CN1868097A - 双光束半导体激光器 - Google Patents

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Abstract

一种双光束半导体激光器(10)，具备在衬底(51)上一体地设置可独立地驱动的第1、第2半导体激光元件(LD1、LD2)的双光束半导体激光元件(LDC)和基座(53)，在该基座(53)中，在前部安装使射出侧朝向前方的双光束半导体激光元件(LDC)，同时具有分别与第1、第2半导体激光元件(LD1、LD2)的电极(61、62)相接而连接的第1、第2电极焊盘(64、65)，在该双光束半导体激光器(10)中，在双光束半导体激光元件(LDC)的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘(64、65)，在双光束半导体激光元件(LDC)的后方对键合丝(14、16)进行键合丝键合。

Description

双光束半导体激光器
技术领域
本发明涉及双光束半导体激光器，特别是涉及使用由框和树脂构成的封装体的、可分别射出2种激光的单模型的双光束半导体激光器。
背景技术
现在，作为光记录媒体，已知有光盘(CD)、可记录的光盘(CD-R)、可改写的光盘(CD-RW)、进而是高密度的数字多用途盘(DVD)及记录型DVD等。在这些记录媒体中，为了至少进行DVD、CD、CD-R和CD-RW的记录或重放，必须射出波长650nm和780nm的激光作为光拾取器的光源。
波长650nm的激光用于DVD的重放，波长780nm的激光用于CD的重放和用于CD-R和CD-RW的记录或重放。也可利用波长650nm的激光进行记录型DVD的记录。此外，根据近年的高写入速度的要求，要求光源的高输出。
作为在这样的光拾取器中安装的光源，已知有可从1个封装体射出650nm和780nm的波长的激光的双光束半导体激光器。通过安装双光束半导体激光器，可谋求光拾取器的小型化和组装的简化。
图6、图7是示出现有的双光束半导体激光器的主要部分的正面图和斜视图。双光束半导体激光器50具有在基座63上安装的双光束半导体激光元件LDC。在同一衬底51上在第1半导体激光元件LD1和第2半导体激光元件LD2互相分离的状态下对双光束半导体激光元件LDC进行集成化。
衬底51由n型GaAs等构成。第1半导体激光元件LD1由AlGaInP类半导体等构成，射出波长650nm的激光。第2半导体激光元件LD2由AlGaAs类半导体等构成，射出波长780nm的激光。在专利文献1和专利文献2中公开了AlGaInP类的第1半导体激光元件LD1和AlGaAs类的第2半导体激光元件LD2的具体的详细结构。因此，以下简单地说明这些结构。
AlGaInP类的第1半导体激光元件LD1，在由n型GaAs构成的衬底51上形成n型AlGaInP半导体层52。在n型AlGaInP半导体层52上隔着第1结层54形成p型AlGaInP半导体层53。第1结层54包含单量子阱(SQW)结构或多量子阱(MQW)结构，在第1结层54的一部分中形成第1发光部55。
同样，AlGaAs类的第2半导体激光元件LD2，在由n型GaAs构成的衬底51上形成n型AlGaAs半导体层56。在n型AlGaAs半导体层56上隔着第2结层58形成p型AlGaAs半导体层57。第2结层58与第1结层54同样地构成，在第2结层58的一部分中形成第2发光部59。
在衬底51的背面上设置n侧共用电极60。在第1半导体激光元件LD1的上面设置第1p侧电极61，在第2半导体激光元件LD2的上面设置第2p侧电极62。
在基座63的双光束半导体激光元件LDC的固定面上利用构图以隔离的方式形成第1电极焊盘64和第2电极焊盘65。将双光束半导体激光元件LDC的第1、第2p侧电极61、62固定在第1、第2电极焊盘64、65上。由此，分别独立地驱动第1、第2半导体激光元件LD1、LD2。
双光束半导体激光元件LDC成为第1、第2结层54、58一侧接近于基座63的所谓“结朝下”结构。由此，使第1半导体激光元件LD1和第2半导体激光元件LD2的散热性变得良好。因而，基座63成为热沉，以谋求双光束半导体激光元件LDC的稳定和高输出。
此外，在基座63上的双光束半导体激光元件LDC的后方设置光二极管等的光检测器66。利用光检测器66的检测来控制双光束半导体激光元件LDC的发光输出。
