CN1757440A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供可高精度地检测可能与狭缝喷嘴接触的异物等的狭缝式涂敷机。可挠性平板(61)配置在狭缝喷嘴(1)的行进前方侧(+X侧),激光向平板(61)的后方侧(-X侧)照射。在涂敷处理中在狭缝喷嘴(1)应该行进的基板90上,存在异物等被检测物体(NG)的情况下,在被检测物体(NG)与狭缝喷嘴(1)接触之前,被检测物体(NG)与平板(61)接触。平板(61)一旦与被检测物体(NG)接触,其一部分会发生挠性变形向-X侧相对移动,遮断激光。基于此激光受光量的减少,可以检测出被检测物体(NG)。

Description

基板处理装置
技术区域
本发明涉及一种在被保持在保持面的基板上涂敷处理液的基板处理装置。
背景技术
在液晶用方形玻璃基板、半导体基板、薄膜液晶用柔性基板、光掩模用基板、滤色器用基板等各种基板的制造工序中,都使用向基板表面涂敷处理液的基板处理装置,即涂敷处理装置。作为这样的涂敷处理装置公知的有,通过从狭缝喷嘴喷出处理液,同时使狭缝喷嘴相对基板移动,进行将处理液涂敷于基板全体的狭缝涂敷的狭缝式涂敷机和狭缝涂敷后使基板翻转的狭缝·旋转式涂敷机等等。
在这些涂敷处理装置进行狭缝涂敷时,在狭缝喷嘴的前端部与基板接近的状态,使狭缝喷嘴相对于基板移动。为此,如果基板的表面附着了异物,或是由于基板与保持该基板的保持面之间有异物导致基板上有***部的话,这些异物或是***部会跟狭缝喷嘴相接触,从而引起狭缝喷嘴的损伤、基板的损伤、或是导致涂敷不良等问题。
因此,一直以来,为了防止这种狭缝喷嘴与异物等相接触,有在狭缝喷嘴行进的前方侧配置长尺状的平板,基于此平板与异物等接触产生的平板的振动,检测异物等的技术被提出(例如,参照特许文献1以及2)。
特许文献1:JP特开2000-24571号公报。
特许文献2:JP特开2002-1195号公报。
但是,上述现有技术,因为是基于平板振动(摆动变化)检查异物等被检测物体,所以有时会有根据因例如狭缝喷嘴的移动或是伴随外部装置动作的振动等,平板与被检测物体接触之外产生的干扰振动而误认为检测出了被检测物体,检测被检测物体的精度很低。
发明内容
本发明是鉴于上述课题的,目的在于提供一种可以不受干扰振动影响,高精度地检测被检测物体的基板处理装置。
为了解决上述问题,实施方案1所述的发明是一种向被保持在保持面的基板涂敷处理液的基板处理装置,其特征在于,具有可以从沿着与上述保持面大致平行的第1方向延伸的狭缝状喷出口向上述基板喷出处理液的喷嘴;通过使上述喷嘴相对于上述基板沿着与上述保持面大致平行且与上述第1方向互相垂直的第2方向相对移动,上述喷嘴对上述基板进行喷出扫描的移动机构;相对于上述喷嘴,相对固定在上述喷出扫描的上述喷嘴行进的前方侧,且沿着上述第1方向延伸的检测用构件;检测由在上述排液扫描过程中被检测物体与上述检测用构件相接触产生的、上述检测用构件相对于上述喷嘴向与上述前方侧相反的后方侧的相对移动的检测机构。
此外,实施方案2所述的发明,在实施方案1所记载的基板处理装置的基础上,上述检测单元具有相对于上述喷嘴相对固定,且对上述相对移动时上述检测用构件的移动路线的至少一部分投射激光的投光部;接受上述激光的受光部。
此外,实施方案3所述的发明,在实施方案2所记载的基板处理装置中的上述检测用构件是非透明构件。
此外,实施方案4所述的发明,在实施方案2或3所记载的基板处理装置中,上述检测用构件具有可挠性。
此外,实施方案5所述的发明,在实施方案2或3所记载的基板处理装置中,上述受光部是光点型受光传感器。
此外,实施方案6所述的发明,在实施方案2或3所记载的基板处理装置中,上述受光部是沿着上述第2方向延伸的线型受光传感器。
此外,实施方案7所述的发明,在实施方案2或3所记载的基板处理装置中,上述受光部配置在可以接受来自上述投光部的上述激光的直接光的位置。
此外,实施方案8所述的发明,在实施方案4所记载的基板处理装置中,上述受光部配置在不能直接来自上述投光部的上述激光的直接光,而可以接受被上述相对移动的上述检测用构件的部分反射的上述激光的反射光的位置。
此外,实施方案9所述的发明,在实施方案4所记载的基板处理装置中,上述检测用构件相对于上述喷嘴被固定在上述第1方向的多个位置。
此外,实施方案10所述的发明,在实施方案1所记载的基板处理装置中,上述检测单元具有检测相对于上述喷嘴的上述检测用构件的相对移动量的位移计。
此外,实施方案11所述的发明,在实施方案10所记载的基板处理装置中,上述检测单元具备多个上述位移计,多个上述位移计分别配置在上述检测用构件在上述第1方向的多个位置上。
此外,实施方案12所述的发明,在实施方案11所记载的基板处理装置中,上述检测用构件沿着上述第1方向排列,并且,由相互独立并相对上述喷嘴可以向上述后方侧相对移动的多个部分构件构成,多个上述位移计分别配置在上述多个部分构件上。
此外,实施方案13所述的发明,在实施方案1所记载的基板处理装置中,上述检测用构件由导体构成,上述检测单元在与上述检测用构件之间隔着绝缘构件配置在上述检测用构件的上述后方侧,具有由导体构成,并且,沿着上述第1方向延伸的开关构件和,电性检测上述检测用构件和上述开关构件的接触的机构。
此外,实施方案14所述的发明,在实施方案13所记载的基板处理装置中,上述检测用构件具有可挠性。
根据实施方案1~14所述的发明,不检测用构件的振动,而检测检测用构件的移动,所以可以不受干扰振动的影响,能够高精度地检测被检测物体。
此外,特别地根据实施方案2~9所述的发明,基于受光部的受光量的变化,可以容易地检测检测用构件的相对移动。
此外,特别地根据实施方案3所述的发明,可以可靠地遮蔽激光,提高检测精度。
此外,特别地根据实施方案4所述的发明,因为检测用构件具有可挠性,即使检测用构件与被检测物体相接触,其仅发生部分挠性变形,可以防止检测用构件的破损。此外,可以扩大遮蔽激光的区域,提高检测精度。
此外,特别地根据实施方案5所述的发明,可以使检测机构小型化。
此外,特别地根据实施方案6所述的发明,因为线型受光传感器大致沿着激光的移动路线,可以可靠地检测激光受光量的变化。
此外,特别地根据实施方案7所述的发明,可以使检测机构小型化。
此外,特别地根据实施方案8所述的发明,因为不需要高精度地对向配置受光部和照射部,可以减轻受光部配置的调整操作的负担。
此外,特别地根据实施方案9所述的发明,可以防止因检测用构件自重产生的弯曲,可以提高检测精度。
此外,特别地根据实施方案10~12所述的发明,通过位移计,可以容易地检测检测用构件的相对移动。
此外,特别地根据实施方案11所述的发明,因为可以根据多个位移计检测检测用构件的相对移动,可以提高检测被检测物体的精度。
此外,特别地根据实施方案12所述的发明,检测用构件由相互独立并可以相对移动的多个部分构件构成,通过分别配置的位移计,可以进一步提高检测被检测物体的精度。
此外,特别地根据实施方案13以及14所述的发明,通过比较单纯的结构,可以容易地检测出检测用构件的相对移动。
此外,特别地根据实施方案14所述的发明,因为检测用构件具有挠性,即使检测用构件与被检测物体相接触,其仅发生部分挠性变形,可以防止检测用构件的破损。
附图说明
图1是表示狭缝式涂敷机的概略结构的立体图。
图2是表示被检测物体的一个例子的图。
图3是表示被检测物体的一个例子的图。
图4是第一实施方式中异物检测部的立体图。
图5是第一实施方式中异物检测部的侧视图。
图6是第一实施方式中异物检测部的侧视图。
图7是表示狭缝式涂敷机的动作流程的图。
图8是第二实施方式中异物检测部的侧视图。
图9是第二实施方式中异物检测部的侧视图。
图10是第三实施方式中异物检测部的侧视图。
图11是第三实施方式中异物检测部的侧视图。
图12是第四实施方式中异物检测部的侧视图。
图13是第四实施方式中异物检测部的侧视图。
图14是第五实施方式中异物检测部的侧视图。
图15是第五实施方式中异物检测部的侧视图。
图16是第六实施方式中异物检测部的立体图。
图17是第七实施方式中异物检测部的立体图。
图18是第七实施方式中异物检测部的侧视图。
图19是第七实施方式中异物检测部的侧视图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。
1.基板处理装置的概要
图1是表示作为涉及本发明实施方式的基板处理装置,即狭缝式涂敷机1的概略结构的立体图。狭缝式涂敷机1是,进行被称为狭缝式涂敷的涂敷处理的涂敷处理装置,狭缝式涂敷即是向基板90的表面涂敷作为处理液的抗蚀剂液,上述狭缝式涂敷机1被利用于有选择地蚀刻在基板90表面形成的电极层等工艺过程等。成为狭缝式涂敷机1的涂敷对象的基板90代表性的是用于制造液晶显示装置的画面面板的方形玻璃基板,但也可以是半导体基板、薄膜液晶用柔性基板,光掩模用基板、滤色器用基板等其他基板。
如图1所示,狭缝式涂敷机1,大致分为实施涂敷处理的涂敷处理部2和控制涂敷处理部的控制部8。进而,涂敷处理部2大致划分为用于保持基板90的载物台3,向保持在载物台3上的基板90喷出抗蚀液的喷出机构4和使喷出机构4向规定方向移动的移动机构5。
另外,在下面的说明中,在表示方向以及朝向时,酌情使用图示的3维的XYZ直角坐标系。此XYZ轴相对于载物台3是相对固定的。在这里,X轴以及Y轴方向是水平方向,Z轴方向是垂直方向(+Z侧是上方)。此外,X轴方向为纵深方向(+X侧是正面侧),Y轴方向为左右方向(+Y侧是右侧)。
载物台3是由具有大致长方体形状的花岗岩等石材构成的,其上表面加工成大致水平且平坦,作为基板90的保持面30而发挥功能。在保持面30分散形成有多个真空吸附口。通过这些真空吸附口吸附着基板90,由此在涂敷处理时使基板90在规定的位置保持水平状态。此外,在保持面30上按规定的间隔设置了可以沿着垂垂方向(Z轴方向)升降的多个升降销LP。
喷出机构4主要由喷出抗蚀液的狭缝喷嘴41、支撑狭缝喷嘴的喷嘴支撑部42和支撑喷嘴支撑部42的两端使其升降的2个升降机构43构成。
狭缝喷嘴41将从图外的供给机构供给的抗蚀液,从狭缝状的喷出口排向基板90的上表面。该狭缝喷嘴41的喷出口,沿着与保持面30大致平行的Y轴方向延伸,并为了可以向垂垂下方(-Z侧)喷出抗蚀液,由喷嘴支撑部42支撑着。喷嘴支撑部42是由以Y轴方向为长度方向的碳素纤维加强树脂等板状构件构成的。
2个升降机构43连接在喷嘴支撑部42的左右两端部。这些升降机构43分别具备AC伺服电动机以及滚珠螺杆等,可以使喷嘴支撑部40以及被喷嘴支撑部40支撑的狭缝喷嘴41在垂直方向(Z轴方向)升降。通过这两个升降机构43,调整狭缝喷嘴41与基板90之间的间隔(间隙)或狭缝喷嘴41相对基板90的姿势等。
如图1所示那样,通过包含这些狭缝喷嘴41、喷嘴支撑部42以及两个升降机构43的喷出机构4全体,形成载物台3的左右两端部沿Y轴方向架设的架桥结构。移动机构5,使具有这样的架桥结构的喷出机构4的全体沿着X轴方向移动。
如图所示的移动机构5是左右对称结构(+Y侧与-Y侧的对称),其左右分别具有,向X轴方向引导喷出机构4的移动的行走轨道51、产生用于移动喷出机构4的移动力的线性电动机52和用于检测喷出机构4的位置的线性编码器53。
两个行走轨道51分别在载物台3的Y轴方向的端部(左右端部)沿着X轴方向延伸设置。通过沿着这两个行走轨道51分别引导两个升降机构43的下端部,将喷出机构4的移动方向规定为X轴方向。
两个线性电动机52分别作为具有固定元件52a和移动元件52b的AC无芯线性电动机构成。固定元件52a在载物台3的Y轴方向的侧面(左右侧面)沿X轴方向设置。另一方面,移动元件52b固定设置在升降机构43的外侧。线性电动机52通过这些固定元件52a和移动元件52b之间产生的磁力,移动喷出机构4。
此外,两个线性编码器53分别具有刻度部53a和检测部53b。刻度部53a在固定安装在载物台3上的线性电动机52的固定元件52a的下部沿X轴方向设置。另一方面,检测部53b在固定设置在升降机构43的线性电动机52的移动元件52b的更外侧被固定设置,与刻度部53a相对置地配置。线性编码器53,基于刻度部53a和检测部53b的相对位置关系,检测在X轴方向上的喷出机构4的位置(更具体来说,狭缝喷嘴41的喷出口的位置)。
根据以上的结构,狭缝喷嘴41,可以在保持着基板90的保持面30的上部空间,在与保持面30平行的X轴方向上,相对于保持面30移动。进行涂敷处理的时候,狭缝喷嘴41在从喷出口喷出抗蚀液的状态下,在X轴方向上以规定的速度移动,完成了通过狭缝喷嘴41对基板90的大致全表面的扫描(喷出扫描)。通过这样的涂敷处理,在基板90的大致全表面均一地涂敷抗蚀液,在基板90的表面上形成了规定膜厚的抗蚀液层。本实施方式的狭缝式涂敷机1,在涂敷处理(喷出扫描)过程中狭缝喷嘴41的移动方向是+X方向。
此外,这样的涂敷处理部2的各个部分与控制部8电性连接,通过控制部8统括地控制涂敷处理部2各个部分的工作。控制部8具备由CPU、RAM以及ROM等构成的微型计算机,控制部8的控制机能是通过CPU按照规定的程序和数据,利用RAM进行运算处理实现的。此外,控制部8的正面侧,设置了用于操作人员做输入操作的操作部82和用于表示各种数据的表示部83,这些被作为用户接口发挥功能。
2.异物检测部
此外,狭缝式涂敷机1具有在做涂敷处理时检测可能与狭缝喷嘴41接触的异物等的功能。
图2以及图3,是从-Y侧看表示涂敷处理中狭缝喷嘴41与基板90之间关系的侧视图。涂敷处理中,狭缝喷嘴41以其下端部相对基板90间隔例如50μm~200μm的间隙的方式配置在基板90的上方,并维持该状态的条件下向+X方向移动。
在涂敷处理中,在狭缝喷嘴41应该移动的区域(下面称为“移动对象区域”)内,有时存在着如图2所示的在基板90的上表面附着的异物Fm或如图3所示的基板90的***部90a(因为在基板90和保持面30之间夹有异物Fm而产生的比其它部位高的部分)。在存在这样的异物Fm或***部90a的状态强行进行涂敷处理的话,这些异物等Fm,90a与狭缝喷嘴41的下端部(前端部)接触,可能会产生狭缝喷嘴41破损等问题。
为了避免出现这样的现象,在狭缝式涂敷机1中,如图1所示,相对狭缝喷嘴41固定设置了用于检测在狭缝喷嘴41的+X侧的异物等Fm,90a的异物检测部6。另外,以下,将成为异物检测部6的检测对象的异物Fm以及***部90a总称为“被检测物体”NG。
图4是表示异物检测部6结构的立体图。图5以及图6是从-Y侧看异物检测部6的侧视图。如这些图所示,异物检测部6具有,在存在于狭缝喷嘴41的移动对象区域的被检测物体NG与狭缝喷嘴41接触之前的阶段,用于与被检测物体NG接触的平板61。
平板61是比基板90的Y轴方向的尺寸更长的长尺状的有可挠性的非透明部件。例如,由厚度为0.05~0.3mm左右的金属制薄片或树脂薄膜构成。平板61以相对于以Y轴方向为长度方向的方棒状平板支撑构件62向下垂直的方式进行固定,此平板支撑构件62固定设置在狭缝喷嘴41的+X侧。因此,平板61,按相隔规定的间隔相对地固定在狭缝喷嘴41的+X侧(涂敷处理中狭缝喷嘴41的行进前方侧)。
平板61,无论在狭缝喷嘴41的喷出口延伸的Y轴方向的哪个位置,都必须遮断从狭缝喷嘴41的下端部向+X方向延伸的假想线的方式被配置。更具体的说,平板61的长度方向沿着Y轴方向,并且平板61的下端部位于比狭缝喷嘴41的喷出口的下端部低,例如10μm左右的方式配置平板61。
此外,如图4所示,平板61在平板支撑部件62的Y轴方向的多个部分61f每隔规定间隔地被固定。因为平板61有可挠性,所以可以通过自重部分向下弯曲,但是通过采用这样的固定方法可以防止因自重而产生的部分弯曲,可以将平板61的下端部的全体与Y轴方向大致平行地配置。
在这里,如图5所示,假定在狭缝喷嘴41的移动对象区域中存在被检测物体NG。狭缝喷嘴41从图5的状态开始进一步向+X侧移动时,因为在比狭缝喷嘴41更靠近+X侧的地方配置着平板61,如图6所示,被检测物体NG在与狭缝喷嘴41接触之前与平板61相接触。并且,像这样平板61一旦与被检测物体NG接触,由于平板61有可挠性,所以就使平板61的接触部分弯曲,使其从原来位置相对-X侧(涂敷处理中狭缝喷嘴41行进的后方侧)移动。向这样的平板61向后方侧的移动,始终是对狭缝喷嘴41的相对移动。异物检测部6,根据检测此平板61向后方侧的相对移动,检测被检测物体NG。
本实施方式的异物检测部6,基于激光的照射状态检测这样的平板61的相对移动。因此,如图4所示,异物检测部6还具有照射激光的投光部63和接受激光的受光部64。
投光部63是发射大致圆形的激光的光点型半导体激光器。投光部63经由大致呈L字形的辅助支撑部件63a固定设置在平板支撑部件62,配置在比平板61的-Y侧端部更靠近-Y侧的位置。另一方面,受光部64由多个光敏二极管等构成,是具有大致圆形的感光度的光点型受光传感器。受光部64也经由大致呈L字形的辅助支撑部件64a固定设置在平板支撑部件62,配置在比平板61的+Y侧端部更靠近+Y侧的位置。由此,投光部63以及受光部64双方都相对狭缝喷嘴41被相对固定。
投光部63以及受光部64隔着基板90的上部空间,对向配置在Y轴方向上。即,向着+Y侧配置投光部63,以便使其可以沿Y轴方向照射激光,另一方面,受光部64向着-Y侧被配置,以便使其可以接受来自投光部63的激光的直接光。
此外,如图5所示那样,投光部63对于平板61的-X侧(涂敷处理中狭缝喷嘴41的行进的后方侧)沿Y轴方向投射激光。即激光通过与被检测物体NG接触时成为平板61相对移动时的移动路线的平板61的后方侧(-X侧)。
因此,在平板61与被检测物体NG的未接触状态(图5的状态),因来自投光部63的激光没有完全被平板61遮蔽,受光部64接受光。并且另一方面,在平板61与被检测物体NG的接触状态(图6的状态),来自投光部63的激光的一部分被平板61遮蔽。因此,如果比较图5和图6的状态,在平板61与被检测物体NG接触的图6的状态时,受光部64的激光的受光量减少。为此,如果受光部64的激光受光量减少,则应该可以判定存在被检测物体NG。
