CN1992192A - 半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置 - Google Patents

Abstract

半导体处理用的立式晶舟，在对多个被处理基板实施热处理时搭载多个被处理基板。立式晶舟包括在圆周方向上留有间隔地被固定在固定部件上的多个支柱、及在高度方向留有间隔地被分别配设在多个支柱上的爪部。配设有分别支撑多个被处理基板用的若干环状支撑板，而各个环状支撑板又被对应于多个支柱的同等高度上的若干爪部所保持。环状支撑板具有朝向中心，向下方倾斜的上面。设定上面倾斜度使之在热处理时，上面与各被处理基板的底面实现面接触，并与热处理时所产生的被处理基板的变形相匹配。

Description

半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置

相关申请的相互参照

本申请基于2005年12月28日提交的在先日本专利申请第2005-378890号及2006年10月18日提交的第2006-283886号，并要求其优先权，对其全部内容在此结合以作参照。

技术领域

本发明所涉及的是对半导体晶片等的被处理基板进行处理的半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置。此处所说的半导体处理是指，通过在类似于半导体晶片或液晶显示器LCD(Liquid Crystal Display)的平面显示器FPD(Flat Panel Display)所用的玻璃基板等的被处理基板上，按照规定的图样形成半导体层、绝缘层、导电层等，从而为在该被处理基板上制造半导体元件或包括与半导体元件相连接的配线、电极等构件而实施的各种处理。

背景技术

在制造半导体元件时，为了在被处理基板、例如半导体晶片上实施CVD(Chemical Vapor Deposition)、氧化、扩散、改性、退火、蚀刻等处理，需要使用各类处理装置。在这类处理装置中，就有可对多枚晶片一次同时进行热处理的立式热处理装置。一般情况下，立式热处理装置都有用于容纳晶片的密闭性的立式反应管(处理容器)。装载晶舟(load boat)形成在反应管的底部，该晶舟通过为升降装置所控制的可升降的盖体，可有选择性地进行打开和关闭。在反应管内部，晶片由被称之为晶舟的保持具、在相互间留有间隔地进行层积的状态下进行保持。配设加热炉使之包围反应管。

近年来，半导体晶片的直径越来越大(例如，直径达300mm)。因此在热处理时，在晶舟(晶片热处理用的立式晶舟)上晶片因自重应力产生裂纹(slip)(结晶缺陷)等缺陷的可能性大大增加。而且，在热处理时，由于在晶片的中央部与周边部之间的温度变化不同(周边部的降温速度快)，出现了处理的面内均匀性下降的倾向。

在日本特开平9-237781号公报(专利文献1)中，作为晶舟，公开了一种可用环状支撑板对晶片周边部进行支撑的环形晶舟。在采用这种环形晶舟的情况下，由于晶片的周边部的热容量增大，因此可抑制周边部的温度变化，从而可达到温度分布均匀化的目的。

在日本特开2002-231713号公报(专利文献2)中，公开了一种被改变了结构的环形晶舟。该公报中所公开的技术所依据的观点是：在环形晶舟中，由于晶片与环状支撑板之间存在接触，从而导致了晶片温度分布的不均匀。因此，为了使晶片与环状支撑板实现线性接触，所以形成支撑板的上面使之朝向内侧或外侧、向下方倾斜。

在日本特开2005-5379号公报(专利文献3)中，也公开了一种被改变了结构的环形晶舟。该公报中所公开的技术所依据的观点是：在环形晶舟中，由于晶片与环状支撑板之间存在接触，会在晶片上产生伤痕、裂纹(slip)等缺陷。因此，为了使晶片与环状支撑板实现线性接触，所以形成支撑板的上面使之朝向内侧或外侧、向下方倾斜。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能防止在半导体晶片等的被处理基板上产生裂纹等的缺陷的、半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置。

