KR20100012080A - 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치 - Google Patents

어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치 Download PDF

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KR20100012080A
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엄윤성
김수정
유재진
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Abstract

어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치에서, 화소 전극은 테두리부, 연결부들 및 슬릿부들을 포함한다. 테두리부는 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 따라 형성되고, 연결부들은 데이터 라인 및 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결된다. 슬릿부들은 연결부들의 측면으로부터 돌출되어 테두리부에 연결된다. 차폐 전극은 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이 및 상기 게이트 라인과 상기 테두리부의 사이에서 테두리부를 따라 형성되어 있다. 따라서 액정표시장치의 투과율 및 응답속도가 향상되어 표시품질이 향상된다.
전극, 슬릿, 액정, 투과율, 응답속도

Description

어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치{ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 표시품질을 향상시키는 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치에 관한 것이다.
일반적으로, 중소형 모바일용 PVA(patterned vertical alignment) 모드(이하, mPVA 모드) 액정표시장치는 투과율이 비교적 다른 모드에 비해 우수한 원편광 적용 광학 모드를 갖는다.
그런데 원편광 적용된 광학모드를 갖는 상기 mPVA 액정표시장치는 시인성이나 대비비 측면에서 선편광 적용된 PVA 모드보다 약점을 갖는 것을 알려져 있다. 그러나, 상기 선편광 적용 PVA 모드는 원리적으로 원편광 적용 PVA에 대비하면 투과율이 떨어지는 것으로 알려져 있다.
따라서 선편광 광학 모드를 mPVA 모드에 적용하는 경우에는 투과율을 향상시키기 위해서는 기본적으로 화소의 개구율 자체가 커야할 뿐만 아니라 최대한 액 정의 방향자가 편광판의 편광축과 45도를 이루도록 하는 것이 바람직하다.
그런데, 상기 mPVA 모드의 경우 프린지 필드(Fringe Field)에 의해 액정을 제어하기 때문에 칼라필터 기판의 공통전극에 슬릿부가 형성되어 광투과율이 감소되는 문제점이 있다.
이를 개선하기 위해 공통전극에는 슬릿을 형성하지 않고, 어레이 기판의 화소전극에 슬릿을 형성하는 마이크로-슬릿 모드가 개시된 바 있다. 그러나, 상기 마이크로-슬릿 모드에서 상기 화소 전극에 형성된 마이크로 슬릿의 가장자리나 슬릿들 사이에서 액정의 제어가 충분치 못하여 표시품질이 저하되는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하는 것으로, 본 발명은 표시품질을 향상시키는 어레이 기판을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 어레이 기판을 갖는 액정표시장치를 제공한다.
상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 어레이 기판은 기판, 화소 전극 및 차폐 전극을 포함한다. 상기 기판에는 서로 절연되어 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 연결된 스위칭 소자가 형성되어 있다. 상기 화소 전극은 테두리부, 연결부들 및 슬릿부들을 포함한다. 상기테두리부는 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 따라 상측에 형성되어 있다. 상기 연결부들은 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결된다. 상기 연결부들은 상기 테두리부에 의해 정의된 화소 영역을 복수의 도메인들로 분할한다. 상기 슬릿부들은 각 상기 도메인에서 상기 연결부들의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부에 연결된다. 상기 차폐 전극은 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 상부에서 상기 테두리를 따라 형성되어 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 가리며(shielding) 상기 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이에 형성되어 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 어레이 기판은 제1 절연막 및 제2 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 절연막은 상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극의 사이에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연막은 상기 차폐 전극과 상기 화소 전극의 사이에 형성될 수 있다.
상기 어레이 기판은 유기 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 절연막은 상기 제1 절연막과 상기 차폐 전극의 사이에 형성되어 상기 차폐 전극과 상기 데이터 라인 사이에 형성되는 기생용량을 감소시킨다.
상기 연결부들은 상기 화소 전극의 대각선 방향들로 연장되어 X 자 형상으로 형성되며, 상기 데이터 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 게이트 라인과 실질적으로 나란하게 형성되고 상기 게이트 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 상기 데이터 라인과 실질적으로 나란하게 형성될 수 있다.
하나의 상기 화소 영역에는 2개의 상기 화소 전극들이 상기 데이터 라인 방향으로 상기 테두리부가 서로 연결되도록 배치될 수 있다. 이와 다르게, 하나의 상 기 화소 영역에는 1개의 상기 화소 전극이 배치되며, 상기 화소 전극은 장변이 상기 데이터 라인의 연장 방향과 실질적으로 나란하게 배치될 수 있다.
상기 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 형성되며, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인보다 큰 폭으로 형성되어 폭 방향으로 완전히 가리며(shielding), 상기 테두리부와 상기 폭 방향으로 일부 오버랩될 수 있다. 상기 테두리부는 상기 폭 방향으로 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 선과 일부 오버랩될 수 있다.
상기 어레이 기판은 편광판을 더 포함할 수 있다. 상기 편광판은 상기 기판의 배면에 배치되며, 편광축이 상기 대각선 방향들 중 하나와 실질적으로 나란할 수 있다.
상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 어레이 기판의 제조방법에서, 기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결되는 스위칭 소자를 형성한다. 상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 따라 상측에 배치되는 테두리부와, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결되며, 상기 테두리부에 의해 정의된 화소 영역을 복수의 도메인들로 분할하는 복수의 연결부들과, 각 상기 도메인에서 상기 연결부의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부에 연결되는 복수의 슬릿부들을 포함하는 화소전극을 형성한다. 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 상부에서 상기 테두리를 따라 형성되어 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 가리며(shielding) 상기 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이에 배치되는 차폐 전극을 형성한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극의 사이에 제1 절연막을 형성하고, 상기 차폐 전극과 상기 화소 전극의 사이에 제2 절연막을 형성할 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 절연막 위에 상기 차폐 전극을 형성하기 전에 상기 제1 절연막 위에 유기 절연막을 더 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 차폐 전극은 상기 유기 절연막 위에 형성될 수 있다.
상기 연결부들은 상기 화소 전극의 대각선 방향들로 연장되어 X 자 형상으로 형성될 수 있다. 상기 슬릿부들은 상기 데이터 라인에 접하는 도메인들에서 상기 게이트 라인과 실질적으로 나란하게 형성되고, 상기 게이트 라인에 접하는 도메인들에서 상기 데이터 라인과 실질적으로 나란하게 형성될 수 있다.
하나의 상기 화소 영역에는 2개의 상기 화소 전극들이 상기 데이터 라인 방향으로 상기 테두리부가 서로 연결되도록 형성될 수 있다. 이와 다르게, 하나의 상기 화소 영역에는 1개의 상기 화소 전극이 형성되며, 상기 화소 전극은 장변이 상기 데이터 라인의 연장 방향과 실질적으로 나란하게 형성될 수 있다.
상기 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 차폐 전극은 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 폭 방향으로 완전히 가리며(shielding), 상기 테두리부와 상기 폭 방향으로 일부 오버랩되도록 형성될 수 있다. 상기 테두리부는 상기 폭 방향으로 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 선과 일부 오버랩되도록 형성될 수 있다.
상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 액정표시장치는 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 상 부 기판과, 상기 상부 기판의 하면에 배치된 공통전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 하부 기판, 화소 전극 및 차폐 전극을 포함한다. 상기 하부 기판은 상기 상부 기판과 마주보게 배치되며, 상기 하부 기판에는 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결된 스위칭 소자가 형성되어 있다. 상기 화소 전극은 테두리부, 연결부들 및 슬릿부들을 포함한다. 상기 테두리부는 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 따라 상측에 형성된다. 상기 연결부들은 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결된다. 상기 슬릿부들은 상기 연결부들의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부에 연결된다. 상기 차폐 전극은 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 상부에서 상기 테두리를 따라 형성되어 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 가리며(shielding) 상기 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이에 형성된다. 상기 액정층은 상기 화소 전극과 상기 공통 전극의 사이에 배치된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 어레이 기판은 제1 절연막 및 제2 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 절연막은 상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극의 사이에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연막은 상기 차폐 전극과 상기 화소 전극의 사이에 형성될 수 있다.
상기 어레이 기판은 상기 제1 절연막 위에 형성된 유기 절연막을 더 포함할 수 있다. 이 경우 상기 차폐 전극은 상기 유기 절연막 위에 형성될 수 있다.
상기 연결부들은 상기 화소 전극의 대각선 방향들로 연장되어 X 자 형상으로 형성되며, 상기 데이터 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 게이트 라인 과 실질적으로 나란하게 형성되고, 상기 게이트 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 상기 데이터 라인과 실질적으로 나란하게 형성될 수 있다.
하나의 상기 화소 영역에는 2개의 상기 화소 전극들이 상기 데이터 라인 방향으로 상기 테두리부가 서로 연결되도록 배치될 수 있다. 이와 다르게, 하나의 상기 화소 영역에는 1개의 상기 화소 전극이 배치되며, 상기 화소 전극은 장변이 상기 데이터 라인의 연장 방향과 실질적으로 나란하게 배치될 수 있다.
상기 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 차폐 전극은 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 폭 방향으로 완전히 가리고(shielding), 상기 테두리부와 상기 폭 방향으로 일부 오버랩되도록 배치될 수 있다.
상기 전기장이 오프된 경우, 상기 액정 분자들의 장축 방향은 상기 공통 전극에 대해 수직을 이루도록 배열될 수 있다. 상기 액정표시장치는 제1 편광판 및 제2 편광판을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 편광판은 상기 하부 기판의 배면에 배치되며, 편광축이 상기 대각선 방향들 중 하나와 실질적으로 나란할 수 있다. 상기 제2 편광판은 상기 상부 기판의 상면에 배치되며, 편광축이 상기 대각선 방향들 중 나머지 하나와 실질적으로 나란할 수 있다.
상기한 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치에 의하면, 화소 전극에서 슬릿부들의 연장 방향, 테두리부 및 차폐 전극으로 인해 화소 전극의 가장자리에서 택스쳐(texture) 발생이 감소되어 화소 영역의 투과율 및 응답속도가 증가된다.
또한, 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 이루어지므로 차폐 전극에 의한 개구율 감소가 방지되며, 상기 차폐 전극은 미들컴(middle-com) 타입으로 형성되므로 화소 전극과 상기 차폐 전극 사이의 간격이 작아서 차폐 전극의 면적을 작게 할 수 있어서 투과율이 향상된다.
따라서 액정표시장치의 표시품질이 향상된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 고안의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
실시예 1
도 1은 실시예 1에 따른 액정표시장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치(100)는 표시패널(5) 및 구동부(10)를 포함한다.
상기 표시패널(5)은 어레이 기판(101), 대향 기판(105) 및 액정층을 포함한다. 서로 대향하는 상기 어레이 기판(101) 및 상기 대향 기판(105)이 프레임 형상의 밀봉재(102)에 의해 접합되어 있고, 상기 어레이 기판(101), 상기 대향 기 판(105) 및 상기 밀봉재(102)의 내측에 액정이 봉입되어 상기 액정층이 이루어진다.
도 1에서 지면으로부터 전방(관찰자측)에 상기 대향 기판(105)이 배치되어 있고, 지면으로 들어가는 방향에 상기 어레이 기판(101)이 배치되어 있다.
상기 대향 기판(105)은 R, G, B 칼라필터를 갖는 칼라필터 기판일 수 있다. 상기 어레이 기판(101)은 박막트랜지스터(TFT 소자)를 이용한 액티브 매트릭스 구동 방식으로 구동되는 소자 기판이다.
또한, 상기 액정표시장치(100)에서 상기 어레이 기판은 마이크로 슬릿(micro-slit) 패턴이 형성된 화소 전극을 갖고, 상기 대향 기판은 플레이트 형태로 형성된 공통전극을 갖는다.
