CN1845007A - 基板和基板的抛光方法 - Google Patents

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Abstract

一种平坦度小于230nmPV和RMS表面粗糙度小于0.20nm的基板，该基板通过一种方法得到，此方法包括：用在抛光垫底层中包含至少一层压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。

Description

基板和基板的抛光方法
技术领域
本发明涉及一种具有极精确平坦度和表面粗糙度的基板，更具体涉及一种适用于诸如掩模版基板的电子设备的基板。本发明还涉及这种基板的抛光方法。
背景技术
在半导体领域，对更高密度集成电路的需求正逐步增加以提高处理信息的效率。为了获得这种更高密度集成电路，曾提议在芯片的生产过程中应用极紫外射线(EUV)的波长曝光的技术。这种技术所使用的曝光设备的掩模基板是通过对极低膨胀材料进行抛光得到的，这种掩模基板要求具有高精确平坦度和表面粗糙度。作为用于EUV微光刻的掩模基板和镜面基板的材料，极低膨胀材料是合适的，例如Ohara Inc.的CLEARCERAM(商标)、Schott AG的Zerodur(商标)、Schott GmbH的Zerodur-M(商标)和Corning Incorporated的ULE(商标)，因为这些材料具有非常小的热膨胀系数和高同质性。
公开号为2004-228563的日本公开特许公报公开了由这些材料生产适用于EUV微光刻的基板的方法。此公开报道，即使基板被抛光到RMS(粗糙度的均方根)为0.1nm-0.3nm的表面粗糙度，应用离子束加工以获得所期望的平坦度也导致表面粗糙度增加到应用离子束加工前的两倍到五倍。在此公开中，在基板的底层上形成覆盖层以防止表面粗糙度的这种增加，不过这种方法没有实现底层本身所需要的平坦度和表面粗糙度。
公开号为2004-29735的日本公开特许化报公开了电子设备的基板及抛光该基板的方法。然而由这种抛光方法获得的基板未表现出比230nm的平坦度和0.18nm的Ra表面粗糙度更好的表面性能值。由于表示表面粗糙度的参数Ra(算术平均粗糙度)比RMS(粗糙度的均方根)值低，所以0.18nm的Ra表面粗糙度在以RMS表示时超过0.20nm。另外，在本公开中所考虑的基板材料只是玻璃，并没有考虑通过抛光除玻璃之外的包括诸如上面提到的Ohara Inc.的CLEARCERAM的玻璃陶瓷材料所获得的期望的表面性能值。
因此，在EUV微光刻所需要的高精确区，平坦度和表面粗糙度是相互矛盾的表面性能，当试图获得这些表面性能之一时，另外一个表面性能则难以达到期望值。因此，在过去，如果不在基板的底层提供特殊的覆盖层，则不曾有基板能同时满足平坦度小于230nmPV(峰-谷)和RMS表面粗糙度小于0.20nm。
因此，本发明的一个目的是在不提供覆盖层但使基板本身具有这种表面性能的条件下提供在高精确区具有优异平坦度和表面粗糙度的基板，特别是用于液晶显示屏和包括半导体晶片或信息记录介质的电子设备中的基板，更特别是用于EUV微光刻的基板。
本发明的另一个目的是提供一种抛光这种基板的方法。
发明内容
为了达到上述发明目的，本发明的发明人所作的研究和试验得出了导致本发明的如下发现，通过采用特殊的抛光方法，可以获得在高精确区具有优异平坦度和表面粗糙度的基板。
为了达到本发明的目的，在本发明的第一方面，提供具有平坦度小于230nmPV和RMS表面粗糙度小于0.20nm的基板。
在本发明的第二方面，提供通过一种方法得到的如在第一方面所述的基板，此方法包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
在本发明的第三方面，提供通过一种方法得到的如在第一方面所述的基板，此方法包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层由树脂膜制成且压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
在本发明的第四方面，提供通过一种方法得到的如在第二或第三方面所述的基板，其中过程(a)包括：(a-1)通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程，此过程中使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低并提供抛光介质。
在本发明的第五方面，提供通过一种方法得到的如在第四方面所述的基板，其中过程(a)包括：(a-2)在通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程(a-1)之后进行的过程，此过程中只提供不包含抛光介质的液体。
在本发明的第六方面，提供通过一种方法得到的如在第五方面所述的基板，其中在过程(a-2)中施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低。
在本发明的第七方面，提供通过一种方法得到的如在第二到第六任一方面所述的基板，此方法包括：(b)在过程(a)之前进行的将待抛光物体抛光到平坦度至少为230nmPV和RMS表面粗糙度至少为0.4nm的过程。
在本发明的第八方面，提供如在第二到第七任一方面所述的基板，其中过程(a)中所用的抛光介质是氧化铈抛光介质。
在本发明的第九方面，提供如在第二到第八任一方面所述的基板，其中过程(a)中所用的抛光介质的平均颗粒直径为1.0μm或更低。
在本发明的第十方面，提供如在第二到第九任一方面所述的基板，其中过程(a)中所用的抛光介质的浓度为1.0wt％或更低。
在本发明的第十一方面，提供如在第一到第十任一方面所述的基板，其中在0℃至50℃温度范围内，平均线性热膨胀系数在0.0±0.3×10-7/℃范围内。
在本发明的第十二方面，提供如在第一到第十一任一方面所述的基板，其中在19℃至25℃温度范围内，平均线性热膨胀系数在0.0±0.3×10-7/℃范围内。
在本发明的第十三方面，提供如在第一到第十二任一方面所述的基板，该基板包含SiO2和TiO2。
在本发明的第十四方面，提供一种用于光掩膜的基板，该基板采用如在第一到第十三任一方面所述的基板。
在本发明的第十五方面，提供使用如在第十四方面所述的基板的光掩膜。
在本发明的第十六方面，提供一种抛光基板的方法，包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
在本发明的第十七方面，提供如在第十六方面所述的方法，包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层由树脂膜制成且压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
在本发明的第十八方面，提供如在第十六或十七方面所述的方法，其中过程(a)包括：(a-1)通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程，此过程中使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低并提供抛光介质。
在本发明的第十九方面，提供如在第十八方面所述的方法，其中过程(a)包括：(a-2)在通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程(a-1)之后进行的过程，此过程中只提供不包含抛光介质的液体。
在本发明的第二十方面，提供如在第十九方面所述的方法，其中在过程(a-2)中施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低。
在本发明的第二十一方面，提供如在第十六到第二十任一方面所述的方法，其中，在抛光后，待抛光物体的平坦度小于230nmPV和待抛光物体的RMS表面粗糙度小于0.20nm。
在本发明的第二十二方面，提供如在第十六到第二十一任一方面所述的方法，该方法包括：(b)在过程(a)之前进行的将待抛光物体抛光到平坦度至少为230nmPV和RMS表面粗糙度至少为0.4nm的过程。
在本发明的第二十三方面，提供如在第十六到第二十二任一方面所述的方法，其中过程(a)中所用的抛光介质是氧化铈抛光介质。
在本发明的第二十四方面，提供如在第十六到第二十三任一方面所述的方法，其中过程(a)中所用的抛光介质的平均颗粒直径为1.0μm或更低。
在本发明的第二十五方面，提供如在第十六到第二十四任一方面所述的方法，其中过程(a)中所用的抛光介质的浓度为1.0wt％或更低。
在本发明的第二十六方面，提供如在第十六到第二十五任一方面所述的方法，其中基板用于光掩膜的基板。
根据本发明，提供在高精确区具有优异平坦度和表面粗糙度的基板，即100nmPV或更低的平坦度和0.17nm或更低的RMS表面粗糙度，和不提供特殊的覆盖层但通过使基板本身具有这种表面性能的基板抛光方法。当然通过调节抛光时间和其他条件，可以获得比上述值更高的平坦度及表面粗糙度值。本发明的基板特别适用于液晶显示屏和包括半导体晶片或信息记录介质的电子设备用的基板，更特别用作光掩膜基板，并尤其用作EUV微光刻的光掩膜的基板。
根据本发明，并不需要除抛光过程以外的特殊过程如提供一个特殊的覆盖层来实现高精确区具的平坦度和表面粗糙度，因此本发明基板的生产成本较低。
具体实施方式
本发明的基板应该优选具有小于230nmPV(峰-谷)的平坦度和小于0.20nm的RMS表面粗糙度。通过实现这些表面性能值，本申请可以应用于需要高精确性能的基板。特别地，为了将本发明应用于使用极紫外射线曝光波长的曝光装置的掩模基板，更优选平坦度为150nmPV或更低，最优选平坦度为100nmPV或更低，更优选RMS表面粗糙度为0.18nm或更低，最优选RMS表面粗糙度为0.17nm或更低。当表面粗糙度以Ra表示时，优选表面粗糙度Ra小于0.18nm，更优选表面粗糙度Ra为0.16nm或更低，最优选表面粗糙度Ra为0.12nm或更低。