本发明的第1方面是一种半导体处理用的立式晶舟，其用于在对多个被处理基板实施热处理时搭载上述多个被处理基板，其特征在于，包括：

固定部件；

沿圆周方向留有间隔地固定在上述固定部件上的多个支柱；

在高度方向上留有间隔地分别配设在上述多个支柱上的爪部；和

用于分别支撑上述多个被处理基板的多个环状支撑板，而各环状支撑板被在上述多个支柱的同等高度位置上相对应的多个爪部所保持，其中，

上述环状支撑板具有朝向中心、向下方倾斜的上面，而且设定上述上面的倾斜度使得在上述热处理时，上述上面与各被处理基板的底面实现面接触，并且与在上述热处理时所产生的上述被处理基板的变形相匹配。

本发明的第2方面是一种半导体处理用的立式热处理装置，其用于对多个被处理基板同时进行热处理，其特征在于，包括：

容纳上述多个被处理基板的反应室；

对上述反应室进行加热的加热器；

为上述反应室提供处理气体的处理气体供给***；

对上述反应室内部进行排气的排气***；和

在上述反应室内搭载上述多个被处理基板用的半导体处理用的立式晶舟，其中，上述立式晶舟包括：

固定部件；

沿圆周方向留有间隔地固定在上述固定部件上的多个支柱；

在高度方向上留有间隔地分别配设在上述多个支柱上的爪部；和

用于分别支撑上述多个被处理基板的多个环状支撑板，而各环状支撑板被在上述多个支柱的同等高度位置上相对应的多个爪部所保持，其中，

上述环状支撑板具有朝向中心、向下方倾斜的上面，而且设定上述上面的倾斜度使得在上述热处理时，上述上面与各被处理基板的底面实现面接触，并且与在上述热处理时所产生的上述被处理基板的变形相匹配。

在本发明的第1及第2方面中，上述环状支撑板可在上述上面上具备沟槽。在上述沟槽内，能够形成在厚度方向上将上述环状支撑板贯穿的孔。上述沟槽能够为环状。

本发明的其它目的及优点将在下述实施方式中予以说明，通过下述详细说明或者具体实施方式，即可获知它的部分目的以及优点。本发明的目的及优点将通过下述的具体实施方式及其组合而获知。

附图说明

本发明的附图用于表示本发明的具体实施方式，加之上述的发明内容的说明及下述的具体实施方式的说明，以便对本发明的原则进行更好的说明。

图1是简单地表示本发明的实施方式所涉及的半导体处理用的立式热处理装置的纵截面图。

图2A是在图1所示装置中使用的、晶片热处理用的立式晶舟的平面图。

图2B是沿图2A的IIB-IIB线的立式晶舟的截面图。

图3是表示在图2A与图2B中所示的立式晶舟上的支柱、支撑板和晶片三者间关系的部分横断面平面图。

图4是沿图3中的IV-IV线的部分的截面图。

图5A是图3中所示支撑板的平面图。

图5B是沿图5A中VB-VB线的部分的截面图。

图6A是表示支撑板的倾斜的测量状态的平面图。

图6B是表示支撑板的倾斜的测量结果的曲线图。

图7是表示其他的支撑板的倾斜的测量结果的曲线图。

图8A是对在使用立式晶舟的情况下，由晶片的自重应力为原因而引起的问题进行说明的截面图。

图8B是对在使用立式晶舟的情况下，由晶片的热膨胀为原因而引起的问题进行说明的截面图。

具体实施方式

本发明人在本发明的开发过程中，对在立式热处理装置中所发生的、与晶片热处理用的立式晶舟相关的问题进行了研究。结果，本发明人取得了如下所述的发现。

图8A是对在使用立式晶舟的情况下，由晶片的自重应力为原因而引起的问题进行说明的截面图。图8B是对在使用立式晶舟的情况下，由晶片的热膨胀为原因而引起的问题进行说明的截面图。在该立式晶舟中，在支撑板13的上面13a形成水平状态。如果在支撑板13的上面放上晶片W，如图8A所示，晶片W的中央部分就会因自重应力向下发生弯曲。其结果，在与支撑板13的内周周边部相对应的晶片W的部位(用×号表示)就会出现应力集中的现象，从而容易产生或诱发裂纹等缺陷。而且，如图8B所示，由于热膨胀原因，在与支撑板13内周周边部相对应的晶片W的部位(用×号表示)同样也会出现应力集中的现象，从而容易产生或诱发裂纹等缺陷。

在考虑到这类问题的基础上，为抑制损伤、裂纹等缺陷及颗粒(particle)的产生，从减少晶片与支撑部之间的接触面积的观点出发，对传统的立式晶舟进行了改良。不过，这种改良虽然可以抑制因接触而引起的损伤、颗粒等的发生，但是又产生了其他的问题，即、在热处理时，由于晶片的自重应力及热膨胀等的热负荷的原因，晶片在立式晶舟上会出现弯曲。由此，在晶片与支撑部相接触的部位就会出现应力集中的现象，结果就从此处首先开始诱发裂纹等缺陷。另外，如果设计成类似在上述专利文献2和专利文献3中所公开的环形晶舟那样，使支撑板的上面朝向内侧、向下方倾斜，并使晶片与环状支撑板进行线接触，那么在这种情况下就会出现应力集中于晶片的周边部位的现象，从而容易产生或诱发裂纹等的缺陷。

下面就参照附图，对基于这种发现而构成的本发明的实施方式予以说明。而且，在下述说明中，对具有大体相同的功能以及构造的构成要素标注相同的符号，并仅在必要时进行重复说明。

图1是简单地表示本发明的实施方式所涉及的半导体处理用的立式热处理装置的纵截面图。在图1中，该处理装置1作为通过CVD方法在被处理基板上形成薄膜的立式热处理装置而构成。

在处理装置1中配有将作为被处理基板的多枚半导体晶片W沿垂直方向留有间隔地装入其中的、由例如石英材料制成的反应管(处理容器)2。在图示例中，反应管2为具有内管2a与外管2b的双管结构。不过，反应管2也可以是只有外管的单管结构。此外，在反应管2的下部以密闭的方式连接着环状的歧管5。在歧管5上，配设有将处理气体或清洗用的不活性气体(例如氮气(N₂))导入反应管2内的气体导入管(气体导入口)3。在反应管2上，还配设有对反应管2内进行排气的排气管(排气口)4。

在气体导入管3上连接处理气体供给***GS的配管。在排气管4上连接具有可对反应管2内进行减压控制的真空泵或开度可调阀等的真空排气***ES的配管(排气管)。歧管5被安装在底板(未做图示)上。在反应管2的周围设有可进行加热控制的圆筒状的加热器8，它可将反应管2内加热到规定的温度，例如300～1200℃的程度。

反应管2下端的歧管5形成热处理炉的炉口6。在热处理炉的下方设有用来开关炉口6的盖体7，该盖体通过升降机关21可以上升或下降。盖体7与歧管5的开口端接触并密闭炉口6。

石英材料制成的晶片保持具即晶舟(晶片热处理用的立式晶舟)9经由作为炉口隔热单元的保温筒10而被载置在该盖体7之上。晶舟9可将多枚、比如75～100枚左右，大直径、比如直径为300mm的晶片W，以在水平状态下、沿上下方向留有间隔的方式保持在多层。晶舟9通过升降机关21带动盖体7的上升而被载入(搬入)反应管2内，通过盖体7的下降将其从反应管2内卸载(搬出)到下方的装载区。

图2A是晶舟9的平面图。图2B是沿图2A中IIB-IIB线上的立式晶舟9的截面图。晶舟9包括晶舟本体16，晶舟本体以底板14；顶板15；以及固定在面板14、15之间的多根、比如3根支柱12作为框体进行使用。支柱12被按规定的间隔安装在圆周方向上，以便包围所支撑的晶片W。并使用例如焊接等方式，将支柱12、底板14及顶板15连接成一个整体。

在各支柱12上，附设有在柱高方向上彼此间留有间隔而设置的爪部11。几乎所有的爪部11都构成为由与三根支柱12的相同高度位置相对应的多个爪部11保持环状的支撑板13。这样，在支撑板13上，实际上每枚晶片W都可被支撑成水平状态。而且，若干、比如3～4张隔板17被保持在下端侧的爪部11上。同样，若干、比如3～4张隔板17也可被保持在上端侧的爪部11上。使用这些隔板17，是为了达到使在设有支撑板13的领域中的热处理条件均等的目的。

