JP2022146386A - 半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022146386A JP2022146386A JP2021047313A JP2021047313A JP2022146386A JP 2022146386 A JP2022146386 A JP 2022146386A JP 2021047313 A JP2021047313 A JP 2021047313A JP 2021047313 A JP2021047313 A JP 2021047313A JP 2022146386 A JP2022146386 A JP 2022146386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- substrate
- wafer
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 139
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 316
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 83
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 341
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 155
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 24
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- DDPGACIVVDXPCY-UHFFFAOYSA-N [As].[AsH3] Chemical compound [As].[AsH3] DDPGACIVVDXPCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N bis(disilanyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N bromosilane Chemical compound Br[SiH3] VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N dibromosilane Chemical compound Br[SiH2]Br VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N difluorosilane Chemical compound F[SiH2]F PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N diiodosilane Chemical compound I[SiH2]I AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LICVGLCXGGVLPA-UHFFFAOYSA-N disilanyl(disilanylsilyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LICVGLCXGGVLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N iodosilane Chemical compound I[SiH3] IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEIYBPGWHWECHV-UHFFFAOYSA-N nitrosyl fluoride Chemical compound FN=O ZEIYBPGWHWECHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N silicon tetraiodide Chemical compound I[Si](I)(I)I CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02592—Microstructure amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32105—Oxidation of silicon-containing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Weting (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
(a)基板に対して第1処理ガスを供給することで、前記基板上に、アモルファス状態の第1膜を形成する工程と、
(b)前記基板に対して第2処理ガスを供給することで、前記第1膜上に、前記第1膜よりも結晶化温度が低いアモルファス状態の第2膜を形成する工程と、
(c)前記基板上に形成された前記第1膜と前記第2膜とを加熱することで結晶化させる工程と、
(d)前記第1膜と前記第2膜とを結晶化させた後に、前記基板の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも前記第2膜を除去する工程と、
を行う技術が提供される。
以下、本開示の第1態様について、主に、図1~図3、図4(a)~図4(g)を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
図1に示すように、処理炉202は温度調整器(加熱部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上に膜を形成する処理シーケンス例について、主に、図4(a)~図4(g)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(a)ウエハ200に対して第1処理ガスを供給することで、ウエハ200上に、アモルファス状態の第1膜を形成するステップAと、
(b)ウエハ200に対して第2処理ガスを供給することで、第1膜上に、第1膜よりも結晶化温度が低いアモルファス状態の第2膜を形成するステップBと、
(c)ウエハ200上に形成された第1膜と第2膜とを加熱することで結晶化させるステップCと、
(d)第1膜と第2膜とを結晶化させた後に、ウエハ200の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも第2膜を除去するステップDと、
を含む。
(e)ステップCを行った後、ステップDを行う前に、第1膜および第2膜のうちドーパントが存在する部分を改質させるステップEを含むことが好ましい。この場合において、ステップEでは、第1膜および第2膜のうちドーパントが存在する部分を酸化させることが好ましい。これにより、ステップCを行った後における第1膜および第2膜のうちドーパントが存在する部分を、ステップDにおいて除去し易く(エッチング剤によりエッチングされ易く)することが可能となる。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。なお、図4(a)に示すように、ウエハ200の表面には、酸化膜として、例えば、シリコン酸化膜(SiO膜)が予め形成されている。
ボートロードが終了した後、処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、ステップAを行う。本ステップでは、次のシード層形成、第1膜形成を順に行う。
シード層形成では、次のステップ1,2を順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された酸化膜の表面に対して、シードガスを供給する。
シードガス供給流量:0.1~1slm
シードガス供給時間:0.5~2分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~20slm
処理温度:350~450℃、好ましくは350~400℃
処理圧力:277~1200Pa、好ましくは667~1200Pa
が例示される。
その後、処理室201内のウエハ200、すなわち、酸化膜の表面に形成された核に対して、還元ガスを供給する。
還元ガス供給流量:2~10slm
還元ガス供給時間:2~5分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~20slm
処理圧力:1333~13332Pa
が例示される。他の処理条件は、シードガス供給における処理条件と同様とすることができる。
