CN112396981A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板，包括：第一基板、第二基板、多个像素电路及多个穿孔。第一基板具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第二基板具有第三表面及相对于第三表面的第四表面。这些像素电路个别具有第一部分及第二部分，其中这些像素电路的这些第一部分阵列排列于第一表面，这些像素电路的这些第二部分阵列排列于第三表面。这些穿孔形成于第一基板上及第二基板上，以电性连接各个像素电路的第一部分及第二部分。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种高像素密度的显示面板。
背景技术
随着手机彩色屏幕的逐渐普遍，手机屏幕的材质也越来越显得重要。手机的彩色屏幕因为屏幕材质及发展技术不同而有所差异，其种类大致有薄膜场效应晶体管(Thinfilm transistor liquid crystal display，TFT)、薄膜二极管半透式(Thin Film Diode，TFD)、UFB、超扭曲向列型(Super Twisted Nematic，STN)和有机发光二极管(OrganicLight Emitting Display，OLED)等等几种。一般来说，除了显示面板的色域外，显示面板的分辨率越高越能显示复杂的图像，也能使画面的层次更加丰富。然而，受限于像素电路内的晶体管数目，显示面板的分辨率越来越难提高，因此需要一种新的显示面板结构。
发明内容
本发明提供一种显示面板，可增加显示面板的分辨率或空间利用率、还可达到窄边框的目的。
本发明的显示面板，包括：第一基板、第二基板、多个像素电路及多个穿孔。第一基板具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第二基板具有第三表面及相对于第三表面的第四表面。这些像素电路个别具有第一部分及第二部分，其中这些像素电路的这些第一部分阵列排列于第一表面，这些像素电路的这些第二部分阵列排列于第三表面。这些穿孔形成于第一基板上及第二基板上，以电性连接各个像素电路的第一部分及第二部分。
基于上述，本发明实施例的显示面板，其通过利用垂直方向叠加的第一基板及第二基板来增加显示面板的电路布局空间，以增加显示面板的分辨率或空间利用率、还可达到窄边框的目的。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1为依据本发明一实施例的显示面板的结构示意图。
图2为依据本发明的一实施例的显示面板的剖面示意图。
图3为依据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。
图4为依据本发明的一实施例的像素电路的划分示意图。
图5为依据本发明的另一实施例的像素电路的划分示意图。
图6为依据本发明的又一实施例的像素电路的划分示意图。
图7为依据本发明的一实施例的显示面板的电源线与信号线的布线示意图。
附图标记说明：
100：显示面板
110：第一基板
111：第一表面
113：第二表面
120：粘着层
130：第二基板
131：第三表面
133：第四表面
140：栅极驱动电路
APX：像素阵列区域
C1、C2、C3：电容
d1：第一延伸方向
d2：第二延伸方向
DATA：数据电压
ECS：控制开关元件
EDR：驱动元件
EIL、LDX1～LDX3：发光元件
EM：发光信号
LDX：数据信号线
LEM：发光信号线
Lf1：第一主动元件层
Lf2：第二主动元件层
Lpw1：第一电源线
Lpw2：第二电源线
LSC：扫描信号线
LSE：检测信号线
Ltg：检测开关信号线
PIX、PIXa～PIXc：像素电路
PT1：第一部分
PT2：第二部分
S1：第一扫描信号
S2：第二扫描信号
SCAN：扫描信号
SENSE：检测信号
Stg：检测开关信号
T11～T13、T21～T23、T31～T37：晶体管
VA11、VA12、VA21、VA22、VA31～VA33：内部穿孔
VAX：穿孔
VDD：***高电压
VREF：参考电压
VSS：***低电压
具体实施方式
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括多个形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
图1为依据本发明一实施例的显示面板的结构示意图。请参照图1，在本实施例中，显示面板100至少包括第一基板110、粘着层120、第二基板130、多个像素电路PIX、多个第一电源线Lpw1、多个第二电源线Lpw2、多个扫描信号线LSC、多个数据信号线LDX、以及多个穿孔VAX。这些第一电源线Lpw1可以个别与这些第二电源线Lpw2实质上垂直，并且这些第一电源线Lpw1可以个别与这些第二电源线Lpw2实质上垂直。
