CN2591770Y - 热处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种热处理装置，能够高精度地检测出被处理体的温度，从而能够正确地控制加热组件的发热量，对被处理体稳定地实施所希望的热处理。包括：处理容器；将多个被处理体保持在成水平状态的被处理体保持件；设置在处理容器外部的加热组件；设置在处理容器内的用于温度补偿的温度检测器；其中，用于温度补偿的温度检测器具有直管状保护管本体部和多个支管部；在各支管部处配设有热电偶；各支管部以插在高度位置彼此不同的被处理体之间的方式进行配置；用于温度补偿的温度检测器的保护管本体部是按照以管轴为中心可旋转的方式来进行设置的；在用于温度补偿的温度检测器中，在保护本体部的底端侧部分，环绕其四周形成环状沟槽。

Description

热处理装置

技术领域

本实用新型涉及热处理装置。

背景技术

例如，在半导体设备制造过中，为了对作为被处理体的半导体晶片进行氧化、扩散、成膜等处理，使用各种热处理装置，例如已知一种能一次对多个被处理体进行热处理的批式纵型处理装置。

在这种批式纵型处理装置中，将在高度方向上以预定间隔放置了多个被处理体的被处理体保持件收纳在处理容器中。此外，还通过设置在处理容器周围的筒状加热器，用根据设置在处理容器内的温度检测器检测出的温度数据而设定的发热量进行加热，由此对被处理体进行预定的热处理。

在对半导体晶片进行热处理时，为了获得均一膜质和良好特性的成膜，除了提高各半导体晶片面内温度的均一性之外，还要求提高放置在不同高度位置上的半导体晶片间的温度均一性。针对这样的要求，就要将处理容器内沿上下方向分为多个加热区域(zone)，按照对应于各加热区域的发热量实施加热，由此对被处理体进行热处理。

在采取上述结构的热处理装置中，温度检测器是由沿上下方向在处理容器内延伸的例如石英玻璃形成的直管状保护管以及在该保护管内对应于处理容器各加热区域的位置配置的热电偶构成的。由此，可以检测出对应于处理容器各加热区域位置的温度，按照检测出的温度数据调整筒状加热器的发热量。

而在上述纵型热处理装置中，由于是在与半导体晶片相隔一定距离的位置处进行温度检测，因此由温度检测器检测出的温度和半导体晶片的实际温度之间不可避免地会产生误差，结果存在着难以正确地对筒状加热器进行温度控制的问题。

实用新型概述

本实用新型是基于上述事实而作出的，其目的是能够高精度地检测出被处理体的温度，据此，本实用新型提供能稳定地对被处理体实施所希望热处理的热处理装置。

本实用新型热处理方法包括：使用在高度方向上以预定间距放置的用于进行支持的被处理体保持件将被处理体收纳在处理容器内，在处理容器中设置的加热组件按照目标发热量进行工作，由此对被处理体实施加热，在该对被处理体实施预定热处理的热处理方法中，其特征在于加热组件是根据用以下步骤(1)-(3)求得的目标发热量进行工作的。

(1)为使被处理体的温度达到目标加热温度，使加热组件用设定的基准发热量工作，并且用设置在处理容器内、沿高度方向延伸的用于控制温度的温度检测器对被处理体的控制对象温度进行检测的步骤，

(2)使用以插在被处理体之间状态的设置的用于温度补偿的温度检测器，对被处理体的控制目标温度进行检测的步骤，

(3)将用于温度控制的温度检测器检测出的被处理体控制对象温度、以及用于温度补偿的温度检测器检测出的被处理体控制目标温度进行对比，根据控制目标温度和控制对象温度之间的温度差对基准发热量进行补偿，从而确定目标发热量的步骤。

