CN112501658A - 一种高模量铜箔生产工艺 - Google Patents
一种高模量铜箔生产工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112501658A CN112501658A CN202011422027.1A CN202011422027A CN112501658A CN 112501658 A CN112501658 A CN 112501658A CN 202011422027 A CN202011422027 A CN 202011422027A CN 112501658 A CN112501658 A CN 112501658A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- main electrolyte
- copper foil
- copper
- foil
- modulus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 79
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 67
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 19
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims abstract description 17
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 17
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims abstract description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 10
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 8
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims description 8
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 claims description 8
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims description 8
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 claims description 2
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 241000784732 Lycaena phlaeas Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/04—Wires; Strips; Foils
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。本发明提供一种高模量铜箔生产工艺，这种生产工艺可以生产高模量的铜箔，可以大幅度提高后续加工板材的平整性和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及金属材料技术领域，具体来说，涉及一种高模量铜箔生产工艺。
背景技术
铜箔是作为印刷线路板PCB的导电材料。随着技术的发展，电子产品趋向多功能、轻、薄集成化。由于PCB薄型化，为保证IC组装时的可靠性，对材料的高温性能保持一定的刚性尤其重要，一旦发生板弯、板翘等现象，导致最后无法组装原器件。
模量，是描述固体材料抵抗形变能力的物理量。高模量的材料，刚性大，不易弯曲，或者不易拉伸。本发明以剪切模量为依据，开发一种高模量铜箔。剪切模量是指剪切应力与剪切应变之比。普通电解铜箔20℃时弹性模量为105GPa，切变模量为38GPa，它一般与材料的成分有关，与组织结构关系不大。
采用高模量铜箔，PCB板材在高温下的模量保持率达到80%以上,在后续加工中板材的平整性和可靠性大幅度提高，而普通铜箔压制的PCB在高温下的模量保持率只有25%。
发明内容
针对相关技术中的问题，本发明提出一种高模量铜箔生产工艺，解决现有生产工艺产生的铜箔模量较低的问题。
为了实现上述技术目的，本发明的技术方案是这样的：
采用一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
进一步，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在35-50 g/L、60-90 g/L。
进一步，所述步骤S2中，合金元素包含以下至少之一：钨酸钠、钨酸铵、钼酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为1.5-25g/l、1.0-20 g/l、2.5-25 g/l、20-40g/l。
进一步，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为3-15ppm 、35-125ppm和10-30 ppm。
进一步，所述步骤S5中，主电解液电解温度为45-60℃、电流密度800-3000A/m2。
进一步，所述步骤S6中，高模量的铜箔中钨、钼的含量为0.01%-0.05%。
进一步，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为9-105um。
本发明的有益效果：这种铜箔生产工艺可以生产高模量的铜箔，提高了铜箔的生产质量。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在50 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S2中，合金元素包含：钨酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为21.3g/l、40g/l。
在本实施例中，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为15ppm 、75ppm和15ppm。
在本实施例中，所述步骤S5中，主电解液电解温度为60℃、电流密度1500A/m2。
在本实施例中，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为35um。
实施例二：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在50 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S2中，合金元素包含：钨酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为10.65g/l、30g/l。
在本实施例中，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为15ppm 、50ppm和15ppm。
在本实施例中，所述步骤S5中，主电解液电解温度为60℃、电流密度1500A/m2。
在本实施例中，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为35um。
实施例三：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在50 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S2中，合金元素包含：钨酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为4.25g/l、25g/l。
在本实施例中，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为15ppm 、30ppm和15ppm。
在本实施例中，所述步骤S5中，主电解液电解温度为60℃、电流密度1750A/m2。
在本实施例中，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为35um。
实施例四：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在50 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S2中，合金元素包含：钨酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为10.5g/l、40g/l。
在本实施例中，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为15ppm 、50ppm和15ppm。
在本实施例中，所述步骤S5中，主电解液电解温度为55℃、电流密度1200A/m2。
在本实施例中，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为18um。
实施例五：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在50 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S2中，合金元素包含：钨酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为15g/l、20g/l。
在本实施例中，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为12ppm 、24ppm和18ppm。
在本实施例中，所述步骤S5中，主电解液电解温度为55℃、电流密度1000A/m2。
在本实施例中，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为18um。