第一基板110具有第一表面111及相对于第一表面111的第二表面113，并且第二基板130具有第三表面131及相对于第三表面131的第四表面133。像素电路PIX配置于像素阵列区域APX内，且个别具有第一部分PT1及第二部分PT2。这些像素电路PIX的这些第一部分PT1阵列排列于第一表面111，并且这些像素电路PIX的这些第二部分PT2阵列排列于第三表面131。
各个像素电路PIX的第一部分PT1至少包括至少一发光元件EIL及至少一个驱动元件EDR，并且各个像素电路PIX的第二部分PT1至少包括至少一个控制开关元件ECS。其中，发光元件EIL例如包括一发光二极管及有机发光二极管的其中之一。
这些第一电源线Lpw1及这些第二电源线Lpw2配置于第一表面111上，以个别连接对应的像素电路PIX的第一部分PT1。这些扫描信号线LSC及这些数据信号线LDX配置于第三表面131上，以个别连接对应的像素电路PIX的第二部分PT2。
粘着层120配置于第一基板110与第二基板130之间，用以粘贴第一基板110及第二基板130。穿孔VAX形成于第一基板110上、粘着层120上及第二基板130上，以电性连接各个像素电路PIX的第一部分PT1及第二部分PT2。因此，通过利用垂直方向叠加的电路布局空间，可以增加显示面板100的分辨率或空间利用率、还可达到窄边框的目的。换言之，可以形成容纳更多薄膜晶体管的数目的像素补偿电路，以达到高数值的每英寸像素的显示效果。并且，可提供电源线(如第一电源线Lpw1及第二电源线Lpw2)较佳的电阻值及散热效果，并且提供四边窄边框的设计。
在本发明实施例中，第一基板110的半导体层材的材质可以相同于第二基板130的半导体层材的材质。在本发明实施例中，第一基板110的半导体层材的材质也可以不同于第二基板130的半导体层材的材质。举例来说，第一基板110的半导体层的材质可以为低温多晶硅材质，以具有较佳的驱动能力(例如较高的驱动电流)，并且第二基板130的半导体层的材质为金属氧化物半导体材质，以具有较低的漏电流，避免在数据未写入时过大的漏电流影响画面的显示。
图2为依据本发明的一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图1及图2，在本实施例中，第一基板110的第一表面111上形成第一主动元件层Lf1，以形成像素电路PIX的第一部分PT1。第二基板130的第三表面131上形成第二主动元件层Lf2，以形成像素电路PIX的第二部分PT2。粘着层120用以粘贴第一基板110的第二表面113与第二基板130的第三表面131及第二主动元件层Lf2，亦即基于粘着层120，第三表面131与第二表面113相对。并且，可在第四表面133上形成栅极驱动电路140。
图3为依据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图1及图3，与图2所示实施例类似，第一基板110的第一表面111上形成第一主动元件层Lf1，并且第二基板130的第三表面131上形成第二主动元件层Lf2。然而，粘着层120用以粘贴第一基板110的第二表面113与第二基板130的第四表面133，亦即基于粘着层120，第四表面133与第二表面113相对。
图4为依据本发明的一实施例的像素电路的划分示意图。请参照图1及图4，在本实施例中，像素电路PIXa的第二部分PT2包括晶体管T11，并且第一部分PT1包括晶体管T12、T13、电容C1及发光元件LDX1。晶体管T11的第一端电性连接数据信号线LDX以接收数据电压DATA，并且晶体管T11的控制端电性连接扫描信号线LSC以接收扫描信号SCAN。
晶体管T12的第一端电性连接第一电源线Lpw1以接收***高电压VDD，并且晶体管T12的控制端通过内部穿孔VA11电性连接晶体管T11的第二端。电容C1电性连接于晶体管T12的第一端与晶体管T12的控制端之间。晶体管T13的第一端电性连接晶体管T12的第二端，并且晶体管T12的控制端通过内部穿孔VA12电性连接发光信号线LEM以接收发光信号EM。发光元件LDX1的阳极端电性连接晶体管T13的第二端，并且发光元件LDX1的阴极端电性连接第二电源线Lpw2以接收***低电压VSS。
在本发明实施例中，内部穿孔VA11及VA12是配置于像素电路PIXa内，亦即内部穿孔VA11及VA12是配置于配置这些像素电路PIXa的像素阵列区域APX内。并且，发光信号线LEM可在像素阵列区域APX外设置，并且与扫描信号线LSC、数据信号线LDX及发光信号线LEM电性连接的信号穿孔可以配置于配置这些像素电路PIXa的像素阵列区域APX内或像素阵列区域APX外，此可依据电路设计而定。
图5为依据本发明的另一实施例的像素电路的划分示意图。请参照图1及图5，在本实施例中，像素电路PIXb的第二部分PT2包括晶体管T21，并且第一部分PT1包括晶体管T22、T23、电容C2及发光元件LDX2。晶体管T21的第一端电性连接数据信号线LDX以接收数据电压DATA，并且晶体管T21的控制端电性连接扫描信号线LSC以接收扫描信号SCAN。