在本文中，“实质上一致”是指温度差处于±0.5到±1.0℃的范围内。

本实用新型热处理方法的特征在于：在求得目标发热量时，在加热组件用基准发热量实施加热后，用实质上已处于安定状态下的用于温度控制的温度检测器对控制对象温度进行检测。

本实用新型热处理方法的特征还在于：在求得目标发热量时，由用于温度补偿的温度检测器，在彼此处于不同高度位置的被处理体之间对被处理体的温度进行检测。

本实用新型热处理方法的特征还在于：在求得目标发热量时，由用于温度补偿的温度检测器，在该被处理体的中心位置处对被处理体的温度进行检测。

本实用新型热处理方法的特征还在于在对被处理体进行热处理时，是在用于温度补偿的温度检测器不存在于被处理体之间的状态下进行的。

本实用新型的热处理装置具有：处理容器；容纳在处理容器内的、高度方向上留有预定间隔地将多个被处理体保持在成水平状态的被处理体保持件；设置在处理容器外部的加热组件；设置在处理容器内的、检测控制对象温度的用于温度控制的温度检测器，在对应处理的被处理体进行处理以使其温度达到目标加热温度时，作为控制加热组件的发热量时的参照；设置在处理容器内的用于温度补偿的温度检测器，以在补偿加热组件的发热量时作为参照，检测和目标加热温度实质上一致的控制目标温度，其特征在于，根据用于温度补偿的温度检测器检测出的控制目标温度和用于温度控制的温度检测器检测出的控制对象温度，利用控制部对加热组件的发热量进行补偿。

本实用新型热处理装置的特征在于：用于温度补偿的温度检测器具有在高度方向上延伸的直管状保护管本体部，和从该保护管本体部上以在高度方向上彼此隔开的状态分别沿着与保护管本体部的管轴方向正交的方向上延伸出的多个支管部，在各支管部处配设有热电偶，各支管部以插在高度位置不同的被处理体之间的方式配置。

本实用新型热处理装置的特征在于：用于温度补偿的温度检测器的保护管本体部是以管轴为中心可旋转的方式来进行设置的。

本实用新型热处理装置的特征在于：在用于温度补偿的温度检测器中，在保护本体部的底端侧部分，环绕其四周形成环状沟槽。

本实用新型热处理装置的特征在于：使用于温度补偿的温度检测器的保护管本体部和支管部内部处于减压状态，同时，保护管本体部的底端侧部分被气密密封。

本实用新型温度检测器的特征在于：在用于温度补偿的温度检测器中，具有在高度方向上延伸的直管状保护管本体部，和从该保护管本体部上以在高度方向上彼此隔开的状态分别沿着与保护管本体部的管轴方向正交的方向上延伸的多个支管部，在各支管部设置了热电偶，各支管部以***到高度位置彼此不同的被处理体之间的方式进行配置。

根据本实用新型，对应该进行热处理的热处理体进行处理时，在预先求出所实施的目标发热量时，由配置在被处理体间的用于温度补偿的温度检测器高精度地检测出被处理体的温度。此后，为使用于温度补偿的温度检测器测出的控制目标温度与应该进行热处理的被处理体的目标加热温度实质上一致，根据用于温度补偿的温度检测器测出的控制目标温度和用于温度控制温度检测器检测出的控制对象温度的温度差，对加热组件的基准发热量进行补偿。按照上述方式，可正确地对加热组件的发热量进行控制。

此外，用于温度补偿的温度检测器具有保护管本体部和支管部，由于热电偶配设在支管部内，因此可以在不会对被处理体造成金属污染和微粒等的状况下，检测出被处理体的温度。

附图说明

图1是显示本实用新型热处理装置一个实例的构成示意截面图。

图2是显示控制用温度检测器构成实例的截面图。

图3是显示补偿用温度检测器构成实例的截面图。

图4是显示图3所示补偿用温度检测器密封构造实例的截面图。

图5显示的是温度稳定时的半导体晶片、控制用温度检测器和补偿用温度检测器的温度随时间变化的曲线图。

具体实施方式

以下，参照附图，以纵型热处理装置为例对本实用新型进行说明，该纵型热处理装置是采用CVD法对被处理体进行成膜处理的。

图1是显示本实用新型热处理装置一个实例的构成示意截面图。

该纵型热处理装置具备处理容器(process tube)11，该处理容器11具有由上端开放的直管状内管11A和上端封闭的外管11B形成的二重管构造，其中直管状内管11A在高度方向(即图1中的上下方向)上延伸配置，上端封闭的外管11B是在直管状内管11A周围以隔开预定间隔的同心状方式进行配置的，处理容器11的下方空间形成装填区L。该装填区L是与以下将要描述的、作为被处理体保持件的晶片舟形器皿17(boat)相对的，对作为被处理体的半导体晶片进行移载等的区域。

内管11A和外管11B中的任何一种都是用耐热性和耐腐蚀性优良的材料，例如高纯度石英玻璃形成的。

在该处理容器11的外管11B的下端部设置了短筒状的歧管12，该歧管12的上端具有突缘部分12A。在该凸缘部分12A处，用凸缘帽13将通过O环等的密封组件(图中未示出)设置在外管11B下端部的下端凸缘部分111接合在一起，由此使处理容器111的外管11B处于固定状态。

处理容器11的内管11A在从外管11B的下端面向更下方延伸，并被***到歧管12内的状态下由设置在该歧管12内面的环状内管支持部14所支撑。

在该纵型热处理装置的处理容器11的纵断面上，设置位于歧管12一侧的侧壁上的向处理容器11内导入处理气体或惰性气体的气体供给配管15，气密地贯通该歧管12的侧壁，该气体供给配管15向上延伸到内管11A内。该气体供给配管15与未图示的气体供给源相连。

此外，在与歧管12相对的另一侧侧壁上，设置了对处理容器11内排气用的排气部16，该排气部16与具有例如真空泵和压力控制机构的排气机构(图中未示出)相连，由此将处理容器内部压力控制为预定压力。

在处理容器11的下方设置了升降机构21，用于在上下方向驱动作为被处理体保持件的晶片舟皿17，将其搬入到处理容器11内和搬出处理容器11。该升降机构21具备圆板状的盖体20，以打开或关闭处理容器11的下端开口11C。

晶片舟皿17是由例如高纯度的石英玻璃形成的，在晶片舟皿17上分层放置着多枚，例如100-150枚半导体晶片，这些晶片呈水平状态分段设置，而且在上下方向上间隔一定间距(pitch)，例如5.2-20.8mm。

在升降机构21的盖体20处，以贯穿盖体20的状态设置了与处理容器11平行的、向上延伸的柱状支撑构件22。该支撑构件22于上部一体化地设置载置有晶片舟皿17的圆板状舟皿支撑件22A，支撑构件22与设置在盖体20下部的旋转驱动组件23相连。

而且在盖体20上部，以贯穿支撑构件22的方式设置了由例如石英形成的保温筒24。

在处理容器11的外侧，以环绕处理容器11四周的状态设置了筒状加热器30，该加热器30是用于将收容在处理容器11内的半导体晶片加热至预定的处理温度的加热组件。

筒状加热器30具有圆筒状绝热材料(图中未示出)，该绝热材料的内面配设有螺旋状或者蛇形的线状电阻发热体。该电阻发热体与控制部31相连，该控制部31根据由以下将要描述的温度检测器检测出的半导体晶片温度数据，为使该半导体晶片达到预先设定的温度状态，控制应供电力的大小。

在处理容器11的高度方向上分为多个加热区域，以图示为例分为3个加热区域(Zone)Z1-Z3，筒状加热器30对各加热区域Z1-Z3独立地实施温度控制，即实施区域控制。

在处理容器11的上方以与处理容器11内的晶片舟皿17相对的状态设置了面状加热器32，而且该加热器还与筒状加热器30上端面相平行。该面状加热器32可以有效地防止从处理容器11的上方散热，并可在半导体晶片面宽方向对半导体进行高均一性的加热处理。

面状加热器32具有例如在板状基材上布线的线状电阻发热体，该电阻发热体与控制部31相连。

在该纵型热处理装置的处理容器11的内部，配置了检测半导体晶片控制对象温度的用于温度控制的温度检测器40(下文将其简称为“控制用温度检测器”)。在为了使半导体晶片达到目标加热温度而控制筒状加热器30和面状加热器32的发热量时，可参照该温度检测器40的检测值。

具体来说，控制用温度检测器40气密地贯通于歧管12的下部壁面，同时与内管11B平行地、沿高度方向延伸至由收容在处理容器11内确定位置处的晶片舟皿17和内管11B之间形成的略呈环状的空间内。在控制用温度检测器40中，从内管11B上端面延伸出来的前端侧部分与晶片舟皿17所支撑的半导体晶片平行地朝向处理容器11的中心位置延伸。

如图2所示，控制用温度检测器40是由例如透明石英玻璃形成的、前端部分弯曲并向水平方向(图2中右侧)延伸的、整体大致呈L状的保护管41，和在该保护管41内、在与面状加热器32的加热区域相对应的位置处(例如相当于面状加热器32中心位置的位置处)和与筒状加热器30各加热区域Z1-Z3相对应的位置处配设的多个(在该实施例中总计为4个)热电偶42构成的。

保护管41的前端部分被作成封闭状态，同时其底端侧部分被例如粘结剂等的密封材料45密封，将热电偶42的金属线通过该密封部分引向外部。热电偶42的金属线通过补偿导线与控制器31的输入端子相连。

保护管41的底端侧部分可以用气密的方式进行密封，或者为防止热电偶42氧化，也可以向保护管41内填充如氮气(N₂气体)等的惰性气体。

在热电偶42的各金属线处，以***金属线的状态设置了由氧化铝陶瓷形成的绝缘材料44。该绝缘材料44具有多个、如长度为3mm的套管状空心珠粒44A，该空心珠粒44A以在长度方向上彼此相连的状态进行配置。此外，在图2中，为了方便仅显示了各绝缘构件中的一个。

在该纵型热处理装置的处理容器11的内部，设置了检测实质上与目标加热温度一致的半导体晶片控制目标温度的用于温度补偿的温度检测器50(下文将其简称为补偿用温度检测器)。半导体晶片的控制目标温度作为在对筒状加热器30和面状加热器32的基准发热量进行补偿时的参考。

如图3所示，补偿用温度检测器50由保护管本体部52和在保护管本体部52前端部分水平方向延伸出的第一支管部53A构成，其中保护管本体部52和支管部53A一起大致形成L状。此外，从保护管本体部52还分别延伸出多个(例如在该图中为2)支管部53B、53C，它们与该支管部53A在高度方向上彼此相隔一定距离，并在与保护管本体部52的管轴方向正交的水平方向上。在各支管部53A、53B和53C的前端设置了热电偶54。而且，保护管本体部52和支管部53A、53B和53C共同构成了保护管51。

在热电偶54的各金属线处，以***金属线的状态设置了由例如氧化铝陶瓷形成的绝缘材料56。该绝缘材料56具有多个、例如长度为3mm的套管状空心珠粒56A，该空心珠粒56A以在长度方向上彼此相连的状态进行配置。

各支管部53A、53B和53C的前端部分被作成封闭状态，同时保护管本体部52底端侧部分被密封，将热电偶54的金属线通过该密封部分引向外部。热电偶54的金属线通过补偿导线与控制器31的输入端子相连。