在中高温、比如1000℃以下的热处理温度下使用晶舟9时，晶舟本体16、支撑板13及隔板17能够利用石英材料来制造。另一方面，在比较高温、比如1050℃～1200℃左右的热处理温度下使用晶舟9时，这些部件优选采用碳化硅(SiC)材料来制造。此时为防止纯度低的碳化硅对晶片W的污染，优选在加工后，通过例如CVD处理，在晶舟本体16、支撑板13及隔板17上形成保护膜。支撑板13及隔板17形成大致相同的外部轮廓。

顶板15及底板14分别形成为环状。在高温热处理状态下使用晶舟9时，优选在顶板15上形成泄放热应力用的切缝(slit)18。在本实施方式中，在顶板15及底板14的周缘部的一部位上做出用于规避与棒状温度检测器的干扰的切口部19。在晶舟本体16上，为了将前方做成开口侧，至少在左右及背侧的3处位置上配置支柱12。通过这种方法，从前方就能将支撑板13及隔板17装卸(装上与取下)到晶舟本体16上，或者相对于晶舟9进行晶片的取送。另外，也可以将背侧的支柱12分成左右2根，这样支柱12总共可有4根。

为了稳定地支撑住支撑板13和隔板17，左右的支柱12被安装在相对于晶舟本体16的左右方向的中心线稍微偏向前方的位置上。在这些支柱12的内侧，按规定节距的间隔形成水平状态的爪部11。爪部11，能够通过从例如晶舟本体16的开口侧***旋转式磨削刀，磨削支柱12的内侧，加工沟槽部20来形成。为了抑制爪部11的热容量以达到晶片W的面内温度均匀化的目的，优选将爪部11做得又薄又小。

晶舟本体16的内部空间由于受到立式热处理装置1的高度的限制，所以很可能要想方设法确保用于搭载规定枚数的晶片W的区域。根据这种观点，用于保持隔板17的爪部11间的间隔，可以做得比用于保持支撑板13的爪部11的间隔还要窄些。

图3是表示图2A与图2B中所示立式晶舟9中的支柱12、支撑板13及晶片W三者间关系的部分横断平面图。图4是沿图3中IV-IV线的部分的截面图。左右的支柱12的沟槽部20的进深部形成为与晶舟本体16前后方向上的中心线保持平行。后方的支柱12的沟槽部20的进深部形成为与左右方向的中心线保持平行。在支撑板13及隔板17的外周，形成与左右侧支柱12的沟槽部20的进深部相平行的切口部23，及与后方的支柱12的沟槽20的进深部相平行的切口部23。由此，支撑板13及隔板17就能可靠而又容易地安装到晶舟本体16上。

为了能载置晶片W的平坦的下面的周缘部，支撑板13被做成了比圆形晶片W的外径还稍大的环状。支撑板13的上面(搭载面)13a被做成朝向中心，向下方倾斜。设定该倾斜度使得在热处理时上面13a与晶片W的平坦的底面实现面接触，并与热处理时所产生的晶片W的变形相匹配。具体地讲就是，在晶片W的变形方面，考虑到了由大直径晶片W的自重及热处理时的热负荷所引起的弯曲(翘曲)。换句话说就是，设定上面13a的倾斜度，要以面接触的方式支撑由自重及热负荷所引起的向下方弯曲的晶片W的下面。由此，就能够防止损伤晶片W背面或者诱发乃至产生由热处理时的热负荷和自重应力而在晶片上引发的裂纹等缺陷。

对于直径为300mm的晶片W来说，支撑板13的外径设定为310mm，内径设定为200mm。支撑板13的外缘部与内缘部之间的宽度α为55mm，支撑板13的外缘部的厚度(高度)β为2mm。由于支撑板13上面(倾斜面)的倾斜角度极小而难以测量，所以通过测量倾斜高度(外缘部的高度-内缘部的高度)γ，以该倾斜高度γ来表示倾斜的程度。在这种情况下，支撑板13的上面13a的倾斜高度被设定为如下所述的200μm～280μm，优选205μm～276μm。支撑板13的材质可采用石英、硅、碳化硅。

