CN114516722A - 适用于低温快烧窑烧制的保护釉及其陶瓷砖、制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉及其陶瓷砖、制备方法,按照重量百分比计算,保护釉的原料的化学成分包括:SiO2、Al2O3、CaO、MgO、K2O、Na2O和烧失量;保护釉于低温快烧窑中烧成的温度为1199‑1230℃,烧成时间为50‑55min;保护釉的张力有效阻止面釉层、喷墨层和压制坯体中产生的气泡冲破釉层;本发明提出的低温快烧窑烧制的陶瓷砖,保护釉布施于面釉和抛釉之间的喷墨层的上方,厚度小,可有效阻止气泡上升,具有保护喷墨层和釉面不产生气孔和凹釉缺陷的效果;本发明提出的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,工艺简洁,不会导致产品的制造成本明显增加。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷釉料技术领域,尤其涉及一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉及其陶瓷砖、制备方法。
背景技术
陶瓷砖的表面缺陷的形成原因如下:砖坯内含有碳酸盐,砖坯表面的存在闭气孔或者开口孔,当在面釉上再淋上抛釉后,面釉表面的闭气孔或者开口孔被封闭,在烧成时碳酸盐分解气化产生大量气体并汇集为气泡,闭气孔或者开口孔中气体聚集到一定量后也会形成气泡,这些气泡汇集使体积增大,从而冲破釉层,在釉面形成针孔和凹釉的缺陷。
为了提高陶瓷砖生产的节能环保性能,现有技术的陶瓷砖窑炉做了升级改造,对窑炉的最高烧制温度做了限定,并优化工艺、缩短了烧制时间,形成了现有技术的低温快烧工艺。
由于低温快烧工艺的烧制温度范围窄、烧制时间短,若采用现有技术的防止釉面针孔的保护釉的工艺,在面釉和抛釉之间喷淋布施现有技术的防止针孔的保护釉,现有技术的防止针孔的保护釉的粘度过高,且布施的厚度为0.3-0.5mm,会导致使用低温快烧工艺烧制后的产品透度差,且容易出现乳浊现象,造成制品出现批量的不合格品。
发明内容
本发明第一个目的在于提出了一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉,所述保护釉可以在低温快烧工艺中有效抑制釉层中的气泡上升形成针孔,解决了低温快烧工艺的制品容易出现批量不合格的技术问题。
本发明第二个目的在于提出了一种低温快烧窑烧制陶瓷砖,使用了适用于低温快烧窑烧制的保护釉,保护釉布施于喷墨层的上方,可有效阻止气泡上升。
本发明第三个目的在于提出了一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,工艺简洁。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉,按照重量百分比计算,所述保护釉的原料的化学成分包括:SiO2 45-49wt%、Al2O3 23-26wt%、CaO 2.5-4wt%、MgO 4-6wt%、K2O0.5-1.5wt%、Na2O 3-4wt%和烧失量14-18wt%;
所述保护釉的布施厚度为0.05-0.06mm,所述保护釉于所述低温快烧窑中烧成的温度为1185-1235℃,烧成时间为50-55min。
具体的,按照重量百分比计算,所述保护釉的原料包括钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%。
进一步的,所述保护釉的始融温度为1210℃-1220℃。
进一步的,本发明还提出了一种低温快烧窑烧制的陶瓷砖,从下到上依次包括砖坯、面釉层、喷墨层、保护釉层和抛釉层,所述保护釉层使用以上所述的适用于低温快烧窑烧制陶瓷砖的保护釉;所述保护釉层的厚度大于所述喷墨层的厚度,且所述保护釉层的厚度为所述面釉层的厚度的0.01-0.02倍;
所述面釉层所用的釉料为氧化铝含量分别为13-15wt%的常规釉料;
所述抛釉层所用的釉料为氧化铝含量为23-26wt%的常规釉料;
当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1200±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1230±5℃。
优选的,当所述喷墨层的平均灰度>50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1190±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1227±5℃。
优选的,当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述保护釉的比重为1.38±0.02g/ml,布施的对应的所述保护釉的施釉量为45-50g/㎡;当所述喷墨层的平均灰度>50时,布施的所述保护釉的比重为1.33±0.02g/ml,对应的所述保护釉的施釉量为32-35g/㎡。
进一步的,本发明还提出了以上所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,包括以下步骤:
S1)按照重量百分比计算,分别称取钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%,混合均匀后加适量的水化浆,检测氧化铝的总含量符合设定的范围后,制得混合物;
S2)将所述混合物投入球磨机中进行湿法球磨,制得浆料;
S3)将所述浆料过振筛,强磁除铁,即制得所述保护釉的釉浆。
优选的,步骤S2)中,湿法球磨的流速为90-120秒,球磨的时间为10-11小时;所述浆料的细度为325目筛余0.1-0.3g/比重杯。
优选的,步骤S2)中,制得的所述浆料的比重为1.80-1.86g/ml。
优选的,步骤S3)中,所述振筛的孔径为160目。
本发明的技术方案的有益效果为:本发明的所述保护釉中的氧化铝的总体含量高达23-26%,高温熔融状态下的所述保护釉的粘度高于的现有技术的常规釉料的粘度,所述保护釉的张力有效抑制下方的常规釉料的面釉层和坯体中产生的气泡冲破釉层,从而保护釉面不产生气孔和凹釉的缺陷,进而避免批量的制品不合格。
进一步的,本发明提出了一种使用所述适用于低温快烧窑烧制的保护釉的陶瓷砖,采用的面釉和抛釉均为常规釉料,保护釉布施于面釉和抛釉之间的喷墨层的上方,厚度小,可有效阻止气泡上升,具有保护喷墨层和釉面不产生气孔和凹釉缺陷的效果。
本发明还提出了以上所述适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,工艺简洁,不会导致产品的制造成本明显增加。
具体实施方式
在本说明书的描述中,参考术语“实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
下面结合具体实施方式进一步说明本发明的技术方案。
一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉,按照重量百分比计算,所述保护釉的原料的化学成分包括:SiO2 45-49wt%、Al2O3 23-26wt%、CaO 2.5-4wt%、MgO 4-6wt%、K2O0.5-1.5wt%、Na2O 3-4wt%和烧失量14-18wt%;
所述保护釉的布施厚度为0.05-0.06mm,所述保护釉于所述低温快烧窑中烧成的温度为1185-1235℃,烧成时间为50-55min。
本发明的所述保护釉中的氧化铝的总体含量高达23-26%,所述保护釉的张力可有效抑制面釉层和坯体中产生的气泡冲破釉层,从而保护釉面不产生气孔和凹釉的缺陷,进而避免批量的制品不合格。
所述保护釉可采用水刀机喷嘴雾化法施釉,可以降低布施的保护釉的比重,均匀布在砖体上方的喷墨层表面形成一道只有0.05-0.06mm厚的薄薄的保护层,可避免破坏喷墨层的图案。
本发明上述所指的窑炉的烧成周期为50-55分钟,比常规的窑炉的烧成周期短,且烧制温度范围窄,故此称为低温快烧窑。
所述保护釉中的氧化铝含量如果高于26%会产生产品透感差、釉层乳浊现象,影响釉面的发色和釉面的防污性能;反之,如果所述保护釉中的氧化铝含量如果低于23%则达不到阻止气泡上升保护喷墨层和釉面不产生气孔和凹釉缺陷的效果。
由于墨水为油性物质,将保护釉层喷施在喷墨层的表面,可避免抛釉和墨水的直接接触导致的缩釉,起到有效隔离的作用。
具体的,按照重量百分比计算,所述保护釉的原料包括钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%。
通过补充10-15wt%的氧化铝,控制保护釉的配方中的氧化铝的总含量在23-26wt%,以确保高温熔融时的保护釉层的粘度,达到既可以抑制气泡保护喷墨层和釉面的效果,又可以避免釉层的透感差,出现乳浊的现象。
方解石和白云石,此两种料的烧失量大,且高温粘度小,但为了保证保护釉的烧结度和透感,需要在配方里面合理搭配使用。
进一步的,所述保护釉的始融温度为1210℃-1220℃。
以上所述保护釉的始熔温度是指单纯的保护釉料的始融温度。若处于中层的所述保护釉与抛釉在高温结合情况下,混合物的始熔温度会有所下降,降低幅度约为25-30℃。
