CN112562497A - 显示面板和显示面板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板，基板和设于基板表面的走线层；所述基板包括衬底和位于所述衬底靠近所述走线层一侧的挡墙；所述基板靠近所述走线层一侧具有第一凹陷区，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影至少部分覆盖所述挡墙远离所述衬底的顶面；所述走线层具有第二凹陷区，所述第二凹陷区在所述基板的正投影至少部分覆盖所述第一凹陷区。本发明中显示面板和显示面板的制备方法，提高了挡墙上方走线层的制备良率，以提高显示面板的成品良率。

Description

显示面板和显示面板的制备方法

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板和显示面板的制备方法。

背景技术

现有显示面板通常采用薄膜封装结构对显示器件进行封装，以防止水、氧入侵至显示器件，造成显示器件失效。薄膜封装结构包括交替层叠的多层无机层和有机层，有机层形成在无机层之间被无机层包覆，以实现平坦和释放应力的作用，同时在基板上会形成有一定高度的挡墙，以防止在有机层形成过程中，有机层溢流至无机层外，从而保证薄膜封装结构的封装可靠性。

然而，发明人发现显示面板中在挡墙上制备走线层时易出现短路或断路的情况，挡墙上方走线层的制备良率不高，导致显示面板的成品良率不高。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板和显示面板的制备方法，提高了挡墙上方走线层的制备良率，以提高显示面板的成品良率。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：基板和设于基板表面的走线层；所述基板包括衬底和位于所述衬底靠近所述走线层一侧的挡墙；所述基板靠近所述走线层一侧具有第一凹陷区，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影至少部分覆盖所述挡墙远离所述衬底的顶面；所述走线层具有第二凹陷区，所述第二凹陷区在所述基板的正投影至少部分覆盖所述第一凹陷区。

另外，所述基板还包括：位于所述挡墙远离所述基板一侧的无机层，所述走线层位于所述无机层远离所述基板一侧；所述挡墙和所述无机层中的至少一者具有减薄区，以形成所述第一凹陷区；或者，所述基板还包括：位于所述挡墙远离所述基板一侧层叠设置的无机层和缓冲层，所述走线层位于所述缓冲层远离所述基板一侧；所述挡墙、所述无机层、所述缓冲层中至少一者具有减薄区，以形成所述第一凹陷区。

另外，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一凹陷区的深度在0.45微米～1.35微米之间。由于第一凹陷区的深度在0.45～1.35微米之间，则第二凹陷区的凹陷深度与第一凹陷区的深度大致相同，也在0.45～1.35微米之间，第二凹陷区上留住的光刻胶的厚度大致在1微米～1.9微米之间，从而使得位于挡墙上的走线层上方的光刻胶厚度与基板上的光刻胶厚度大致相同，改善了位于挡墙上的走线层上方的光刻胶流失而导致的挡墙上方走线层短路或断路的情况。

另外，所述第一凹陷区的深度为0.5微米。

另外，在远离所述衬底的方向上，所述第一凹陷区的开口面积逐渐增大。该方案中本实施例中将第一凹陷区设置成上宽下窄的形状，使得第二凹陷区所在部位的侧壁能够留住在图案化走线层时涂布的光刻胶；从而避免了第一凹陷区设置成上窄下宽的结构而留不住光刻胶，导致挡墙上方走线层短路或断路的情况。

另外，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影完全覆盖所述挡墙远离所述衬底的顶面；或者，所述第一凹陷区远离所述衬底的开口边缘，与所述挡墙远离所述衬底的顶面边缘间隔预设距离。

另外，第一凹陷区垂直于所述衬底方向上的剖面形状呈倒梯形或弧形。由于倒梯形和弧形为下降坡度较缓的结构，如此，与第一凹陷区正对的第二凹陷区的剖面形状的下降坡度也较缓，使得第二凹陷区上方的光刻胶厚度较为均匀，避免第二凹陷区上方的光刻胶厚度不一，而导致第二凹陷区所在位置的走线层短路或断路的情况。