实施例六：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在50 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S2中，合金元素包含：钨酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为5g/l、20g/l。
在本实施例中，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为15ppm 、30ppm和15ppm。
在本实施例中，所述步骤S5中，主电解液电解温度为55℃、电流密度800A/m2。
在本实施例中，所述步骤S6中，铜箔的电沉积厚度为18um。
实施例七（对比样）：
根据本发明实施例所述的一种高模量铜箔生产工艺，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：将主电解液进行过滤；
步骤S3：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、和氯离子；
步骤S4：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S5：将毛箔进行表面处理，即可得到铜箔。
在本实施例中，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在80 g/L、90 g/L。
在本实施例中，所述步骤S3中，明胶、氯离子的浓度分别为15ppm 、25ppm。
在本实施例中，所述步骤S4中，主电解液电解温度为55℃、电流密度2500A/m2。
在本实施例中，所述步骤S5中，铜箔的电沉积厚度为18um。
测定以上实施例中不同生产条件下的剪切模量如下：
综上所述，从实施例中制造的高模量铜箔，采用任何一种已知的抗剥离强度增强和抗氧化表面处理工艺，即可成为高模量电子电路铜箔。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种高模量铜箔生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：将铜杆、铜线用硫酸溶解成高纯硫酸铜水溶液，作为主电解液；
步骤S2：向主电解液中加入合金元素，所述合金元素至少含有钨、钼、钾中的一种；
步骤S3：将加入合金元素的主电解液进行过滤；
步骤S4：在过滤后的主电解液中加入添加剂；所述添加剂包含明胶、抗坏血酸和氯离子；
步骤S5：将加有添加剂的主电解液送入电解槽进行电解，得到毛箔；
步骤S6：将毛箔进行表面处理，即可得到高模量的铜箔。
2.根据权利要求1所述的一种高模量铜箔生产工艺，其特征在于，所述步骤S1中，主电解液中铜、硫酸浓度分别在35-50 g/L、60-90 g/L。
3.根据权利要求1所述的一种高模量铜箔生产工艺，其特征在于，所述步骤S2中，合金元素包含以下至少之一：钨酸钠、钨酸铵、钼酸钠、酒石酸钾钠，且浓度分别为1.5-25g/l、1.0-20 g/l、2.5-25 g/l、20-40g/l。
4.根据权利要求1所述的一种高模量铜箔生产工艺，其特征在于，所述步骤S4中，明胶、抗坏血酸和氯离子的浓度分别为3-15ppm 、35-125 ppm和10-30 ppm。
5.根据权利要求1所述的一种高模量铜箔生产工艺，其特征在于，所述步骤S5中，主电解液电解温度为45-60℃、电流密度800-3000A/m2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011422027.1A CN112501658A (zh) | 2020-12-08 | 2020-12-08 | 一种高模量铜箔生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011422027.1A CN112501658A (zh) | 2020-12-08 | 2020-12-08 | 一种高模量铜箔生产工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112501658A true CN112501658A (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=74971230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011422027.1A Pending CN112501658A (zh) | 2020-12-08 | 2020-12-08 | 一种高模量铜箔生产工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112501658A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1053818A (zh) * | 1989-09-13 | 1991-08-14 | 古尔德有限公司 | 用于印刷电路板且其性质得到控制的箔片以及生产该箔片的工艺方法和电解液 |
| JPH0967693A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-11 | Nikko Gould Foil Kk | 電解銅箔の製造方法 |
| CN103827358A (zh) * | 2011-10-31 | 2014-05-28 | 古河电气工业株式会社 | 高强度、高耐热电解铜箔及其制造方法 |
| CN104903495A (zh) * | 2013-01-24 | 2015-09-09 | 古河电气工业株式会社 | 电解铜箔与其制造方法 |
-
2020
- 2020-12-08 CN CN202011422027.1A patent/CN112501658A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1053818A (zh) * | 1989-09-13 | 1991-08-14 | 古尔德有限公司 | 用于印刷电路板且其性质得到控制的箔片以及生产该箔片的工艺方法和电解液 |
| JPH0967693A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-11 | Nikko Gould Foil Kk | 電解銅箔の製造方法 |
| CN103827358A (zh) * | 2011-10-31 | 2014-05-28 | 古河电气工业株式会社 | 高强度、高耐热电解铜箔及其制造方法 |
| CN104903495A (zh) * | 2013-01-24 | 2015-09-09 | 古河电气工业株式会社 | 电解铜箔与其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5521113B2 (ja) | 高強度、高耐熱電解銅箔及びその製造方法 | |
| CN104903495B (zh) | 电解铜箔与其制造方法 | |
| JP2007294923A (ja) | 強度、導電率、曲げ加工性に優れた銅条又は銅箔の製造方法、銅条又は銅箔、並びにそれを用いた電子部品 | |
| TW201831732A (zh) | 電解液、電解銅箔及其製造方法 | |
| JP7302046B2 (ja) | 超薄型銅箔とその作製方法 | |
| US20060016692A1 (en) | Reduction of surface oxidation during electroplating | |
| CN113498255A (zh) | 高频电路用表面处理铜箔及高频电路用表面处理铜箔的制造方法 | |
| CN112626561A (zh) | 一种碱性蚀刻液中铜离子的回收方法 | |
| CN112501658A (zh) | 一种高模量铜箔生产工艺 | |
| CN1314838C (zh) | 高高温伸长率电解铜箔的制造方法 | |
| JP5404123B2 (ja) | 銅被覆ポリイミド基板とその製造方法 | |
| CN107849721B (zh) | 耐热性优异的镀覆材料及其制造方法 | |
| JP2005048205A (ja) | フレキシブルフラットケーブル、フレキシブルプリント配線基板等の電解めっき端子部とコネクタ嵌合部の熱処理方法 | |
| JP2013028848A (ja) | 電解銅合金箔 | |
| KR20220151651A (ko) | Cu-Ni-Si 계 구리 합금판, 도금 피막 형성 Cu-Ni-Si 계 구리 합금판 및 이들의 제조 방법 | |
| JP2003193289A (ja) | 電解メッキ皮膜の熱処理方法 | |
| CN1250775C (zh) | 具耐折性的电解铜箔的制造方法 | |
| EP3916132A1 (en) | High-concentration aqueous tin sulfonate solution and method for producing same | |
| CN111893514A (zh) | 一种电解碱性蚀刻液回收铜用的添加剂及使用其制备铜的方法 | |
| KR101478486B1 (ko) | 자발적 치환 반응을 이용한 은 코팅 구리 분말 제조 방법 | |
| US20220112618A1 (en) | Electrolytic copper foil and method for producing same | |
| KR20220111256A (ko) | 산화구리분의 제조 방법, 및, 산화구리분 | |
| JP6904195B2 (ja) | フレキシブル配線基板及びその製造方法 | |
| CN116219505A (zh) | 一种高抗氧化电镀锌镍用钝化液的制备方法及制品 | |
| JP3480828B2 (ja) | プリント配線板の半田メッキ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |