CN110783227B - 晶片工艺用垂直反应器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了改善隔热区域的隔热结构及吹扫结构以不影响晶舟区域的晶片工艺用垂直反应器，所述垂直反应器包括：内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；隔热芯体，垂直形成在所述隔热区域中平面状中央；隔热组件，形成有***所述隔热芯体的垂直的中空，并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件；其中，流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间，并绕过所述隔热芯体，引导至所述内管的所述排气口。

Description

晶片工艺用垂直反应器
技术领域
本发明涉及反应器，更详细地说涉及改善隔热区域的隔热结构及吹扫结构以不影响晶舟区域的晶片工艺用垂直反应器。
背景技术
半导体工艺可理解为执行制造晶片的半导体制造工艺。例如，可利用反应器(Reactor)，该反应器利用晶舟，以进行晶片的热处理。
反应器对投放的晶片执行热处理工艺，晶舟是用于为了以预定数量为单位(例如，180片)装载(Charge)用于热处理的晶片投放到反应器内部，或者为了卸载(Discharge)已热处理的晶片而向反应器外部排出晶片。
所述反应器具有加热器外壳、外管(Outer Tube)、内管(Inner Tube)。
内管可分为上部的晶舟区域与下部的隔热区域。晶舟区域是装载晶舟并且对装在晶舟的晶片进行热处理的区域，而隔热区域是具有隔热结构以在晶片工艺中与外部隔绝保持高温的晶舟区域的区域。
晶片工艺中，向内管上部的晶舟区域供应反应气体，向内管下部的隔热区域供应吹扫气体。为了晶片工艺，晶舟区域可保持高温与低压环境。
通常情况下，在工艺中吹扫气体在隔热区域经过放置有晶片的晶舟区域的下部，从内管向外管排放。通过所述的现有的工艺环境，针对装载于晶舟下部的晶片的工艺环境受到吹扫气体的影响。
因此，位于远离隔热区域的位置的晶片与接近隔热区域的位置的晶片被暴露在其他工艺环境下。所述的工艺环境的差异在保持工艺稳定性时起到障碍作用，并且起到降低生产力的作用。
发明内容
(要解决的问题)
本发明的目的在于，提供如下的晶片工艺用垂直反应器：在内管的内部空间中吹扫气体不影响晶舟区域的晶片的同时通过独立的排气空间排放，进而可保持稳定的工艺环境。
另外，本发明的另一目的在于，提供如下的晶片工艺用垂直反应器：具有隔热结构与吹扫结构，所述隔热结构具有隔热芯体与隔热组件，所述隔热芯体向晶舟传递旋转力，所述隔热组件***有隔热芯体并且提供排气空间，所述吹扫结构是吹扫气体经过排气空间并绕过隔热芯体。
另外，本发明的其他一目的在于，提前如下的晶片工艺用垂直反应器：利用上下间隔的隔热件或者外侧面具有环形水平通道的隔热提供隔热区域的排气空间，进而不影响晶舟区域的晶片的同时可排放吹扫气体。
另外，本发明的其他一目的在于，提供如下的晶片工艺用垂直反应器：具有隔热结构与吹扫结构，所述隔热结构具有隔热芯体与隔热组件，所述隔热芯体向晶舟传递旋转力，隔热组件***有隔热芯体并且提供排气空间，所述吹扫结构是吹扫气体经过排气空间并绕过隔热件。
另外，本发明的其他一目的在于，提供如下的晶片工艺用垂直反应器：通过结合驱动轴的凸缘中央的吹扫气体入口与凸缘边部的吹扫气体喷嘴在相互分离的位置供应吹扫气体，进而改善吹扫效率。
(解决问题的手段)
本发明的晶片工艺用垂直反应器包括：内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；隔热芯体，垂直形成在所述隔热区域中平面状中央；隔热组件，形成有***所述隔热芯体的垂直的中空，并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件；其中，流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间，并绕过所述隔热芯体，引导至所述内管的所述排气口。
另外，本发明的晶片工艺用垂直反应器包括：内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；隔热芯体，垂直形成在在所述隔热区域中平面状中央；隔热组件，形成有***所述隔热芯体的垂直的中空，并且外侧面具有由环形的水平通道形成的排气空间；其中，流入所述隔热区域的吹扫气体经过所述排气空间，并绕过所述隔热件，引导至所述内管的所述排气口。