另外，所述第一凹陷区具有平滑内壁面。该方案中便于制备具有平滑内壁面的第一凹陷区。

另外，在垂直于所述衬底的方向上，所述挡墙的剖面形状呈梯形，所述底角在30°～60°之间。本方案将挡墙的剖面形状制备呈梯形，且梯形底角在30°～60°之间，挡墙侧壁的坡度较为缓和，可以较好地保留挡墙侧壁上方的光刻胶，从而避免了挡墙侧壁坡度较陡使得坡面上方的光刻胶无法保留落在基板上，导致基板上走线层偏细、电阻较大的情况。

另外，所述走线层至少包括以下之一或任意组合：数据走线层、信号走线层。

本发明的实施方式还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板表面形成走线层，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底靠近所述走线层一侧的挡墙，所述基板靠近所述走线层一侧具有第一凹陷区，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影至少部分覆盖所述挡墙远离所述衬底的顶面，所述走线层具有第二凹陷区，所述第二凹陷区在所述基板的正投影至少部分覆盖所述第一凹陷区。

本发明实施方式相对于相关技术而言提供了一种显示面板，由于基板靠近走线层一侧的表面具有第一凹陷区，且第一凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面，因此，第二凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影也至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面。由于第二凹陷区的存在，图案化走线层时可以留住位于挡墙上的走线层上方的光刻胶，使得位于挡墙上的走线层上方的光刻胶厚度与基板上的光刻胶厚度大致相同；以避免位于挡墙上的走线层上方的光刻胶过薄，而导致光刻胶过早耗净，走线层位于挡墙上方的部分在干刻时出现断路的情况；或者，位于挡墙上的走线层上方的光刻胶落在基板上，导致基板上光刻胶过厚，在进行曝光显影时无法被刻蚀掉而发生短路的情况，从而提高了挡墙上方走线层的制备良率，以提高显示面板的成品良率。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本发明一实施方式提供的显示面板俯视结构示意图；

图2是本发明第一实施方式提供的显示面板剖视结构示意图；

图3是本发明第二实施方式提供的显示面板剖视结构示意图；

图4是本发明第三实施方式提供的显示面板剖视结构示意图；

图5是本发明第四实施方式提供的显示面板剖视结构示意图；

图6是本发明第五实施方式提供的显示面板剖视结构示意图；

图7是本发明第六实施方式提供的显示面板剖视结构示意图；

图8是本发明提供的显示面板制备方法流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

现有显示面板中通常在衬底上形成有一定高度的挡墙，之后在挡墙上方形成薄膜封装层，以防止在形成薄膜封装层中有机层的过程中，有机层溢流至无机层外而导致封装失效。因此，位于显示区内、且位于封装层上方的走线层需经过挡墙后与非显示区的IC或FPC电路板电连接，从而实现信号导通。

在图案化封装层上方的走线层时，需在走线层上涂布光刻胶，由于挡墙与衬底之间存在高度差，因此，位于挡墙上的走线层上方的光刻胶很容易流下来落在基板上，导致位于挡墙上的走线层上方的光刻胶过薄，而导致光刻胶过早耗净，使得走线层位于挡墙上方的部分在干刻时出现断路的情况；或者，基板上光刻胶过厚，在进行曝光显影时无法被刻蚀掉而出现短路的情况，导致挡墙上方走线层的制备良率不高，使得显示面板的成品良率不高。

针对于此，本发明涉及一种显示面板，本申请的核心在于显示面板包括：基板和设于基板表面的走线层4；基板包括衬底1和位于衬底1靠近走线层4一侧的挡墙3；基板靠近走线层4一侧具有第一凹陷区30，第一凹陷区30在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面；走线层4具有第二凹陷区40，第二凹陷区40在基板的正投影至少部分覆盖第一凹陷区30。

由于基板靠近走线层4一侧的表面具有第一凹陷区30，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40；且由于第一凹陷区30在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面，因此，第二凹陷区40在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影也至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面。由于第二凹陷区40的存在，图案化走线层4时可以留住位于挡墙4上的走线层4上方的光刻胶，削弱甚至是消除挡墙区域与非挡墙区域高度差对光刻胶厚度的影响，使得位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶厚度与基板上非挡墙区域的光刻胶厚度大致相同；以避免位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶过薄，而导致光刻胶过早耗净，走线层4位于挡墙3上方的部分在干刻时出现断路的情况；或者，位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶落在基板上，导致基板非挡墙区域的光刻胶过厚，在进行曝光显影时无法被刻蚀掉而发生短路的情况，从而提高了挡墙3上方走线层4的制备良率，以提高显示面板的成品良率。

图1为本申请一实施方式提供的显示面板俯视结构示意图；图2-图7为本申请提供的不同实施方式下的显示面板剖视结构示意图，剖视图方向如图1所示的AA’方向。下面结合图1-图7对本申请显示面板实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。

如图2-图6所示，该实施方式中，基板还包括：位于挡墙3背离衬底1一侧的无机层，走线层4位于无机层背离衬底1一侧，挡墙3、无机层中的至少一者具有减薄区，以形成第一凹陷区30。挡墙3、无机层中的至少一者具有减薄区，也就是说，通过将挡墙3或者无机层膜层中的至少一个膜层的部分区域做减薄处理。可以理解，做减薄处理的区域在挡墙3上的正投影要和挡墙3上表面存在至少部分区域的交叠，这样基板对应挡墙3的区域就存在凹陷区域，从而可以解决由于挡墙3的存在造成的挡墙区域和非挡墙区域走线层进行图形化时候，位于其上的光刻胶厚度差异大的问题，从而提高显示面板走线层制备良率。当然，可以同时将挡墙3和无机层膜层两者对应挡墙的区域都做减薄处理，只要能够在基板形成第一凹陷区30即可，具体哪个膜层具有减薄区本申请对此不做限制。

如图7所示，该实施方式中，基板还可以包括位于挡墙3远离基板一侧层叠设置的无机层和缓冲层5，缓冲层5位于无机层背离衬底1的一侧，此时，挡墙3、无机层、缓冲层5中至少一者具有减薄区，以形成第一凹陷区30。

基板划分为显示区101以及位于显示区101***的非显示区102。基板还包括：位于显示区101的发光器件层(图中未示出)，以及位于发光器件层上方的薄膜封装层2，薄膜封装层2包括在发光器件层上交替层叠的多层无机层和有机层。本实施例中薄膜封装层2包括第一无机层21、有机层22以及第二无机层23，此处仅为图示说明，在实际应用中有机层和无机层的层数可根据实际需求自行设置。挡墙3位于衬底1和无机层，本实施方式中，第一无机层21位于第二无机层22靠近衬底1一侧，则挡墙3位于第一无机层21和衬底1之间，挡墙3位于显示区101***、围绕发光器件层设置，以在形成封装层的有机层时起到阻挡作用，避免有机层溢流，提高封装效果。挡墙3的数量可以根据实际情况进行设置，如挡墙3包括第一挡墙和第二挡墙，第二挡墙围绕第一挡墙，第二挡墙设置在第一挡墙远离显示区的一侧，以提高封装效果。无机层上方设置有走线层4，位于显示区101内的走线层4需经过挡墙3后与位于非显示区102的IC或FPC电路板等结构电连接，从而实现信号导通。

通过将挡墙3、无机层中的至少一个膜层做减薄处理以形成减薄区，其他膜层正常制作以形成第一凹陷区30。参照图2-图4，仅将挡墙3、无机层中一个膜层做减薄处理，具体的，挡墙3背离衬底1一侧具有减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。

具体地说，通过在挡墙3背离衬底1一侧通过减薄设计形成减薄区，该减薄区至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面。由于挡墙上减薄区的存在，形成在挡墙3上方的其他膜层(例第一无机层21、第二无机层23)形成凹陷，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面具有第一凹陷区30。由于该第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

如图5或图6所示，本实施例中无机层背离衬底1一侧具有减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。

具体地说，无机层为薄膜封装层2中的无机层，当无机层包括多个子层时候，可以是在任一子层形成减薄区，或者各层均做减薄处理。如图5所示，无机层包括第一无机层21和第二无机层23，在第一无机层21远离衬底1的一侧通过减薄设计形成减薄区，该减薄区在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影、至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面。由于第一无机层21上减薄区的存在，形成在第一无机层21上方的其他膜层(例如第二无机层23)形成凹陷，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面具有第一凹陷区30。由于该第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

如图6所示，在第二无机层23远离衬底1的一侧通过减薄设计形成减薄区，该减薄区在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影、至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面。由于第二无机层23上减薄区的存在，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面具有第一凹陷区30。由于第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

在其他实施方式中，挡墙3、无机层可以都做减薄处理。具体的，一实施方式中，将挡墙3背离衬底1一侧和无机层背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。

由于无机层包括：第一无机层21和第二无机层23，因此，本实施例中，可在将挡墙3、第一无机层21和第二无机层23均做减薄处理时，或者，对挡墙3和第一无机层21做减薄处理，或者，对挡墙3和第二无机层23做减薄处理。

值得说明的是，上述三种实现方式中，第一凹陷区30的深度与第二凹陷区40的凹陷深度大致相同；且在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的剖面形状与第二凹陷区40的剖面形状大致相同。

进一步的，走线层4包括触控走线层，从而检测用户的触摸操作。走线层4至少包括以下之一或任意组合：数据走线层、信号走线层其中，数据走线层用于传输数据信号，信号走线层用于传输扫描信号。

一实施方式中，在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的深度在0.45微米～1.35微米之间。

具体地说，由于挡墙3的存在，导致在图案化走线层4时走线层4上方涂布的光刻胶厚度不一，发明人发现该光刻胶位于基板上的正常厚度大约在1.5微米～1.9微米左右，而位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶的厚度大约在0.55微米左右，位于挡墙3底部的基板上的光刻胶厚度大约在3.85微米左右。本实施例中由于在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的深度在0.45～1.35微米之间，由于第一凹陷区30的深度与第一凹陷区30的凹陷深度、以及第二凹陷区40的凹陷深度大致相同，因此，第二凹陷区40的深度也在0.45～1.35微米之间。发明人发现：第二凹陷区40能够留住在图案化走线层4时涂布的光刻胶，且第二凹陷区40上留住的光刻胶的厚度大致在1微米～1.9微米之间，从而使得位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶厚度与基板上的光刻胶厚度大致相同，改善了位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶流失而导致的挡墙3上方走线层4短路或断路的情况。

较佳地，第一凹陷区30的深度为0.5微米，此时，第二凹陷区40的深度大致也为0.5微米，第二凹陷区40上的光刻胶的厚度大致为1.05微米。

进一步地，在远离衬底1的方向上，第一凹陷区30的开口面积逐渐增大。由于在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的剖面形状与第二凹陷区40所在部位的剖面形状大致相同，因此，将第一凹陷区30设置成上宽下窄的形状，使得第二凹陷区40所在部位的侧壁能够留住在图案化走线层4时涂布的光刻胶；从而避免了第一凹陷区30设置成上窄下宽的结构而留不住光刻胶，导致挡墙3上方走线层4短路或断路的情况。

作为一种可实现的方式，如图3所示，第一凹陷区30在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影完全覆盖挡墙3远离衬底1的顶面。由于在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的剖面形状与第二凹陷区40所在部位的剖面形状大致相同，因此，当第一凹陷区30在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影完全覆盖挡墙3远离衬底1的顶面时，第二凹陷区40在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影也完全覆盖挡墙3远离衬底1的顶面，从而使得第二凹陷区40上方的光刻胶厚度较为均匀，避免第二凹陷区40上方的光刻胶厚度差异较大，而导致第二凹陷区40所在位置的走线层4短路或断路的情况。

作为另一种可替换的方式，如图4所示，第一凹陷区30远离衬底1的开口边缘，与挡墙3远离衬底1的顶面边缘间隔预设距离。由于在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的剖面形状与第二凹陷区40所在部位的剖面形状大致相同，因此，第二凹陷区40的凹陷部分的开口边缘，与挡墙3远离衬底1的顶面边缘间隔预设距离，如此，避免了开口边缘与挡墙3远离衬底1的顶面边缘相接处所形成的角度较小，而导致走线层4在相接处无法成膜、发生断裂的情况，提高了显示面板的制备可靠性。

