CN1865375A - 切割用粘合片及使用该粘合片的切割方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割用粘合片及使用该粘合片的切割方法，本发明的切割用粘合片是在基材的至少一面上具有粘合剂层的切割用粘合片，其特征在于，所述基材是具有含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层的多层结构，所述层的厚度为基材总厚度的1/2或1/2以上。

Description

切割用粘合片及使用该粘合片的切割方法
技术领域
本发明涉及切割用粘合片。进一步涉及使用该切割用粘合片进行切割的方法、通过该切割方法得到的被切割物小片。
背景技术
以往，以硅、镓、砷等作为材料的半导体晶片是以大直径状态制造后，被切断分离(切割)为单元小片，再被安装后封装。在该封装中，通常是一次封装多个芯片，再对该半导体封装体进行切割、拾取，做成各个半导体芯片。半导体封装体在贴附于粘合片上而被固定的状态下，实施切割工序、洗净工序、膨胀工序、拾取工序等各工序。作为粘合片，通常使用由塑料膜构成的基材上涂布1～200μm左右的丙烯酸系粘合剂而制成的粘合片。
半导体封装体的切割工序通常使用边旋转边移动的圆型刀片进行。此时，圆型刀片切入到保持着半导体封装体的切割用粘合片的基材内部。此时，若该切入进行到粘合片的基材内部，则作为基材的塑料膜本身就会产生纤维状的切割碎屑。如果该纤维状切屑附着在封装体(被切割物)侧面等，则连带所附着的纤维状切屑也在后工序中被封装。其结果，纤维状切屑成为使电子电路的品质显著降低的原因，成为问题。
纤维状切屑产生的机理如下。即如同在日本专利特开2001-72947号公报中记载的那样，由于切割刀片切断被切割物时摩擦生热，使得该切割刀片切入到基材薄膜时，使构成基材薄膜的树脂熔融。熔融的树脂通过切割刀片的旋转被卷起后，被切割冷却水冷却固化变成纤维状切屑。在以往进行的硅片的切割中，例如在日本专利特开平11-43656号公报与日本专利特开2003-7654号公报等中记载的那样，以聚丙烯为主要构成成分的基材薄膜对抑制纤维状切屑的产生是有效的。其原因被推测为聚丙烯的熔点高、很少由于发热的切割刀片而熔融的缘故。
另外，作为解决这样的纤维状切屑问题的方法，除了上述现有技术以外，还可以列举例如下述日本专利特开平5-156214号公报与日本专利特开平5-211234号公报等中公开的方法。
但是，在日本专利特开平11-43656号公报、日本专利特开平5-156214号公报、和日本专利特开平5-211234号公报中公开的现有技术中，即使可以解决切割硅片时产生纤维状切屑的问题，但是对半导体封装体的切割还不能消除产生纤维状切屑的问题。
即，在日本专利特开平11-43656号公报中，提出了使用无拉伸聚丙烯膜作为粘合片的基材薄膜。该方法可以抑制硅片切割中纤维状切屑的产生，但本申请发明者们研究的结果发现对半导体封装体的切割，该方案的抑制效果不佳。而且没有膨胀性等，在作业性上也存在问题。
在日本专利特开平5-156214号公报中，提出了使用乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物作为基材的粘合片。但是，该粘合片在硅切割中多少能抑制纤维状切屑的产生，但尚不能满足在半导体晶片的制造中所要求的水平。另外，在半导体封装体切割中，完全可以说其效果几乎为零。
在日本专利特开平5-211234号公报中，提出了作为基材薄膜使用以1～80Mrad的电子射线或γ射线等的放射线进行了照射的交联膜的粘合片。该粘合片当其基材薄膜的厚度在80～100μm左右时，可以认为在硅片的切割中具有一定程度抑制纤维状切屑的产生的效果。但是，基材薄膜的厚度在120μm或其以上，特别是在150～300μm时，若切割半导体封装体就会产生纤维状切屑。这是起因于尽管基材薄膜的最外表面在一定程度上被交联，但在基材薄膜内部没有被放射线充分地交联。
发明内容
本发明是为了解决上述背景技术中存在的问题而进行的，其目的在于提供一种不存在产品品位的下降和成本上的不利面、而且切割时纤维状切屑少的切割用粘合片。本发明的目的还在于提供一种使用该切割用粘合片的切割方法。
本发明人对构成能够解决上述课题的切割用粘合片的基材薄膜进行了深入研究。其结果发现通过采用具有含有乙烯系树脂且熔点为95℃或其以下的层的多层结构的基材薄膜，可以减少切割时的纤维状切屑的产生，从而完成了本发明。
即，为了解决上述课题，本发明的切割用粘合片是在基材的至少一面上具有粘合剂层的切割用粘合片，其特征在于，所述基材是是具有含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层的多层结构，所述层的厚度为基材总厚度的1/2或1/2以上。
在使用具有以熔点高的树脂(例如聚丙烯等)等作为主要成分的基材的切割用粘合片时，例如切割半导体封装体时，也存在切割刀片与被切割物之间产生的摩擦热比其熔点高的情况。由于半导体封装体与硅片等相比厚度大，且使用的切割刀片厚度也大，所以，切割刀片与半导体封装体之间的摩擦也变大。
而本发明的切割用粘合片，作为基材使用具有含有熔点95℃或其以下的乙烯系树脂的层的多层结构的基材，可使该基材在熔融时的熔融粘度充分地降低。从而，即使上述层通过切割刀片的旋转而被卷起，也不会因熔融张力而引起拉伸成丝状的状态，可以如液体般飞散，显著地抑制纤维状切屑的产生。
另外，为了解决上述课题，本发明的切割用粘合片是在基材的至少一面上具有粘合剂层的切割用粘合片，其特征在于，所述基材是具有含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层的多层结构，而且所述基材在其与上述粘合剂层相接触的一侧设有具有交联结构的层。
即使上述基材具备含有熔点95℃或其以下的乙烯系树脂的层的情况下，通过切割刀片的旋转而被卷起时，该层在熔融时的熔融粘度没有充分下降，由于熔融张力而拉伸成丝状从而产生所谓的须状物。这是由于切割刀刃切断完被切割物时，因不再存在被切割物而使切割刀片的温度下降所引起的。这样的须状物并不与被切割物直接相连，但在切割中被切碎时，有时会被切削水冲洗等而被附着到被切割物上。但是，如上述构成那样使被切割刀刃完全切断的部分位于具有交联结构的层，就可以抑制上述那样的须状物的产生。另外，即使切割刀刃切入的深度大的时候，由于在具有交联结构的层的下方设有含有熔点95℃或其以下的乙烯系树脂的层，因此，还可以抑制纤维状切屑的产生。