상기 어레이 기판(101)은 대략 직사각형 형상을 갖는다. 따라서 상기 어레이 기판(101)의 가로 방향을 x방향으로, 상기 어레이 기판(101)의 세로 방향을 y방향으로 각각 정의한다.
도 2는 도 1에 도시된 화소영역의 일 예의 확대 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 액정표시장치(100)를 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시장치(100)는 어레이 기판(101), 대향 기판(105) 및 액정층(107)을 포함한다.
도 2에는 설명의 편의 상 어레이 기판(101)의 평면도만 도시되어 있고, 도 3에는 어레이 기판(101), 대향 기판(105) 및 액정층(107)의 단면이 도시되어 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 어레이 기판(101)은 하부 기 판(102), 복수의 게이트 라인(111)들, 데이터 라인(115)들, 스위칭 소자(108), 차폐 전극(160) 및 화소 전극(170)을 포함한다.
도 4a 내지 도 4i는 도 1 내지 도 3에서 설명된 어레이 기판(101)을 제조하는 방법을 설명하는 공정도들이다.
본 실시예에 따른 어레이 기판의 제조방법에서, 먼저, 유리질의 상기 하부 기판(102) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 게이트 금속, 예를 들어, 알루미늄(Al) 및 몰리브덴(Mo)의 2중층을 대략 3000 Å 두께로 증착하고, 사진-식각 공정에 의해 ,도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(111)들 및 상기 게이트 라인(111)으로부터 돌출된 게이트 전극(112)을 형성한다. 게이트 라인(111)들은 하부 기판(102) 상에서 대략 가로 방향(x)으로 서로 나란하게 뻗어 있다.
이후, 도 2 및 도 4b에 도시된 것과 같이, 게이트 절연막 및 반도체 패턴을 형성한다. 상기 게이트 절연막은 상기 게이트 라인(111)들 위에, 예를 들어, 질화실리콘(SiNx)을 약 4500 Å의 두께로 형성한다. 상기 게이트 절연막 상에 반도체층, 예를 들어, 아몰퍼스실리콘(a-Si)층을 약 2000 Å 및 고농도로 n+로 도핑된 아몰퍼스실리콘(n+ a-Si)층을 약 500 Å 두께로 증착하고 식각하여 반도체 패턴을 형성한다. 상기 반도체 패턴은 상기 게이트 전극(112) 상의 게이트 절연막 상에 형성된다.
계속해서, 도 2 및 도 4c에 도시된 것과 같이, 상기 게이트 절연막 위에 데이터 금속, 예를 들어, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴으로 이루어지는 3중층을 각각 약 300 Å, 2500 Å, 1000 Å 두께로 증착하고 패터닝하여 상기 데이터 라인(115), 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다.
상기 데이터 라인(115)들은 상기 게이트 절연막(113) 상에서 대략 상기 세로 방향(y))으로 연장되어 있다. 상기 게이트 라인(111)과 상기 데이터 라인(115)의 교차점 인근의 데이터 라인(115)에서 상기 소스 전극(121)이 돌출되어 상기 게이트 전극(112) 상의 상기 반도체 패턴 위로 연장된다. 상기 드레인 전극(123)은 상기 반도체 패턴 위에서 상기 소스 전극과 대향하게 배치되며, 상기 게이트 절연막 위로 연장되어 상기 하부 기판(102) 상에 정의된 화소 영역(PA)에 일부가 배치된다.
본 실시예에서, 상기 화소 영역(PA)은 대략 상기 세로 방향으로 길게 형성된 직사각형 형상을 갖는다. 이와 다르게, 상기 화소 영역(PA)은 Z자 형상으로 정의될 수도 있다. 상기 게이트 라인(111)은 상기 화소 영역(PA)의 주변에서 상기 가로 방향으로 배열되어 있고, 상기 데이터 라인(115)은 상기 화소 영역(PA)의 주변에서 상기 세로 방향으로 배열되어 있다.
상기 반도체층과 상기 데이터 금속층을 단일 식각 공정으로 함께 식각한 경우, 상기 데이터 라인(115), 상기 소스 전극(121), 상기 드레인 전극(123)의 아래 및 상기 게이트 전극(112)의 상부의 상기 게이트 절연막 위에 상기 반도체 패턴이 형성되며, 상기 소스 전극(121)과 드레인 전극(123) 사이의 반도체 패턴은 에치백 공정을 통해 채널층(115)으로 형성된다.
상기 게이트 전극(112), 상기 게이트 절연막(113), 상기 반도체 패턴(115), 상기 소스 전극(121) 및 상기 드레인 전극(123)은 삼단자 소자인 스위칭 소자(108)를 구성한다.
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 라인(115)이 형성된 상기 하부 기판(102)을 덮는 제1 패시배이션막(130)을 형성한다. 상기 제1 패시배이션막은, 예를 들어, 질화실리콘(SiNx)을 약 2000 Å두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 패시배이션막에는 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형성될 수도 있다.
이후, 상기 제1 패시배이션막(130) 상에, 도 4e에 도시된 것과 같이, 유기 절연막(140)을 약 2.0 ㎛ 두께로 형성한다. 상기 유기 절연막(140)에는 및 상기 제1 패시배이션막(130)에는 상기 드레인 전극(123)의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형설될 수 있다. 상기 유기 절연막(140)은 후술될 화소 전극(170)과 상기 데이터 라인(115)과의 기생용량을 감소시킨다. 상기 화소 전극(170)을 상기 데이터 라인(115)과 오버랩되지 않게 형성하는 경우, 상기 유기절연막은 생략될 수도 있다.
계속해서, 도 4f에 도시된 것과 같이, 상기 유기 절연막(140) 상에 상기 차폐 전극(160)을 형성한다. 상기 차폐 전극(160)은 상기 데이터 라인(115) 및 상기 게이트 라인(111)과 상기 화소 전극(170)과의 사이에 기생 용량의 형성을 차단한다. 상기 차폐 전극은 다른 한편으로는 상기 화소 전극(170)과 스토리지 캐패시터를 형성하여 한 프레임 동안 상기 화소 전극(170)에 인가된 화소 전압을 유시킨다.