保护管本体部52的底端侧部分可以用气密的方式进行密封，或者为防止热电偶54氧化，也可以向保护管41内填充如氮气(N₂气体)等的惰性气体。

具体而言，如图4所示，在保护管51的底端侧部分，向保扩管51内填充水泥等的密封材料57，由此形成气密的密封构造。以其中贯通有绝缘构件56的状态，设置了与保护管51的端部相连并向外伸出的端部构造体60。该端部构造体60具有内面设置了热收缩管62的、由例如石英玻璃形成的辅助管61，和***到该辅助管61内的、例如由特氟隆形成的绝缘构件63。

此外，在保护管51的保护管本体部52的底端侧部分，具体来说，在其位于处理容器11内部和处理容器11外部之间的界限部分的四周，形成环状沟槽58。该环状沟槽58中嵌合歧管12的下部壁面，将补偿用温度检测器50配置在处理容器11内。

在对半导体晶片进行预定的热处理时，在预先求出筒状加热器32的目标发热量的情况下(在实施目标发热量的获取操作的情况下)，使用补偿用温度检测器50。

而且，补偿用温度检测器50可自如地以向上延伸的保护管本体部52的管轴为中心进行旋转，在实施目标发热量的获取操作的情况下，使保护管本体部52以管轴为中心旋转。通过这种方式，各支管轴53A、53B和53C***到由晶片舟皿17支撑在对应高度位置处的半导体晶片之间。

理想的方式是形成将各支管部53A、53B和53C***到高度位置不同的半导体晶片之间的结构，更理想的是使配设有热电偶54的支管部53A、53B和53C的前端部分达到相当于半导体晶片中心位置的位置处。

以图示为例，将与保护管51的上端相连的、并沿水平方向(图3中的左方向)延伸的第1支管部53A配置在应处理的半导体晶片中的位于最上部的晶片的上部空间处，将位于用于温度补偿的温度检测器50最下端的第3支管部53C配置在应处理的半导体晶片中的位于最下部的晶片的上部空间处，将位于第1支管部53A和第3支管部53C之间高度方向上的第2支管部53B配置在应处理的半导体晶片中的位于中央部的晶片的上部空间处。

以下将对具有上述结构的纵型热处理装置对半导体晶片所实施的热处理进行说明。

首先，在装填区L处，将移动和装载半导体晶片以及支撑半导体晶片用的晶片舟皿17载置在舟皿支撑件22A上。此时盖体20处于最下端的位置处。然后通过升降机构21向上驱动盖体20，将晶片舟皿17从下端开口11C搬入到处理容器11内。然后用盖体20使处理容器11的下端开口11C处于气密的封闭状态，并用排气组件将处理容器11内的压力减压至预定压力，例如6×10^-4Pa。在这种情况下，在晶片舟皿17的最上部和最下部的载置部放置模拟的半导体晶片(dummy wafer)。

然后，实施设定筒状加热器30和面状加热器32的目标发热量的目标发热量获取操作。即，以补偿用温度检测器50的保护管本体部52的管轴为中心，旋转补偿用温度检测器50，将各支管部53A、53B和53C***到高度位置互不相同的半导体晶片之间。然后由控制用温度检测器40检测控制对象温度，同时为使半导体晶片达到预定目标加热温度，实施设定筒状加热器30和面状加热器32的基准发热量的操作。

此后，当由控制用温度检测器40检测出的控制对象温度实质上达到稳定状态之后，由温度检测器40继续进行温度检测。

在此，所谓“实质上的稳定状态”是指由控制用温度检测器40得到的控制对象温度的变动幅度在例如±0.5-1.0℃的范围内。例如，当筒状加热器30和面状加热器32的工作时间经过2小时之后，一般都能够达到非常稳定的状态。

而后，将控制用温度检测器40的各热电偶42检测出的各控制对象温度，和补偿用温度检测器50的各热电偶54检测出的各控制目标温度输入到控制部31内。当用补偿用温度检测器50检测出的控制目标温度与应处理的半导体晶片的目标加热温度达到实质上一致的情况下，在控制部31处，对各对应高度处的温度数据进行对比。

