CN1140902A - 电子元件的接头 - Google Patents

电子元件的接头 Download PDF

Info

Publication number
CN1140902A
CN1140902A CN96105652A CN96105652A CN1140902A CN 1140902 A CN1140902 A CN 1140902A CN 96105652 A CN96105652 A CN 96105652A CN 96105652 A CN96105652 A CN 96105652A CN 1140902 A CN1140902 A CN 1140902A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hardening
electrical conductivity
tissue
alloy
conductivity alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN96105652A
Other languages
English (en)
Inventor
R·科扎
J-P·雷亚宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Imphy SA
Original Assignee
Imphy SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Imphy SA filed Critical Imphy SA
Publication of CN1140902A publication Critical patent/CN1140902A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Abstract

使用马氏体或奥氏体组织硬化导电合金制造一种电子元件的接头，该类电子元件主要包括电子组件，多个接头和外壳。电子元件和制造方法。在接头框开口后进行组织硬化处理。

Description

电子元件的接头
本发明涉及电子元件的接头。
某些电子元件，尤其是集成电路和活动分立元件，由例如半导体材料制成的电子组件构成，它们由很细的线连接到接头上，整个组合被装在由合成材料制成的保护封装件内。暴露在封装件外侧上的接头包括被称为“内接头”的部分，该部分处于封装件之内，还包括被称为“外接头”的部分，该部分处于封装件的外侧。外接头用于将电子元件连接到印刷电路上，由此它被结合到后者之中。该接头或是由含约42％镍的铁-镍合金制成，或是由铜基合金制成。进行所用合金的选择特别取决于所要求的电性能和机械性能。
为制造接头，取一段合金带，或是用机械方法或是用化学方法由其切成接头框，该接头框由许多内部和外部接头组成，它们通过金属条连在一起，并且以当它们被结合到电子元件中时的方式彼此之间相对排列。再将接头框除油、除氧化皮、冲洗，再经电沉积镀镍，再镀贵金属或铜，然后在与半导体材料制成的组件组装和内接之前，该组件被焊接或粘结到位于内接头中心的金属片上。接着，将这样获得的组装件通过在压力下喷射聚合物模塑，并经剪切将外接头相互隔离。然后将外接头除氧化皮、镀锡并弯曲成形。该电子元件就被说成是“封装在塑料封装件内”。
这种封装方法也被用于无源元件，例如感应器、电阻源网络、延迟线路或电容器。
为连接电子组件，也可使用通常称为“带自动粘接”或TAB的方法，其中接头框由经电沉积或迭层而镀有铜合金的聚酰亚胺薄膜制造。
这两种方法具有因所用合金的机械性能不够而产生的缺点。特别是在用要采用轧制薄片的第一种方法时，要将接头厚度减小到0.1mm以下是困难的，这就限制了元件的小型化。
在使用于聚酰亚胺薄膜上沉积的第二种方法时，为使得容易模塑，内接头不能增加到所希望的那样大。
在这两种情况下，都还不知道存在有这样的方法，它既能满足生产的制约，特别是成形性，又能满足接头的机械强度的要求，结果例如是要生产厚度小于1mm的集成电路是困难的，而在某些应用当中，则希望能高产量地生产厚度小于0.5mm的集成电路。
此外，由封装在封装件内的，厚度小于0.5mm的组件构成的电子元件十分难于操作，这是因为外部接头具有很大的脆性。
本发明的目的是，通过提出一种制造厚度小于0.1mm的电子元件接头的方法，以弥补这个缺点，该接头具有足够的机械强度，使得能容易地操作电子元件，并将它安装在印刷电路上。
为此目的，本发明的主题是使用组织硬化导电合金制造电子元件的接头，该类型的电子元件主要包括：电子组件，多个接头和外壳，在组织硬化处理之前，先剪切组织硬化合金。用来获得接头框的这种剪切，可以用机械剪切或化学剪切来进行。
组织硬化导电合金例如是一种马氏体类型的合金，其化学组成按重量计包括：
        0％≤Co≤30％