상기 차폐 전극(160)은 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 인듐아연옥사이드(IZO)와 같은 투명한 전도성 물질로 약 900 Å 두께로 상기 유기 절연막(140) 상에 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 5a는 도 2에 도시된 액정표시장치(100)를 II-II' 선을 따라 절단한 단면 도이다. 도 5b는 도 2에 도시된 액정표시장치(100)를 III-III' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2, 도5a 도 5b를 참조하면, 상기 차폐 전극(160)은 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)을 폭 방향으로 완전히 가리도록 형성된다. 즉, 상기 차폐 전극(160)은 상기 화소 영역(PA)들의 사이의 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)의 상부에 형성되며, 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)의 선폭보다 큰 폭으로 형성된다. 따라서, 상기 차폐 전극(160)은 상기 화소영역의 가장자리로 연장되어 있다. 본 실시예에서, 상기 차폐 전극(160)은 상기 투명한 전도성 물질로 이루어지므로 상기 차폐 전극(160)이 상기 화소 영역(PA)의 가장자리로 침범하여도 상기 화소 영역(PA)의 개구율을 감소되지 않는다.
이후, 도 4g에 도시된 것과 같이, 차폐 전극(160) 위에 제2 패시배이션막을 형성한다. 상기 제2 패시배이션막은 상기 제1 패시배이션막과 동일한 물질로 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 제2 패시배이션막에는 상기 유기 절연막(140)에 형성된 콘택홀과 연결되는 콘택홀이 형성될 수 있다.
계속해서, 도 4h에 도시된 것과 같이, 상기 제2 패시배이션막 상에 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 전도성 물질층을 약 900 Å 두께로 증착하고 패터닝하여 상기 화소 전극(170)을 형성한다. 상기 화소 전극(170)은 상기 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(123)에 접촉된다.
다시 도 2, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 화소 전극(170)은 테두리부(175), 연결부(171)들 및 슬릿부(173)들을 포함한다. 상기 테두리부(175)는 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)을 따라 상기 화소 영역(PA)의 상기 가장자리에 대응하게 상기 제2 패시배이션막 상에 형성된다. 상기 테두리부(175)는 상기 화소 영역(PA)의 상기 가장자리로 연장된 상기 차폐 전극(160)과 상기 폭 방향으로 일부가 중첩되게 형성될 수 있다. 상기 테두리부(175)는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)과 상기 폭방향으로 일부가 중첩되게 형성될 수 있다.
상기 연결부(171)들은 상기 화소 영역(PA)을 복수의 도메인들로 분할하여 상기 테두리부(175)에 연결된다. 상기 연결부(171)들은 상기 게이트 라인(111) 및 상기 데이터 라인(115)의 연장 방향들과 교차하는 방향으로 각각 배치된다.
본 실시예에서, 상기 화소 전극(170)은, 도 2에 도시된 것과 같이, 2개의 상기 연결부(171)들을 포함한다. 하나의 상기 연결부(171)는 상기 게이트 라인(111)과 대략 45도를 이루는 방향으로 배치되며, 다른 상기 연결부(171)는 상기 게이트 라인(111)과 대략 135도를 이루는 방향으로 배치된다.
상기 2개의 연결부(171)들은 상기 화소 전극(170)의 대각선 방향들로 각각 연장되어 있다. 따라서 상기 연결부(171)들은 대략 X자 형상으로 배치된다. 따라서 상기 화소 영역(PA)은 상기 연결부(171)들에 의해 4개의 도메인들로 분할된다.
상기 슬릿부(173)들은 각 상기 도메인에서 서로 나란하게 형성된다. 상기 슬릿부(173)들은 상기 연결부(171)의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부(175)에 연결된다. 상기 게이트 라인(111)에 접하는 도메인에서는 상기 슬릿부(173)들은 상기 데이터 라인(115)과 실질적으로 나란하게 형성되어 있고, 상기 데이터 라 인(115)에 접하는 도메인에서는 상기 슬릿부(173)들은 상기 게이트 라인(111)과 실질적으로 나란하게 형성되어 있다.
본 실시예에서는 하나의 상기 화소 영역(PA)에 2개의 상기 화소 전극(170)들이 배치된다. 2개의 상기 화소 전극(170)들은 상기 데이터 라인(115) 방향으로 상기 테두리부(175)가 서로 연결되도록 배치된다. 따라서, 상기 화소 전극(170)은 상기 가로 방향 및 상기 세로 방향의 길이가 거의 비슷하게 형성된다. 따라서 상기 슬릿부(173)들은 상기 가로 방향 및 상기 세로 방향으로 거의 비슷한 길이로 형성되어 있다.
상기 구동부로부터 상기 데이터 라인(115)에 데이터 신호가 인가되고, 상기 게이트 라인(111)에 게이트 신호가 인가되면, 상기 스위칭 소자(108)에 의해 상기 데이터 신호가 화소 전압으로 변경되어 상기 화소 전극(170)에 인가된다.
본 실시예에서는 상기 화소 전극(170)의 상기 테두리부(175)와 상기 데이터 라인(115) 및 상기 게이트 라인(111)이 일부 중첩되지만, 상기 차폐 전극(160)이 상기 데이터 라인(115)과 기생용량을 형성하여 상기 화소 전극(170)과 상기 데이터 라인(115) 사이에 기생용량이 형성되어 신호가 왜곡되는 것을 방지한다.
마지막으로, 도 4i에 도시된 바와 같이, 상기 화소 전극(170)을 덮는 하부 배향막(20)을 형성한다.
상기 하부 배향막(20))은, 후술될 상기 대향 기판(105)과 함께 상기액정층(107)의 액정 분자를 수직 방향, 즉 상기 어레이 기판(101)으로부터 대향 기판(105)을 향하는 방향으로 초기 배향한다.
