CN1179313C - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种显示装置，是在利用选择线被选择期间，由有源元件(A)将信号线取入存储元件，对应于该存储元件的存储内容，构成光电元件的有源元件将参照线的电压加在有机EL元件上，通过这样对每个像素进行存储保持动作，对同一数据不进行再写入，从而实现低功耗。在实现多灰度显示时，削减布线数及功耗，为达到此目的，更具体来说，根据要显示的灰度，设置多个前述存储元件，还设置分别与这些存储元件对应的有源元件(B)及择一选择的位选择线，该位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件(B)的控制输入端之间的公共走线中，在选择线的非选择期间写入数据，在选择期间仅在位权重期间对位选择线进行选择。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及适合实现作为液晶显示器及电致发光或场致发光(EL：ElectroLuminescence)显示器等的薄型显示装置，特别涉及使像素具有存储功能的显示装置。
背景技术
近年来，正积极进行前述液晶显示器，EL显示器、场致发射器件(FED：FieddEmission Device)显示器等薄型显示装置的开发。其中，液晶显示器及薄膜EL显示器充分发挥其重量轻、低功耗的性能，作为移动电话及便携式个人计算机等的显示装置而倍受注目。另外，在这些便携式装置中，当然要求所具有的功能越来越增加，电源用的电池实现高容量化，同时对于显示装置，则强烈要求低功能，从而延长使用时间。
作为显示装置低功耗的方法，有典型的以往技术即日本专利特开平8～194205号公报(日本国公开专利公报(公开日：1996年07月30日)所示的方法，即为了以低功耗进行灰度显示，通过使每个像素具有存储功能，对存储内容对应的基准电压进行开关控制，使得在显示同一图像时，停止周期性的再写入，以减少驱动电路的功耗。
即如图17所示，在第1玻璃基板上矩阵状配置像素电极1，在该像素电极1之间，在横向配置扫描线2，纵向配置信号线3。另外，与扫描线2平行配置参照线4。在扫描线2与信号线3的交叉处设置后述的存储元件5，开关元件6介于该存储元件5与像素电极1之间。
每一个垂直周期利用扫描线驱动器7有选择地控制前述扫描线2，每一水平周期利用信号线驱动器8统一控制前述信号线，而前述参照线4利用参照线驱动器统一控制。在前述第1玻璃基板上隔开规定距离相对配置第2玻璃基板，在该第2玻璃基板的相对面形成相对电极。然后，在两个玻璃基板之间封入光电元件即液晶作为显示材料。
图18所示为图17中各像素单元构成的详细电路图。在相互垂直形成的扫描线2与信号线3的交叉处，形成保持2值数据的前述存储元件5，该存储元件5保持的信息通过由TFT构成的三端前述开关元件6输出。开关元件6的控制输入端加上前述存储元件5的输出，开关元件6的一端加上前述参照线4的基准电压Vref，而另一端从前述像素电极1通过液晶层10加上前述相对电极11的公共电压Vcom。因而，根据存储元件5的输出，控制从开关元件6的一端至另一端的电阻值，调整液晶层10的偏置状态。
在该图18的构成中，存储元件5采用由多晶硅(Poly～Si)TFT构成的两极反相器12及13，采用正反馈型存储电路即静态存储元件。若前述扫描线2的扫描电压Vg为高电平，选择该扫描线2，则TFT14为导通状态，由信号线3给予的信号电压Vsig通过该TFT 14输入至反相器12的栅极端。该反相器12的输出利用反相器13进行反相，再输入至该反相器12的栅极端，这样TFT14为导通状态时写入反相器12的数据，以同极性反馈至该反相器12加以保持，直到再一次该TFT 14处于导通状态为止。
另外，还有其它的构成与这种每一个像素是利用多晶硅(Poly～Si)TFT构成静态存储元件不同，例如有其它的以往技术即日本专利特开平2～148687(日本国公开专利公报(公开日：1990年6月07日)：专利号2729089)号公报所揭示的内容。图19所示为该以往技术中各像素单元构成的电路图。在该以往技术中，各像素具有多个存储单元m1、m2、……、mn(图19中n＝4)，还具有恒流电路21、利用前述存储单元m1～mn的数据控制的生成前述恒流电流21的基准电流的FETq1～qn，以及利用前述恒流电路21输出的电流驱动的有机EL元件22。对于同一像素对应的存储单元m1～mn，加上公共的行电极控制信号V1，另外，分别加上n位(bit)的列电极控制信号b1～bn。
恒流电路21由于是采用FET23及24的电流镜电路，因此流过有机EL元件22的电流由流过相互并联的FETQ1～qn的电流总和即前述基准电流决定。另外流过该FETq1～qn的电流由存储单元m1～mn保存的数据决定。
各存储单元m1～mn例如如图20所示构成。它具有利用前述行电极控制信号V1控制的输入用反相器25、保持用反相器26、反馈用反相器27、以及MOS传输门28及29，MOS传输门28及29根据前述行电极控制信号V1及输入用反相器25的输出，对于是将前述列电极控制信号b1～bn输入至前述保持用反相器26的栅极，还是将反馈用反相器27的输出反馈至前述保持用反相器26的栅极，进行控制。因而构成保持用反相器26的输出通过反馈用反相器27及MOS传输门29反馈至该保持用反相器26的栅极的静态型存储元件。
另外，作为其它的以往技术还有日本专利特开2000～227608号公报(日本国公开专利公报(公开日：2000年8月15日))所揭示的将图像存储器配置在显示单元外的液晶显示装置的电路构成。图21为该以往技术的显示基板方框图。在该以往技术中，显示单元31通过行缓冲器32与图像存储器33连接。前述图像存储器33的存储单元为呈矩阵状排列的随机存储器构成，具有与显示单元引的像素相同地址空间的位图结构。
地址信号34能过存储器控制电路35输入至存储器行选择电路36及列选择电路27。利用前述地址信号34指定的存储单元，由未图示的列线及行线进行选择，将显示数据38写入该存储单元。这样写入的显示数据38，利用输入至存储器行选择电路36的地址信号，输出给行缓冲器32作为包含选择像素在内的一行的数据。行缓冲器32由于与显示单元31的信号布线连接，因此该读出的显示数据38输出给未图示的信号布线。
另外，前述地址信号34还输入至地址行变换电路29，显示单元31的未图示的行选择布线内，其中将前述地址信号34变换得到的行选择布线由显示行选择电路40选择，加上选择电压。通过这样的动作，图像存储器33内的显示数据38写入显示单元31。
图22所示为前述显示单元31中的各像素电路构成之一例的电路图。行选择布线41利用前述显示行选择电路40进行选择，通过这样对与该行选择布线41连接的控制TFT42进行控制，通过信号布线43从前述行缓冲器32给予的显示数据38，保持在公共布线44与前述控制TFT42之间设置的电容器45中，利用该电容器45的端电压，对驱动TFT46的导通及非导通状态进行控制。根据前述驱动TFT46是导通状态还是非导通状态，决定液晶基准布线48给予的电压是直接加在像素电极47上，还是通过前述驱动TFT46的端子之间设置的电容器49间接加在像素电极47上。
另外，图23所示为前述显示单元31中的各像素电路构成其它例子的电路图。在该构成中，采用模拟开关51作为驱动液晶的TFT。该模拟开关51由P沟道的TFT52及N沟道的TFT53构成，为了驱动该模拟开关51，分别对应于前述各TFT52及53，设置两套由取样电容器54及55和取样TFT56及57构成的存储电路。
前述取样TFT56及57分别与相互极性不同的两条数据布线58及59连接，共同与前述行选择布线41连接，利用行选择布线41对该取样TFT56及57的导通及非导通状态进行控制，分别将前述数据布线58及59的电压DD存储在取样电容器54及55中。另外，在该公报中还记载，对于驱动模拟开关51用的极性不同的电压DD，也可以不像上述那样设置两套存储电路加以存储，而是用像素内部设置的反相器电路形成的结要，作为存储电路的构成，也可以用TFT在显示单元31上实现半导体用的存储电路的构成。