在支撑板13的上面13a上形成沟槽24及贯穿孔25。通过这种方式，来抑制在高温、比如1050℃～1200℃的热处理过程中晶片W粘贴在支撑板13上面(晶片搭载面)13a上的现象。在本实施方式中，在支撑板13的上面13a上按同心圆状做成多个、比如2个的环状的沟槽24。而且，形成多个沿上下方向(厚度方向)贯穿支撑板13的贯穿孔25，这些贯穿孔被置于各沟槽24内，并在圆周方向上留有规定的间隔。另外，虽然优选有多个沟槽24，但也可以是1个。而且，虽然优选将沟槽24沿圆周方向连续起来，不过也可以沿圆周方向断续地形成。还有，虽然优选沟槽24是环形，但是也可以形成为放射状。

在支撑板13上附设有被左右侧支柱12的爪部11所止留的、用于防止支撑板13滑落的止留部27。止留部27分别向下突出设置在支撑板13背面的左右周边部上。由于止留部27分别接触并被止留在左右爪部11的后侧面上，所以可通过支柱12来阻止支撑板13向后方及左右方向移动。为了抑制止留部27的热容量并达成晶片W的面内温度均匀化的目的，优选将止留部27形成为又薄又小。

同支撑板13一样，优选在隔板17上配设被左右侧支柱12的爪部11所止留的、用于防止隔板17滑落的止留部。而且，优选在高温的热处理中使用的隔板17上，在沿从中心朝向前方的半径方向上形成用于泄放热应力的切缝(slit)。

<实验>

为了求得支撑板13的上面13a的最佳的倾斜高度，而进行了实验。在该实验中制作了具有各种倾斜高度的支撑板13，并用这些支撑板13，在立式热处理装置1中实施晶片W的热处理。所使用的晶片W是注入了硼(boron)的P型CZ(Czochralski)晶片。把晶片W放在晶舟9的支撑板13上，由立式热处理装置1在1100℃的温度下实施退火处理。然后，用X射线表面形态测量仪(X-ray topography)，来观察在以如此方式处理的晶片W上是否出现了裂纹。

另外，用接触式的千分尺对支撑板13的上面(倾斜面)13a的倾斜高度γ进行了测量。图6A是表示支撑板13的倾斜的测量样态的平面图。如图6A所示，将支撑板13的上面沿圆周方向分割成若干部分(比如32等分)，并分成内侧(IN：内周侧)、中间(MD)、外侧(OT：外周侧)、和最外侧(OTM：外缘部)，进行了多点测量。

就这样，对没有在晶片上产生裂纹的支撑板13的倾斜高度γ实施了评估。其结果，对没有在晶片上产生裂纹的支撑板来说，得到了如图6B或图7所示的三维测定结果。图6B是表示支撑板在倾斜高度γ最大为262μm、最小为205μm时的倾斜的测定结果的曲线图。图7是表示支撑板在倾斜高度最大为276μm、最小为227μm时的倾斜的测定结果的曲线图。在图6B及图7中，横轴表示支撑板13圆周方向的位置，纵轴表示支撑板的倾斜高度。另外，在图6B及图7中，线IN、MD、OT、OTM分别表示支撑板13的内侧、中间、外侧、最外侧的部分的测定结果。

从上述结果来看，优选将支撑板上面的倾斜高度设定为205μm～276μm。如果考虑到制造误差乃至容许限度的话，优选将倾斜高度设定为200μm～280μm。另外，在对支撑板13的倾斜高度γ的评估中，得到了如下结果。即、倾斜高度越低(不满205μm，甚至不满200μm)，在与支撑板13的内周边缘部相对应的晶片的部位出现裂纹的概率就越高。另一方面，倾斜高度越高(超过276μm，甚至超过280μm)，在晶片的外周边缘部出现裂纹的概率就越高。