将固定双光束半导体激光元件LDC的基座63固定在未图示的散热板或引线框上，将键合丝67的一端连接到双光束半导体激光元件LDC的n侧共用电极60上。分别将键合丝68、69的一端连接到第1电极焊盘64和第2电极焊盘65上。将键合丝70的一端连接到光检测器66上。然后，将各键合丝67～70的另一端连接到未图示的引线端子上以制作双光束半导体激光器50。
通过在第1p侧电极61与n侧共用电极60之间流过电流，上述结构的双光束半导体激光器50可独立地驱动第1半导体激光元件LD1。此外，通过在第2p侧电极62与n侧共用电极60之间流过电流，可独立地驱动第2半导体激光元件LD2。而且，利用第1半导体激光元件LD1的驱动，可取出波长650nm的激光。利用第2半导体激光元件LD2的驱动，可取出波长780nm的激光。
一般来说，作为半导体激光器，已知有使用罐式封装体的半导体激光器和使用框式封装体的半导体激光器。对于使用罐式封装体的半导体激光器来说，将引线个别地安装在金属柱上，用管帽密封在金属柱上设置的激光元件。对于使用框式封装体的半导体激光器来说，用树脂对设置半导体激光元件的金属制的框进行嵌入成形。由于后者的使用框式封装体的半导体激光器在价格、批量生产性方面优良，故越来越引人注目。
但是，如果将该使用框式封装体的半导体激光器与迄今为止广泛地使用的罐式封装体的半导体激光器比较，则前者的散热性差。因此，现在大多使用于温度特性良好的红外激光器。为了使用于CD-R或CD-RW用的高输出激光器、DVD用等的红色激光器、双波长激光器或工作电压高的蓝色系列激光器，要求进一步的改良。
在专利文献3中公开了使用能改善这样的问题的框式封装体的半导体激光器。图8、图9分别是示出该半导体激光器的斜视图、正面图。此外，图10是沿图9的X-X’线的剖面图。
在半导体激光器80中，在框82的上面配置并固定基座83。在基座83的上面配置并固定半导体激光元件84。框82由铜、铁或这些金属的合金等的热传导性和导电性良好的金属构成，形成为板状。此外，框82由安装半导体激光元件84的主框86和与主框86独立的布线用的副框87、88构成。利用绝缘性的树脂成形部85使主框86和副框87、88实现一体化，构成框式封装体。
主框86具有元件配置部86a、引线部86b和翼部86c、86d。在元件配置部86a上安装基座83。引线部86b成为电流通路。为了散热和定位，在左右突出地设置翼部86c、86d。此外，在主框86中形成厚的部分86e和薄的部分86f。加厚元件配置部86a的前部和翼部86c、86d的前部形成厚的部分86e。减薄翼部86c、86d的后部和引线部86b的后部形成薄的部分86f。
与引线部86b同样地将副框87、88构成为薄的部分。由此，在利用压力加工冲切形成框82时，可容易地进行引线部86b和副框87、88的微细加工。因而，可将引线部86b和副框87、88的间隔保持得较窄，可谋求半导体激光器80的小型化。
进行嵌入成形，以便夹住框82的表面一侧和背面一侧的面，形成树脂成形部85。树脂成形部85的表面一侧具备射出激光的激光射出窗85a，形成开放了前方的U字状的框部85b。在框部85b的两侧部的前端形成锥形面85c。利用锥形面85c，可顺利地进行将半导体激光器80配置在规定位置上的***。树脂成形部85的背面一侧成为覆盖元件配置部86a的连续平坦面85d，形成与表面一侧的框部85b的外形大致相同的外形形状(六角形状)。
由于不存在树脂成形部85，在利用框部85b包围的内侧配置的主框86的元件配置部86a和副框87、88的表面露出。在该露出的元件配置部86a上隔着基座83配置并固定半导体激光元件84。其后，利用键合丝(未图示)连接半导体激光元件84与主框86之间和基座83与副框87、88之间。
基座83由以Si为母体材料的受光元件构成。由此，可监视半导体激光元件84的后面的射出光。除了Si以外，例如可使用AlN、SiC、Cu等的热传导性优良的陶瓷或金属材料等。此外，使用Pb-Sn、Au-Sn、Sn-Bi等的焊锡材料或Ag膏等将基座83固定在元件配置部86a上。使用Au-Sn、Pb-Sn等的焊锡材料或Ag膏等将半导体激光元件84固定在基座83的规定位置上。
对于使用上述结构的框式封装体的半导体激光器80来说，由于开放半导体激光元件84的表面，故散热特性提高了。此外，结构简单，在批量生产性方面良好。
专利文献1：特开平11-186651号公报(权利要求的范围、段落〔0017〕～〔0023〕、图1)
专利文献2：特开2002-329934号公报(权利要求的范围、图1、图4)
专利文献3：特开2002-43679号公报(段落〔0010〕～〔0022〕、图1、图2、图4)
通常以单模方式使用半导体激光器。在记录重放光盘的光拾取器中使用半导体激光器的情况下，作为来自光盘的返回光的对策，在重放时必须进行多模化。因此，一般利用高频调制模拟多模化。此时，必须取得半导体激光元件与高频调制的匹配。
但是，对于在上述专利文献3中公开的现有的使用框式封装体的的半导体激光器80来说，为了散热效率的提高和键合丝键合的容易程度，将基座83形成得比半导体激光元件84大很多。而且，使基座83或半导体激光元件84与引线部85b或副框86、87的距离离得较远。因此，与使用金属制的罐式封装体的半导体激光器相比，键合丝的长度变长了。
在以高频调制方式驱动半导体激光器的情况下，由于电感分量随键合丝的长度而变化，故必须缩短键合丝的长度。因而，存在上述半导体激光器80不能稳定地以高频调制方式来驱动的问题。
即使在双光束半导体激光器中，在使用框式封装体的情况下，也同样产生所涉及的问题。另外，如上述的图7中所示，双光束半导体激光器50成为在双光束半导体激光元件LDC的后方具有光检测器66的4端子型的结构。因此，键合到n侧共用电极60和第1、第2电极焊盘64、65上的键合丝67～69的长度变得更长，存在电感分量的变化显著地变大的问题。
此外，由于设置光检测器66，故难以实现双光束半导体激光器50的小型化。再者，由于双光束半导体激光元件LDC的后方的空间被光检测器66塞满，故在双光束半导体激光元件LDC的侧方进行至第1、第2电极焊盘64、65的键合丝68、69的连接。因此，基座63的横向宽度变大，双光束半导体激光器50的小型化变得更加困难。
此外，现有的半导体激光元件的长度约为300～400μm左右，而近年的高输出化的半导体激光元件的长度与以前相比长到约3～5倍的约1～1.5mm。因此，由于基座63的尺寸变得更大，故要求能实现小型化的双光束半导体激光器的结构。
本发明者为了解决在使用上述那样的框式封装体形成特别小型化的双光束半导体激光器的情况下产生的问题重复进行了各种各样的研究，直至完成本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供在能谋求小型化的同时能稳定地使之多模化的单模型双光束半导体激光器。
为了达到上述目的，本发明是下述的一种双光束半导体激光器，具备在衬底上一体地设置可独立地驱动的第1、第2半导体激光元件的双光束半导体激光元件和基座，在上述基座中，在前部安装使射出侧朝向前方的上述双光束半导体激光元件，同时具有分别与第1、第2半导体激光元件的电极相接而连接的第1、第2电极焊盘，其特征在于：在上述双光束半导体激光元件的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘，在上述双光束半导体激光元件的后方进行键合丝键合。
此外，在上述结构的双光束半导体激光器中，本发明的特征在于：在上述基座的后端对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合。
此外，在上述结构的双光束半导体激光器中，本发明的特征在于：将从上述双光束半导体激光元件的后端到对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合的位置为止的距离定为小于等于300μm。从双光束半导体激光元件的后端到对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合的位置为止的距离的下限值在理论上最好小。但是，如果太小，则由于键合丝键合作业变得困难，故在考虑键合丝的线径和键合丝键合用夹具的大小等的基础上适当地决定即可。此外，即使该距离超过300μm，也可缩短键合丝，但由于基座的尺寸变大，没有这方面的优点，故将上限值定为300μm。