上述のステップ1,2を交互に、すなわち、同期させることなく非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、図4(b)に示すように、ウエハ200上、すなわち、ウエハ200の表面に形成された酸化膜上に、上述の核が高密度に形成されてなるシード層、すなわち、シリコンシード層を形成することが可能となる。本態様では、ステップ1,2を交互に行うことで、すなわち、シードガス供給を行うたびに還元ガス供給を行いウエハ200の表面に形成された核からClを脱離させることで、ウエハ200上に形成されるシード層を、Cl濃度が低い層とすることが可能となる。上述の処理条件下では、ウエハ200上に形成されるシード層の結晶構造を、アモルファスとすることが可能となる。
シード層形成が終了した後、第1膜形成を行う。本ステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成されたアモルファス状態のシード層の表面に対して、第1処理ガスとして、原料ガスを供給する。
原料ガス供給流量:0.01~5slm
原料ガス供給時間:1~300分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~20slm
処理温度:450~550℃
処理圧力:30~400Pa
が例示される。
ステップAが終了した後、ステップBとして、第2膜形成を行う。本ステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1膜の表面に対して、第2処理ガスとして、原料ガスおよびドーパントガスを供給する。
原料ガス供給流量:0.01~5slm
ドーパントガス供給流量:0.01~5slm
各ガス供給時間:1~300分
処理温度:450~550℃
処理圧力:30~400Pa
が例示される。他の処理条件は、第1膜形成における処理条件と同様とすることができる。
ステップBが終了した後、ステップCとして、結晶化を行う。
不活性ガス供給流量(各ガス供給管):0~20slm
処理時間:60~600分
処理温度:550~650℃
処理圧力:1~101325Pa
が例示される。
ステップCが終了した後、ステップEとして、改質を行う。本ステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、結晶化させた第2膜の表面に対して、改質ガスを供給する。
改質ガス供給流量:1~10slm
改質ガス供給時間:1~5分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~20slm
処理温度:500~800℃
処理圧力:1~101325Pa
が例示される。
ステップEが終了した後、ステップDとして、エッチングを行う。本ステップでは、処理室201内のウエハ200の表面、すなわち、第1膜および第2膜のうちドーパントが存在する部分か改質されてなる酸化膜の表面を、エッチング剤に暴露する。
エッチング剤供給流量:1~10slm
エッチング剤供給時間:1~10分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~20slm
処理温度:室温(25℃)~1000℃
処理圧力:133~50000Pa
が例示される。
エッチングが終了した後、ノズル249a~249cのそれぞれから、パージガスとしての不活性ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aより排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本態様によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
なお、上述の態様では、結晶化させた後の第1膜と第2膜とのうち、ドーパントが存在する部分を、改質させた後に、ドライエッチングにより除去する例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではない。
上述の第1態様では、ステップB(第2膜形成)において、第1膜上に、第1膜よりも結晶化温度が低い第2膜、すなわち、ドーパントがドープされた第2膜を形成する例について説明した。しかしながら、ステップBにおいて、第2膜として、ドーパントがドープされていない第2膜を形成するようにしてもよい。
(a)ウエハ200に対して第1処理ガスを供給することで、ウエハ200上に、アモルファス状態の第1膜を形成するステップAと、
(b)ウエハ200に対して第2処理ガスを供給することで、第1膜上に、アモルファス状態の第2膜を形成するステップBと、
(c)ウエハ200上に形成された第1膜と第2膜とを加熱することで結晶化させるステップCと、
(d)第1膜と第2膜とを結晶化させた後に、ウエハ200の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも第2膜を除去するステップDと、
を含む。
(e)ステップCを行った後、ステップDを行う前に、第2膜を改質させるステップEを含むことが好ましい。この場合において、ステップEでは、第2膜を酸化させることが好ましい。これにより、ステップCを行った後における第2膜を、ステップDにおいて除去し易く(エッチング剤によりエッチングされ易く)することが可能となる。
以上、本開示の種々の態様を具体的に説明した。但し、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、好ましい態様について付記する。
本開示の一態様によれば、
(a)基板に対して第1処理ガスを供給することで、前記基板上に、アモルファス状態の第1膜を形成する工程と、
(b)前記基板に対して第2処理ガスを供給することで、前記第1膜上に、前記第1膜よりも結晶化温度が低いアモルファス状態の第2膜を形成する工程と、
(c)前記基板上に形成された前記第1膜と前記第2膜とを加熱することで結晶化させる工程と、
(d)前記第1膜と前記第2膜とを結晶化させた後に、前記基板の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも前記第2膜を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
前記第1膜は、ドーパントがドープされていない膜であり、
前記第2膜は、ドーパントがドープされた膜である。
付記2に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜中のドーパントの一部が前記第1膜中へ拡散し、
(d)では、前記第1膜のうち前記第2膜中のドーパントが拡散した部分をも除去する。
付記3に記載の方法であって、
(d)では、前記第1膜のうちドーパントを含まない表面を露出させる。
付記2~4のいずれか1項に記載の方法であって、
(e)(c)を行った後、(d)を行う前に、前記第1膜および前記第2膜のうちドーパントが存在する部分を改質させる工程を、さらに有する。
付記2~5のいずれか1項に記載の方法であって、
(e)(c)を行った後、(d)を行う前に、前記第1膜および前記第2膜のうちドーパントが存在する部分を酸化させる工程を、さらに有する。
付記1~6、17のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜の結晶化を、前記第1膜の結晶化よりも先に、開始させる。
付記1~7、17のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜の結晶化を、前記第1膜の結晶化よりも先に、完了させる。
付記7、8、17のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜の結晶粒を起点として、前記第1膜を結晶化させる。
付記7~9、17のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜の結晶状態を、前記第1膜に引き継がせる。
付記1~10のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記基板の温度を550℃以上650℃以下とする。
付記3~11のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)では、(d)を行った後に得られる前記第1膜の膜厚よりも、(c)において前記第2膜中から前記第1膜中へドーパントが拡散する深さ分以上、厚く前記第1膜を形成する。好ましくは、(a)では、(d)を行った後に得られる前記第1膜の膜厚よりも、(c)において前記第2膜中から前記第1膜中へドーパントが拡散する深さ分だけ、厚く前記第1膜を形成する。
付記2~12、17のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第2膜の厚さを前記第1膜の厚さ以上とする。
付記2~13、17のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第2膜の厚さを前記第1膜の厚さよりも厚くする。