值得说明的是，由于第一凹陷区30的开口边缘与挡墙3远离衬底1的顶面边缘间隔预设距离，若该预设距离过大，则可能会导致第二凹陷区40上方的光刻胶厚度差异较大的情况出现，为避免此种情况出现，假设本实施例中挡墙3远离衬底1的顶面的中心点，与该顶面的边缘之间具有第一距离，则该预设距离不能大于该第一距离的二分之一。

进一步地，第一凹陷区30垂直于衬底1方向上的剖面形状呈倒梯形或弧形。

本实施例中给出了第一凹陷区30垂直于衬底1方向上的的剖面形状，如图2所示第一凹陷区30的剖面形状呈倒梯形，如图3所示第一凹陷区30的剖面形状呈倒梯形。倒梯形和弧形为下降坡度较缓的形状。由于在垂直于衬底1的方向上，第一凹陷区30的剖面形状与第一凹陷区所在部位的剖面形状、以及第二凹陷区40所在部位的剖面形状大致相同，因此，第二凹陷区40所在部位的下降坡度也较缓，使得第二凹陷区40上方的光刻胶厚度较为均匀，避免第二凹陷区40上方的光刻胶厚度不一，而导致第二凹陷区40所在位置的走线层4短路或断路的情况。

值得说明的是，本实施方式中第一凹陷区30的形状也可以为其他形状，只要该第一凹陷区30的下降坡度较缓，均可达到本实施例中的目的，本实施例中不做穷举。本实施例中还可通过降低倒梯形和弧形的下降坡度，以进一步保证第二凹陷区40上方的光刻胶厚度的均一性。

可实现地，第一凹陷区30内壁面可以呈台阶状，而为了便于制备，本实施方式中第一凹陷区30具有平滑内壁面。

在垂直于衬底1的方向上，挡墙3的剖面形状呈梯形，梯形的底角在30°～60°之间。本实施例中将挡墙3的剖面形状制备呈梯形，且梯形的底角在30°～60°之间，挡墙3侧壁的坡度较为缓和，可以较好地保留挡墙3侧壁上方的光刻胶，从而避免了挡墙3侧壁坡度较陡而导致坡面上方的光刻胶无法保留落在基板上，如此在进行曝光显影时导致走线偏细、电阻较大的情况。

与相关技术相比，本发明实施方式提供了一种显示面板，由于基板靠近走线层4一侧的表面具有第一凹陷区30，使得在基板上形成的走线层4具有在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面的第一凹陷区30，因此，第二凹陷区40在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面设置。由于第二凹陷区40的存在，图案化走线层4时可以留住位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶，使得位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶厚度与基板上的光刻胶厚度大致相同；以避免位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶过薄，而导致光刻胶过早耗净，走线层4位于挡墙3上方的部分在干刻时出现断路的情况；或者，位于挡墙3上的走线层4上方的光刻胶落在基板上，导致基板上光刻胶过厚，在进行曝光显影时无法被刻蚀掉而发生短路的情况，从而提高了挡墙3上方走线层4的制备良率，以提高显示面板的成品良率。

如图7所示，该实施方式与图1-图6所示的实施方式大致相同，不同之处在于，本实施方式中基板还包括：位于挡墙3背离衬底1一侧层叠设置的无机层和缓冲层5，走线层4位于缓冲层5背离衬底1一侧，挡墙3、无机层、缓冲层5中的至少一者具有减薄区，以形成第一凹陷区30。

具体地说，本实施例与图1-图6所示的实施方式中基板的结构大致相同，不同之处在于，本实施例的基板还包括位于无机层和走线层4之间的缓冲层5。

当基板还包括无机层和缓冲层时，通过将挡墙3、无机层、缓冲层5中的至少一个膜层做减薄处理以形成减薄区，其他膜层正常制作以形成第一凹陷区30。

一实施方式中，挡墙3、无机层、缓冲层5中一个膜层做减薄处理。具体的挡墙3背离衬底1一侧具有减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30；或无机层背离衬底1一侧具有减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。仅在挡墙3或无机层背离衬底1一侧具有减薄区的实施方式上文已有所描述，为避免重复，本实施例中不再赘述。

此外，如图7所示，还可以是仅在缓冲层5背离衬底1一侧具有减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。具体地说，通过对缓冲层5背离衬底1一侧进行减薄处理以得到减薄区，该减薄区在挡墙3远离衬底1的顶面的正投影、至少部分覆盖挡墙3远离衬底1的顶面。由于缓冲层5上减薄区的存在，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面具有第一凹陷区30。由于第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

一实施方式中，将挡墙3、无机层、缓冲层5中两者都做减薄处理。具体的，一实施例中将挡墙3背离衬底1一侧和无机层背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。该实现方式与上文图1-图6实施方式中将挡墙3背离衬底1一侧和无机层背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区大致相同，为避免重复，本实施例中不再赘述。

又一实施例中，挡墙3和缓冲层5背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。具体地说，本实施例中将挡墙3背离衬底1一侧和缓冲层5背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。由于第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

再一实施例中，无机层和缓冲层5背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。具体地说，本实施例中将无机层背离衬底1一侧和缓冲层5背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。由于第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

由于无机层包括：第一无机层21和第二无机层23，因此，可在将缓冲层5、第一无机层21和第二无机层23均做减薄处理，或者，对缓冲层5和第一无机层21做减薄处理，或者，对缓冲层5和第二无机层23做减薄处理。

另一实施方式中，可以将挡墙3、无机层、缓冲层5中三者均做减薄处理，具体的，本实施例中将挡墙3、无机层和缓冲层5背离衬底1一侧均通过减薄设计形成减薄区，以使基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。具体地说，本实施例中同时将挡墙3、无机层和缓冲层5背离衬底1一侧通过减薄设计形成减薄区，从而使得基板靠近走线层4一侧的表面形成第一凹陷区30。由于第一凹陷区30的存在，使得在基板上形成的走线层4具有与第一凹陷区30正对的第二凹陷区40。

由于无机层包括：第一无机层21和第二无机层23，因此，本实施例中，可将挡墙3、第一无机层21、第二无机层23和缓冲层5均做减薄处理，或者，将挡墙3、第一无机层21和缓冲层5均做减薄处理，或者，将挡墙3、第二无机层23和缓冲层5均做减薄处理。

上述图7示例的基板包括挡墙3，还包括位于挡墙远离3基板一侧层叠设置的无机层和缓冲层5，走线层4位于缓冲层5远离基板一侧的第一方面的实施方式，与图1-6示例的基板包括挡墙3，还包括位于挡墙3远离基板一侧的无机层，走线层4位于无机层远离基板一侧的第二方向的实施方式为大致相同的实施方式，主要区别在于基板是否包含缓冲层5，以及由缓冲层5而产生的减薄区设置膜层组合方式，因此，第一方面的实施方式中的部分实施细节可以应用第二方面实施方式中去。为避免重复，不再赘述。

需要说明的是，在制备第一凹陷区30的工艺过程中，可采用半色调掩模版，将挡墙3、无机层或缓冲层5做成下凹形状形成第一凹陷区30。半色调掩模版在于部分透光性，利用这一特点可在挡墙3、无机层或缓冲层5顶部曝光时通过透光性不同，两侧透光性低，中间透光性高的特点，形成下凹型的表面以形成第一凹陷区30，制备工艺简单。

本发明还涉及一种显示面板的制备方法，显示面板的制备方法的流程示意图如图8所示，具体包括：

步骤101：提供基板，基板包括衬底。

具体的说，本实施方式中基板包括：衬底、以及位于衬底上的驱动器件层，其中，衬底可以为柔性衬底(例如：聚酰亚胺)，也可为刚性衬底(例如：玻璃)。基板包括：显示区以及位于显示区***的非显示区，基板上的显示区内设置有发光器件层，驱动器件层用于为发光器件层提供驱动信号以点亮发光器件层中的发光器件。

基板还包括：位于发光器件层上方的薄膜封装层，薄膜封装层包括在发光器件层上交替层叠的多层无机层和有机层。挡墙位于衬底和薄膜封装层之间，且位于显示区***、围绕发光器件层设置。发光器件层远离基板的一侧还设置有交替层叠的多层无机封装层和有机层，挡墙可在形成有机膜层时，避免有机层溢流至无机层外。

