CN104064688A - 具有存储电容的tft基板的制作方法及该tft基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板。该制作方法包括：步骤1、形成栅极(21)与第一金属电极(23)；步骤2、形成栅极绝缘层(3)与栅极绝缘层过孔(31)；步骤3、形成氧化物半导体层(4)；步骤4、对部分氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)，构成第一存储电容C1；步骤5、形成蚀刻阻挡层(6)与第一蚀刻阻挡层过孔(61)；步骤6、形成源\漏极(71)与第二金属电极(73)，构成第二存储电容C2，且C2并联于C1；步骤7、形成保护层(8)、保护层过孔(81)及第二蚀刻阻挡层过孔(63)；步骤8、形成像素电极(91)与第二导体电极(93)，构成第三存储电容C3，且C3并联于C2。

Description

具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种具有存储电容的TFT基板的制作方法及该TFT基板。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。
在OLED面板生产中，氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，且与高世代生产线兼容而得到了广泛的应用。
OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PM-OLED)和有源OLED(AM-OLED)。
现有的AM-OLED器件一般为两个电晶体之间夹着一个存储电容，其等效电路图如图1所示，在薄膜晶体管T1与薄膜晶体管T2之间夹着一个存储电容Cst。薄膜晶体管T1、T2均为场效应晶体管。薄膜晶体管T1为信号切换晶体管，其用于数据信号的传送和切断；薄膜晶体管T2为驱动晶体管，其与有机发光二级管D连接；存储电容Cst通常由栅极金属、源/漏极金属及二者之间的绝缘层或源/漏极金属、像素电极及二者之间的绝缘层构成。具体的，信号切换晶体管T1的栅极接收扫描信号Vgate，源极接收数据信号Vdata，漏极与驱动晶体管T2的栅极连接；驱动晶体管T2的源极接电源Vdd，漏极接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极接地Vss；存储电容Cst连接在信号切换晶体管T1的漏极与驱动晶体管T2的源极之间。
该电路的工作原理是，当扫描信号Vgate到来时，信号切换晶体管T1导通，数据信号Vdata输入驱动晶体管T2的栅极，经该驱动晶体管T2放大后驱动有机发光二极管D进行显示。当扫描信号结束后，存储电容Cst是维持像素电极电位的主要手段，统一增大存储电容可以有效的改善画面的均一性，提升显示质量。增大存储电容Cst的方法通常包括增大电极板的面积或减小两电极板之间的间距两种方法。但增大Cst的面积会引起开口区的面积减少，造成开口率下降，显示亮度降低；而单纯减小两电极板之间的间距则有可能发生击穿的问题，存在损坏AM-OLED的风险。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，能够增大存储电容，改善电路性能，且存储电容占用的面积较小，从而使得开口区的面积增大，开口率提高，提升显示效果。
本发明的目的还在于提供一种TFT基板，其存储电容较大，占用面积较小，有利于提高开口率，提升显示效果。
为实现上述目的，本发明首先提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在该基板上沉积并图案化第一金属层，形成栅极的同时形成第一金属电极；
步骤2、在所述栅极、第一金属电极与基板上沉积并图案化栅极绝缘层，形成栅极绝缘层过孔；
步骤3、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化氧化物半导体层；
步骤4、对覆盖于所述第一金属电极上方的栅极绝缘层上的氧化物半导体层进行N型重掺杂，形成第一导体电极；所述第一金属电极、第一导体电极与夹在二者之间的栅极绝缘层构成第一存储电容C1；
步骤5、在所述第一导体电极、氧化物半导体层与栅极绝缘层上沉积并图案化蚀刻阻挡层，形成与所述栅极绝缘层过孔连通的第一蚀刻阻挡层过孔；
步骤6、在所述蚀刻阻挡层上沉积并图案化第二金属层，形成源\漏极的同时形成第二金属电极；所述第一导体电极、第二金属电极与夹在二者之间的蚀刻阻挡层构成第二存储电容C2；且所述第二金属电极填充第一蚀刻阻挡层过孔及栅极绝缘层过孔，并与第一金属电极连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；
步骤7、在所述源\漏极、第二金属电极、与蚀刻阻挡层上沉积并图案化保护层，形成保护层过孔及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔；
步骤8、在所述保护层上沉积并图案化像素电极层，形成像素电极的同时形成第二导体电极；所述第二金属电极、第二导体电极与夹在二者之间的保护层构成第三存储电容C3；且所述第二导体电极填充所述保护层过孔及第二蚀刻阻挡层过孔，并与第一导体电极连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。
所述氧化物半导体层为IGZO氧化物半导体层，所述第一导体电极为N+IGZO导体电极。
所述第二导体电极为ITO导体电极或IZO导体电极，所述像素电极为ITO像素电极或IZO像素电极。
所述第一金属层、氧化物半导体层、第二金属层、像素电极层采用物理气相沉积法沉积；所述栅极绝缘层、蚀刻阻挡层，保护层采用化学气相沉积法沉积。
所述栅极绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积法沉积。
所述步骤1采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述第一金属层，形成栅极的同时形成第一金属电极；所述步骤2采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述栅极绝缘层，形成栅极绝缘层过孔；所述步骤3采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述氧化物半导体层；所述步骤5采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述蚀刻阻挡层，形成第一蚀刻阻挡层过孔；所述步骤6采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述第二金属层，形成源\漏极的同时形成第二金属电极；所述步骤7采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述保护层，形成保护层过孔及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔；所述步骤9采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述像素电极层，形成像素电极的同时形成第二导体电极。
所述步骤4采用黄光、氢气等离子体处理与剥离工艺对覆盖于所述第一金属电极上方的栅极绝缘层上的氧化物半导体层进行N型重掺杂，形成第一导体电极。
本发明还提供一种TFT基板，包括一基板、位于基板上的第一金属电极、位于第一金属电极上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的第一导体电极、位于第一导体电极上的蚀刻阻挡层、位于蚀刻阻挡层上的第二金属电极、位于第二金属电极上的保护层、位于保护层上的第二导体电极；所述第一金属电极、第一导体电极与夹在二者之间的栅极绝缘层构成第一存储电容C1，所述第一导体电极、第二金属电极与夹在二者之间的蚀刻阻挡层构成第二存储电容C2，所述第二金属电极、第二导体电极与夹在二者之间的保护层构成第三存储电容C3；所述栅极绝缘层具有栅极绝缘层过孔，所述蚀刻阻挡层具有第一蚀刻阻挡层过孔与第二蚀刻阻挡层过孔，所述保护层具有保护层过孔，所述第一蚀刻阻挡层过孔与栅极绝缘层过孔连通，所述保护层过孔与第二蚀刻阻挡层过孔连通；所述第二金属电极填充第一蚀刻阻挡层过孔及栅极绝缘层过孔，并与第一金属电极连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；所述第二导体电极填充所述保护层过孔及第二蚀刻阻挡层过孔，并与第一导体电极连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。
所述第一导体电极为N+IGZO导体电极，所述第二导体电极为ITO导体电极或IZO导体电极。
所述TFT基板还包括：与所述第一金属电极位于同一层的栅极、与所述第一导体电极位于同一层的氧化物半导体层、与所述第二金属电极位于同一层的源\漏极、及与所述第二导体电极位于同一层的的像素电极；所述源\漏极与氧化物半导体层连接；所述氧化物半导体层为IGZO氧化物半导体层，所述像素电极为ITO像素电极或IZO像素电极。
本发明的有益效果：本发明的具有存储电容的TFT基板的制作方法，使所述第一金属电极、第一导体电极与夹在二者之间的栅极绝缘层构成第一存储电容C1，所述第一导体电极、第二金属电极与夹在二者之间的蚀刻阻挡层构成第二存储电容C2，所述第二金属电极、第二导体电极与夹在二者之间的保护层构成第三存储电容C3，且第一、第二、第三存储电容C1、C2、C3相互并联，能够增大存储电容，改善电路性能，且存储电容占用的面积较小，从而使得开口区的面积增大，开口率提高，提升显示效果。本发明的TFT基板，通过设置三个相互并联的第一、第二、第三存储电容C1、C2、C3，使得存储电容较大、占用面积较小，有利于提高开口率，提升显示效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为一现有AM-OLED器件的等效电路图；
图2为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的流程图；
图3为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤1的示意图；
图4为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；
图5为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
图6为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；
图7为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；
图8为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤6的示意图；
图9为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤7的示意图；
图10为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法的步骤8的示意图暨本发明TFT基板的示意图；
图11为本发明具有存储电容的TFT基板的制作方法制得的存储电容的等效电路图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、请参阅图3，提供一基板1，采用物理气象沉积(PVD)法在该基板1上沉积第一金属层，并采用黄光(Photo)、湿蚀刻(Wet)与剥离工艺(Stripper)图案化该第一金属层，形成栅极21的同时形成第一金属电极23。
所述栅极21与第一金属电极23之间间隔一定的距离。
步骤2、请参阅图4，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在所述栅极21、第一金属电极23与基板1上沉积栅极绝缘层3，采用黄光、干蚀刻(Dry)与剥离工艺图案化该栅极绝缘层3，形成栅极绝缘层过孔31，以露出该栅极绝缘层过孔31下方的第一金属电极23。
所述栅极绝缘层过孔31位于第一金属电极23的一侧。
步骤3、请参阅图5，采用物理气相沉积法在所述栅极绝缘层3上沉积氧化物半导体层4，采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化该氧化物半导体层(4)。
完成该步骤3后，部分氧化物半导体层4覆盖于所述栅极21上方的栅极绝缘层3上，部分氧化物半导体层4覆盖于所述第一金属电极23上方的栅极绝缘层3上。
步骤4、请参阅图6，对覆盖于所述第一金属电极23上方的栅极绝缘层3上的氧化物半导体层4进行N型重掺杂，提高其导电性能，形成第一导体电极5。
具体的，采用黄光、氢气等离子体处理(Plasma)与剥离工艺对覆盖于所述第一金属电极23上方的栅极绝缘层3上的氧化物半导体层4进行N型重掺杂。
至此，所述第一金属电极23、第一导体电极5与夹在二者之间的栅极绝缘层3构成第一存储电容C1。
步骤5、请参阅图7，采用化学气相沉积法(CVD)在所述第一导体电极5、氧化物半导体层4与栅极绝缘层3上沉积蚀刻阻挡层6，采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化该蚀刻阻挡层6，形成第一蚀刻阻挡层过孔61。
所述第一蚀刻阻挡层过孔61与所述栅极绝缘层过孔31连通。
步骤6、请参阅图8，采用物理气相沉积法在所述蚀刻阻挡层6上沉积第二金属层，采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化该第二金属层，形成源\漏极71的同时形成第二金属电极73。
至此，所述第一导体电极5、第二金属电极73与夹在二者之间的蚀刻阻挡层6构成第二存储电容C2，且所述第二金属电极73填充第一蚀刻阻挡层过孔61及栅极绝缘层过孔31，并与第一金属电极23连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1。
步骤7、请参阅图9，采用化学气相沉积法在所述源\漏极71、第二金属电极73、与蚀刻阻挡层6上沉积保护层8，采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化保护层8，形成保护层过孔81及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔63，以露出该第二蚀刻阻挡层过孔63下方的第一导体电极5。
所述保护层过孔81及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔63位于所述第一金属电极23的另一侧。
步骤8、请参阅图10，采用物理气相沉积法在所述保护层8上沉积像素电极层，采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化该像素电极层，形成像素电极91的同时形成第二导体电极93。
至此，所述第二金属电极73、第二导体电极93与夹在二者之间的保护层8构成第三存储电容C3，且所述第二导体电极93填充所述保护层过孔81及第二蚀刻阻挡层过孔63，并与第一导体电极5连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。
请参阅图11，在该步骤8完成后，所述第一、第二、第三存储电容C1、C2、C3相互并联，可实现在相对较小的面积下，增大存储电容，改善电路性能，使得开口区的面积增大，开口率提高，提升显示效果。
请参阅图10，本发明还提供一种通过该制作方法制得的TFT基板，包括一基板1、位于基板1上的第一金属电极23、位于第一金属电极23上的栅极绝缘层3、位于栅极绝缘层3上的第一导体电极5、位于第一导体电极5上的蚀刻阻挡层6、位于蚀刻阻挡层6上的第二金属电极73、位于第二金属电极73上的保护层8、位于保护层8上的第二导体电极93。
所述第一金属电极23、第一导体电极5与夹在二者之间的栅极绝缘层3构成第一存储电容C1，所述第一导体电极5、第二金属电极73与夹在二者之间的蚀刻阻挡层6构成第二存储电容C2，所述第二金属电极73、第二导体电极93与夹在二者之间的保护层8构成第三存储电容C3。
所述栅极绝缘层3具有栅极绝缘层过孔31，所述蚀刻阻挡层6具有第一蚀刻阻挡层过孔61与第二蚀刻阻挡层过孔63，所述保护层8具有保护层过孔81，所述第一蚀刻阻挡层过孔61与栅极绝缘层过孔31连通，所述保护层过孔81与第二蚀刻阻挡层过孔63连通，所述第一蚀刻阻挡层过孔61与栅极绝缘层过孔31位于所述第一金属电极23的一侧，所述保护层过孔81与第二蚀刻阻挡层过孔63位于所述第一金属电极23的另一侧。所述第二金属电极73填充第一蚀刻阻挡层过孔61及栅极绝缘层过孔31，并与第一金属电极23连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；所述第二导体电极93填充所述保护层过孔81及第二蚀刻阻挡层过孔63，并与第一导体电极5连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2，即所述第一、第二、第三存储电容C1、C2、C3相互并联，使得存储电容较大、占用面积较小，有利于提高开口率，提升显示效果。
所述TFT基板还包括：与所述第一金属电极23位于同一层的栅极21、与所述第一导体电极5位于同一层的氧化物半导体层4、与所述第二金属电极73位于同一层的源\漏极71、及与所述第二导体电极93位于同一层的的像素电极91。所述源\漏极71与氧化物半导体层4连接。所述第一金属电极23与所述栅极21同时形成；所述第一导体电极5经对所述半导体层4进行N型重掺杂形成；所述第二导体电极93与所述像素电极91同时形成。
进一步的，所述氧化物半导体层4为IGZO氧化物半导体层，所述像素电极91为ITO像素电极或IZO像素电极。相应的，所述第一导体电极5为N+IGZO导体电极，所述第二导体电极93为ITO导体电极或IZO导体电极。
综上所述，本发明的具有存储电容的TFT基板的制作方法，使所述第一金属电极、第一导体电极与夹在二者之间的栅极绝缘层构成第一存储电容C1，所述第一导体电极、第二金属电极与夹在二者之间的蚀刻阻挡层构成第二存储电容C2，所述第二金属电极、第二导体电极与夹在二者之间的保护层构成第三存储电容C3，且第一、第二、第三存储电容C1、C2、C3相互并联，能够增大存储电容，改善电路性能，且存储电容占用的面积较小，从而使得开口区的面积增大，开口率提高，提升显示效果。本发明的TFT基板，通过设置三个相互并联的第一、第二、第三存储电容C1、C2、C3，使得存储电容较大、占用面积较小，有利于提高开口率，提升显示效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(21)的同时形成第一金属电极(23)；
步骤2、在所述栅极(21)、第一金属电极(23)与基板(1)上沉积并图案化栅极绝缘层(3)，形成栅极绝缘层过孔(31)；
步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层(4)；
步骤4、对覆盖于所述第一金属电极(23)上方的栅极绝缘层(3)上的氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)；所述第一金属电极(23)、第一导体电极(5)与夹在二者之间的栅极绝缘层(3)构成第一存储电容C1；
步骤5、在所述第一导体电极(5)、氧化物半导体层(4)与栅极绝缘层(3)上沉积并图案化蚀刻阻挡层(6)，形成与所述栅极绝缘层过孔(31)连通的第一蚀刻阻挡层过孔(61)；
步骤6、在所述蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化第二金属层，形成源\漏极(71)的同时形成第二金属电极(73)；所述第一导体电极(5)、第二金属电极(73)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(6)构成第二存储电容C2；且所述第二金属电极(73)填充第一蚀刻阻挡层过孔(61)及栅极绝缘层过孔(31)，并与第一金属电极(23)连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；
步骤7、在所述源\漏极(71)、第二金属电极(73)、与蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化保护层(8)，形成保护层过孔(81)及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔(63)；
步骤8、在所述保护层(8)上沉积并图案化像素电极层，形成像素电极(91)的同时形成第二导体电极(93)；所述第二金属电极(73)、第二导体电极(93)与夹在二者之间的保护层(8)构成第三存储电容C3；且所述第二导体电极(93)填充所述保护层过孔(81)及第二蚀刻阻挡层过孔(63)，并与第一导体电极(5)连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。
2.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层(4)为IGZO氧化物半导体层，所述第一导体电极(5)为N+IGZO导体电极。
3.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二导体电极(93)为ITO导体电极或IZO导体电极，所述像素电极(91)为ITO像素电极或IZO像素电极。
4.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、氧化物半导体层(4)、第二金属层、像素电极层采用物理气相沉积法沉积；所述栅极绝缘层(3)、蚀刻阻挡层(6)，保护层(8)采用化学气相沉积法沉积。
5.如权利要求4所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)采用等离子体增强化学气相沉积法沉积。
6.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述第一金属层，形成栅极(21)的同时形成第一金属电极(23)；所述步骤2采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述栅极绝缘层(3)，形成栅极绝缘层过孔(31)；所述步骤3采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述氧化物半导体层(4)；所述步骤5采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述蚀刻阻挡层(6)，形成第一蚀刻阻挡层过孔(61)；所述步骤6采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述第二金属层，形成源\漏极(71)的同时形成第二金属电极(73)；所述步骤7采用黄光、干蚀刻与剥离工艺图案化所述保护层(8)，形成保护层过孔(81)及与其连通的第二蚀刻阻挡层过孔(63)；所述步骤9采用黄光、湿蚀刻与剥离工艺图案化所述像素电极层，形成像素电极(91)的同时形成第二导体电极(93)。
7.如权利要求1所述的具有存储电容的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4采用黄光、氢气等离子体处理与剥离工艺对覆盖于所述第一金属电极(23)上方的栅极绝缘层(3)上的氧化物半导体层(4)进行N型重掺杂，形成第一导体电极(5)。
8.一种TFT基板，其特征在于，包括一基板(1)、位于基板(1)上的第一金属电极(23)、位于第一金属电极(23)上的栅极绝缘层(3)、位于栅极绝缘层(3)上的第一导体电极(5)、位于第一导体电极(5)上的蚀刻阻挡层(6)、位于蚀刻阻挡层(6)上的第二金属电极(73)、位于第二金属电极(73)上的保护层(8)、位于保护层(8)上的第二导体电极(93)；所述第一金属电极(23)、第一导体电极(5)与夹在二者之间的栅极绝缘层(3)构成第一存储电容C1，所述第一导体电极(5)、第二金属电极(73)与夹在二者之间的蚀刻阻挡层(6)构成第二存储电容C2，所述第二金属电极(73)、第二导体电极(93)与夹在二者之间的保护层(8)构成第三存储电容C3；所述栅极绝缘层(3)具有栅极绝缘层过孔(31)，所述蚀刻阻挡层(6)具有第一蚀刻阻挡层过孔(61)与第二蚀刻阻挡层过孔(63)，所述保护层(8)具有保护层过孔(81)，所述第一蚀刻阻挡层过孔(61)与栅极绝缘层过孔(31)连通，所述保护层过孔(81)与第二蚀刻阻挡层过孔(63)连通；所述第二金属电极(73)填充第一蚀刻阻挡层过孔(61)及栅极绝缘层过孔(31)，并与第一金属电极(23)连接，从而将第二存储电容C2并联于第一存储电容C1；所述第二导体电极(93)填充所述保护层过孔(81)及第二蚀刻阻挡层过孔(63)，并与第一导体电极(5)连接，从而将第三存储电容C3并联于第二存储电容C2。
9.如权利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述第一导体电极(5)为N+IGZO导体电极，所述第二导体电极(93)为ITO导体电极或IZO导体电极。
10.如权利要求8所述的TFT基板，其特征在于，还包括：与所述第一金属电极(23)位于同一层的栅极(21)、与所述第一导体电极(5)位于同一层的氧化物半导体层(4)、与所述第二金属电极(73)位于同一层的源\漏极(71)、及与所述第二导体电极(93)位于同一层的的像素电极(91)；所述源\漏极(71)与氧化物半导体层(4)连接；所述氧化物半导体层(4)为IGZO氧化物半导体层，所述像素电极(91)为ITO像素电极或IZO像素电极。
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