CN1690820A

CN1690820A - 器件制造方法

Info

Publication number: CN1690820A
Application number: CNA2005100657781A
Authority: CN
Inventors: 加纳博司; 竹知和重; 上阪成元; 仁上一夫
Original assignee: Sanhe Frost Industrial Co ltd; Nagase and Co Ltd; NEC Corp
Current assignee: Sanhe Frost Industrial Co ltd; Nagase and Co Ltd; NEC Corp
Priority date: 2004-04-15
Filing date: 2005-04-15
Publication date: 2005-11-02
Also published as: JP2005303158A; US20050236091A1; US7381285B2

Abstract

在柔性器件制造方法中，当保护材料被粘至基片表面时，粘合仅在基片的一部分上执行。因为被粘附在基片的所述部分，所以保护材料容易被剥离。结果，剥离所需时间被减少，剥离过程中可能发生的器件破碎可被防止。

Description

器件制造方法

本申请要求日本专利申请JP2004-119856的优先权，该专利的披露内容通过引用被合并在此。

技术领域

本发明涉及器件制造方法，尤其涉及柔性器件制造方法，该方法涉及以下步骤：减少绝缘基片如玻璃基片的厚度，然后粘附载体如薄膜至绝缘基片上，然后进行器件的转移。

背景技术

近年来，质量轻且不易破裂的柔性器件的需求日益增加。例如，使用树脂基片的柔性液晶显示器件的发展日益推进，以制造薄膜晶体管液晶显示器件。作为实现上述显示器的方法，已经开发了一种器件(device)制造方法，其中曾经形成在玻璃基片上的薄膜晶体管阵列被转移到树脂基片上。例如，作为上述器件制造方法，提到的一种方法具有如下步骤：使用基于HF的蚀刻溶液，从玻璃基片的后表面侧湿式蚀刻其上形成有薄膜晶体管阵列的玻璃基片，从而整个玻璃被去除，然后在蚀刻表面侧粘附树脂基片至上述阵列，以形成柔性薄膜晶体管阵列基片(由索尼公司披露于“Society for Information Display 2002”)。

相关步骤将结合附图7A至7D来描述。玻璃基片14在其表面上依次具有蚀刻阻挡层12和薄膜晶体管阵列13。保护层15用设置在其间的粘合剂粘附在玻璃基片14的整个表面上(图7A)。随后，使用基于HF的蚀刻溶液16，使整个玻璃基片从其后表面侧被蚀刻掉，蚀刻被蚀刻阻挡层12阻止(图7B)。树脂基片17从蚀刻表面侧粘附在蚀刻阻挡层12上(图7C)。最后，保护层15被剥掉，从而，薄膜晶体管阵列13的转移被完成(图7D)。作为替换，如日本未审查的专利申请公开出版物No.11-212116所披露，可以使用这样一种方法，其中整个玻璃基片通过化学抛光方法替代湿式蚀刻方法来去除，然后薄膜晶体管阵列被转移至树脂基片上。

此外，另一种方法也被提及，其中剥离层被使用，替代图7A中显示的蚀刻阻挡层12。在上述方法中，不同于图7B显示的步骤，玻璃基片完全没有被蚀刻。例如，在日本未审查的专利申请公开No.2001-051296中，非晶硅层被用作剥离层，接着从玻璃基片的后侧面用紫外线照射，最后，利用非晶硅层的剥落，玻璃基片从薄膜晶体管阵列上被去除。通过上述方法，也能实现器件的转移。

作为上述轻质薄膜器件的另一个例子，已通过研磨/抛光硅片后表面侧的方法进行了技术开发，以实现薄IC芯片。例如，在日本未审查的专利申请公开No.9-312349中，一种方法被披露，其中半导体IC芯片形成在硅片之上，硅片从后表面侧被研磨，然后转移半导体IC芯片至柔性树脂薄片上。

在上述相关的转移方法中，对于制造柔性液晶显示器件，在其上形成有薄膜晶体管阵列的整个玻璃基片被从基片后表面侧蚀刻或抛光之后，将薄膜晶体管阵列转移至树脂基片上。根据这种相关的转移方法，在图7D显示的剥离保护层的步骤中，为了满意地转移薄膜晶体管阵列至树脂基片侧，剥离必须花费很长时间并谨慎地施行，结果生产量被相当大地降低了。此外，保护层被剥离后，残余粘合剂被允许留在薄膜晶体管阵列部分上，降低了晶体管电特性的稳定性，导致成品率降低。上述问题也发生在使用剥离层来剥离玻璃基片并随后实现转移的情况下。

此外，根据日本未审查的专利申请公开No.9-312349，从硅片上剥离半导体IC芯片的步骤和转移半导体IC芯片至柔性树脂薄片的步骤都具有低的产出率，结果制造成本不可避免被提高。此外，IC芯片的应用也被限制，因为IC芯片厚度接近几十个微米，且不透明，还因为有源元件(例如晶体管)的元件隔离非常复杂，所以高压元件和低压元件难于安装在同一基片上。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种器件制造方法，其中薄膜器件能以低成本制造，并且还能高生产量和高产出率地被制造。

为了实现上述目的，本发明所述的器件制造方法，包括以下步骤：在基片的表面上形成器件；粘附保护材料至基片的表面用以覆盖；从基片的后表面侧研磨基片；粘附载体至基片的被研磨的后表面上；以及剥离所述保护材料。在上述方法中的粘附保护材料至基片表面的步骤中，保护材料仅被粘附至基片的一部分。

根据本发明，在所述器件制造方法中，其上粘附有保护材料的基片部分优选位于形成有薄膜器件的区域之外的区域中。也就是说，在粘附保护材料至其上形成有薄膜器件的基片表面的过程中，在保护材料被粘附的区域中，不存在薄膜器件。因此，在保护材料被最后剥离之后，没有残余粘合剂残存在薄膜器件存在的区域(下面称为“薄膜器件区域”)中，结果，薄膜器件的性能稳定性可被保持。

在上述器件制造方法中，作为保护材料，使用保护薄膜。在从后表面侧研磨基片的过程中，可使用蚀刻或研磨/抛光。在剥离保护材料的过程中，例如，通过光辐射、加热或冷却或切除基片上的粘附有保护材料的部分，来降低粘合剂的粘合强度。

当形成在透明绝缘基片例如玻璃上的薄膜晶体管器件被转移至柔性基片或类似物上时，本发明所述的器件制造方法被有效地使用。

当利用本发明所述器件制造方法形成薄膜器件组件时，将获得以下优点。

因为存在于保护材料和其上形成有器件的基片表面(下文称为“器件侧表面”)之间的粘合部分仅位于基片的一部分上，所以粘合剂没有设在薄膜器件区域，因此不允许残余粘合剂残留在该区域中。相反，在图7A至7D所示的相关步骤中，大约几十个ppb的残余粘合剂通常被允许残存在薄膜器件区域。上述的残余粘合剂甚至在冲洗步骤中仍不能充分地被去除，结果薄膜器件电特性的可靠性被不利地降低了。然而，根据本发明，没有残余粘合剂被残存在薄膜器件区域，结果薄膜晶体管阵列或类似器件在电特性方面可获得优良的可靠性。

另外，因为粘合部分仅位于基片的一部分，保护材料的剥离可以每片2分钟之内的速度被执行。在上述相关步骤中，这种剥离需要的时间大约为10分钟至1小时，因此，通过本发明所述方法，转移步骤的生产量被显著地提高。此外，在本发明中，因为粘合部分仅位于基片的一部分上，因此剥离能容易地被执行，在剥离过程中可能发生的破裂可被防止，从而显著地提高了产出率。

因此如上所述，根据本发明，可获得一种器件制造方法，其中能够以低成本、高生产量和高产出率制造具有良好性能的薄膜器件。

附图说明

图1A至1D是显示本发明第一个实施例所述制造方法的示意图；

图2A至2B是显示本发明第二个实施例所述制造方法的示意图；

图3A至3B是显示本发明第三个实施例所述制造方法的示意图；

图4A至4B是显示本发明第四个实施例所述制造方法的示意图；

图5A至5C是显示本发明第五个实施例所述制造方法的示意图；

图6是显示本发明第六个实施例所述制造方法的示意图；以及

图7A至7D是显示相关制造方法的一个例子的示意图。

具体实施方式

本发明的实施例将结合附图被描述。

图1A至1D是显示本发明第一个实施例所述制造方法的示意图。如图1A所示，薄膜器件1形成在绝缘基片2的器件侧表面(上表面)上，保护材料3用设置在其与绝缘基片2之间的粘合剂4粘附。在这种情况下，在存在粘合剂4的区域中，薄膜器件1是不存在的。也就是，绝缘基片2和保护材料3利用设在其间的粘合剂被部分地相互粘合。在图1A所示的情况下，如右侧的俯视图所示，因为薄膜器件1被形成在基片的中心区域，所以保护材料3和基片2仅仅沿基片2的周边区域通过粘合剂4相互粘合。

