CN219352274U - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括显示区和位于显示区一侧的扇形走线区，阵列基板包括从显示区延伸至扇形走线区的多条信号线，其中，在扇形走线区，信号线层叠布置于至少两层金属层中，信号线具有相互连接的直线部和弯折部，且位于上层金属层的直线部的长度小于位于其下层金属层的直线部的长度。该阵列基板可以降低信号线在扇形走线区的爬坡断线或者短路风险，提高显示面板的可靠性。

Description

阵列基板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

在小尺寸显示器的扇形走线区(Fanout)设计中，因布线空间较小无法实现单层金属布线，部分信号线需要进行跳线设计，故扇形走线区会存在多条信号线的叠层设计。但是在工艺制程时信号线的叠层部分存在爬坡断线或者短路的风险。

实用新型内容

本申请的目的旨在提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其可以降低部分信号线在扇形走线区的爬坡断线或者短路风险，提高显示面板的可靠性。

第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板，包括显示区和位于显示区一侧的扇形走线区，阵列基板包括从显示区延伸至扇形走线区的多条信号线，其中，在扇形走线区，信号线层叠布置于至少两层金属层中，信号线具有相互连接的直线部和弯折部，且位于上层金属层的直线部的长度小于位于其下层金属层的直线部的长度。

在一种可能的实施方式中，弯折部包括过渡部和斜线部，过渡部连接直线部和斜线部，位于上层金属层的斜线部与位于其下层金属层的斜线部至少部分相互重叠。

在一种可能的实施方式中，位于上层金属层的过渡部的宽度大于位于该层的斜线部与位于其下层金属层的斜线部的相互重叠部分的宽度。

在一种可能的实施方式中，位于扇形走线区的部分信号线与对应的位于显示区的信号线之间通过转接孔相互电连接。

在一种可能的实施方式中，阵列基板包括衬底基板和依次形成于衬底基板上的第一金属层、绝缘层和第二金属层，在显示区，多条信号线位于第二金属层，在扇形走线区，部分信号线由第二金属层通过位于绝缘层的转接孔跳线至第一金属层。

在一种可能的实施方式中，第一金属层包括在扇形走线区刻蚀形成的第一信号线；第二金属层包括在扇形走线区刻蚀形成的第二信号线，第一信号线与第二信号线的过渡部相交。

在一种可能的实施方式中，位于第二金属层的直线部的长度小于位于第一金属层的直线部的长度，位于第二金属层的斜线部与位于第一金属层的斜线部至少部分相互重叠。

在一种可能的实施方式中，位于第二金属层的过渡部的宽度为W1，位于第二金属层的斜线部与位于第一金属层的斜线部的相互重叠部分的宽度为W2，且满足以下条件：W1>W2。

在一种可能的实施方式中，W2＝1/3*W1～1/2*W1。

第三方面，本申请实施例提出了一种显示面板，包括：如前所述的阵列基板。

根据本申请实施例提供的阵列基板及显示面板，通过将位于扇形走线区的部分信号线层叠布置于至少两层金属层中，每条信号线具有相互连接的直线部和弯折部，且位于上层金属层的直线部的长度小于位于其下层金属层的直线部的长度。由于扇形走线区的部分信号线中，位于上层金属层的信号线先于其下层金属层的信号线弯折设置，可以降低位于上层金属层的部分信号线在扇形走线区的爬坡断线或者短路风险，提高显示面板的可靠性。

附图说明

下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。

图1示出本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图2示出相关技术中扇形走线区的结构示意图；

图3示出图1中扇形走线区的放大结构示意图；

图4示出图3中扇形走线区的剖面结构示意图；

图5示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

附图标记说明：

1、阵列基板；AA、显示区；FA、扇形走线区；L、信号线；L1、弯折部；L11、过渡部；L12、斜线部；L2、直线部；H、转接孔；

10、衬底基板；11、第一金属层；111、第一信号线；12、绝缘层；13、第二金属层；131、第二信号线。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

图1示出本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2示出相关技术中扇形走线区的结构示意图，图3示出图1中扇形走线区的放大结构示意图。