在上述各构成中，上述乙烯系树脂在190℃的熔体流动速率优选为1.5g/10min或其以上。
若上述乙烯系树脂在190℃的熔体流动速率在1.5g/10min或其以上，就可以增大熔融时的流动性。其结果可以进一步降低熔融张力，从而进一步抑制构成上述层的树脂拉伸成丝状。
在上述的各构成中，上述基材的总厚度优选为100μm或其以上。
上述构成是为了使粘合片具有足够的厚度而使基材的层厚在100μm或其以上的。由此，在切割半导体封装体时，可以将切割刀片充分地切入到粘合片中。其结果能够提供可提高对半导体封装体的切断品位的粘合片。
在上述各构成中，上述粘合剂层优选包含放射线固化型粘合剂而构成。
若使用由放射线固化型粘合剂形成的粘合剂层，则可通过照射放射线而使粘合力降低，且可以在切断分离半导体封装体等之后，容易地进行半导体封装体等的剥离。
另外，为了解决上述课题，本发明的切割方法是通过将贴合了切割用粘合片的被切割物切入到该切割用粘合片的基材而进行切割的方法，其特征在于，所使用的上述切割用粘合片在其基材的至少一面上具有粘合剂层，上述基材具有含有熔点95℃或其以下的乙烯系树脂的层的多层结构，上述层的厚度为基材总厚度的1/2或其以上。
根据上述方法，即使基材中的粘合剂层一侧的层由于切割时切割刀片的摩擦热而熔融，构成该层的树脂通过切割刀片的旋转而被卷起，由于构成该层的树脂的熔点在95℃或其以下、且熔融粘度充分小，所以减少了由熔融张力导致的树脂被拉伸成丝状的现象。即，如液体般地飞散，从而可以显著地抑制纤维状切屑的产生。其结果抑制了例如以纤维状切屑附着在被切割物上的状态被封装而导致的被切割物品质的显著下降，从而可以实现成品率的提高。
另外，为了解决上述课题，本发明的切割方法是通过将贴合了切割用粘合片的被切割物切入到该切割用粘合片的基材而进行切割的方法，其特征在于，所使用的上述切割用粘合片在其基材的至少一面上具有粘合剂层，所述基材是具有含有熔点95℃或其以下的乙烯系树脂的层的多层结构，并且所述基材在其与上述粘合剂层相接触的一侧设有具有交联结构的层。
根据上述方法，由于使用在基材与粘合剂层相接触的一侧设有具有交联结构的层的粘合片作为切割用粘合片，因此，即使当切割刀刃切断完被切割物时，由于不再存在被切割物而使切割刀刃的温度下降的情况下，也可以抑制所谓的须状物的产生。此外，即使在切割刀刃的切入深度大的情况下，由于在具有交联结构的层的下方设有含有熔点95℃或其以下的乙烯系树脂的层，所以，还可以抑制纤维状切屑的产生。其结果可以抑制由于切割中被切碎的须状物和纤维状切屑附着到被切割物的状态下直接被封装所导致的被切割物品质的显著下降，实现成品率的提高。
在上述各方法中，还可包括在进行上述切割后，从切割用粘合片拾取切割后的被切割物小片的工序。
由此，可以以同一个粘合片进行从切割工序到拾取工序，从而实现生产效率的提高。
另外，在上述各方法中，上述切割中使用的切割刀片优选使用以金属作为结合材料的金刚石刀片。
根据上述的方法，作为结合材料使用金属，就可以增大在切割时的切割发热。由此，构成熔点为95℃或其以下的层的树脂的熔融粘度下降，可以进一步抑制纤维状切屑的生成。
另外，在上述被切割物为半导体封装体时，本发明的切割方法最为有效。
根据上述方法，由于减少了纤维状切屑的产生，所以不恶化半导体装置的品质，实现成品率的提高。
另外，为了解决上述课题，本发明的被切割物小片是通过在上述记载的切割方法中，切割上述被切割物而获得的。
利用上述记载的切割方法制造的被切割物小片，不会附着纤维状切屑，且具有优异的品质。
本发明利用上述说明的方法，取得以下所述的效果。
即，根据本发明，通过在粘合剂层一侧设置含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层，可以减少切割时发生的基材纤维状切屑的产生，可以提高成品率。
附图说明
图1是示意地表示本发明的切割用粘合片的截面模式图，该图的(a)表示基材薄膜由内层和外层组成的情况，该图的(b)表示基材薄膜具有防止移动层的情况。
图2是示意地表示本发明的一个实施方式的切割用粘合片的截面模式图。
图3是用于说明本发明的一个实施方式的切割刀片的模式图，该图的(a)表示切割刀片，该图的(b)表示切割刀片的主要部分。
具体实施方式
切割用粘合片
以下参照附图对本发明实施方式的切割用粘合片进行说明。其中，说明中省略了不需要的部分，另外，为了容易地说明，有些部分放大或缩小等而图示。图1之(a)是示意地表示本实施方式的切割用粘合片(以下称为粘合片)的截面模式图。
如图1之(a)所示，粘合片10的结构是粘合剂层12和隔离层13依次层压在基材薄膜11的一面上。
上述基材薄膜(基材)11作为粘合剂层12等的支撑母体，是至少由内层11a和外层11b构成的多层膜。内层11a与粘合剂层12相面对地设置。
上述内层11a是包含熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层。其中，该乙烯系树脂的熔点优选为40℃或其以上，更优选为70℃或其以上。这是由于如果熔点过低，有时存在内层11a的制膜或在室温下的保管变得困难的情况。作为乙烯系树脂没有特别的限定，例如，可以列举乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、离聚物树脂、聚氨酯树脂、聚丁二烯树脂、乙烯与α-烯烃的共聚物等。另外，所谓的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物是指乙烯-丙烯酸共聚物和/或乙烯-甲基丙烯酸共聚物，本发明中所述的“(甲基)”都是同样的意思。
包含在内层11a中的其它构成材料没有特别的限定，例如，可以列举低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、SEBS、SEPS等。