(发明的效果)
本发明改善隔热结构，进而在内管中另外设置排放隔热区域的吹扫气压的排气空间，并且通过排气空间排放隔热区域的吹扫气体，进而可防止吹扫气体影响晶舟区域的晶片的工艺环境。
因此，本发明可具有通过改善的隔热结构与吹扫结构晶片工艺用垂直反应器可稳定地保持用于工艺的环境的效果。
附图说明
图1是本发明的垂直反应器的立体图。
图2是图1的A-A部分剖面图。
图3是除去加热器外壳的图2的部分扩大图。
图4是图3的B-B部分剖面图。
图5是用于本发明的另一实施例的对应于图3的部分扩大图。
图6是图5的C-C部分剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例。在本说明书及权利要求范围内使用的用语不得被解释为常规或者词典上的意思，而是应该用符合本发明的技术思想的意思与概念解释。
在本说明书记载的实施例与在附图示出的结构是本发明的优选实施例，并不代表本发明的全部的技术思想，因此在本申请的申请时间点可以有可代替的各种同等物与变形例。
如图1，举例示出由本发明实施的垂直反应器100。
图1是示出垂直反应器100的外观的立体图，可确认到上部的加热器外壳10、下部的歧管12以及凸缘14。
在图1示例的加热器外壳10内部结构可通过图2以及图3理解。
参照图2以及图3，加热器外壳10内部具有圆筒形空间，并且在内壁配置有加热器11。在加热器外壳10的圆筒形空间容纳外管20。
外管20下部外侧面构成有排气管22,。排气管22提供向外部排放外管20内部的气体的通道，并且连接有用于排气的泵(未示出)，进而可接收抽吸力。加热器外壳10的加热器11在加热器外壳10的内壁形成至形成有排气管22的上部。
在外管20的内部形成内管30，外管20与内管30通过歧管12与下部的凸缘14结合。
在本发明的实施例中，内管30的内部空间区分为上部的晶舟区域与隔热区域，该晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟50，该隔热区域用于隔热。
歧管12形成在凸缘14的上部，并且设置有用于向内管30供应反应气体的排管12a。排管12a延伸至内管30的上部，进而可使凸缘14中心形成有吹扫气体入口，在边部可形成吹扫气体喷嘴14a。吹扫气体入口可理解为***后述的驱动轴42的空间。
反应气体供应于内管30的晶舟区域。
凸缘14中心形成有吹扫气体入口，在边部可形成吹扫气体喷嘴14a。吹扫气体入口可理解为***后述的驱动轴42的空间。
驱动部40的驱动轴42通过吹扫气体入口从下部贯通至上部。凸缘14的吹扫气体入口用具有吹扫气体流入空间的磁密封(Magnetic Sealing)结构结合，吹扫气体通过吹扫气体流入空间供应到内管30的隔热区域的下部中心。
然后，凸缘14边部的吹扫气体喷嘴14a从下部向上部贯通凸缘14，以向内管30内侧的隔热热区域的下部边部供应吹扫气体。
晶舟50具有垂直并排排列的多个狭缝的结构，所述多个狭缝用于水平装载晶片，为了晶片工艺，晶舟50配置在内管30的上部的晶舟区域。
然后，配置有内管30的晶舟50的下部可理解为隔热区域，并且由隔热芯体60与隔热组件构成。
隔热芯体60具有圆柱形状，并且垂直形成在内管30的隔热区域中平面状中央，且形成在结合于驱动轴42的旋转板70上部。所述的隔热芯体60支撑上部晶舟50。另外，隔热芯体60通过旋转板70与驱动轴42轴连接，进而联动于驱动轴42的旋转，可旋转晶舟50，以用于晶片工艺。
隔热组件包括多个隔热件62、64，所述多个隔热件62、64形成***隔热芯体60的垂直的中空并且在隔热区域中上下间隔。隔热件62形成有垂直的中空，并且设置在隔热区域的上部，在中空***隔热芯体60的上部。隔热件64形成有垂直的中空，并且在隔热区域下部形成与隔热件62间隔的水平空间，在中空***隔热芯体60的下部。
多个隔热件62、64上下间隔的水平空间可定义为排气空间，流入隔热区域的吹扫气体经过排气空间绕过隔热芯体60引导至内管30的排气口30b。
隔热芯体60以及隔热组件的隔热件64的下部形成凸缘14，隔热件64的底面接触于凸缘14的上面，而隔热芯体60的底面通过旋转板70与驱动轴42轴连接。
多个隔热件62、64内侧面与隔热芯体60的侧面间隔，而隔热件62的外侧面与内管30的内侧面间隔。