此外，在上述结构的双光束半导体激光器中，本发明的特征在于：将上述基座的横向宽度定为大于等于400μm至小于等于700μm。如果基座的横向宽度不到400μm，则键合丝键合变得困难，同时在键合丝键合时容易引起基座的2个电极焊盘间的短路。此外，即使基座的横向宽度超过700μm，由于从双光束半导体激光器的小型化这样的观点来看也没有优点，故将上限值定为700μm。
此外，在上述结构的双光束半导体激光器中，本发明的特征在于：在由框和树脂构成的封装体上安装上述基座。
此外，在上述结构的双光束半导体激光器中，本发明的特征在于：作成具有3个端子的3端子型。
按照本发明，由于在双光束半导体激光元件的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘，在双光束半导体激光元件的后方进行键合丝键合，故可减小基座的横向宽度，可实现双光束半导体激光器的小型化。此外，由于键合丝键合的位置处于后方，故与以前相比缩短了键合丝。因此，与以前相比可将键合丝的电感减小约20％。因而，可稳定地利用高频调制模拟地进行多模化。
此外，按照本发明，由于在基座的后端对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合，故在后方不配置光检测器，进一步缩短键合丝，可更稳定地利用高频调制模拟地进行多模化。
此外，按照本发明，由于将从双光束半导体激光元件的后端到对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合的位置为止的距离定为小于等于300μm，故缩短了基座。因而，接近于基座63的后端配置双光束半导体激光元件，缩短了与双光束半导体激光元件连接的键合丝的长度。因而，可更稳定地利用高频调制模拟地进行多模化。
此外，按照本发明，由于将基座的横向宽度定为大于等于400μm至小于等于700μm，故可实现双光束半导体激光器的小型化，同时可容易地进行键合丝键合。
此外，按照本发明，由于在由框和树脂构成的封装体上安装基座，故可得到小型且廉价的、而且在批量生产性方面优良的双光束半导体激光器。
此外，按照本发明，由于作成具有3个端子的3端子型，故与以前的4端子型的双光束半导体激光器相比，可得到因减少端子数的部分而小型化了的双光束半导体激光器。
附图说明
图1是示出与本发明的实施形态有关的双光束半导体激光器的双光束半导体激光元件的斜视图。
图2是示出与本发明的实施形态有关的双光束半导体激光器的双光束半导体激光元件的平面图。
图3是示出与本发明的实施形态有关的双光束半导体激光器的斜视图。
图4是示出与本发明的实施形态有关的双光束半导体激光器的平面图。
图5是沿图4的X-X’线的剖面图。
图6是示出现有的双光束半导体激光元件的正面图。
图7是示出现有的双光束半导体激光元件的斜视图。
图8是示出现有的半导体激光器的斜视图。
图9是图8的半导体激光器的平面图。
图10是沿图9的X-X’线的剖面图。
符号说明
10、50  双光束半导体激光器
12、14、16、67、68、69  键合丝
22、82  框
23、85  树脂成形部
24、86  主框
24a、86a  元件配置部
25、26、87、88  副框
27、85a  激光射出窗
28、85b  框部
29、29’  前端部
55  第1发光部
59  第2发光部
60  n侧共用电极
61  第1p侧电极
62  第2p侧电极
63  基座
64  第1电极焊盘
65  第2电极焊盘
66  光检测器
80  半导体激光器
LDC  双光束半导体激光元件
LD1  第1半导体激光元件
LD2  第2半导体激光元件
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施形态。以下示出的实施形态例示用于使本发明的技术思想具体化的双光束半导体激光器。因而，本发明的意图并不是特别限定于该实施形态的双光束半导体激光器，而是可同等地适用于权利要求的范围内记载的技术范围内包含的内容。
图1和图2是示出一实施形态的双光束半导体激光器的主要部分的斜视图和平面图。为了说明的方便起见，对与上述的图6、图7中示出的现有例为同一的部分附以同一符号，省略详细的说明。双光束半导体激光元件LDC具有接近于基座63固定了成为第1、第2发光部55、59的结部的“结朝下”结构。