上述外层11b没有特别的限定，例如可以举例低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氯乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-α烯烃共聚物等。
上述乙烯系树脂的含有率优选为40wt％或其以上、更优选50wt％或其以上、特别优选60wt％或其以上。通过将乙烯系树脂的含有率控制在上述范围内，可充分降低内层11a在熔融时的熔融粘度。其结果即使内层11a通过切割刀片的旋转而被卷起，也防止由于熔融张力而被拉伸成丝状的现象。
上述乙烯系树脂优选在190℃的熔体流动速率为1.5g/10min或其以上，更优选2g/10min或其以上。通过使熔体流动速率在1.5g/10min或其以上，可以提高内层11a在熔融时的流动性。其中，若考虑膜的制膜性，熔体流动速率的上限值最好在12g/10min或其以下。
上述基材薄膜11的厚度通常优选在100～500μm的范围内。但是，为了使切割时切割刀片充分地切入到粘合片10中，需赋予粘合片10充分的厚度，因此，上述基材薄膜11的厚度更优选在120μm或其以上。这是为了防止在被切割物中出现切割不充分的部分，将切断品质维持在高水平。
在这里，内层11a的厚度优选为基材薄膜11的总厚度的1/2或其以上。考虑到基材薄膜11的厚度，内层11a的厚度更详细地是在50μm或其以上且小于250μm的范围内。另外，基材薄膜11中的内层11a，必须设置在进行半导体封装体的切割时切割刀片到达的位置。因此，从这样的观点出发，内层11a优选与粘合剂层12相接触并且其厚度在80μm或其以上。
基材薄膜11可以使用无拉伸的膜，也可以根据需要使用施加了单轴或双轴拉伸处理的膜。另外，在其表面，根据需要可以实施消光处理、电晕放电处理、底漆处理、交联处理(化学交联(硅烷键))等常用的物理或化学处理。
作为构成粘合剂层12的粘合剂，可以使用通常被使用的压敏性粘合剂。具体而言，例如可以列举丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、硅类粘合剂、聚乙烯醚等的各种粘合剂。其中，从对作为被切割物的半导体晶片或半导体封装体的粘合性、剥离后用超纯水或醇等有机溶剂清洗半导体晶片等时的洗净性等出发，优选以(甲基)丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸类粘合剂。
作为上述(甲基)丙烯酸类聚合物，例如，可以列举使用下述化合物中的1种或2种或2种以上作为单体制得的(甲基)丙烯酸类聚合物等：(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、异壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等的碳原子数1～30的烷基，特别是碳原子数4～18的直链状或支链状的烷基酯等)、(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)、(甲基)丙烯酸羟烷基酯(例如羟乙基酯、羟丁基酯、羟己基酯等)、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酸酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、醋酸乙烯酯、苯乙烯。
上述(甲基)丙烯酸类聚合物以凝聚力、粘合性等的改性为目的，还可以根据需要含有对应于可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚合的其它单体成分的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基(甲基)丙烯酸酯、羧戊基(甲基)丙烯酸酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等的含羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等的酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙基酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙基酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁基酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己基酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛基酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸基酯、(甲基)丙烯酸-12-羟十二烷基酯、(4-羟甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含有羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰基萘磺酸等含磺酸基的单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基的单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可共聚的单体成分，可以使用1种或2种或2种以上。这些可共聚的单体的用量优选是全部单体成分的30重量％或其以下，更优选15重量％或其以下。
另外，上述(甲基)丙烯酸类聚合物，为了使其交联，还可以根据需要包含多官能性单体等作为共聚用单体成分。通过使基础聚合物交联，提高粘合剂层的自我保持性，从而，可以防止粘合片发生大的变形，易于维持粘合片10的平板状态。
作为多官能性单体，例如，可以列举己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种或2种以上。从粘合特性等出发，多官能性单体的用量优选是全部单体成分的30重量％或其以下。
上述(甲基)丙烯酸类聚合物可以通过对单一单体或对2种或2种以上单体的混合物进行聚合而制得。聚合可以采用溶液聚合、乳液聚合、成块聚合、悬浮聚合、光聚合等的任意方式进行。特别是在照射紫外线、电子射线等的放射线进行聚合时，优选在氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物中混合单体成分和光聚合引发剂，通过铸塑由此得到的液状组合物并使之光聚合，而合成(甲基)丙烯酸类聚合物。
上述氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物是数均分子量为500～10万左右、优选为1000～3万的低聚物，并且是以酯·二醇为主要骨架的2官能化合物。另外，作为单体成分，可以列举吗啉(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯、二环戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基化环癸三烯(甲基)丙烯酸酯等。氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物与单体成分的混合比，优选是低聚物∶单体成分＝95～5∶5～95(重量％)，更优选为50～70∶50～30(重量％)。若氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物的含量过多，液状组合物的粘度就变高，存在聚合变得困难的倾向。
从防止被切割物等的污染等出发，粘合剂层12优选低分子量物质的含量小。由此出发，(甲基)丙烯酸类聚合物的数均分子量优选是20万～300万左右，更优选是25万～150万左右。
另外，为了提高作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸类聚合物等的数均分子量，可以在上述粘合剂中适当地采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以列举添加聚异氰酸酯化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、环氧树脂、聚胺、含有羧基的聚合物等的所谓交联剂而进行反应的方法。使用外部交联剂时，其用量按照与需要交联的基础聚合物之间的平衡、进一步按照作为粘合剂的使用用途来适当决定。通常，相对于100重量份上述基础聚合物，优选混合1～5重量份左右的外部交联剂。除上述成分以外，在粘合剂中还可以根据需要使用现有公知的各种增粘剂、抗老化剂等的添加剂。
另外，作为上述粘合剂，可以使用放射线固化型粘合剂。放射线固化型粘合剂可不受特别限制地使用具有碳-碳双键等放射线固化性的官能基并显示粘合性的物质。作为放射线固化型粘合剂，希望是由紫外线照射而使粘合力下降的紫外线固化型粘合剂。根据这样的粘合剂层12，在背面研磨(研磨)工序后或在切割工序后，可通过紫外线照射容易地进行粘合片10的剥离。
紫外线固化型粘合剂，例如可以由上述(甲基)丙烯酸酯的单独聚合或与共聚性的共聚用单体的共聚物(丙烯酸类聚合物)、紫外线固化成分(也可以在上述丙烯酸聚合物的侧链上加成碳-碳双键制成的物质)、光聚合引发剂、以及根据需要添加的交联剂、增粘剂、填充剂、抗老化剂、着色剂等常用的添加剂构成。
上述紫外线固化性成分，可以是在分子中具有碳-碳双键并可通过自由基聚合固化的单体、低聚物或聚合物。具体而言，例如，可以列举氨基甲酸乙酯低聚物、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸与多元醇的酯；酯丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰酸酯、2-羟乙基双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰酸酯等的异氰酸酯或异氰酸酯化合物等。另外，作为丙烯酸类聚合物使用在聚合物侧链上具有碳-碳双键的紫外线固化型聚合物时，不需要特别加入上述紫外线固化成分。相对于构成粘合剂的(甲基)丙烯酸类聚合物等的基础聚合物100重量份，紫外线固化性单体成分和低聚物成分的混合量例如为20～200重量份，优选为50～150重量份左右。
另外，作为放射线固化性的粘合剂，除了上述说明的添加型的放射线固化型粘合剂以外，还可以列举作为基础聚合物使用聚合物侧链上或主链中或主链末端具有碳-碳双键的基础聚合物的内在型放射线固化型粘合剂。内在型放射线固化型粘合剂由于不需要含有低分子成分的低聚物成分等、或含有得不多，因此，不存在低聚物成分等随时间在粘合剂中移动的现象。由此，可以形成稳定的层结构的粘合剂层12。
上述具有碳-碳双键的基础聚合物，可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键并具有粘合性的基础聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以(甲基)丙烯酸类聚合物作为基本骨架的基础聚合物。作为(甲基)丙烯酸类聚合物的基本骨架，可以列举上述例示的(甲基)丙烯酸类聚合物。
若在上述(甲基)丙烯酸类聚合物中的聚合物侧链上导入碳-碳双键，分子设计就变得较容易。碳-碳双键的导入方法没有特别限制，可以采用各种方法。例如，可以列举预先使(甲基)丙烯酸类聚合物和具有官能基的单体共聚后，再与具有可与该官能基发生反应的官能基和碳-碳双键的化合物以维持碳-碳双键的放射线固化性的状态进行缩合或加成反应的方法。
作为这些官能基的组合例，可以列举羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。在这些官能基的组合中，从反应追踪的容易程度出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合。另外，如果是通过这些官能基的组合生成上述具有碳-碳双键的(甲基)丙烯酸类聚合物那样的组合，官能基可以在(甲基)丙烯酸类聚合物和上述化合物中的任意一侧，但在上述优选的组合中，优选(甲基)丙烯酸类聚合物具有羟基，上述化合物具有异氰酸酯基。此时，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如，可以列举甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为(甲基)丙烯酸类聚合物，可以列举将上述例示的含有羟基的单体或2-羟乙基乙烯醚、4-羟丁基乙烯醚或二乙二醇单***等的醚类化合物共聚制得的物质。
作为上述内在型的放射线固化型粘合剂，可以单独使用上述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是(甲基)丙烯酸类聚合物)。此外，还可以以不使特性恶化的程度混合上述放射线固化性的单体成分或低聚物成分。相对于100重量份基础聚合物，放射线固化性低聚物成分等的混合量通常在30重量份或其以下，优选在10重量份或其以下。
作为上述聚合引发剂，可以是通过照射可作为聚合反应的诱因的适当波长的紫外线而***生成自由基的物质。具体而言，例如，可以列举安息香甲醚、安息香异丙醚、安息香异丁醚等的安息香烷基醚类；苯偶酰、安息香、二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮等的芳香族酮类；苄基二甲基缩酮等的芳香族缩酮类；聚乙烯基二苯甲酮；氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等的噻吨酮类等。相对于构成粘合剂的(甲基)丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，聚合引发剂的混合量是0.1～20重量份左右，优选是1～10重量份。
另一方面，作为上述加热剥离型粘合剂，可以列举在上述一般的压敏性粘合剂中混合了热膨胀性微粒的热发泡型粘合剂。在达到物品的粘合目的之后，通过加热含有热膨胀性微粒的压敏粘合剂而使粘合剂层12发泡或膨胀以使粘合剂层12表面变得凹凸，减少与被粘合体之间的粘合面积，从而降低粘合力，使得能够容易地将物品分离，可以在电子物品或其材料等的加工时用于固定、搬运等的物流等多种多样的目的中。
对热膨胀性微粒没有特别的限定，可以选择使用各种无机类或有机类的热膨胀性微球、并制成剥离开始温度低的物质和剥离开始温度高的物质这种具有不同剥离开始温度的组合。这2种热膨胀性微球的剥离开始温度差根据热膨胀性微球的感温特性等的处理精度适当决定，但一般为20～70℃，优选为30～50℃的温度差。
热发泡型粘合剂是通过由热引起的热膨胀性微粒的发泡而使粘合面积减少从而使剥离变得容易的粘合剂，热膨胀性微粒的平均粒径优选是1～25μm左右、更优选是5～15μm、特别优选是10μm左右的微粒。
作为热膨胀性微粒，可以没有特别限制地使用在加热下膨胀的原材料，但从混合操作容易等方面出发，可以优选使用将热膨胀性物质微胶囊化而成的膨胀性微粒。例如，可以是将异丁烷、丙烷、戊烷等容易经加热而气化膨胀的物质内包在具有弹性的外壳内制成的微球。上述外壳通常由热塑性物质、热熔融性物质、通过热膨胀而破裂的物质等形成。作为形成上述外壳的物质，例如，可以列举偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚砜等。热膨胀性微胶囊还具有与上述粘合剂的分散混合性方面优异等的优点。作为热膨胀性微胶囊的市售品，例如可以列举マイクロスフエア一(商品名；松本油脂公司生产)等。另外，还可以根据需要添加热膨胀助剂。
热膨胀性微粒(热膨胀性微胶囊)对上述粘合剂的混合量，可以根据上述粘合剂层12的种类适当决定能够降低其粘合力的量。通常，优选的混合量是可以使含有热膨胀性微粒的粘合剂层12的厚度维持在刚加热膨胀之后的厚度的60％或其以上、优选为70％或其以上、更优选为80％或其以上的量。另外，相对于100重量份基础聚合物，该混合量为1～100重量份左右，优选5～40重量份，更优选10～20重量份。
从兼顾粘合固定性与剥离性的观点出发，粘合剂层12的厚度优选为1～100μm，更优选为5～50μm左右。另外，粘合剂层12的粘合力只要在最终能够容易地从支撑晶片剥离的范围内，就没有特别限定。例如，对半导体晶片的180度剥离粘合力的值优选在1～30N/10mm的范围内，更优选在5～20N/10mm的范围内。
为了用于标签加工或使粘合剂层12的表面平滑的目的，根据需要设置隔离层13。作为隔离层13的构成材料，可以列举纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的合成树脂膜等。为了提高从粘合剂层12的剥离性，隔离层13的表面还可以根据需要施加硅处理、长链烷烃处理、氟处理等的剥离处理。另外，根据需要，为了使粘合片10不会因环境紫外线而发生反应，还可以施加防紫外线处理。隔离层13的厚度通常为10～200μm，优选为25～100μm。
另外，在粘合剂层12由紫外线等的放射线固化型粘合剂构成时，为了在切割前或切割后对粘合剂层12照射放射线，基材薄膜11需要具备充分的放射线透过性。
与通常的基材等相比较，内层11a是软质的层。因此，制造粘合片10之后，一旦将该粘合片10卷取成为滚筒状时，有时会引起粘连(基材薄膜11的背面(外层11b)与粘合剂层12的熔接)。因此，出于防止粘连的目的，还可在外层11b的外侧设置几～几十μm的抑制粘连发生的层。作为该抑制粘连发生的层没有特别的限定，例如，可以例示施加了压纹处理的层等。另外，出于与上述同样的目的或提高膨胀性能的目的，还可以在基材薄膜11的设有粘合剂层12一侧的相反侧设置其它层。
接着，对本发明的其它实施方式的粘合片进行说明。图1之(b)是示意地表示上述粘合片的截面模式图。图1之(b)中的粘合片10’与粘合片10相比较，不同点在于使用具有交联结构的层(以下称其为交联层)11c的基材薄膜11’来代替基材薄膜11。
作为上述交联层11c，例如，可以例示具有交联结构的聚烯烃类膜。聚烯烃类膜的构成材料没有特别限定，例如，可以列举聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、乙烯-离聚物共聚物等。这些构成材料可以单独使用1种、也可以并用2种或2种以上。另外，交联层11c并不限定于单层，也可以由多层构成。