这样，根据晶舟9及立式热处理装置1，热处理用晶舟9的环状支撑板13的上面13a形成为朝向中心向下方倾斜。设定该倾斜使之在热处理时上面13a与晶片W的平坦的底面形成面接触，并与热处理时产生的晶片W的变形相匹配。具体地讲就是，在晶片W的变形方面，考虑到了因为大直径的晶片W的自重及热处理时的热负荷而产生的弯曲(翘曲)。换句话说就是，设定上面13a的倾斜度使之以面接触的方式支撑因自重及热负荷而下方弯曲的晶片W的下面。这样，就可防止损伤晶片W的背面或诱发乃至产生由热处理时的热负荷及自重应力而在晶片上引起的裂纹等缺陷。

支撑板13的上面13a的倾斜度，能够用支撑板13的外缘部与内缘部之间的倾斜高度γ来表示。在晶片W的直径为300mm、支撑板13的外缘部与内缘部之间的宽度α为55mm的情况下，倾斜高度γ应设定为200μm～280μm，优选为205μm～276μm。由此，就能够有效地防止产生乃至诱发晶片的裂纹等的缺陷。

在支撑板13的上面13a上，按同心圆状形成若干环状沟槽24。而且，在各沟槽24内，沿圆周方向并留有适当间隔地形成在上下方向(厚度方向)上贯穿支撑板13的贯穿孔25。由此，在支撑板13的上面13a与晶片W的之间形成空气层，从而就能够抑制晶片的粘贴。所以，也就能够抑制产生乃至诱发在高温处理过程中由晶片W的粘贴而引起的裂纹等的缺陷。

在上述的实施方式中，晶舟9及立式热处理装置1构成为以直径300mm的晶片W为对象。在处理直径更大的晶片W的情况下，优选改变与此相对应的晶舟9及立式热处理装置1的部分的尺寸。比如在晶片W的直径为450mm的情况下，就支撑板13的外缘部与内缘部之间的宽度α为55mm来说，倾斜高度γ就要设定为210μm～300μm，优选设定为214μm～299.6μm。

该数值可通过如下方式求得。即、在将晶片W的直径从300mm变为450mm时，两者间的直径比率就是1.5倍，厚度比率是1.07倍，面积比率是2.25倍，体积比率是2.41倍，重量比率是2.41倍。晶片W的直径从300mm变为450mm时，如果认为其与按直径从200mm到300mm进行的同比例放大一样的话，那么从热膨胀量角度考虑的其对自重所造成的影响大约是1.07倍。因此，倾斜高度γ就是1.07×(200μm～280μm)、即214μm～299.6μm。

热膨胀量的比率(1.07)能够通过如下方式求得。在此、将热处理温度定为1100℃，硅(Si)的平均线膨胀系数为4.023×10^-6，直径为300mm的晶片厚度为0.775mm。在这种情况下，直径300mm的晶片的板厚的热膨胀量就是：0.775×(1100-20)×4.023×10^-6＝0.00337mm3.37μm。那么，直径450mm的晶片的厚度就是0.82925mm。在这种情况下，直径450mm的晶片的板厚的热膨胀量就是，0.82925×(1100-20)×4.023×10^-6＝0.003603mm3.602959μm。因此，直径450mm的晶片的热膨胀量相对于直径300mm的晶片的热膨胀量比率就是：3.602959/3.37＝1.0691271.07。

所以，在晶片W的直径为450mm、支撑板13的外缘部与内缘部之间的宽度α为55mm的情况下，倾斜高度γ应设定为210μm～300μm，优选设定为214μm～299.6μm。这样，就可有效地防止产生乃至诱发晶片W的裂纹等的缺陷。

本发明并非仅仅局限于上述实施方式，在不超出本发明要点的范围内，可做各种设计改变。比如，支撑板的上面也可做成凹面状弯曲，使之能实现以面接触方式支撑由自重及热负荷而引起的、呈凸面状向下方弯曲的晶片W的几乎整个下面。