如图1和图3所示，本申请实施例提出了一种阵列基板，包括显示区AA和位于显示区AA一侧的扇形走线区FA，阵列基板包括从显示区AA延伸至扇形走线区FA的多条信号线L，可选地，信号线L为数据线。

其中，在扇形走线区FA，信号线L层叠布置于至少两层金属层中，信号线L具有相互连接的直线部L2和弯折部L1，且位于上层金属层的直线部L2的长度小于位于其下层金属层的直线部L2的长度。其中，扇形走线区FA的直线部L2平行于显示区的信号线L设置。

如图2所示，相关技术中，扇形走线区FA的数据线层叠布置于两层金属层中，上层金属层的数据线比下层金属层的数据线拐弯长，导致上层金属层的数据线比下层金属层的数据线在金属层重叠的地方容易发生爬坡断线，且在制程过程中容易发生短路。

为解决上述技术问题，本申请实施例中，将位于上层金属层的信号线L先于位于其下层金属层的信号线L折弯，即上层金属层的信号线L的直线部L2的长度小于其下层金属层的信号线L的直线部L2的长度，从而可以使上层金属层的信号线L与其下层金属层的信号线L的重叠处避开上层金属层的弯折部L1，避免上层金属层的信号线L在弯折部L1的拐弯处爬坡断线，进而降低在制程过程中发生短路的风险。

具体来说，如图1和图3所示，阵列基板包括多条数据线，一部分数据线由显示区AA延伸至扇形走线区FA且均位于同一金属层中，另一部分数据线在扇形走线区FA跳线至其他金属层中，即扇形走线区FA的部分数据线层叠布置于至少两层金属层中，例如两层金属层中。信号线L具有相互连接的直线部L2和弯折部L1，弯折部L1的末端延伸至绑定区，绑定区可以与覆晶薄膜电连接。

在扇形走线区FA的层叠布置的两层金属层中，位于最上层金属层的数据线在直线部L2延伸预设距离后，先拐弯形成弯折部L1，位于其下层金属层的数据线在上层金属层的数据线的弯折部L1爬行一段距离后再拐弯形成弯折部L1，两条数据线的弯折部L1相隔一定距离，从而可以使上层金属层的信号线L的弯折部L1与其下层金属层的信号线L的弯折部L1避开金属层重叠处设置，避免上层金属层的信号线L的弯折部L1爬坡断线，进而降低在制程过程中发生短路的风险。

可以理解的是，扇形走线区FA的数据线等信号线L也可以布置于三层或者更多层金属层中，以扇形走线区FA的信号线L布置于三层金属层为例，最上层的金属层的信号线L的弯折部L1先于其下面中间金属层的信号线L的弯折部L1拐弯，中间金属层的信号线L的弯折部L1先于最下方金属层的信号线L的弯折部L1拐弯，三层金属层的信号线L的弯折部L1相互错开，从而可以避免在弯折部L1在重叠处爬坡断线，进而降低在制程过程中发生短路的风险。

根据本申请实施例提供的阵列基板，通过将位于扇形走线区FA的部分信号线L布置于层叠设置的至少两层金属层中，每条信号线L具有相互连接的直线部L2和弯折部L1，且位于上层金属层的直线部L2的长度小于位于其下层金属层的直线部L2的长度。由于扇形走线区FA的部分信号线L中，位于上层金属层的信号线L先于其下层金属层的信号线L弯折设置，可以降低位于上层金属层的部分信号线L在扇形走线区FA的爬坡断线或者短路风险，提高显示面板的可靠性。

在一些实施例中，弯折部L1包括过渡部L11和斜线部L12，过渡部L11连接直线部L2和斜线部L12，位于上层金属层的斜线部L12与位于其下层金属层的斜线部L12至少部分相互重叠。

如图3所示，由于位于上层金属层的直线部L2的长度小于位于其下层金属层的直线部L2的长度，使得位于上层金属层的信号线L先于其下层金属层的信号线L弯折设置。位于上层金属层的斜线部L12与位于其下层金属层的斜线部L12至少部分相互重叠，在保持相同的分辨率、数据线的总数不变的情况下，可以极大地减少扇形走线区FA的布线空间，实现窄边框设计。

在一些实施例中，位于上层金属层的过渡部L11的宽度大于位于该层的斜线部L12与位于其下层金属层的斜线部L12的相互重叠部分的宽度。

如图3所示，过渡部L11位于直线部L2与斜线部L12之间，相邻两层金属层的信号线L在过渡部L11处相交，并在斜线部L12相互重叠。位于上层金属层的过渡部L11的宽度大于相邻两层相互重叠的斜线部L12的宽度，可以进一步改善上层金属层的信号线L在弯折部L1的连接强度，降低爬坡断线及短路的风险。

图4示出图3中扇形走线区的剖面结构示意图。

在一些实施例中，位于扇形走线区FA的部分信号线L与对应的位于显示区的信号线L之间通过转接孔H相互电连接。

如图3和图4所示，位于扇形走线区FA的部分信号线L与对应的位于显示区的信号线L位于不同金属层，二者之间通过转接孔H相互电连接。而位于扇形走线区FA的另一部分信号线L与对应的位于显示区的信号线L位于相同的金属层，两部分信号线L在扇形走线区FA的过渡部L11处相交，在斜线部L12相互重叠，以减小扇形走线区FA的布线空间。

在一些实施例中，阵列基板包括衬底基板10和依次形成于衬底基板10上的第一金属层11、绝缘层12和第二金属层13，在显示区AA，多条信号线L位于第二金属层13，在扇形走线区FA，部分信号线L由第二金属层13通过位于绝缘层12的转接孔H跳线至第一金属层11。

在一个示例中，如图4所示，位于扇形走线区FA的信号线L布置于层叠设置的第一金属层11和第二金属层13中，部分信号线L由第二金属层13通过位于绝缘层12的转接孔H跳线至第一金属层11，第一金属层11和第二金属层13的信号线在扇形走线区FA的过渡部L11处相交，在斜线部L12相互重叠，以减小扇形走线区FA的布线空间。

在其他示例中，位于扇形走线区FA的信号线L布置于层叠设置的三层金属层中，一部分信号线L位于最上层金属层，一部分信号线L通过转接孔H跳线至中间金属层，另一部分信号线L通过转接孔H跳线至最下方金属层，各转接孔H相互错开设置。在保持相同的分辨率、数据线的总数不变的情况下，可以进一步减少扇形走线区FA的布线空间，实现窄边框设计。

在一些实施例中，第一金属层11包括在扇形走线区FA刻蚀形成的第一信号线111；第二金属层13包括在扇形走线区FA刻蚀形成的第二信号线131，第一信号线111与第二信号线131的过渡部L11相交。

由于第一信号线111与第二信号线131的过渡部L11相交，可以避开在拐弯处相交，即避开直线部L2与过渡部L11的交点处，从而可以降低位于第二金属层13的部分信号线L在扇形走线区FA的爬坡断线或者短路风险，提高阵列基板的可靠性。

进一步地，位于第二金属层13的直线部L2的长度小于位于第一金属层11的直线部L2的长度，位于第二金属层13的斜线部L12与位于第一金属层11的斜线部L12至少部分相互重叠。

由于位于第二金属层13的直线部L2的长度小于位于第一金属层11的直线部L2的长度，使得位于第二金属层13的信号线L先于第一金属层11的信号线L弯折设置，且位于第二金属层13的斜线部L12与位于第一金属层11的斜线部L12至少部分相互重叠，在保持相同的分辨率、数据线的总数不变的情况下，可以极大地减少扇形走线区FA的布线空间，实现窄边框设计。

进一步地，位于第二金属层13的过渡部L11的宽度为W1，位于第二金属层13的斜线部L12与位于第一金属层11的斜线部L12的相互重叠部分的宽度为W2，则满足以下条件：W1>W2。

由于第二金属层13的过渡部L11的宽度W1大于第一金属层11与第二金属层13相互重叠的斜线部L12的宽度W2，可以进一步改善第二金属层13的信号线L在弯折部L1的连接强度，降低爬坡断线及短路的风险。

进一步地，位于第二金属层13的过渡部L11的宽度W1与相互重叠部分的宽度W2还满足以下条件：W2＝1/3*W1～1/2*W1。在一个示例中，W1＝10μm，W2＝0.4μm～0.5μm。如此设置，既满足电气连接性能，也满足爬坡线宽要求。

图5示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

本申请实施例还提供了一种显示面板，包括如前所述的任一种阵列基板。该显示面板例如可以实现为液晶显示面板(LCD)或者有机电致发光二极管(OLED)显示面板，并应用于智能手机、电子书、平板电脑、可穿戴装置、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件中。

在一个示例中，如图5所示，该显示面板为OLED显示面板，包括阵列基板100及位于阵列基板100上的像素限定层200、发光结构210、阴极层220和封装层230。

像素限定层200包括多个像素开口，发光层210包括阵列分布的多个发光元件，每个发光元件与像素限定层200的像素开口对应，像素开口暴露阵列基板100的阳极110。发光元件还包括位于阳极110上的发光结构210以及位于发光结构210上的阴极层220。

封装层230位于阴极层220背离阵列基板100的一侧。封装层230包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。无机材料既具有良好的透光性能，又具有很好的水氧阻挡性能。有机层为图案化的有机层，其具有较高的弹性，有机层夹设于第一无机层和第二无机层之间，既可以抑制无机薄膜开裂，释放无机物之间的应力，还可以在提高整个封装层230的柔韧性，从而实现可靠的柔性封装。

在另一个示例中，该显示面板还可以为液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。

根据本申请实施例提供的显示面板，通过将阵列基板的位于扇形走线区FA的部分信号线L布置于层叠设置的至少两层金属层中，每条信号线L具有弯折部L1，且位于上层金属层的弯折部L1与显示区AA之间的最短距离小于位于其下层金属层的弯折部L1与显示区AA之间的最短距离。由于扇形走线区FA的部分信号线L中，位于上层金属层的信号线L先于其下层金属层的信号线L弯折设置，可以降低位于上层金属层的部分信号线L在扇形走线区FA的爬坡断线或者短路风险，提高显示面板的可靠性。

应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。

文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。

文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区一侧的扇形走线区，所述阵列基板包括从所述显示区延伸至所述扇形走线区的多条信号线，其特征在于，

在所述扇形走线区，所述信号线层叠布置于至少两层金属层中，所述信号线具有相互连接的直线部和弯折部，且位于上层金属层的所述直线部的长度小于位于其下层金属层的所述直线部的长度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述弯折部包括过渡部和斜线部，所述过渡部连接所述直线部和所述斜线部，位于上层金属层的所述斜线部与位于其下层金属层的所述斜线部至少部分相互重叠。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于上层金属层的所述过渡部的宽度大于该层的所述斜线部与位于其下层金属层的所述斜线部的相互重叠部分的宽度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述扇形走线区的部分所述信号线与对应的位于所述显示区的所述信号线之间通过转接孔相互电连接。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和依次形成于所述衬底基板上的第一金属层、绝缘层和第二金属层，在所述显示区，所述多条信号线位于所述第二金属层，在所述扇形走线区，部分所述信号线由所述第二金属层通过位于所述绝缘层的转接孔跳线至所述第一金属层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括在所述扇形走线区刻蚀形成的第一信号线；所述第二金属层包括在所述扇形走线区刻蚀形成的第二信号线，所述第一信号线与所述第二信号线的所述过渡部相交。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第二金属层的所述直线部的长度小于位于所述第一金属层的所述直线部的长度，位于所述第二金属层的所述斜线部与位于所述第一金属层的所述斜线部至少部分相互重叠。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第二金属层的所述过渡部的宽度为W1，位于所述第二金属层的所述斜线部与位于所述第一金属层的所述斜线部的相互重叠部分的宽度为W2，且满足以下条件：W1>W2。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

W2＝1/3*W1～1/2*W1。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

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