交联层11c的厚度是考虑到切割时的切入深度而设定的，优选是20μm或其以上、150μm或其以下。进一步若考虑在厚度方向上的交联密度的变化，更优选20μm或其以上、100μm或其以下，特别优选20μm或其以上、且小于40μm。
作为交联层11c的形成方法，可以列举对由上述构成材料形成的聚烯烃类膜预先照射电子射线或γ射线使之交联，将该膜以干式层压等贴合到内层11a上的方法，或将聚烯烃类膜与其它膜通过共挤出法制膜，再照射电子射线等使该聚烯烃类膜交联而制成交联层11c的方法。通过这些方法形成的交联层11c具有交联密度随着从照射面向厚度方向远离而逐渐下降的交联结构。
交联层11c的交联密度可以通过适当改变电子射线或γ射线照射量来控制。电子射线或γ射线照射量通常在10～250Mrad的范围内，优选是20～200Mrad，特别优选是30～150Mrad。另外，交联层11c由聚乙烯形成的情况下，电子射线或γ射线照射量优选为30～150Mrad左右。此外，交联层11c由乙烯共聚物形成的情况下，电子射线或γ射线照射量优选为20～100Mrad左右。
另外，这里所谓的电子射线指的是自由电子束即阴极射线。电子射线的照射具体通过使用电子射线加速器(包括高能、低能、以及扫描等的任意类型)，以预定的条件使所发生的电子射线通过聚烯烃类膜而进行。
另外，所谓γ射线如通常所定义的那样，指的是放射性元素蜕变时放出的电磁波的一种。γ射线的照射具体是在具有Co60射线源的照射室中设置聚烯烃类膜并照射预定量的γ射线而进行。此时，聚烯烃类膜阿可以直接以滚筒状的状态进行处理，因此，操作性良好。
以这样的照射量对聚烯烃类膜照射电子射线或γ射线，就可以减少切割时的纤维状切屑的发生。另外，可以不损害基材薄膜11’的弹性、强度等的机械特性，无障碍地进行粘合片10’的膨胀。另一方面，若电子射线或γ射线照射量不足1Mrad，电子射线或γ射线照射所产生的效果就不充分，有时在切割时会产生与未照射的情况同样大量的纤维状切屑。另外，若电子射线或γ射线照射量超过80Mrad，基材薄膜11’的弹性、强度等的机械特性受到损害，在膨胀时基材薄膜11’有破裂，另外，有时会使照射后的基材薄膜11’劣化。
粘合片的制造方法
下面，对本实施方式的粘合片的制造方法进行说明。在以下的说明中，以使用粘合片10的情况作为例子。
基材薄膜11可以通过以往公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，例如，可以列举压延制膜法、在有机溶剂中的铸造法、在封闭体系中的膨胀挤出法、T型模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。
接下来，在基材薄膜11的内层11a上涂布含有粘合剂的组合物，使之干燥(根据需要使之加热交联)形成粘合剂层12。在内层11a上还有其它层时，在该其它层上形成粘合剂层12。作为涂布方式，可以列举辊式涂布、丝网涂布、凹版印刷涂布等。另外，还可以直接在基材上进行涂布，也可以涂布到表面进行了剥离处理的剥离纸等上之后转印到基材上。接着，在粘合剂层12的表面贴合隔离层13，从而可以得到本实施方式的粘合片10。
切割方法
其次，以被切割物为半导体封装体的情况为例，对本发明的切割方法进行说明。
本实施方式的切割方法如图2之(a)～(e)所示，至少包括以下工序：在引线框14上贴合粘合片10的工序、半导体芯片15的搭载工序、用接合引线16进行引线接合的工序、用封装树脂17进行封装的工序、对作为被封装的结构物的半导体封装体21进行切割的工序。
在引线框14上贴附粘合片10的工序通过首先从粘合片10剥离隔离层13，将引线框14与粘合片10的位置进行对合来进行。贴合可以通过以往公知的方法进行。
半导体芯片15的搭载如图2之(a)和图2之(b)所示，在外部片垫侧(图的下侧)贴合有粘合片10的金属制引线框14的芯片垫(die pad)14c上粘贴半导体芯片15。
所谓引线框14是以例如铜等金属为原材料刻有QFN的端子图案的框，在其电连接点部分有时以银、镍、钯、金等原材料覆盖(镀)。引线框14的厚度一般是100～300μm。另外，局部被蚀刻等加工而变薄的部分不在该范围内。
为了在后面的切断工序中容易切断分开，引线框14优选为各个QFN整齐地配置的配置图案。例如，在引线框14上配列为纵横矩阵状的配置图案等被称为QFN矩阵或MAP-QFN等，是最为优选的引线框形状中的一种形态。特别是近年来从生产性的观点出发，为了增加在1个引线框中配列的封装体数目，不仅这些各个封装体被细密化，而且在1个封装部分可以封装多个封装体，也大大扩大了这些配列数目。
如图2之(a)所示，在引线框14的封装体图案区域中，整齐地配列有在相邻的多个开口14a上配列有多个端子部分14b的QFN的基板图样。一般的QFN的情况下，各个基板图样由配列在开口14a的周围的在其下侧具有外部导线面的端子部分14b、配置在开口14a的中央的芯片垫14c、在开口14a的四角支撑芯片垫14c的芯片挡棒(die bar)11d构成。
粘合片10粘贴在至少比封装体图案区域更外侧，优选粘贴在包含被树脂封装的树脂封装区域外侧的全部周围的区域。引线框14通常优选在端边附近具有用于决定树脂封装位置的导销孔，并且粘贴在不将该导销孔塞住的区域。另外，由于树脂封装区域在引线框14的长度方向被多个配置，优选跨过这些多个区域连续地粘贴粘合片10。
在上述那样的引线框14上，搭载着半导体芯片15，即作为半导体集成电路部分的硅片/芯片。在引线框14上设有用于固定该半导体芯片15的被称为芯片垫14c的固定区域。对芯片垫14c的粘合(固定)使用导电性糊剂19进行。但是，本发明并不限定于该方法，还可以采用使用胶粘带或胶粘剂等的各种方法。使用导电性糊剂19或热固性胶粘剂等进行芯片接合时，一般以150～200℃左右的温度加热固化30～90分钟左右。