상기 어레이 기판은 하부 편광판을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 편광판이, 도 4i에 도시된 것과 같이, 상기 하부 기판(102)의 배면에 부착되어 상기 어레이 기판(101)이 제조될 수 있다.
상기 하부 편광판(30)은 하부 편광축이 상기 연결부(171)들의 연장 방향, 즉 상기 대각선방향으로 나란하도록 배치된다. 즉, 상기 하부 편광축은 상기 슬릿부(173)들의 연장 방향과 대략 45도(degree) 또는 135도를 이루는 방향으로 배치되어 있다.
다시 도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 대향 기판(105)은 상부 기판(104), 차광패턴(181), 컬러필터 패턴(185), 오버 코팅층(187), 공통 전극(190), 상부 배향막(60) 및 상부 편광판(70)을 포함할 수 있다.
상기 차광패턴(181)은 상기 게이트 라인(111), 상기 데이터 라인(115) 및 상기 스위칭 소자(108) 에 대응하게 상부 기판(104)의 하면에 형성되어 있다. 따라서 상기 화소 영역(PA)에 대응하는 상기 상부 기판에는 컬러필터 패턴(185)이 형성된다. 컬러필터 패턴(185)은 예를 들어, 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 포함할 수 있다. 상기 적색 필터, 상기 녹색 필터 및 상기 청색 필터 순서로 상기 가로 방향(1)으로 각 화소 영역(PA)에 배치될 수 있다.
오버 코팅층(187)은 컬러필터 패턴(185) 및 차광패턴(181)을 덮고, 공통 전극(190)은 오버 코팅층(187) 상에 형성되어 있다.
상부 배향막(60)은 공통 전극(190) 상에 형성되어 액정층(107)을 수직 배향시킨다.
상부 편광판(70)은 상부 기판(104)의 상면에 부착되며, 상부 편광판(70)의 편광축은 하부 편광판(30)의 편광축과 실질적으로 직교하게 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 화소 전극(170)에 상기 슬릿부(173)들과 같이, 마이크로 슬릿 패턴이 형성되어 있고, 수직 배향되는 액정이 사용된다. 따라서 상기 화소 영역(PA)에는 복수의 종류의 도메인들이 구현될 수 있어서, 상기 액정표시장치(100)의 측면 시인성이 우수하다.
도 6은 도 5a 또는 도 5b에서 차폐 전극(160) 및 화소 전극(170)의 테두리부(175) 사이의 액정층의 거동을 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 화소 전압이 상기 화소 전극(170)에 인가되면, 상기 차폐 전극(160)과 상기 테두리부(175)의 사이에는 경계 전기장이 형성된다. 상기 테두리부(175)의 에지가 상기 차폐 전극(160)의 상부로 오버랩되어 있으므로 상기 경계 전기장은 다른 부분의 전기장에 비하여 수평 성분이 훨씬 강하게 형성된다. 따라서, 도 6에 도시된 것과 같이, 상기 차폐 전극(160) 위의 액정 분자는 수평 방향으로 많이 누워 있는 것을 알 수 있다.
즉, 전기장 인가시 상기 화소 영역(PA)의 가장자리의 액정 분자들의 2차효율이 증가된다. 여기서 상기 2차 효율은 상기 액정 분자들이 수직 방향에서 수평방향으로 회전되는 동작의 효율을 의미한다.
한편, 본 실시예에서 상기 경계 전기장의 수평 성분은 상기 게이트 라인(111)의 상부에는 세로 방향과 실질적으로 나란하며, 상기 데이터 라인(115)의 상부에는 상기 가로 방향과 실질적으로 나란하게 형성된다. 또한, 상기 액정 분자 들은 상기 슬릿부(173)들의 길이 방향으로 방향자가 나란하게 배열되는 특성을 갖는다. 상기 슬릿부(173)들은 상기 도메인에 따라 상기 가로 방향 또는 상기 세로 방향으로 연장되어 있다.
즉, 상기 액정 분자를 움직이는 상기 경계 전기장의 수평 성분의 방향과 상기 액정 분자의 상기 방향자를 가이드 하는 상기 슬릿부(173)의 길이 방향이 일치하므로, 상기 액정 분자는 불필요하게 수평 방향으로 회전 운동을 하지 않아도 된다. 따라서 상기 액정 분자의 3차 효율이 증가된다. 여기서 상기 3차 효율은 상기 수평 방향에서 상기 액정 분자의 회전 운동의 효율을 의미한다.
따라서 상기 화소 영역(PA)의 가장자리에서 상기 액정 분자가 효과적으로 제어될 수 있어서, 택스쳐 발생이 억제되고 개구율 및 액정층의 응답 속도가 향상된다.
도 7a는 슬릿부(173)들이 대각선 방향으로 형성된 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다. 도 7b는 도 1 내지 도 5b에서 설명된 액정표시장치(100)의 광투과율을 관측한 사진이다.
도 7a 및 도 7b의 사진들은 상기 화소 전압 인가 후 동일한 시간이 경과된 후에 광투과율을 관측한 사진들이다. 상기 사진들에서 어두운 부분은 액정 분자의 응답이 느려서 광투과율이 다른 부분보다 작아서 어둡게 표시된 것이다.
도 7a에 도시된 액정표시장치에서 슬릿부(173)들은 본 실시예와 다르게 상기 대각선 방향으로 연장되어 있다. 또한, 상기 슬릿부(173)들의 단부들을 연결하는 테두리부(175)가 삭제되어 있고, 본 실시예와 다르게 광을 차단하는 금속으로 차폐 전극(160)이 화소 영역(PA)의 일부에 형성되어 있다. 그 이외의 것들은 본 실시예의 액정표시장치(100)와 실질적으로 동일하다.
도 7a의 사진보다 도 7b의 사진이 훨씬 밝고, 휘도가 균일함을 알 수 있다. 도 7b의 사진에서 화소 영역(PA)의 가장자리 및 슬릿부(173)들의 사이에서 상대적으로 더 어두운 것을 알 수 있다.