本实施方式的狭缝式涂敷机1中,基于这样的原理通过控制部8检测被检测物体NG。如图4所示那样,投光部63和受光部64电性连接到控制部8上,通过控制部8进行控制。此外,由受光部64接收到的受光信号输入到控制部8,控制部8基于此受光信号导出受光部64的受光量。在涂敷处理中控制部8经常监控这样的受光部64的受光量,当受光量减少到比规定值小的时候,基于上述原理就可以判定为检测出存在被检测物体NG。
3.涂敷处理
接下来,详细地说明伴随着检测这样的被检测物体NG的涂敷处理。图7是表示对基板90涂敷抗蚀液的狭缝式涂敷机1的动作流程图。此动作是对每个成为涂敷对象的基板90实施的。以下,参照此图说明狭缝式涂敷机1的动作。另外,在此说明的各个部分的动作控制,特别是没有提到的部分是通过控制部8进行的。
首先,通过涂敷处理部2外部的搬送机构,将基板90搬入涂敷处理部2,交接给升降销LP。接收到此基板90后,作为对此的应答,升降销LP下降并埋没于载物台3内。由此,搬入的基板90载置到载物台3的保持面30的规定位置,进而通过真空吸附口吸附并保持着。在搬入这样的基板90时,狭缝喷嘴41在如图1所示的待避位置上待命(步骤S 1)。
接下来,在通过升降机构43调整狭缝喷嘴41的喷出口高度的同时,狭缝喷嘴41通过移动机构5移动到应该开始喷出抗蚀液的规定的开始位置(更具体的说,基板90的-X侧的端部的正上面)(步骤S2)。
接下来,从狭缝喷嘴41的喷出口开始向基板90喷出抗蚀液(步骤S3)。与此同时,通过移动机构5开始向+X侧以规定速度移动狭缝喷嘴41(步骤S4)。即,狭缝喷嘴41在基板90上移动的同时开始进行向基板90喷出抗蚀液的涂敷处理(喷出扫描)。
这样的涂敷处理一直持续到狭缝喷嘴41移动到规定的结束位置(更具体的说,基板90的+X侧的端部的正上面)为止(步骤S6)。并且,在这样的涂敷处理的持续过程中,监视着在狭缝喷嘴41的移动对象区域中是否存在被检测物体NG。即,通过控制部8,监视着受光部64的受光量是否少于规定值(步骤S5)。
通过这种监视检测出被检测物体NG时(步骤S5为“是”),强制停止涂敷处理。即,停止从狭缝喷嘴41喷出抗蚀液以及狭缝喷嘴41的移动。进而,作为警报,在控制部8的表示部83显示表示检测到了被检测物体NG的警告画面(步骤S7)。
与被检测物体NG接触的平板61,因为按规定的间隔配置在狭缝喷嘴41的行进前方,所以当检测到被检测物体NG时,通过立即停止狭缝喷嘴41的移动,可以提前防止狭缝喷嘴41与被检测物体NG接触。由此,可以有效地防止通过与被检测物体NG接触引起的狭缝喷嘴41的破损。
此外,通过输出警报,可以通知操作人员发生了异常,因而可以有效率地进行恢复工作。另外,只要是可以通知操作人员发生了异常,警报也可以用其他的方法,例如通过扬声器输出警报音,亮警报灯等来发警报。
这样实施步骤S7后,通过移动机构5将狭缝喷嘴41移动到待避位置(步骤S9)。接下来,通过升降销LP的上升,将基板90从保持面30推上去,在此状态通过外部的搬送机构,将基板90从涂敷处理部2搬出(步骤S10)。因为此基板90的涂敷处理没有完成,所以跟完成了涂敷处理的其他的基板90相区别。此外,这种情况下,如图3所示,因为考虑到在载物台3上附着了异物Fm,所以最好进行载物台3的清扫等的恢复工作。
此外,另一方面,在涂敷处理中没有检测到被检测物体NG,而狭缝喷嘴41移动到了规定的结束位置时(步骤S6为“是”),涂敷处理正常结束,就是止常时的终了处理。即,停止从狭缝喷嘴41喷出抗蚀液(步骤S8),通过移动机构5将狭缝喷嘴41移动到待避位置(步骤S9)。并且,将完成了涂敷处理的基板90从涂敷处理部2搬出(步骤S10)。
通过以上的说明,在狭缝式涂敷机1中,在狭缝喷嘴41的+X侧(喷出扫描时狭缝喷嘴41的行进的前方)固定了长尺状的平板61,检测通过此平板61与被检测物体NG接触产生的平板61向-X侧(喷出扫描中的狭缝喷嘴41的行进的后方)的相对移动。即,因为不是检测平板61的振动,而是检测平板61向后方的相对移动,所以可以不受干扰振动的影响检测被检测物体NG,能够提高被检测物体NG的检测精度。
此外,向通过平板61与被检测物体NG接触产生的平板61的移动路线投射激光,基于此激光的受光量检测平板61的相对移动,因此,可以容易的检测与被检测物体NG接触相关的平板61的相对移动。
此外,平板61是非透明物体,因此可以可靠地遮蔽与被检测物体NG接触相关的平板61的相对移动中的激光,可以提高与被检测物体NG接触相关的平板61的相对移动的检测精度。此外,根据激光直接检测被检测物体NG的情况下,虽然不能检测透明的被检测物体NG,但是本实施方法中,因为检测出与被检测物体NG接触的平板61,所以即使是透明的被检测物体NG也可以可靠地被检测出。
此外,因为平板61有可挠性,所以即使平板61与被检测物体接触,也只是接触的部分发生挠性变形。因此,由于通过平板61与被检测物体的接触不会损伤平板61,不需要每次检测被检测物体时都更换平板61,所以恢复工作很容易,此外,还可以降低运转成本。
此外,平板61一旦与被检测物体NG接触,平板61的接触部分发生弯曲的同时其周边部分也移动,在经过平板61的移动路线的全体将激光遮蔽起来。因此,例如与采用没有可挠性的平板相比,可以扩大遮蔽激光的部分,可以明确通过平板61的移动产生的激光的受光量的减少。
4.其他实施方式
狭缝式涂敷机1,并不限定于上述的实施方式(下面称之为“第一实施方式”)。下面,说明其他的实施方式。
4.1第二实施方式:线型
在第一实施方式中虽然采用了光点型受光传感器作为受光部,但是也可以采用线型受光传感器。图8以及图9是从-Y侧看采用线型受光传感器作为受光部的第二实施方式中的异物检测部6的侧视图。
如图所示的第二实施方式中,作为发射直线状激光(狭缝光)的线型激光器的投光部63L,以及作为具有直线状的感光度的线型受光传感器的受光部64L,隔着基板90的上部空间,在Y轴方向上对向配置。以在大致沿着与被检测物体NG接触时的平板61的移动路线的方式,受光部64L的长度方向沿着X轴方向被配置。此外,激光也是其长度方向沿着X轴方向从投光部63L投射光线。
这样采用线型受光传感器作为受光部64L时,如图9所示那样,能够检测在与被检测物体NG接触时的平板61的整个移动路线的激光的遮蔽,可以可靠地检测在平板61相对移动时的激光的受光量的变化。因此,可以进一步提高被检测物体的检测精度。
另外,另一方面,线型受光传感器与光点型受光传感器相比,需要很多配置空间,因此在谋求异物检测部6的小型化时,采用第一实施方式那样的光点型受光传感器比较好。
4.2第三实施方式:反射光的受光
在第一实施方式中,投光部63和受光部64对向配置,受光部64可以接受激光的直接光,但是将受光部64配置在可以接受激光的反射光的位置也是可以的。图10以及图11是从-Y侧看在将受光部64配置成为可以接受激光的反射光的第三实施方式的异物检测部6的侧视图。
如图所示的第三实施方式中,投光部63是与第一实施方式相同地配置,同时,受光部64从接受通过投光部63照射的激光的直接光的位置更向-X侧偏移地被配置。此时的受光部64也相对于狭缝喷嘴41相对同定。
通过采用这样的配置,在平板61与被检测物体NG的非接触状态,如图10所示,从投光部63来的激光(直接光)不能照射到受光部64。相反地,在平板61与被检测物体NG的接触状态,如图11所示,从投光部63来的激光,在平板61的相对移动的部分漫反射,通过漫反射产生的反射光的一部分照射到受光部64。
因此,比较图10以及图11的状态可知,在平板61与被检测物体NG接触的图11的状态,受光部64受到激光照射的受光量上升。因此在第三实施方式中,如果受光部64的受光量上升,就应该判定存在被检测物体NG。
如果采用这样的受光部64的配置,只要让受光部64只接受反射光的一部分就可以,所以不需要高精度地配置受光部64,如不需要使投光部63和受光部64严格地对向配置等。因此,受光部64的配置操作变得容易,此外,因为使用会导致受光部64的配置有些不准确,但是因为容许一定程度的偏差,所以不会使被检测物体NG的检测精度下降。
另外,因为在此第三实施方式中,与第一实施方式相比,受光部64的配置需要更多的空间,所以在谋求异物检测部6的小型化时,可以采用像第一实施方式那样投光部63和受光部64对向配置的做法。
4.3第四实施方式:非挠性部件
在第一实施方式中虽然采用了可挠性构件作为平板,但也可以采用非挠性构件。图12以及图13是从-Y侧看采用非挠性部件作为平板的第四实施方式的异物检测部6的侧视图。
如图所示的第四实施方式中,配置了平板65来代替第一实施方式的平板61。此平板65除了是非挠性以外,与平板61是相同的。具体来说,平板65是由即使与被检测物体NG接触也不会破损的比较坚硬的材料构成的,如金属,陶瓷等,是比基板90的Y轴方向尺寸长的长尺状非透明构件。
此平板65与第一实施方式相同地被配置,以必须遮断从狭缝喷嘴41下端向+X侧延伸的假想线。但是平板65可以在XZ平面内以沿Y轴方向的支撑轴67为中心旋转,经由该支撑轴67被平板支撑构件66支撑着。与此同时,在平板65中比支撑轴67高的上部通过弹簧68向-X侧弹性变形,在平板65中比支撑轴67低下部通过制动器69控制向+X侧的旋转。由此,在平板65中比支撑轴67低的下部只能向-X侧(喷出扫描过程中狭缝喷嘴41的行进后方)旋转。
如图12所示那样,在平板65与被检测物体NG的非接触状态,平板65通过弹簧68的弹性力保持着在铅垂方向的状态。相反地,如图13所示那样,平板65与被检测物体NG接触时,平板65的下部,向与弹簧68的弹力相反的-X侧相对狭缝喷嘴41做旋转移动。投光部63以对这样的平板65的相对旋转移动的移动路线照射激光的方式配置。因此,即使是第四实施方式,只要受光部64的受光量减少,就可以检测平板65的相对移动,可以判定存在被检测物体NG。
另外,在采用此第四实施方式那样的非挠性构件作为平板,进而采用第二实施方式那样的线型受光传感器作为受光部的时候,通过平板65的相对移动,没有激光入射的受光传感器上的位置发生变化。因此,在这种情况下,基于没有激光入射的受光传感器上的位置变化,也可以检测平板65的相对移动。
4.4第五实施方式:位移计
在第四实施方式中,虽然是通过激光检测平板65向-X侧的相对移动,但是也可以通过位移计检测平板65的相对移动量。图14以及图15是从-Y侧看通过位移计检测平板65的相对移动的第五实施方式的异物检测部6的侧视图。
如图所示那样,在第五实施方式中,没有配置投光部63以及受光部64,而设置了作为位移计的测量器(ピツクテスタ)(测量规)7。其他的结构与第四实施方式相同。
测量器7由主体部71和可以相对主体部71旋转的棒状检测元件72构成,基于检测元件72的旋转,检测检测元件72前端的变位量。测量器7的主体部71相对平板支撑构件66固定,另一方面,检测元件72的前端,与平板65中比支撑轴67低的下部-X侧(喷出扫描过程中狭缝喷嘴41的行进后方)邻接。通过这样的配置,测量器7可以检测相对于平板65的狭缝喷嘴41的相对移动量。测量器7与控制部8电性连接,表示检测元件72的前端的位移量,即平板65的相对移动量的信号,输入至控制部8。
如图14所示,在平板65与被检测物体NG的非接触状态,平板65通过弹簧68的弹性力保持着在铅垂方向的状态,测量器7未检测平板65的相对移动量。相反地,如图15所示,平板65与被检测物体NG接触时,因为平板65相对向-X侧旋转移动,在测量器7检测出平板65的相对移动量。控制部8基于从测量器7输入的平板65的相对移动量,可以检测平板65的相对移动,由此能够判定存在被检测物体NG。
在第五实施方式中,因为不用激光,所以不需要严格安装投光部63和受光部64等的操作,因此很容易检测出平板65的相对移动。另外,在第五实施方式中,因为不用激光,所以平板65也可以是透明构件。
4.5第六实施方式:多个位移计
第五实施方式的测量器7,可以配置在Y轴方向的多个位置。图16是表示配置了多个测量器7的第六实施方式的异物检测部6的结构的立体图。另外,图16用于明示平板65以及测量器7的配置关系,为了表示方便,省略了一部分异物检测部6的结构,但省略的结构与第五实施方式相同。