另一方面，在补偿用温度检测器50检测出的控制对象温度与应处理的半导体晶片的目标加热温度未达到实质上一致的场合下，在控制部31处，重复实施上述步骤，再一次设定筒状加热器30和面状加热器32的基准发热量。

例如在控制部31处，对于放置在对应于加热区域Z1的位置处的半导体晶片，根据补偿用温度检测器50检测出的控制对象温度和控制用温度检测器40检测出的控制对象温度之间的温度差，决定筒状加热器30对放置在对应于加热区域Z1位置处的半导体晶片施加的目标发热量。

上述操作可以用于其它的加热区域Z2、Z3。

然后旋转补偿用温度检测器50，使得半导体晶片之间不存在支管部53A、53B和53C。此后，在用旋转驱动组件23旋转晶片舟皿17的状态下，由供气配管15将合适的处理气体导入到处理容器11内，对半导体晶片进行成膜处理。

而后，在由上述纵型热处理装置对半导体晶片进行热处理时预先实施的目标发热量获取操作中，可以用补偿用温度检测器50高精度地检测出半导体晶片的温度。由此，为使补偿用温度检测器50检测出的控制目标温度与应进行热处理的半导体晶片温度的目标加热温度实质上一致，可根据补偿用温度检测器50检测出的控制对象温度和控制用温度检测器40检测出的控制对象温度之间的温度差，对基准发热量进行补偿。通过上述方式，可以正确地控制筒状加热器30和面状加热器32的发热量，从而能够稳定地对半导体晶片实施所希望的热处理。

而且由于在控制用温度检测器40检测出的温度达到稳定状态时才实施目标发热量获取操作，因此可以确实获得补偿用温度检测器50检测出的控制对象温度和控制用温度检测器40检测出的控制对象温度之间正确的温度差，从而能正确控制筒状加热器30和面状加热器32的发热量。

而且，由于补偿用温度检测器50上的各支管部53A、53B和53C配置在高度位置互不相同的半导体晶片之间，因此可以对各高度位置独立地进行温度控制。从而实质上在对半导体晶片进行热处理时，不管所配置的半导体晶片的高度位置如何，对于所有半导体晶片都能进行实质上均一的热处理，而且使其处于所期望的温度状态。

而且，由于配设了热电偶54、54、54的支管部53A、53B和53C的前端部分达到相当于半导体晶片中心位置的位置处，可实质上仅检测从半导体晶片发出的放射光，因此能够确实地、高精度地检测出半导体晶片的温度。

而且，由于补偿用温度检测器50的热电偶54、54、54配设在支管部53A、53B和53C的内部，换言之，由于热电偶54的金属线等未暴露在处理容器11内的气体氛围中，因此能够确实防止产生如颗粒以及对半导体晶片产生金属污染等的状况。本实用新型与在半导体晶片上直接配设热电偶、对半导体晶片温度进行检测的场合相比，在设定目标发热量的操作之后不需要对石英夹具进行交换和洗净处理，从而能够有利地对半导体晶片实施所希望的热处理。

而且，由于在保护管51的底端侧部分的四周形成环状沟槽58，该环状沟槽58嵌合有歧管12，因此具有止档的功能。因此，即使在使处理容器11处于减压状态下时，也能够确实防止补偿用温度检测器50被引入到处理容器11内。

在上述方式中，尽管补偿用温度检测器50的保护管51内为惰性气体氛围，也可以采用在保护管51处于减压状态时，将保护管51的底端侧部分气密地密封的结构。

在该场合下，当处理容器11内部处于减压状态下时，即使保护管51由于某种原因被损坏时，也可以切实防止其碎片飞散到处理容器11内。

控制用温度检测器40也可以采用同样的结构。

实施例

下文将对图1所示结构的纵型热处理装置的实施例进行说明。

将25枚、晶片直径为200mm的半导体晶片以15.6mm的间距上下分层放置在处理容器(11)内中容纳的晶片舟皿(17)上，同时在其最上部和最下部放置模拟晶片。此后按照使所有的半导体晶片达到800℃(目标加热温度)的目标而设定的基准发热量使筒状加热器(30)和面状加热器(32)工作。在加热开始2小时之后，用控制用温度检测器(40)和补偿用温度检测器(50)进行温度检测，此时控制用温度检测器(40)检测到的控制对象温度为800℃，补偿用温度检测器(50)检测出的控制目标温度为803℃。