然后，如图1B所示，蚀刻溶液6被放在蚀刻浴器5中，图1A所示的基片2从其后表面侧方向浸在浴器5中。因为基片2的周边区域用粘合剂4粘附在保护材料3上，所以蚀刻可被执行，而蚀刻溶液6被防止进入薄膜器件区域。在这个步骤中，整个基片2可被蚀刻掉，或基片2可部分被蚀刻掉。此外，如图1C所示，载体7被粘附至基片2的蚀刻表面上。最后，如图1D所示，通过剥离粘附在基片2的器件侧表面(前表面)上的保护材料3，转移被完成。在这个步骤中，因为设在保护材料和基片2之间的粘合剂4仅仅粘附至基片2的一部分上(对应本实施例的基片2的周边区域)，保护材料3能被非常容易地剥离。

图2A和2B是显示本发明第二个实施例所述的电子器件制造方法。在本实施例中，描述了图1D显示的剥离保护材料的方法的一个例子。通过直到图1C显示的步骤被处理的基片2，被放在图2A显示的加热元件8上。加热元件8的温度被适当地控制，以降低粘合剂4的粘合强度，随后如图2B所示，保护材料3被剥离掉。因为粘合剂4的粘合强度被降低了，所以保护材料3可以被容易地剥离掉。

图3A和3B是显示本发明第三个实施例所述的电子器件制造方法。在这个实施例中，描述了图1D显示的剥离保护材料方法的另一个例子。通过直到图1C显示的步骤被处理的基片2，被从图3A显示的保护材料3的上表面侧用光线9辐射。光线9(如紫外线或可见光)的波长被适当地控制，以降低粘合剂4的粘合强度，随后如图3B所示，保护材料3被剥离。因为粘合剂4的粘合强度被降低了，所以保护材料3可以被容易地剥离掉。

图4A和4B是显示本发明第四个实施例所述的电子器件制造方法。在这个实施例中，描述了图1D显示的剥离保护材料方法的另一个例子。通过直到图1C显示的步骤被处理的基片2，沿图4A显示的剪切线被剪切，以去除周边粘合部分。在这种情况下，剪切在基片2的四个周边处被执行。随后如图4B所示，当基片2的周边区域沿四边从基片的中心区域分开时，因为粘合剂4在剩余的薄膜器件区域不存在，所以保护材料3可以被容易地剥离掉。

图5A和5C是显示本发明第五个实施例所述的电子器件制造方法。在这个实施例中，描述了图1A显示的粘附保护材料至基片的方法的另一个例子。在图5A中，除了设在基片2周边区域的粘合部分外，提供了具有十字形状的粘合部分。此外，可提供与上述类似的多个十字形粘合部分。在图5B中，以例子示出了粘合部分除设置在基片2周边区域之外还设置在基片的中心区域的情况。此外，在图5C中，非粘合部分被设在周边区域的一部分上(在此图显示的这种情况下，所述部分在角部)。当形成如上所述的结构时，保护材料3尤其容易从上述角部被剥离掉。

根据上述所有实施例，保护材料和用于薄膜器件的基片的器件侧表面通过设在其间的粘合剂被相互粘合。除了上面描述的情况，作为本发明的第六个实施例，如图6所示，保护材料的周边区域和基片的器件侧表面能使用胶带相互粘合。在这种情况下，在保护材料和薄膜器件基片的器件侧表面之间不存在粘合剂。

除图5A、5B、5C和6显示的情况之外，保护材料可通过各种方法被粘附至薄膜器件不存在的任选的基片区域。通过上述各种方法实施粘接之后，类似于图2A至4B显示的方法可被使用，以剥离所述保护材料。

接着，本发明的特定的例子将被描述。

例子1

例子1将参考图1A至2B描述。图1A显示了其上形成有器件的绝缘基片的器件侧表面和保护材料被相互粘合的状态。每个薄膜器件1是硅薄膜晶体管阵列，绝缘基片2是厚为0.7mm的玻璃基片，保护材料3是主要由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)构成的薄膜，厚度为100μm，粘合剂4是由丙烯酸类树脂构成。镜框式区域是从沿着基片四边的外周到位于离边1cm远的直线的区域，在该镜框式区域中，玻璃基片和所述PET薄膜利用设在其间的粘合剂被粘合在一起。如图1A右侧的俯视图显示，薄膜器件被形成在基片的中心区域，粘合剂仅被设在基片的周边区域。仅在沿基片的周边的区域上，保护材料和基片被相互粘合。

随后，在图1B显示的减少基片厚度的过程中，通过使用氢氟酸和盐酸或硝酸的混和溶液作为蚀刻溶液6，玻璃基片被从后表面侧蚀刻掉。玻璃基片被允许残留20-100μm的厚度。在这个步骤中，蚀刻速度大约是7μm/分钟。作为蚀刻溶液，也可使用例如缓冲氢氟酸溶液或氢氟酸和硫酸的混和溶液。所述PET薄膜对上述蚀刻溶液具有抗蚀性，从而不会发生任何问题。另一方面，对于保护材料，必须选择对基于氢氟酸的蚀刻溶液具有抗蚀性的材料。在这个例子中，虽然使用了PET薄膜，但也可使用例如聚醚砜(PES)或聚醚醚酮(PEEK)。

然后，在如图1C所示的载体上，厚为100μm的PES薄膜被粘附在基片的蚀刻表面上。因为载体不需要具有对氢氟酸的抗蚀性，所以作为载体，除了如聚酰亚胺、聚碳酸酯或聚丙烯之类的树脂材料以外，例如铜或铝构成的金属箔也可被使用。此外，也可使用例如树脂材料和金属箔形成的层压片。

基片和保护材料之间的剥离利用图2A显示的加热元件来执行。经过直到图1C显示的步骤被处理的基片2，被放在图2A显示的加热元件8上。加热元件8的温度被适当地控制，以降低粘合剂4的粘合强度，然后保护材料3被剥离掉，如图2B所示。因为粘合剂4的粘合强度被降低了，所以保护材料3可以被容易地剥离掉。

在这个实施例中，当保护材料被粘附至基片的器件表面上时，仅使用基片的一部分进行粘合。尤其当仅仅在薄膜器件不存在的区域执行粘合时，剥离可被执行，而不导致任何残余粘合剂。此外，因为粘合部分仅是基片的特定部分，所以保护材料以每片2分钟之内的速度被剥离掉。因为这种剥离需要的时间在上述相关方法中大约是10分钟至1小时，因此通过本发明所述方法，转移过程的生产量可显著提高。此外，在发明中，因为粘合部分仅是基片的特定部分，从而剥离可容易地进行，在剥离中可能发生的破裂可被防止，因此显著提高了产出率。根据这个例子，可获得以高的产出率、高度可靠地被执行的器件制造方法。

例子2

在图2A和2B中，示出了对应第二个实施例的例子2。例子2是例子1的图1D显示的保护材料和基片之间的剥离通过控制温度实现的例子。因为从保护材料粘合步骤到载体粘合步骤与例子1的图1A至1C显示的相同，所以它们的描述被省略了。

所述基片设有PET薄膜作为保护材料，如图1A所示，接着按照直到图1C显示的步骤被处理。随后，基片被放在加热元件8上，如图2A所示。通过利用图2A显示的加热元件8作为加热板，基片的温度被提高到100℃。因此，粘合剂的化学结构被改变了，以使其粘合强度被降低至初始强度的百分之一或更低，结果，用作保护材料的PET薄膜可被容易地剥离掉。

在这种情况下，作为控制温度的方法，使用了加热板；然而，作为加热方法，许多方法可以实现。例如，将基片放置在烤箱中的方法、提供热风至基片的方法以及利用红外灯加热基片的方法也可被提及。此外，当被冷却时失去粘合强度的粘合剂也可被使用，在这种情况下，可使用冷却元件替换加热元件。当上述的加热或冷却被执行时，用来将载体粘附到基片上的粘合剂的粘合强度必须在温度变化时不降低。

在这个例子中，因为具有随温度变化而变化的化学结构的粘合剂被使用，并且温度被控制，所以保护材料可被剥离掉，结果以高产出率、被高度可靠地执行的器件制造方法可被获得。

例子3

在图3A和3B中，对应第三个实施例对应的例子3被显示。例子3是例子1的图1D显示的保护材料和基片之间的剥离通过光辐射实现的例子。因为从保护材料粘合到载体粘合的步骤与例子1的图1A至1C显示的相同，所以它们的描述被省略了。

图1D显示的基片和保护材料之间的剥离可通过光辐射(如图3A所示)使用当被光辐射时化学结构被改变的粘合剂来实现。如图1A所示，当被紫外光辐射时化学结构被改变的丙烯酸类树脂被用作粘合剂，PET薄膜被粘附至基片上作为保护材料。蚀刻后，作为光线9，在图3A显示的步骤中，光线从具有强紫外光成分的汞灯中辐射出来。具有1J/cm²能量的光线以200至400nm的波长被辐射，因此粘合强度被降低至初始强度的百分之一或更低。结果，用作保护材料的PET薄膜可被容易地剥离掉。然而，光线并不限于紫外光，化学结构通过可见光辐射而改变的粘合剂也可被使用。当剥离通过上述光辐射被执行时，用来粘附载体的粘合剂的粘合强度必须在温度变化时不降低。

在这个例子中，保护材料通过光辐射被剥离掉，使用具有随光辐射改变的化学结构的粘合剂，结果高产出率、被高度可靠地执行的器件制造方法可被获得。

例子4

在图4A和图4B中，示出对应第四个实施例的例子4被显示。例子4是例子1的图1D显示的保护材料和基片之间的剥离通过切除方法实现的例子。因为保护材料粘合步骤到载体粘合步骤与例子1的图1A至1C显示的相同，所以它们的描述被省略了。

当粘合部分被切除后，如图4A和4B所示，图1D显示的基片和保护材料之间的剥离可容易地被执行。在图1A中，作为保护材料，PET薄膜被粘附至基片上。在这个步骤中，设在周边区域的粘合剂不需要具有特殊性质(例如，它的结构通过光线或加热改变)，因此可使用便宜的粘合剂。蚀刻后，基片周边区域中的粘合部分的切除被执行，如图4A所示，这样粘合部分与器件被形成的区域相互分开。在这种情况下，沿基片外周的四个边的切除被执行。例如，切除可通过使用划片机或激光切断机执行。随后，如图4B所示，当基片四边沿其外周被沿剪切线10分离后，因为粘合剂在剩余的薄膜器件区域是不存在的，所以PET薄膜可容易地被去除。

在这个例子中，保护材料可通过切除粘合部分而被剥离掉，结果高产出率、被高度可靠地执行的器件制造方法可被获得。

例子5

在图5A至5C中，第五个实施例对应的例子5被显示。例子5是例子1的图1A显示的粘附保护材料至基片器件侧表面的方法被改变的例子。因为保护材料与基片器件侧表面之间的粘合步骤之后的步骤与例子1的图1B至1D显示的相同，所以它们的描述被省略了。

作为使用设在其间的粘合剂部分粘附保护材料至基片器件侧表面的方法，如图1A所示，例如，1)可使用涂敷粘合剂至保护材料的一部分的方法。此外，虽然粘合剂被涂敷在整个保护材料上，但也可使用2)利用***其间的纸或薄膜，保护材料和基片在期望位置被部分地相互粘合的方法。特别是，根据上述第二种方法，例如，当与非粘合部分的图案一致的纸或薄膜被预先准备时，如图5A所示，粘合可被有效地执行。

图5A是显示除基片的周边区域的粘合部分之外设置具有十字形的粘合部分的示意图。多个十字形粘合部分可被设置，每个都与上述类似。在图5B中，除粘合部分被设在基片的周边区域之外，粘合部分还被设在中心区域的情况被显示。此外，在图5C中，非粘合部分被设在周边区域的一部分(此图中的角部)的情况被显示。在这种情况下，保护材料可特别容易地从这个角部被剥离。

在这个例子中，除了粘合部分被设在基片的周边区域之外，因为粘合部分还被设在基片表面上的没有形成器件的部分上，所以高产出率、被高度可靠地执行的器件制造方法可被获得。

例子6

在图6中，第六个实施例对应的例子6被显示。例子6是例子1的图1A显示的粘附保护材料至基片器件侧表面的方法被改变的例子。因为保护材料与基片器件侧表面之间的粘合步骤之后的步骤与例子1的图1B至1D显示的相同，所以它们的描述被省略了。

根据上述所有的例子，通过在保护材料和基片器件侧表面之间设置粘合剂，实现它们之间的粘合。然而，例子6是保护材料和基片表面的周边区域利用胶带相互粘合的例子，如图6所示。在这个实施例中，在保护材料和薄膜器件基片表面之间没有粘合剂存在。

在这个例子中，因为保护材料和基片表面的周边区域利用胶带被相互粘合，所以高产出率、被高度可靠地执行的器件制造方法可被获得。

在上述例子中，因为基片器件侧表面和保护材料之间的粘合部分被设在基片的一部分上，所以高产出率、被高度可靠地执行的器件制造方法可被获得。其原因在于，因为粘合剂没有设在薄膜器件区域，所以没有残余粘合剂存在。在图7显示的相关步骤中，几十ppb的残余粘合剂被允许残留在薄膜器件区域。上述残余即使通过清洗步骤也不能有效去除，结果薄膜器件的电特性的可靠性被降低了。在本发明中，残余粘合剂不允许残留在薄膜器件区域，因此薄膜晶体管阵列的电特性或类似特性具有良好的可靠性。

此外，因为粘合部分仅是基片的一部分，所以保护材料能以每片2分钟内的速度被剥离掉。在相关方法中，剥离需要的时间大约是10分钟至1小时；然而，通过本发明，转移步骤的生产量可被显著提高。

此外，在本发明中，因为粘合部分仅是基片的一部分，因此剥离能容易地被执行，在剥离过程中可能发生的破裂可被防止，从而显著地提高了产出率。

因此如上所述，通过利用本发明的器件制造方法，高性能薄膜器件可以低成本制造出来，此外，可以高的生产量、高的产出率进行制造。

至此为止，已结合例子详细地描述了本发明，然而，当然可以理解，本发明不限于上述例子，本发明可被进行各种改造或改变，而不脱离本发明的精神和范围。例如，除图1A、5A、5B、5C和6显示的情况之外，可执行不同的粘合方法，其中保护材料可被粘合至基片上的器件不存在的任选区域。作为用作粘合剂的材料，可使用粘性材料。在上述粘性材料被使用的情况下，保护材料可通过与图2A至4B显示的方法等同的方法被剥离掉。

此外，在例子中，描述了薄膜被用作保护材料和载体的情况；然而，除薄膜之外，具有大约几个毫米的厚度的薄片或薄板也可被使用。另外，描述了蚀刻基片的步骤；然而，也可使用机械研磨的方法。此外，器件不限于薄膜晶体管阵列，也可被应用于任意电子器件，如配线阵列和寄生元件阵列。

Claims

1.一种器件制造方法，包括

第一步骤：在基片的表面上形成器件；

第二步骤：粘附保护材料至基片的表面；

第三步骤：从基片的后表面侧研磨基片；

第四步骤：粘附载体至基片的被研磨后表面上；以及

第五步骤：剥离所述保护材料，

其中，在第二步骤中，保护材料被粘附至基片的一部分上。

2.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：在第二步骤中，利用设在保护材料和基片表面之间的粘合剂或粘性材料，将所述保护材料粘附至基片表面。

3.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：在第二步骤中，使用胶带将保护材料的周边区域粘合至基片的表面。

4.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：所述基片的所述部分位于除器件被形成的区域之外的区域中。

5.根据权利要求2所述的器件制造方法，其特征在于：所述基片的所述部分位于除器件被形成的区域之外的区域中。

6.根据权利要求3所述的器件制造方法，其特征在于：所述基片的所述部分位于除器件被形成的区域之外的区域中。

7.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：所述保护材料包括薄膜。

8.根据权利要求4所述的器件制造方法，其特征在于：所述保护材料包括薄膜。

9.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：第三步骤中的研磨是蚀刻或机械研磨。

10.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：在第二步骤中，利用设在保护材料和基片表面间的粘合剂，将保护材料粘附至基片的表面，在第五步骤中，所述粘合剂的粘合强度通过光辐射、加热或冷却被降低。

11.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：在第五步骤中，所述保护材料的一部分被切除，所述部分是被粘在基片上的。

12.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：所述器件包括由硅形成的薄膜晶体管。