从图1的正面看，在左侧配置射出记录/重放型DVD用的650nm的波长的激光的第1半导体激光元件LD1。此外，在右侧配置射出CD/CD-R用的780nm的波长的激光的第2半导体激光元件LD2。在第1、第2半导体激光元件LD1、LD2的中间设置分离这2个半导体激光元件的槽。
利用AlN、SiC、Cu、Si等的热传导性优良的陶瓷或金属材料等形成基座63。在基座63的表面上设置对Ti-Pt-Au进行构图形成的第1、第2电极焊盘64、65。利用Au-Sn等的焊锡将在第1半导体激光元件LD1的第1发光部(波导)55的正下方设置的第1p侧电极61(参照图6)固定在第1电极焊盘64上。
同样，利用Au-Sn等的焊锡将在第2半导体激光元件LD2的第2发光部(波导)59的正下方设置的第2p侧电极62(参照图6)固定在第2电极焊盘65上。由此，在第1、第2半导体激光元件LD1、LD2中发生的热经第1、第2电极焊盘64、65高效地传到基座63上而散热。
双光束半导体激光元件LDC和基座63都成为沿激光的发射方向延伸的长的扁平的长方体形状。基座63的横向宽度W与双光束半导体激光元件LDC的横向宽度大致相同或稍微大一些。
此外，基座63在与双光束半导体激光元件LDC的激光的主射出侧相反的一侧延长。由此，双光束半导体激光元件LDC使射出侧朝向前方，配置在基座63的前部，基座63的后部成为键合丝键合的区域。
此外，在本实施形态的基座63中未设置现有例那样的监视用的光检测器66(参照图7)。在高输出的半导体激光元件中，为了增加激光的输出，提高与激光的射出方向相反一侧的面的反射率。因此，射出到后方的激光少，没有必要特别与基座63一体地装入光检测器66。因而，可省去光检测器66。
在基座63的后端，将用于与引线端子(25、26：参照图3)电连接的键合丝14、16的一端键合到第1、第2电极焊盘64、65上。此外，将用于与引线端子(24b：参照图3)电连接的键合丝12的一端键合到在双光束半导体激光元件LDC的背面上形成的n侧共用电极60上。
这样来固定键合丝14、16，使其离双光束半导体激光元件LDC的后侧的端部的距离L小于等于300μm。距离L越短，就越能缩短基座63的长度。由此，接近于基座63的后端配置双光束半导体激光元件LDC，可缩短键合丝12的长度。考虑键合丝14、16的线径和自动键合机等的键合丝键合用夹具的大小适当地选择距离L即可。
此外，考虑第1、第2电极焊盘64、65的宽度或第1、第2电极焊盘64、65间的距离来决定基座63的宽度。考虑键合丝14、16的线径和自动键合机等的键合丝键合用夹具的大小适当地决定第1、第2电极焊盘64、65的宽度。关于第1、第2电极焊盘64、65间的距离，选择为了进行电分离所必要的距离。由此，在本实施形态中，可将基座63的横向宽度W减小到约400μm。基座63的横向宽度W的上限值并不特别具有临界的意义，为了实现小型化，最好至多定为约700μm。
其次，图3、图4是本实施形态的双光束半导体激光器的斜视图和正面图。此外，图5是沿图4的X-X’线的剖面图。在双光束半导体激光器10中，将双光束半导体激光元件LDC和基座63安装在由3端子型的框和树脂构成的框式封装体中。
在双光束半导体激光器10中，在框22的上面配置并固定基座63。在基座63的上面配置并固定双光束半导体激光元件LDC。
框22由铜、铁或这些金属的合金等的热传导性和导电性良好的金属构成，形成为薄的板状。此外，框22由安装双光束半导体激光元件LDC的主框24和与主框24独立的布线用的副框25、26构成。利用绝缘性的树脂成形部23使主框24和副框25、26实现一体化，构成框式封装体。
主框24具有元件配置部24a、引线部24b和翼部24c、24d。在元件配置部24a上安装基座63。引线部24b成为电流通路。为了散热和定位，在左右突出地设置翼部24c、24d。
由于将引线部24b和副框25、26构成为薄的部分，故在利用压力加工冲切形成框22时，可容易地进行微细加工。因而，可将引线部24b和副框25、26的间隔保持得较窄，可谋求双光束半导体激光器10的小型化。
进行嵌入成形，以便夹住框22的表面一侧和背面一侧的面，形成树脂成形部23。树脂成形部23的表面一侧具备射出激光的激光射出窗27，形成开放了前方的U字状的框部28。框部28的前部的宽度比后部的宽度窄，在前部的两侧部配置的前端部29、29’对于双光束半导体激光元件LDC的光轴方向平行地延伸。利用对于后部变窄的前端部29、29’，可顺利地进行将双光束半导体激光器10配置在规定位置上的***。
将树脂成形部23的背面一侧设置成与基座63对置的框24的背面露出而覆盖其周围。由此，可提高散热效率。
由于不存在树脂成形部23，在利用框部28包围的主框24的元件配置部24a和副框25、26的表面露出。在该露出的元件配置部24a上隔着基座63配置并固定双光束半导体激光元件LDC。其后，利用键合丝12连接双光束半导体激光元件LDC与引线部24b之间。此外，利用键合丝14、16连接基座63与副框25、26之间。此外，使用Pb-Sn、Au-Sn、Sn-Bi等的焊锡材料或Ag膏等将基座63固定在框24上。
按照上述结构的双光束半导体激光器10，在双光束半导体激光元件LDC的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘64、65，在双光束半导体激光元件LDC的后方进行键合丝键合。因此，与上述的图7中示出的现有例相比，大幅度地减小基座63的横向宽度W，可实现双光束半导体激光器10的小型化。
此外，由于键合丝键合的位置处于后方，故与以前相比缩短了第1、第2电极焊盘64、65与副框25、26之间的键合丝14、16。因此，与以前相比可减小键合丝14、16的电感，因而，可稳定地利用高频调制模拟地进行多模化。再者，在基座63上不配置光检测器，在基座63的后端设置第1、第2电极焊盘64、65的键合丝键合的位置。由此，可进一步缩短键合丝14、16。
另外，在双光束半导体激光元件LDC的后侧端部的附近设置键合丝键合的位置。由此，接近于基座63的后端配置双光束半导体激光元件LDC，可缩短双光束半导体激光元件LDC与框24之间的键合丝12的长度。因而，可更稳定地利用高频调制模拟地进行多模化。
利用本实施形态制造的双光束半导体激光器10作为3端子型的高输出双波长半导体激光器来使用。该双光束半导体激光器10的尺寸是，封装体的前端宽度(图3、图4中的框28的前端部29、29’一侧的宽度)：2.7mm、末端宽度：3.8mm、长度：3.5mm。
与此不同，关于现有的高输出2波长半导体激光器的尺寸，即使忽略光检测器装入3端子型的封装体中，如果考虑基座的宽度和在组装中必要的空间，其尺寸也很大。因此，封装体的前端宽度：3.8mm、末端宽度：3.8mm、长度：3.5mm是极限尺寸。
因而，根据本实施形态，可略去基座63的侧部的键合丝键合区域，与以前相比，可将前端宽度减小约30％，即使是面积比，也可减小约30％，可实现非常小的封装体。此外，利用键合丝12、14、16的缩短，与以前相比，可确认约降低了20％的电感。
产业上利用的可能性
本发明的双光束半导体激光器可利用于射出多个波长的激光以进行DVD、记录型DVD、CD、CD-R或CD-RW等的记录或重放的光拾取器等。

Claims (6)

1.一种双光束半导体激光器，具备在衬底上一体地设置可独立地驱动的第1、第2半导体激光元件的双光束半导体激光元件和基座，在上述基座中，在前部安装使射出侧朝向前方的上述双光束半导体激光元件，同时具有分别与第1、第2半导体激光元件的电极相接而连接的第1、第2电极焊盘，其特征在于：
在上述双光束半导体激光元件的后方延伸地形成第1、第2电极焊盘，在上述双光束半导体激光元件的后方进行键合丝键合。
2.如权利要求1中所述的双光束半导体激光器，其特征在于：
在上述基座的后端对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合。
3.如权利要求1或权利要求2中所述的双光束半导体激光器，其特征在于：
将从上述双光束半导体激光元件的后端到对第1、第2电极焊盘进行键合丝键合的位置为止的距离定为小于等于300μm。
4.如权利要求1～权利要求3的任一项中所述的双光束半导体激光器，其特征在于：
将上述基座的横向宽度定为大于等于400μm小于等于700μm。
5.如权利要求1～权利要求4的任一项中所述的双光束半导体激光器，其特征在于：
在由框和树脂构成的封装体上安装上述基座。
6.如权利要求5中所述的双光束半导体激光器，其特征在于：
作成具有3个端子的3端子型。
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