도 8은 도 7a 및 도 7b에서 설명된 액정표시장치의 응답속도를 나타내는 그래프이다.
도 8에서 가로축은 화소전압 인가 후 경과 시간을 나타내고, 세로축은 화소 영역(PA)의 광투과율을 나타낸다. 도 8을 참조하면, 도 7a에서 설명된 액정표시장치의 광투과율은 동일한 시간에서 도 7b에서 설명된 본 실시예의 액정표시장치(100)의 광투과율보다 현저히 작은 것을 알 수 있다.
즉, 도 7a 및 도 8에서 설명된 액정표시장치에서는 본 실시예와 같은 상기 테두리부(175) 및 상기 차폐 전극(160)으로 인한 효과가 없고, 슬릿부(173)의 방향과 수평 전기장 방향이 서로 약 45도 정도 달라서 상기 액정 분자의 상기 2차 및 3차 효율이 좋지 않음을 알 수 있다.
즉, 본 실시예의 액정표시장치(100)는 도 7a 및 도 8에서 설명된 액정표시장치보다 상기 테두리부(175) 및 상기 차폐 전극(160)으로 인한 효과 및 상기 슬릿부(173)의 방향으로 인해 상기 액정 분자의 상기 2차 및 3차 효율이 크게 향상되어 표시품질이 향상된 것을 알 수 있다.
실시예 2
도 9는 실시예 2에 따른 액정표시장치의 어레이 기판의 화소영역의 확대 평면도이다. 도 10은 도 9에 도시된 어레이 기판을 IV-IV' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예의 어레이 기판 및 이의 제조방법은 화소 전극(370)의 사이즈 및 유기 절연막(140)이 생략된 것을 제외하고는 도 1 내지 6에서 설명된 어레이 기판 및 이의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 대응하는 요소에 대해서는 대응하는 참조번호를 부여하고, 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예에서, 상기 화소 영역(PA)에는 1개의 상기 화소 전극(370)이 배치되며, 상기 화소 전극(370)은 장변이 상기 데이터 라인(315)의 연장 방향과 실질적으로 나란하게 형성된다. 이외의 것을 도 1 내지 도 6에서 설명된 화소 전극(370)과 실질적으로 동일하다. 따라서 상기 슬릿부(373)들은 상기 세로 방향으로 형성된 것이 상기 가로방향으로 형성된 것보다 더 길게 형성되어 있다.
도 11a 내지 도 11d는 도 9 및 도 10에 도시된 어레이 기판의 제조방법의 공정도들이다.
본 실시예에 따른 어레이 기판의 제조방법은 상기 유기 절연막(140)을 삭제하고, 도 11a에 도시된 것과 같이, 제1 패시배이션막을 형성한 후에, 도 11b에 도시된 것과 같이, 상기 제1 패시배이션막 상에 차폐 전극(360)을 형성한다. 이후, 도 11c에 도시된 것과 같이, 상기 차폐 전극(360)을 덮는 제2 패시배이션막을 형성한다. 계속해서, 도 11d에 도시된 것과 같이, 상기 제2 패시배이션막 위에 상기 화소 전극(370)을 형성하고 배향막을 형성한다.
본 실시예에 의하면, 유기 절연막(140) 형성 공정이 삭제되어 공정수가 감소된다.
본 실시예에 따른 액정표시장치는 도 9 및 도 10에 도시된 어레이 기판을 포함하는 것을 제외하고는 도 1 내지 도 6에서 설명된 액정표시장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.
도 12a는 화소 전극(370)의 테두리부(375)가 없는 것 및 차폐 전극(360)을 제외하고는 도 9 및 도10에 도시된 어레이 기판과 동일한 어레이 기판을 갖는 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다. 도 12b는 도 9 및 도10에 도시된 어레이 기판을 갖는 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다.
도 12a에 도시된 액정표시장치에서 상기 슬릿부(373)들의 단부들을 연결하는 테두리부(375)가 삭제되어 있고, 본 실시예와 다르게 광을 차단하는 금속으로 차폐 전극(360)이 화소 영역(PA)의 일부에 형성되어 있다. 그 이외의 것들은 본 실시예의 액정표시장치와 실질적으로 동일하다.
도 12a의 사진보다 도 12b의 사진이 훨씬 밝고, 휘도가 균일함을 알 수 있다. 도 12a의 사진에서 화소 영역(PA)의 가장자리 및 슬릿부(373)들의 사이에서 상대적으로 더 어두운 것을 알 수 있다.
도 13은 도 12a 및 도 12b에서 설명된 액정표시장치의 응답속도를 나타내는 그래프이다.
도 13에서 가로축은 화소전압 인가 후 경과 시간을 나타내고, 세로축은 화소 영역(PA)의 광투과율을 나타낸다. 도 13을 참조하면, 도 12a에서 설명된 액정표시 장치의 광투과율은 동일한 시간에서 도 12b에서 설명된 본 실시예의 액정표시장치의 광투과율보다 작은 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예의 액정표시장치는 도 12a에서 설명된 액정표시장치보다 상기 테두리부(375) 및 상기 차폐 전극(360)으로 인한 효과로 인해 상기 액정 분자의 상기 2차 및 3차 효율이 크게 향상되어 표시품질이 향상된 것을 알 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치에 의하면, 화소 전극(370)의 가장자리에서 택스쳐 발생이 감소되어 화소 영역(PA)의 투과율 및 응답속도가 증가되어 표시품질이 향상된다.
따라서 본 발명은 액정표시장치의 표시품질을 개선하는 기술에 적용될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 실시예 1에 따른 액정표시장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소영역의 일 예의 확대 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 액정표시장치를 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4i는 도 1 내지 도 3에서 설명된 어레이 기판을 제조하는 방법을 설명하는 공정도들이다.
도 5a는 도 2에 도시된 액정표시장치를 II-II' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5b는 도 2에 도시된 액정표시장치를 III-III' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 5a 또는 도 5b에서 차폐 전극 및 화소 전극의 테두리부 사이의 액정층의 거동을 도시한 단면도이다.
도 7a는 슬릿부들이 대각선 방향으로 형성된 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다.
도 7b는 도 1 내지 도 5b에서 설명된 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다.
도 8은 도 7a 및 도 7b에서 설명된 액정표시장치들의 응답속도를 나타내는 그래프이다.
도 9는 실시예 2에 따른 액정표시장치의 어레이 기판의 화소영역의 확대 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 어레이 기판을 IV-IV' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 9 및 도 10에 도시된 어레이 기판의 제조방법의 공정도들이다.
도 12a는 화소 전극의 테두리부가 없는 것을 제외하고는 도 9 및 도10에 도시된 어레이 기판과 동일한 어레이 기판을 갖는 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다.
도 12b는 도 9 및 도10에 도시된 어레이 기판을 갖는 액정표시장치의 광투과율을 관측한 사진이다.
도 13은 도 12a 및 도 12b에서 설명된 액정표시장치의 응답속도를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
5 : 드라이브 IC 30 : FPC
100 : 표시장치 101 : 어레이 기판
105 : 대향 기판 110 : 하부 기판
111 : 게이트 라인 115 : 데이터 라인
120 : 스위칭 소자 112 : 게이트 전극
123 : 소스 전극 125 : 드레인 전극
160 : 차폐 전극 165 : 제2 패시배이션막
170 : 화소 전극 171 : 연결부
173 : 슬릿부 175 : 테두리부
113 : 게이트 절연막 130 : 제1 패시배이션막
144 : 콘택홀 140 : 유기 절연막
190 : 공통 전극 104: 상부 기판
181 : 광차단층 PA : 화소영역

Claims (25)

  1. 서로 절연되어 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 연결된 스위칭 소자가 형성된 기판;
    상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 따라 상측에 형성된 테두리부와, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결되며 상기 테두리부에 의해 정의된 화소 영역을 복수의 도메인들로 분할하는 복수의 연결부들과, 각 상기 도메인에서 상기 연결부들의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부에 연결되는 복수의 슬릿부들을 포함하는 화소 전극; 및
    상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 상부에서 상기 테두리를 따라 형성되어 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 가리며(shielding), 상기 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이에 형성된 차폐 전극을 포함하는 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극의 사이에 형성된 제1 절연막; 및
    상기 차폐 전극과 상기 화소 전극의 사이에 형성된 제2 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 절연막과 상기 차폐 전극의 사이에 형성된 데이터 라인유기 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  4. 제2항에 있어서, 상기 연결부들은 상기 화소 전극의 대각선 방향들로 연장되어 X 자 형상으로 형성되며, 상기 데이터 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 상기 게이트 라인과 실질적으로 나란하게 형성되고. 상기 게이트 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 상기 데이터 라인과 실질적으로 나란하게 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  5. 제4항에 있어서, 하나의 상기 화소 영역에는 2개의 상기 화소 전극들이 상기 데이터 라인 방향으로 상기 테두리부가 서로 연결되도록 배치된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  6. 제4항에 있어서, 하나의 상기 화소 영역에는 1개의 상기 화소 전극이 배치되며, 상기 화소 전극은 장변이 상기 데이터 라인의 연장 방향과 실질적으로 나란한 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  7. 제4항에 있어서, 상기 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인보다 큰 폭으로 형성되어 상기 테두리부와 일부 오버랩되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 테두리부는 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 선과 일 부 오버랩되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  9. 제4항에 있어서, 상기 기판의 배면에 배치되며, 편광축이 상기 대각선 방향들 중 하나와 실질적으로 나란한 편광판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  10. 기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결되는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
    상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 따라 상측에 배치되는 테두리부와, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결되며 상기 테두리부에 의해 정의된 화소 영역을 복수의 도메인들로 분할하는 복수의 연결부들과, 각 상기 도메인에서 상기 연결부의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부에 연결되는 복수의 슬릿부들을 포함하는 화소전극을 형성하는 단계; 및
    상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 상부에서 상기 테두리를 따라 형성되어 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 가리며(shielding), 상기 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이에 형성된 차폐 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극의 사이에 제1절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 차폐 전극과 상기 화소 전극의 사이에 제2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 차폐 전극을 형성하기 전에 상기 제1 절연막 위에 유기 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 차폐 전극은 상기 유기 절연막 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 연결부들은 상기 화소 전극의 대각선 방향들로 연장되어 X 자 형상으로 형성되며, 상기 데이터 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 게이트 라인과 실질적으로 나란하게 형성되고 상기 게이트 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 상기 데이터 라인과 실질적으로 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 하나의 상기 화소 영역에는 2개의 상기 화소 전극들이 상기 데이터 라인 방향으로 상기 테두리부가 서로 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 하나의 상기 화소 영역에는 1개의 상기 화소 전극이 형성되며, 상기 화소 전극은 장변이 상기 데이터 라인의 연장 방향과 실질적으로 나란 하게 형성되는 특징으로 하는 어레이 기판의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인 보다 큰 폭으로 형성되어 상기 테두리부와 일부 오버랩되도록 형성되며, 상기 테두리부는 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 선과 일부 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조방법.
  17. 상부 기판과, 상기 상부 기판의 하면에 배치된 공통전극을 갖는 표시기판;
    상기 상부 기판과 마주보며 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결된 스위칭 소자가 형성된 하부 기판과, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인을 따라 상측에 형성된 테두리부, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하는 방향들로 각기 연장되어 상기 테두리부에 연결되는 복수의 연결부들 및 상기 연결부들의 측면으로부터 돌출되어 상기 테두리부에 연결되는 복수의 슬릿부들을 포함하는 화소 전극과, 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인의 상부에서 상기 테두리를 따라 형성되어 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인을 가리며 상기 데이터 라인과 상기 테두리부의 사이에 형성된 차폐 전극을 포함하는 어레이 기판; 및
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극의 사이에 배치된 액정층을 포함하는 액정표시장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 어레이 기판은
    상기 데이터 라인과 상기 차폐 전극의 사이에 형성된 제1 절연막; 및
    상기 차폐 전극과 상기 화소 전극의 사이에 형성된 제2 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 어레이 기판은 상기 제1 절연막 위에 형성된 유기 절연막을 더 포함하고, 상기 차폐 전극은 상기 유기 절연막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 연결부들은 상기 화소 전극의 대각선 방향들로 연장되어 X 자 형상으로 형성되며, 상기 데이터 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 게이트 라인과 실질적으로 나란하게 형성되고, 상기 게이트 라인에 접하는 도메인들에서 상기 슬릿부들은 상기 데이터 라인과 실질적으로 나란하게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  21. 제20항에 있어서, 하나의 상기 화소 영역에는 2개의 상기 화소 전극들이 상기 데이터 라인 방향으로 상기 테두리부가 서로 연결되도록 배치된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  22. 제20항에 있어서, 하나의 상기 화소 영역에는 1개의 상기 화소 전극이 배치되며, 상기 화소 전극은 장변이 상기 데이터 라인의 연장 방향과 실질적으로 나란 한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  23. 제20항에 있어서, 상기 차폐 전극은 투명한 전도성 물질로 상기 데이터 라인 및 상기 게이트 라인보다 큰 폭으로 형성되어 상기 테두리부와 상기 폭 방향으로 일부 오버랩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  24. 제20항에 있어서, 상기 전기장이 오프된 경우, 상기 액정 분자들의 장축 방향은 상기 공통 전극에 대해 수직을 이루도록 배열되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 하부 기판의 배면에 배치되며, 편광축이 상기 대각선 방향들 중 하나와 실질적으로 나란한 제1 편광판; 및
    상기 상부 기판의 상면에 배치되며, 편광축이 상기 대각선 방향들 중 나머지 하나와 실질적으로 나란한 제2 편광판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8804082B2 (en) 2011-04-08 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR20160103244A (ko) * 2015-02-23 2016-09-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100012080A (ko) * 2008-07-28 2010-02-05 삼성전자주식회사 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치
KR20100054344A (ko) * 2008-11-14 2010-05-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8471973B2 (en) * 2009-06-12 2013-06-25 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
US8179490B2 (en) * 2009-06-12 2012-05-15 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
CN102033346A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
TWI425284B (zh) * 2010-06-18 2014-02-01 Au Optronics Corp 畫素結構及其製作方法
TWI417622B (zh) 2010-12-27 2013-12-01 Au Optronics Corp 畫素結構
CN102156369B (zh) * 2011-01-18 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法
KR101948694B1 (ko) 2012-02-09 2019-02-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101932649B1 (ko) 2012-03-05 2019-03-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US9869908B2 (en) * 2012-03-06 2018-01-16 Apple Inc. Pixel inversion artifact reduction
CN103728790B (zh) * 2012-10-11 2016-08-10 群康科技(深圳)有限公司 像素电极结构及使用其的显示面板
KR20140111870A (ko) * 2013-03-12 2014-09-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI484382B (zh) * 2013-04-17 2015-05-11 E Ink Holdings Inc 觸控面板
CN103293789B (zh) * 2013-05-13 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法
KR20150026309A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20150039404A (ko) * 2013-10-02 2015-04-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 액정 표시 장치 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
CN103605241A (zh) * 2013-11-21 2014-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板
KR102189313B1 (ko) * 2013-11-28 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20160053261A (ko) * 2014-10-31 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
CN104730785B (zh) * 2015-04-17 2017-10-24 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN104880866B (zh) * 2015-05-12 2018-02-27 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及薄膜晶体管阵列基板
CN105093719B (zh) * 2015-07-28 2018-01-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素单元
KR102537280B1 (ko) * 2016-01-06 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102459604B1 (ko) * 2016-01-06 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
US10310336B2 (en) * 2017-03-31 2019-06-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Array substrate and liquid crystal display
CN207264070U (zh) * 2017-09-20 2018-04-20 北京京东方显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN107966862B (zh) * 2017-12-21 2020-09-29 惠科股份有限公司 显示器及其显示面板、显示器的制作方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05127195A (ja) * 1991-11-08 1993-05-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR100312753B1 (ko) 1998-10-13 2002-04-06 윤종용 광시야각액정표시장치
US6583471B1 (en) 1999-06-02 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having first and second insulating films
TW588171B (en) 2001-10-12 2004-05-21 Fujitsu Display Tech Liquid crystal display device
JP4080245B2 (ja) * 2001-10-12 2008-04-23 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4248835B2 (ja) * 2002-04-15 2009-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP2003322868A (ja) * 2002-05-08 2003-11-14 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2004077697A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP4550484B2 (ja) * 2003-05-13 2010-09-22 三星電子株式会社 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む多重ドメイン液晶表示装置
JP4381782B2 (ja) * 2003-11-18 2009-12-09 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2005215341A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Sharp Corp 表示装置
KR101071257B1 (ko) * 2004-09-17 2011-10-10 삼성전자주식회사 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
KR20060073826A (ko) * 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP4829501B2 (ja) * 2005-01-06 2011-12-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4713946B2 (ja) * 2005-05-30 2011-06-29 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR20070070911A (ko) 2005-12-29 2007-07-04 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI327239B (en) * 2006-01-20 2010-07-11 Au Optronics Corp Pixel and liquid crystal display and method for manufacturing the same
JP4858820B2 (ja) * 2006-03-20 2012-01-18 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置並びにその製造方法
KR101353298B1 (ko) * 2007-02-02 2014-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
KR20100012080A (ko) * 2008-07-28 2010-02-05 삼성전자주식회사 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8804082B2 (en) 2011-04-08 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR20160103244A (ko) * 2015-02-23 2016-09-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2149813A1 (en) 2010-02-03
EP2149813B1 (en) 2012-05-02
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US8199088B2 (en) 2012-06-12
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