CN115116825A - 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理***及记录介质 - Google Patents

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理***及记录介质 Download PDF

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CN115116825A
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堀田英树
高桥正纮
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Kokusai Electric Corp
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    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only

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Abstract

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理***及记录介质。使在衬底上形成的膜的特性提高。包括：(a)通过向衬底供给第1处理气体，在上述衬底上形成非晶状态的第1膜的工序；(b)通过向上述衬底供给第2处理气体，在上述第1膜上形成结晶化温度比上述第1膜低的非晶状态的第2膜的工序；(c)通过对在上述衬底上形成的上述第1膜和上述第2膜进行加热而使其结晶化的工序；和(d)在使上述第1膜和上述第2膜结晶化后，通过将上述衬底的表面暴露于蚀刻剂，而至少除去上述第2膜的工序。

Description

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理***及记录 介质
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理***、及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-135344号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于，提供可在衬底上形成高品质的膜的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式，提供进行下述工序的技术：
(a)通过向衬底供给第1处理气体，在上述衬底上形成非晶状态的第1膜的工序，
(b)通过向上述衬底供给第2处理气体，在上述第1膜上形成结晶化温度比上述第1膜低的非晶状态的第2膜的工序，
(c)通过对在上述衬底上形成的上述第1膜和上述第2膜进行加热而使其结晶化的工序，和
(d)在使上述第1膜和上述第2膜结晶化后，通过将上述衬底的表面暴露于蚀刻剂，以至少除去上述第2膜的工序。
发明效果
根据本发明，可在衬底上形成高品质的膜。
附图说明
图1为在本发明的各方式中适当地使用的衬底处理***的立式处理炉的概略构成图，且为以纵向剖视图示出处理炉部分的图。
图2为在本发明的各方式中适当地使用的衬底处理***的立式处理炉的概略构成图，且为以图1的A-A线剖视图来示出处理炉部分的图。
图3为在本发明的各方式中适当地使用的衬底处理***的控制器的概略构成图，且为以框图示出控制器的控制***的图。
图4的(a)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在进行成膜处理前的晶片表面的局部放大剖视图；图4的(b)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在晶种层形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图4的(c)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在第1膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图4的(d)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在第2膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图4的(e)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在结晶化后的晶片表面的局部放大剖视图；图4的(f)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在改性后的晶片表面的局部放大剖视图；图4的(g)为本发明的第1方式中的衬底处理顺序的、在蚀刻后的晶片表面的局部放大剖视图。
图5的(a)为本发明的第1方式的变形例中的衬底处理顺序的、在进行成膜处理前的晶片表面的局部放大剖视图；图5的(b)为本发明的第1方式的变形例中的衬底处理顺序的、在晶种层形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图5的(c)为本发明的第1方式的变形例中的衬底处理顺序的、在第1膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图5的(d)为本发明的第1方式的变形例中的衬底处理顺序的、在第2膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图5的(e)为本发明的第1方式的变形例中的衬底处理顺序的、在结晶化后的晶片表面的局部放大剖视图；图5的(f)为本发明的第1方式的变形例中的衬底处理顺序的、在蚀刻后的晶片表面的局部放大剖视图。
图6的(a)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在进行成膜处理前的晶片表面的局部放大剖视图；图6的(b)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在晶种层形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图6的(c)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在第1膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图6的(d)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在第2膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图6的(e)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在结晶化后的晶片表面的局部放大剖视图；图6的(f)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在改性后的晶片表面的局部放大剖视图；图6的(g)为本发明的第2方式中的衬底处理顺序的、在蚀刻后的晶片表面的局部放大剖视图。
图7的(a)为本发明的第2方式的变形例中的衬底处理顺序的、在进行成膜处理前的晶片表面的局部放大剖视图；图7的(b)为本发明的第2方式的变形例中的衬底处理顺序的、在晶种层形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图7的(c)为本发明的第2方式的变形例中的衬底处理顺序的、在第1膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图7的(d)为本发明的第2方式的变形例中的衬底处理顺序的、在第2膜形成后的晶片表面的局部放大剖视图；图7的(e)为本发明的第2方式的变形例中的衬底处理顺序的、在结晶化后的晶片表面的局部放大剖视图；图7的(f)为本发明的第2方式的变形例中的衬底处理顺序的、在蚀刻后的晶片表面的局部放大剖视图。
图8的(a)为示出使用间歇式的衬底处理装置时的衬底处理***的一个方式的示意图；图8的(b)为示出使用间歇式的衬底处理装置时的衬底处理***的其他方式的示意图。
图9为示出使用单片式的簇型衬底处理装置时的衬底处理***的一个方式的示意图。
图10为分别示出实施例1及比较例1中的评价结果的图。
图11为分别示出实施例2及比较例2中的评价结果的图。
具体实施方式
＜本发明的第1方式＞
