CN1636235A - 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法。在单位像素区域内，在垂直堆叠结构中设置至少两个具有彼此不同功能的电容器。在应用需要两个或更多个具有彼此不同功能的电容器的补偿电路时，该两个或更多个电容器垂直堆叠，由此防止由于像素内电容器数量增加而导致孔径比降低。

Description

有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵型有机电致发光显示(AMOLED)装置及其制造方法，并且更加特别地涉及一种能够在应用每像素需要两个或更多个电容器的补偿电路时防止孔径比(aperture ratio)下降的AMOLED装置及其制造方法。
背景技术
在当今的信息社会中，电子显示设备作为信息传送媒质变得更加重要，并且各种电子显示装置广泛应用于工业设备及家用用具。对这些电子显示装置持续地进行改进，以使其具有满足信息社会各种需要的新型适用功能。
一般而言，电子显示装置显示并将各种类型的信息传送给利用这些信息的使用者。即，电子显示装置将从电子设备输出的电信息信号转化为使用者可以通过其眼睛识别的光信息信号。
电子显示装置分为发射显示装置和非发射显示装置，发射显示装置通过其光发射现象显示光信息信号，而非发射显示装置通过其反射、散射和干涉显示光信息信号。发射显示装置包括阴极射线管(CRT)、等离子体显示板(PDP)、发光二极管(LED)和电致发光显示器(ELD)。发射显示装置称作有源显示装置。另外，非发射显示装置称作无源显示装置，包括液晶显示器(LCD)、电化学显示器(ECD)和电泳图像显示器(EPID)。
由于其质量高且制造成本低，CRT已作为显示装置用于电视接收器或计算机的监视器很长时间。然而，CRT具有诸如质量重、体积大和功耗高的缺点。
目前，对诸如具有厚度薄、重量轻、驱动电压低和功耗低的出色特性的平板显示装置的新型电子显示装置的需求明显增加。依赖于迅速发展的半导体技术，这种平板显示装置得以制造。
电致发光(EL)元件吸引了对平板显示器感兴趣的人们的注意力。依据所用材料，EL元件一般分为无机EL元件和有机EL元件。
无机EL元件为其中向光发射部分施加高电场并且在所施加的高电场中加速电子从而与发光中心碰撞使得发光中心受激发射光束的装置。
有机EL元件为其中分别从阴极和阳极向发光部分中注入电子和空穴并且所注入的电子和空穴彼此结合产生激子从而在这些激子从激发态跃迁至基态时发光的装置。
基于以上的工作机制，无机EL元件需要100至200V的高驱动电压，而有机EL元件工作于5至20V的低电压。有机EL元件的上述优点促进了对有机ELD的研究。另外，有机EL元件具有诸如视角宽、响应速度高、对比度高等的出色性质。
有机EL元件可应用于有源矩阵型显示装置和无源矩阵型显示装置。有源矩阵有机EL显示装置为使用诸如薄膜晶体管的开关元件独立地驱动对应多个像素的EL元件的显示装置。有机EL显示装置也称作有机电致发光显示(OLED)装置或有机发光装置(OLED)。以下，有源矩阵有机EL显示装置称作AMOLED装置。
图1为传统AMOLED装置的等效电路图。
参照图1，传统AMOLED装置的单位像素电路包括两个薄膜晶体管TFT 1和TFT 2、以及一个电容器Cst。
具体而言，多条栅极线g1和g2和多条数据线d1和d2彼此交叉设置，由此限定单位像素区域。在相邻的数据线d1与d2之间设置与数据线d1和d2平行的直流信号线Vdd。以直流形式向Vdd线施加显示信号的最大值。
作为开关元件的第一薄膜晶体管TFT 1连接在栅极线g1与数据线d1交点处。TFT 1的栅极电极连接至栅极线g1，而TFT 1的源极电极连接至数据线d1。
存储电容器Cst连接在TFT 1的漏极电极与Vdd线之间。另外，第二薄膜晶体管TFT 2作为与存储电容器Cst并联的驱动元件连接在TFT 1的漏极电极与Vdd线之间。TFT 2的栅极电极连接至TFT 1的漏极电极，其源极电极连接至Vdd线，而其漏极电极连接至有机EL元件。
若TFT 1打开，TFT 2依据数据线d1的显示信号值而打开，使得Vdd线的直流信号值施加于有机EL元件，由此驱动有机EL元件。
然而，在对其应用使用两个TFT的电路的上述AMOLED装置中，发生了面板亮度由于驱动TFT特性偏差，例如，阈值电压变化，而不均匀的问题。
为了补偿驱动TFT特性的偏差，提出了向其增加独立的薄膜晶体管的补偿电路。然而，对于应用这种补偿电路的情况，薄膜晶体管的数量增加，并且由此使得单位像素区域中由薄膜晶体管占据的面积增加，从而减小了孔径比。另外，由于部分补偿电路需要彼此具有不同功能的两个电容器，因此设置在单位像素中的薄膜晶体管和电容器的数量增大，从而导致了孔径比减小。孔径比的减小降低了亮度，并需要较高的电流驱动，使得电路的寿命缩短。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够在应用每像素需要两个或更多个电容器的补偿电路时防止孔径比降低的有源矩阵型有机电致发光显示(AMOLED)装置。
本发明的另一目的在于提供一种用于制造能够在应用每像素需要两个或更多个电容器的补偿电路时防止孔径比降低的AMOLED装置的方法。
一方面，提供一种AMOLED装置，其中在单位像素区域内的垂直堆叠结构中设置至少两个具有彼此不同功能的电容器。
根据本发明的另一方面，提供一种AMOLED装置，其中一单位像素由沿着第一方向延伸的第一和第二栅极线、以及沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的数据线和直流信号线限定。第一薄膜晶体管具有与第一栅极线连接的第一栅极电极和与数据线连接的第一源极电极。第二薄膜晶体管具有与第二栅极线连接的第二栅极电极。第三薄膜晶体管具有与直流信号线连接的第三源极电极。有机EL元件连接在第三薄膜晶体管的第三漏极电极与接地端之间。第一电容器包括第一电极和第二电极，第一电极与第三薄膜晶体管的第三栅极电极和第二薄膜晶体管的第二源极电极连接，第二电极与第一薄膜晶体管的漏极电极连接。第二电容器包括与第二电极和直流信号线连接的第三电极。第一和第二电容器形成在垂直堆叠结构中并具有彼此不同的功能。
在根据本发明的AMOLED的另一方面中，单位像素由沿着第一方向延伸的第一和第二栅极线、以及沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的数据线和直流信号线限定。第一薄膜晶体管包括设置在第一栅极线与数据线交点附近的第一有源图案、从第一栅极线延伸出来并跨过第一有源图案的第一栅极电极、从数据线延伸出来并在第一栅极电极的一侧与第一有源图案连接的第一源极电极、以及在第一栅极电极的另一侧与第一有源图案连接的第一漏极电极。第二薄膜晶体管包括设置在第二栅极线与数据线交点附近的第二有源图案、从第二栅极线延伸出来并跨过第二有源图案的第二栅极电极、在第二栅极电极的一侧与第二有源图案连接的第二源极电极、以及在第二栅极电极的另一侧与第二有源图案连接的第二漏极电极。第三薄膜晶体管包括设置在单位像素内的第三有源图案、跨过第三有源图案的第三栅极电极、从直流信号线延伸出来并在第三栅极电极的一侧与第三有源图案连接的第三源极电极、以及从第二漏极电极延伸出来并在第三栅极电极的另一侧与第三有源图案连接的第三漏极电极。第一电容器包括第一电极和第二电极。第一电极从第二有源图案延伸出来并平行于直流信号线设置在直流信号线下面。第二电极形成在第一电极上并与第一漏极电极连接。第二电容器包括第二电极和形成在第二电极上的第三电极。第三电极与直流信号线连接。第二电容器具有与第一电容器不同的功能。与第三漏极电极连接的像素电极设置在单位像素内。
在根据本发明的制造AMOLED的方法中，在衬底的每个像素区域上形成第一电极和有源图案。在有源图案、第一电极和衬底上形成栅极绝缘层。在有源图案上方的栅极绝缘层上形成第一、第二和第三栅极电极，在第一电极上方的栅极绝缘层上形成第二电极，从而形成包括第一电极、栅极绝缘层和第二电极的第一电容器。在第一、第二和第三栅极电极、第二电极、以及栅极绝缘层上形成绝缘中间层。在有源图案上方的绝缘中间层上形成第一、第二和第三源极电极、以及第一、第二和第三漏极电极，从而形成包括第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极的第一薄膜晶体管、包括第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极的第二薄膜晶体管、以及包括第三栅极电极、第三源极电极和第三漏极电极的第三薄膜晶体管。同时，在第一电极上方的绝缘中间层上形成第三电极，从而形成垂直堆叠在第一电容器并包括第二电极、绝缘中间层和第三电极的第二电容器。在第一、第二和第三薄膜晶体管、第一和第二电容器、以及绝缘中间层上形成钝化层。在钝化层上形成像素电极。在像素电极上形成有机EL元件。
根据本发明，在应用每像素需要两个或更多个具有彼此不同功能的电容器的补偿电路时，该些电容器沿垂直方向堆叠，由此防止由于像素内电容器数量增加而导致孔径比降低。
附图说明
通过参照附图详细介绍本发明的典型实施例，将使其上述目的和其它优点变得更加明显易懂，附图中：
图1为传统AMOLED装置的电路图；
图2为根据本发明一个实施例的AMOLED装置的平面图；
图3为图2的等效电路图；
图4为图2沿着线A-A’截取的截面图；以及
图5A至5E为用于说明图4所示的AMOLED装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在，将参照附图详细介绍本发明的典型实施例。
图2为根据本发明一个实施例的AMOLED装置的平面图，图3为图2的等效电路图，而图4为图2沿着线A-A’截取的截面图。
参照图2至4，根据本发明的AMOLED的单位像素电路包括三个薄膜晶体管T1、T2和T3、两个电容器C1和C2、以及四条互连线GL1、GL2、DL和Vdd。
特别地，单位像素由沿第一方向延伸的第一和第二栅极线GL1和GL2以及沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的数据线DL和直流信号线Vdd限定。
第一栅极线GL1扮演开关作为开关元件的第一薄膜晶体管T1从而经数据线DL施加初始数据电压和灰度电平电压的角色。第二栅极线GL2扮演开关第二薄膜晶体管T2从而补偿作为驱动元件的第三薄膜晶体管T3的特性的角色。显示信号的最大值以直流状态固定地施加于直流信号线Vdd。
第一薄膜晶体管T1包括设置在第一栅极线GL1与数据线DL交点附近的第一有源图案105、从第一栅极线GL1延伸出来并跨过第一有源图案105的第一栅极电极110、从数据线DL延伸出来并在第一栅极电极110的一侧(第一侧)与第一有源图案105连接的第一源极电极122、以及在第一栅极电极110的另一侧(与第一侧相对的第二侧)与第一有源图案105连接的第一漏极电极123。第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极110与第一栅极线GL1连接，而其第一源极电极122与数据线DL连接。
第二薄膜晶体管T2包括设置在第二栅极线GL2与数据线DL交点附近的第二有源图案106、从第二栅极线GL2延伸出来并跨过第二有源图案106的第二栅极电极111、在第二栅极电极111的一侧与第二有源图案106连接的第二源极电极125、以及在第二栅极电极111的另一侧与第二有源图案106连接的第二漏极电极124。第二薄膜晶体管T2的第二栅极电极111与第二栅极线GL2连接。
第三薄膜晶体管T3包括设置在单位像素内的第三有源图案107、跨过第三有源图案107的第三栅极电极112、从直流信号线Vdd延伸出来并在第三栅极电极112的一侧与第三有源图案107连接的第三源极电极127、以及从第二漏极电极124延伸出来并在第三栅极电极112的另一侧与第三有源图案107连接的第三漏极电极126。第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112与第二薄膜晶体管T2的第二源极电极125连接，其第三源极电极127与直流信号线Vdd连接，而其第三漏极电极126与第二薄膜晶体管T2的第二漏极电极124和有机EL元件连接。
优选，第三薄膜晶体管T3为p型，而第一和第二薄膜晶体管T1和T2为n型或p型。
第一电容器C1包括第一电极108、栅极绝缘层109和第二电极113。第一电极108从第二薄膜晶体管T2的第二有源图案106延伸出来并平行于直流信号线Vdd设置在直流信号线Vdd下面。第二电极113与第一电极108交叠。第一电极108由与第一、第二和第三薄膜晶体管T1、T2和T3的有源图案105、106和107相同的层形成。第二电极113由与栅极线GL相同的层形成。第一电容器C1的第一电极108与第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112和第二薄膜晶体管T2的第二源极电极125连接。第一电容器C1的第二电极113与第一薄膜晶体管T1的第一漏极电极123连接。第一电容器C1起存储补偿第三薄膜晶体管T3特性的电压并将数据电压传输至第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112的作用。
第二电容器C2包括第二电极113、栅极中间层和与第二电极113交叠的第三电极128。第二电容器C2的第三电极128与直流信号线Vdd连接。
第三电极128由与数据线DL相同的层形成。第二电容器C2连接在直流信号线Vdd与第一薄膜晶体管T1的第一漏极电极123之间。第二电容器C2起到在帧图像时间期间将数据电压保持在固定电平的作用。
因此，第一电容器C1和第二电容器C2具有彼此不同的功能。虽然共享公共电极，即，与第一薄膜晶体管T1的第一漏极电极123连接的第二电极113，第一和第二电容器C1和C2沿垂直方向按堆叠结构形成。
在本发明的单位像素区域内，形成了与第三薄膜晶体管T3的第三漏极电极126连接的像素电极134。另外，由与像素电极134相同的层形成的第四电极135形成为与第二电容器C2的第三电极128交叠。当需要第二电容器C2具有很高的电容时，设置在第二电极113与第四电极135之间的绝缘中间层114和钝化层130起电容器介电层的作用，由此确保必须的电容。
本发明的像素电路如下工作。
若第一薄膜晶体管T1通过第一栅极线GL1打开，第三薄膜晶体管T3根据数据线DL的显示信号值打开，使得直流信号线Vdd的直流信号值施加于有机EL元件，从而驱动有机EL元件。同时，若向第二栅极线GL2施加补偿电压从而打开第二薄膜晶体管T2，则第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112和第三漏极电极126彼此连接，使得作为驱动元件的第三薄膜晶体管T3的特性差减小。
以下，将介绍根据本发明制造具有上述结构的AMOLED的方法。
图5A至5E为用于说明图4所示的AMOLED的截面图。
参照图5A，通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)，在诸如玻璃、石英或蓝宝石的绝缘衬底100上沉积氧化硅至接近2000的厚度，从而形成阻挡层101。阻挡层101优选用于在后续非晶硅薄膜的结晶工艺期间防止热损失。
通过PECVD在阻挡层101上沉积n型掺杂非晶硅至约800的厚度，随后使用光刻工艺构图，从而在单位像素内的薄膜晶体管区域和电容器区域上形成缓冲层102和103。
其后，在缓冲层102和103以及阻挡层101上，通过低压化学汽相沉积(LPCVD)或PECVD法沉积非晶硅至约500的厚度，从而形成有源层104。然后，执行激光退火或高温炉退火从而将有源层104结晶为多晶硅层。
参照图5B，经光刻工艺，构图多晶硅有源层104，从而在单位像素内的薄膜晶体管区域上形成第一有源图案(图2中的105)、第二有源图案(图2中的106)和第三有源图案107。同时，在单位像素内的电容器区域上形成由多晶硅有源层制得的第一电极108。
然后，在其上形成有有源图案105、106和107以及第一电极108的所得结构的整个表面上通过PECVD法沉积氧化硅至约1000至2000的厚度，从而形成栅极绝缘层109。
参照图5C，在栅极绝缘层109上，通过溅射法沉积诸如AlNd的栅极层至接近3000的厚度。然后，经光刻工艺构图栅极层。结果，形成了沿第一方向延伸的第一和第二栅极线(图2中的GL1和GL2)、从第一栅极线GL1分支出来的第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极(图2中的110)、从第二栅极线GL2分支出来的第二薄膜晶体管T2的第二栅极电极(图2中的111)、设置在单位像素内的第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112。此时，由栅极层制成的第二电极113形成为与第一电极108交叠。第二电极113用作堆叠型的第一和第二电容器C1和C2的公共电极。
然后，通过使用栅极层光刻工艺中所用的光掩模执行杂质离子注入，形成第一、第二和第三薄膜晶体管T1、T2和T3的源极/漏极区域(未示出)。优选，第三薄膜晶体管T3为p型，而第一和第二薄膜晶体管T1和T2为n型或p型。
参照图5D，为了活化源极和漏极区域中的掺杂杂质并修补硅层中的损伤，进行激光退火或高温炉退火。然后，在所得结构的整个表面上沉积氮化硅至接近8000的厚度，从而形成绝缘中间层114。
其后，通过光刻工艺蚀刻绝缘中间层114，从而形成暴露出第一、第二和第三薄膜晶体管T1、T2和T3的源极/漏极区域的接触孔115、116、117、118、119和120。同时，还形成暴露第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112的预定部分的接触孔121。
诸如MoW或AlNd的数据层沉积在接触孔115、116、117、118、119、120和121以及绝缘中间层114上至约3000至6000的厚度，随后通过光刻工艺构图。结果，形成了沿着与第一方向垂直的第二方向延伸的数据线DL和直流信号线Vdd、第一薄膜晶体管T1的第一源极/漏极电极(图2中的122和123)、第二薄膜晶体管T2的第二源极/漏极电极(图2中的125和124)、以及第三薄膜晶体管T3的第三源极/漏极电极127和126，其经过接触孔与源极/漏极区域连接。同时，由数据层制成的第三电极128形成为与第二电极113交叠。第三电极128包括直流信号线Vdd并与第三薄膜晶体管T3的第三源极127电极连接。优选，使用单个电极图形，同时形成第二薄膜晶体管T2的第二漏极电极124和第三薄膜晶体管T3的第三漏极电极126。另外，第二薄膜晶体管T2的第二源极电极125形成为与第三薄膜晶体管T3的第三栅极电极112接触。
参照图5E，在数据线DL、直流信号线Vdd、源极/漏极电极122、123、124、125、126和127、以及绝缘中间层130上沉积氮化硅至接近2000至3000的厚度，从而形成钝化层130。其后，使用光刻工艺蚀刻掉钝化层130，从而形成暴露出第三薄膜晶体管T3的第三漏极电极126的通孔132。
在通孔132和钝化层130上沉积诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电层至接近300至500的厚度，随后通过光刻工艺构图。由此，使像素电极134形成为经通孔132与第三薄膜晶体管T3的第三漏极电极126连接。同时，形成由透明导电层制成的第四电极135，使其与第三电极128交叠。
如图4所示，在像素电极134、第四电极135和钝化层130上形成有机绝缘层136后，曝光并显影有机绝缘层136，从而形成具有与像素电极134相同形状的开口137。优选，开口137形成为具有比像素电极134小的宽度。
然后，在开口137和有机绝缘层136上顺序形成空穴输运层(HIL)138、发光层140和电子输运层(ETL)142。阴极电机144形成于其上，从而完成有机EL元件。
如上所述，根据本发明，在采用每像素需要两个或更多个具有彼此不同功能的电容器的补偿电路时，垂直堆叠该两个或更多个电容器，从而防止孔径比由于像素内电容器数量增加而降低。
另外，显然本发明的堆叠型电容器可以应用于任何其它使用两个或更多个具有彼此不同功能的电容器的像素电路。
虽然，已详细介绍了本发明，应理解，可以在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精髓和范围的基础上对其进行各种改动、替换或变更。

Claims (14)

1.一种有源矩阵型有机电致发光显示装置，包括，在单位像素区域内设置在垂直堆叠结构中的至少两个电容器，该至少两个电容器具有彼此不同的功能。
2.如权利要求1所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中该两个电容器共享一单个的电极。
3.如权利要求1所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，还包括形成在单位像素区域内的至少三个薄膜晶体管和一单个的有机电致发光元件。
4.一种有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中一单位像素由沿着第一方向延伸的第一和第二栅极线、以及沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的数据线和直流信号线限定，所述有源矩阵型有机电致发光显示装置包括：
第一薄膜晶体管，具有与第一栅极线连接的第一栅极电极和与数据线连接的第一源极电极；
第二薄膜晶体管，具有与第二栅极线连接的第二栅极电极；
第三薄膜晶体管，具有与直流信号线连接的第三源极电极；
有机电致发光元件，连接在第三薄膜晶体管的第三漏极电极与接地端之间；
第一电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极与第三薄膜晶体管的第三栅极电极和第二薄膜晶体管的第二源极电极连接，第二电极与第一薄膜晶体管的第一漏极电极连接；以及
第二电容器，包括该第二电极和与直流信号线连接的第三电极，
其中，第一和第二电容器形成在垂直堆叠结构中并具有彼此不同的功能。
5.一种有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中一单位像素由沿着第一方向延伸的第一和第二栅极线、以及沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的数据线和直流信号线限定，该有源矩阵型有机电致发光显示装置包括：
第一薄膜晶体管，包括设置在第一栅极线与数据线交点附近的第一有源图案、从第一栅极线延伸出来并跨过第一有源图案的第一栅极电极、从数据线延伸出来并在第一栅极电极的第一侧与第一有源图案连接的第一源极电极、以及在第一栅极电极的第二侧与第一有源图案连接的第一漏极电极；
第二薄膜晶体管，包括设置在第二栅极线与数据线交点附近的第二有源图案、从第二栅极线延伸出来并跨过第二有源图案的第二栅极电极、在第二栅极电极的第一侧与第二有源图案连接的第二源极电极、以及在第二栅极电极的第二侧与第二有源图案连接的第二漏极电极；
第三薄膜晶体管，包括设置在单位像素内的第三有源图案、跨过第三有源图案的第三栅极电极、从直流信号线延伸出来并在第三栅极电极的第一侧与第三有源图案连接的第三源极电极、以及从第二漏极电极延伸出来并在第三栅极电极的第二侧与第三有源图案连接的第三漏极电极；
第一电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极从第二有源图案延伸出来并平行于直流信号线设置在直流信号线下面，第二电极形成在第一电极上并与第一漏极电极连接；
第二电容器，包括该第二电极和形成在第二电极上的第三电极，第三电极与直流信号线连接，第二电容器具有与第一电容器不同的功能；以及
像素电极，设置在单位像素内，从而与第三漏极电极连接。
6.如权利要求5所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中第一电极、以及第一、第二和第三有源图案由相同的层形成。
7.如权利要求5所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中第二电极和栅极线由相同的层形成。
8.如权利要求5所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中第三电极和数据线由相同的层形成。
9.如权利要求5所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，还包括由与像素电极相同的层形成在直流信号线上的第四电极。
10.如权利要求5所述的有源矩阵型有机电致发光显示装置，其中第二薄膜晶体管的第二源极电极与第三薄膜晶体管的第三栅极电极连接。
11.一种制造有源矩阵型有机电致发光显示装置的方法，该方法包括步骤：
在衬底的像素区域中形成有源图案和第一电极；
在有源图案、第一电极和衬底上形成栅极绝缘层；
在有源图案上方的栅极绝缘层上形成第一、第二和第三栅极电极，同时在第一电极上方的栅极绝缘层上形成第二电极，从而形成包括第一电极、栅极绝缘层和第二电极的第一电容器；
在第一、第二和第三栅极电极、第二电极、以及栅极绝缘层上形成绝缘中间层；
在有源图案上方的绝缘中间层上形成第一、第二和第三源极电极、以及第一、第二和第三漏极电极，从而形成包括第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极的第一薄膜晶体管、包括第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极的第二薄膜晶体管、以及包括第三栅极电极、第三源极电极和第三漏极电极的第三薄膜晶体管，并同时在第一电极上方的绝缘中间层上形成第三电极，从而形成垂直堆叠在第一电容器上并包括第二电极、绝缘中间层和第三电极的第二电容器；
在第一、第二和第三薄膜晶体管、第一和第二电容器、以及绝缘中间层上形成钝化层；
在钝化层上形成像素电极；以及
在像素电极上形成有机电致发光元件。
12.如权利要求11所述的方法，其中第二薄膜晶体管的第二漏极电极和第三薄膜晶体管的第三漏极电极由单个的电极图案形成。
13.如权利要求11所述的方法，其中第二薄膜晶体管的第二源极电极形成为与第三薄膜晶体管的第三栅极电极相接触。
14.如权利要求11所述的方法，其中在形成像素电极的步骤中，形成第四电极使其与第三电极相交叠。
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