        9％≤Ni≤21％
        5％≤Mo≤12％
        0.1％≤Al＋Ti≤9％
        0％≤Nb≤1％
        0％≤C≤0.15％
        0％≤Mn≤5％
        0％≤Cr≤13％选择组分：取自W，V和Be中的至少一种元素，含量小于0.1％，以及选择组分：铜，含量小于0.3％，其余为铁和熔炼带来的杂质。
优选的该组织硬化导电合金的化学组成如下：
        8％≤Co≤10％
        17％≤Ni≤19％
        5％≤Mo≤6％
        0.3％≤Ti≤0.7％该组织硬化导电合金也可是奥氏体类型的合金，其化学组成按重量计包括：
        35％≤Co≤55％
        15％≤Cr≤25％
        10％≤Ni≤35％
        0％≤Fe≤20％
        0％≤Mo≤10％
        0％≤W≤15％
        0％≤Mn≤2％
        0％≤C≤0.15％其余为熔炼带来的杂质。
优选的奥氏体类型的组织硬化导电合金的化学组分如下：
        39％≤Co≤41
        15％≤Fe≤20％
        15％≤Ni≤17％
        6％≤Mo≤8％
        19％≤Cr≤21％本发明还涉及一种类型的电子元件，它主要包括：半导体材料制造的组件，多个接头和外壳，它的接头由组织硬化导电合金，例如马氏体类型的合金制成，其化学组成按重量计包括：
        0％≤Co≤30％
        9％≤Ni≤21％
        5％≤Mo≤12％
        0.1％≤Al＋Ti≤9％
        0％≤Nb≤1％
        0％≤C≤0.15％
        0％≤Mn≤5％
        0％≤Cr≤13％选择组分：取自W，V和Be中的至少一种元素，含量小于0.1％，以及选择组分：铜，含量小于0.3％，其余为铁和熔炼带来的杂质。
优选的该马氏体类型组织硬化导电合金的化学组分如下：
        8％≤Co≤10％
        17％≤Ni≤19％
        5％≤Mo≤6％
        0.3％≤Ti≤0.7％本发明的元件可以包括由组织硬化的奥氏体合金制造的接头，其化学组成按重量计包括：
        35％≤Co≤55％
        15％≤Cr≤25％
        10％≤Ni≤35％
        0％≤Fe≤20％
        0％≤Mo≤10％
        0％≤W≤15％
        0％≤Mn≤2％
        0％≤C≤0.15％其余为熔炼带来的杂质。
优选的组织硬化导电合金的化学组分如下：
        39％≤Co≤41％
        15％≤Fe≤20％
        15％≤Ni≤17％
        6％≤Mo≤8％
        19％≤Cr≤21％
本发明元件的接头可具有小于0.1mm的厚度。
本发明还涉及制造一类电子元件的方法，该类型的电子元件主要包括电子组件，多个接头和外壳，其中：—制造由组织硬化导电合金构成的接头框，然后组织硬化，—成形内部或外部接头，—进行二次硬化热处理，—将电子组件固定到内接头上，—通过整体模塑产生外壳，并且，—剪切外接头。
本发明的制造电子元件的方法也可以是：—制造由组织硬化导电合金构成的接头框，然后组织硬化，—将电子组件固定到内接头的接头框上，—通过整体模塑产生外壳，—剪切外接头。—成形外接头，并且，
—在外接头上进行局部二次硬化热处理。
本发明的最后一个主题是：通过带自动粘结制造电子元件的方法，该方法为制造接头框，使用包括至少一层组织硬化导电合金并选择性的包括一层聚合物的带。
现在通过将微处理器作为电子元件的实例，更确切地，但不以任何限制的方式叙述本发明，该微处理器由掺杂硅的芯片构成，在其上***微处理器的电路。
在第一个实施方案中，微处理器的电路借助直径约30μm的金或铝线接到内接头上。整个组装件被封装在外壳中，该外壳由填满硅石颗粒的环氧树脂型聚合物制的封装件构成，或由其他绝缘材料构成。外接头暴露在封装件的外侧并被成形，使得能焊接到印刷电路上。
内接头和外接头由组织硬化后屈服强大于1400MPa的组织硬化马氏体导电合金制成，其化学组成按重量计包括：
        0％≤Co≤30％
        9％≤Ni≤21％
        5％≤Mo≤12％
        0.1％≤Al＋Ti≤9％
        0％≤Nb≤1％
        0％≤C≤0.15％
        0％≤Mn≤5％
        0％≤Cr≤13％选择组分：取自W，V和Be中的至少一种元素，含量小于0.1％，以及选择组分：铜，含量小于0.3％，其余为铁和熔炼带来的杂质。
优选的该组织硬化导电合金的化学组成如下：
        8％≤Co≤10％
        17％≤Ni≤19％
        5％≤Mo≤6％
        0.3％≤Ti≤0.7％
使用这种优选的化学组成，使合金的膨胀系数在8×10-6/K和12×10-6/K之间，这就保证了硅，聚合物和接头间的膨胀系数有良好的相容性。
接头可选择地用电沉积镀镍，然后镀金，银或钯，而它们的外部可镀锡或包括堆焊。
为制造电子元件，取厚度小于0.1mm，较佳30μm-80μm的组织硬化导电合金制造的薄片，经750℃-1000℃热处理软化，使得其屈服强度小于1100MPa，并用其制造接头框。
本身已被公知的接头框，由包括多个开口的矩形板构成，每个开口用于容纳一个硅芯片，每个开口包括多个薄片，它们的端部一致地附着到板上，并且通常以放射方式彼此相对排列，并集中在同一区域，其中有一个小的矩形板，硅芯片***在其上。每个薄片用于成形一个接头。薄片位于邻近集合区域的部分，用于成形内接头，而薄片的其他部分用于成形外接头。开口通过机械剪切或化学剪切产生。
通常，在剪切、进行阳极或阴极除油、化学除氧化皮和冲洗之后，在薄片中做开口。继而电沉积镍，然后电沉积金或银或铜或钯。最后，能够容纳5-12块硅芯片的矩形接头框被开口。
接头框一旦开口，再通过弯曲或压制成形接头，并进行硬化热处理，例如通过400℃-550℃加热1-5小时，较佳是在惰性气氛中。热处理也可由加热到约700℃保持几秒到几分钟构成。也可在开口操作过程中成形接头，在开口/成形操作后进行热处理。
接着，将硅芯片置于位于每个薄片集合区域中心的每个小矩形板上，在硅芯片上插着电路，并被焊接或粘结。再通过金或铝线将电路连接到薄片上。
一旦硅芯片连接到薄片上，再在压力下喷射聚合物经整体模塑对每个芯片产生外壳，并且整个组装件在170℃-250℃固化4-16小时。
在封装完成时，沿每个外壳以它们每个保持一定距离将接头框开口，使得在外壳外侧留下一定长度的薄片，并除去薄片间剩余的过量树脂。从而获得一个封装件，集成电路被封装在其中，并且外接头暴露在它外面。
然后用硝酸除氧化皮继而冲洗，并且经镀锡或堆焊完成外接头的生产。
因而获得了电子元件，它包括厚度小于0.1mm，并且屈服强度大于1400MPa的接头。
也可以不在将硅芯片插到接头框上之前成形接头，而是***硅芯片、整体模塑封装件、沿封装件对接头开口，然后对外接头弯曲成形，再例如使用激光经进行局部热处理使它们硬化。
对于某些应用，希望组织硬化导电合金是非磁性的或是不锈型的，则可使用奥氏体型组织硬化导电合金，它们的化学组成按重量计包括：
        35％≤Co≤55％
        15％≤Cr≤25％
        10％≤Ni≤35％
        0％≤Fe≤20％
        0％≤Mo≤10％
        0％≤W≤15％
        0％≤Mn≤2％
        0％≤C≤0.15％其余为熔炼带来的杂质。
优选的组织硬化奥氏体合金的化学组成如下：
        39％≤Co≤41％
        15％≤Fe≤20％
        15％≤Ni≤17％
        6％≤Mo≤8％
        19％≤Cr≤21％
使用这种合金时，该方法仅因合金的屈服强度而不同于先前的情况，该值在弯曲接头和硬化热处理之前小于1300MPa，而在硬化热处理之后大于1500MPa。
第二种实施方案对应一种制造电子元件的方法，其中接头框被置于使得适于批量生产的带上，这种方法以名称为TAB或带自动粘结而被公知。
在该第二实施方案中，例如通过迭层制造带，该带由一层聚合物如聚酰亚胺，和一层上文规定的组织硬化导电合金构成。接着例如通过化学侵蚀，在合金层中将接头框开口，它们被一个接一个地排列。如上文所述将接头成形，并通过热处理硬化。接头可在进行硬化热处理之前成形，或者首先进行硬化热处理，然后将接头成形。
在一种实质上公知的方法中，由例如带印刷电路的硅芯片构成的电子组件，被配置在每个接头框上，并将内接头焊接到电子组件上。这样产生的电路可被自动传送到电子电路如印刷电路中，使用专用机械剪切外接头，并通过焊接将它们连接到印刷电路中。
使用本发明合金有以下优点：使得能生产比用现有技术的工艺能生产的长至少15％的内接头。
由于本发明的合金具有十分良好的机械性能，所以可以用仅由组织硬化导电合金构成的带使用TAB方法，也就是说没有聚合物层。
按照本发明的方法制造了电子元件，它由包含在树脂外壳中的硅芯片构成，并包括组织硬化导电合金制的接头。元件的总厚度小于1mm，而接头的厚度小于0.1mm，例如厚度为0.03mm-0.08mm。这些用于表面安装的电子元件具有比现有技术的电子元件脆性较小的接头。
通常，组织硬化导电合金可用于制造表面安装的分立活动元件和无源元件，特别是感应器，电阻网络或电容器。

Claims (13)

1.组织硬化导电合金的用途，用于制造一定类型电子元件上的接头，该电子元件主要包括电子组件，多个接头和外壳，其特征在于，合金在组织硬化处理之前被剪切。
2.按照权利要求1的组织硬化导电合金的用途，其特征在于，组织硬化导电合金是一种马氏体类型的合金，其化学组成按重量计包括：
        0％≤Co≤30％
        9％≤Ni≤21％
        5％≤Mo≤12％
        0.1％≤Al＋Ti≤9％
        0％≤Nb≤1％
        0％≤C≤0.15％
        0％≤Mn≤5％
        0％≤Cr≤13％选择组分：取自W，V和Be中的至少一种元素，含量小于0.1％，以及选择组分：铜，含量小于0.3％，其余为铁和熔炼带来的杂质。
3.按照权利要求2的组织硬化导电合金的用途，其特征在于，该组织硬化导电合金的化学组成中：
        8％≤Co≤10％
        17％≤Ni≤19％
        5％≤Mo≤6％
        0.3％≤Ti≤0.7％
4.按照权利要求1的组织硬化导电合金的用途，其特征在于，该组织硬化导电合金是奥氏体类型的合金，其化学组成按重量计包括：
        35％≤Co≤55％
        15％≤Cr≤25％
        10％≤Ni≤35％
        0％≤Fe≤20％
        0％≤Mo≤10％
        0％≤W≤15％
        0％≤Mn≤2％
        0％≤C≤0.15％其余为熔炼带来的杂质。
5.按照权利要求4的组织硬化导电合金的用途，其特征在于，组织硬化导电合金的化学组成中：
        39％≤Co≤41％
        15％≤Fe≤20％
        15％≤Ni≤17％
        6％≤Mo≤8％
        19％≤Cr≤21％
6.一种类型的电子元件，主要包括半导体材料制的组件，多个接头和外壳，其特征在于，接头由马氏体型导电合金制成，其化学组成按重量计包括：
        0％≤Co≤30％
        9％≤Ni≤21％
        5％≤Mo≤12％
        0.1％≤Al＋Ti≤9％
        0％≤Nb≤1％
        0％≤C≤0.15％
        0％≤Mn≤5％
        0％≤Cr≤13％选择组分：取自W，V和Be中的至少一种元素，含量小于0.1％，以及选择组分：铜，含量小于0.3％，其余为铁和熔炼带来的杂质。
7.按照权利要求6的元件，其特征在于，该组织硬化导电合金的化学组成中：
        8％≤Co≤10％
        17％≤Ni≤19％
        5％≤Mo≤6％
        0.3％≤Ti≤0.7％
8.一种类型的电子元件，主要包括半导体材料制的组件，多个接头和外壳，其特征在于，接头由奥氏体型组织硬化导电合金制成，其化学组成按重量计包括：
        35％≤Co≤55％
        15％≤Cr≤25％
        10％≤Ni≤35％
        0％≤Fe≤20％
        0％≤Mo≤10％
        0％≤W≤15％
        0％≤Mn≤2％
        0％≤C≤0.15％其余为熔炼带来的杂质。
9.按照权利要求8的元件，其特征在于，组织硬化导电合金的化学组成中：
        39％≤Co≤41％
        15％≤Fe≤20％
        15％≤Ni≤17％
        6％≤Mo≤8％
        19％≤Cr≤21％
10.按照权利要求6至9中任一项的元件，其特征在于，接头的厚度小于0.1mm。
11.制造一种类型的电子元件的方法，该类型的电子元件主要包括电子组件，多个接头和外壳，其中：—制造由组织硬化导电合金构成的接头框，然后组织硬化，—成形内部或外部接头，—进行二次硬化热处理，—将电子组件固定到内接头上，—通过整体模塑产生外壳，而且，—剪切外接头。
12.制造一种类型的电子元件的方法，该类型的电子元件主要包括电子组件，多个接头和外壳，其中：—制造由组织硬化导电合金构成的接头框，然后组织硬化，—将电子组件固定到内接头的接头框上，—通过整体模塑产生外壳，—剪切外接头，—成形外接头，并且，—在外接头上进行局部二次硬化热处理。
13.制造电子元件的方法，该电子元件主要包括电子组件和接头，其特征在于，—取一条带，它包括至少一层组织硬化前的马氏体型或奥氏体型的组织硬化导电合金，并选择性地包括一层聚合物，—由该带剪切接头框，—将接头框成形再进行硬化热处理，或是进行硬化热处理再将接头框成形，—内接头经焊接连到电子组件上，并且—剪切外接头，然后将其焊接到印刷电路上。
CN96105652A 1995-04-27 1996-04-26 电子元件的接头 Pending CN1140902A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9505015A FR2733630B1 (fr) 1995-04-27 1995-04-27 Pattes de connexion pour composant electronique
FR9505015 1995-04-27

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN00102600A Division CN1269605A (zh) 1995-04-27 2000-04-03 电子元件及其制备方法
CN00102599A Division CN1269604A (zh) 1995-04-27 2000-04-03 电子元件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1140902A true CN1140902A (zh) 1997-01-22

Family

ID=9478470

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN96105652A Pending CN1140902A (zh) 1995-04-27 1996-04-26 电子元件的接头
CN00102600A Pending CN1269605A (zh) 1995-04-27 2000-04-03 电子元件及其制备方法
CN00102599A Pending CN1269604A (zh) 1995-04-27 2000-04-03 电子元件及其制备方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN00102600A Pending CN1269605A (zh) 1995-04-27 2000-04-03 电子元件及其制备方法
CN00102599A Pending CN1269604A (zh) 1995-04-27 2000-04-03 电子元件及其制备方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5744868A (zh)
EP (2) EP0991122A3 (zh)
JP (1) JPH08306838A (zh)
KR (1) KR960039229A (zh)
CN (3) CN1140902A (zh)
FR (1) FR2733630B1 (zh)
RU (1) RU2159482C2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103484787A (zh) * 2012-06-06 2014-01-01 大同特殊钢株式会社 马氏体时效钢
CN106756583A (zh) * 2015-11-25 2017-05-31 中国科学院金属研究所 一种超高强高韧马氏体时效钢及其制备方法和应用

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7831470B1 (en) * 1996-09-04 2010-11-09 Walker Digital, Llc Method and apparatus for facilitating electronic commerce through providing cross-benefits during a transaction
FR2733630B1 (fr) * 1995-04-27 1997-05-30 Imphy Sa Pattes de connexion pour composant electronique
US7162434B1 (en) * 1997-05-05 2007-01-09 Walker Digital, Llc Method and apparatus for facilitating the sale of subscriptions to periodicals
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
DE60033772T2 (de) * 1999-12-24 2007-10-31 Hitachi Metals, Ltd. Martensitaushärtender Stahl mit hoher Dauerfestigkeit und Band aus dem martensitaushärtenden Stahl
FR2816959B1 (fr) * 2000-11-17 2003-08-01 Imphy Ugine Precision Procede pour fabriquer une bande ou une piece decoupee dans une bande en acier maraging laminee a froid
US20080006937A1 (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Texas Instruments Incorporated Solderability Improvement Method for Leaded Semiconductor Package
US9141346B2 (en) * 2011-05-12 2015-09-22 Google Inc. Layout management in a rapid application development tool
US10840005B2 (en) 2013-01-25 2020-11-17 Vishay Dale Electronics, Llc Low profile high current composite transformer
US10998124B2 (en) 2016-05-06 2021-05-04 Vishay Dale Electronics, Llc Nested flat wound coils forming windings for transformers and inductors
KR102464202B1 (ko) 2016-08-31 2022-11-04 비쉐이 데일 일렉트로닉스, 엘엘씨 낮은 직류 저항을 갖는 고전류 코일을 구비한 인덕터
US11948724B2 (en) 2021-06-18 2024-04-02 Vishay Dale Electronics, Llc Method for making a multi-thickness electro-magnetic device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3790372A (en) * 1972-05-04 1974-02-05 M Chaturvedi Co-ni-cr base austentic alloys precipitation strengthened by intermetallic compounds and carbides
JPS5348917A (en) * 1976-10-18 1978-05-02 Hitachi Ltd Print wire
JPS5893860A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高力高導電性銅合金の製造方法
JPS59170244A (ja) * 1983-03-16 1984-09-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 強靭無Ｃｏマルエ−ジング鋼
JPS60238446A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Hitachi Metals Ltd 耐食性の優れたｉｃリ−ドフレ−ム用合金
AU1180588A (en) * 1987-01-12 1988-07-27 Olin Corporation Process for producing formable and high strength leadframes in semiconductor packages
JPH0625395B2 (ja) * 1989-06-26 1994-04-06 日立金属株式会社 高強度リードフレーム材料およびその製造方法
JPH03197641A (ja) * 1989-12-26 1991-08-29 Nippon Mining Co Ltd リードフレーム材
EP0448266B1 (en) * 1990-03-23 1996-06-05 Motorola, Inc. Surface mountable semiconductor device having self loaded solder joints
US5246511A (en) * 1990-05-14 1993-09-21 Hitachi Metals, Ltd. High-strength lead frame material and method of producing same
JPH04231420A (ja) * 1990-12-27 1992-08-20 Nikko Kyodo Co Ltd リードフレーム材の製造方法
MY107849A (en) * 1991-09-09 1996-06-29 Hitachi Cable Composite lead frame and method for manufacturing the same.
KR930006868A (ko) * 1991-09-11 1993-04-22 문정환 반도체 패키지
JP2797835B2 (ja) * 1992-05-01 1998-09-17 日本鋼管株式会社 耐食性、繰返し曲げ特性に優れた高強度Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金薄板およびその製造方法
JPH06172895A (ja) * 1992-12-03 1994-06-21 Yamaha Metanikusu Kk リードフレーム用銅合金
US5362679A (en) * 1993-07-26 1994-11-08 Vlsi Packaging Corporation Plastic package with solder grid array
JPH0748650A (ja) * 1993-08-05 1995-02-21 Hitachi Metals Ltd 高強度リードフレーム材料およびその製造方法
JP3042273B2 (ja) * 1993-08-09 2000-05-15 日本鋼管株式会社 耐銹性に優れたＩＣリードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ 系合金薄板の製造方法
FR2733630B1 (fr) * 1995-04-27 1997-05-30 Imphy Sa Pattes de connexion pour composant electronique

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103484787A (zh) * 2012-06-06 2014-01-01 大同特殊钢株式会社 马氏体时效钢
CN106756583A (zh) * 2015-11-25 2017-05-31 中国科学院金属研究所 一种超高强高韧马氏体时效钢及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
FR2733630B1 (fr) 1997-05-30
EP0740341A1 (fr) 1996-10-30
CN1269604A (zh) 2000-10-11
EP0991122A2 (fr) 2000-04-05
FR2733630A1 (fr) 1996-10-31
JPH08306838A (ja) 1996-11-22
EP0991122A3 (fr) 2000-07-26
KR960039229A (ko) 1996-11-21
US5744868A (en) 1998-04-28
CN1269605A (zh) 2000-10-11
RU2159482C2 (ru) 2000-11-20
US5888848A (en) 1999-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1140902A (zh) 电子元件的接头
CN1143375C (zh) 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置
CN1050260C (zh) 具有极小间距电极端子的面板安装结构和安装方法
CN1293580C (zh) 复合磁性体、磁性元件及其制造方法
CN1136220A (zh) 载片及其制造方法和安装方法
CN1237854C (zh) 使用含氟聚合物复合衬底来制造微波多功能模块的方法
CN1214545A (zh) 半导体封装及其制造方法
CN1819189A (zh) 电路装置及其制造方法
CN1697098A (zh) 线圈部件及其制造方法
CN1815720A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1197292A (zh) 一种半导体器件引线框架及引线接合法
CN1310577C (zh) 柔性基板
CN1645604A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN1882224A (zh) 配线基板及其制造方法
CN1309425A (zh) 半导体集成电路器件及其制造方法
CN1790687A (zh) 树脂密封半导体器件、具有管芯垫的引线框及其制造方法
CN1377219A (zh) 电路装置的制造方法
CN1348205A (zh) 电路装置的制造方法
CN1628379A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN1300810C (zh) 线圈元件及其制造方法
CN1678175A (zh) 电路部件模块及其制造方法
CN1326224A (zh) 半导体元件连接用金线及半导体元件的连接方法
CN1133896A (zh) 制造铁/镍合金荫罩板的方法
CN1254856C (zh) 电路装置的制造方法
CN1608399A (zh) 连接基片及用该连接基片的多层布线板和半导体插件用基片和半导体插件以及它们的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication