CN1787178A - 一种砷化镓晶片清洗方法 - Google Patents

一种砷化镓晶片清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1787178A
CN1787178A CN 200410096843 CN200410096843A CN1787178A CN 1787178 A CN1787178 A CN 1787178A CN 200410096843 CN200410096843 CN 200410096843 CN 200410096843 A CN200410096843 A CN 200410096843A CN 1787178 A CN1787178 A CN 1787178A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solution
time
concentration
wafer
million
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200410096843
Other languages
English (en)
Other versions
CN100428419C (zh
Inventor
徐永宽
杨洪星
刘春香
吕菲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 46 Research Institute
Original Assignee
CETC 46 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 46 Research Institute filed Critical CETC 46 Research Institute
Priority to CNB2004100968432A priority Critical patent/CN100428419C/zh
Publication of CN1787178A publication Critical patent/CN1787178A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100428419C publication Critical patent/CN100428419C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种砷化镓晶片清洗方法，包括以下基本步骤：(1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗；(2)第一次漂洗；(3)第一次干燥处理；(4)用紫外臭氧清洗机清洗；(5)采用第二溶液进行第二次兆声清洗；(6)第二次漂洗；(7)第二次干燥处理。第一溶液为碱性水溶液，对砷化镓有轻微腐蚀作用；第二溶液为酸性水溶液，对砷化镓的氧化层有腐蚀作用。本发明通过步骤(1)可去除大部分颗粒，通过步骤(4)可将有机物基本去除，通过步骤(5)可彻底将吸附的颗粒和金属离子去除，并在砷化镓表面形成富砷表面，可以直接进行外延生长。采用本发明方法清洗砷化镓抛光片，不会出现破坏抛光表面的现象。

Description

一种砷化镓晶片清洗方法
技术领域  本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及砷化镓晶片的一种清洗方法。
背景技术  近年来随着科学技术的快速发展，对砷化镓等□-□族化合物半导体材料制造的半导体激光器、光纤通信用光接收组件、高速和高频半导体器件的需求越来越紧迫。制备出清洁的砷化镓晶片表面，是制造这类器件的关键。半导体晶片表面最重要的沾污有颗粒、有机物和金属离子。这些沾污和晶片的沾附可分为物理吸附和化学吸附。
对硅晶片，已经有了一套通用清洗工艺，即Kern和Puotinen(RCA Review，pp.187-206，June(1970)，)提出的RCA工艺。如今，硅晶片的清洗工艺虽然有些改进，但大都是以此为基础。该工艺用氨水、双氧水水溶液(SC-1)清洗颗粒，用盐酸、双氧水水溶液(SC-2)去除金属，用硫酸、双氧水水溶液(SC-3)去除有机物。
砷化镓由于表面化学性质活泼，不能简单套用硅的清洗工艺。现在普遍使用硫酸、双氧水水溶液溶液对砷化镓进行清洗，硫酸、双氧水、水的体积比为5∶1∶1或8∶1∶1；也有人使用稀的氨水、双氧水水溶液进行清洗。由于这些溶液对砷化镓腐蚀作用强，使表面粗糙度变差，甚至破坏抛光表面。到目前为止，还没有形成一套清洗砷化镓的标准方法。
新鲜的砷化镓表面在空气中很容易氧化生成Ga2O3和As2O3，特别是容易生成Ga2O3，所以氧化层中Ga2O3占大部分，其中夹杂有As原子。研究人员Z.H.Lu和C.Lagarde等(J.Vac.Sci.Technol.A 7，3，1989)研究发现，富砷的砷化镓表面其氧化层比较薄，更适合后续外延生长。所以清洗工艺制备出富砷的砷化镓表面，相对于化学计量比平衡和富镓的表面，对后续外延等工艺更为理想。
发明内容  本发明的目的在于提供一套可以有效去除砷化镓抛光片表面颗粒、有机物、金属等沾污的清洗工艺。采用本发明方法清洗砷化镓晶片，不会出现破坏抛光表面的现象。
本发明的清洗工艺方法包括以下步骤：
(1)将砷化镓晶片放入装有第一溶液的兆声槽内，加兆声波进行第一次兆声清洗；
(2)取出晶片，用水进行第一次漂洗；
(3)漂洗完后，对晶片进行第一次干燥处理；
(4)将干燥后的晶片放入紫外臭氧清洗机内清洗一段时间；
(5)从紫外臭氧清洗机内取出晶片放入装有第二溶液的兆声槽内，加兆声波进行第二次兆声清洗；
(6)取出晶片，用水进行第二次漂洗；
(7)漂洗完后，对晶片进行第二次干燥处理。
上述步骤(1)中所用第一溶液为碱性水溶液，可以使用无机碱、有机碱和碱性盐中的一种或者其混合。无机碱包括NaOH、KOH、NH4OH等，有机碱可以是TMAH等，碱性盐可以是Na2CO3、NaHCO3等，各成份在溶液中的浓度在10ppm到10％之间。
上述步骤(4)中晶片在紫外臭氧清洗机内清洗的时间最好在1～15分钟范围内，可根据表面沾污的轻重程度调整。如果表面沾污比较严重，可以加长清洗时间，但清洗时间太长，会造成晶片表面粗糙度变差。
上述步骤(5)中所用第二溶液为包含盐酸、氢氟酸等无机酸或者柠檬酸等有机酸的酸性水溶液，各成份在溶液中的浓度在10ppm到10％之间。
第一次兆声清洗和第二次兆声清洗都在15～65□温度范围内进行，清洗时间为1～10分钟，所用兆声波的频率在600KHz～1000KHz范围内，兆声波的功率在100～400W范围内。
第一次漂洗和第二次漂洗最好都选用去离子水，并在装有兆声的快排槽(QDR)内进行。
第一次干燥处理和第二次干燥处理都可用甩干机甩干，或者用异丙醇(IPA)蒸汽干燥。
为了提高清洗效果，第一溶液和第二溶液中都可以加入表面活性剂，离子型或者非离子型均可，浓度在10ppm到10％之间。第一溶液可以一次性使用，也可以循环过滤后重复使用；第二溶液由于是最终清洗，所以最好一次性使用。
本发明方法不仅可用于清洗砷化镓晶片，还可用于清洗其它化合物半导体晶片。
第一溶液对砷化镓有轻微腐蚀作用，而第二溶液则对砷化镓的氧化层有腐蚀作用。步骤(1)中在第一溶液和兆声能量的作用下，可去除大部分颗粒，但仍留有部分有机物和吸附强度比较大的颗粒和金属离子。通过步骤(4)可将有机物基本去除，并且在晶片表面生成一层氧化层，将吸附的颗粒和金属离子包裹在氧化层中。步骤(5)中，第二溶液将氧化层腐蚀掉，通过兆声能量彻底将吸附的颗粒和金属离子去除。步骤(5)还在砷化镓表面形成富砷表面，可以直接进行外延生长。
本发明具有如下有益效果：
1、可有效去除晶片表面颗粒、金属、有机物，获得高度清洁的表面。
2、不破坏晶片表面。
3、表面达到免清洗(Epi-ready)要求。
以下结合具体的实施例对本发明做进一步的说明。
具体实施方式  第一实施例：
本例中，第一溶液为KOH水溶液，浓度为2000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为200ppm；第二溶液为盐酸溶液，浓度为200ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为30ppm。通过以下步骤可完成对晶片的清洗：
(1)将装有刚抛光后的4英寸砷化镓晶片的花篮，放入装有第一溶液的兆声槽内清洗，温度30℃，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦，清洗时间5分钟。
(2)将花篮放入带兆声的快排槽(QDR)内进行漂洗，快排3次。
(3)将花篮放入甩干机内甩干。
(4)将晶片放入紫外臭氧清洗机内清洗，清洗时间为5分钟。
(5)将装有晶片的花篮放入装有第二溶液的兆声槽内清洗，温度45℃，波频率为860KHz，兆声功率300瓦，清洗时间5分钟。
(6)将花篮放入带兆声的快排槽(QDR)内进行漂洗，快排3次。
(7)将花篮放入甩干机内甩干。
用Tencor 6400表面分析仪对经上述步骤清洗后的晶片进行检测，晶片表面留存的大于0.2微米的颗粒数平均为21。
第二实施例：
本例中，第一溶液为NaOH水溶液，浓度为2000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为200ppm；第二溶液为氢氟酸溶液，浓度为2000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为30ppm。通过以下步骤可完成对晶片的清洗：
(1)将装有刚抛光后的4英寸砷化镓晶片的花篮，放入装有第一溶液的兆声槽内清洗，温度30℃，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦，清洗时间5分钟。
(2)将花篮放入带兆声的QDR槽内进行漂洗，快排3次。
(3)将晶片用异丙醇(IPA)蒸汽干燥。
(4)将晶片放入紫外臭氧清洗机内清洗，清洗时间为5分钟。
(5)将装有晶片的花篮放入装有第二溶液的兆声槽内清洗，温度45℃，波频率为860KHz，兆声功率300瓦，清洗时间5分钟。
(6)将花篮放入带兆声的QDR槽内进行漂洗，快排3次。
(7)将花篮放入甩干机内甩干。
用Tencor 6400表面分析仪对经上述步骤清洗后的晶片进行检测，晶片表面留存的大于0.2微米的颗粒数平均为101。
第三实施例
本例中，第一溶液为TMAH水溶液，浓度为4000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为200ppm；第二溶液为盐酸溶液，浓度为200ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为30ppm。通过以下步骤可完成对晶片的清洗：
(1)将装有刚抛光后的4英寸砷化镓晶片的花篮，放入装有第一溶液的兆声槽内清洗，温度30℃，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦，清洗时间5分钟。
(2)将花篮放入带兆声的QDR槽内进行漂洗，快排3次。
(3)将晶片用异丙醇(IPA)蒸汽干燥。
(4)将晶片放入紫外臭氧清洗机内清洗，清洗时间为5分钟。
(5)将装有晶片的花篮放入装有第二溶液的兆声槽内清洗，温度45℃，波频率为860KHz，兆声功率300瓦，清洗时间5分钟。
(6)将花篮放入带兆声的QDR槽内进行漂洗，快排3次。
(7)将晶片用异丙醇(IPA)蒸汽干燥。
用Tencor 6400表面分析仪对经上述步骤清洗后的晶片进行检测，晶片表面留存的大于0.2微米的颗粒数平均为206。

Claims (8)

1、一种砷化镓晶片清洗方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将砷化镓晶片放入装有第一溶液的兆声槽内，加兆声波进行第一次兆声清洗；
(2)取出晶片，用水进行第一次漂洗；
(3)漂洗完后，对晶片进行第一次干燥处理；
(4)将干燥后的晶片放入紫外臭氧清洗机内清洗一段时间；
(5)从紫外臭氧清洗机内取出晶片放入装有第二溶液的兆声槽内，加兆声波进行第二次兆声清洗；
(6)取出晶片，用水进行第二次漂洗；
(7)漂洗完后，对晶片进行第二次干燥处理；
所述步骤(1)中所用第一溶液为碱性水溶液，所述步骤(5)中所用第二溶液为酸性水溶液。
2、根据权利要求1所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，所述第一溶液是无机碱、有机碱和碱性盐中的一种或者其混合的水溶液；无机碱可以是NaOH、KOH或NH4OH，有机碱可以是TMAH，碱性盐可以是Na2CO3或NaHCO3，各成份在溶液中的浓度在10ppm到10％之间；
所述第二溶液是无机酸或有机酸的水溶液；无机酸可以是盐酸或氢氟酸，有机酸可以是柠檬酸，各成份在溶液中的浓度在10ppm到10％之间。
3、根据权利要求2所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，第一溶液和第二溶液中都可以加入离子型或者非离子型表面活性剂，浓度在10ppm到10％之间。
4、根据权利要求1或2或3所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，第一次兆声清洗和第二次兆声清洗都在15～65□温度范围内进行，清洗时间为1～10分钟，所用兆声波的频率在600KHz～1000KHz范围内，兆声波的功率在100～400W范围内。
5、根据权利要求4所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，第一次漂洗和第二次漂洗都选用去离子水，并在装有兆声的快排槽内进行；
晶片在紫外臭氧清洗机内清洗的时间在1～15分钟范围内；
第一次干燥处理和第二次干燥处理都可用甩干机甩干，或者用异丙醇蒸汽干燥。
6、根据权利要求5所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，第一溶液为KOH水溶液，浓度为2000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为200ppm；第二溶液为盐酸溶液，浓度为200ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为30ppm；
第一次兆声清洗在温度30℃下清洗时间5分钟，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦；晶片在紫外臭氧清洗机内清洗时间为5分钟；
第二次兆声清洗在温度45℃下清洗时间5分钟，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦；
第一次干燥处理和第二次干燥处理都用甩干机甩干。
7、根据权利要求5所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，第一溶液为NaOH水溶液，浓度为2000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为200ppm；第二溶液为氢氟酸溶液，浓度为2000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为30ppm；
第一次兆声清洗在温度30℃下清洗时间5分钟，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦；晶片在紫外臭氧清洗机内清洗时间为5分钟；
第二次兆声清洗在温度45℃下清洗时间5分钟，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦；
第一次干燥处理用异丙醇蒸汽干燥，第二次干燥处理用甩干机甩干。
8、根据权利要求5所述的砷化镓晶片清洗方法，其特征在于，第一溶液为TMAH水溶液，浓度为4000ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为200ppm；第二溶液为盐酸溶液，浓度为200ppm，溶液中加有表面活性剂Wako 601，浓度为30ppm；
第一次兆声清洗在温度30℃下清洗时间5分钟，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦；晶片在紫外臭氧清洗机内清洗时间为5分钟；
第二次兆声清洗在温度45℃下清洗时间5分钟，兆声波频率为860KHz，功率为300瓦；
第一次干燥处理和第二次干燥处理都用异丙醇蒸汽干燥。
CNB2004100968432A 2004-12-08 2004-12-08 一种砷化镓晶片清洗方法 Expired - Fee Related CN100428419C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2004100968432A CN100428419C (zh) 2004-12-08 2004-12-08 一种砷化镓晶片清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2004100968432A CN100428419C (zh) 2004-12-08 2004-12-08 一种砷化镓晶片清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1787178A true CN1787178A (zh) 2006-06-14
CN100428419C CN100428419C (zh) 2008-10-22

Family

ID=36784571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100968432A Expired - Fee Related CN100428419C (zh) 2004-12-08 2004-12-08 一种砷化镓晶片清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100428419C (zh)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392808C (zh) * 2006-06-23 2008-06-04 河北工业大学 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法
CN101494252B (zh) * 2009-02-26 2010-06-09 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺
CN101935843A (zh) * 2010-08-13 2011-01-05 无锡春辉科技有限公司 三扩片减薄后的清洗方法
CN101937845A (zh) * 2010-08-24 2011-01-05 如皋市日鑫电子有限公司 一种二极管台面处理工艺
CN102064090A (zh) * 2010-10-15 2011-05-18 北京通美晶体技术有限公司 化合物半导体晶片清洗方法
CN102468126A (zh) * 2010-11-05 2012-05-23 无锡华润上华半导体有限公司 圆片清洗方法
CN101661869B (zh) * 2008-08-25 2012-06-13 北京有色金属研究总院 一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法
CN102969221A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 上海华力微电子有限公司 减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法
