亮度高，可靠性高，使用寿命长，且发光效率高，成本低。

附图说明

图1是本实用新型发光二极管装置实施例一的结构示意图；

图2是本实用新型发光二极管装置实施例一的封装流程图；

图3是本实用新型发光二极管装置实施例二的结构示意图；

图中：10、支架，20、支架电极，30、发光芯片，40、金线，50、第一硅胶层，52、荧光胶层，54、第二硅胶层，540、粗化结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，进一步阐述本实用新型。

实施例一：

如图1所示，一种发光二极管装置，包括支架10，支架10的底部设有支架电极20，位于支架10内部的支架电极20上设有发光芯片30，发光芯片30的电极通过金线40与支架电极20键合。发光芯片30外侧的支架10内涂覆有第一硅胶层50，第一硅胶层50外侧涂覆有荧光胶层52，荧光胶层52外侧涂覆有第二硅胶层54。荧光胶层52与第一硅胶层50和第二硅胶层54的结合面均为平面，可使得荧光粉分布均匀且可控，从而提高了发光二极管装置的发光效率，并可减少荧光粉的用量，大大节约成本。

第一硅胶层50为甲基类硅胶层，如甲基类硅橡胶层，甲基类硅胶折射率为1.41左右，耐高温能力强、弹性高、可靠性好，其耐高温性能减小了变形，弹性好可以缓冲对发光芯片30和支架10的大部分应力，减小了金线40断线或接触不良的现象发生的机率，从而提高了发光二极管装置的可靠性和使用寿命。荧光胶层52由荧光粉和封装硅胶混合而成，此封装硅胶可以选用与第一硅胶层50同样的硅胶，也可以选用比第一硅胶层50折射率略高的硅胶。第二硅胶层54为苯基类硅胶层，如苯环类硅树脂，苯基类硅胶折射率大于1.5，比第一硅胶层50的折射率高，硬度高，且透湿透氧率低，水汽不容易进入发光二极管装置的内部，从而对发光二极管装置的内部结构起到很好的保护作用，有利于提高发光二极管装置的使用寿命，且便于表面粗化处理。

如图1所示，第二硅胶层54的表面设有由物理或化学等工艺处理出的粗化结构540，粗化结构540为第二硅胶层54表面的凸起阵列。凸起阵列可以是金字塔阵列、圆锥体阵列、圆柱体阵列、部分球体阵列或不规则尖形阵列等，且凸起阵列的顶部和底部可以是尖的、圆弧面或平面结构等。粗化结构540可以将发光芯片30发出的光折射出去，减少了出射光的全反射，有效提高了发光二极管装置的光通量，进一步的提高了发光二极管装置的亮度。

如图2所示，本实用新型发光二极管装置的封装流程如下：

S1、固晶和焊线：将发光芯片30通过高导热胶粘附在支架10内的支架电极20上，使用金线40将发光芯片30的电极与支架电极20键合，或者通过其它方式达到固定发光芯片30并导联至支架电极20的目的，如共晶焊或倒装方式等；

S2、涂覆第一硅胶层50；

S3、涂覆荧光胶层52，可使用一般涂覆工艺，也可以使用喷涂工艺等；

S4、涂覆第二硅胶层54；

S5、进行表面粗化处理，完成本实用新型发光二极管装置的封装流程。

由上述可见，本实用新型发光二极管装置采用了折射率递增的涂胶顺序进行封装胶的涂覆，此涂胶顺序和工艺减小了发光芯片30与空气之间的折射率差，从而减少了全反射的损失量，提高了光通量，进而提高了发光二极管装置的亮度；且荧光胶远离发光芯片30，即远离了发热源，从而减小了荧光粉的衰减，延长了使用寿命。

实施例二：

如图3所示，本实施方式与实施例一基本相同，其不同之处在于：

一个发光二极管装置内设有多个发光芯片30，第一硅胶层50包覆所有的发光芯片30。

本实用新型不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所作出的种种变换，均落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.发光二极管装置，包括支架，所述支架的底部设有支架电极，位于所述支架内部的支架电极上设有发光芯片，其特征在于，所述发光芯片外侧的所述支架内涂覆有第一硅胶层，所述第一硅胶层外侧涂覆有荧光胶层，所述荧光胶层外侧涂覆有第二硅胶层；所述第一硅胶层的折射率低于所述第二硅胶层的折射率。

2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，所述第一硅胶层为甲基类硅胶层，所述第二硅胶层为苯基类硅胶层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，所述荧光胶层与所述第一硅胶层和第二硅胶层的结合面均为平面。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管装置，其特征在于，所述第二硅胶层的表面设有与所述第二硅胶层一体的粗化结构。

5.根据权利要求4所述的发光二极管装置，其特征在于，所述粗化结构为所述第二硅胶层表面的凸起阵列。

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