进一步的,本发明还提出了一种低温快烧窑烧制的陶瓷砖,从下到上依次包括砖坯、面釉层、喷墨层、保护釉层和抛釉层,所述保护釉层使用以上所述的适用于低温快烧窑烧制陶瓷砖的保护釉;所述保护釉层的厚度大于所述喷墨层的厚度,且所述保护釉层的厚度为所述面釉层的厚度的0.01-0.02倍;
所述面釉层所用的釉料为氧化铝含量分别为13-15wt%的常规釉料;
所述抛釉层所用的釉料为氧化铝含量为13-15wt%的常规釉料;
当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1200±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1230±5℃。
本发明的所述低温快烧窑烧制的陶瓷砖,采用的保护釉与均为常规釉料的面釉和抛釉配合使用,并且保护釉布施于面釉和抛釉之间的喷墨层的上方,厚度小,高温熔融状态下的所述保护釉的粘度高于的所述面釉的粘度,可有效阻止气泡上升,具有保护喷墨层和釉面不产生气孔和凹釉缺陷的效果。
不同的陶瓷砖产品的墨量不同,喷墨层的平均灰度的也不同,喷墨层在烧制过程中的吸热量也有不同,因此,需要根据喷墨层的平均灰度调整烧制的温度,从而保护喷墨层并减少砖面的针孔和凹釉产生。
优选的,当所述喷墨层的平均灰度>50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1190±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1227±5℃。
喷墨层的灰度不同,吸热量不同,因此,需要以喷墨层的平均灰度50为界限,有区别地调整烧制的温度,从而避免气泡破坏喷墨层,进而提高喷墨层的在釉面的显示精度。
优选的,当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述保护釉的比重为1.38±0.02g/ml,布施的对应的所述保护釉的施釉量为45-50g/㎡;当所述喷墨层的平均灰度>50时,布施的所述保护釉的比重为1.33±0.02g/ml,对应的所述保护釉的施釉量为32-35g/㎡。
深色产品的墨量大,烧成过程中吸热量大,调整保护釉比重和施釉量,从而达到有效保护喷墨层并减少砖面的针孔和凹釉产生的效果。
喷墨层的灰度大,产品的颜色深,进窑烧成时易吸热,炉膛温度易导致产品受热过烧,因此生产灰度大的产品的烧成温度需适当降温;另外,由于墨水为油性物质,灰度大的产品在釉线布釉过程中因收水快,在砖面上易起粉,导致分布不均,故此,灰度大的产品的保护釉需适当降低保护釉的比重和施釉量。
进一步的,本发明还提出了以上所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,包括以下步骤:
S1)按照重量百分比计算,分别称取钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%,混合均匀后加适量的水化浆,检测氧化铝的总含量符合设定的范围后,制得混合物;
S2)将所述混合物投入球磨机中进行湿法球磨,制得浆料;
S3)将所述浆料过振筛,强磁除铁,即制得所述保护釉的釉浆。
上述制备工艺简洁,不会导致产品的制造成本明显增加。
优选的,步骤S2)中,湿法球磨的流速为90-120秒,球磨的时间为10-11小时;所述浆料的细度为325目筛余0.1-0.3g/比重杯。
浆料的流速若高于120秒,会降低球磨的效率,对配方无影响;若低于90秒,达不到球磨的效果。
筛余若高于0.3g/比重杯,会影响釉层的透感,并且喷釉时容易堵枪嘴;筛余若低于0.1g/比重杯,增大球磨电耗。
优选的,步骤S2)中,制得的所述浆料的比重为1.80-1.86g/ml。
浆料的比重为1.80-1.86g/ml高于布施的所述保护釉的比重,其目的是便于后期使用的时通过加水稀释,从而控制喷施的所述保护釉的釉浆的比重在需要的范围内。
优选的,步骤S3)中,所述振筛的孔径为160目。
通过孔径大于浆料颗粒的振筛,可以充分地清除浆料中的含铁金属杂质,提高制品的使用寿命。
实施例1-5和对比例1-6
1、各实施例和各对比例的适用于低温快烧窑烧制的保护釉,按照以下步骤制备:
S1)按照重量百分比计算,分别称取钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%,混合均匀加适量的水化浆,检测氧化铝的总含量符合设定的范围后,制得混合物;
S2)将所述混合物投入球磨机中进行湿法球磨,制得浆料;
S3)将所述浆料过160目的振筛,强磁除铁,即制得所述保护釉的釉浆;
步骤S2)中,湿法球磨的流速为90-120秒,球磨的时间为10-11小时;所述浆料的比重为1.80-1.86g/ml,所述浆料的细度为325目筛余0.1-0.3g/比重杯;制得的所述浆料的比重为1.80-1.86g/ml。
2、根据以下步骤制备各实施例和对比例的陶瓷砖:
T1)取砖坯,在砖坯的表面喷淋底釉,待底釉表干后喷淋面釉,再在表干的面釉的表面采用喷墨打印机打印图案层,制得带图案层的砖坯;
T2)确认打印的喷墨层的灰度,用水稀释实施例或对比例制得的保护釉为设定的比重,在带图案层的砖坯的表面,以水刀机采用喷嘴雾化法喷施对应的稀释的保护釉,然后再喷淋抛釉,制得待烧制的陶瓷砖;
T3)将所述待烧制的陶瓷砖放入所述低温快烧窑中烧制,烧成时间均为50-55min;
步骤T1)中,所述面釉层所用的釉料为氧化铝含量分别为13-15wt%的常规釉料;所述抛釉层所用的釉料为氧化铝含量为23-26wt%的常规釉料;
步骤T2)中,当所述喷墨层的平均灰度≤50时,保护釉的比重为1.38±0.02g/ml,布施的对应的所述保护釉的施釉量为45-50g/㎡;当所述喷墨层的平均灰度>50时,布施的所述保护釉的比重为1.33±0.02g/ml,对应的所述保护釉的施釉量为32-35g/㎡;
步骤T3)中,当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1200±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1230±5℃;当所述喷墨层的平均灰度>50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1190±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1227±5℃。
3、各实施例和对比例的原料成分和比例、工艺参数详见表1和表2。
4、根据以下检测方法检测各实施例和对比例的制品的釉面针孔数,同时检测釉面的外观是否有不合格的缺陷,其中,针孔检测方法:距离0.5米目测检查釉面的针孔数量,质量标准为①单片砖的针孔直径Φ≤0.5mm,且不密集;②0.5mm<针孔直径Φ<1mm允许1个;③针孔直径Φ≥1mm的不允许;检测结果详见表1和表2。
表1各实施例的原料成分、工艺参数和检测结果
表2各对比例的原料成分、工艺参数和检测结果
根据以上表1和表2的数据信息分析如下:
1、实施例1-5制得的陶瓷砖的釉面针孔数量满足质量标准的要求,且釉面透度颜色合格,无缺陷,说明本发明的所述适用于低温快烧窑烧制陶瓷砖的保护釉的消除针孔的效果满足预期目标,技术方案是有效的。
2、与实施例4比对,对比例1的不同在于:对比例1的氧化铝的添加量超过了15wt%上限值,影响了釉层的透感,导致对比例1的陶瓷砖的釉面的针孔数量虽然满足质量要求,但釉面的透明度不足,制品不合格。
3、与实施例4比对,对比例2的不同在于:对比例2的氧化铝的添加量低于10%的下限值,保护釉的高温粘度不够,阻隔气泡的效果不佳,导致对比例2的陶瓷砖的釉面的针孔直径Φ≥1mm且密集,制品不合格。
4、与实施例4比对,对比例3的不同在于:对比例3的烧制温度的面温的温度值为1240℃±5℃,最高温度达到1245℃高于1227℃+5℃的上限值,导致高温烧制时对比例3的陶瓷砖的保护釉层失效,釉面被气泡破坏,釉面的气孔针孔直径Φ≥1mm且密集,并且釉面存在不平整的缺陷,制品不合格。
5、与实施例4比对,对比例4的不同在于:对比例4的烧制温度的面温的温度值为1220℃±5℃,最低温度为1225℃低于1227℃-5℃的下限值,导致对比例4的釉面的釉层未烧熟,不通透,制品不合格。
6、与实施例4比对,对比例5的不同在于:对比例5的保护釉的喷施量过少,只有20克/平方米,低于32克/平方米的下限值,保护釉阻隔气泡的作用不足,导致对比例5的陶瓷砖的釉面的针孔直径Φ≥1mm且密集,制品不合格。
7、与实施例4比对,对比例6的不同在于:对比例6的保护釉的喷施量过多,为50克/平方米,超过35克/平方米的上限值,影响釉层的透感,对比例6的陶瓷砖的釉面的针孔数量虽然满足质量要求,但釉面不透明,且存在图案不清晰的缺陷,制品不合格。
综上所述,本发明的实施例效果为:所述保护釉中的氧化铝的总体含量高达23-26%,高温熔融状态下的所述保护釉的粘度高于的现有技术的常规釉料的粘度,所述保护釉的张力可有效抑制下方的常规釉料的面釉层和坯体中产生的气泡冲破釉层,从而保护釉面不产生气孔和凹釉的缺陷,进而避免批量的制品不合格。
进一步的,本发明提出了一种使用所述适用于低温快烧窑烧制的保护釉的陶瓷砖,采用的面釉和抛釉均为常规釉料,保护釉布施于面釉和抛釉之间的喷墨层的上方,厚度小,可有效阻止气泡上升,具有保护喷墨层和釉面不产生气孔和凹釉缺陷的效果。
本发明还提出了以上所述适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,工艺简洁,不会导致产品的制造成本明显增加。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理;而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释;本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式;这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种适用于低温快烧窑烧制的保护釉,其特征在于,按照重量百分比计算,所述保护釉的原料的化学成分包括:SiO245-49wt%、Al2O323-26wt%、CaO2.5-4wt%、MgO 4-6wt%、K2O 0.5-1.5wt%、Na2O 3-4wt%和烧失量14-18wt%;
所述保护釉的布施厚度为0.05-0.06mm,所述保护釉于所述低温快烧窑中烧成的温度为1185-1235℃,烧成时间为50-55min。
2.根据权利要求1所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉,其特征在于,按照重量百分比计算,所述保护釉的原料包括钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%。
3.根据权利要求1所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉,其特征在于,所述保护釉的始融温度为1210℃-1220℃。
4.一种低温快烧窑烧制的陶瓷砖,其特征在于,从下到上依次包括砖坯、面釉层、喷墨层、保护釉层和抛釉层,所述保护釉层使用权利要求1-3任一项所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉;所述保护釉层的厚度大于所述喷墨层的厚度,且所述保护釉层的厚度为所述面釉层的厚度的0.01-0.02倍;
所述面釉层所用的釉料为氧化铝含量分别为13-15wt%的常规釉料;
所述抛釉层所用的釉料为氧化铝含量为23-26wt%的常规釉料;
当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1200±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1230±5℃。
5.根据权利要求4所述的低温快烧窑烧制的陶瓷砖,其特征在于,当所述喷墨层的平均灰度>50时,所述低温快烧窑的烧成区的面温为1190±5℃,所述低温快烧窑的烧成区的底温为1227±5℃。
6.根据权利要求5所述的低温快烧窑烧制的陶瓷砖,其特征在于,当所述喷墨层的平均灰度≤50时,所述保护釉的比重为1.38±0.02g/ml,布施的对应的所述保护釉的施釉量为45-50g/㎡;当所述喷墨层的平均灰度>50时,布施的所述保护釉的比重为1.33±0.02g/ml,对应的所述保护釉的施釉量为32-35g/㎡。
7.根据权利要求1-3任一项所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1)按照重量百分比计算,分别称取钾长石5-10%、钠长石30-40%、煅烧高岭土1-3%、氧化锌2-3%、水洗高岭土4-8%、烧滑石8-12%、碳酸锶4-6%、方解石4-6%、氧化铝10-15%和白云石5-8%,混合均匀后加适量的水化浆,检测氧化铝的总含量符合设定的范围后,制得混合物;
S2)将所述混合物投入球磨机中进行湿法球磨,制得浆料;
S3)将所述浆料过振筛,强磁除铁,即制得所述保护釉的釉浆。
8.根据权利要求7所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,其特征在于,步骤S2)中,湿法球磨的流速为90-120秒,球磨的时间为10-11小时;所述浆料的细度为325目筛余0.1-0.3g/比重杯。
9.根据权利要求7所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,其特征在于,步骤S2)中,制得的所述浆料的比重为1.80-1.86g/ml。
10.根据权利要求7所述的适用于低温快烧窑烧制的保护釉的制备方法,其特征在于,步骤S3)中,所述振筛的孔径为160目。
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