此后，为使控制对象温度为798℃，根据控制目标温度和控制对象温度之间的温度差3℃，通过补偿基准发热量来设定目标发热量，并用设定的目标发热量使筒状加热器(30)和面状加热器(32)进行工作。在该情况下，补偿用温度检测器(50)检测出的控制目标温度变成800℃，从而能够对所有的半导体晶片实施所希望的热处理。图5显示的是温度稳定时，控制用温度检测器(40)和补偿用温度检测器(50)的温度随时间变化的曲线图。

以上对本实用新型的实施形式进行了说明，但是本实用新型不仅限于上述形式，还可以在其上作出各种变化。

例如设置在补偿用温度检测器上的支管数目、***支管部的位置及其它结构，都没有特别的限制，例如在一次处理中，可根据应处理的被处理体数目，大小(外径尺寸)等进行适当的改变。

在上述实施例中，虽然补偿用温度检测器的支管部是以与筒状加热器各加热区域相对应的状态进行配置的，但是也没有必要将支管部配置在与筒状加热器加热区域相对应的位置处。

保护管本体部的前端部分和各支管部配设的热电偶数目和位置也没有特别的限制，例如一个支管部内的多个热电偶可在支管部内以水平方向上互相分离的状态进行配设。

此外，可以不对实际应处理的被处理体实施获取目标发热量的操作，而对模拟的被处理体(模拟晶片)实施该操作即可。

本实用新型的热处理装置不限于成膜处理，还适用于进行氧化处理、扩散处理、退火处理等热处理装置。

根据本实用新型的热处理方法，在对应实施热处理的被处理体进行处理时，在先实施获取目标发热量的操作时，可以用配置在被处理体之间的用于温度补偿的温度检测器高精度地检测出被处理体的温度。由此为使用于温度补偿的温度检测器检测出的控制目标温度与应进行热处理的被处理体的目标加热温度实质上一致，可对应于用于温度补偿的温度检测器检测出的控制目标温度和用于温度控制温度检测器检测出的控制对象温度，对加热组件的基准发热量进行补偿。通过这种方式，可以正确地控制加热组件的发热量，从而能对被处理体稳定地实施所希望的热处理。

根据本实用新型的热处理装置，由于切实地实施上述方法，能够高精度地检测出被处理体的温度，从而能够正确地控制加热组件的发热量，对被处理体稳定地实施所希望的热处理。

Claims (2)

1.一种热处理装置，包括：

处理容器；

容纳在处理容器内的、高度方向上留有预定间隔地将多个被处理体保持在成水平状态的被处理体保持件；

设置在处理容器外部的加热组件；

设置在处理容器内的用于温度补偿的温度检测器；

其特征在于，用于温度补偿的温度检测器具有：

在高度方向上延伸的直管状保护管本体部；

和从该保护管本体部分上以在高度方向上彼此隔开的状态分别沿着与保护管本体部的管轴方向正交的方向延伸的多个支管部；

在各支管部处配设有热电偶；

各支管部以插在高度位置彼此不同的被处理体之间的方式进行配置；用于温度补偿的温度检测器的保护管本体部是按照以管轴为中心可旋转的方式来进行设置的；在用于温度补偿的温度检测器中，在保护本体部的底端侧部分，环绕其四周形成环状沟槽。

2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，将保护管本体部的底端侧部分气密地密封。

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