在多个隔热组件62、64之间的排气空间介入预定高度的支撑部61。即，隔热组件62、64的间隔被支撑部61支撑，支撑部61形成由具有隔热材料的各种柱形状。本发明的实施例示例了由圆柱构成支撑部61。所述的支撑部61以隔热芯体60为中心间隔相同距离与相同角度。
然后，支撑部61与上部和下部的隔热件62、64构成或者组装成一体。在隔热件62、64通过支撑部61构成一体的情况下，隔热组件可用一个模块形成。
通过上述结构，通过隔热件64的外侧面的吹扫气体喷嘴14a流入的吹扫气体沿着隔热件64的外侧面引导至隔热件62、64之间的排气空间。然后，通过对应于隔热件64的中空的凸缘14的吹扫气体入口的流入的吹扫气体通过隔热芯体60的下部及隔热件64的中空的内侧面与隔热芯体60的侧面之间的间隔空间引导至隔热件62、64之间的排气空间。
上述的内管30具有在晶舟区域垂直排成一列的多个排气口30a，而且可具有位于至少一部分与隔热区域的排气管22入口相互面对的位置的排气口30b。
通过上述结构，向内管30上部的晶舟区域供应的反应气体被利用于晶片工艺之后可通过形成在晶舟区域的排气口30a向外管20排放。此时，由于吹扫气体供应于隔热区域，因此隔绝晶舟区域的反应气体以免流入隔热区域。
然后，如图3的箭头所示，通过内管30下部的凸缘14的吹扫气体入口或者吹扫气体喷嘴14a供应到隔热区域的吹扫气体沿着内管30的内侧面与隔热件64的外侧面之间间隔间隙与隔热芯体60的侧面以及隔热件64的内侧面之间间隔间隙向上部上升。然后，吹扫气体经过排气空间绕过隔热芯体60之后可通过内管30的排气口30b排放。
隔热区域的吹扫气体通过隔热件62、64之间的排放空间水平流动，通过内管的排气口30b排放，其中隔热件62、64之间的排气空间具有充分排气体积。通过所述排气空间可防止吹扫气体向上部的隔热件62的上侧流动。
然后，在内管30与外管20之间形成间隔的空间，通所述多个排气口30a、30b排放的气体向下部流动之后通过排气管22排放。
在此，隔热件62、64之间的排气空间可形成在与内管30的隔热区域的排气口30b相同的高度。
另外，内管30的排气口30b优选为形成在至少一部分与排气管22的入口相互面对的高度，其中排气管22构成在容纳内管30的外管20内壁的下部；内管30的排气口30b优选为形成在比外管内壁的排气管22入口高的位置。
如上所述，隔热件62、64之间的排气空间、内管30的排气口30b以及外管20的排气管22的入口水平连通，进而可顺利排放吹扫气体；可参照图4的箭头理解吹扫气体的水平通道，其中图4是示例图3的B-B部分的平面状态的剖面图。
据此，本发明的实施例在隔热件62、64之间另外形成排气空间，因此正在进行工艺时隔热气体的吹扫气体不向晶舟区域上升，而是通过水平通道以及排气口30b排放到内管30。
另外，本发明的实施例是构成隔热芯体60进而可将旋转力传达于晶舟50。
因此，本发明可提供一种吹扫结构，通过上述的隔热芯体60以及隔热件62、64结合的隔热结构防止正在执行晶片工艺的吹扫气体影响上部的晶舟区域，结果可对晶片保持稳定的工艺环境。
另一方面，如图5及图6，本发明可形成排气空间。在图5及图6中，对于与图3及图4相同的部件使用相同的附图标记，并且省略对重复的部件的重复说明。
对于图5及图6的实施例，与图3及图4相比，具有形成有水平通道68的隔热件66，代替由隔热组件构成的隔热件62、64。
图5及图6的隔热件66形成有***隔热芯体60的垂直的中空，并且在外侧面具有由环形的水平通道68形成的排气空间。水平通道68是指宽度均匀的凹部水平形成在侧面。
通过上述的结构，流入隔热区域的吹扫气体通过所述水平通道68的排气空间并绕过隔热件66，不向上部上升，而是如图5以及图6的箭头所示可引导至内管30的排气口30b。
虽未示出，但是上述的隔热件66具有两个以上的平行的水平通道68，可形成排气空间。在这一情况下，各层的水平通道68可对上升的吹扫气体起到缓冲作用，并且吹扫气体可通过两个以上的平行的水平通道68分散排放。
然后，与图1至图4相同，优选为，上述的通道68的排气空间也与内管30的排气口30b相互面对。另外，内管30的排气口30b形成在至少一部分与构成在外管20的下部的排气管22入口相互面对的高度，优选为形成在比外管20的排气管22的入口高的位置，其中所述外管20容纳内管30。
然后，在形成排气空间的通道68形成有与中空连接的多个贯通口(未示出)，在这一情况下，可顺利排放中空的吹扫气体。