步骤102：在基板表面形成走线层，其中，基板还包括位于衬底靠近走线层一侧的挡墙，基板靠近述走线层一侧具有第一凹陷区，第一凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面，走线层具有第二凹陷区，第二凹陷区在基板的正投影至少部分覆盖第一凹陷区。

具体地说，薄膜封装层上方设置有走线层，位于显示区内的走线层需经过挡墙后与位于非显示区的IC或FPC电路板电连接，从而实现信号导通。由于基板靠近走线层一侧的表面具有第一凹陷区，且第一凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面，因此，第二凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影也至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面。由于第二凹陷区的存在，图案化走线层时可以留住位于挡墙上的走线层上方的光刻胶，使得位于挡墙上的走线层上方的光刻胶厚度与基板上的光刻胶厚度大致相同；以避免位于挡墙上的走线层上方的光刻胶过薄，而导致光刻胶过早耗净，走线层位于挡墙上方的部分在干刻时出现断路的情况；或者，位于挡墙上的走线层上方的光刻胶落在基板上，导致基板上光刻胶过厚，在进行曝光显影时无法被刻蚀掉而发生短路的情况，从而提高了挡墙上方走线层的制备良率，以提高显示面板的成品良率。

与相关技术相比，本发明实施方式中提供了一种显示面板的制备方法，由于基板靠近走线层一侧的表面具有第一凹陷区，且第一凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面，因此，第二凹陷区在挡墙远离衬底的顶面的正投影也至少部分覆盖挡墙远离衬底的顶面。由于第二凹陷区的存在，图案化走线层时可以留住位于挡墙上的走线层上方的光刻胶，从而使得位于挡墙上的走线层上方的光刻胶厚度与基板上的光刻胶厚度大致相同，改善了位于挡墙上的走线层上方的光刻胶流失而导致的挡墙上方走线层短路或断路的情况。

上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板和设于基板表面的走线层；

所述基板包括衬底和位于所述衬底靠近所述走线层一侧的挡墙；

所述基板靠近所述走线层一侧具有第一凹陷区，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影至少部分覆盖所述挡墙远离所述衬底的顶面；

所述走线层具有第二凹陷区，所述第二凹陷区在所述基板的正投影至少部分覆盖所述第一凹陷区。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板还包括：位于所述挡墙远离所述基板一侧的无机层，所述走线层位于所述无机层远离所述基板一侧；所述挡墙和所述无机层中的至少一者具有减薄区，以形成所述第一凹陷区；

或者，所述基板还包括：位于所述挡墙远离所述基板一侧层叠设置的无机层和缓冲层，所述走线层位于所述缓冲层远离所述基板一侧；所述挡墙、所述无机层、所述缓冲层中至少一者具有减薄区，以形成所述第一凹陷区。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一凹陷区的深度在0.45微米～1.35微米之间；优选地，所述第一凹陷区的深度为0.5微米。

4.根据权利要求1中所述的显示面板，其特征在于，在远离所述衬底的方向上，所述第一凹陷区的开口面积逐渐增大。

5.根据权利要求4中所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影完全覆盖所述挡墙远离所述衬底顶面；或者，所述第一凹陷区远离所述衬底的开口边缘，与所述挡墙远离所述衬底的顶面边缘间隔预设距离。

6.根据权利要求4中所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹陷区垂直于所述衬底方向上的剖面形状呈倒梯形或弧形。

7.根据权利要求4中所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹陷区具有平滑内壁面。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述挡墙的剖面形状呈梯形，所述梯形底角在30°～60°之间。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述走线层至少包括以下之一或任意组合：数据走线层、信号走线层。

10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板表面形成走线层，其中，所述基板包括衬底和位于所述衬底靠近所述走线层一侧的挡墙，所述基板靠近所述走线层一侧具有第一凹陷区，所述第一凹陷区在所述挡墙远离所述衬底的顶面的正投影至少部分覆盖所述挡墙远离所述衬底的顶面，所述走线层具有第二凹陷区，所述第二凹陷区在所述基板的正投影至少部分覆盖所述第一凹陷区。

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