这样，在日本专利特开2000～227608号公报中揭示了在液晶显示器用的显示单元31外具有图像存储器33的多晶硅TFT基板的构成。
但是，在日本专利特开平8～194205号公报所述的以往技术中存在的问题是，如图18所示，一个像素由液晶层10、液晶驱动用开关元件6，以及1位的存储元件5构成，每一个液晶元件能够显示黑白2值信号，而不能进行3级灰度以上的多灰度显示。
同样，在日本专利特开2000～227608号公报所述的以往技术中，如图22所示，由于一个像素只由液晶元件，以及电容器45形成的1位存储元件构成，因此存在的问题也是，上述每一个液晶元件只能显示黑白2值信号，
关于这一点，在日本专利特开平2～148687号公报的以往技术中，如图19所示，一个像素由有机EL元件22，电流镜电路21，以及多个存储单元m1～mn构成，通过重写前述存储单元m1～mn的状态，能够实现与存储单元数n相应的多灰度显示。
然而，在图19的构成中，由于需要多灰度显示必须的存储单元数n这样多数量的数据侧布线即列电极控制信号b1～bn，因此产生的新问题是，想要进行多灰度显示的情况下，像素全被布线覆盖，生成存储单元等用的区域变小。
另外，在日本专利特开2000～227608号公报所述的构成中，是从图像存储器33并行读出一个扫描行部分的数据，送出给行缓冲器32。这样从图像存储器33将数据并行送出给缓冲器电路(或信号线驱动器)的优点在于，没有必要将一行部分的数据先进行并行/串行变换，然后作为串行数据，使其在图17所示的信号线驱动器8的未图示的移位寄存器内传送，再进行串行/并行变换，能够降低这一部分的功耗。
但是，在那样的构成中存在的问题是，当每个像素进行3级灰度以上的多灰度显示时，要将从图像存储器33读出的数据用信号线驱动器8内的D/A变换电路变换为模拟电压，这样的构成因D/A变换而导致功耗增加。
另外，在日本专利特开平2～148687号公报那样的构成中，由于利用FETq1～qn生成的流过电流镜电路21的FET23一侧的前述基准电流将浪费能量，因此若将该电流镜电路21看成一种D/A变换电路，则同样也存在因D/A变换而导致功耗增加的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供在实现多灰度显示时能够削减显示区域中的布线数并能够削减功耗的显示装置。
为解决上述技术问题，本发明的显示装置包括设置在呈矩阵状划分的各区域中的光电元件，设置在前这各区域中的有源元件(A)、以及通过前述有源元件(A)取入信号线的数据并用其输出驱动前述光电元件进行显示的存储元件，对于同一信号线，设置多个对应于各光电元件的前述存储元件，同时利用对应于该光电元件设置的多个前述存储元件的一部分或全部输出，驱动前述各光电元件进行显示。
根据上述构成，在利用选择线进行选择期间，利用有源元件(A)将信号线的数据取入存储元件，相应于该存储元件的存储内容，将参照线的电压加在光电元件上，这样对每个光电元件进行存储保持动作，对同一数据不要进行再写入，以实现信号线驱动电路的低功耗，在上述这样的显示装置中，在实现多灰度显示或多图像显示时，与各光电元件对应形成的存储元件，对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度或图像种类对应的位数个，例如在8级灰度时，设置3个，然后，利用其一部分或全部输出，驱动前述光电元件进行显示。
因而在使用一部分输出时，可以通过对应于位权重依次切换输出，进行利用分时的数字灰度控制，另外用一部分的输出及剩余的输出还可以显示不同的图像，例如，用n位数据当然可以显示2n级灰度的一个图像，或者切换显示2级灰度(1位灰度)的n个图像，还可以切换2n～1级灰度的图像与2级灰度(1位灰度)的图像。另外，同时使用全部输出时，可以利用各位的输出相加电压或电流进行模拟灰度控制。
这样，由于使用公共信号线将各位的数据取入对应的存储元件，或选择这些位的选择线在相互相等的位顺序之间形成公共走线，因此能够削减布线数。再有，通过利用多位数据采用分时占空比驱动光电元件，还能够削减因D/A变换而导致的功耗。
另外，为了解决上述技术问题，本发明的显示装置较佳地包括对于同一信号线，对应于各光电元件形成的所述存储元件的个数等于或小于与要显示的灰度的至少一部分相对应的比特位个数，同时还包含驱动前述有源元件(B)的位选择线，前述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件(B)的控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序其间选择其中一条，在前述选择线被选择期间，将通过前述有源元件(A)的数据存储在对应的存储元件中，在前述选择线未被选择的期间，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
根据上述构成，在利用选择线进行选择期间，利用有源元件(A)将信号线数据取入存储元件，对应于该存储元件的存储内容，将参照线的电压加在光电元件上，这样对每个光电元件进行存储保持动作，对同一数据不进行再写入，以降低信号驱动电路的功耗，在这样的显示装置中，实现多灰度显示及多图像显示。为此，与各光电元件对应形成的存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度和/或图像种类的至少一部分对应的位数个。例如需要8级灰度时，对应于各光电元件设置2个，在外部的RAM设置1个，或者对应于各光电元件，一共设置3个。
另外，分别与各存储元件对应，在前述有源元件(A)和光电元件与对应的存储元件之间，存在有源元件(B)，在前述选择线被选择期间，通过前述有源元件(A)的各位数据，利用由位选择线选择的该有源元件(B)中的一个，存储在对应的存储元件中。而与上相反，在前述选择线未被选择期间，利用由位选择线选择的前述有源元件(B)中的一个，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
即在例如实现前述多灰度显示时，对于3位的数据，若设第1～第3的各位数据为1，则首先在单位期间T通过有源元件(B)将来自与第1位对应的存储元件的数据1供给光电元件，接着在期间2T通过有源元件(B)将来自与第2位对应的存储元件的数据1供给光电元件，再接着在期间4T通过有源元件(B)将来自与第3位对应的存储元件的数据1供给光电元件。这种情况下，前述参照线的电压以0～7的前述8级灰度内的7的灰度加在光电元件上，这样能够实现利用分时的数字多灰度显示。
另外，在如下所述有源元件(B)切换使用一部分存储元件的输出时，也可以利用其一部分输出及剩余的输出显示不同的图像。即用n位数据，不仅如上所述能够显示2n级灰度的一个图像，还可以切换2级灰度(1位灰度)的n个图像显示简单的动画，或者也可以进行2n～1级灰度的图像与2级灰度(1位灰度)的图像的切换显示等。
这样，由于多位数据分时使用公共信号线依次取入各存储元件，另外位选择线是在相互相等的位顺序之间形成的公共走线，因此能够削减布线数，另外，在利用该多位数据以分时占空比驱动光电元件，通过这样进行D/A变换时，也能够削减因变换而导致的功耗。再有，在多个图像切换显示时，若一旦将数据写入存储元件，则外部CPU等不需要工作，能够实现低功耗。
为了解决上述技术问题，本发明的显示装置，较佳低，对于同一信号线，对应于各光电元件形成的所述存储元件的个数等于或小于与要显示的灰度的至少一部分相对应的比特位个数，同时通过不同的前述有源元件(A)对应于各自的选择线设置，这些存储元件，另外还包括驱动前述有源元件(C)的位选择线，前述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件(C)的控制输入端之间形成的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