CN103199005A (zh) * 2013-03-11 2013-07-10 常州捷佳创精密机械有限公司 一种晶体硅片的清洗工艺方法
CN103219424A (zh) * 2013-04-09 2013-07-24 中国电子科技集团公司第十一研究所 锑化铟红外探测器脱水处理方法
CN103311094A (zh) * 2012-03-16 2013-09-18 中国科学院微电子研究所 一种对晶圆表面进行处理的方法
CN103456836A (zh) * 2008-02-12 2013-12-18 国立大学法人东北大学 一种太阳能电池的制造方法
WO2014124980A3 (en) * 2013-02-15 2014-12-11 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for producing a gallium arsenide substrate, gallium arsenide substrate, use thereof, and method of characterizing the surface properties of a gallium arsenide substrate
CN104392898A (zh) * 2014-10-11 2015-03-04 北京工业大学 一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法
CN106000977A (zh) * 2016-08-01 2016-10-12 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓单晶片清洗的方法
CN106583331A (zh) * 2015-10-14 2017-04-26 上海宝钢工业技术服务有限公司 小型玻璃管浮子流量计的污垢清洗方法
CN108630522A (zh) * 2017-03-22 2018-10-09 东莞新科技术研究开发有限公司 芯片表面的清洗方法
WO2018216440A1 (ja) * 2017-05-26 2018-11-29 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャル層付ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体基板
JP2019117959A (ja) * 2011-05-18 2019-07-18 住友電気工業株式会社 エピタキシャル成長用の化合物半導体基板の製造方法、化合物半導体基板上のエピタキシャル成長方法および化合物半導体基板。
CN110114518A (zh) * 2017-05-26 2019-08-09 住友电气工业株式会社 GaAs衬底及其制造方法
CN110373720A (zh) * 2019-09-03 2019-10-25 广东先导先进材料股份有限公司 一种砷化镓背侵的去除方法
CN110695842A (zh) * 2019-11-01 2020-01-17 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法
CN111063609A (zh) * 2019-12-18 2020-04-24 武汉百臻半导体科技有限公司 一种半导体芯片清洗方法
CN112687759A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种基于表面修饰与活化的低温半导体直接键合方法
CN112992657A (zh) * 2021-03-01 2021-06-18 昆山基侑电子科技有限公司 一种晶圆清洗方法
WO2023139759A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体単結晶基板およびその製造方法
CN117253778A (zh) * 2023-10-30 2023-12-19 中环领先半导体材料有限公司 一种晶圆的清洗方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755106B (zh) * 2019-01-11 2021-05-11 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种晶圆清洗方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195369A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Daikin Ind Ltd 基板の洗浄方法
JPH08264500A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Sony Corp 基板の洗浄方法
CN1111899C (zh) * 2000-04-11 2003-06-18 北京高力通科技开发公司 紫外光表面清洗机
EP1389496A1 (en) * 2001-05-22 2004-02-18 Mitsubishi Chemical Corporation Method for cleaning surface of substrate
JP2003318151A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2004172573A (ja) * 2002-10-29 2004-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392808C (zh) * 2006-06-23 2008-06-04 河北工业大学 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法
CN103456836A (zh) * 2008-02-12 2013-12-18 国立大学法人东北大学 一种太阳能电池的制造方法
CN101661869B (zh) * 2008-08-25 2012-06-13 北京有色金属研究总院 一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法
CN101494252B (zh) * 2009-02-26 2010-06-09 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺
CN101935843A (zh) * 2010-08-13 2011-01-05 无锡春辉科技有限公司 三扩片减薄后的清洗方法
CN101937845A (zh) * 2010-08-24 2011-01-05 如皋市日鑫电子有限公司 一种二极管台面处理工艺
CN102064090B (zh) * 2010-10-15 2013-01-09 北京通美晶体技术有限公司 化合物半导体晶片清洗方法
WO2012048534A1 (zh) * 2010-10-15 2012-04-19 北京通美晶体技术有限公司 化合物半导体晶片清洗方法
CN102064090A (zh) * 2010-10-15 2011-05-18 北京通美晶体技术有限公司 化合物半导体晶片清洗方法
US8691019B2 (en) 2010-10-15 2014-04-08 Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. Process for cleaning a compound semiconductor wafer
CN102468126A (zh) * 2010-11-05 2012-05-23 无锡华润上华半导体有限公司 圆片清洗方法
CN102468126B (zh) * 2010-11-05 2013-10-23 无锡华润上华半导体有限公司 圆片清洗方法
JP2021015999A (ja) * 2011-05-18 2021-02-12 住友電気工業株式会社 エピタキシャル成長用の化合物半導体基板の製造方法、化合物半導体基板上のエピタキシャル成長方法および化合物半導体基板
JP2019117959A (ja) * 2011-05-18 2019-07-18 住友電気工業株式会社 エピタキシャル成長用の化合物半導体基板の製造方法、化合物半導体基板上のエピタキシャル成長方法および化合物半導体基板。
JP7060060B2 (ja) 2011-05-18 2022-04-26 住友電気工業株式会社 エピタキシャル成長用の化合物半導体基板の製造方法、化合物半導体基板上のエピタキシャル成長方法および化合物半導体基板
CN102969221A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 上海华力微电子有限公司 减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法
CN103311094A (zh) * 2012-03-16 2013-09-18 中国科学院微电子研究所 一种对晶圆表面进行处理的方法
WO2014124980A3 (en) * 2013-02-15 2014-12-11 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for producing a gallium arsenide substrate, gallium arsenide substrate, use thereof, and method of characterizing the surface properties of a gallium arsenide substrate
US11170989B2 (en) 2013-02-15 2021-11-09 Freiberger Compound Materials Gmbh Gallium arsenide substrate comprising a surface oxide layer with improved surface homogeneity
CN104969328A (zh) * 2013-02-15 2015-10-07 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
CN104969328B (zh) * 2013-02-15 2020-07-10 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
JP2016519033A (ja) * 2013-02-15 2016-06-30 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ ガリウム砒素基板の製造方法、ガリウム砒素基板、及びその使用方法
US10460924B2 (en) 2013-02-15 2019-10-29 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for producing a gallium arsenide substrate which includes marangoni drying
EP3358601A3 (en) * 2013-02-15 2018-11-28 Freiberger Compound Materials GmbH Gallium arsenide substrate and process for characterizing its surface
TWI602236B (zh) * 2013-02-15 2017-10-11 富瑞柏格化合材料公司 砷化鎵基片和表面處理過的砷化鎵基片及其製法和使用
CN107634000A (zh) * 2013-02-15 2018-01-26 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
EP4057322A3 (en) * 2013-02-15 2022-11-30 Freiberger Compound Materials GmbH Gallium arsenide substrate and method for its surface characterization
CN107634000B (zh) * 2013-02-15 2022-09-23 弗赖贝格化合物原料有限公司 用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途
CN103199005A (zh) * 2013-03-11 2013-07-10 常州捷佳创精密机械有限公司 一种晶体硅片的清洗工艺方法
CN103199005B (zh) * 2013-03-11 2015-12-23 常州捷佳创精密机械有限公司 一种晶体硅片的清洗工艺方法
CN103219424B (zh) * 2013-04-09 2015-09-16 中国电子科技集团公司第十一研究所 锑化铟红外探测器脱水处理方法
CN103219424A (zh) * 2013-04-09 2013-07-24 中国电子科技集团公司第十一研究所 锑化铟红外探测器脱水处理方法
CN104392898A (zh) * 2014-10-11 2015-03-04 北京工业大学 一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法
CN106583331A (zh) * 2015-10-14 2017-04-26 上海宝钢工业技术服务有限公司 小型玻璃管浮子流量计的污垢清洗方法
CN106000977A (zh) * 2016-08-01 2016-10-12 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓单晶片清洗的方法
CN106000977B (zh) * 2016-08-01 2018-10-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓单晶片清洗的方法
CN108630522A (zh) * 2017-03-22 2018-10-09 东莞新科技术研究开发有限公司 芯片表面的清洗方法
CN110114518A (zh) * 2017-05-26 2019-08-09 住友电气工业株式会社 GaAs衬底及其制造方法
JP6477990B1 (ja) * 2017-05-26 2019-03-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャル層付ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板
WO2018216440A1 (ja) * 2017-05-26 2018-11-29 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャル層付ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体基板
CN110373720A (zh) * 2019-09-03 2019-10-25 广东先导先进材料股份有限公司 一种砷化镓背侵的去除方法
CN110695842A (zh) * 2019-11-01 2020-01-17 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法
CN111063609A (zh) * 2019-12-18 2020-04-24 武汉百臻半导体科技有限公司 一种半导体芯片清洗方法
CN112687759A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种基于表面修饰与活化的低温半导体直接键合方法
CN112992657A (zh) * 2021-03-01 2021-06-18 昆山基侑电子科技有限公司 一种晶圆清洗方法
WO2023139759A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体単結晶基板およびその製造方法
CN117253778A (zh) * 2023-10-30 2023-12-19 中环领先半导体材料有限公司 一种晶圆的清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100428419C (zh) 2008-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1787178A (zh) 一种砷化镓晶片清洗方法
CN1082246C (zh) 清洁处理基片的方法
US20070093406A1 (en) Novel cleaning process for masks and mask blanks
JP6088431B2 (ja) 化合物半導体ウエハーのクリーニング方法
JP4951625B2 (ja) シリコン表面の調製
CN102500573B (zh) 一种α-Al2O3单晶的清洗方法
CN1875464A (zh) 含有不饱和二羧酸和亚乙基脲的半导体用洗涤液组合物和洗涤方法
CN1894050A (zh) 超临界流体基清洗组合物和方法
CN1885499A (zh) 衬底的表面处理方法及ⅲ－ⅴ族化合物半导体的制造方法
CN101276856A (zh) 硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备
CN1528011A (zh) 用于清洗衬底表面的晶片清洗组件及其方法
CN1770404A (zh) 清洗溶液和使用该溶液清洗半导体器件的方法
CN100346453C (zh) 清洗微结构的方法
CN1866466A (zh) 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法
JP2000183378A (ja) シリコン太陽電池の製造方法
CN113195699B (zh) 洗涤剂组成物及利用其的洗涤方法
US20090090392A1 (en) Method of cleaning a semiconductor wafer
US7284558B2 (en) Enhanced megasonic based clean using an alternative cleaning chemistry
CN105513948B (zh) 一种砷化镓材料表面的改性方法
CN111185433B (zh) 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN1851050A (zh) 一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
CN1198323C (zh) 半导体晶片的清洗方法
Wang et al. The effect of argon plasma cleaning on the surface characteristics of GaAs substrate
JP2003100671A (ja) 半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハ
JP2001053042A (ja) 環境雰囲気からの電子デバイス用基板の有機汚染防止法及び防止処理が施された電子デバイス用基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081022

Termination date: 20101208