如图所示,在第六实施方式中,在Y轴方向上以规定的间隔配置了多个测量器7(图中是4个)。用这些测量器7检测的平板65的相对移动量分别输入到控制部8。控制部8基于至少一个从测量器7来的信号,在检测到平板65的相对移动时,判定存在被检测物体NG。这样就可以通过沿Y轴方向配置多个测量器7提高检测被检测物体NG的精度。
此外,图中例示的平板65,由4个部分构件65a构成。这些4个部分构件65a沿Y轴方向排列,可以相对独立地向-X侧相对狭缝喷嘴41做相对旋转移动。并且,相对于这4个部分构件65a,分别配置测量器7,通过测量器7就能够检测部分构件65a各自的相对移动量。
如果平板65由多个部分构件65a构成的话,与由一个构件构成平板65相比,因为对于与被检测物体NG接触,移动变得更加敏感,可以检测微小的被检测物体NG,进一步提高检测被检测物体NG的精度。
4.6第七实施方式:电路
在第一实施方式中,虽然通过激光检测平板65向-X侧的相对移动,但是也可以通过电性检测。图17是表示电性检测平板65的相对移动的第七实施方式的异物检测部6的结构的立体图。此外,图18以及图19是从-Y侧来看第七实施方式的异物检测部6的侧视图。
如这些图所示,第七实施方式中用第1平板73代替第一实施方式的平板61。此第1平板73,除了是导体以外与第一实施方式的平板61相同且有可挠性。但是第1平板73不需要是非透明构件,可以是透明构件。
此外,第1平板73,与第一实施方式的平板61相同,相对平板支撑构件75垂下那样的被固定着,以便遮断从狭缝喷嘴41的下端沿+X方向延伸的假想线。此平板支撑构件75是以Y轴方向为长度方向的方棒状绝缘构件,固定设置在狭缝喷嘴41的+X侧。
此外,在第七实施方式中,与第1平板73相区别,由与第1平板73相同尺寸的导体构成的第2平板74配置在第1平板73的-X侧(涂敷处理过程中狭缝喷嘴41的行进后方侧)。第2平板74的长度方向沿Y轴方向并且为使其下端的高度与第1平板73下端大致相同,第2平板74相对半板支撑构件62垂下那样的被固定。由此,第1平板73和第2平板74隔着绝缘构件,互相平行地沿Y轴方向配置着。
如图17所示,第1平板73和第2平板74成为电路76的一部分,在第1平板73和第2平板74之间外加了直流电压(电位差)。此外,电路76中设有继电器电路77,该继电器电路77在第1平板73和第2平板74的非接触状态为关闭,在第1平板73和第2平板74的接触状态为开启。就是说,第1平板73和第2平板74具有切换继电器电路77的开/关的开关构件作用。
继电器电路77的开/关作为信号被输入到控制部8。由此,控制部8可以电性检测出第1平板73和第2平板74的接触/非接触状态。
图18所示,在第1平板73和被检测物体NG的非接触状态,第1平板73和第2平板74不能接触,处于被平行地配置的状态,继电器电路77呈关闭状态。相反地,如图19所示,第1平板73与被检测物体NG接触时,第1平板73相对狭缝喷嘴41向-X侧相对移动,与第2平板74接触。并且,通过这种接触,继电器电路77变为开启状态,其作为信号被输入到控制部8。由此,控制部8可以检测平板65的相对移动,可以判定存在被检测物体NG。
第七实施方式中,因为没有用激光,所以不需要严格配置投光部63和受光部64等的操作,所以用相对简单的结构就可以容易地检测平板65的相对移动。
此外,第七实施方式中,也可以采用与第四实施方式相同的非挠性构件作为第1平板73。但是,为了降低与被检测物体NG接触时发生破损的可能性,第1平板73最好是具有可挠性。此外,第2平板74可以是可挠性/非挠性中的任意一种,但基于同样的理由最好具有可挠性。
5.其他变形例
上述的实施方式中,虽然使用了长尺状的平板61、65、73作为用于与被检测物体NG接触的构件,但是也可以使用例如可以给予沿Y轴方向延伸的张力的琴线等构件。
此外,在上述的第一、第二以及第四实施方式中,虽然激光向平板61、65的后方照射,但是也可以向如平板61、65相对移动前的原来的位置照射激光,基于激光受光量的升高检测平板61、65的相对移动。就是说,因为只要可以通过平板61、65的相对移动,变化激光的遮断状态(激光受光量)即可,所以只要是平板61、65的相对移动时的平板61、65的移动路线,就可以向任何位置照射激光。
此外,在上述的第一~第四以及第七实施方式中,与第六实施方式相同,平板可以由相互独立且可向-X侧相对移动的多个部分构件构成。
此外,上述异物检测部6也可以与通过激光检测被检测物体NG等的其他的异物检测机构一并使用。

Claims (14)

1.一种基板处理装置,将处理液涂敷在被保持于保持面的基板上,其特征在于,具有:
喷嘴:能够从沿着与上述保持面大致平行的第1方向延伸的狭缝状喷出口向上述基板喷出处理液;
移动机构:通过使上述喷嘴相对于上述基板在第2方向移动,上述喷嘴相对于上述基板进行喷出扫描,上述第2方向与上述保持面大致平行且垂直于上述第1方向;
检测用构件:相对于上述喷嘴,相对固定在上述喷出扫描的上述喷嘴行进的前方侧,且其沿着上述第1方向延伸;
检测机构:检测上述检测用构件的相对移动,上述检测用构件的相对移动是在上述排液扫描过程中由被检测物体与上述检测用构件相接触所产生的,且是相对于上述喷嘴向与上述前方侧相反的后方侧的相对移动。
2.如权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测机构具有:
投光部:相对于上述喷嘴被相对固定,对上述相对移动时的上述检测用构件的移动路线的至少一部分投射激光;
受光部:接受上述激光。
3.如权利要求2记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测用构件为非透明构件。
4.如权利要求2或3记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测用构件具有可挠性。
5.如权利要求2或3记载的基板处理装置,其特征在于,上述受光部是光点型受光传感器。