上述的引线接合工序如图2之(c)所示，是将引线框14的端子部分14b(内部导线)的尖端与半导体芯片15上的电极衬垫15a，以接合引线16进行电连接的工序。作为接合引线16，例如，可以使用金线或铝线等。本工序一般在加热到120～250℃的状态下，通过联合使用超声波产生的振动能与外加压力产生的压迫能而进行连线。此时，通过真空吸引粘贴在引线框14上的粘合片10的面，可以切实地固定在加热块上。
上述封装工序如图2之(d)所示，是利用封装树脂17对半导体芯片侧进行单面封装的工序。本工序是为了保护搭载在引线框14上的半导体芯片15和接合引线16而进行的，特别有代表性的是使用以环氧类树脂为主的封装树脂17在金属模中成型。此时，通常使用由具有多个凹模的上金属模与下金属模组成的金属模，以多个封装树脂17同时进行封装工序。具体而言，例如树脂封装时的加热温度是170～180℃，以该温度固化几分钟之后，再进行几小时的模塑后固化。另外，粘合片10优选在模塑后固化之前剥离。
上述切割工序是对半导体封装体21进行全切割而分割成单个半导体装置的工序。该切割使用例如切割刀片等，切割到从封装树脂的切断部分直至达到基材薄膜11中的内层11a的程度。此时，切割刀片由于与半导体封装体的摩擦而产生摩擦热。由此，切割刀片发热到高于内层11a的熔点。其结果是内层11a熔融，该熔点与通常的基材材料相比是较低的。因此，被切割刀片卷起的构成内层11a的树脂，不会被切削冷却水冷却成纤维状切屑，而是如液体般地飞散。其结果不需要以往进行的用于检查除去纤维状切屑的工序、或可实现工序作业的减轻。
作为切割的条件，可以根据被切割物适当设定。其中，切割刀片必须从粘合剂层12表面切入到深度70μm或其以上深度的位置为止。这是由于在基材薄膜11中的内层11a被设置在该位置的缘故。另外，切削冷却水的温度通常在10～30℃的范围内。
在这里，如图3之(a)和(b)所示，作为上述切割刀片优选使用具有使用镍合金等金属的结合材料33和以砂纸状分散在该结合材料33中而被各个保持着的多个金刚石粒子32(2～6μm)的金刚石刀片31。当使用金刚石刀片31进行切割时，由于结合材料33由金属组成，特别是由切断产生的摩擦热变大。其结果可以进一步降低内层11a的熔融粘度，对纤维状切屑生成的抑制是有效的。
另外，在本发明中，还可以包括在进行切割后从切割用粘合片10拾取作为被切割物小片的半导体元件的工序。拾取的方法没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。例如，可以列举利用针使各个半导体元件从粘合片10侧(下方一侧)突起，由拾取装置拾取突起的半导体元件的方法等。
另外，在本实施方式中，作为被切割物以半导体封装体21为例进行说明，但本发明并不限定于此。作为该被切割物，除半导体封装体21以外，可以例示硅片、化合物半导体晶片、玻璃等。另外，使用这些被切割物时，其与粘合片10的贴合可以利用以往公知的方法进行。
以下，例举出本发明优选的实施例进行详细说明。其中，在该实施例中记载的材料、混合量等，只要没有特别限定的记载，本发明的范围就不限定于此，所记载的仅仅是说明例。
实施例1
首先，利用常规方法使95重量份的丙烯酸丁酯与5重量份的丙烯酸在醋酸乙酯中共聚。在含有所得到的丙烯酸类共聚物(数均分子量80万)溶液中，加入70重量份的二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名“カヤラツドDPHA”、日本化药株式会社生产)、3重量份自由基聚合引发剂(商品名“イルガキユア651”、チバ·スペシヤルテイ一·ケミカルズ生产)、5重量份聚异氰酸酯化合物(商品名“コロネ一トL”、日本ポリウレタン生产)，配制丙烯酸类紫外线固化型粘合剂溶液。将该溶液涂布到聚酯隔离片(隔离层)的硅酮处理面上，在800℃下加热10分钟加热交联该溶液。由此形成厚度20μm的紫外线固化型粘合剂层(粘合剂层)。
接着，制作基材薄膜(基材)。即，将乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂(熔点84℃、熔体流动速率2.5g/10min)和低密度聚乙烯(LDPE)树脂(熔点110℃、熔体流动速率2.3g/10min)，利用T型模头共挤出法制膜，并使EVA层(内层)/LDPE层(外层)＝120μm/30μm。进一步在EVA层一侧施加电晕处理。另外，熔体流动速率按照JIS K7210测定。另外，测定条件是试验温度190℃、荷重21.18N。
接着，使设置在聚酯隔离层上的粘合剂层和基材薄膜的电晕处理面相面对地贴合两者。由此，制作本实施例1的紫外线固化型半导体封装体切割用粘合片。
实施例2
首先，与实施例1同样地操作，在聚酯隔离片上形成紫外线固化型粘合剂层。接着，将乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)树脂(熔点92℃、熔体流动速率5g/10min)和低密度聚乙烯(LDPE)树脂(熔点110℃、熔体流动速率3.5g/10min)，利用T型模头共挤出法制膜，并使EEA层(内层)/LDPE层(外层)＝150μm/50μm。进一步在EEA层一侧施加电晕处理，制作基材薄膜。接着，使设置在聚酯隔离层上的粘合剂层和基材薄膜的电晕处理面相面对地贴合两者。由此制作本实施例2的紫外线固化型半导体封装体切割用粘合片。
实施例3
与实施例1同样地操作，在聚酯隔离片上形成紫外线固化型粘合剂层。接着，将低密度聚乙烯(LDPE)树脂(熔点110℃、熔体流动速率2g/10min)和乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂(熔点84℃、熔体流动速率2.5g/10min)，利用T型模头共挤出法制膜，并使LDPE层/EVA层(内层)/LDPE层(外层)＝70μm/100μm/30μm。进一步对厚度70μm的LDPE层照射电子射线使之交联，制作基材薄膜。※照射条件为照射量100Mrad。接着，使设置在聚酯隔离层上的粘合剂层和厚度70μm的LDPE层相面对地贴合两者。由此制作本实施例3的紫外线固化型半导体封装体切割用粘合片。
对照例1