对于本领域的专业人员而言，将很容易获得有关本发明的其它优点及修改。因此，本发明并非仅局限于上述的详细说明和最佳实施方式。在本发明的宗旨及范围内的各种修改亦应归于本发明的权利要求书之内。

Claims (20)

1.一种半导体处理用的立式晶舟，用于在对多个被处理基板实施热处理时搭载所述多个被处理基板，其特征在于，包括：

固定部件；

沿圆周方向留有间隔地固定在所述固定部件上的多个支柱；

在高度方向上留有间隔地分别配设在所述多个支柱上的爪部；和

用于分别支撑所述多个被处理基板的多个环状支撑板，而各环状支撑板被在所述多个支柱的同等高度位置上相对应的多个爪部所保持，其中，

所述环状支撑板具有朝向中心、向下方倾斜的上面，而且设定所述上面的倾斜度使得在所述热处理时，所述上面与各被处理基板的底面实现面接触，并且与在所述热处理时所产生的所述被处理基板的变形相匹配。

2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

所述环状支撑板在所述上面上具备沟槽。

3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：

在所述沟槽内，形成在厚度方向上贯穿所述环状支撑板的孔。

4.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：

所述沟槽为环状。

5.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

所述环状支撑板的材质是由选自石英、硅、以及碳化硅中的材料构成。

6.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

构成所述环状支撑板使之支撑作为被处理基板的、具有平坦底面的、直径为300mm的半导体晶片，设定所述上面的倾斜度使之在55mm的距离之间，在200μm～280μm范围内，变化高度。

7.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

构成所述环状支撑板使之支撑作为被处理基板的、具有平坦底面的、直径为450mm的半导体晶片，设定所述上面的倾斜度使之在55mm的距离之间，在210μm～300μm范围内，变化高度。

8.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

所述固定部件包括分别配置在所述多个支柱的下端部及上端部上的底板及顶板。

9.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

在所述热处理时所产生的所述被处理基板的变形包括由所述被处理基板的自重及热膨胀所引起的弯曲。

10.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：

所述热处理的温度为1050℃～1200℃。

11.一种半导体处理用的立式热处理装置，用于对多个被处理基板同时进行热处理，其特征在于，包括：

容纳所述多个被处理基板的反应室；

对所述反应室进行加热的加热器；

为所述反应室提供处理气体的处理气体供给***；

对所述反应室内部进行排气的排气***；和

在所述反应室内搭载所述多个被处理基板用的半导体处理用的立式晶舟，其中，所述立式晶舟包括：

固定部件；

沿圆周方向留有间隔地固定在所述固定部件上的多个支柱；

在高度方向上留有间隔地分别配设在所述多个支柱上的爪部；和

用于分别支撑所述多个被处理基板的多个环状支撑板，而各环状支撑板被在所述多个支柱的同等高度位置上相对应的多个爪部所保持，其中，

所述环状支撑板具有朝向中心、向下方倾斜的上面，而且设定所述上面的倾斜度使得在所述热处理时，所述上面与各被处理基板的底面实现面接触，并且与在所述热处理时所产生的所述被处理基板的变形相匹配。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

所述环状支撑板在所述上面上具备沟槽。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于：

在所述沟槽内，形成在厚度方向上贯穿所述环状支撑板的孔。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于：

所述沟槽为环状。

15.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

所述环状支撑板的材质是由选自石英、硅、以及碳化硅中的材料构成。

16.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

构成所述环状支撑板使之支撑作为被处理基板的、具有平坦底面的、直径为300mm的半导体晶片，设定所述上面的倾斜度使之在55mm的距离之间，在200μm～280μm范围内，变化高度。

17.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

构成所述环状支撑板使之支撑作为被处理基板的、具有平坦底面的、直径为450mm的半导体晶片，设定所述上面的倾斜度使之在55mm的距离之间，在210μm～300μm范围内，变化高度。

18.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

所述固定部件包括分别配置在所述多个支柱的下端部及上端部上的底板及顶板。

19.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

在所述热处理时所产生的所述被处理基板的变形包括由所述被处理基板的自重及热膨胀所引起的弯曲。

20.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：

所述热处理的温度为1050℃～1200℃。

Images