根据上述构成，在利用选择线进行选择期间，利用有源元件(A)将信号线数据取入存储元件，对应于该存储元件的存储内容，将参照线的电压加在光电元件上，这样对每个光电元件进行存储保持动作，对同一数据不进行再写入，以降低信号线驱动电路的功耗，在这样的显示装置中，在实现多灰度显示及多图像显示时，与各光电元件对应形成的存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度或图像种类对应的位数个，例如若是8级灰度，则设置3个。
另外，还分别对应于各存储元件设置前述有源元件(A)及其选择线，同时在各存储元件与光电元件之间分别接入有源元件(C)，利用位选择线选择一个前述有源元件(C)，因而，能够实现分时数字多灰度显示，和/或还能够显示不同的图像。
这样，由于多位数据分时使用公共信号线依次取入各存储元件，另外位选择线是在相互相等的位顺序之间形成的公共走线，因此能够削减布线数。另外，在利用该多位数据以分时占空比驱动光电元件，通过这样进行D/A变换时，也能够削减因变换而导致的功耗。
另外，为了解决上述技术问题，本发明的显示装置，较佳地，与前述各光电元件对应形成的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，同时通过不同的前述有源元件(A)对应于各自的选择线设置，这些存储元件另外利用与此相对应形成的多个前述存储元件输出的和驱动前述各光电元件进行显示。
根据上述构成，在利用选择线进行选择期间，利用有源元件(A)将信号线数据取入存储元件，对应于该存储元件的存储内容，将参照线的电压加在光电元件上，这样对每个光电元件进行存储保持动作，对同一数据不进行再写入，以降低信号线驱动电路的功耗，在这样的显示装置中，在实现多灰度显示及多图像显示时，与各光电元件对应形成的存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度数对应的个数，同时还分别对应于各存储元件设置有源元件(A)及其选择线。
因而，能够利用各存储元件输出电压或电流之和进行模拟灰度控制。这样，由于多位数据分时使用公共信号线依次取入各存储元件，另外位选择线是在相互相等的位顺序之间形成的公共走线，因此能够削减布线数。
另外，为了解决上述技术问题，本发明的显示装置，较佳地，与各光电元件对应的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，同时还包含驱动前述有源元件(B)的位选择线，前述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件(B)控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，在前述选择线被选择期间，将通过前述有源元件(A)的数据存储在对应的存储元件中，利用与此相应形成的多个前述存储元件输出的和，驱动前述各光电元件进行显示。
根据上述构成，在利用选择线进行选择期间，利用有源元件(A)将信号数据取入存储元件，对应于该存储元件的存储内容，将参照线的电压加在光电元件上，这样对每个光电元件进行存储保持动作，对同一数据不进行再写入，以降低信号线驱动电路的功耗，在这样的显示装置中，在实现多灰度显示及多图像显示时，与各光电元件对应形成的存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度或图像种类对应的位数个，同时分别对应于各存储元件，在前述有源元件(A)及光电元件和对应的存储元件之间接入有源元件(B)中的一个元件，将数据存储在对应的存储元件中。
因而，能够利用各存储元件输出电压或电流之和进行模拟灰度控制。这样，由于多位数据分时使用公共信号线依次取入各存储元件，另外位选择线是在相互相等的位顺序之间形成的公共走线，因此能够削减布线数。
本发明还有的其它目的，特征及优点，根据下面的叙述将非常清楚。另外，本发明的利益，通过参照附图的下述说明将很明确。
附图说明
图1所示为本发明第1实施形态的显示装置简要构成图。
图2所示为图1所示的显示装置中SRAM一构成例的方框图。
图3所示为说明图1所示的显示装置中存储元件构成用的一个像素区域的电路图。
图4所示为图1所示显示装置中的位选择线及选择线所加信号的波形图。
图5所示为本发明第2实施形态的显示装置中一个像素区域的电路图。
图6所示为图5所示显示装置中的位选择线，选择线及信号线所加信号的波形图。
图7所示为本发明第3实施形态的显示装置中一个像素区域的电路图。
图8所示为前述本发明第3实施形态的显示装置能够实施低功耗的D/A变换电路的电路构成图。
图9所示为本发明第4实施形态的显示装置中一个像素区域的电路图。
图10所示为图9所示显示装置中的位选择线，选择线及信号线所加信号的波形图。
图11所示为采用图9的构成，对电流驱动型电光学元件不用分时灰度对电流值进行控制时的最简明的电路构成图。
图12所示为本发明第5实施形态的显示装置中一个像素区域的电路图。
图13所示为本发明第6实施形态的显示装置中四个像素区域的电路图。
图14所示为图13所示显示装置中的位选择线及选择线所加信号的波形图。
图15所示为本发明第7实施形态的显示装置中四个像素区域的电路图。
图16所示为本发明第8实施形态的显示装置中两个像素区域的电路图。
图17所示为典型的以往技术的显示装置简要构成方框图。
图18所示为图17的显示装置中各像素部分的电路详细构成图。
图19所示为其它的以往技术的显示装置各像素部分构成图。
图20所示为图19的显示装置中存储单元的电路详细构成图。
图21所示为其它的以往技术的另一显示装置的构成方框图。
图22所示为图21所示的显示装置中各像素的电路构成之一例。
图23所示为图21所示的显示装置中各像素的电路构成的其它例子。
具体实施形态
(实施形态1)
下面根据图1～图4说明本发明第1实施形态。
图1所示为本发明第1实施形态的显示装置61的简要构成图。该显示装置61虽然是光电元件为有机EL元件62的EL显示器，当然也可以采用前述液晶元件或FED元件。另外，在本构成中基板63上形成的TFT(薄膜晶体管)元件，可以采用例如日本专利特开平10～301536号公报(日本国公开专利公报(公开日：1998年11月13日)等说明的连续晶体硅(CGS：Continuons GrainSilicon)TFT制造工艺或一般采用的多晶硅(Poly～SI)TFT工艺等制成。
在该显示装置61中，大体来说是CPU64在与快速擦写存储器静态随机存储器(DRAM：Static Random Access Memory)即存储器65之间交换数据，使要显示的数据存储在前述基板63上的SRAM66中，SRAM66内的前述数据根据由CPU64控制的控制器驱动器67的指令写入或定期读出，存储在各像素区域A内形成的存储元件M中。然后，根据该存储元件M存储的数据，将参照线(电源线)R的电压VDD供给前述有机EL元件62，通过这样每个像素得到存储保持动作必须的电源，同时对同一数据不进行再写入，这样实现信号驱动电路即前述SRAM66的低功耗。
在前述控制器驱动器67输出的选择线(栅极信号线)Gi(i＝1、2、…m，统称时下面用参照符G表示)与前述SRAM66输出的信号线(数据信号线)Sj(j＝1、2、…n，统称时下面用参照符S表示)的交点，形成第1有源元件(有源元件A)即N型TFTQ1。然后，选择线G由控制器驱动器67加上选择电压，利用栅极与前述选择线G连接的TFTQ1将SRAM66输出给信号线S的数据存储在存储元件M中。另外，存储元件M的输出供给形成前述有机EL元件62即光电元件的P型TFTQ2的栅极，利用该TFTQ2将前述参照线R的电压VDD加在前述有机EL元件62上。
另外，存储元件M如后所述，利用静态存储器实现。这种情况下，若将前述SRAM66看作调整CPU64输出的数据传输速率及向像素区域A配置的存储元件M的数据传输速率的缓冲器，则该SRAM66只要能够暂时保持数据即可。因而，也可以采用DRAM结构，来代替SRAM66。这种情况下，将使存储元件M存储的数据及表示与某一个像素对应的数据已经更新的数据存储在DRAM结构中，通过这样能够仅对与更新的数据对应的存储元件M进行重写。
即显示装置61的像素区域A配置的存储元件M必须通过信号线S等进行重写。但是，由于一般信号线S等的寄生电容大于通常的RAM，因此其重写速度比通常的RAM要慢。所以，为了暂时保持CPU64输出的数据，在显示区域外具有与通常的RAM相同的RAM，这种情况下，像素区域A以外的RAM也可以是DRAM结构。
另外，该像素区域A以外的配置的RAM，如后所述。还具有将来写入像素区域A内的存储元件M的数据加以保存的功能。例如，在想要显示的灰度数为6位灰度时，若像素中只能配置4位灰度，则将其余的2位灰度的数据配置在像素区域A以外的RAM。
再有，如后所述，在切换多个图像进行显示时，也需要更多的存储元件，这种情况下也只要将像素区域A内不能配置的存储器数据配置在像素区域A内不能配置的存储器数据配置在像素区域A以外的RAM即可。即在像素区域A内的存储元件M与像素区域A以外的RAM之间交换显示数据，通常显示像素区域A内的存储器数据，在切换为其它画面时，将像素区A以外的RAM数据移至像素区域A内的存储器元件M，(另外，反过来将像素区域A内的存储数据返回像素外的RAM)也能够得到显示。
另外，前述SRAM66及控制器驱动器67甚至加上CPU64也可以在基板63上实现一体化。这种情况下，可以用前述CGSTFT制造工艺做在基板上，或者将利用单晶半导体工艺制成的集成电路后装在基本反63上，另外，在将前述利用单晶半导体工艺制成电路进行后装时，可以直接安装在基板63上，或者也可以利用TAB(Tape Automated Bonding)技术暂时先安装在以铜箔图形进行布线的安装带上，再将该TCP(Tape Carrier Package)与基板63键合。
应该要注意的是，在本发明中，关于各像素区域A内形成的存储元件M，要设置在实现多灰度显示时与要显示的灰度对应的位数个、或者想要显示的多个图像所需要的位数个、或者与它们组合对应的倍数个以下的个数(在图1中，不简化附图的电路，设置参照符M1及M2这两个存储元件)。在各像素区域A内形成的存储元件M的个数不到所需要的个数时，只要不足的存储元件设置在前述SRAM66内，根据需要在像素区域A一侧与SRAM66一侧进行数据交换即可，下面的说明是假设进行多灰度显示的情况，关于多图像显示在后面叙述。
在图1的构成中，在前述TFTQ1与Q2之间的连接线与对应的存储元件M1及M2之间，分别与前述存储元件M1及M2对应加入第2有源元件(有源元件B)即TFTQ31及Q32。为了选择前述TFTQ31及Q32中的某一个，设置位选择线B1及B2，以及使该位选择线B1及B2产生选择电压的位控制器68。位控制器68也可以和前述SRAM66等一样，在基板63上实现一体化。
图2所示为前述SRAM66一构成例的方框图。该SRAM66具有利用串行输入控制器电路71及串行输出控制器电路72构成的对CPU64的串行I/O口，另外还具有将前述各信号线S对应的基板63的部分一侧1列(1、2、……、m)像素部分的数据并行输出的口即并行输出控制器电路73。该并行输出控制器电路73对每个像素还具有R、G、B三个口。其它与通常的SRAM一样，具有地址缓冲器74及75、行译码器76、列译码器77、选择器78、存储器阵列79及与片选或各种使能信号对应的门电路80及81、以及缓冲器82。
图3为前述存储元件M的构成说明图，表示任意的第i行第j列的一个像素区域A的电路。在该图3中也与前述图1相同，为简化附图电路，存储元件M采用两个参照符M1及M2。下面表示前述第i行第j列的下标i及j，仅在特别需要时加上，在不需要时，为简化说明将其省略。
这些存储元件M1及M2是P型TFTP1及N型TFTN1构成的CMOS反相器INV1和同样是P型TFTP2及N型TFTN2构成的COMS反相器INV2组合而成的两级反相器结构，前述TFTQ31及Q32与反相器INV1的输入端连接，反相器INV1的输出端与反相器INV2的输入端连接，反相器INV2的输出端与反相器INV1的输入端和TFTQ31及Q32连接，这样构成SRAM。
因而，来自前述SRAM66的数据，通过TFTQ1和TFTQ31及Q32，输入至反相器INV1的输入端，用该反相器INV1反相，再用反相器INV2反相，对该反相器INV1的输入端形成正反馈，进行自锁动作，同时该输出从TFTQ31及Q32供给构成光电元件的前述TFTQ2。
另外，构成存储元件M1及M2的反相器INV2的输出阻抗设定得高于通过信号线S、TFTQ1、TFTQ31及Q32人SRAM66输出的信号阻抗。
另外，在反相器INV2的输出端与反相器INV1的输入端之间***别的有源元件(未图示)，在通过信号线S、TFTQ1、TFTQ31及Q32从SRAM66写入数据(信号)时，使得反相器INV2的输出不返回反相器INV1的输入端。
采用这样的构成，可以与反相器INV2的输出无关，由SRAM66设定反相器INV1的输入电压。
图4所示为前述位选择线B1及B2和选择线G所加信号的波形图。在该图4的例子中，1帧期间Tf分割为127份，在数据写入期间即1的时间内，选择线G为高电平(前述选择电压)，而且位选择线B1及B2两者选1为高电平，来自SRAM66的数据通过同一信号线S取入各存储元件M1及M2中，在显示期间即剩下的2～127的时间内，选择线G的低电平(非选择电压)，而且位选择线B1及B2对应于该位权重的比例。两者选1为高电平，各存储元件M1及M2的数据输出给TFTQ2。
详细来说，对应于该位的权重，位选择线B仅在单位时间T被选择，与此相反，位选择线B2仅在单位时间2T被选择。另外，在图4的例子中，设前述单位时间T为1帧期间Tf的7/127，即在1帧期间Tf内，交替选择的次数仅为(127～1)/[(1+2)×7]＝6次。
因而，如前所述，在1的时间内数据取入存储元件M1及M2，在2～8的时间内，位选择线B1被选择，存储元件M1的数据输出给TFTQ2，在9～22的时间内，位选择线B2被选择，存储元件M2的数据输出给TFTQ2，以后同样，在23～29的时间内，位选择线B1被选择，在30～43的时间内，位选择线B2被选择，……，在107～113的时间内，位选择线B1被选择，在114～127的时间内，位选择线B2被选择。
另外，选择线G在每一个前述1帧期间内，仅在其1/127的时间内依次被选择，但控制器驱动器67对从CPU64传送至SRAM66的数据进行监视，在不需要改变显示图像时，按照控制器驱动器67的控制输出，前述SRAM66不输出数据，如前所述实现低功耗。
另外，在前述1的时间内，存储元件M1及M2的数据也输出给TFTQ2。因而，若仅将前述2～127的时间内作为显示期间，则产生灰度误差，另外，若将前述1的时间内也作为显示期间，则以来自SRAM66的数据直接驱动TFTQ2，但由于对存储元件M1及M2写入数据，而导致电压变动，将产生影响，因而，考虑到选择线G为高电平，而且位选择线B1及B2为高电平期间期间的影响，只要在前述选择线G为低电平的期间的影响，只要在前述选择线G为低电平的期间调整位选择线B1及B2为高电平的期间即可。前述参照线R的电压VDD及信号线S选择时的电压例如都为5～6V。
这样，在采用存储元件M实现低功耗的显示装置61中，在实现多灰度显示时，设置前述存储元件M为与要显示的灰度相对应的位数个的M1及M2，同时在前述TFTQ1与Q2之间分别设置TFTQ31及Q32，在选择线G被选择期间，通过TFTQ1将各位的数据分时依次存储在存储元件M1及M2中，在选择线G不被选择期间，将该存储的数据与位权重的比例对应供给TFTQ2的栅极，通过这样能够分时驱动参照线R的电压VDD，实现电光学元件6的数字灰度显示。
因而，为了实现多灰度显示，若与采用同样多个存储单元m1～mn的前述图19的构成相比，在本发明中，R、G、B的每种颜色需要1条信号线S，和R、G、B各种颜色公共的选择线G以及位选择线B1和B2，若设位数为X(特别是X＞2)，则需要1条×3(R、G、B)+1条+x条＝4条+x条，而与上不同的是，在图19的构成中，需要x条×3(R、G、B)+1条(行电极控制信号线)＝3x条+1条，因而本发明能够大幅度削减布线数，这样，能够缩小各像素区域A中的布线面积，即使增加灰度数，也能够足以确保生成存储元件M1及M2等用的区域。
另外，通过从CPU将数据写入显示区域外设置的SRAM66，对从CPU64的数据写入速度及向存储元件M1及M2的数据写入速度进调整，再从SRAM66直接向存储元件M1及M2将多位数据并行写入，就不需要像以往的信号线驱动电路那样，将来自SRAM66的数据变换为串行数据进行传送，另外由于各像素实现采用数字数据的灰度显示，因此在SRAM66与像素之间不需要功耗大的D/A变换电路，这样能够实现低功耗。
特别是在显示静止图像机会很多的移动电话等情况下，由于将数据进行D/A变换相应的功耗大于数据传送相应的功耗，因此将灰度数据串行传送所需要的功率小于根据灰度数据产生模拟电压所需要的功率，能够期待具有以弥补上述缺点的效果。
特别是由于存储元件M1及M2与通常的SRAM相同，由两级CMOS反相器INV1及INV2构成，因此各反相器INV1及INV2的P型TFTP1及P2和N型TFTN1及N2中，处于导通状态的TFT只有某一种，在维持存储状态期间，流过各反相器INV1及INV2的电流小，因而功耗低。
另外，在上述构成中，由于信号线S是许多位公用，因此与前述图19所示那样要确保存储元件数据的信号线S的情况相比，具有数据传送频率为位数倍的缺点。但是，在显示装置的像素数为m×n时，若从SRAM66向以往的信号线驱动电路串行传送数据，则需要的传判断频率为信号线S的并行数×n倍。由于通常n虽为80以上，而位数x为8左右，因此即使在上述构成中，也还有由于将数据并行传送而导致对存储元件M1及M2的数据传送速率下降的效果。
下面说明前述多图像显示的情况，例如若设存储元件M的个数为k，则在静止图显示时，通过切换读出来自该存储元件M的数据，若是1位灰度(2级灰度)的图像，则能够切换显示k个图像。即若是2级灰度图像，则能够显示k个图像，若是4级灰度图像，则能够显示k/2个图像……，另外，各图像不一定必须是相同灰度数，例如也可以将j(j＜k)位灰度的图像与剩下的k～j位灰度的图像切换显示，这样也可以用静止图像相同程度的功耗来显示简单的动画。
另外，在显示这样的静止图像时，例如若想显示6位灰度，但像素只配置4位部分的存储元件，则如前所述，也可以从像素外的SRAM66读出剩下的2位部分的数据。这种情况下，最好像素外的SRAM66以SRAM结构存储2位部分(最好是3位部分)的数据(其余也可以是DRAM结构)。
特别是在显示多个图像时，必须采用更多的存储元件，这时也与上述相同，只要从像素外的RAM将必要的位数据向像素存储元件读出显示即可。另外，在多图像显示需要的数据中，也可以仅将一部分图像显示所需要数据预先存储在存储元件中，在显示其它图像时，从像素外的RAM重新接受数据(与此同时，将存储元件的数据返回像素外的RAM)，在保持不接通CPU电源的状态下，能够得到多图像显示及简单动画显示。
(实施形态2)
下面根据图5及图6说明本发明第2实施形态。
图5所示为本发明第2实施形态的显示装置中一个像素区域A的电路图。该图5的构成与前述图3的构成类似，对相应的部分附加相同的参照标号表示，并省略共说明，在本构成中，也与前述图3的构成相同，为简化附图的电路，存储元件M设置参照符M1及M2共两个存储元件，但也可以适合三个以上的存储元件。
应该要注意的是，在本构成中，分别与存储元件M1及M2相对应设置从同一信号线S取入数据用的第1有源元件(有源元件A)即TFTQ11及Q12，同时设置将存储元件M1及M2的输出供给前述光电元件TFTQ2的第3有源元件(有源元件C)即TFTQ51及Q52。前述TFTQ11在选择线Ga加上选择电压时，将来自信号线S的数据写入存储元件M1，前述TFTQ12在选择线Gb加上选择电压时，将来自信号线S的数据写入存储元件M2。
另外，前述位选择线如参照符B所示，两个存储元件M1及M2公用，因此为了将各存储元件M1及M2的输出选择其一供给前述TFTQ2，存储元件M1一侧的TFTQ51为P型，而在存储元件M2一侧的TFTQ52为N型，前述位选择线B的选择电压供给这些TFTQ51及Q52的栅极，通过这样仅将存储元件M1及存储元件M2的某一方的输出供给TFTQ2，仅在相应的期间电流流过有机EL元件62。
图6为前述位选择线B、选择线Ga及Gb和信号线S的波形图。在该图6的例子中，1帧期间Tf也分割为127份，在数据写入期间即1的时间内，选择一Ga及Gb根据信号线S送出的位数据，依次为高电平(前述选择电压)，将来自SRAM的数据写入各存储元件M1及M2。在显示期间即剩下的2～127的时间内，选择线Ga及Gb为低电平(非选择电压)，而且位选择线B对应于该位权重的比例，切换为存储元件M1的选择电压V1及存储单元M2的选择电压V2，将各存储元件M1及M2的数据两者选一输出给TFTQ2。
这样，通过使位选择线B送出的选择电压为V1的期间和为V2的期间之比取为1∶2，就能够进行多灰度显示。另外，使存储元件M1及M2存储不同的2值图像(文字或图像)数据，通过以1帧或多帧为单位周期性地将位选择线B切换为电压V1及V2，就能够周期性地显示两个图像，能够显示简单的重复动态图像。这样的功能作为移动电话等的等待画面越来越受欢迎。
(实施形态3)
下面根据图7及图8说明本发明第3实施形态，
图7所示为本发明第3实施形态的显示装置中一个像素区域A的电路图。该图7的构成与前述图5的构成类似，对相应的部分附加相同的参照标号表示，并省略其说明，在本构成中，也与前述图3的构成相同，为简化附图的电路，存储元件M设置参照符M1及M2共两个存储元件，但也中以适合三个以上的存储元件。
在前述图1及图5的构成中，作为实现灰度显示的方法是采用分时灰度显示的方法。但是，本发明不限于此，另外光电元件也不限于此，另外光电元件也不限于有机EL元件62。因此，应该要注意的是，本实施形态是以采用液晶91作为光电元件，对该液晶91加上模拟电压实现灰度显示的情况为例进行说明的。
前述液晶91与电阻R11及R12构成的并联电路，以及电阻R2相互串联，连接在电源电压VDD的参照线(电源线)R与GND之间，在本构成不设置前述位选择线B1及B2，不设置B，存储元件M1及M2的输出分别供给P型TFTQ61及Q62。控制其导通或不导通。TFTQ61与前述电阻R11及R12并联设置，TFTQ62与前述电阻R2并联设置。另外，电阻R3与液晶91并联设置。
前述电阻R11与R12相互并联形成是为了制成1/2电阻值的电阻，由于光刻条件等工艺的影响，比较容易制成大致相等电阻值的电阻，而难以用单体制成符合前述1/2电阻值的电阻。因而，希望各电阻R11、R12、R2及R2的电阻值相互相等。
下面若忽略TFTQ61及Q62的导通电阻，则在该TFTQ61及Q62都为非导通状态时，液晶91所加的电压为
VDD×(R3/((R1//R12)+R2+R3))
在TFTQ61为导通状态而TFTQ62为非导通状态时，液晶91所加的电压为
VDD×(R3/(R2+R3))
在TFTQ61为非导通状态而TFTQ62为导通状态时，液晶91所加的电压为
VDD×(R3/((R1//R12)+R3))
在TFTQ61及Q62都为导通状态时，VDD的电压直接加在液晶91上。另外在上式中，所谓(R11//R12)是电阻R11与电阻R12的关联电阻值，可以用(R11×R12)/(R11+R12)表示。
因而，如前所述，在各电阻R11、R12、R2及R3的电阻值互相相等的情况下，当TFTQ61及Q62都为非导通过状态时，加上2VDD/5的电压，当TFTQ61为导通状态而TFTQ62为非导通状态时，加上VDD/2的电压，当TFTQ61为非导通状态而TFTQ62为导通状态时，加上2VDD/3的电压，这样，也能够在像素区域A内形成简单的D/A变换电路。
这样通过将各存储元件M1及M2对应的TFTQ61及Q62切换为导通或非导通状态，将参照线(电源线)R供给的电源电压VDD进行分压，能过电压变换后加在光电元件上，上述这种方法对于光电元件是液晶91的情况特别有效。另外，也可以不用前述电阻R11、R12、R2及R3进行分压，而用电容进行分压。
另外，在上述图7的构成中，虽不能切换显示多个图像，但在存储元件M1及M2与TFTQ6 1及Q62之间设置第3有源元件(有源元件C)，也可以在该第3有源元件与存储元件M1及M2的组合之间切换图像。另外，本构成的控制时序除没有位选择线B以外，其它与前述图6的控制相同，因此这里省略其时序说明。
这里，上述图7的构成虽具有削减显示区域A的布线数的效果，但低功耗的效果差。因此，更理想的例子如图8所示，是能实现低功耗的D/A变换电路的构成。在该图8的构成中，与图7的构成对应的部分附加同一参照标号表示。应该要注意的是，存储元件M1及M2的输出分别通过电容C11及C21供给液晶91。因而，在本构成中，由于不用电阻，因此功耗的增加少，能够达到前述的低功耗。
在本构成中，设液晶91的电容量为CLC，电容C11及C21的电容量分别用相同的参照符表示，则当存储元件M1及M2的输出都为GND电位时，液晶91加上零电压，当存储元件M1的输出为VDD电位而存储元件M2的输出为GND电位时，液晶91所加的电压为
VDD×C11/(CLC+C11+C21)
当存储元件M1的输出为GND电位而存储元件M2的输出为VDD电位时，液晶91所加的电压为
VDD×C21/(CLC+C11+C21)
当存储元件M1及M2的输出都为VDD电位时，液晶91所加的电压为
VDD×(C11+C21)/(CLC+C11+C21)
因此，例如设C21＝2×C11，C11与CLC近似相等，尽可能取得大一些，若再适当设定电源电压VDD，则能够用液晶91进行多灰度显示。
(实施形态4)
下面根据图9～图11说明本发明第4实施形态。
图9所示为本发明第4实施形态的显示装置中一个像素区域A的电路图。该图9的构成与前述图1、图5及图8的构成类似。本构成采用前述图8的电容构成的D/A变换功能，产生驱动有机EL元件62的TFTQ2的栅极电压。为此，电容C21及C22的一端与电压输出级的前述TFTQ2的栅极连接。电容C21的另一端与存储元件M2的输出连接，电容C22的另一端与电容C11及C12的一端连接。电容C11的另一端与存储元件M1的输出连接，电容C12的另一端与电源电压VDD的参照线R连接。
然后，设C21＝C11＝C12的电容量，C22＝2×C21的电容量。即成为所谓C～2C的DAC构成。关于该C～2C的DAC构成，由于在ASIA DISPLAY’98(1998年9月28日～10月1日召开)的报告书P285等中已记载，因此省略其原理必说明。采用这样的电容构成D/A变换电路，也可以将其输出供给有机EL元件62的驱动用TFTQ2。
另外，在本构成中，第1有源元件(有源元件A)即TFTQ1与存储元件M1之间设置第2有源元件(有源元件B)即P型TFTQ71，在TFTQ1与存储元件M2之间设置第2有源元件(有源元件B)即N型TFTQ72，前述位选择线B的选择电压供给这些TFTQ71及Q72的栅极，通过前TFTQ1，将信号线S的数据选择写入存储元件M1及M2的某一个存储元件。
图10所示为前述位选择B，选择线G及信号线S所加信号的波形图。在该图10的例子中，1帧期间Tf也分割为127份，在数据写入期间即1的时间内，选择线G为高电平(选择电压)，同时位选择线B根据信号线S送出的位数据，依次切换为存储元件M的选择电压V1及存储元件M2的选择电压V2，将来自SRAM66的数据写入各存储元件M1及M2。在显示期间即剩下的2～127的时间内，由于选择线G为低电平(非选择电压)，禁止数据写入，因此位选择线B为任意电压(在图10中为选择电压V1)。
根据这样的构成，即使是电流驱动型光电元件，也可以不用分时灰度控制，通过控制TFTQ2的栅极电压，能够得到对应的电流值，进行灰度显示。
另外，对于电流驱动型光电元件，存储元件M1及M2的输出电流变换方法，除这样控制TFTQ2的栅极电压得到对应电流的方法以外，最直接的方法有通过切换各存储元件M1及M2对应的开关元件为导通或非导通状态，使电源布线与光电元件之间的电导率变化，从而对光电元件供给电流的方法。这在光电元件是有机EL元件时特别有效。图11所示为其构成。在该构成中，利用前述TFTQ11及Q12从前述信号线S分别将数写入存储元件M1及M2，其输出控制TFTQ61、Q62及Q63。TFTQ61～Q63都是由相同尺寸构成，在各TFTQ61～Q63处于导通状态时，相互流过相等的电流。
因而，根据位权重，存储元件M2相对于存储元件M1，能够对有机EL文件62供给2倍的电流，这样只要将来自SRAM66的数据写入存储地件M1及M2，就能够不用分时控制，用电流驱动型光电元件进行灰度显示。
(实施形态5)
图12所示为本发明第5实施形态的显示装置中一个像素区域A的电路图。该图12的构成与前述图3的构成类似，对应的部分附加相同的参照标号表示，并省略其说明，应该要注意的是，在本构成中，采用强电介质薄膜电容C1及C2作为存储元件，该存储元件与第1有源元件(有源元件A)即TFTQ1直接连接，而在存储元件与GND之间配置第2有源元件(有源元件B)即TFTQ31及Q32。该图12的强电介质薄膜电容C1及C2的使用方法是在称为FRAM(强电介质存储元件)处的IT(晶体管)IC(电容)构成，因此，与图3的使用四个TFTP1、P2、N1及N2的DRAM电路相比，能够减少需要的电路面积。
另外，强电介质薄膜电容的制造方法，由于已在例如日本专利特开2000～169297号公报(日本国公开专利公报(公开日：2000年6月20日))等中记载，因此这里省略详细说明。
另外，在本构成中，前述强电介质薄膜电容C1及C2的一端与TFTQ1及Q2a连接，另一端通过前述TFTQ31及Q32接地。再有，在前述图1及图3的基板63中，有机EL元件62的层叠顺序是按照基板、阳极、空穴注入层，空穴输运层，发光层，电子输运层及阴极的顺序，TFTQ2为P型，将有机EL元件62***TFTQ2与GND之间。而在该图12的构成中，采用在基板63a按基板，阴极、电子输运层，发光层、空穴输运层、空穴注入层及阳极的顺序层叠构成的有机EL元件62a，将该有机EL元件62a***N型TFTQ2a与电源电压VDD的参照线R之间。这样能够减小TFTQ2a、Q31及Q32的栅极电压振幅。
(实施形态6)
下面根据图13及图14说明本发明第6实施形态。
图13所示为本发明第6实施形态的显示装置中四个像素区域的电路图。该图13的构成与前述图12的构成类似，对相应的部分附加相同的参照标号表示，并省略其说明。应该要注意的是，在本构成中，每个像素采用六个强电介质薄膜电容C1～C6作为存储元件。另外，对与前述强电介质薄膜是容C1～C6分别对应的TFTQ31～Q36进行驱动用的位选择线B1～B6，在列方向的第奇数个的像素(在图13中为A11及A12)和第偶数个的像素(在图13中为A21及A22)即相邻行间公用，可以减少在显示区域内所占的布线区域的比例。参照线R的电压为-VDD，采用N型TFTQ2a，与此相应采用有机EL元件62a。
图14所示为前述位选择线B1～B6和选择线Gi及Gi+1所加信号的波形图。在该图14的例子中，1帧期间分割为128份，大体上在1的时间内，选择线Gi为高电平，而且位选择线B1～B6选择一条为高电平，将来自SRAM66的数据取入第i行的各强电介质薄膜电容C1～C6，在2的时间内，选择线Gi+1为高电平，而且位选择线B1～B6选择一条为高电平，将来自SRAM66的数据取入第i+1行的各强电介质薄膜电容C1～C6，在剩下的3～128的时间内，选择线Gi及Gi+1为低电平，而且位选择线B1～B6选择一条在其位权重期间为高电平，各强电介薄膜电容C1～C6的数据输出给TFTQ2a。
另外，在上述的情况下，由于选择线Gi为高电平时，选择线Gi+1为低电平，因此将数据写入第i行的各强电介质薄膜电容器C1～C6时，数据不写入第i+1行的各强电介质薄膜电容C1～C6。
详细来说，对应于该位权重，位选择线B1仅在单位期间T被选择，位选择线B2仅在期间2T被选择，位选择线B3仅在期间4T被选择，位选择线B4仅在期间8T被选择，位选择线B5仅在期间16T被选择，位选择线B6仅在期间16T被选择，位选择线B6仅在期间32T被选择。另外，在图14的例子中，取前述单位期间T为1帧期间的1/128，即在1帧期间内交替选择(128～2)/[(1+2+4+8+18+32)×1]＝2次。
因而，在1及2的时间内，如前所述，对各强电介质薄膜电容C1～C6进行数据写入，在3的时间内位选择线B1被选择，4～5的时间内位选择线B2被选择，6～9的时间内位选择线B3被选择，10～17的时间内位选择线B4被选择，18～33的时间内位选择线B5被选择，34～65的时间内位选择线B6被选择，在66的时间内位选择线B1再次被选择，……，在97～128的时间内位选择线B6再次被选择。
根据这样的构成，能够实现更进一步的多灰度显示。
另外，在图14的例子中，在1帧期间同一位选择线选择两次。这是因为在1帧期间仅仅一次得到与各位对应发光的方法，产生与PDP出现的问题同样的动画虚轮廓的问题，但是，如前述图4所示，为了得到多次发光，更加强改善前述动画虚轮廓，只要越接近于MSB的位(例如位选择线B6及B5)，将选择期间细分，在1帧期间内加以分散即可。
另外，与将1帧期间全部作为发光期间相比，还是将1帧期间的一部分作为发光期间比较好，这是因为具有解决前述动画虚轮廓的效果及解决运动图像模糊的效果。为了形成该非发光状态，只要对图13的六个强电介质薄膜电容C1～C6中的一个使其保持使有机EL文件62a不发光的电压，或者备有与使有机EL元件62a不发光的电压连接的布线，来代替那一个强电介质薄膜电容，然后再进行选择该强电介质薄膜电容或布线即可。
(实施形态7)
下面根据图15说明本发明第7实施形态。
图15所示为本发明第7实施形态的显示装置中四个像素区域的电路图。该图15的构成与前述的图13及图3的构成类似，对相应的部分附加相同的参照标号表示，并省略其说明。应该要注意的是，在本构成中，位选择线B1～B6分为B1～B3与B4～B6两组，在各行间均匀配置，即位选择线B1～B6在相邻行间公用这一点虽然与前述图13的构成相同，但在图13的构成中，是将该位选择线B1～B6一起集中配置在公用的行间，而在本构成中与上述不同，是分为两组分散配置。
因而，能够使布线数均衡，提高显示均匀性。
另外，前述图14所示的动作中，对强电介质薄膜电容C1～C6的写入期间，从2个单位时间变为3个单位时间，其它均相同，故省略其详细说明。
实施形态8
下面根据图16说明本发明第8实施形态。
图16所示为本发明第8实施形态的显示装置中两个像素区域的电路图。该图16的构成与前述图14的构成类似，对相应的部分附加相同的参照标号表示，并省略其说明，应该要注意的是，在本构成中，采用3条位选择B1～B3，该选择输出在各像素A11及A21内进行译码，选择强电介质薄膜电容C1～C8中的对应元件。因此，由于23＝8，所以如前所述，设置八个强电介质薄膜电容C1～C8，另外与第奇数个的强电介质薄膜电容C1、C3、C5及C7对应分别设置N型TFTQ31、Q33、Q35及Q37，与第偶数个的强电介质薄膜电容C2、C4、C6及C8对应分别设置P型TFTQ32a、Q34a、Q36a及Q38a，同时设置对前述选择信号进行译码用的TFTQ81＝Q86(译码装置)。
另外，能够更进一步缩小布线区域的比例。
如上述实施形态1～8所述，本发明显示装置之一例，是在呈矩阵状划分的各区域中设置光电元件，通过前述各区域设置的第1有源元件(有源元件A)，从信号线将数据取入存储元件，以该存储元件的输出驱动前述光电元件进行显示，在这样的显示装置中，对同一信号线设置几个与各光电元件对应的前述存储元件，利用前述存储元件的一部分或全部输出驱动前述光电元件进行显示。
另外，本发明显示装置的其它例子，是在利用选择线选择期间，利用第1有源元件(有源元件A)将信号线的数据取入存储元件，光电元件对应于该存储元件的存储内容进行显示，在这样的显示装置中，对应于各光电元件形成的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度和/或图像种类的至少一部分对应的位数个，还包括分别与前述各存储元件对应设置的第2有源元件(有源元件B)及位选择线，前述位选择线是相互相等的位顺序的第2有源元件控制输入端之间形成的公共走线，在各位顺序期间选择其中一条，在前述选择线被选择期间，将通过前述第1有源元件的数据存储在对应的存储元件中，在前述选择线未被选择的期间，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
本发明显示装置的另外的其它例子，是在利用选择线选择期间，利用第1有源元件(有源元件A)将信号线的数据取入存储元件，光电元件对应于该存储元件的存储内容进行显示，在这样的显示装置中，对应于各光电元件形成的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度和/或图像种类的至少一部分对应的位数个，同时分别对应于各存储元件还设置前述第1有源元件及选择线，还包含分别对应于前述各存储元件设置的第3有源元件(有源元件C)及位选择线，前述位选择线是在相互相等的位顺序的第3有源元件控制输入端之间形成的公共走线，在各位顺序期间选择其中一条，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
本发明显示装置的另外的其它例子，是在利用选择线选择期间，利用第1有源元件(有源元件A)将信号线的数据取入存储元件，光电元件对应于该存储元件的存储内容进行显示，在这样的显示装置中，对应于各光电元件形成的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，同时分别对应于各存储元件还设置前述第1有源元件及选择线，利用前述多个存储元件的输出之和驱动前述光电元件进行显示。
本发明显示装置的另外的其它例子，是在利用选择线选择期间，利用第1有源元件(有源元件A)将信号线的数据取入存储元件，光电元件对应于该存储元件的存储内容进行显示，在这样的显示装置中，对应于各光电元件形成的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，同时分别对应于各存储元件还设置前述第1有源元件及选择线，利用前述多个存储元件的输出之和驱动前述光电元件进行显示。
本发明显示装置的另外的其它例子，是在利用选择线选择期间，利用第1有源元件(有源元件A)将信号线的数据取入存储元件，光电元件对应于该存储元件的存储内容进行显示，在这样的显示装置中，对应于各光电元件形成的前述存储元件对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，还包括分别对应于前述各存储元件设置的第2有源元件(有源元件B)及位选择线，前述位选择线是在相互相等的位顺序的第2有源元件控制输入端之间形成的公共走线，在各位顺序期间选择其中一条，在前述选择线被选择期间，将通过前述第1有源元件的数据存储在对应的存储元件中，利用前述多个存储元件的输出之和驱动前述光电元件进行显示。
另外，本发明的显示装置，在前述任一种构成中，最好的构成是前述各光电元件呈矩阵状排列，在相邻行间公用前述位选择线，根据该构成，能够缩小布线面积，实现更进一步的多灰度显示。
再有，本发明的显示装置，在前述任一种构成中，最好的构成是将前述位选择线分为两组，分散配置在各行之间，根据该构成，能够取得布线数均衡，提高显示均匀性。
另外，本发明的显示装置，在前述任一种构成中，最好的构成是还具有对前述位选择线的选择数据进行译码的译码装置。根据该构成，能够进一步减小布线区域的比例。
特别是本发明比较理想的是在与显示区的各光电元件对应的构成中具有存储元件，适合于将从CPU等外部装置将要显示的图像(或文字)数据写入显示装置的RAM(随机存储器)在显示区外与显示装置形成一体的情况。
在上述构成中，通过从RAM并行读出数据，在各光电元件显示，以实现低功耗，但若在RAM与光电元件之间有D/A变换器，则因此使上述并行处理的低功耗效果就没有了。
所以，如本发明那样，在RAM与光电元件之间不设置D/A变换器，代之以设置数字式存储器，构成多灰度显示，这样通过上述构成，能够实现低功耗的目标，因此是比较理想的。
另外，在上述构成中，将显示区外设置的图像存储器表示为RAM，是因为在每个上述光电元件设置静态存储器的构成中，图像存储器仅仅是只要暂时保持数据即可，因此断定为不一定取SRAM结构，也可以是DRAM结构。
另外，本发明的显示示装置，在前述任一种构成中，最好用强电介质薄膜电容形成前述存储元件。
根据上述构成，与使用TFT等晶体管的SRAM电路来实现的情况相比，能够减小存储元件需要的电路面积。
在发明的详细说明中叙述的具体实施形态或实施例，只是阐明本发明的技术内容，不应该是只限定那样的具体例而狭义地进行解释，在本明的精神及下述的权利要求项范围内，可以实施各种变更。

Claims (11)

1、一种显示装置，包括
设置在呈矩阵状划分的各区域中的光电元件，
设置在所述各区域中的有源元件A，和
通过所述有源元件A取入信号线的数据并用其输出驱动所述光电元件进行显示的存储元件，
其特征在于，
对于同一信号线，设置多个对应于各光电元件的所述存储元件，
同时利用对应于该光电元件设置的多个所述存储元件的一部分或全部输出，驱动所述各光电元件进行显示。
2、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
对于同一信号线，对应于各光电元件形成的所述存储元件的个数等于或小于与要显示的灰度的至少一部分相对应的比特位个数，
所述显示装置同时还包含
分别对应于各存储元件设置的有源元件B，和
驱动所述有源元件B的位选择线，所述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件B的控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，在所述选择线被选择期间，将通过所述有源元件A的数据存储在对应的存储元件中，在所述选择线未被选择的期间，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
3、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
对于同一信号线，对应于各光电元件形成的所述存储元件的个数等于或小于与要显示的灰度的至少一部分相对应的比特位个数，同时通过不同的所述有源元件A对应于各自的选择线，设置这些存储元件，
所述显示装置还包括
分别对应于所述各存储元件设置在各存储元件与光电元件之间的有源元件C，和
驱动所述有源元件C的位选择线，所述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件C的控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
4、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括
对应于所述各光电元件形成的所述存储元件，对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，同时通过不同的所述有源元件A对应于各自的选择线设置这些存储元件，
利用与此相对应形成的多个所述存储元件输出的和；驱动所述各光电元件进行显示。
5、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括
对应于各光电元件的所述存储元件，对于同一信号线设置的个数，是与要显示的灰度的至少一部分对应的位数个，
所述显示装置还包括
分别对应于各存储元件设置的有源元件B，和
驱动所述有源元件B的位选择线，所述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件B的控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，在所述选择线被选择期间，将通过所述有源元件A的数据存储在对应的存储元件中，
利用与此相对应形成的多个所述存储元件输出的和，驱动所述各光电元件进行显示。
6、如权利要求2至5任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述各光电元件呈矩阵状排列，在相邻行之间公用所述位选择线。
7、如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
将所述位选择线分为两组，分散配置在各行之间。
8、如权利要求2至5任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括
将所述位选择线的选择数据进行译码的译码装置。
9、如权利要求2至5任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述存储元件由强电介质薄膜电容构成。
10、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
对于同一信号线，对应于各光电元件形成的所述存储元件的个数等于或小于与要显示的图像种类的至少一部分相对应的比特位个数，
所述显示装置同时还包含
分别对应于各存储元件设置的有源元件B，和
驱动所述有源元件B的位选择线，所述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件B的控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，在所述选择线被选择期间，将通过所述有源元件A的数据存储在对应的存储元件中，在所述选择线未被选择的期间，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
11、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
对于同一信号线，对应于各光电元件形成的所述存储元件的个数等于或小于与要显示的图像种类的至少一部分相对应的比特位个数，同时通过不同的所述有源元件A对应于各自的选择线，设置这些存储元件，
所述显示装置还包括
分别对应于所述各存储元件设置在各存储元件与光电元件之间的有源元件C，和
驱动所述有源元件C的位选择线，所述位选择线是在相互相等的位顺序的有源元件C的控制输入端之间的公共走线中，在各位顺序期间选择其中一条，将对应的存储元件的数据输出给光电元件。
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