6.如权利要求2或3记载的基板处理装置,其特征在于,上述受光部是沿着上述第2方向延伸的线型受光传感器。
7.如权利要求2或3记载的基板处理装置,其特征在于,上述受光部配置在能够接受来自上述投光部的上述激光的直接光的位置。
8.如权利要求4记载的基板处理装置,其特征在于,上述受光部配置在不能接受来自上述投光部的上述激光的直接光,而能够接受在上述相对移动的上述检测用构件的部分反射的上述激光的反射光的位置。
9.如权利要求4记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测用构件相对于上述喷嘴被相对同定在上述第1方向中的多个位置。
10.如权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测机构具有检测相对于上述喷嘴的上述检测用构件的相对移动量的位移计。
11.如权利要求10记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测机构具备多个上述位移计,多个上述位移计分别配置在上述检测用构件在上述第1方向中的多个位置上。
12.如权利要求11记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测用构件沿着上述第1方向排列,并且,由相互独立且相对于上述喷嘴能够向上述后方侧相对移动的多个部分构件构成,多个上述位移计分别配置在上述多个部分构件上。
13.如权利要求1记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测用构件由导体构成;上述检测机构具有:在上述检测用构件之间隔着绝缘构件被配置在上述检测用构件的上述后方侧、由导体构成、且沿着上述第1方向延伸的开关构件;以及电性检测上述检测用构件和上述开关构件之间的接触的机构。
14.如权利要求13记载的基板处理装置,其特征在于,上述检测用构件具有可挠性。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102205296A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 大日本网屏制造株式会社 涂敷装置
CN102649624A (zh) * 2011-02-28 2012-08-29 东丽工程株式会社 涂布装置和涂布方法
CN102974508A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 涂布嘴防护件、涂布喷头组件
CN103245678A (zh) * 2013-04-26 2013-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种异物检测装置
CN103353459A (zh) * 2013-06-18 2013-10-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种检测装置及检测方法
CN106186717A (zh) * 2016-08-04 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 玻璃基板涂布装置
CN106391358A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 株式会社思可林集团 涂布装置及涂布方法
CN108305843A (zh) * 2017-01-11 2018-07-20 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理装置的异常状况检测方法
CN109701960A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 惠科股份有限公司 基板清洗设备和清洗方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006224089A (ja) * 2005-01-18 2006-08-31 Toppan Printing Co Ltd 塗布装置および塗布方法
JP2007250851A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
KR100775086B1 (ko) * 2006-06-02 2007-11-08 주식회사 케이씨텍 이물질 감지 장치 및 방법
JP5105152B2 (ja) * 2007-06-15 2012-12-19 Nskテクノロジー株式会社 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP5303129B2 (ja) * 2007-09-06 2013-10-02 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR101037187B1 (ko) * 2008-11-27 2011-05-26 세메스 주식회사 기판 코팅 장치
JP2010214342A (ja) * 2009-03-19 2010-09-30 Toray Eng Co Ltd 塗布装置
US8770141B2 (en) * 2009-06-19 2014-07-08 Tazmo Co., Ltd. Substrate coating device with control section that synchronizes substrate moving velocity and delivery pump
RU2604631C1 (ru) 2011-05-26 2016-12-10 Адвенира Энтерпрайзис, Инк. Способ нанесения покрытия на объект
JP5714616B2 (ja) * 2013-01-21 2015-05-07 中外炉工業株式会社 塗工装置
KR102323080B1 (ko) * 2013-12-23 2021-11-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN107398396A (zh) * 2017-08-24 2017-11-28 武汉华星光电技术有限公司 光阻材料的涂布装置及涂布方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63212690A (ja) * 1987-02-27 1988-09-05 株式会社東芝 エスカレ−タ或いは動く歩道の安全装置
JP3380321B2 (ja) * 1994-02-16 2003-02-24 富士写真フイルム株式会社 表面検査装置
KR20000000515U (ko) * 1998-06-11 2000-01-15 김영환 이물질 감지 기능이 구비된 액정표시소자용 코팅장치
JP3653688B2 (ja) * 1998-07-10 2005-06-02 平田機工株式会社 スリットコート式塗布装置とスリットコート式塗布方法
JP4325084B2 (ja) * 2000-06-19 2009-09-02 東レ株式会社 塗布方法およびそれを用いたカラーフィルタの製造方法
CN1267205C (zh) * 2000-12-27 2006-08-02 东丽株式会社 喷嘴及涂布液的涂布装置和涂布方法
JP3696164B2 (ja) 2002-02-08 2005-09-14 株式会社東芝 液状膜の処理方法及び液状膜の処理装置
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100958256B1 (ko) * 2003-12-18 2010-05-17 엘지디스플레이 주식회사 코팅장비
JP2005236152A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR101074952B1 (ko) * 2004-08-31 2011-10-18 엘지디스플레이 주식회사 포토레지스트 코팅장치 및 코팅방법

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102205296A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 大日本网屏制造株式会社 涂敷装置
CN102205296B (zh) * 2010-03-31 2013-10-30 大日本网屏制造株式会社 涂敷装置
CN102649624A (zh) * 2011-02-28 2012-08-29 东丽工程株式会社 涂布装置和涂布方法
CN102649624B (zh) * 2011-02-28 2016-05-11 东丽工程株式会社 涂布装置和涂布方法
CN102974508A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 涂布嘴防护件、涂布喷头组件
US9880104B2 (en) 2013-04-26 2018-01-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Particulate matter detection apparatus
CN103245678A (zh) * 2013-04-26 2013-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种异物检测装置
WO2014173010A1 (zh) * 2013-04-26 2014-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种异物检测装置
CN103245678B (zh) * 2013-04-26 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种异物检测装置
CN103353459A (zh) * 2013-06-18 2013-10-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种检测装置及检测方法
CN106391358A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 株式会社思可林集团 涂布装置及涂布方法
CN106391358B (zh) * 2015-07-28 2020-12-22 株式会社思可林集团 涂布装置及涂布方法
CN106186717A (zh) * 2016-08-04 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 玻璃基板涂布装置
CN106186717B (zh) * 2016-08-04 2018-11-23 武汉华星光电技术有限公司 玻璃基板涂布装置
CN108305843A (zh) * 2017-01-11 2018-07-20 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理装置的异常状况检测方法
CN108305843B (zh) * 2017-01-11 2022-02-08 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理装置的异常状况检测方法
CN109701960A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 惠科股份有限公司 基板清洗设备和清洗方法

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