RU2159482C2 - Соединительные выводы электронного компонента (варианты), электронный компонент (варианты) и способ его изготовления (варианты) - Google Patents
Соединительные выводы электронного компонента (варианты), электронный компонент (варианты) и способ его изготовления (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2159482C2 RU2159482C2 RU96108126/28A RU96108126A RU2159482C2 RU 2159482 C2 RU2159482 C2 RU 2159482C2 RU 96108126/28 A RU96108126/28 A RU 96108126/28A RU 96108126 A RU96108126 A RU 96108126A RU 2159482 C2 RU2159482 C2 RU 2159482C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electronic component
- leads
- alloy
- electrically conductive
- connecting leads
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 claims description 38
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
Abstract
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: соединительные выводы электронного компонента предложено выполнять из дисперсионно твердеющего сплава мартенситного или аустенитного типа определенных составов. Предложен электронный компонент с соединительными выводами из указанных сплавов и способы его изготовления. Техническим результатом изобретения является создание соединительных выводов толщиной менее 0,1 мм для электронного компонента, имеющих механическую прочность, достаточную для осуществления различных операций, обеспечение удобства обращения с электронным компонентом и его монтажа на печатной схеме. 7 с. и 10 з.п.ф-лы.
Description
Изобретение относится к соединительным выводам для электронного компонента, электронному компоненту и способу его изготовления.
Некоторые электронные компоненты, в частности интегральные схемы и активные дискретные компоненты, состоят из электронного устройства, например из полупроводникового материала, соединенного через очень тонкие проводники с соединительными выводами, причем все устройство в целом вставлено в защитный корпус из синтетического материала. Соединительные выводы, которые выходят из корпуса наружу, включают часть, называемую "внутренние соединительные выводы", размещаемые внутри корпуса, и часть, называемую "внешние соединительные выводы", расположенные снаружи корпуса. Внешние соединительные выводы предназначены для соединения электронного компонента с печатной схемой, на которой он помещен. Соединительные выводы выполняются из железо-никелевого сплава с содержанием никеля примерно 42% или из сплава на основе меди. Выбор применяемого сплава производится, в основном, в зависимости от желаемых электрических и механических свойств.
Для изготовления соединительных выводов используют ленту из сплава, в которой механическим или химическим способом вырезают заготовку, определяемую как "рамка с выводами", содержащую множество внешних и внутренних соединительных выводов, соединенных между собой полосками металла и расположенных одни относительно других так, как они будут расположены при их введении в состав электронного компонента. Затем заготовка обезжиривается, травится, промывается, на нее наносят гальваническое покрытие из никеля, затем драгоценного металла или меди перед сборкой и соединением с устройством из полупроводникового материала, которое приваривается или приклеивается на металлическую деталь, расположенную в центре внутренних соединительных выводов. Затем полученный таким образом комплект заливается изоляционным составом путем нагнетания под давлением полимера, и внешние соединительные выводы изолируются друг от друга путем вырезания. Потом внешние соединительные выводы протравливаются, лудятся, затем принимают необходимую форму посредством гибки. Говорят, что электронный компонент "капсулирован в пластиковый корпус".
Этот процесс капсулирования применяется также для таких, например, пассивных компонентов, как катушки индуктивности, резисторные сборки, линии задержки или емкости.
Для соединения электронных устройств можно также использовать процесс, определяемый как "автоматизированная сборка на ленте", в котором заготовка изготавливается из полиимидной пленки, покрытой медным сплавом, нанесенным как гальваническое покрытие, или путем нанесения покрытия прокаткой.
Эти два процесса имеют недостатки, обусловленные несовершенством механических характеристик применяемых сплавов. В частности, при первом процессе, когда используют катаные ленты, трудно уменьшить толщину соединительных выводов до величины менее 0,1 мм, что ограничивает миниатюризацию компонентов.
При втором процессе, когда используют нанесение покрытий на полиимидную пленку, длина внутренних соединительных выводов не может быть увеличена так, как это было бы желательно для облегчения монтажа.
В обоих случаях не существует известного средства, чтобы одновременно преодолеть затруднения при изготовлении и, в особенности, обеспечить требуемую форму и необходимую механическую прочность соединительных выводов. Из-за этого, например, трудно изготавливать интегральные схемы толщиной менее 1 мм, тогда как для ряда областей применения было бы желательно иметь возможность изготавливать интегральные схемы толщиной менее 0,5 мм с высокой эффективностью производства.
Кроме того, электронные компоненты, содержащие устройство, капсулированное в корпусе толщиной менее 0,5 мм, достаточно сложны в обращении из-за высокой хрупкости внешних соединительных выводов.
Известен также электронный компонент, содержащий устройство из полупроводникового материала, множество соединительных выводов и оболочку, при этом выводы выполнены из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением (WO 88/05254 A1, H 05 К 07/18, 14.07.88).
Кроме того, известен электропроводящий сплав для изготовления выводов, в состав которого входит хром, кобальт, титан, алюминий, молибден, никель, железо и другие компоненты (GB 2183675 А, С 22 С 19/05, 10.06.87).
Задачей изобретения является устранение указанных недостатков за счет создания способа изготовления соединительных выводов с толщиной менее 0,1 мм для электронного компонента, имеющих механическую прочность, достаточную для осуществления различных операций, обеспечения удобства обращения с электронным компонентом и его монтаж на печатной схеме.
Для достижения этого результата изобретение предусматривает использование электропроводящего сплава с дисперсионным твердением для изготовления соединительных выводов электронного компонента, в частности, содержащего электронное устройство, множество соединительных выводов и корпус, причем сплав с дисперсионным твердением разрезается перед обработкой дисперсионным твердением. Это резание для получения заготовки соединительных выводов может осуществляться механическим или химическим вырезанием.
Электропроводящий сплав с дисперсионным твердением является, например, сплавом мартенситного типа, имеющего следующий химический состав в весовых процентах:
0% ≤ Co ≤ 30%
9% ≤ Ni ≤ 21%
5% ≤ Mo ≤ 12%
0,1% ≤ Al + Ti ≤ 9%
0% ≤ Nb ≤ 1%
0% ≤ C ≤ 0,15%
0% ≤ Mn ≤ 5%
0% ≤ Cr ≤ 13%
в ряде случаев по меньшей мере один элемент выбран из группы, состоящей из W, V и Be, с содержанием менее 0,1% и в случае необходимости меди с содержанием менее 0,3%, а остальное приходится на долю железа и примесей, являющихся результатом изготовления.
0% ≤ Co ≤ 30%
9% ≤ Ni ≤ 21%
5% ≤ Mo ≤ 12%
0,1% ≤ Al + Ti ≤ 9%
0% ≤ Nb ≤ 1%
0% ≤ C ≤ 0,15%
0% ≤ Mn ≤ 5%
0% ≤ Cr ≤ 13%
в ряде случаев по меньшей мере один элемент выбран из группы, состоящей из W, V и Be, с содержанием менее 0,1% и в случае необходимости меди с содержанием менее 0,3%, а остальное приходится на долю железа и примесей, являющихся результатом изготовления.
Предпочтительно, чтобы химический состав электропроводящего сплава с дисперсионным твердением типа мартенситного характеризовался следующим содержанием компонентов:
8% ≤ Co ≤ 10%
17% ≤ Ni ≤ 19%
5% ≤ Mo ≤ 6%
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%
Электропроводящий сплав с дисперсионным твердением может также быть сплавом аустенитного типа, химический состав которого следующий, в процентах по весу:
35% ≤ Co ≤ 55%
15% ≤ Cr ≤ 25%
10% ≤ Ni ≤ 35%
0% ≤ Fe ≤ 20%
0% ≤ Mo ≤ 10%
0% ≤ W ≤ 15%
0% ≤ Mn ≤ 2%
0% ≤ C ≤ 0,15%
и остальное - примеси, являющиеся результатом изготовления.
8% ≤ Co ≤ 10%
17% ≤ Ni ≤ 19%
5% ≤ Mo ≤ 6%
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%
Электропроводящий сплав с дисперсионным твердением может также быть сплавом аустенитного типа, химический состав которого следующий, в процентах по весу:
35% ≤ Co ≤ 55%
15% ≤ Cr ≤ 25%
10% ≤ Ni ≤ 35%
0% ≤ Fe ≤ 20%
0% ≤ Mo ≤ 10%
0% ≤ W ≤ 15%
0% ≤ Mn ≤ 2%
0% ≤ C ≤ 0,15%
и остальное - примеси, являющиеся результатом изготовления.
Предпочтительно, чтобы химический состав электропроводящего сплава с дисперсионным твердением аустенитного типа характеризовался следующим содержанием компонентов:
39% ≤ Co ≤ 41%
15% ≤ Fe ≤ 20%
15% ≤ Ni ≤ 17%
6% ≤ Mo ≤ 8%
19% ≤ Cr ≤ 21%
Изобретение относится также к электронному компоненту, содержащему, в частности, устройство из полупроводникового материала, совокупность соединительных выводов и оболочку, у которого соединительные выводы выполнены из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением, например, мартенситного типа, химический состав которого следующий, в процентах по весу:
0% ≤ Co ≤ 30%
9% ≤ Ni ≤ 21%
5% ≤ Mo ≤ 12%
0,1% ≤ Al+Ti ≤ 9%
0% ≤ Nb ≤ 1%
0% ≤ C ≤ 0,15%
0% ≤ Mn ≤ 5%
0% ≤ Cr ≤ 13%
в случае необходимости по меньшей мере один элемент выбран из группы, состоящей из W, V и Be, с содержаниями ниже 0,1% и в случае необходимости меди с содержанием ниже 0,3%, причем остальное приходится на долю железа и примесей, являющихся результатом изготовления.
39% ≤ Co ≤ 41%
15% ≤ Fe ≤ 20%
15% ≤ Ni ≤ 17%
6% ≤ Mo ≤ 8%
19% ≤ Cr ≤ 21%
Изобретение относится также к электронному компоненту, содержащему, в частности, устройство из полупроводникового материала, совокупность соединительных выводов и оболочку, у которого соединительные выводы выполнены из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением, например, мартенситного типа, химический состав которого следующий, в процентах по весу:
0% ≤ Co ≤ 30%
9% ≤ Ni ≤ 21%
5% ≤ Mo ≤ 12%
0,1% ≤ Al+Ti ≤ 9%
0% ≤ Nb ≤ 1%
0% ≤ C ≤ 0,15%
0% ≤ Mn ≤ 5%
0% ≤ Cr ≤ 13%
в случае необходимости по меньшей мере один элемент выбран из группы, состоящей из W, V и Be, с содержаниями ниже 0,1% и в случае необходимости меди с содержанием ниже 0,3%, причем остальное приходится на долю железа и примесей, являющихся результатом изготовления.
Предпочтительно, чтобы химический состав электропроводящего проводника с дисперсионным твердением мартенситного типа характеризовался следующим содержанием содержащихся в нем компонентов:
8% ≤ Co ≤ 10%
17% ≤ Ni ≤ 19%
5% ≤ Mo ≤ 6%
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%
Электронный компонент согласно изобретению может содержать соединительные выводы из аустенитного сплава с дисперсионным твердением, химический состав которого следующий, в процентах по весу:
35% ≤ Co ≤ 55%
15% ≤ Cr ≤ 25%
10% ≤ Ni ≤ 35%
0% ≤ Fe ≤ 20%
0% ≤ Mo ≤ 10%
0% ≤ W ≤ 15%
0% ≤ Mn ≤ 2%
0% ≤ C ≤ 0,15%
и остальное - примеси, являющиеся результатом производства.
8% ≤ Co ≤ 10%
17% ≤ Ni ≤ 19%
5% ≤ Mo ≤ 6%
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%
Электронный компонент согласно изобретению может содержать соединительные выводы из аустенитного сплава с дисперсионным твердением, химический состав которого следующий, в процентах по весу:
35% ≤ Co ≤ 55%
15% ≤ Cr ≤ 25%
10% ≤ Ni ≤ 35%
0% ≤ Fe ≤ 20%
0% ≤ Mo ≤ 10%
0% ≤ W ≤ 15%
0% ≤ Mn ≤ 2%
0% ≤ C ≤ 0,15%
и остальное - примеси, являющиеся результатом производства.
Предпочтительно, чтобы химический состав электропроводящего сплава с дисперсионным твердением характеризовался следующим содержанием входящих в него компонентов:
39% ≤ Co ≤ 41%
15% ≤ Fe ≤ 20%
15% ≤ Ni ≤ 17%
6% ≤ Mo ≤ 8%
19% ≤ Cr ≤ 21%
Соединительные выводы электронного компонента согласно изобретению могут иметь толщину менее 0,1 мм.
39% ≤ Co ≤ 41%
15% ≤ Fe ≤ 20%
15% ≤ Ni ≤ 17%
6% ≤ Mo ≤ 8%
19% ≤ Cr ≤ 21%
Соединительные выводы электронного компонента согласно изобретению могут иметь толщину менее 0,1 мм.
Изобретение также относится к способу изготовления электронного компонента, содержащего, в частности, электронное устройство, совокупность соединительных выводов и оболочку, при котором
изготавливают заготовку соединительных выводов из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением перед дисперсионным твердением,
формируют соединительные выводы, внутренние и внешние,
производят вторичную упрочняющую обработку,
закрепляют электронное устройство на внутренних соединительных выводах,
выполняют оболочку посредством заливки изоляционным (защитным) составом
и режут внешние соединительные выводы.
изготавливают заготовку соединительных выводов из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением перед дисперсионным твердением,
формируют соединительные выводы, внутренние и внешние,
производят вторичную упрочняющую обработку,
закрепляют электронное устройство на внутренних соединительных выводах,
выполняют оболочку посредством заливки изоляционным (защитным) составом
и режут внешние соединительные выводы.
Способ изготовления электронного компонента согласно изобретению может также заключаться в том, что
изготавливают заготовку соединительных выводов из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением перед дисперсионным твердением,
закрепляют электронное устройство на заготовке внутренних соединительных выводов,
изготавливают оболочку посредством заливки изоляционным составом,
режут внешние соединительные выводы,
формируют внешние соединительные выводы
и производят тепловую обработку - местное вторичное твердение на внешних соединительных выводах.
изготавливают заготовку соединительных выводов из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением перед дисперсионным твердением,
закрепляют электронное устройство на заготовке внутренних соединительных выводов,
изготавливают оболочку посредством заливки изоляционным составом,
режут внешние соединительные выводы,
формируют внешние соединительные выводы
и производят тепловую обработку - местное вторичное твердение на внешних соединительных выводах.
Изобретение относится также к способу изготовления электронного компонента путем автоматического переноса на ленту, при котором используют ленту, включающую по меньшей мере один слой электропроводящего сплава с дисперсионным твердением и в случае необходимости слой полимера для изготовления заготовок соединительных выводов.
Далее изобретение будет описано более детально, но без ограничения области его применения, на примере электронного компонента - микропроцессора, состоящего из подложки из легированного примесями кремния, на котором размещены схемы микропроцессора.
В первом варианте осуществления схемы микропроцессора соединены со внутренними соединительными выводами посредством золотого или алюминиевого проводника примерно 30 мкм в диаметре. Вся конструкция капсулирована, герметично помещена в оболочку, состоящую из полимерного корпуса, например эпоксидного с частицами кремния или других изоляционных материалов. Внешние соединительные выводы выходят из корпуса наружу и формируются так, чтобы их можно было бы припаивать к печатной схеме.
Внутренние и внешние соединительные выводы выполнены из электропроводящего мартенситного сплава с дисперсионным твердением с пределом упругости - более 1400 МПа после дисперсионного твердения, у которого химический состав следующий, в процентах по весу:
0% ≤ Co ≤ 30%
9% ≤ Ni ≤ 21%
5% ≤ Mo ≤ 12%
0,1% ≤ Al+Ti ≤ 9%
0% ≤ Nb ≤ 1%
0% ≤ C ≤ 0,15%
0% ≤ Mn ≤ 5%
0% ≤ Cr ≤ 13%
в необходимых случаях по меньшей мере один элемент выбран из группы, состоящей из W, V и Be, с содержаниями ниже 0,1% и в ряде случаев меди с содержанием менее 0,3%, причем остальное приходится на долю железа и примесей, являющихся результатом изготовления.
0% ≤ Co ≤ 30%
9% ≤ Ni ≤ 21%
5% ≤ Mo ≤ 12%
0,1% ≤ Al+Ti ≤ 9%
0% ≤ Nb ≤ 1%
0% ≤ C ≤ 0,15%
0% ≤ Mn ≤ 5%
0% ≤ Cr ≤ 13%
в необходимых случаях по меньшей мере один элемент выбран из группы, состоящей из W, V и Be, с содержаниями ниже 0,1% и в ряде случаев меди с содержанием менее 0,3%, причем остальное приходится на долю железа и примесей, являющихся результатом изготовления.
Предпочтительно, чтобы химический состав электропроводящего сплава с дисперсионным твердением характеризовался следующим содержанием компонентов:
8% ≤ Co ≤ 10%
17% ≤ Ni ≤ 19%
5% ≤ Mo ≤ 6%
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%
При таком предпочтительном химическом составе сплав имеет коэффициент расширения от 8•10-6 /K до 12•10-6 /K, что позволяет обеспечить совместимость коэффициентов расширения кремния, полимера и соединительных выводов.
8% ≤ Co ≤ 10%
17% ≤ Ni ≤ 19%
5% ≤ Mo ≤ 6%
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%
При таком предпочтительном химическом составе сплав имеет коэффициент расширения от 8•10-6 /K до 12•10-6 /K, что позволяет обеспечить совместимость коэффициентов расширения кремния, полимера и соединительных выводов.
Соединительные выводы в случае необходимости покрыты гальваническим покрытием из никеля, затем золота, серебра или палладия и их внешние части могут лудиться или иметь покрытие из припоя.
Для изготовления электронного компонента берут катаную ленту из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением с толщиной менее 0,1 мм и предпочтительно в пределах от 30 мкм до 80 мкм, размягченного термической обработкой при температуре от 750oC до 1000oC, чтобы иметь предел упругости ниже 1100 МПа, и изготавливают заготовку соединительных выводов.
Заготовка соединительных выводов или рамка с выводами, сама по себе известная, состоит из прямоугольной платы, включающей множество вырезов, каждый из которых предназначен для приема кремниевой подложки. Каждый вырез содержит множество пластинок, присоединенных одним концом к плате и обычно расположенных радиально относительно друг друга и сходящихся к одной и той же зоне, в которой находится прямоугольная пластина, на которой размещена кремниевая подложка. Каждая из пластинок предназначена для образования соединительного вывода. Часть пластинки, расположенная поблизости от зоны сходимости, предназначена для образования внутреннего соединительного вывода, а другая часть пластинки - предназначена для формирования внешнего соединительного вывода. Вырезание выполняется механическим или химическим способом.
Обычно вырезание осуществляют на катаной ленте, а после резки последовательно выполняют анодное или катодное обезжиривание, химическую резку и промывку. Затем осуществляют гальваническое покрытие из никеля, затем гальваническое покрытие из золота, меди или палладия. И наконец, вырезают прямоугольные заготовки, которые могут принять от пяти до двенадцати кремниевых подложек.
После того как заготовки вырезаны, путем гибки или штамповки формируют соединительные выводы и производят термическую упрочняющую обработку, например, нагревом от 400oC до 550oC в течение 1 - 5 часов, предпочтительно, в нейтральной атмосфере. Термическая обработка может также состоять в нагревании при температуре порядка 700oC в течение от нескольких секунд до нескольких минут. Формовка выводов может также осуществляться во время операции резки, термическая обработка затем проводится - после операции резки/формовки.
Затем на каждой из прямоугольных пластин, расположенных в центре каждой из зон сходимости пластинок, располагают кремниевую подложку, на которую размещают схему, которую приваривают или приклеивают. Потом соединяют схему с пластинками с помощью алюминиевых или золотых проводов.
После того как кремниевые подложки соединены с пластинками, выполняют оболочку каждой из подложек путем заливки изоляционным (защитным) составом посредством нагнетания полимера под давлением и прокаливают полученный компонент при температуре от 170oC до 250oC в течение 4 - 16 часов.
После того как капсулирование закончено, вырезают заготовку вокруг каждой из оболочек на некотором расстоянии от нее, так чтобы оставить свободной часть длины пластинки снаружи оболочки, и удаляют смолу, которая оставалась в избытке между пластинками. Таким образом получают корпус, в который капсулирована интегральная схема и из которого выходят внешние соединительные выводы.
Потом производят травление в азотной кислоте и промывку, затем заканчивают изготовление внешних соединительных выводов путем лужения или осуществляя покрытие припоем.
Таким образом, получают электронный компонент, содержащий соединительные выводы с толщиной менее 0,1 мм и пределом упругости - более 1400 МПа.
Вместо того чтобы осуществлять формовку соединительных выводов перед тем, как разместить кремниевые подложки на заготовки соединительных выводов, можно вставить кремниевые подложки, залить изоляционным составом корпуса, вырезать соединительные выводы вокруг корпусов, чтобы формировать путем гибки внешние соединительные выводы и их упрочнить путем местной термической обработки, производимой, например, лазером.
Для некоторых случаев применения желательно, чтобы электропроводящий сплав с дисперсионным твердением был бы немагнитным или коррозионно-стойким. Тогда можно использовать электропроводящий сплав с дисперсионным твердением аустенитного типа, у которого химический состав следующий, в процентах по весу:
35% ≤ Co ≤ 55%
15% ≤ Cr ≤ 25%
10% ≤ Ni ≤ 35%
0% ≤ Fe ≤ 20%
0% ≤ Mo ≤ 10%
0% ≤ W ≤ 15%
0% ≤ Mn ≤ 2%
0% ≤ C ≤ 0,15%
причем остальное приходится на долю примесей, являющихся результатом изготовления.
35% ≤ Co ≤ 55%
15% ≤ Cr ≤ 25%
10% ≤ Ni ≤ 35%
0% ≤ Fe ≤ 20%
0% ≤ Mo ≤ 10%
0% ≤ W ≤ 15%
0% ≤ Mn ≤ 2%
0% ≤ C ≤ 0,15%
причем остальное приходится на долю примесей, являющихся результатом изготовления.
Предпочтительно, чтобы химический состав аустенитного сплава с дисперсионным твердением характеризовался следующим содержанием входящих в него компонентов:
39% ≤ Co ≤ 41%
15% ≤ Fe ≤ 20%
15% ≤ Ni ≤ 17%
6% ≤ Mo ≤ 8%
19% ≤ Cr ≤ 21%
При таком сплаве способ отличается от предыдущего случая исключительно пределом упругости сплава, который ниже 1300 МПа перед гибкой соединительных выводов и термической упрочняющей обработкой и более 1500 МПа после термической упрочняющей обработки.
39% ≤ Co ≤ 41%
15% ≤ Fe ≤ 20%
15% ≤ Ni ≤ 17%
6% ≤ Mo ≤ 8%
19% ≤ Cr ≤ 21%
При таком сплаве способ отличается от предыдущего случая исключительно пределом упругости сплава, который ниже 1300 МПа перед гибкой соединительных выводов и термической упрочняющей обработкой и более 1500 МПа после термической упрочняющей обработки.
Второй вариант осуществления изобретения представляет собой способ изготовления электронных компонентов, в котором заготовки соединительных выводов расположены на лентах, что обеспечивает удобное серийное изготовление. Этот способ известен как "автоматизированная сборка на ленте".
В этом втором варианте изготавливают, например, совместной прокаткой ленту, состоящую из слоя полимера, такого как полиимид, и слоя электропроводящего сплава с дисперсионным твердением такого, который определен выше. Затем, например, методом химического травления вырезают в слое сплава заготовки соединительных выводов, расположенные одни за другими. Формируют соединительные выводы и упрочняют их термической обработкой, как сказано выше. Можно формировать соединительные выводы перед осуществлением термической обработки или сначала произвести термическую обработку для упрочнения, затем сформировать соединительные выводы.
Известным способом располагают электронное устройство, состоящее, например, из кремниевой подложки, содержащей интегральную схему, под каждой из заготовок соединительных выводов и припаивают внутренние соединительные выводы к электронному устройству. Выполненные таким образом схемы могут затем автоматически переноситься на электронную схему, например печатную плату? с помощью специализированной машины, которая режет внешние соединительные выводы и соединяет их методом пайки с печатной схемой.
Использование сплава согласно изобретению обеспечивает преимущество, состоящее в том, что могут быть получены более длинные соединительные выводы, длиннее по крайней мере на 15% по отношению к тому, что позволяет известный уровень техники.
С использованием сплавов согласно изобретению, имеющих более высокие механические характеристики, можно использовать способ автоматизированной сборки на ленте, состоящей исключительно из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением, т.е. без слоя полимера.
С помощью способов, соответствующих изобретению, изготавливали электронные компоненты, состоящие из кремниевой подложки, заключенной в оболочку из смолы, и содержащей соединительные выводы из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением. Общая толщина компонентов была менее 1 мм, а толщина соединительных выводов была менее 0,1 мм и, например, от 0,03 мм до 0,08 мм. Эти электронные компоненты для поверхностного монтажа имеют соединительные выводы, обладающие более высокой прочностью, чем выводы в конструкциях, изготовленных согласно известному уровню техники.
Таким образом, электропроводящие сплавы с дисперсионным твердением могут быть использованы для изготовления активных дискретных компонентов и пассивных элементов, в частности катушек индуктивности, резистивных сборок или емкостей для поверхностного монтажа.
Claims (17)
1. Соединительные выводы электронного компонента, в частности электронного устройства с соединительными выводами и оболочкой, выполненные из дисперсионно твердеющего сплава мартенситного типа, имеющего следующий химический состав, вес.%:
0% ≤ Co ≤ 30%,
9% ≤ Ni ≤ 21%,
5% ≤ Mo ≤ 12%,
0,1 ≤ Al + Ti ≤ 9%,
0% ≤ Nb ≤ 1%,
0% ≤ C ≤ 0,15%,
0% ≤ Mn ≤ 5%,
0% ≤ Cr ≤ 13%,
Железо Остальное.
0% ≤ Co ≤ 30%,
9% ≤ Ni ≤ 21%,
5% ≤ Mo ≤ 12%,
0,1 ≤ Al + Ti ≤ 9%,
0% ≤ Nb ≤ 1%,
0% ≤ C ≤ 0,15%,
0% ≤ Mn ≤ 5%,
0% ≤ Cr ≤ 13%,
Железо Остальное.
2. Соединительные выводы по п. 1, отличающиеся тем, что сплав имеет следующий химический состав, вес.%:
8% ≤ Co ≤ 10%,
17% ≤ Ni ≤ 19%,
5% ≤ Mo ≤ 6%,
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%.
8% ≤ Co ≤ 10%,
17% ≤ Ni ≤ 19%,
5% ≤ Mo ≤ 6%,
0,3% ≤ Ti ≤ 0,7%.
3. Соединительные выводы по п.1 или 2, отличающиеся тем, что сплав содержит, по меньшей мере, один из элементов W, V и Be с содержанием менее 0,1 вес.%.
4. Соединительные выводы по любому из пп.1 - 3, отличающиеся тем, что сплав дополнительно содержит медь в количестве менее 0,3 вес.%.
5. Соединительные выводы электронного компонента, в частности электронного устройства с соединительными выводами и оболочкой, выполненные из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением аустенитного типа, имеющего следующий химический состав, вес.%:
35% ≤ Co ≤ 55%,
15% ≤ Cr ≤ 25%,
10% ≤ Ni ≤ 35%,
0% ≤ Fe ≤ 20%,
0% ≤ Mo ≤ 10%,
0% ≤ W ≤ 15%,
0% ≤ Mn ≤ 2%,
0% ≤ C ≤ 0,15%.
35% ≤ Co ≤ 55%,
15% ≤ Cr ≤ 25%,
10% ≤ Ni ≤ 35%,
0% ≤ Fe ≤ 20%,
0% ≤ Mo ≤ 10%,
0% ≤ W ≤ 15%,
0% ≤ Mn ≤ 2%,
0% ≤ C ≤ 0,15%.
6. Соединительные выводы по п.5, отличающиеся тем, что сплав содержит, вес.%:
39% ≤ Co ≤ 41%,
15% ≤ Fe ≤ 20%,
15% ≤ Ni ≤ 17%,
6% ≤ Mo ≤ 8%,
19% ≤ Cr ≤ 21%.
39% ≤ Co ≤ 41%,
15% ≤ Fe ≤ 20%,
15% ≤ Ni ≤ 17%,
6% ≤ Mo ≤ 8%,
19% ≤ Cr ≤ 21%.
7. Электронный компонент, включающий в себя устройство из полупроводникового материала, множество соединительных выводов и оболочку, отличающийся тем, что соединительные выводы выполнены из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением мартенситного типа следующего химического состава, вес.%:
0% ≤ Co ≤ 30%,
9% ≤ Ni ≤ 21%,
5% ≤ Mo ≤ 12%,
0,1% ≤ Al + Ti ≤ 9%,
0% ≤ Nb ≤ 1%,
0% ≤ C ≤ 0,15%,
0% ≤ Mn ≤ 5%,
0% ≤ Cr ≤ 13%,
Железо Остальное.
0% ≤ Co ≤ 30%,
9% ≤ Ni ≤ 21%,
5% ≤ Mo ≤ 12%,
0,1% ≤ Al + Ti ≤ 9%,
0% ≤ Nb ≤ 1%,
0% ≤ C ≤ 0,15%,
0% ≤ Mn ≤ 5%,
0% ≤ Cr ≤ 13%,
Железо Остальное.
8. Электронный компонент по п.7, отличающийся тем, что электропроводящий сплав имеет состав, вес.%:
8% ≤ Co ≤ 10%,
17% ≤ Ni ≤ 19%,
4% ≤ Mo ≤ 6%,
0,3 ≤ Ti ≤ 0,7%.
8% ≤ Co ≤ 10%,
17% ≤ Ni ≤ 19%,
4% ≤ Mo ≤ 6%,
0,3 ≤ Ti ≤ 0,7%.
9. Электронный компонент по п.7 или 8, отличающийся тем, что сплав содержит, по меньшей мере, один из элементов W, V и Be с содержанием менее 0,1 вес.%.
10. Электронный компонент по любому из пп.7 - 9, отличающийся тем, что сплав дополнительно содержит медь в количестве менее 0,3 вес.%.
11. Электронный компонент по любому из пп.7 - 10, отличающийся тем, что толщина соединительных выводов менее 0,1 мм.
12. Электронный компонент, включающий в себя устройство из полупроводникового материала, множество соединительных выводов и оболочку, отличающийся тем, что соединительные выводы выполнены из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением аустенитного типа следующего химического состава, вес.%:
35% ≤ Co ≤ 55%,
15% ≤ Cr ≤ 25%,
10 ≤ Ni ≤ 35%,
0% ≤ Fe ≤ 20%,
0% ≤ Mo ≤ 10%,
0% ≤ W ≤ 15%,
0% ≤ Mn ≤ 2%,
0% ≤ C ≤ 0,15.
35% ≤ Co ≤ 55%,
15% ≤ Cr ≤ 25%,
10 ≤ Ni ≤ 35%,
0% ≤ Fe ≤ 20%,
0% ≤ Mo ≤ 10%,
0% ≤ W ≤ 15%,
0% ≤ Mn ≤ 2%,
0% ≤ C ≤ 0,15.
13. Электронный компонент по п.12, отличающийся тем, что электропроводящий сплав имеет следующий химический состав, вес.%:
39% ≤ Co ≤ 41%,
15% ≤ Fe ≤ 20%,
15% ≤ Ni ≤ 17%,
6% ≤ Mo ≤ 8%,
19% ≤ Cr ≤ 21%.
39% ≤ Co ≤ 41%,
15% ≤ Fe ≤ 20%,
15% ≤ Ni ≤ 17%,
6% ≤ Mo ≤ 8%,
19% ≤ Cr ≤ 21%.
14. Электронный компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что толщина соединительных выводов менее 0,1 мм.
15. Способ изготовления электронного компонента, включающего в себя электронное устройство, множество соединительных выводов и оболочку, в соответствии с которым изготавливают заготовку соединительных выводов из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением перед дисперсионным твердением, проводят термическую обработку для дисперсионного твердения, закрепляют электронное устройство на внутренних соединительных выводах, выполняют оболочку и режут внешние соединительные выводы, отличающийся тем, что в качестве соединительных выводов используют выводы по любому из пп.1 - 6, а оболочку выполняют посредством заливки изоляционным слоем.
16. Способ изготовления электронного компонента, включающего в себя электронное устройство, множество соединительных выводов и оболочку, в соответствии с которым изготавливают заготовку соединительных выводов из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением перед дисперсионным твердением, закрепляют электронное устройство на заготовке внутренних соединительных выводов, выполняют оболочку, режут внешние соединительные выводы, формируют внешние соединительные выводы, осуществляют термическую обработку для дисперсионного твердения, отличающийся тем, что в качестве соединительных выводов используют выводы по любому из пп.1 - 6, оболочку выполняют посредством заливки изоляционным слоем, а термическую обработку для дисперсионного твердения осуществляют на внешних соединительных выводах.
17. Способ изготовления электронного компонента, включающего в себя электронное устройство и соединительные выводы, отличающийся тем, что используют ленту, содержащую, по меньшей мере, один слой из электропроводящего сплава с дисперсионным твердением мартенситного или аустенитного типа и, в случае необходимости, один слой полимера, вырезают в ленте заготовку соединительных выводов, формируют соединительные выводы по любому из пп.1 - 6 и осуществляют термическую обработку для дисперсионного твердения или осуществляют термическую обработку для дисперсионного твердения и формируют соединительные выводы, режут, а затем соединяют с помощью пайки внешние соединительные выводы с печатной схемой.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9505015A FR2733630B1 (fr) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Pattes de connexion pour composant electronique |
| FR9505015 | 1995-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96108126A RU96108126A (ru) | 1998-07-27 |
| RU2159482C2 true RU2159482C2 (ru) | 2000-11-20 |
Family
ID=9478470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96108126/28A RU2159482C2 (ru) | 1995-04-27 | 1996-04-26 | Соединительные выводы электронного компонента (варианты), электронный компонент (варианты) и способ его изготовления (варианты) |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5744868A (ru) |
| EP (2) | EP0740341A1 (ru) |
| JP (1) | JPH08306838A (ru) |
| KR (1) | KR960039229A (ru) |
| CN (3) | CN1140902A (ru) |
| FR (1) | FR2733630B1 (ru) |
| RU (1) | RU2159482C2 (ru) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7831470B1 (en) * | 1996-09-04 | 2010-11-09 | Walker Digital, Llc | Method and apparatus for facilitating electronic commerce through providing cross-benefits during a transaction |
| FR2733630B1 (fr) * | 1995-04-27 | 1997-05-30 | Imphy Sa | Pattes de connexion pour composant electronique |
| US7162434B1 (en) * | 1997-05-05 | 2007-01-09 | Walker Digital, Llc | Method and apparatus for facilitating the sale of subscriptions to periodicals |
| JP3334864B2 (ja) | 1998-11-19 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 電子装置 |
| DE60033772T2 (de) * | 1999-12-24 | 2007-10-31 | Hitachi Metals, Ltd. | Martensitaushärtender Stahl mit hoher Dauerfestigkeit und Band aus dem martensitaushärtenden Stahl |
| FR2816959B1 (fr) * | 2000-11-17 | 2003-08-01 | Imphy Ugine Precision | Procede pour fabriquer une bande ou une piece decoupee dans une bande en acier maraging laminee a froid |
| US20080006937A1 (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Solderability Improvement Method for Leaded Semiconductor Package |
| US9141346B2 (en) * | 2011-05-12 | 2015-09-22 | Google Inc. | Layout management in a rapid application development tool |
| JP6166953B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2017-07-19 | 大同特殊鋼株式会社 | マルエージング鋼 |
| US10840005B2 (en) | 2013-01-25 | 2020-11-17 | Vishay Dale Electronics, Llc | Low profile high current composite transformer |
| CN106756583A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | 中国科学院金属研究所 | 一种超高强高韧马氏体时效钢及其制备方法和应用 |
| US10998124B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-05-04 | Vishay Dale Electronics, Llc | Nested flat wound coils forming windings for transformers and inductors |
| JP7160438B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-10-25 | ヴィシェイ デール エレクトロニクス エルエルシー | 低い直流抵抗を有す高電流コイルを備えた誘導子 |
| US11948724B2 (en) | 2021-06-18 | 2024-04-02 | Vishay Dale Electronics, Llc | Method for making a multi-thickness electro-magnetic device |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3790372A (en) * | 1972-05-04 | 1974-02-05 | M Chaturvedi | Co-ni-cr base austentic alloys precipitation strengthened by intermetallic compounds and carbides |
| JPS5348917A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-02 | Hitachi Ltd | Print wire |
| JPS5893860A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高力高導電性銅合金の製造方法 |
| JPS59170244A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 強靭無Ｃｏマルエ−ジング鋼 |
| JPS60238446A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Hitachi Metals Ltd | 耐食性の優れたｉｃリ−ドフレ−ム用合金 |
| JPH02501967A (ja) * | 1987-01-12 | 1990-06-28 | オリン コーポレーション | 半導体パッケージの成形可能な高強度リードフレームの製造方法 |
| JPH0625395B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1994-04-06 | 日立金属株式会社 | 高強度リードフレーム材料およびその製造方法 |
| JPH03197641A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Nippon Mining Co Ltd | リードフレーム材 |
| DE69119952T2 (de) * | 1990-03-23 | 1997-01-02 | Motorola Inc | Oberflächenmontierbare Halbleitervorrichtung mit selbstbeladenen Lötverbindungen |
| US5246511A (en) * | 1990-05-14 | 1993-09-21 | Hitachi Metals, Ltd. | High-strength lead frame material and method of producing same |
| JPH04231420A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-20 | Nikko Kyodo Co Ltd | リードフレーム材の製造方法 |
| MY107849A (en) * | 1991-09-09 | 1996-06-29 | Hitachi Cable | Composite lead frame and method for manufacturing the same. |
| KR930006868A (ko) * | 1991-09-11 | 1993-04-22 | 문정환 | 반도체 패키지 |
| JP2797835B2 (ja) * | 1992-05-01 | 1998-09-17 | 日本鋼管株式会社 | 耐食性、繰返し曲げ特性に優れた高強度Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金薄板およびその製造方法 |
| JPH06172895A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-21 | Yamaha Metanikusu Kk | リードフレーム用銅合金 |
| US5362679A (en) * | 1993-07-26 | 1994-11-08 | Vlsi Packaging Corporation | Plastic package with solder grid array |
| JPH0748650A (ja) * | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Hitachi Metals Ltd | 高強度リードフレーム材料およびその製造方法 |
| JP3042273B2 (ja) * | 1993-08-09 | 2000-05-15 | 日本鋼管株式会社 | 耐銹性に優れたＩＣリードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ 系合金薄板の製造方法 |
| FR2733630B1 (fr) * | 1995-04-27 | 1997-05-30 | Imphy Sa | Pattes de connexion pour composant electronique |
-
1995
- 1995-04-27 FR FR9505015A patent/FR2733630B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-05 EP EP96400735A patent/EP0740341A1/fr not_active Ceased
- 1996-04-05 EP EP99123564A patent/EP0991122A3/fr not_active Withdrawn
- 1996-04-25 US US08/639,275 patent/US5744868A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-26 CN CN96105652A patent/CN1140902A/zh active Pending
- 1996-04-26 RU RU96108126/28A patent/RU2159482C2/ru active
- 1996-04-26 KR KR1019960013244A patent/KR960039229A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-04-30 JP JP8132659A patent/JPH08306838A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-01-12 US US09/005,775 patent/US5888848A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-03 CN CN00102600A patent/CN1269605A/zh active Pending
- 2000-04-03 CN CN00102599A patent/CN1269604A/zh active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| КУРНОСОВ А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980, с. 206. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1269604A (zh) | 2000-10-11 |
| EP0991122A2 (fr) | 2000-04-05 |
| EP0740341A1 (fr) | 1996-10-30 |
| FR2733630B1 (fr) | 1997-05-30 |
| EP0991122A3 (fr) | 2000-07-26 |
| CN1140902A (zh) | 1997-01-22 |
| US5744868A (en) | 1998-04-28 |
| JPH08306838A (ja) | 1996-11-22 |
| US5888848A (en) | 1999-03-30 |
| CN1269605A (zh) | 2000-10-11 |
| KR960039229A (ko) | 1996-11-21 |
| FR2733630A1 (fr) | 1996-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2159482C2 (ru) | Соединительные выводы электронного компонента (варианты), электронный компонент (варианты) и способ его изготовления (варианты) | |
| US3952404A (en) | Beam lead formation method | |
| CN85108637B (zh) | 电子电路器件及其制造方法 | |
| EP0537982A2 (en) | Semiconductor device having improved leads | |
| USRE45987E1 (en) | Electronic component and method of manufacturing the same | |
| US20020075634A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same | |
| CN105702432B (zh) | 电子组件以及具有该电子组件的板 | |
| JP2000269398A (ja) | 半導体デバイスのアルミニウム製リードフレームおよび製造方法 | |
| US20020088845A1 (en) | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for elecronic parts having the film | |
| KR19990080573A (ko) | 반도체 패키지용 리드프레임 및 리드프레임 도금방법 | |
| KR101038491B1 (ko) | 리드프레임 및 그 제조 방법 | |
| US3457539A (en) | Electrical component with a cladded lead | |
| JP3349166B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH0616523B2 (ja) | フィルムキャリヤ及びその製造方法 | |
| KR100231832B1 (ko) | 다중 도금층을 가진 반도체 리드프레임 | |
| US6924440B2 (en) | Printed wiring board, apparatus for electrically connecting an electronic element and a substrate, and method for manufacturing a printed wiring board | |
| KR100203333B1 (ko) | 다층 도금 리드프레임 | |
| JPS6028183A (ja) | コネクタ | |
| Smith et al. | Hybrid Microcircuit Tape Chip Carrier Materials/Processing Trade-Offs | |
| KR100209264B1 (ko) | 반도체 리드 프레임 | |
| JPH04208510A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH0419970A (ja) | 電気回路部材 | |
| KR100338945B1 (ko) | 웨이퍼 스케일 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2001257303A (ja) | 電子部品用リード材及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH07123155B2 (ja) | 半導体装置用容器及びその製造方法 |