CN102468126A - 圆片清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种圆片清洗方法，包括以下步骤：检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗。上述圆片清洗方法，预先检测时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗，避免了刚换蚀刻液对圆片背面的多晶硅介质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。

Description

圆片清洗方法
【技术领域】
本发明涉及半导体工艺，特别涉及一种圆片清洗方法。
【背景技术】
半导体工艺中，需要采用蚀刻液对圆片进行清洗，以去除干法蚀刻后残留的多聚物(PLOYMER)，一般采用有机胺碱溶剂EKC进行清洗。然而该工序完成后有时会出现圆片晶背发花的严重异常现象，且晶背异常图形主要含有多种机器手臂形状。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种圆片清洗方法，减少圆片晶背产生缺陷。
一种圆片清洗方法，包括以下步骤：
检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗。
优选地，所述方法还包括步骤：当检测所述时间间隔小于预设时间时，继续进行检测。
优选地，所述蚀刻液为有机胺碱溶剂。
优选地，所述有机胺碱溶剂为EKC270，所述预设时间为4小时。
优选地，所述圆片包括通孔层、金属层和焊盘层，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗所述通孔层。
优选地，所述清洗通孔层的时间为40分钟。
优选地，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗所述金属层。
优选地，所述清洗金属层的时间为20分钟。
优选地，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗所述焊盘层。
优选地，所述清洗焊盘层的时间为40分钟。
上述圆片清洗方法，预先检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗，避免了刚换蚀刻液对圆片背面的多晶硅介质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。
【附图说明】
图1为一个实施例中圆片清洗方法流程图；
图2为一个实施例中EKC270对多晶硅介质的蚀刻速率示意图；
图3为一个实施例中EKC270对氧化层的蚀刻速率示意图；
图4为一个实施例中EKC270对含氧化层的多晶硅介质清洗的状态示意图。
【具体实施方式】
如图1所示，一种圆片清洗方法，包括以下步骤：
步骤S10，检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则执行步骤S20，若否，则继续检测。即在进行传统的蚀刻液清洗步骤S20前增加步骤S10。该预设时间是根据蚀刻液对圆片的蚀刻速率的实验结果设定。以DuPont Electronic Technologies公司下属的EKC Technology公司生产的EKC270为蚀刻液，则该预设时间根据实验结果为4小时，该时间可有适当的偏差。另外，蚀刻液的生命周期(life time)为相邻两次蚀刻液换液的时间间隔，可预先设定。一般圆片在蚀刻液清洗后，在其圆片的晶背表面会留下发花，晶背包括多晶硅介质(U-PLOY)和氧化层(OXIDE)介质。
如图2所示，实验表明，当距上次EKC270(65℃～75℃)的换液的时间小于4小时时，即相邻两次EKC270换液之间的时间间隔小于4小时时，对多晶硅介质的腐蚀速率快且均一性差，随着距上次EKC270的换液的时间的增加，EKC270对多晶硅介质的腐蚀速率逐渐降低，当距上次EKC270的换液的时间大于等于4小时时，腐蚀速率约为
Figure BSA00000335661100021
这样腐蚀速率较慢，且相对稳定，腐蚀均一性较好，不易形成晶背的发花，减少了晶背缺陷的出现。
EKC270的成分包括胺基有机物(R-NH2)，异丙醇胺(MIPA)，椰油酰胺(MEA)，二乙二醇胺(DGA)，己二胺(HDA)，邻苯二酚(Catechol)和水(H2O)。EKC270对多晶硅介质具有腐蚀反应，腐蚀的速率取决于水的含量，如表1，水的含量越高，则EKC270对多晶硅介质腐蚀速率越快。
表1
Figure BSA00000335661100031
另外，如图3所示，EKC270对氧化层介质的腐蚀速率很低，大约为
Figure BSA00000335661100032
Figure BSA00000335661100033
如图4为EKC270对含氧化层的多晶硅介质清洗时的结果示意图。
步骤S20，采用蚀刻液清洗圆片。圆片的通孔层(VIA)、金属层(METAL)和焊盘层(PAD)经过干法蚀刻(dry etch)后，在通孔层、金属层和焊盘层上产生多聚物(PLOYMER)。采用蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗通孔层上产生的多聚物，清洗时间为40分钟。
采用蚀刻液清洗金属层上产生的多聚物，清洗时间为20分钟。
采用蚀刻液清洗焊盘层上产生的多聚物，清洗时间为40分钟。
上述清洗时间可以偏差1至2分钟。
上述圆片清洗方法，预先检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗，避免了使用刚换蚀刻液对圆片背面的多晶硅介质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种圆片清洗方法，包括以下步骤：
检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔；
在所述时间间隔大于等于预设时间时，采用蚀刻液对圆片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：当所述时间间隔小于预设时间时，继续进行检测。
3.根据权利1或2所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述蚀刻液为有机胺碱溶剂。
4.根据权利3所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述有机胺碱溶剂为EKC270，所述预设时间为4小时。
5.根据权利要求1所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述圆片包括通孔层、金属层和焊盘层，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗所述通孔层。
6.根据权利要求5所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述清洗通孔层的时间为40分钟。
7.根据权利要求5所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗所述金属层。
8.根据权利要求7所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述清洗金属层的时间为20分钟。
9.根据权利要求5所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括：
采用蚀刻液清洗所述焊盘层。
10.根据权利要求9所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述清洗焊盘层的时间为40分钟。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108067481A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 广州康昕瑞基因健康科技有限公司 基因测序仪清洗方法和***

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1393912A (zh) * 2001-06-26 2003-01-29 旺宏电子股份有限公司 半导体晶片的清洗方法
CN1591779A (zh) * 2003-09-05 2005-03-09 株式会社东芝 晶片清洗方法与设备
CN1787178A (zh) * 2004-12-08 2006-06-14 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓晶片清洗方法
US20060260638A1 (en) * 2005-03-08 2006-11-23 Pejman Fani Method and system for processing substrates with sonic energy that reduces or eliminates damage to semiconductor devices
CN101359578A (zh) * 2007-08-05 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法及装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1393912A (zh) * 2001-06-26 2003-01-29 旺宏电子股份有限公司 半导体晶片的清洗方法
CN1591779A (zh) * 2003-09-05 2005-03-09 株式会社东芝 晶片清洗方法与设备
CN1787178A (zh) * 2004-12-08 2006-06-14 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓晶片清洗方法
US20060260638A1 (en) * 2005-03-08 2006-11-23 Pejman Fani Method and system for processing substrates with sonic energy that reduces or eliminates damage to semiconductor devices
CN101359578A (zh) * 2007-08-05 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法及装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108067481A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 广州康昕瑞基因健康科技有限公司 基因测序仪清洗方法和***

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