本文所用的RMS与Rq含义相同，即“粗糙度均方根”。为了测量RMS，使用原子范围的显微镜作为测量仪器，在5μm×5μm的范围内进行测量。本文的Ra是指“算术平均粗糙度”，Ra的测量条件与测量RMS的相同。本文的PV(峰-谷)与平坦度含义相同，并且表示从参考平面峰的最大高度与谷的最大深度之和。为了测量平坦度，使用干涉仪作为测量仪器，并对自基板***起5mm以内的测量范围进行测量。
在本发明的基板用于需要极高精确度的情形中，应该优选平均线性热膨胀系数尽可能低。特别地，在基板用于EUV微光刻的掩模板的情况下，在0℃至50℃温度范围内或19℃至25℃温度范围内，本发明基板应该具有的平均线性热膨胀系数α应该优选在0.0±0.3×10-7/℃范围内，更优选在0.0±0.2×10-7/℃范围内，最优选在0.0±0.1×10-7/℃范围内。
为了实现上述热膨胀性能，本发明的基板应该优选包含SiO2和TiO2。另外，通过后面所述的抛光方法，包含这两种组分的待抛光物体更容易达到满足如本发明实施例中所示的高精确平坦度和表面粗糙度的表面性能。如何能达到这种表面性能的机理还不清楚，但本发明的发明人已经从他们的经验得出了加入这些组分的效果的概念。就这些组分的量而言，优选SiO2应该以50-97％的量(以质量％计)加入，TiO2应该以1.5-10％的量(以质量％计)加入。
另外，由上述观点，最优选基板应该包含以质量％计，47-65％SiO2、1-13％P2O5、17-29％Al2O3、1-8％LiO2、0.5-5％MgO、0.5-5.5％ZnO、1-7％TiO2和1-7％ZrO2。
为了容易达到所期望的表面性能和低热膨胀性能，基板应该优选由玻璃或玻璃陶瓷制成，并最优选由玻璃陶瓷制成，因为玻璃陶瓷不容易因抛光而产生划痕。最优选包含β-石英(β-SiO2)和/或β-石英固溶体(β-SiO2固溶体)的玻璃陶瓷，由于它们具有低膨胀性能。
作为待抛光物体，极低膨胀材料，例如CLEARCERAM(Ohara Inc.)、Zerodur(Schott AG)、Zerodur-M(Schott AG)和ULE(Corning Incorporated)都是合适的材料。
本发明的基板可以是圆形或者多边形(如正方形或矩形)的。通常，在多个诸如正方形的多边形基板同时由例如双面抛光机进行抛光的情况下，每一个基板的形状有时会偏位或塌角。因此，通常多边形基板比圆形基板更难以达到高精确的表面性能。按照本发明的抛光方法，即使基板为多边形的，也可以达到如实施例中所示的具有高精确平坦度和表面粗糙度的表面性能。
本发明的抛光方法包含过程(b)、(a)、(a-1)和(a-2)。过程(b)在过程(a)之前进行。过程(a)包括过程(a-1)和过程(a-2)两个过程。
现在描述本发明的抛光方法的这些过程及相关过程。
预备过程
在本发明过程之前，可以使用预备过程。例如，待抛光物体可以被切割成所希望的形状，之后可以通过使用逐步变细的磨粒以初级研磨和次级研磨的顺序进行研磨。此后，如果需要，完成诸如磨边等加工后，以初级抛光和次级抛光的顺序进行抛光，使平坦度和表面粗糙度接近期望值。研磨和抛光过程可以从上述过程中略去，反之，也可以加入更多的过程。
过程(b)
在这个过程中，将待抛光物体抛光到平坦度至少为230nmPV和表面粗糙度至少为0.4nm。在此过程中，表面粗糙度接近期望值，并且平坦度优选应达到最后期望值。特别地，为了获得EUV微光刻的掩模基板，应该更优选平坦度为150nmPV或更低，最优选为100nmPV或更低。
通过使用磁流变抛光方法(MRF)的MRF抛光机或单面抛光机可以实现这些表面性能值。
MRF抛光机是通过磁流变精细抛光进行抛光的抛光机。更特别地，待抛光物体被挂接到三轴CNC受控机床的上轴后，旋转轮与待抛光物体由NC控制器进行定位以使它们相互间距为预定距离。将电磁铁加到旋转轮表面的下方，并在那里产生梯度磁场，其中磁场力在待抛光物体与旋转轮上端之间的狭缝达到最大。当将磁流变抛光剂供入到此梯度磁场中时，抛光剂在梯度磁场作用下被吸到轮表面，并由此对待抛光物体进行抛光(引自Journal of Abrasive GrainProcessing Institute，146卷，第8期，2002年8月)。MRF抛光方法在此杂志中有详细描述。
单面抛光机是只在常规类型双面抛光机的下位板上接合泡沫垫并通过待抛光物体的自重或外界施加到待抛光物体上的负荷进行抛光的抛光机。
使用这种MRF抛光机或单面抛光机不易达到表面粗糙度的最终值，但通过使用这种抛光机达到平坦度的最终值或接***坦度最终值的值，则随后的抛光时间就可以显著缩短。
过程(a)
在此过程中，用在抛光垫底层中包括至少一层压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光。
本文的压缩率是指基于JIS L-1096的压缩率。更具体地，当在负荷为60gf和测量压力为300g/cm2的条件下用触点为0.20cm2的针盘量规测得的厚度由T1表示，而在负荷为360gf和测量压力为1800g/cm2的条件下测得的厚度由T2表示时，压缩率由下式表示：
              压缩率(％)＝((T1-T2)/T1)×100。
用于此过程中的抛光垫具有至少表面层和底层两层，该底层包含一层或多层，并且重要的是要有至少一层压缩率为5％或更低的硬层。通过以这种方式使包含在底层内的一层***，可以实现表面粗糙度的最终期望值，同时保持在先过程中已经获得的平坦度最终期望值。为了提高包含在底层内的硬层保持待抛光物体的所期望平坦度的效果，该压缩率应该更优选为0.8％或更低，最优选为0.2％或更低。可以使用由例如塑料、热塑性弹性体、橡胶和金属制成的膜形式的软质材料作为包含在底层内的硬层。这些材料可以包含泡沫但优选不应包含泡沫。更具体地，可以使用环氧树脂、聚氨酯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯和不锈钢，其中优选聚对苯二甲酸乙二酯。从保持平坦度的角度，表面层应优选为单层和底层应优选为单层，即底层应优选只由硬层构成。
用于过程(a)的抛光垫的表面层应优选具有开孔直径在70μm-180μm范围内的绒毛结构。表面层的表面硬度以基于JIS K7311的硬度A计应优选小于80，因为这样的硬度可以防止在待抛光物体表面产生划痕。可优选使用氨基甲酸酯材料的表面层。
用于过程(a)的抛光垫的总压缩率应优选在4％-10％范围内，更优选在5％-9.5％范围内。抛光垫的总厚度应优选在0.3mm-0.9mm范围内，更优选在0.4mm-0.6mm范围内。
过程(a-1)
此过程构成过程(a)的一个分过程。在此过程中，通过使用具有过程(a)所用的抛光垫的抛光机，使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低，并提供抛光介质而进行抛光。
单面抛光机或双面抛光机都可以用作抛光机，但可优选使用双面抛光机，因为在双面抛光机中当一个表面进行抛光时，另一个表面不可能被弄脏，而且加工时间比单面抛光机的短。抛光机的转数优选在30转/分-50转/分范围内，更优选在30转/分-40转/分范围内，最优选在40转/分-50转/分范围内。
为获得所期望的平坦度和表面粗糙度，加工时间应优选在5分钟-20分钟范围内，更优选在5分钟-10分钟范围内，最优选在7分钟-10分钟范围内。
为获得所期望的表面粗糙度同时保持平坦度，抛光垫在待抛光物体上的低表面负荷是一个重要因素。更具体地，待抛光物体上的表面负荷应优选为40g/cm2或更低，更优选35g/cm2或更低，最优选28g/cm2或更低。
对所使用的抛光介质没有特别的限制，可以使用例如包括胶态二氧化硅和氧化铈在内的常规抛光介质。特别优选氧化铈作为抛光介质，因为通过使用这种抛光介质可获得高抛光速度。为获得所期望的表面粗糙度值，抛光介质的浓度应优选为1.0wt％或更低，更优选0.5wt％或更低，最优选0.1wt％或更低。因为相同的理由，抛光介质的平均颗粒直径应优选为1.0μm或更低，更优选0.5μm或更低，最优选0.4μm或更低。
过程(a-2)
此过程是在过程(a-1)后进行的过程(a)的另一分过程。在此过程中，通过使用具有过程(a)所用的抛光垫的抛光机，使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低，并提供不含抛光介质的液体而进行抛光。可以在过程(a-1)和过程(a-2)之间***另一个过程，但是通常过程(a-1)是通过在过程(a-1)中停止供给抛光介质而结束的，并且通过开始供给不含抛光介质的液体而继续开始过程(a-2)。
通过供给不含抛光介质的液体进行抛光时，可以除去进入到待抛光物体表面细小凹槽内的抛光介质颗粒，并且可以防止在待抛光物体表面产生划痕。
优选pH值为6-8的液体作为不含抛光介质的液体，并且自来水可作为适合的液体。也可以使用纯水和离子交换水，这些水并且一起使用缓冲溶液。在过程(a-2)中包括在液体供给路径中存在着极少量的抛光介质与液体一起供入的情况。
单面抛光机或双面抛光机都可以用作抛光机，但可优选使用双面抛光机，因为在双面抛光机中当一个表面进行抛光时，另一个表面不可能被弄脏，而且加工时间比单面抛光机的短。抛光机的转数优选在30转/分-50转/分范围内，更优选在30转/分-40转/分范围内，最优选在40转/分-50转/分范围内。
加工时间应优选在30分钟内，更优选在15分钟内，最优选在10分钟内。
为获得所期望的表面粗糙度同时保持平坦度，抛光垫在待抛光物体上的低表面负荷是一个重要因素。更具体地，待抛光物体上的表面负荷应优选为40g/cm2或更低，更优选35g/cm2或更低，最优选28g/cm2或更低。
实施例
预备过程
极低膨胀玻璃陶瓷被切割成155mm×155mm×7.5mm的基板，并通过双面研磨机进行研磨。通过改变诸如磨粒的研磨条件将研磨过程分为初级研磨和次级研磨两步。
在初级研磨中，使用具有#1500自由磨粒和转数为20转/分的双面研磨机。初级研磨后基板的PV都是3μm。
通过使用不同于用于初级研磨的具有#1500自由磨粒和转数为20转/分的初级研磨机的研磨机进行次级研磨。次级研磨后基板的PV是1-2μm。
然后将端面削角，并使用双面抛光机进行抛光。在抛光时，抛光过程也分为初级抛光和次级抛光两步。
过程(b)
使用由QED制成的MRF抛光机以除去抛光介质没有去除的微小变形和划痕，并获得150nmPV或更低的平坦度和0.4nm RMS的表面粗糙度。
过程(a)
过程(a-1)
通过使用使施加到待抛光物体上的表面负荷保持在40g/cm2或更低并提供抛光介质的双面抛光机进行抛光。使用具有底层和表面层的抛光垫作为抛光垫，其中底层由PET膜制成的压缩率为0.1％的单层构成，而表面层由绒毛结构的单层构成。使用氧化铈作为抛光介质。
过程(a-2)
在过程(a-1)之后，停止供给抛光介质，并开始仅使用自来水抛光，表面负荷保持在40g/cm2。使用过程(a-1)中所用的抛光垫作为抛光垫。
表1和2显示了本发明实施例中关于每个过程的条件和完成这些过程后测量的表面性能值。
表1
  实施例  1   2  3
  材料   SiO2(wt％)  55.0   55.0  55.0
  TiO2(wt％)  2.5   2.5  2.5
  P2O5(wt％)  8.0   8.0  8.0
  Al2O3(wt％)  24.0   24.0  24.0
  Li2O(wt％)  4.0   4.0  4.0
  MgO(wt％)  0.8   1.0  1.0
  ZnO(wt％)  0.5   0.5  0.5
  CaO(wt％)  1.2   1.0  1.0
  BaO(wt％)  1.0   1.0  1.0
  ZrO2(wt％)  2.0   2.0  2.0
  As2O3(wt％)  1.0   1.0  1.0
  主要晶相  β-石英/β-石英固溶体   β-石英/β-石英固溶体  β-石英/β-石英固溶体
  α(0-50℃)  0.1×10-7   0.2×10-7  -0.1×10-7
  α(19-25℃)  0.1×10-7   0.2×10-7  -0.1×10-7
  初级抛光
  抛光介质  氧化铈   氧化铈  氧化铈
  转/分  50   50  50
  抛光垫  MHC15A(Rodel)   MHC15A(Rodel)  MHC15A(Rodel)
  初级抛光后
  PV  500nm   500nm  500nm
  RMS   0.8nm   0.8nm   0.8nm
  次级抛光
  抛光介质   氧化铈   氧化铈   氧化铈
  转/分   40   50   40
  抛光垫   N0030(Kanebo)   SPM3100(Rodel)   N0020(Kanebo)
  次级抛光后
  PV   500nm   500nm   500nm
  RMS   0.3nm   0.3nm   0.3nm
  过程(b)后
  PV   100nm   100nm   100nm
  RMS   0.35nm   0.35nm   0.35nm
  过程(a)
  过程(a-1)
  抛光介质   氧化铈   氧化铈   氧化铈
  浓度   0.3wt％   0.1wt％   0.2wt％
  抛光垫   N0030(Kanebo)   SPM3100(Rodel)   N0020(Kanebo)
  转/分   50   50   50
  表面负荷   40g/cm2   40g/cm2   40g/cm2
  抛光时间   10min   10min   10min
  过程(a-2)
  液体   自来水   自来水   自来水
  抛光垫   N0030(Kanebo)   SPM3100(Rodel)   N0020(Kanebo)
  转/分   40   50   40
  表面负荷   40g/cm2   40g/cm2   40g/cm2
  抛光时间   15min   10min   15min
  过程(a)后
  PV   220nm   100nm   210nm
  RMS   0.22nm   0.17nm   0.21nm
  Ra   0.18nm   0.14nm   0.17nm
表2
实施例 4 5
  材料   SiO2(wt％)   55.5  55.5
  TiO2(wt％)   2.3  2.3
  P2O5(wt％)   7.5  7.6
  Al2O3(wt％)   24.5  24.4
  Li2O(wt％)   3.95  3.97
  MgO(wt％)   1.0  1.0
  ZnO(wt％)   0.5  0.5
  CaO(wt％)   1.05  1.03
  BaO(wt％)   1.0  1.0
  ZrO2(wt％)   2.0  2.0
  As2O3(wt％)   0.7  0.7
  主要晶相   β-石英/β-石英固溶体  β-石英/β-石英固溶体
  α(0-50℃)   0.1×10-7  0.1×10-7
  α(19-25℃)   0.1×10-7  0.1×10-7
  初级抛光
  抛光介质   氧化铈  氧化铈
  转/分   50  50
  抛光垫   MHC15A(Rodel)  MHC15A(Rodel)
  初级抛光后
  PV   500nm  500nm
  RMS   0.8nm  0.8nm
  次级抛光
  抛光介质   氧化铈   氧化铈
  转/分   40   40
  抛光垫   SPM3100(Rodel)   N0020(Kanebo)
  次级抛光后
  PV   500nm   500nm
  RMS   0.3nm   0.3nm
  过程(b)后
  PV   100nm   100nm
  RMS   0.35nm   0.35nm
  过程(a)
  过程(a-1)
  抛光介质   氧化铈   氧化铈
  浓度   0.1wt％   0.5wt％
  抛光垫   SPM3100(Rodel)   N0020(Kanebo)
  转/分   50   50
  表面负荷   40g/cm2   40g/cm2
  抛光时间   10min   10min
  过程(a-2)
  液体   自来水   自来水
  抛光垫   SPM3100(Rodel)   Apollon-p(Rodel)
  转/分   40   40
  表面负荷   40g/cm2   40g/cm2
  抛光时间   15min   15min
  过程(a)后
  PV   100nm   210nm
  RMS   0.17nm   0.19nm
  Ra   0.14nm   0.15nm
工业应用
根据本发明，提供在高精确区具有优异的平坦度和表面粗糙度的基板，特别是用于液晶显示屏和包括半导体晶片或信息记录介质的电子设备用的基板，更特别是用作掩模和镜面及用于EUV微光刻的这种掩膜和镜面的基板，以及抛光这种基板的方法。

Claims (30)

1、一种基板，该基板具有小于230nmPV的平坦度和小于0.20nm的RMS表面粗糙度。
2、如权利要求1所述的用一种方法获得的基板，此方法包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
3、如权利要求1所述的用一种方法获得的基板，此方法包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层由树脂膜制成且压缩率为5％或更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
4、如权利要求2所述的用一种方法获得的基板，其中过程(a)包括：(a-1)通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程，此过程中使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低并提供抛光介质。
5、如权利要求3所述的用一种方法获得的基板，其中过程(a)包括：(a-1)通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程，此过程中使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低并提供抛光介质。
6、如权利要求4所述的用一种方法获得的基板，其中过程(a)包括：(a-2)在通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程(a-1)之后进行的过程，此过程中只提供不包含抛光介质的液体。
7、如权利要求5所述的用一种方法获得的基板，其中过程(a)包括：(a-2)在通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程(a-1)之后进行的过程，此过程中只提供不包含抛光介质的液体。
8、如权利要求6所述的用一种方法获得的基板，其中在过程(a-2)中施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低。
9、如权利要求7所述的用一种方法获得的基板，其中在过程(a-2)中施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低。
10、如权利要求2-9任一项所述的用一种方法获得的基板，此方法包括：(b)在过程(a)之前进行的将待抛光物体抛光到平坦度至少为230nmPV和RMS表面粗糙度至少为0.4nm的过程。
11、如权利要求2-9任一项所述的基板，其中过程(a)中所用的抛光介质是氧化铈抛光介质。
12、如权利要求2-9任一项所述的基板，其中过程(a)中所用的抛光介质的平均颗粒直径为1.0μm或更低。
13、如权利要求2-9任一项所述的基板，其中过程(a)中所用的抛光介质的浓度为1.0wt％或更低。
14、如权利要求1-9任一项所述的基板，其中在0℃至50℃温度范围内，平均线性热膨胀系数在0.0±03×10-7/℃范围内。
15、如权利要求1-9任一项所述的基板，其中在19℃至25℃温度范围内，平均线性热膨胀系数在0.0±03×10-7/℃范围内。
16、如权利要求1-9任一项所述的基板，该基板包含SiO2和TiO2。
17、一种用于光掩膜的基板，其采用如权利要求1-9任一项所述的基板。
18、采用如权利要求17所述的基板的光掩膜。
19、一种用于抛光基板的方法，包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层压缩率为或5％更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
20、如权利要求19所述的方法，包括：(a)用在抛光垫底层中包含至少一层由树脂膜制成且压缩率为或5％更低的抛光垫对待抛光物体进行抛光的过程。
21、如权利要求19所述的方法，其中过程(a)包括：(a-1)通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程，此过程中使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低并提供抛光介质。
22、如权利要求20所述的方法，其中过程(a)包括：(a-1)通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程，此过程中使施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低并提供抛光介质。
23、如权利要求21或22所述的方法，其中过程(a)包括：(a-2)在通过抛光机对待抛光物体进行抛光的过程(a-1)之后进行的过程，此过程中只提供不包含抛光介质的液体。
24、如权利要求23所述的方法，其中在(a-2)过程中施加到待抛光物体上的表面负荷保持为40g/cm2或更低。
25、如权利要求19-22任一项所述的方法，其中：抛光后，待抛光物体的平坦度小于230nmPV和待抛光物体的RMS表面粗糙度小于0.20nm。
26、如权利要求19-22任一项所述的方法，该方法包括：(b)在过程(a)之前进行的将待抛光物体抛光到平坦度至少为230nmPV和RMS表面粗糙度至少为0.4nm的过程。
27、如权利要求19-22任一项所述的方法，其中过程(a)中所用的抛光介质是氧化铈抛光介质。
28、如权利要求19-22任一项所述的方法，其中过程(a)中所用的抛光介质的平均颗粒直径为1.0μm或更低。
29、如权利要求19-22任一项所述的方法，其中过程(a)中所用的抛光介质的浓度为1.0wt％或更低。
30、如权利要求19-22任一项所述的方法，其中基板是用于光掩膜的基板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103329265A (zh) * 2010-12-22 2013-09-25 克里公司 包括具有导热通路的基片的电子器件次粘着基台
CN105842898A (zh) * 2016-05-30 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法和装置
CN112250313A (zh) * 2015-02-02 2021-01-22 康宁股份有限公司 强化层压玻璃制品边缘的方法及由此形成的层压玻璃制品
CN114527592A (zh) * 2020-11-23 2022-05-24 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5065574B2 (ja) * 2005-01-12 2012-11-07 住友電気工業株式会社 ＧａＮ基板の研磨方法
US20080318066A1 (en) * 2007-05-11 2008-12-25 Asml Holding N.V. Optical Component Fabrication Using Coated Substrates
US20080280539A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Asml Holding N.V. Optical component fabrication using amorphous oxide coated substrates
JP2008293552A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Fujitsu Ltd 基板、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記憶装置
US8399159B2 (en) 2008-11-26 2013-03-19 Hoya Corporation Mask blank substrate
TWI396003B (zh) 2009-07-30 2013-05-11 Au Optronics Corp 顯示面板及其邊框窄化、邊緣強度提昇方法
JP7219009B2 (ja) * 2018-03-27 2023-02-07 株式会社荏原製作所 基板保持装置およびドライブリングの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6648733B2 (en) * 1997-04-04 2003-11-18 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
GB2334205B (en) * 1998-02-12 2001-11-28 Shinetsu Handotai Kk Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein
US6159643A (en) * 1999-03-01 2000-12-12 Advanced Micro Devices, Inc. Extreme ultraviolet lithography reflective mask
ATE360051T1 (de) * 1999-08-13 2007-05-15 Cabot Microelectronics Corp Poliersystem und verfahren zu seiner verwendung
JP3664676B2 (ja) * 2001-10-30 2005-06-29 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法及びウェーハ研磨用研磨パッド
JP2003257910A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Fujikoshi Mach Corp 基板における銅層の研磨方法
WO2004028745A1 (en) * 2002-09-25 2004-04-08 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad for planarization
JP4234991B2 (ja) * 2002-12-26 2009-03-04 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板
DE10302342A1 (de) * 2003-01-17 2004-08-05 Schott Glas Substrat für die EUV-Mikrolithographie und Herstellverfahren hierfür
JP4790973B2 (ja) * 2003-03-28 2011-10-12 Ｈｏｙａ株式会社 研磨パッドを使用した情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその方法で得られた情報記録媒体用ガラス基板
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103329265A (zh) * 2010-12-22 2013-09-25 克里公司 包括具有导热通路的基片的电子器件次粘着基台
CN112250313A (zh) * 2015-02-02 2021-01-22 康宁股份有限公司 强化层压玻璃制品边缘的方法及由此形成的层压玻璃制品
CN105842898A (zh) * 2016-05-30 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法和装置
CN105842898B (zh) * 2016-05-30 2023-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法和装置
CN114527592A (zh) * 2020-11-23 2022-05-24 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法

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