作为基材薄膜，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(熔点110℃、熔体流动速率2g/10min)利用T型模头挤出法制膜形成厚度为150μm的基材薄膜，并且在其一面上施加电晕处理，除此之外与上述实施例1同样地操作，得到紫外线固化型半导体封装体切割用粘合片。
对照例2
作为基材薄膜，将EVA树脂(熔点103℃、熔体流动速率2g/10min)利用T型模头挤出法边施加消光处理边制膜形成厚度为200μm的膜，并且在经消光处理的相反面上施加电晕处理，除此之外与上述实施例1同样地操作，得到紫外线固化型半导体封装体切割用粘合片。
对照例3
作为基材薄膜，将低密度聚乙烯(LDPE)树脂(熔点110℃、熔体流动速率2g/10min)利用T型模头挤出法制膜形成厚度为200μm的膜，对其一面照射电子射线。※照射条件为照射量100Mrad。除使用这样制得的基材薄膜之外，与上述实施例1同样地操作，得到紫外线固化型半导体封装体切割用粘合片。
评价试验
由下述方法评价各实施例与对照例中制作的各切割用粘合片。即，在切割用粘合片上安装厚度为1.0mm的10cm×10cm环氧基板，以下述条件进行切割。
切割条件：
切割机：DISCO公司生产的DFD-651
切割刀片：DISCO公司生产的BIA801DC320N50M51
切割刀片转数：45000rpm
切割速度：50mm/sec
切割深度：从粘合片表面起100μm
切割尺寸：5×5mm
切割模式：向下切割
以光学显微镜(100倍)观察经切割试验切断后的切断线，分别计数环氧基板上和粘合片上没有环氧基板的部分上的纤维状切屑的个数。结果示于下述表1。从表1可知，各实施例1～3的粘合片中的纤维状切屑的产生较少，将10cm×10cm尺寸的基板切割成5×5mm时产生的纤维状切屑在30个或其以下可以实用的水平。另一方面，对照例1与2的粘合片中纤维状切屑的产生极其多，达不到可以实用的水平。
                                    表1
  基材薄膜的组成(厚度：μm)   低熔点树脂的熔点(℃)   低熔点树脂的熔体流动速率(g/10min)       纤维状切屑(个)
环氧基板上   粘合片上没有环氧基板的部分上
 实施例1   EVA/LDPE(120/30)   84   2.5   0   11
 实施例2   EEA/LDPE(150/50)   92   5   8   7
实施例3   LDPE/EVA/LDPE(70/100/30) 84 2.5 0 0
 对照例1   LDPE(150)   110   2   206   2
 对照例2   EVA(200)   103   2   163   3
 对照例3   LDPE(200)   110   2.5   43   0

Claims (18)

1.一种切割用粘合片，是在基材的至少一面上具有粘合剂层的切割用粘合片，其特征在于，
所述基材是多层结构，该多层结构具有含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层，
所述层的厚度为基材总厚度的1/2或1/2以上。
2.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述乙烯系树脂在190℃的熔体流动速率为1.5g/10min或其以上。
3.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材的总厚度为100μm或其以上。
4.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述粘合剂层包含放射线固化型粘合剂而构成。
5.一种切割用粘合片，是在基材的至少一面上具有粘合剂层的切割用粘合片，其特征在于，
所述基材是多层结构，该多层结构具有含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层，并且，所述基材在其与所述粘合剂层相接触的一侧设有具有交联结构的层。
6.根据权利要求5所述的切割用粘合片，其特征在于，所述乙烯系树脂在190℃的熔体流动速率为1.5g/10min或其以上。
7.根据权利要求5所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材的总厚度为100μm或其以上。
8.根据权利要求5所述的切割用粘合片，其特征在于，所述粘合剂层包含放射线固化型粘合剂而构成。
9.一种切割方法，通过将贴合有切割用粘合片的被切割物切入到该切割用粘合片的基材而进行切割，其特征在于，
所述切割用粘合片在其基材的至少一面上具有粘合剂层，
所述基材是多层结构，该多层结构具有含有熔点为95℃或其以下的乙烯系树脂的层，
所述层的厚度为基材总厚度的1/2或1/2以上。
10.根据权利要求9所述的切割方法，其特征在于，包含如下工序：在进行所述切割之后，从切割用粘合片拾取切割后的被切割物小片。
11.根据权利要求9所述的切割方法，其特征在于，作为在所述切割中所使用的切割刀片，使用以金属作为结合材料的金刚石刀片。
12.根据权利要求9所述的切割方法，其特征在于，所述被切割物是半导体封装体。
13.一种被切割物小片，其是在权利要求9所述切割方法中，通过切割所述被切割物而获得的。
14.一种切割方法，通过将贴合有切割用粘合片的被切割物切入到该切割用粘合片的基材而进行切割，其特征在于，
所述切割用粘合片在其基材的至少一面上具有粘合剂层，
所述基材是多层结构，该多层结构具有含有熔点为95℃或其或其以下的乙烯系树脂的层，并且，所述基材在其与所述粘合剂层相接触的一侧设有具有交联结构的层。
15.根据权利要求14所述的切割方法，其特征在于，包含如下工序：在进行所述切割之后，从切割用粘合片拾取切割后的被切割物小片。
16.根据权利要求14所述的切割方法，其特征在于，作为在所述切割中所使用的切割刀片，使用以金属作为结合材料的金刚石刀片。
17.根据权利要求14所述的切割方法，其特征在于，所述被切割物是半导体封装体。
18.一种被切割物小片，其是在权利要求14所述切割方法中，通过切割所述被切割物而获得的。
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