付記1~14のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第1膜は、ドーパントがドープされていないアモルファスシリコン膜であり、
前記第2膜は、ドーパントがドープされたアモルファスシリコン膜である。
付記1~15、17のいずれか1項に記載の方法であって、
前記基板の表面には酸化膜が形成されており、(a)では前記酸化膜上に、前記第1膜を形成する。
本開示の他の態様によれば、
(a)基板に対して第1処理ガスを供給することで、前記基板上に、アモルファス状態の第1膜を形成する工程と、
(b)前記基板に対して第2処理ガスを供給することで、前記第1膜上に、アモルファス状態の第2膜を形成する工程と、
(c)前記基板上に形成された前記第1膜と前記第2膜とを加熱することで結晶化させる工程と、
(d)前記第1膜と前記第2膜とを結晶化させた後に、前記基板の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも前記第2膜を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記17に記載の方法であって、
(e)(c)を行った後、(d)を行う前に、前記第2膜を改質させる工程を、さらに有する。
付記17または18に記載の方法であって、
(e)(c)を行った後、(d)を行う前に、前記第2膜を酸化させる工程を、さらに有する。
本開示のさらに他の態様によれば、
基板に対して第1処理ガスを供給する第1処理ガス供給系と、
基板に対して第2処理ガスを供給する第2処理ガス供給系と、
基板を加熱するヒータと、
基板をエッチング剤に曝露するエッチング剤曝露系と、
付記1、17の各処理(各工程)を行わせるように、前記第1処理ガス供給系、前記第2処理ガス供給系、前記ヒータ、および前記エッチング剤曝露系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理システムが提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
付記1の各手順(各工程)をコンピュータによって基板処理システムに実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
201 処理室
Claims (5)
- (a)基板に対して第1処理ガスを供給することで、前記基板上に、アモルファス状態の第1膜を形成する工程と、
(b)前記基板に対して第2処理ガスを供給することで、前記第1膜上に、前記第1膜よりも結晶化温度が低いアモルファス状態の第2膜を形成する工程と、
(c)前記基板上に形成された前記第1膜と前記第2膜とを加熱することで結晶化させる工程と、
(d)前記第1膜と前記第2膜とを結晶化させた後に、前記基板の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも前記第2膜を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1膜は、ドーパントがドープされていない膜であり、
前記第2膜は、ドーパントがドープされた膜である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - (c)では、前記第2膜中のドーパントの一部が前記第1膜中へ拡散し、
(d)では、前記第1膜のうち前記第2膜中のドーパントが拡散した部分をも除去する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板に対して第1処理ガスを供給する第1処理ガス供給系と、
基板に対して第2処理ガスを供給する第2処理ガス供給系と、
基板を加熱するヒータと、
基板をエッチング剤に曝露するエッチング剤曝露系と、
(a)基板に対して前記第1処理ガスを供給することで、前記基板上に、アモルファス状態の第1膜を形成する処理と、
(b)前記基板に対して前記第2処理ガスを供給することで、前記第1膜上に、前記第1膜よりも結晶化温度が低いアモルファス状態の第2膜を形成する処理と、
(c)前記基板上に形成された前記第1膜と前記第2膜とを加熱することで結晶化させる処理と、
(d)前記第1膜と前記第2膜とを結晶化させた後に、前記基板の表面を前記エッチング剤に曝露することで、少なくとも前記第2膜を除去する処理と、
を行わせるように、前記第1処理ガス供給系、前記第2処理ガス供給系、前記ヒータ、および前記エッチング剤曝露系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理システム。 - (a)基板に対して第1処理ガスを供給することで、前記基板上に、アモルファス状態の第1膜を形成する手順と、
(b)前記基板に対して第2処理ガスを供給することで、前記第1膜上に、前記第1膜よりも結晶化温度が低いアモルファス状態の第2膜を形成する手順と、
(c)前記基板上に形成された前記第1膜と前記第2膜とを加熱することで結晶化させる手順と、
(d)前記第1膜と前記第2膜とを結晶化させた後に、前記基板の表面をエッチング剤に曝露することで、少なくとも前記第2膜を除去する手順と、
をコンピュータによって、基板処理システムに実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021047313A JP7391064B2 (ja) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム |
CN202111566040.9A CN115116825A (zh) | 2021-03-22 | 2021-12-20 | 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理***及记录介质 |
TW110147622A TWI817290B (zh) | 2021-03-22 | 2021-12-20 | 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理系統及程式 |
US17/675,633 US20220301854A1 (en) | 2021-03-22 | 2022-02-18 | Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing system, and recording medium |
KR1020220021322A KR102611684B1 (ko) | 2021-03-22 | 2022-02-18 | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 시스템 및 프로그램 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021047313A JP7391064B2 (ja) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022146386A true JP2022146386A (ja) | 2022-10-05 |
JP7391064B2 JP7391064B2 (ja) | 2023-12-04 |
Family
ID=83284077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021047313A Active JP7391064B2 (ja) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220301854A1 (ja) |
JP (1) | JP7391064B2 (ja) |
KR (1) | KR102611684B1 (ja) |
CN (1) | CN115116825A (ja) |
TW (1) | TWI817290B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115744843B (zh) * | 2022-10-28 | 2023-07-18 | 福建德尔科技股份有限公司 | 氟化硝酰的高效合成*** |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0456123A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜多結晶シリコンの形成方法 |
JPH0888172A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Sharp Corp | 多結晶シリコン膜の作製方法 |
JPH09186086A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-15 | Xerox Corp | エピタキシャル結晶化プロセス及び薄膜シリコン結晶 |
JP2020087993A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ポリシリコン膜の形成方法及び成膜装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482682B2 (en) * | 2001-02-20 | 2002-11-19 | Industrial Technology Research Institute | Manufacturing method for improving reliability of polysilicon thin film transistors |
KR100947180B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2010-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 |
TW200832714A (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-01 | Innolux Display Corp | Fabricating method for low temperatyue polysilicon thin film |
JP2008244108A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR20130023021A (ko) * | 2010-06-21 | 2013-03-07 | 파나소닉 주식회사 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 실리콘 tft 장치의 제조 방법 |
CN103219228B (zh) * | 2013-03-11 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 |
JP6471379B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2019-02-20 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びレーザアニール装置 |
JP6560991B2 (ja) | 2016-01-29 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7058575B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-04-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
-
2021
- 2021-03-22 JP JP2021047313A patent/JP7391064B2/ja active Active
- 2021-12-20 CN CN202111566040.9A patent/CN115116825A/zh active Pending
- 2021-12-20 TW TW110147622A patent/TWI817290B/zh active
-
2022
- 2022-02-18 US US17/675,633 patent/US20220301854A1/en active Pending
- 2022-02-18 KR KR1020220021322A patent/KR102611684B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0456123A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜多結晶シリコンの形成方法 |
JPH0888172A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Sharp Corp | 多結晶シリコン膜の作製方法 |
JPH09186086A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-15 | Xerox Corp | エピタキシャル結晶化プロセス及び薄膜シリコン結晶 |
JP2020087993A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ポリシリコン膜の形成方法及び成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI817290B (zh) | 2023-10-01 |
TW202238680A (zh) | 2022-10-01 |
KR20220131827A (ko) | 2022-09-29 |
US20220301854A1 (en) | 2022-09-22 |
KR102611684B1 (ko) | 2023-12-11 |
JP7391064B2 (ja) | 2023-12-04 |
CN115116825A (zh) | 2022-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6573578B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
TW202101649A (zh) | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
US10584419B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP6946374B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
KR20230006435A (ko) | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 | |
KR102611684B1 (ko) | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 시스템 및 프로그램 | |
US20220301851A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, recording medium, and substrate processing apparatus | |
JP6559902B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
KR102458130B1 (ko) | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 | |
WO2024062634A1 (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
TWI837765B (zh) | 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、程式及基板處理裝置 | |
TWI834972B (zh) | 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 | |
JP7305013B2 (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP7398493B2 (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 | |
JP7135190B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム | |
JP7313402B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及びエッチング方法 | |
WO2022176155A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
TWI803888B (zh) | 清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 | |
JP7349033B2 (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230414 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230920 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7391064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |