CN113620342B - 一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于纳米材料制备领域,具体为一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法,包括如下制备步骤:(1)将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中;(2)将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀;(3)一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料:将(1)种的铋源和银源加入(2)中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70~90℃反应0.5~2h;(4)将(3)中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中,在设定温度下反应一定时间得到黑色混浊物,经真空泵抽滤分离,抽虑过程中用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤;(5)将(4)中洗涤好的产物放入烘箱中干燥,在设定干燥温度下干燥完全后得到目标材料样品,得到的AgBiS2材料呈现梭子状,尺寸均一,纯度高。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备领域,特别是一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法
背景技术
硫系半导体是一种很有前途的材料,在催化、能量储存和转换以及光电子器件等领域有着潜在的应用前景,是第三代太阳能电池光伏器件用半导体材料。因为硫系半导体具有环境稳定性、制造成本低和用途广泛等优势,在未来电子行业有着巨大潜力。
硫系半导体的物理和化学性质与无机纳米材料的形状、尺寸和结构密切相关,通过采用溶液化学方法,获得了各种硫系材料所需的形状、晶体结构和形态。最近,三元硫系化合物I-V-VI2(其中I=铜、银、金;V=As,Sb,Bi;及VI=S、Se,Te)得到了广泛关注,因为它们显示出可调的电子和光学特性,适用于太阳能电池、热电和相位电荷存储器件以及线性、非线性和光电子器件。二硫化银铋(AgBiS2)以两种结构相存在,即低温相β-AgBiS2为六方结构,高温相α-AgBiS2为立方结构,相变温度为468±5K。立方相AgBiS2具有~0.8eV的直接带隙,高吸收系数α=~105cm-1(λ=600nm),已被证明在如量子点太阳能电池,热电器件等不同领域有潜在的应用。AgBiS2材料无毒害,地球资源丰富,这使其成为高效太阳能吸收器的潜在候选材料。然而,在可控形状和尺寸的AgBiS2的合成中,仍然是一个重大挑战。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种梭子状二硫化银铋纳米材料的制备方法,实现对二硫化银铋纳米材料结构和尺寸的调控。
本发明采用的技术方案如下:
一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法,包括如下制备步骤:
(1)将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中;
(2)将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀;
(3)一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料:将(1)种的铋源和银源加入(2)中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70~90℃反应0.5~2h,其中,搅拌速度先快后慢,转速为300~1200r/min,加热升温速度为5~8℃/min;
(4)将(3)中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中,在设定温度下反应一定时间得到黑色混浊物,经真空泵抽滤分离,抽虑过程中用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤;
(5)将(4)中洗涤好的产物放入烘箱中干燥,在设定干燥温度下干燥完全后得到目标材料样品,得到的AgBiS2材料呈现梭子状,尺寸均一,纯度高。
作为优选,所述铋源采用柠檬酸铋、柠檬酸铋铵、乙酸铋中的一种或多种。
作为优选,所述硫源采用硫代硫酸钠、1.3-二甲基硫脲、N-甲硫脲、氨基硫脲、四甲基硫脲、1.3-二乙基硫脲、硫脲中的一种或多种。
作为优选,所述银源采用硝酸银、高氯酸银和醋酸银中的一种或多种。
作为优选,所述控制剂为六甲基四胺、三甲基二胺、四甲基乙二胺中的一种或多种。
作为优选,银源、铋源、硫源中铋:银:铋:硫的摩尔比为1:1:2~3。
作为优选,所述银源和铋源中银元素和铋元素在乙二醇溶液中的摩尔浓度相同,其具体为0.01-0.8mol/l,所述铋源与控制剂的摩尔浓度之比为1:5~1:50。
作为优选,所述步骤(4)中设置烘箱反应温度为120-180℃,反应时间为2-6h。
作为优选,所述步骤(5)中烘箱干燥温度控制在60℃。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
(1)本发明将铋源和银源先分散至溶剂中,再加入分散好的硫源控制溶剂中,并通过控制制备搅拌、温度和反应及干燥等工艺条件,使反应得到的AgBiS2结构呈梭子状,并且均一;
(2)AgBiS2的梭子状结构使其制备的半导体材料结构规整,缺陷少,导电性能优异,储电量大;
(3)本发明采用一步法制备AgBiS2的梭子状半导体材料,操作简单,成本低,并且通过工艺过程和产物处理的优化,使得到的AgBiS2纯度较高。
附图说明
图1是本发明中实施例1得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的X射线电子衍射图谱。
图2是本发明中实施例1得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图3是本发明中实施例1得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图4是本发明中实施例2得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图5是本发明中实施例2得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图6是本发明中实施例3得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1
将5mmol乙酸铋和5mmol硝酸银在常温下超声均匀分散到50mL乙二醇溶液中;将10mmol四甲基硫脲和50mmol六甲基四胺加入圆底玻璃瓶中,搅拌从1000r/min逐步降低至500r/min,以6℃/min的升温速度加热至80℃反应1.5h;然后将混合溶液人转移至80ml聚四氟乙烯反应釜中150℃,保持12h,反应结束后得到的黑色混浊物使用真空泵抽滤分离,抽虑过程中需要用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤,最后放入真空干燥箱中60℃干燥,后将目标材料样品收集。对制备得到的AgBiS2纳米团簇的进行X射线电子衍射表征,如图1所示,图谱中的衍射峰对应于立方相的AgBiS2(JCPDS No.89-2046),且没有其他杂峰出现,XRD图谱证明了该反应合成了AgBiS2纳米材料;将制备的样品进行扫描电子显微镜表征如图2、3所示,可以看出AgBiS2纳米材料为梭子状,结构和大小均匀。
实施例2
将5mmol乙酸铋和5mmol硝酸银在常温下超声均匀分散到50mL乙二醇溶液中;将10mmol四甲基硫脲和80mmol六甲基四胺加入圆底玻璃瓶中,搅拌从1200r/min逐步降低至300r/min,以8℃/min的升温速度加热至70℃反应1.0h;
然后将混合溶液人转移至80ml聚四氟乙烯反应釜中180℃,保持12h,反应结束后得到的黑色混浊物使用真空泵抽滤分离,抽虑过程中需要用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤,最后放入真空干燥箱中60℃干燥,后将目标材料样品收集。将制备的样品进行扫描电子显微镜表征如图4、5所示,可以看出AgBiS2纳米材料为梭子状,结构和大小均匀。
实施例3
将5mmol乙酸铋和5mmol硝酸银在常温下超声均匀分散到50mL乙二醇溶液中;将10mmol1.3-二甲基硫脲和25mmol六甲基四胺加入圆底玻璃瓶中,搅拌从1100r/min逐步降低至500r/min,以5℃/min的升温速度加热至90℃反应1.0h;然后将混合溶液人转移至聚四氟乙烯反应釜中150℃,保持12h,反应结束后得到的黑色混浊物使用真空泵抽滤分离,抽虑过程中需要用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤,最后放入真空干燥箱中60℃干燥,后将目标材料样品收集。将制备的样品进行扫描电子显微镜表征如图6所述。
Claims (4)
1.一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法,其特征在于,包括如下制备步骤:
将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中;
将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀;
一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料:将(1)种的铋源和银源加入(2)中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70~90℃反应0.5~2 h,其中,搅拌速度先快后慢,转速为300~1200 r/min,加热升温速度为5~8℃/min;
将(3)中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中,在设定温度下反应一定时间得到黑色混浊物,经真空泵抽滤分离,抽虑过程中用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤;所述烘箱反应温度为120-180℃,反应时间为2-6h;
将(4)中洗涤好的产物放入烘箱中干燥,在设定干燥温度下干燥完全后得到目标材料样品,所述烘箱干燥温度控制在60℃,得到的AgBiS2材料呈现梭子状,尺寸均一,纯度高;所述控制剂为六甲基四胺、三甲基二胺、四甲基乙二胺中的一种或多种;
银源、铋源、硫源中铋:银:铋:硫的摩尔比为1:1:2~3;
所述银源和铋源中银元素和铋元素在乙二醇溶液中的摩尔浓度相同,其具体为0.01-0.8mol/l,所述铋源与控制剂的摩尔浓度之比为1:5~1:50。
2.如权利要求1所述一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法,其特征在于,所述铋源采用柠檬酸铋、柠檬酸铋铵、乙酸铋中的一种或多种。
3.如权利要求1或2所述一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法,其特征在于,所述硫源采用硫代硫酸钠、1.3-二甲基硫脲、N-甲硫脲、氨基硫脲、四甲基硫脲、1.3-二乙基硫脲、硫脲中的一种或多种。
4.如权利要求3所述一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法,其特征在于,所述银源采用硝酸银、高氯酸银和醋酸银中的一种或多种。
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