TWI489588B - A substrate film for a cutting sheet, and a cutting sheet - Google Patents

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TWI489588B TW100110734A TW100110734A TWI489588B TW I489588 B TWI489588 B TW I489588B TW 100110734 A TW100110734 A TW 100110734A TW 100110734 A TW100110734 A TW 100110734A TW I489588 B TWI489588 B TW I489588B
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Description

切割片用基材薄膜以及切割片
本發明係關於將半導體晶圓等被切斷物切斷分離為元件小片時，黏貼該被切斷物的切割片及該切割片所使用的基材薄膜。
諸如矽、鎵砷等半導體晶圓及各種封裝體類(以下將該等統稱「被切斷物」)，係依大徑狀態製造，該等經切斷分離(切割)為元件小片(以下稱「晶片」)之後，便移往下一步驟的黏晶步驟。此時，諸如半導體晶圓等被切斷物在預先黏貼於黏著片狀態下，交付給切割、洗淨、乾燥、延伸、拾取及黏晶等各步驟。
自習知起，從被切斷物的切割步驟起至拾取步驟的步驟，便使用在基材薄膜上形成黏著劑層的切割片。此種切割片，通常基材薄膜係使用聚烯烴系薄膜或聚氯乙烯系薄膜等。
但是，在切割時隨被切斷物的切斷，黏著劑層或基材薄膜其中一部分亦會被切斷，並從切割片上產生切割屑，導致所獲得晶片遭受污染。
施行切割時的手法之一係有如全切割，該方法係利用旋轉的圓刀將半導體晶圓等被切斷物予以完全切斷，同時切割片的黏著劑層與基材薄膜其中一部分亦會被裁切。此時，基材薄膜其中一部分會因與旋轉刀片間的摩擦熱而熔融，更因進行延伸，導致在切割線上產生絲狀切割屑。而該絲狀屑會附著黏著劑。
若在如上述絲狀屑大量附著於晶片的狀態下施行密封，因密封的熱導致絲狀屑進行熱分解，而成為封裝體遭破壞、所獲得裝置出現動作不良的原因。因為黏著劑所附著的絲狀屑頗難利用洗淨予以去除，造成良率明顯降低。依此，渴求當使用切割片施行切割時能防止絲狀切割屑發生。
再者，當對被切斷物係屬於經硬化樹脂施行密封的封裝體進行切割時，相較於對半導體晶圓進行切割的情況下，會使用更厚的切割刀，依更深的切入深度進行切割。依此的話，將封裝體當作被切斷物時的切割，因為應切斷的基材薄膜量較多，因而較容易產生大量的絲狀切割屑。
為解決上述問題，專利文獻1有揭示：切割片的基材薄膜係使用經照射電子束或γ(伽瑪)線1~80Mrad的聚烯烴系薄膜之發明。該發明中，藉由電子束或γ線的照射，構成基材薄膜的樹脂會進行交聯，判斷會抑制切割屑的發生。
專利文獻1中，就電子束或γ線所照射的聚烯烴系薄膜，有例示如：聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-離聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平5-211234號公報
但是，如上述樹脂，會有因電子束或γ線的照射，導致彈性與強度降低的情況。即，雖為防止絲狀切割屑的發生，必需施行一定量以上的電子束或γ線照射，但因該電子束或γ線照射會進行交聯，導致樹脂硬化進行至不必要程度，造成彈性降低、變脆。若依此造成基材薄膜的彈性與強度降低，在切割後所施行的延伸步驟時，薄片的擴張率(延伸性)會變小，導致基材斷裂。
另一方面，如上述樹脂在薄膜製膜後，若照射電子束或γ線，在基材薄膜中便會發生活性氧。在該基材薄膜中產生的活性氧，會有對爾後所形成的黏著劑層造成不良影響的情況。具體而言，當黏著劑層的黏著物性出現變動、或最差的情況，基材薄膜與黏著劑層的層間會發生剝離，而構成大故障。
再者，因為電子束或γ線的照射係在先將如上述樹脂形成薄膜狀之後才實施，因而增加一的製造步驟。且，使產生電子束或γ線的裝置係就從產業上觀點屬於高單價，因而會有製造成本較高於一般基材薄膜的傾向。
本發明係有鑑於如上述實狀而完成，目的在於提供：不需要賦予電子束或γ線等物理性能量，可減少被切斷物在切割時產生的切割屑，且延伸性亦優異的切割片用基材薄膜以及切割片。
為達成上述目的，第1，本發明所提供的切割片用基材薄膜，係包括基材薄膜、以及在上述基材薄膜單面上所積層黏著劑層的切割片，所使用之上述基材薄膜；係由單層或複層樹脂薄膜構成，且至少上述黏著劑層所鄰接的上述樹脂薄膜，係將以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為主成分，且相對於上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有環氧化合物0.3~17.0質量份的樹脂組成物，施行成形而構成(發明1)。
此處，本發明中「切割片」係亦涵蓋切割/黏晶片，且亦涵蓋具有為貼附環形框架用的其他基材與黏著劑層者。且，本發明中「片」亦涵蓋「帶」的概念。
根據上述發明(發明1)，藉由樹脂薄膜係將含有乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及既定量環氧化合物的樹脂組成物當作原料，當該樹脂薄膜製造時，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的(甲基)丙烯酸會與環氧化合物的環氧基或環氧丙基進行反應，而形成適度的交聯構造，藉此判斷會減少切割時所產生的切割屑。所以，不需要電子束與γ線等物理性能量，可有效地減少被切斷物切割時所產生的切割屑。又，藉由未使用電子束與γ線等，亦可獲得優異的延伸性。
上述發明(發明1)中，上述黏著劑層所鄰接的上述樹脂薄膜，較佳係溫度190℃、荷重2.16kgf時的熔融流率值為0.5~4.0g/10min(發明2)。
上述發明(發明1、2)中，上述環氧化合物較佳係具有雙酚A骨架者(發明3)。
上述發明(發明1~3)中，上述環氧化合物的數量平均分子量較佳係達800以上(發明4)。
第2，本發明所提供的切割片，係包括：上述切割片用基材薄膜(發明1~4)、與在上述切割片用基材薄膜單面所積層的黏著劑層(發明5)。
根據本發明的切割片用基材薄膜及切割片，不需要電子束與γ線等物理性能量，可有效地減少被切斷物切割時所產生的切割屑。該切割片用基材薄膜及切割片因為未使用電子束與γ線，因而不會有彈性與強度降低的問題，可獲得優異的延伸性，且亦不會對黏著劑層造成不良影響。
以下，針對本發明實施形態進行說明。第1圖所示係本發明一實施形態的切割片剖視圖。另外，本實施形態的切割片係僅在切割步驟中所使用者、亦可為亦能兼用於黏晶步驟的切割/黏晶片。
如第1圖所示，本實施形態的切割片1係包括：基材薄膜2、以及在基材薄膜2的單面(第1圖的上面)所積層之黏著劑層3。另外，在切割片1使用前為能保護黏著劑層3，最好在黏著劑層3的露出面(第1圖的上面)積層著可剝離的剝離片。該切割片1係可為帶狀、標籤狀等所有的形狀。
基材薄膜2係由單層或複層樹脂薄膜構成，至少黏著劑層3所鄰接的樹脂薄膜(單層的情況係為該樹脂薄膜；複層的情況係為黏著劑層3所鄰接的樹脂薄膜)，係將以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為主成分，且相對於該乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有環氧化合物0.3~17.0質量份的樹脂組成物，施行成形而構成。
此處，本說明書中的「(甲基)丙烯酸」係指丙烯酸、及甲基丙烯酸二者。「乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物」係可為乙烯-丙烯酸共聚物、亦可為乙烯-甲基丙烯酸共聚物、且亦可為乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。
黏著劑層3所鄰接的樹脂薄膜係如上述，藉由將含有乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及既定量環氧化合物的樹脂組成物當作原料，當該樹脂薄膜製造時，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的(甲基)丙烯酸會與與環氧化合物的環氧基或環氧丙基進行反應而形成適度的交聯構造，藉此判斷會減少切割時所產生的切割屑。又，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的乙烯成分，判斷會對樹脂薄膜賦予良好的延伸性。
上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，由丙烯酸及/或甲基丙烯酸所導出的構成單位，較佳係在共聚物中含有4~20質量%的比例，更佳係含有5~12質量%的比例。
若乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的(甲基)丙烯酸含量未滿4質量%，樹脂薄膜的結晶性會提高，導致在切割後的延伸時基材薄膜2出現頸縮，造成無法獲得均勻擴張性的可能性。反之，若(甲基)丙烯酸含量超過20質量%，基材薄膜2自體會發生沾黏，當使用裝置進行切割時，會有無法搬送切割片1的可能性。
乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，除由丙烯酸及/或甲基丙烯酸所導出的構成單位以外之部分，基本上係由乙烯所導出的構成單位，但在不致損及本實施形態切割片1之目的範圍內，亦可含有從丙烯等α-烯烴、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、烷基乙烯酯等所導出的構成單位。由此種其他單體導出的構成單位，在上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，可含有未滿10質量%的比例。
相關乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物的共聚合形態並無特別的限制，可為無規、嵌段、接枝共聚物中任一者。又，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物的分子量，係依質量平均分子量(Mw)計，較佳為10,000~1,000,000、更佳為50,000~500,000。
黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜的原料樹脂組成物之主成分，係可為單種乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，亦可摻合2種以上的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物。
黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜的原料樹脂組成物，係含有環氧化合物，藉由在主成分的上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中摻合入環氧化合物，便可有效地減少諸如半導體晶圓或封裝體等被切斷物進行切割時所產生的切割屑。
此處，本說明書的「環氧化合物」亦涵蓋環氧樹脂。
環氧化合物係只要分子內具有環氧基的化合物便可，較佳係具有1個以上環氧基的化合物，更佳係具有2個以上環氧基的化合物，更佳係具有2個環氧基的化合物。
具有1個以上環氧基的環氧化合物，係可舉例如：雙酚A、雙酚F、雙酚S、間苯二酚、酚酚醛、甲酚酚醛等雙酚類的環氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的環氧丙基醚；將諸如鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸的環氧丙基酯；苯胺異三聚氰酸酯等的氮原子所鍵結之活性氫，利用環氧丙基進行取代的環氧丙基型或烷基環氧丙基型環氧化合物；將含有碳-碳雙鍵之脂環式構造的化合物，藉由對其雙鍵施行氧化而導入環氧之所謂「脂環式環氧化合物」；聯苯型環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、乙內醯脲型環氧樹脂、異三聚氰酸酯型環氧樹脂、磷含有環氧樹脂、茋型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂、萘骨架型環氧樹脂、四苯醇基乙烷型環氧樹脂(tetraphenylol ethane type epoxy resin)、DPP(鄰苯二甲酸二正戊酯)型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂、雙環戊二烯酚型環氧樹脂、含矽環氧樹脂、雙酚A環氧乙烷加成物的二環氧丙基醚、雙酚A環氧丙烷加成物的二環氧丙基醚、環己烷二甲醇二環氧丙基醚、脂肪族多元醇的聚環氧丙基醚、多元酸的聚環氧丙基酯、及該等的鹵化物(溴化環氧樹脂等)或核氫化物等環氧樹脂等等。該等環氧化合物係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
上述之中，環氧化合物較佳係具有含2個環氧基之雙酚A骨架者。具體較佳係有如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚A環氧乙烷加成物的二環氧丙基醚、雙酚A環氧丙烷加成物的二環氧丙基醚、寡聚物改質雙酚A型環氧樹脂等。具有雙酚A骨架的環氧化合物係減少切割屑的效果更優異。
環氧化合物的數量平均分子量(Mn)下限值較佳係250、更佳係800。又，環氧化合物的Mn上限值較佳係5000、更佳係4000。若環氧化合物的Mn未滿250，因為化合物的性狀會成為液體，因而在製膜步驟時會有引火的可能性，處置較為困難。又，因為每單位質量所佔的官能基數增加，因而在製膜步驟時會進行凝膠化，導致較難進行良好製膜。反之，若環氧化合物的Mn超過5000，當在與乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物進行熔融混練時，分散性變差，對製膜性造成不良影響。另外，上述數量平均分子量係利用凝膠滲透色層分析(GPC)法所測得的聚苯乙烯換算值。
黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜的原料樹脂組成物中，環氧化合物含量係相對於乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有0.3~17.0質量份、較佳為0.5~15.0質量份。若環氧化合物含量未滿0.3質量份，便無法獲得減少切割屑的效果。若環氧化合物含量超過17.0質量份，交聯程度會過度，導致較難進行良好製膜。
黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜的原料樹脂組成物中，於不致損及本實施形態切割片1之目的範圍內，尚可含有例如：聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙烯-離聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。此種除乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及環氧化合物以外的樹脂，在上述原料樹脂組成物中，可含有未滿50質量%的比例。
黏著劑層3所鄰接的樹脂薄膜係可依照常法進行製造，例如將乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、與環氧化合物、及視所需含有的其他樹脂進行混練，再從該混練物直接、或先製造顆粒後，利用諸如擠出等便可進行製膜。環氧化合物亦可依母料形態使用。混練時的溫度較佳係180~230℃。
黏著劑層3所鄰接的樹脂薄膜，根據JIS K7210：1999，在溫度190℃、荷重2.16kgf時的熔融流率(MFR)值較佳係0.5~4.0g/10min、更佳係1.0~2.5g/10min。藉由MFR在上述範圍內，利用擠出成形，便可製造均質且具有良好膜厚精度的樹脂薄膜。
當基材薄膜2係由複層構成的情況，位於未鄰接黏著劑層3位置處的樹脂薄膜，在不致損及當作切割片1的功能之前提下，其餘並無特別的限制，可從各種樹脂薄膜中選擇。該樹脂薄膜係可舉例如：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜等聚烯烴薄膜；乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯薄膜等乙烯共聚物薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯薄膜等聚酯薄膜；聚胺甲酸酯薄膜；聚氯乙烯薄膜；聚醯胺薄膜等，且亦可選擇乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜。
複層的基材薄膜2係可利用諸如共擠出等，在製造各樹脂薄膜之同時亦進行積層便可製得，亦可在製造各樹脂薄膜後，再利用接著劑等進行積層而進行製造。另外，當利用共擠出進行複層基材薄膜2的製造時，未鄰接黏著劑層3的樹脂薄膜亦是較佳具有與前述黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜的MFR為同樣之MFR。藉由黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜、與未鄰接黏著劑層3的樹脂薄膜均具有此種MFR，便可抑制所獲得基材薄膜2在厚度方向出現較大的積層凌亂現象。
基材薄膜2的厚度通常係40~500μm、較佳係60~200μm。當基材薄膜2係複層的情況，基材薄膜2的總厚度中，黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜的厚度通常係40μm以上、較佳係60μm以上。因為切割刀切入於切割片1中的深度通常未滿40μm，因而若黏著劑層3所鄰接樹脂薄膜係上述厚度，切割刀便不會到達其他的樹脂薄膜，俾可防止產生該其他樹脂薄膜的切割屑。
本實施形態的基材薄膜2之斷裂伸度，較佳係100%以上、更佳係200%以上。斷裂伸度達100%以上的基材薄膜2，在延伸步驟時不易斷裂，被切斷物經切斷而形成的晶片較容易隔開。
再者，本實施形態的基材薄膜2之拉伸彈性模數，較佳係80~160MPa。若拉伸彈性模數未滿80MPa，在將晶圓黏貼於切割片1上之後，當固定於環形框架上之時，因為基材薄膜2較柔軟，因而會發生鬆弛情形，成為出現搬送失誤的原因。反之，若拉伸彈性模數超過160MPa，因為在延伸步驟時所施加的荷重變大，因而會有發生切割片1自體從環形框架上剝落等問題的可能性。
構成黏著劑層3的黏著劑，係可使用通常當作切割片所使用者，例如使用橡膠系、丙烯酸系、環氧系、聚矽氧系、聚乙烯醚系等黏著劑，亦可使用能量線硬化型黏著劑(包括紫外線硬化型黏著劑)、加熱硬化型黏著劑。又，當本實施形態的切割片1係使用為切割/黏晶片時，便可使用同時兼備晶圓固定功能與晶粒接著功能的黏接著劑、熱可塑性接著劑、B-階段接著劑等。
黏著劑層3的厚度通常係3~100μm、較佳係5~80μm程度。
如上述切割片1係可依照常法進行製造。例如調製含有構成黏著劑層3的黏著劑、以及視需要更進一步含有溶劑的塗佈劑，再利用諸如輥塗機、刀式塗佈機、滾刀式塗佈機、氣刀式塗佈機、模具塗佈機、棒塗機、凹版塗佈機、簾塗佈機等塗佈機，塗佈於基材薄膜2的單面上，經乾燥，而形成黏著劑層3，藉此便可製得。或者，將上述塗佈劑塗佈於所需剝離片的剝離面上，經乾燥而形成黏著劑層3之後，再將基材薄膜2壓接於該黏著劑層3上，藉此亦可製得。
以上所說明的實施形態，係為能使本發明的理解較為容易而記載，惟並非未限定本發明而記載。所以，上述實施形態所揭示的各要件，在隸屬於本發明技術範疇內的所有設計變更與均等物均涵蓋於本發明中。
[實施例]
以下，利用實施例等針對本發明進行更具體說明，惟本發明的範圍並不僅侷限於該等實施例等。
[實施例1]
將乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井杜邦聚合化學公司製，Nucrel N0903H，甲基丙烯酸含有率：9質量%)100質量份、與當作環氧化合物用之Mn為1600的雙官能基性雙酚A型環氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製，製品名：jER1055)0.5質量份，利用雙軸混練機(東洋精機製作所公司製，實驗塑膠撞擊研磨機)，依210℃施行熔融混練，獲得擠出用原材料。將該原材料利用小型T型模頭擠出機(東洋精機製作所公司製，實驗塑膠撞擊研磨機)施行擠出成形，獲得厚度140μm的基材薄膜。
另一方面，將由丙烯酸正丁酯95質量份與丙烯酸5質量份進行共聚合形成的共聚物(Mw：500,000)100質量份、胺甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(Mw：8000)120質量份、異氰酸酯系硬化劑(NIPPON POLYURETHANE公司，CORONATE L)5質量份、以及光聚合起始劑(汽巴超級化學公司製，IRGACURE 184)4質量份進行混合，獲得能量線硬化型黏著劑組成物。
將所獲得能量線硬化型黏著劑組成物，在上述基材薄膜的單面上塗佈呈乾燥後的膜厚為10μm狀態，依100℃施行1分鐘乾燥便形成黏著劑層，將其當作切割片。
[實施例2]
在實施例1中，除將環氧化合物的調配量變更為1.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[實施例3]
在實施例1中，除將環氧化合物的調配量變更為15.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[實施例4]
在實施例1中，除環氧化合物係使用Mn為900之雙官能基性雙酚A型環氧化合物(Japan Epoxy Resins公司製，製品名：jER1001)1.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[實施例5]
在實施例1中，除環氧化合物係使用Mn為3600之雙官能基性雙酚A型環氧化合物(Japan Epoxy Resins公司製，製品名：jER1009)1.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[實施例6]
除在實施例5中，將環氧化合物的調配量變更為0.5質量份之外，其餘均與實施例5同樣的製造切割片。
[實施例7]
除在實施例5中，將環氧化合物的調配量變更為15.0質量份之外，其餘均與實施例5同樣的製造切割片。
[實施例8]
在實施例1中，除環氧化合物係使用Mn為310之聚乙二醇二環氧丙基醚(Nagase ChemteX公司製，Denacol EX-841)1.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[實施例9]
在實施例1中，除環氧化合物係使用Mn為940之聚丙二醇二環氧丙基醚(Nagase ChemteX公司製，Denacol EX-931)1.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[比較例1]
在實施例1中，除將環氧化合物的調配量變更為0.1質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[比較例2]
在實施例1中，除將環氧化合物的調配量變更為20.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[比較例3]
在實施例5中，除將環氧化合物的調配量變更為0.1質量份之外，其餘均與實施例5同樣的製造切割片。
[比較例4]
在實施例5中，除將環氧化合物的調配量變更為20.0質量份之外，其餘均與實施例5同樣的製造切割片。
[比較例5]
在實施例1中，除取代環氧化合物，改為使用Mn為310的聚乙二醇(PEG)(東京化成公司製)1.0質量份之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[比較例6]
在實施例1中，除未調配入環氧化合物之外，其餘均與實施例1同樣的製造切割片。
[試驗例1](拉伸彈性模數‧斷裂伸度測定)
將依實施例及比較例所製造的基材薄膜裁剪為15mm×140mm的試驗片，根據JIS K7161：1994及JIS K7127：1999，測定拉伸彈性模數及斷裂伸度。具體而言，將上述試驗片利用拉伸試驗機(島津製作所製，autograph AG-IS 500N)，在設定夾具間距離100mm之後，便依200mm/min速度進行拉伸試驗，並測定拉伸彈性模數(MPa)及斷裂伸度(%)。當試驗片未具有降伏點時便將拉伸斷裂應變視為斷裂伸度，當具有降伏點時便將拉伸斷裂標稱應變視為斷裂伸度，而測定斷裂伸度。結果如表1所示。
[試驗例2](擴張性試驗)
在依實施例及比較例所製造切割片之黏著劑層上，貼附6吋晶圓後，將該切割片裝設於平板框(flat frame)上，利用厚20μm的鑽石刀，將晶圓全切割為5mm四方的晶片。接著，使用延伸夾具(NEC Machinery公司製，Die Bonder CSP-100VX)，依速度300mm/分拉掉切割片10mm。目視確認此時的晶圓整體擴張狀態，並施行判定。結果如表1所示。表中，「○」係指晶片整體呈均勻排列，「△」係指有出現不均勻部分，「×」係指切割片有出現裂痕。
[試驗例3](切割屑)
將依實施例及比較例所製造切割片的黏著劑層貼附於BGA型封裝體模組之後，安裝於切割裝置(東京精密公司製，AWD-4000B)上，依以下條件施行切割。
‧工件(受黏物)：BGA型封裝體模組(京陶化學公司製，KE-G1250)
‧工件尺寸：550mm×440mm、厚度1.55mm
‧切割刀：Disc公司製Z1100LG2S3T1
‧刀旋轉數：30,000rpm
‧切割速度：100mm/秒
‧切入深度：從黏著劑層表面切入30μm深度
‧切割尺寸：5mm×5mm
然後，從基材薄膜側照射紫外線(160mJ/cm2 )，將切斷的晶片剝離。使用數位式顯微鏡(KEYENCE公司製，VHX-100，倍率：100倍)，計數縱及橫的切割線中，在各自中央附近觸的縱1線及橫1線上所產生的絲狀屑個數。將絲狀屑個數為0~10個者評為「○」，將11~20個者評為「△」，將21個以上者評為「×」。結果如表1所示。
[試驗例5](經時黏著力變化)
將依實施例及比較例所製造切割片裁剪為25mm×250mm，而製作試驗片。將該試驗片貼附於#2000矽晶圓上，利用2kg橡膠輥進行1往復而將二者施行壓接。在此狀態下，於23℃、50%RH條件下放置20分鐘以上，然後從基材薄膜側照射紫外線(160mJ/cm2 )，使用萬能式拉伸試驗機(ORIENTEC公司製，張力機)，依300mm/min速度施行180°剝離而測定黏著力，並將其值設為f1。
另一方面，將切割片在70℃條件下(70℃恆溫槽)加熱48小時後，返回室溫，依照與上述黏著力同樣的方法測定黏著力，將其值設為f2。將該二值導入下式而計算出經時黏著力變化的變化率：R(%)。結果如表1所示。若R在50%以內，便可判斷經時黏著力並無因添加物(環氧化合物、PEG)而造成的影響。
R=(f2-f1)×100/f1
[試驗例6](MFR測定)
將依實施例及比較例所獲得基材薄膜裁剪為10mm×10mm，而製作試驗片(約4g)。針對該試驗片根據JIS K7210：1999，使用流動試驗機(島津製作所公司製，CFT-100D)，依荷重2.16kg、試驗溫度190℃測定MFR(g/10min)。結果如表1所示。
[試驗例7](製膜性)
目視檢查依實施例及比較例所獲得基材薄膜的外觀。將沒有較大突粒疤或著色凝膠物的水準評為「○」，將雖有較大突粒疤或著色凝膠物，但觸摸時並無凹凸感的水準評為「△」，將明顯出現凹凸的水準評為「×」。結果如表1所示。
由表1中得知，根據實施例所製得切割片，切割屑較少。又，依實施例所獲得基材薄膜，可利用擠出成形進行良好製膜，且延伸性亦優異。
產業上之可利用性
本發明的切割片用基材薄膜及切割片，係頗適用於半導體晶圓與各種封裝體類等的切割。
1．．．切割片
2．．．基材薄膜
3．．．黏著劑層
第1圖係本發明一實施形態的切割片剖視圖。
1．．．切割片
2．．．基材薄膜
3．．．黏著劑層

Claims (5)

  1. 一種切割片用基材薄膜，包括基材薄膜、以及在上述基材薄膜單面上所積層黏著劑層的切割片，所使用的上述基材薄膜；由單層或複層樹脂薄膜構成，至少上述黏著劑層所鄰接的上述樹脂薄膜，係將以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為主成分，且相對於上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有環氧化合物0.3~17.0質量份的樹脂組成物，施行成形而構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之切割片用基材薄膜，其中，上述黏著劑層所鄰接的上述樹脂薄膜，係溫度190℃、荷重2.16kgf時的熔融流率值為0.5~4.0g/10min。
  3. 如申請專利範圍第1項之切割片用基材薄膜，其中，上述環氧化合物係具有雙酚A骨架者。
  4. 如申請專利範圍第1項之切割片用基材薄膜，其中，上述環氧化合物的數量平均分子量係達800以上。
  5. 一種切割片，包括：切割片用基材薄膜，申請專利範圍第1至4項中任一項所述者；以及黏著劑層，在上述切割片用基材薄膜單面所積層。
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