以下，主要参见图1～图3、图4的(a)～图4的(g)对本发明的第1方式进行说明。需要说明的是，在以下的说明中使用的附图均为示意性的，附图中所示的各要素的尺寸关系、各要素的比率等未必与实际情况一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸关系、各要素的比率等也未必一致。
(1)衬底处理装置的构成
如图1所示，处理炉202具有作为温度调节器(加热部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而被垂直组装。加热器207也作为通过热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
在加热器207的内侧以与加热器207呈同心圆状的方式配设有反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，并形成为上端闭塞、下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，以与反应管203呈同心圆状地配设有歧管209。歧管209例如由不锈钢(SUS)等金属材料构成，并且形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部以与反应管203的下端部卡合并支承反应管203的方式构成。在歧管209与反应管203之间，设置有作为密封部件的O型圈220a。反应管203与加热器207同样地被垂直组装。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成有处理室201。处理室201构成为能够收容作为衬底的晶片200。在该处理室201内，进行对晶片200的处理。
在处理室201内，以贯穿歧管209的侧壁的方式分别设置有作为第1供给部～第3供给部的喷嘴249a～249c。也将喷嘴249a～249c分别称为第1喷嘴～第3喷嘴。喷嘴249a～249c由例如石英或SiC等耐热性材料构成。喷嘴249a～249c上分别连接有气体供给管232a～232c。喷嘴249a～249c为各自不同的喷嘴，喷嘴249b、249c的各自与喷嘴249a邻接而设置。
在气体供给管232a～232c上，从气体流的上游侧起依次分别设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a～241c、及作为开闭阀的阀243a～243c。在气体供给管232a的较阀243a更靠下游侧，连接有气体供给管232d、232g。在气体供给管232b的较阀243b更靠下游侧，连接有气体供给管232e、232h。在气体供给管232c的较阀243c更靠下游侧，连接有气体供给管232f、232i。在气体供给管232d～232i上，从气体流的上游侧起依次分别设置有MFC241d～241i及阀243d～243i。气体供给管232a～232i由例如SUS等金属材料构成。
如图2所示，喷嘴249a～249c以沿着从反应管203的内壁的下部至上部朝向晶片200的排列方向上方竖立的方式，分别设置于反应管203的内壁与晶片200之间的俯视下呈圆环状的空间。即，在排列有晶片200的晶片排列区域的侧方的水平包围晶片排列区域的区域中，以沿着晶片排列区域的方式分别设置有喷嘴249a～249c。在俯视下，喷嘴249b以夹着被搬入处理室201内的晶片200的中心、且与后述的排气口231a在一条直线上对置的方式配置。喷嘴249b、249c以沿着反应管203的内壁(晶片200的外周部)对从喷嘴249a和排气口231a的中心通过的直线L从两侧夹持的方式配置。直线L也为从喷嘴249a和晶片200的中心通过的直线。即，喷嘴249c也可以夹着直线L而设置在与喷嘴249b相反一侧。喷嘴249b、249c以直线L为对称轴而呈线对称地被配置。在喷嘴249a～249c的侧面，分别设置有供给气体的气体供给孔250a～250c。气体供给孔250a～250c分别以在俯视时与排气口231a对置(面对)的方式打开开口，能够朝向晶片200而供给气体。气体供给孔250a～250c在从反应管203的下部至上部的范围内设置有多个。
从气体供给管232a，通过MFC241a、阀243a、喷嘴249a，向处理室201内供给包含构成形成于晶片200上的膜的主元素(规定元素)的原料气体。
从气体供给管232b，通过MFC241b、阀243b、喷嘴249b来向处理室201内供给晶种气体。
从气体供给管232c，通过MFC241c、阀243c、喷嘴249c，向处理室201内供给包含添加到形成于晶片200上的膜中的掺杂剂(杂质)的掺杂剂气体。
从气体供给管232d，通过MFC241d、阀243d、气体供给管232a、喷嘴249a向处理室201内供给还原气体。
从气体供给管232e，通过MFC241e、阀243e、气体供给管232b、喷嘴249b向处理室201内供给蚀刻剂。
从气体供给管232f，通过MFC241f、阀243f、气体供给管232c、喷嘴249c向处理室201内供给改性气体。
从气体供给管232g～232i，分别通过MFC241g～241i、阀243g～243i、气体供给管232a～232c、喷嘴249a～249c向处理室201内供给非活性气体。非活性气体作为吹扫气体、载气、稀释气体等发挥作用。
主要由气体供给管232a、MFC241a、阀243a构成原料气体供给***。主要由气体供给管232b、MFC241b、阀243b构成晶种气体供给***。主要由气体供给管232c、MFC241c、阀243c构成掺杂剂气体供给***。主要由气体供给管232d、MFC241d、阀243d构成还原气体供给***。主要由气体供给管232e、MFC241e、阀243e构成蚀刻剂供给***(蚀刻剂暴露***)。主要由气体供给管232f、MFC241f、阀243f构成改性气体供给***。主要由气体供给管232g～232i、MFC241g～241i、阀243g～243i构成非活性气体供给***。
需要说明的是，将原料气体、晶种气体、掺杂剂气体、还原气体、改性气体中的至少任一者也称为处理气体(第1处理气体、第2处理气体)，将原料气体供给***、晶种气体供给***、掺杂剂气体供给***中的至少任一者也称为处理气体供给***(第1处理气体供给***、第2处理气体供给***)。
上述各种气体供给***之中的任意或者全部气体供给***也可以构成为阀243a～243i、MFC241a～241i等集成而得的集成型气体供给***248。集成型气体供给***248以与气体供给管232a～232i中的各自连接，并利用后述的控制器121来控制向气体供给管232a～232i内的各种气体的供给动作、即阀243a～243i的开闭动作、利用MFC241a～241i的流量调节动作等的方式构成。集成型气体供给***248构成为一体型或者分离型的集成单元，以能够相对于气体供给管232a～232i等而言以集成单元单位进行拆装，并能以集成单元单位进行集成型气体供给***248的维护、更换、增设等的方式构成。
在反应管203的侧壁下方，设置有将处理室201内的气氛排气的排气口231a。如图2所示，排气口231a在俯视下设置于夹着晶片200而与喷嘴249a～249c(气体供给孔250a～250c)对置(面对)的位置。排气口231a也可以从反应管203的侧壁的下部沿着上部、即沿着晶片排列区域设置。在排气口231a上，连接有排气管231。排气管231由例如SUS等金属材料构成。在排气管231上，经由作为检测处理室201内的压力的压力检测器(压力检测部)的压力传感器245及作为压力调节器(压力调节部)的APC(Auto Pressure Controller(自动压力控制器))阀244，连接有作为真空排气装置的真空泵246。APC阀244是以下述方式构成的阀：通过在使真空泵246工作的状态下对阀进行开闭，从而能够进行处理室201内的真空排气及真空排气停止，进而通过在使真空泵246工作的状态下，基于由压力传感器245检测到的压力信息来调节阀开度，从而能够调节处理室201内的压力。主要由排气管231、APC阀244、压力传感器245构成排气***。也可考虑将真空泵246包括在排气***内。
在歧管209的下方，设置有能够将歧管209的下端开口气密地封闭的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219由例如SUS等金属材料构成，形成为圆盘状。在密封盖219的上表面，设置有与歧管209的下端抵接的作为密封部件的O型圈220b。在密封盖219的下方，设置有使后述晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255由例如SUS等金属材料构成，贯穿密封盖219而连接于晶舟217。旋转机构267以通过使晶舟217旋转来使晶片200旋转的方式构成。密封盖219以下述方式构成：利用设置于反应管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115而沿垂直方向进行升降。晶舟升降机115构成为通过使密封盖219升降而将晶片200向处理室201内搬入及向处理室外搬出(搬送)的搬送装置(搬送机构)。
在歧管209的下方，设置有作为炉口盖体的闸门219s，其能够在使密封盖219下降、将晶舟217从处理室201内搬出的状态下，将歧管209的下端开口气密地封闭。闸门219s由例如SUS等金属材料构成，形成为圆盘状。在闸门219s的上表面，设置有与歧管209的下端抵接的作为密封部件的O型圈220c。闸门219s的开闭动作(升降动作、转动动作等)由闸门开闭机构115s控制。
作为衬底支承件的晶舟217以下述方式构成：将多张(例如25～200张)晶片200以水平姿态且彼此中心对齐的状态沿垂直方向排列，并以多层方式对所述晶片200进行支承，即，使多张晶片200隔开间隔地排列。晶舟217由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟217的下部，呈多层地支承有由例如石英、SiC等耐热性材料构成的隔热板218。
在反应管203内，设置有作为温度检测器的温度传感器263。通过基于由温度传感器263检测到的温度信息来调节向加热器207的通电情况，从而使处理室201内的温度成为所期望的温度分布。温度传感器263沿着反应管203的内壁设置。
如图3所示，作为控制部(控制手段)的控制器121以具备CPU(Central ProcessingUnit，中央处理单元)121a、RAM(Random Access Memory，随机存储器)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机的形式构成。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d以能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换的方式构成。在控制器121上，连接有以例如触摸面板等形式构成的输入输出装置122。另外，可以将外部存储装置123连接到控制器121上。
存储装置121c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)、SSD(SolidState Drive，固态硬盘)等构成。在存储装置121c内，以可读取的方式保存有控制衬底处理装置的动作的控制程序、记载有后述衬底处理的步骤、条件等的工艺制程等。工艺制程是以能够使控制器121执行后述的衬底处理中的各步骤、并得到规定结果的方式组合而成的，作为程序发挥功能。以下，也将工艺制程、控制程序等总称地简称为程序。另外，也将工艺制程简称为制程。在本说明书中使用“程序”这样的用语的情况下，存在仅单独包含制程的情况、仅单独包含控制程序的情况、或者包含这两者的情况。RAM121b构成为存储区域(工作区)，该存储区域暂时保持由CPU121a读取的程序、数据等。
I/O端口121d与上述MFC241a～241i、阀243a～243i、压力传感器245、APC阀244、真空泵246、温度传感器263、加热器207、旋转机构267、晶舟升降机115、闸门开闭机构115s等连接。
CPU121a以下述方式构成：可从存储装置121c读取并执行控制程序，并且根据输入输出装置122的操作命令的输入等而从存储装置121c读取制程。CPU121a以下述方式构成：能够以按照读取到的制程的内容，对利用MFC241a～241i进行的各种气体的流量调节动作、阀243a～243i的开闭动作、APC阀244的开闭动作及基于压力传感器245而利用APC阀244进行的压力调节动作、真空泵246的起动及停止、基于温度传感器263的加热器207的温度调节动作、利用旋转机构267进行的晶舟217的旋转及旋转速度调节动作、利用晶舟升降机115进行的晶舟217的升降动作、利用闸门开闭机构115s进行的闸门219s的开闭动作等进行控制。
控制器121可以通过将存储在外部存储装置123中的上述程序安装到计算机中而构成。外部存储装置123包含例如HDD等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、SSD等半导体存储器等。存储装置121c、外部存储装置123构成为计算机可读取的记录介质。以下，也将它们统称地简称为记录介质。在本说明书中使用“记录介质”这一用语的情况下，存在仅单独包含存储装置121c的情况、仅单独包含外部存储装置123的情况、或者包含这两者的情况。需要说明的是，程序向计算机的提供也可以不使用外部存储装置123，而使用互联网、专用线路等通信手段来进行。
利用以上所述的间歇式的衬底处理装置，可构成本方式中的衬底处理***。
(2)衬底处理工序
主要使用图4的(a)～图4的(g)，针对使用上述衬底处理装置、在作为衬底的晶片200上形成膜的处理顺序例(作为半导体器件的制造工序的一个工序)进行说明。在以下的说明中，构成衬底处理装置的各部分的动作能够由控制器121控制。
第1方式中的处理顺序包括下述步骤：
(a)步骤A，通过向晶片200供给第1处理气体，在晶片200上形成非晶状态的第1膜；
(b)步骤B，通过向晶片200供给第2处理气体，在第1膜上形成结晶化温度比第1膜低的非晶状态的第2膜；
(c)步骤C，通过对形成于晶片200上的第1膜和第2膜进行加热而使其结晶化；和
(d)步骤D，在使第1膜和第2膜结晶化后，通过将晶片200的表面暴露于蚀刻剂，至少将第2膜除去。
在该情况下，可以将第1膜制成未掺杂掺杂剂的膜，将第2膜制成掺杂有掺杂剂的膜。掺杂剂可以使用磷(P)、硼(B)、砷(As)中的至少任意一种。
步骤A中，在形成第1膜之前，优选形成晶种层。此时，在晶片200的表面上形成晶种层，在晶种层上形成第1膜。
在步骤A中，在形成未掺杂掺杂剂的第1硅膜来作为第1膜的情况下，可以使用硅烷系气体等原料气体作为第1处理气体。
在步骤B中，在形成掺杂有掺杂剂的第2硅膜来作为第2膜的情况下，可以使用硅烷系气体等原料气体和掺杂剂气体作为第2处理气体。
在步骤C中，在第2膜中的掺杂剂的一部分扩散至第1膜中的情况下，在步骤D中，优选也除去第2膜中的掺杂剂扩散至第1膜之中的部分。此时，在步骤D中，优选使第1膜中的不含掺杂剂的表面露出。
第1方式中的处理顺序还优选包括：(e)步骤E，进行步骤C后，在进行步骤D前，使第1膜及第2膜中的存在掺杂剂的部分改性。在该情况下，在步骤E中优选使第1膜及第2膜中的存在掺杂剂的部分氧化。由此，可以变得在步骤D中易于将进行了步骤C后的第1膜及第2膜之中的掺杂剂所存在的部分除去(易于由蚀刻剂进行蚀刻)。
在本说明书中，方便起见，有时也如下示出上述处理顺序。在以下的其他方式、变形例等的说明中，也使用同样的表述。
晶种层形成→第1膜形成→第2膜形成→结晶化→改性→蚀刻
在本说明书中使用“晶片”这一用语的情况下，存在表示晶片本身的情况、表示晶片与在其表面形成的规定的层、膜的层叠体的情况。在本说明书中使用“晶片的表面”这一用语的情况下，存在表示晶片本身的表面的情况、表示在晶片上所形成的规定的层等的表面的情况。在本说明书中记载“在晶片上形成规定的层”的情况下，存在表示在晶片本身的表面上直接形成规定的层的情况、表示在形成于晶片上的层等之上形成规定的层的情况。在本说明书中使用“衬底”这一用语的情况也与使用“晶片”这一用语的情况含义相同。
(晶片填充及晶舟加载)
在将多张晶片200装填到晶舟217上(晶片填充)后，利用闸门开闭机构115s使闸门219s移动，从而使歧管209的下端开口开放(闸门打开)。然后，如图1所示，支承有多张晶片200的晶舟217被晶舟升降机115抬起并搬入处理室201内(晶舟加载)。在该状态下，密封盖219处于借助O型圈220b而将歧管209的下端密封的状态。需要说明的是，如图4的(a)所示，在晶片200的表面上，作为氧化膜，例如预先形成有硅氧化膜(SiO膜)。
(压力调节及温度调节)
晶舟加载结束后，利用真空泵246进行真空排气(减压排气)，以使得处理室201内(即晶片200存在的空间)成为所期望的压力(真空度)。此时，利用压力传感器245测定处理室201内的压力，基于该测得的压力信息对APC阀244进行反馈控制(压力调节)。另外，以处理室201内的晶片200成为所期望的处理温度的方式，利用加热器207进行加热。此时，以处理室201内成为所期望的温度分布的方式，基于温度传感器263检测到的温度信息来对向加热器207的通电情况进行反馈控制(温度调节)。另外，开始利用旋转机构267进行的晶片200的旋转。对于处理室201内的排气、晶片200的加热及旋转而言，均至少在对晶片200进行的处理结束之前的期间持续进行。
(步骤A)
然后，进行步骤A。在本步骤中，依次进行接下来的晶种层形成、第1膜形成。
〔晶种层形成〕
在晶种层形成中，依次执行如下步骤1、2。
[步骤1]
在该步骤中，向处理室201内的晶片200、即形成于晶片200上的氧化膜的表面供给晶种气体。
具体而言，打开阀243b，向气体供给管232b内流入晶种气体。晶种气体利用MFC241b进行流量调节，通过喷嘴249b向处理室201内供给，并从排气管231排气。此时，向晶片200供给晶种气体(晶种气体供给)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为晶种气体供给时的处理条件，可例示：
晶种气体供给流量：0.1～1slm；
晶种气体供给时间：0.5～2分钟；
非活性气体供给流量(每个气体供给管)：0～20slm；
处理温度：350～450℃，优选350～400℃；
处理压力：277～1200Pa，优选667～1200Pa。
需要说明的是，本说明书中的“277～1200Pa”这样的数值范围的表述是指下限值及上限值包含在该范围内。因此，例如“277～1200Pa”是指“277Pa以上且1200Pa以下”。针对其他数值范围而言也是同样的。另外，本说明书中的“处理温度”是指晶片200的温度或处理室201内的温度，“处理压力”是指作为晶片200存在的空间的处理室201内的压力。另外，“气体供给流量：0slm”是指未供给该气体的情况。这些在以下的说明中也是同样的。
例如使用氯硅烷系气体作为晶种气体，通过在上述处理条件下向晶片200供给晶种气体，使晶种气体中所含的硅(Si)吸附在晶片200的表面，由此可形成晶种(核)。在上述处理条件下，在晶片200的表面形成的核上包含规定量的氯(Cl)。另外，在上述处理条件下，在晶片200的表面形成的核的结晶结构成为非晶形(非晶质)。
在晶片200的表面形成核后，关闭阀243b，并停止向处理室201内供给晶种气体。然后，将处理室201内真空排气，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除(吹扫)。此时，打开阀243g～243i，向处理室201内供给非活性气体。
作为晶种气体，例如，可以使用单氯硅烷(SiH3Cl，简称：MCS)气体、二氯硅烷(SiH2Cl2，简称：DCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3，简称：TCS)气体、四氯硅烷(SiCl4，简称：STC)气体、六氯二硅烷(Si2Cl6，简称：HCDS)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8，简称：OCTS)气体等氯硅烷系气体。作为晶种气体，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。
作为晶种气体，例如，可以使用四氟硅烷(SiF4)气体、二氟硅烷(SiH2F2)气体等氟硅烷系气体、四溴硅烷(SiBr4)气体、二溴硅烷(SiH2Br2)气体等溴硅烷系气体、四碘硅烷(SiI4)气体、二碘硅烷(SiH2I2)气体等碘硅烷系气体。作为晶种气体，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。
作为非活性气体，例如，可以使用氮(N2)气体、氩(Ar)气体、氦(He)气体、氖(Ne)气体、氙(Xe)气体等稀有气体。作为非活性气体，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。这一点在后述的各步骤中也是同样的。
[步骤2]
然后，在处理室201内的晶片200、即向在氧化膜的表面形成的核供给还原气体。
具体而言，打开阀243d，向气体供给管232d内流入还原气体。还原气体利用MFC241d进行流量调节，通过气体供给管232a、喷嘴249a向处理室201内进行供给，并从排气口231a排气。此时，向晶片200供给还原气体(还原气体供给)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为还原气体供给中的处理条件，可例示：还原气体供给流量：2～10slm；
还原气体供给时间：2～5分钟；
非活性气体供给流量(每个气体供给管)：0～20slm；
处理压力：1333～13332Pa。
其他处理条件可以设为与晶种气体供给时的处理条件相同。
通过在上述处理条件下向晶片200供给还原气体，可使Cl从形成于晶片200的表面的核上脱离。从核脱离的Cl生成包含Cl的气体状物质，并从处理室201内排出。需要说明的是，在本方式中，使还原气体供给时的晶片200所存在的空间的压力(处理压力)高于晶种气体供给时的晶片200所存在的空间的压力(处理压力)。通过这样操作，在还原气体供给时，可促进Cl从核脱离。作为结果，可使形成于晶片200上的晶种层为Cl浓度较低的层。
Cl从形成于晶片200的表面上的核脱离后，关闭阀243d，停止还原气体向处理室201内的供给。然后，利用与步骤1中的吹扫相同的处理步骤、处理条件，将残留于处理室201内的气体等从处理室201内排除。
作为还原气体，例如可以使用氢(H2)气体、氘(D2)气体、单硅烷气体(SiH4)气体等含氢(H)气体。也可以将D2气体表述为2H2气体。作为还原气体，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。
[规定次数实施]
通过将上述步骤1、2交替地、即不同步地非同时进行的循环进行规定次数(n次，n为1种以上的整数)，如图4的(b)所示，能够在晶片200上、即在形成于晶片200表面的氧化膜上，形成上述核以高密度形成而成的晶种层、即硅晶种层。在本方式中，通过交替地进行步骤1、2，即，通过每当进行晶种气体供给时就进行还原气体供给、使Cl从形成于晶片200表面的核脱离，能够使形成于晶片200上的晶种层为Cl浓度较低的层。在上述处理条件下，能够使形成于晶片200上的晶种层的结晶结构成为非晶形。
在晶片200上完成非晶状态的晶种层的形成后，以将处理室201内的温度(即，晶片200的温度)变更为比晶种层形成时的晶片200的温度高的温度的方式，调节加热器207的输出。晶片200的温度达到所期望的温度并稳定为止的期间，打开阀243g～243i，并通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体，由排气口231a排气，并对处理室201内进行吹扫。
〔第1膜形成〕
晶种层形成结束后，进行第1膜形成。在本步骤中，向处理室201内的晶片200、即在晶片200上形成的非晶状态的晶种层的表面供给作为第1处理气体的原料气体。
具体而言，打开阀243a，向气体供给管232a内流入原料气体。原料气体利用MFC241a进行流量调节，通过喷嘴249a向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时，向晶片200供给原料气体(原料气体供给)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为第1膜形成时的处理条件，可例示：
原料气体供给流量：0.01～5slm；
原料气体供给时间：1～300分钟；
非活性气体供给流量(每个气体供给管)：0～20slm；
处理温度：450～550℃；处理压力：30～400Pa。
使用硅烷系气体作为原料气体，在上述处理条件下向晶片200供给原料气体，由此可以使原料气体在气相中分解，而使Si吸附(堆积)在晶片200的表面上、即在晶片200上形成的晶种层上。由此，如图4的(c)所示，在晶片200上、即在晶片200上形成的晶种层上，可以形成第1硅膜来作为第1膜。作为原料气体，在使用不含Cl的硅烷系气体时，形成于晶片200上的第1膜成为不含Cl的膜。另外，在上述处理条件下，形成于晶片200上的第1膜的结晶结构成为非晶形。另外，在晶片200上形成的晶种层的结晶结构也维持为非晶形原样。
在晶片200上完成非晶状态的第1膜的形成后，关闭阀243a，并停止向处理室201内供给原料气体。然后，利用与晶种层形成时的吹扫相同的处理步骤、处理条件，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除。
作为原料气体，例如可以使用单硅烷(SiH4气体)、二硅烷(Si2H6)气体、三硅烷(Si3H8)气体、四硅烷(Si4H10)气体、五硅烷(Si5H12)气体、六硅烷(Si6H14)气体等氢化硅气体。作为原料气体，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。需要说明的是，为了使第1膜形成结束时的第1膜的结晶状态可靠地成为非晶形，作为原料气体，优选使用单硅烷气体这样的低级的氢化硅气体。
(步骤B)
步骤A结束后，作为步骤B，进行第2膜形成。在本步骤中，向处理室201内的晶片200、即在晶片200上形成的第1膜的表面供给原料气体及掺杂剂气体来作为第2处理气体。
具体而言，打开阀243a、243c，向气体供给管232a、232c内分别流入原料气体、掺杂剂气体。原料气体、掺杂剂气体分别通过MFC241a、241c进行流量调节，通过喷嘴249a、249c向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时，向晶片200分别供给原料气体及掺杂剂气体(原料气体+掺杂剂气体供给)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为第2膜形成时的处理条件，可例示：
原料气体供给流量：0.01～5slm；
掺杂剂气体供给流量：0.01～5slm；
各气体供给时间：1～300分钟；
处理温度：450～550℃；
处理压力：30～400Pa。
其他处理条件可以设为与第1膜形成时的处理条件相同。
使用硅烷系气体作为原料气体，使用含磷(P)气体作为掺杂剂气体，通过在上述处理条件下向晶片200供给这些气体，使原料气体、掺杂剂气体在气相中分别分解，可以使Si吸附(堆积)在晶片200的表面上、即在晶片200上形成的非晶状态的第1膜上。由此，如图4的(d)所示，在晶片200上、即在晶片200上形成的第1膜上，可以形成掺杂有作为掺杂剂的P的第2硅膜来作为第2膜。作为原料气体，使用不含Cl的硅烷系气体时，形成于晶片200上的第2膜成为不含Cl的膜。此外，在上述处理条件下，形成于晶片200上的第2膜的结晶结构成为非晶形。另外，在晶片200上形成的晶种层及第1膜的结晶结构也分别维持为非晶原样。
在晶片200上完成非晶状态的第2膜的形成后，关闭阀243a、243c，分别停止向处理室201内供给原料气体、掺杂剂气体。然后，利用与晶种层形成时的吹扫相同的处理步骤、处理条件，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除。
作为原料气体，可以使用在第1膜形成中例示出的各种氢化硅气体中的1种以上。需要说明的是，为了将第2膜形成结束时的第2膜的结晶状态可靠地制成非晶形，作为原料气体，优选使用单硅烷气体这样的低级的氢化硅气体。
作为掺杂剂气体，例如可以使用膦(PH3)气体等含磷(P)气体、以及乙硼烷(B2H6)气体等含硼(B)气体、砷化氢(AsH3)气体等含砷(As)气体。作为掺杂剂气体，可以使用这些中的1种以上。
(步骤C)
步骤B结束后，作为步骤C，进行结晶化。
具体而言，以将处理室201内的温度、即晶片200的温度变更为比上述第2膜形成时的晶片200的温度高的温度的方式，调节加热器207的输出，对晶种层、第1膜、第2膜分别进行热处理(退火)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为结晶化时的处理条件，可例示：
非活性气体供给流量(各气体供给管)：0～20slm；
处理时间：60～600分钟；
处理温度：550～650℃；
处理压力：1～101325Pa。
通过在上述处理条件下进行退火，如图4的(e)所示，可以成为使晶种层、第1膜及第2膜的各自发生多晶化(结晶化，即多结晶化)的状态。如上所述，第1膜为未掺杂掺杂剂的非晶状态的膜，第2膜为掺杂有掺杂剂的非晶状态的膜。由此，在本步骤中，可以先于第1膜的结晶化开始第2膜的结晶化。另外，在本步骤中，可以先于第1膜的结晶化而结束第2膜的结晶化。由此，在本步骤中，能够以第2膜的结晶粒(晶粒(grain))为起点使第1膜结晶化。即，能够使第2膜的结晶状态继承至第1膜。
另外，与未掺杂掺杂剂非晶状态的膜相比，掺杂有掺杂剂的非晶状态的膜可以在结晶化时增大结晶粒径(晶粒尺寸)。在本步骤中，可以先于第1膜的结晶化而开始第2膜的结晶化，先于第1膜的结晶化而结束第2膜的结晶化，由此，作为在先结晶化而成的膜的第2膜的晶粒尺寸增大，并且可以将该增大的第2膜的晶粒尺寸继承至作为在后结晶化而成的膜的第1膜。作为结果，在使第1膜结晶化时，能够增大第1膜的晶粒尺寸。
如上所述，由于第1膜继承第2膜的结晶状态，为了使第1膜的晶粒尺寸更加增大，有效的是使第2膜的晶粒尺寸更加增大。这里，通过使非晶状态的第2膜的厚度预先成为非晶状态的第1膜的厚度以上，能够更加增大结晶化而成的第2膜的晶粒尺寸，作为结果，能够使第1膜的晶粒尺寸更加增大。另外，通过使非晶状态的第2膜的厚度与非晶状态的第1膜的厚度相比变厚，能够进一步增大结晶化而成的第2膜的晶粒尺寸，作为结果，能够进一步增大第1膜的晶粒尺寸。
需要说明的是，在上述处理条件下进行退火，有时第2膜中的掺杂剂的一部分扩散至第1膜中。由此，第1膜之中，例如在与第2膜的界面附近的区域中，有时成为掺杂剂以规定的浓度被添加的状态。
(步骤E)
步骤C结束后，作为步骤E，进行改性。在本步骤中，向处理室201内的晶片200、即经结晶化的第2膜的表面供给改性气体。
具体而言，打开阀243f，向气体供给管232f内流入改性气体。改性气体利用MFC241f进行流量调节，通过气体供给管232c、喷嘴249c向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时，向晶片200供给改性气体(改性气体供给)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为改性时的处理条件，可例示：
改性气体供给流量：1～10slm；
改性气体供给时间：1～5分钟；
非活性气体供给流量(每个气体供给管)：0～20slm；
处理温度：500～800℃；
处理压力：1～101325Pa。
例如使用含O气体(氧化气体)作为改性气体，通过在上述处理条件下向晶片200供给改性气体，可以使第1膜及第2膜中的掺杂剂所存在的部分氧化。由此，如图4的(f)所示，能够使第1膜及第2膜中的掺杂剂所存在的部分改性为在后述的蚀刻中易于蚀刻的氧化膜(在形成硅膜作为第1膜、第2膜的情况下，为硅氧化膜)。
第1膜及第2膜中的掺杂剂所存在的部分的改性结束后，关闭阀243f，停止向处理室201内供给改性气体。然后，利用与晶种层形成时的吹扫相同的处理步骤、处理条件，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除。
作为改性气体，例如可以使用氧(O2)气体、臭氧(O3)气体、水蒸气(H2O气体)、过氧化氢(H2O2)气体、一氧化氮(NO)气体、一氧化二氮(N2O)气体、二氧化氮(NO2)气体、一氧化碳(CO)气体、二氧化碳(CO2)气体等含O气体。作为改性气体，除了这些以外，可以还使用含O气体+含H气体。作为含H气体，除了H2气体以外，可以还使用2H2气体。例如，作为改性气体，可以使用O2气体+H2气体、O3气体+H2气体等。另外，作为改性气体，可以还使用将这些中的至少任一者激发成等离子体状态的气体。作为改性气体，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。
需要说明的是，在本说明书中“含O气体+含H气体”这样的2种气体一并记载的情况，是指含O气体和含H气体的混合气体。供给混合气体时，可以在供给管内将2种气体混合(预混合)，然后向处理室201内供给，也可以将2种气体利用不同的供给管来分别向处理室201内供给，并在处理室201内混合(后混合)。
(步骤D)
步骤E结束后，作为步骤D，进行蚀刻。在本步骤中，使处理室201内的晶片200的表面、即第1膜及第2膜中的掺杂剂所存在的部分经改性而成的氧化膜的表面暴露于蚀刻剂。
具体而言，打开阀243e，向气体供给管232e内流入蚀刻剂。蚀刻剂利用MFC241e进行流量调节，通过气体供给管232b、喷嘴249b向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时，晶片200的表面暴露于蚀刻剂(蚀刻剂暴露)。此时，也可以打开阀243g～243i，通过喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给非活性气体。
作为蚀刻时的处理条件，可例示：
蚀刻剂供给流量：1～10slm；
蚀刻剂供给时间：1～10分钟；
非活性气体供给流量(每个气体供给管)：0～20slm；
处理温度：室温(25℃)～1000℃；
处理压力：133～50000Pa。
通过在上述处理条件下向晶片200供给蚀刻剂，结晶化后的第1膜及第2膜之中，可以将被改性为氧化膜的部分、即掺杂剂所存在的部分进行蚀刻(除去)。由此，如图4的(g)所示，可以使第1膜中的不含掺杂剂的表面露出。在进行蚀刻后得到的第1膜成为未掺杂掺杂剂非掺杂膜。
需要说明的是，如上所述，在结晶化时，有时第2膜中的掺杂剂的一部分扩散至第1膜中。该情况下，在蚀刻时，至少除去第2膜并还除去第2膜中的掺杂剂扩散至第1膜之中的部分。即，对于进行蚀刻后的第1膜的膜厚而言，有时与刚进行第1膜形成之后的第1膜的膜厚相比，以至少比在结晶化时掺杂剂从第2膜中向第1膜中扩散的深度的量变薄。因此，在该情况下，为了使在进行蚀刻后得到的第1膜的膜厚、即最终得到的第1膜的膜厚为所期望的厚度，优选在第1膜形成中，，以比在进行蚀刻后得到的第1膜的膜厚相比还厚出在结晶化时掺杂剂从第2膜中向第1膜中扩散的深度的量以上的厚度形成第1膜。例如，优选在第1膜形成中，以比在进行蚀刻后得到的第1膜的膜厚相比还厚出仅在结晶化时掺杂剂从第2膜中向第1膜中扩散的深度的量的厚度形成第1膜。
第1膜及第2膜之中，将改性成氧化膜的部分、即掺杂剂存在的部分除去后，关闭阀243e，停止向处理室201内供给蚀刻剂。然后，利用与晶种层形成时的吹扫相同的处理步骤、处理条件，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除。
作为蚀刻剂，例如可以使用氟化氢(HF)气体、三氟化氯(ClF3)气体、氟化氯气体(ClF)气体、氟(F2)气体、三氟化氮(NF3)气体、亚硝酰氟(FNO)气体、氯化氢(HCl)气体、氯(Cl2)气体等蚀刻气体、或者它们的混合气体。作为蚀刻剂，可以使用在此例示出的各种气体中的1种以上。需要说明的是，在将第1膜及第2膜之中掺杂剂所存在的部分改性为氧化膜时，作为蚀刻剂，优选使用HF气体等氟系气体(含氟气体)。使用HF气体等氟系气体时，结晶化后的硅膜、即多结晶硅膜之中，能够选择性地仅蚀刻经氧化的膜厚的量，而对于未经氧化的膜厚的量而言则可以在不对其进行蚀刻的情况下使其残留。即，使用HF气体等氟系气体时，可以仅蚀刻将多结晶硅膜氧化了的膜厚的量，得到规定膜厚的多结晶硅膜。
(后吹扫及大气压恢复)
蚀刻结束后，从喷嘴249a～249c的各自向处理室201内供给作为吹扫气体的非活性气体，并由排气口231a排气。由此，处理室201内被吹扫，而将残留在处理室201内的气体、反应副生成物等从处理室201内除去(后吹扫)。然后，处理室201内的气氛置换为非活性气体(非活性气体置换)、处理室201内的压力恢复至常压(大气压恢复)。
(晶舟卸载及晶片取出)
然后，利用晶舟升降机115使密封盖219下降，歧管209的下端打开开口。然后，处理完成的晶片200以支承于晶舟217的状态从歧管209的下端被搬出至反应管203的外部(晶舟卸载)。晶舟卸载之后，使闸门219s移动，歧管209的下端开口经由O型圈220c而由闸门219s密封(闸门关闭)。在处理完成的晶片200被搬出至反应管203的外部后，自晶舟217取出(晶片取出)。
(3)由本方式带来的效果
根据本方式，可获得以下所示的1个或多个效果。
(a)通过依次进行第1膜形成、第2膜形成、结晶化、蚀刻，可以使最终得到的第1膜的晶粒尺寸扩大，并可以使最终得到的第1膜中的晶界的密度降低。作为结果，能够使最终得到的第1膜中的电子的迁移率增高。
(b)通过使第1膜为未掺杂掺杂剂非晶状态的膜，使第2膜为掺杂有掺杂剂的非晶状态的膜，由此在结晶化时，能够先于第1膜的结晶化而开始第2膜的结晶化。由此，可以使先进行结晶化而成的膜即第2膜的晶粒尺寸增大，使其晶粒尺寸继承至后进行结晶化而成的膜即第1膜(承袭)。即，可以使通过结晶化而得的第1膜的晶粒尺寸扩大。
(c)在结晶化中，在第2膜中的掺杂剂的一部分扩散至第1膜中的情况下，在蚀刻中，还将第2膜中的掺杂剂扩散至第1膜之中的部分除去，由此可以使第1膜之中的未掺杂掺杂剂部分残留。由此，可以使第1膜之中的未掺杂掺杂剂部分、即第1膜之中的不含掺杂剂的部分露出。作为结果，能够使进行蚀刻后得到的第1膜为未掺杂掺杂剂非掺杂膜。
(d)在进行结晶化后、进行蚀刻前，通过进行改性，在蚀刻时能够易于将进行结晶化后的第1膜及第2膜之中的掺杂剂所存在的部分除去(易于由蚀刻剂进行蚀刻)。由此，在蚀刻时，能够选择性地对第1膜及第2膜之中的掺杂剂所存在的部分进行蚀刻。
(e)在结晶化中，通过将晶片200的温度设为550℃以上且650℃以下，能够在第1膜之前，使第2膜适当地进行结晶化，从而可以抑制第2膜中的掺杂剂的一部分向第1膜中扩散。
(f)在第1膜形成时，以比在进行蚀刻后得到的第1膜的膜厚相比还厚出在结晶化时掺杂剂从第2膜中向第1膜中进行扩散的深度的量以上的厚度、例如还厚出仅为该深度的量的厚度，形成第1膜，由此能够防止在进行蚀刻后得到的第1膜的膜厚变得薄于必要的膜厚。
(g)在第2膜形成时，通过使第2膜的厚度为第1膜的厚度以上、例如为比第1膜的厚度厚，在结晶化时，可以使第2膜的晶粒尺寸更大，并使该晶粒尺寸继承至第1膜，可以更加扩大第1膜的晶粒尺寸。
(h)就本方式的方法而言，在成膜前的晶片200的表面上形成有氧化膜的情况下特别有效。在氧化膜上形成膜的情况下，该膜的晶粒尺寸有时会变小，但根据本方法，即使在氧化膜上形成膜的情况下，也能够增大该膜的晶粒尺寸。即，根据本方法，能够在氧化膜上形成使晶粒尺寸扩大的膜。
(i)使用上述各种晶种气体时、使用上述各种还原气体时、使用上述各种原料气体时、使用上述各种改性气体时、使用上述各种蚀刻剂时、使用上述各种非活性气体时，也可同样地得到上述效果。
(4)变形例
需要说明的是，在上述方式中，针对使结晶化后的第1膜与第2膜中的掺杂剂所存在的部分改性后通过干蚀刻除去的例子进行了说明，但本发明不限于此。
例如，也可以在使结晶化后的第1膜与2膜中的掺杂剂所存在的部分改性后通过湿蚀刻进行除去。此时，作为蚀刻剂，代替蚀刻气体，例如，使用HF水溶液，并将晶片200的表面暴露于HF水溶液，由此可以进行与上述蚀刻同样的蚀刻。在该情况下，也可得到与上述方式同样的效果。
此外，例如，在上述方式中，如图4的(a)～图4的(g)所示，针对在使结晶化后的第1膜与第2膜中的掺杂剂所存在的部分改性后进行蚀刻的例子进行说明，但本发明不限定于此。
例如，如以下的处理顺序、图5的(a)～图5的(f)所示，可以在不使结晶化后的第1膜和第2膜中的掺杂剂所存在的部分改性的情况下进行蚀刻。即，也可以将改性省略。此时，作为蚀刻剂，优选使用HCl气体、Cl2气体等氯系气体(含氯气体)。
晶种层形成→第1膜形成→第2膜形成→结晶化→蚀刻
在该情况下，也可得到与上述方式同样的效果。
此外，在上述方式中，针对在晶片200上分别形成硅膜来作为第1膜、第2膜的例子进行了说明，但本方式不限定于这些。例如，在晶片200上，形成锗膜(Ge膜)作为第1膜、第2膜的情况下、形成硅锗膜(SiGe膜)作为第1膜、第2膜的情况下，也可以适用本方式的方法。在这些情况下，也可得到与上述方式同样的效果。
＜本发明的第2方式＞
在上述第1方式中，在步骤B(第2膜形成)中，针对在第1膜上形成结晶化温度比第1膜低的第2膜、即掺杂有掺杂剂的第2膜的例子进行了说明。然而，在步骤B中，也可以形成未掺杂掺杂剂第2膜来作为第2膜。
第2方式中的处理顺序包括下述步骤：(a)通过向晶片200供给第1处理气体，而在晶片200上形成非晶状态的第1膜的步骤A；(b)通过向晶片200供给第2处理气体，而在第1膜上形成非晶状态的第2膜的步骤B；(c)通过对在晶片200上形成的第1膜和第2膜进行加热而使其结晶化的步骤C；和(d)在使第1膜和第2膜结晶化后，通过将晶片200的表面暴露于蚀刻剂，而至少除去第2膜的步骤D。
在第2方式中，使第1膜为未掺杂掺杂剂的膜，使第2膜为未掺杂掺杂剂的膜。即，在第2方式中，使第1膜及第2膜这两者为未掺杂掺杂剂的膜。
在第2方式中，优选的是，也与第1方式同样，在步骤A中，在形成第1膜之前形成硅晶种层来作为晶种层。此时，将会在晶片200的表面上形成晶种层，在晶种层上形成第1膜。
在步骤A中，在形成未掺杂掺杂剂第1硅膜来作为第1膜的情况下，可以使用硅烷系气体等原料气体来作为第1处理气体。
在步骤B中，在形成未掺杂掺杂剂第2硅膜来作为第2膜的情况下，可以使用硅烷系气体等原料气体来作为第2处理气体。
优选的是，第2方式中的处理顺序还包括：(e)步骤E，在进行步骤C后、进行步骤D前，使第2膜改性。在该情况下，在步骤E中，优选使第2膜氧化。由此，能够易于在步骤D中将进行了步骤C后的第2膜除去(易于由蚀刻剂进行蚀刻)。
第2方式与第1方式的不同仅在于，在步骤B中形成的第2膜不含掺杂剂(仅在于在步骤B中不供给掺杂剂气体)，其他与第1方式是同样的。第2方式的处理顺序的各步骤中的处理步骤、处理条件可以设为与上述第1方式的处理顺序的各步骤中的处理步骤、处理条件同样。
在本方式中，可得到与第1方式同样的效果。
需要说明的是，在本方式中，也可以利用干蚀刻及湿蚀刻的任一者将结晶化且改性后的第2膜除去。在任意的情况下，均可得到与上述方式同样的效果。
另外，在本方式中，与第1方式同样，如图6的(a)～图6的(g)所示，也可以将结晶化且改性后的第2膜进行蚀刻。另外，如图7的(a)～图7的(f)所示，也可以在不使结晶化后的第2膜改性的情况下将其蚀刻。即，进行结晶化后，在进行蚀刻前，可以进行改性，也可以不进行改性。在任意的情况下，均优选使用与第1方式同样的蚀刻剂。即，在对经结晶化、改性为氧化膜的第2膜进行蚀刻的情况下，作为蚀刻剂，优选使用HF气体等氟系气体(含氟气体)、HF水溶液。另外，在不使经结晶化后的第2膜改性而进行蚀刻的情况下，作为蚀刻剂，优选使用HCl气体、Cl2气体等氯系气体(含氯气体)。在任意的情况下，均可得到与上述方式同样的效果。
＜本发明的其他方式＞
以上，具体地说明了本发明的各种方式。然而，本发明并不限定于上述方式，可以在不超出其要旨的范围内进行各种变更。
在上述方式中，针对在同一处理室201内(原位)进行从晶种层形成到蚀刻的一系列步骤的例子进行了说明。然而，本发明不限于这样的方式。例如，也可以在同一处理室内进行一系列步骤中的、从晶种层形成至一部分步骤为止的步骤，在其他处理室内(非原位)进行之后的步骤。
例如，可以使用不同的独立型装置(第1衬底处理装置、第2衬底处理装置、第3衬底处理装置)来分别进行晶种层形成、第1膜形成及第2膜形成、结晶化、以及蚀刻。此时，如图8的(a)所示，可以由第1衬底处理装置、第2衬底处理装置、第3衬底处理装置来构成衬底处理***。
此外，例如，可以使用不同的独立型装置(第1衬底处理装置、第2衬底处理装置)来进行晶种层形成、第1膜形成、第2膜形成、直至结晶化的一系列步骤，以及蚀刻。此时，如图8的(b)所示，可以由第1衬底处理装置、第2衬底处理装置构成衬底处理***。
此外，例如，也可以在簇型装置中的不同处理室(第1处理室、第2处理室、第3处理室)内分别进行晶种层形成、第1膜形成及第2膜形成、结晶化、以及蚀刻。此时，如图9所示，可以利用具有第1处理室、第2处理室、第3处理室的簇型装置，构成衬底处理***。需要说明的是，图9中的第4处理室可以作为进行其他处理的处理室而使用。
此外，例如，可以在簇型装置中的不同处理室(第1处理室、第2处理室)内分别进行晶种层形成、第1膜形成、第2膜形成、直至结晶化的一系列步骤、以及蚀刻。此时，如图9所示，可以利用具有第1处理室、第2处理室的簇型装置来构成衬底处理***。需要说明的是，图9中的第3处理室、第4处理室可以作为进行其他处理的处理室而使用，另外，在第3处理室内、第4处理室内，也分别可以进行第1膜形成、第2膜形成、直至结晶化的一系列步骤、以及蚀刻。
在这些情况下，也可得到与上述方式中的效果同样的效果。需要说明的是，在上述各种情况下，若以原位方式进行一系列步骤，则在中途晶片200不发生大气暴露，可以在将晶片200放置在真空下的状态下一直进行处理，能够进行稳定的衬底处理。另外，若以非原位进行一部分的步骤，则可以将各自的处理室内的温度预先设定至例如各步骤的处理温度或其相近的温度，能够缩短温度调节所需要的时间，并提高生产效率。
优选的是，衬底处理中使用的制程根据处理内容而各自准备，经由电气通信线路、外部存储装置123而预先存储在存储装置121c内。然后，开始处理时，优选的是，CPU121a根据衬底处理的内容从存储在存储装置121c内的多个制程中适当选择适合的制程。由此，将能够在1台衬底处理装置中再现性良好地形成各种膜种类、组成比、膜质、膜厚的膜。另外，能够减少操作者的负担，避免操作失误的同时迅速地开始处理。
上述制程并不限定于新制成的情况，例如，也可以通过变更已经安装到衬底处理装置的已有制程来进行准备。在变更制程的情况下，也可以经由电通信线路、记录有该制程的记录介质而将变更后的制程安装于衬底处理装置中。另外，也可以操作已有的衬底处理装置所具备的输入输出装置122，直接变更已安装于衬底处理装置的已有的制程。
在上述方式中，针对使用一次处理多张衬底的分批式衬底处理装置来形成膜的例子进行了说明。本发明并不限定于上述方式，例如，也可以合适地应用于一次处理1张或数张衬底的单片式衬底处理装置来形成膜的情况。另外，在上述方式中，针对使用具有热壁型处理炉的衬底处理装置来形成膜的例子进行了说明。本发明并不限定于上述方式，也可以合适地应用于使用具有冷壁型处理炉的衬底处理装置来形成膜的情况。
在使用这些衬底处理装置的情况下，也可以按照与上述方式、变形例同样的顺序、处理条件进行成膜，并可得到与其同样的效果。
另外，上述方式、变形例等可以适当组合而使用。此时的处理步骤、处理条件例如可以与上述方式的处理步骤、处理条件为同样。
实施例
作为实施例1，使用图1所示的衬底处理装置，并通过第1方式的处理顺序(晶种层形成、第1膜形成、第2膜形成、结晶化、改性、蚀刻)，于在表面形成有硅氧化膜的晶片上形成硅膜而制作评价样品。各步骤中的处理条件设为第1方式的处理顺序的各步骤中的处理条件范围内的规定的条件。使作为第1膜的非晶硅膜(非掺杂)的厚度为30nm，使作为第2膜的非晶硅膜(P掺杂)的厚度为15nm，通过进行蚀刻而使最终在晶片上形成的硅膜(非掺杂)的厚度为30nm。
作为比较例1，使用图1所示的衬底处理装置，通过进行第1方式的处理顺序中的晶种层形成、第1膜形成、结晶化，于在表面上形成有硅氧化膜的晶片上形成硅膜，而制作评价样品。各步骤中的处理条件与实施例1的各步骤中的处理条件设为同样。需要说明的是，通过进行结晶化，使最终在晶片上形成的硅膜(非掺杂)的厚度为30nm。
另外，对实施例1及比较例1的各自的评价样品中硅膜的晶粒尺寸进行测定。将该结果示于图10。如图10所示，与比较例1相比，确认了实施例1中可以扩大硅膜的晶粒尺寸。
作为实施例2，使用图1所示的衬底处理装置，通过第2方式的处理顺序(晶种层形成、第1膜形成、第2膜形成、结晶化、改性、蚀刻)，于在表面上形成有硅氧化膜的晶片上形成硅膜，制作评价样品。就各步骤中的处理条件而言，设为第2方式的处理顺序的各步骤中的处理条件范围内的规定的条件。使作为第1膜的非晶硅膜(非掺杂)的厚度为30nm，使作为第2膜的非晶硅膜(非掺杂)的厚度为15nm，使通过进行蚀刻而最终在晶片上形成的硅膜(非掺杂)的厚度为30nm。
作为比较例2，使用图1所示的衬底处理装置，通过进行第2方式的处理顺序之中的晶种层形成、第1膜形成、结晶化，在表面形成有硅氧化膜的晶片上形成硅膜，以制作评价样品。各步骤中的处理条件设为与实施例2的各步骤中的处理条件同样。需要说明的是，通过进行结晶化而使最终形成在晶片上的硅膜(非掺杂)的厚度为30nm。
另外，对实施例2及比较例2各自的评价样品中的硅膜的晶粒尺寸进行测定。将其结果示于图11。如图11所示，与比较例2相比，确认了实施例2可以使硅膜的晶粒尺寸扩大。
需要说明的是，将实施例1与实施例2进行比较时，实施例1较实施例2而言、即第1方式的处理顺序较第2方式的处理顺序而言，确认了可以使硅膜的晶粒尺寸扩大。
以上，具体地说明了本发明的各种方式，但本发明也包含以下的方式。
(附记1)
根据本发明的其他方式，提供半导体器件的制造方法、或衬底处理方法，其包括下述工序：
(a)通过向衬底供给第1处理气体，在上述衬底上形成非晶状态的第1膜的工序；
(b)通过向上述衬底供给第2处理气体，在上述第1膜上形成非晶状态的第2膜的工序；
(c)通过对在上述衬底上形成的上述第1膜和上述第2膜进行加热而使其结晶化的工序；和
(d)在使上述第1膜和上述第2膜结晶化后，通过将上述衬底的表面暴露于蚀刻剂，至少除去上述第2膜的工序。
(附记2)
如附记1所述的方法，其进一步包括(e)在进行(c)之后、进行(d)之前，使上述第2膜改性的工序。
(附记3)
如附记1或2所述的方法，其进一步包括(e)在进行(c)之后、进行(d)之前，使上述第2膜氧化的工序。
(附记4)
根据本发明进一步的其他方式，提供衬底处理***，其具有：
向衬底供给第1处理气体的第1处理气体供给***；
向衬底供给第2处理气体的第2处理气体供给***；
加热衬底的加热器；
将衬底暴露于蚀刻剂的蚀刻剂暴露***；
控制部，其构成为能够以进行附记1的各处理(各工序)的方式对上述第1处理气体供给***、上述第2处理气体供给***、上述加热器及上述蚀刻剂暴露***进行控制。
(附记5)
根据本发明进一步的其他方式，提供利用计算机使衬底处理***执行附记1的各步骤(各工序)的程序或记录有该程序的计算机可读取的记录介质。

Claims (20)

1.半导体器件的制造方法，其包括：
(a)通过向衬底供给第1处理气体，在所述衬底上形成非晶状态的第1膜的工序；
(b)通过向所述衬底供给第2处理气体，在所述第1膜上形成结晶化温度比所述第1膜低的非晶状态的第2膜的工序；
(c)通过对在所述衬底上形成的所述第1膜和所述第2膜进行加热而使其结晶化的工序；和
(d)在使所述第1膜和所述第2膜结晶化后，通过将所述衬底的表面暴露于蚀刻剂，至少除去所述第2膜的工序。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1膜为未掺杂掺杂剂的膜，所述第2膜为掺杂有掺杂剂的膜。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
在(c)中，所述第2膜中的掺杂剂的一部分扩散至所述第1膜中，
在(d)中，还将所述第1膜中的扩散有所述第2膜中的掺杂剂的部分除去。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(d)中，使所述第1膜中的不含掺杂剂的表面露出。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其进一步包括：(e)在进行(c)后、进行(d)前，使所述第1膜及所述第2膜中的掺杂剂所存在的部分改性的工序。
6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其进一步包括：(e)在进行(c)后、进行(d)前，使所述第1膜及所述第2膜中的掺杂剂所存在的部分氧化的工序。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，先于所述第1膜的结晶化开始所述第2膜的结晶化。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，先于所述第1膜的结晶化而完成所述第2膜的结晶化。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，以所述第2膜的结晶粒为起点使所述第1膜结晶化。
10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，使所述第2膜的结晶状态继承至所述第1膜。
11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，将所述衬底的温度设为550℃以上且650℃以下。
12.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，以比在进行(d)后得到的所述第1膜的膜厚还厚出在(c)中掺杂剂从所述第2膜中向所述第1膜中扩散的深度的量以上的厚度，形成所述第1膜。
13.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，以比在进行(d)后得到的所述第1膜的膜厚仅厚出在(c)中掺杂剂从所述第2膜中向所述第1膜中扩散的深度的量的厚度，形成所述第1膜。
14.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述第2膜的厚度为所述第1膜的厚度以上。
15.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述第2膜的厚度比所述第1膜的厚度厚。
16.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1膜为未掺杂掺杂剂的非晶硅膜，所述第2膜为掺杂有掺杂剂的非晶硅膜。
17.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的表面形成有氧化膜，在(a)中，在所述氧化膜上形成所述第1膜。
18.衬底处理方法，其包括下述工序：
(a)通过向衬底供给第1处理气体，在所述衬底上形成非晶状态的第1膜的工序；
(b)通过向所述衬底供给第2处理气体，在所述第1膜上形成结晶化温度比所述第1膜低的非晶状态的第2膜的工序；
(c)通过对在所述衬底上形成的所述第1膜和所述第2膜进行加热而使其结晶化的工序；和
(d)在使所述第1膜和所述第2膜结晶化后，通过将所述衬底的表面暴露于蚀刻剂，而至少除去所述第2膜的工序。
19.衬底处理***，其具有：
第1处理气体供给***，其向衬底供给第1处理气体；
第2处理气体供给***，其向衬底供给第2处理气体；
加热衬底的加热器；
蚀刻剂暴露***，其将衬底暴露于蚀刻剂；
控制部，其构成为能够对所述第1处理气体供给***、所述第2处理气体供给***、所述加热器、及所述蚀刻剂暴露***进行控制以进行下述处理：
(a)通过向衬底供给所述第1处理气体，在所述衬底上形成非晶状态的第1膜的处理；
(b)通过向所述衬底供给所述第2处理气体，在所述第1膜上形成结晶化温度比所述第1膜低的非晶状态的第2膜的处理；
(c)通过对在所述衬底上形成的所述第1膜和所述第2膜进行加热而使其结晶化的处理；和
(d)在使所述第1膜和所述第2膜结晶化后，通过将所述衬底的表面暴露于所述蚀刻剂，而至少除去所述第2膜的处理。
20.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理***执行下述步骤的程序：
(a)通过向衬底供给第1处理气体，在所述衬底上形成非晶状态的第1膜的步骤；
(b)通过向所述衬底供给第2处理气体，在所述第1膜上形成结晶化温度比所述第1膜低的非晶状态的第2膜的步骤；
(c)通过对在所述衬底上形成的所述第1膜和所述第2膜进行加热而使其结晶化的步骤；和
(d)在使所述第1膜和所述第2膜结晶化后，通过将所述衬底的表面暴露于蚀刻剂，而至少除去所述第2膜的步骤。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115744843A (zh) * 2022-10-28 2023-03-07 福建德尔科技股份有限公司 氟化硝酰的高效合成***

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2732316B2 (ja) * 1990-06-21 1998-03-30 三洋電機株式会社 薄膜多結晶シリコンの形成方法
JPH0888172A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Sharp Corp 多結晶シリコン膜の作製方法
JP4185575B2 (ja) * 1995-12-26 2008-11-26 ゼロックス コーポレイション エピタキシャル結晶化プロセス
US6482682B2 (en) * 2001-02-20 2002-11-19 Industrial Technology Research Institute Manufacturing method for improving reliability of polysilicon thin film transistors
KR100947180B1 (ko) * 2003-06-03 2010-03-15 엘지디스플레이 주식회사 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
TW200832714A (en) * 2007-01-29 2008-08-01 Innolux Display Corp Fabricating method for low temperatyue polysilicon thin film
JP2008244108A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2011161714A1 (ja) * 2010-06-21 2011-12-29 パナソニック株式会社 シリコン薄膜の結晶化方法およびシリコンｔｆｔ装置の製造方法
CN103219228B (zh) * 2013-03-11 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
JP6471379B2 (ja) * 2014-11-25 2019-02-20 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びレーザアニール装置
JP6560991B2 (ja) 2016-01-29 2019-08-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP7058575B2 (ja) * 2018-09-12 2022-04-22 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7190875B2 (ja) * 2018-11-16 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 ポリシリコン膜の形成方法及び成膜装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115744843A (zh) * 2022-10-28 2023-03-07 福建德尔科技股份有限公司 氟化硝酰的高效合成***
CN115744843B (zh) * 2022-10-28 2023-07-18 福建德尔科技股份有限公司 氟化硝酰的高效合成***

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