本发明的实施例构成如上所述的结构，进而在执行工艺时向隔热区域下部供应吹扫气体不向晶舟区域上升，而是可通过隔热区域的排气空间顺利排放。
因此，本发明的晶片工艺用垂直反应器能够防止隔热区域的吹扫气体在排放过程中影响晶舟区域的晶片，因此可稳定地保持用于晶片工艺的环境。

Claims (13)

1.一种晶片工艺用垂直反应器，包括：
内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；
隔热芯体，垂直形成在所述隔热区域中平面状中央，并将旋转力传达到所述晶舟；
隔热组件，形成有***所述隔热芯体的垂直的中空，并且具有多个隔热件，所述多个隔热件在所述隔热区域中形成排气空间，所述排气空间为所述多个隔热件上下间隔而形成的水平空间；
外管，所述外管容纳所述内管，并在下部形成有排气管；
凸缘，构成在所述隔热芯体和所述隔热组件的下部，并具有吹扫气体喷嘴，通过所述吹扫气体喷嘴将吹扫气体供应至所述隔热区域的下部；及
歧管，所述歧管设置有排管，所述排管延伸至所述内管的上部而使反应气体供应至所述内管的所述上部晶舟区域，其中，所述外管与所述内管通过所述歧管与所述凸缘结合，
所述排气空间与所述内管的所述排气口相互面对，
所述排气口形成在至少一部分与所述外管的所述排气管的入口相互面对的高度，
流入所述隔热区域的所述吹扫气体经过所述隔热组件的所述排气空间，并绕过所述隔热芯体，通过所述内管的所述排气口引导至所述外管的所述排气管。
2.根据权利要求1所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述凸缘平面状中央还形成有吹扫气体入口，在边部构成有所述吹扫气体喷嘴，将通过所述吹扫气体入口与所述吹扫气体喷嘴从中央与边部流入的所述吹扫气体供应至所述隔热区域的下部。
3.根据权利要求2所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
驱动轴贯通所述吹扫气体入口与所述隔热芯体轴连接，将旋转力传达于所述隔热芯体，并且用具有吹扫气体流入空间的磁密封结构与所述吹扫气体入口结合；
所述吹扫气体通过所述吹扫气体流入空间及所述吹扫气体喷嘴供应到所述隔热区域的下部。
4.根据权利要求1所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述隔热组件具有：
第一隔热件，形成有垂直的第一中空，并且设置在所述隔热区域的上部，在所述第一中空***所述隔热芯体的上部；以及
第二隔热件，形成有垂直的第二中空，并且设置在所述隔热区域的下部，以与第一隔热件间隔形成所述排气空间，在所述第二中空***所述隔热芯体的下部。
5.根据权利要求4所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，还具有：
支撑部，介入于所述排气空间，以所述隔热芯体为中心间隔相同的距离与相同的角度，并且具有预定的高度；
所述隔热组件由单一模块构成，所述模块是由所述第一隔热件与所述支撑部及所述第二隔热件构成一体而形成的。
6.根据权利要求4所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
在所述隔热芯体以及所述第二隔热件的下部构成有所述凸缘；
所述凸缘平面状中央形成有吹扫气体入口，在边部形成有所述吹扫气体喷嘴；
通过所述吹扫气体喷嘴流入所述隔热区域下部的第一吹扫气体通过所述第二隔热件的外侧面与所述内管的内侧之间的第一间隔空间引导至所述排气空间；
通过所述吹扫气体入口流入所述隔热区域的下部的第二吹扫气体通过所述第二隔热件的所述第二中空的侧面与所述隔热芯体的侧面之间的第二间隔空间引导至所述排气空间。
7.根据权利要求1所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述内管的所述排气口位于比所述外管的所述排气管的入口高的位置。
8.一种晶片工艺用垂直反应器，包括：
内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；
隔热芯体，垂直形成在在所述隔热区域中平面状中央，并将旋转力传达到所述晶舟；
隔热组件，形成有***所述隔热芯体的垂直的中空，并且外侧面具有由环形的水平通道形成的排气空间；
外管，所述外管容纳所述内管，并在下部形成有排气管；
凸缘，构成在所述隔热芯体和所述隔热组件的下部，并具有吹扫气体喷嘴，通过所述吹扫气体喷嘴将吹扫气体供应至所述隔热区域的下部；及
歧管，所述歧管设置有排管，所述排管延伸至所述内管的上部而使反应气体供应至所述内管的所述上部晶舟区域，
其中，所述外管与所述内管通过所述歧管与所述凸缘结合，
所述排气空间与所述内管的所述排气口相互面对，
所述排气口形成在至少一部分与所述外管的所述排气管的入口相互面对的高度，
流入所述隔热区域的所述吹扫气体经过所述隔热组件的所述排气空间，并绕过所述隔热组件，通过所述内管的所述排气口引导至所述外管的所述排气管。
9.根据权利要求8所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述凸缘平面状中央还形成有吹扫气体入口，在边部构成有所述吹扫气体喷嘴，将通过所述吹扫气体入口与所述吹扫气体喷嘴接从中央与边部流入的所述吹扫气体供应至所述隔热区域的下部。
10.根据权利要求9所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
驱动轴贯通所述吹扫气体入口与所述隔热芯体轴连接，将旋转力传递于所述隔热芯体，并且用具有吹扫气体流入空间的磁密封结构与所述吹扫气体入口结合；
所述吹扫气体通过所述吹扫气体流入空间及所述吹扫气体喷嘴供应到所述隔热区域的下部。
11.根据权利要求8所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述隔热组件形成有两个以上的水平通道作为所述排气空间。
12.根据权利要求8所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述内管的所述排气口位于比所述外管的所述排气管的入口高的位置。
13.根据权利要求8所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
在所述排气空间形成有与所述中空连接的多个贯通口。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222556A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
CN1992192A (zh) * 2005-12-28 2007-07-04 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置
CN102191473A (zh) * 2010-03-10 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置及其冷却方法
CN107851578A (zh) * 2015-09-04 2018-03-27 株式会社日立国际电气 反应管、衬底处理装置及半导体器件的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0179170B1 (ko) * 1995-07-11 1999-04-15 문정환 반도체 소자의 어드히젼처리방법
JP5405667B2 (ja) * 2010-07-22 2014-02-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TWI611043B (zh) * 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222556A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
CN1992192A (zh) * 2005-12-28 2007-07-04 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置
CN102191473A (zh) * 2010-03-10 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置及其冷却方法
CN107851578A (zh) * 2015-09-04 2018-03-27 株式会社日立国际电气 反应管、衬底处理装置及半导体器件的制造方法

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