晶体管T22的第一端电性连接第一电源线Lpw1以接收***高电压VDD，并且晶体管T22的控制端通过内部穿孔VA21电性连接晶体管T21的第二端。电容C2电性连接于晶体管T22的第一端与晶体管T22的控制端之间。晶体管T23的第一端电性连接晶体管T12的第二端，晶体管T22的控制端通过内部穿孔VA22电性连接检测开关信号线Ltg以接收检测开关信号Stg，并且晶体管T23的第二端电性连接检测信号线LSE以提供检测信号SENSE。发光元件LDX1的阳极端电性连接晶体管T22的第二端，并且发光元件LDX1的阴极端电性连接第二电源线Lpw2以接收***低电压VSS。作为检测电路开关的晶体管T23配置在第一背板110的第一表面111，以形成较短的信号路径，借此可提供较佳的阻值。
在本发明实施例中，内部穿孔VA21及VA22是配置于像素电路PIXb内，亦即内部穿孔VA21及VA22是配置于配置这些像素电路PIXb的像素阵列区域APX内。并且，检测开关信号Stg可在像素阵列区域APX外设置，并且与扫描信号线LSC、数据信号线LDX及检测开关信号Stg电性连接的信号穿孔可以配置于配置这些像素电路PIXb的像素阵列区域APX内或像素阵列区域APX外，此可依据电路设计而定。
图6为依据本发明的又一实施例的像素电路的划分示意图。请参照图1及图6，在本实施例中，像素电路PIXc的第二部分PT3包括晶体管T31～T35及电容C3，并且第一部分PT1包括晶体管T36、T37及发光元件LDX3。
晶体管T31的第一端电性连接参考电压线(未示出)以接收参考电压VREF，并且晶体管T31的控制端电性连接发光信号线(如图4所示LEM)以接收发光信号EM。晶体管T32的第一端电性连接晶体管T31的第二端，晶体管T32的控制端电性连接第二扫描信号线(未示出)以接收第二扫描信号S2，并且晶体管T32的第二端电性连接数据信号线LDX以接收数据电压DATA。
电容C3的一端电性连接于晶体管T31的第二端。晶体管T33的第一端电性连接电容C3的另一端，并且晶体管T33的控制端电性连接第二扫描信号线(未示出)以接收第二扫描信号S2。晶体管T34的第一端电性连接晶体管T33的第二端，并且晶体管T34的控制端电性连接第二扫描信号线(未示出)以接收第二扫描信号S2。
晶体管T35的第一端电性连接晶体管T33的第二端，晶体管T35的控制端电性连接第一扫描信号线(未示出)以接收第一扫描信号S1，并且晶体管T35的第二端电性连接参考电压线(未示出)以接收参考电压VREF。晶体管T36的第一端电性连接第一电源线Lpw1以接收***高电压VDD，晶体管T36的控制端通过内部穿孔VA31电性连接电容C3的另一端，并且晶体管T36的第二端通过内部穿孔VA32电性连接晶体管T33的第二端。晶体管T37的第一端电性连接晶体管T36的第二端，并且晶体管T37的控制端通过内部穿孔VA33电性连接发光信号线(如图4所示LEM)以接收发光信号EM。发光元件LDX3的阳极端电性连接晶体管T37的第二端，并且发光元件LDX3的阴极端电性连接第二电源线Lpw2以接收***低电压VSS。作为不同控制开关元件的晶体管T31～T35皆配置于第二基板130的第三表面131上，因此在驱动时较能同步作动，以减少延迟问题，且可减少穿孔的数目。
在本发明实施例中，内部穿孔VA31～VA33是配置于像素电路PIXc内，亦即内部穿孔VA31～VA33是配置于配置这些像素电路PIXc的像素阵列区域APX内。并且，参考电压线、发光信号线可在像素阵列区域APX外设置，并且与参考电压线、发光信号线、第一扫描信号线、第二扫描信号线、电性连接的信号穿孔可以配置于配置这些像素电路PIXc的像素阵列区域APX内或像素阵列区域APX外，此可依据电路设计而定。
图7为依据本发明的一实施例的显示面板的电源线与信号线的布线示意图。请参照图1及图7，在本实施例中，配置于第一基板110上的电源线Lpw1可以为网目状。并且，配置于第一基板110的电源线Lpw1的网目的延伸方向d2(对应第一延伸方向)与配置于第二基板130的扫描信号线LSC的延伸方向d1(应第二延伸方向)的夹角θ可以为0～90度。进一步来说，电源线Lpw1的延伸方向d2与扫描信号线LSC的延伸方向d1的夹角θ可以为30～60度，此可依据线路布局需求而定，本发明实施例不以此为限。因此，通过不同的间距(pitch)及角度，可以改善莫列波纹(moirépattern)的问题。
综上所述，本发明实施例的显示面板，其通过利用垂直方向叠加的第一基板及第二基板来增加显示面板的电路布局空间，以增加显示面板的分辨率或空间利用率、还可达到窄边框的目的。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (15)
1.一种显示面板，包括：
一第一基板，具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；
一第二基板，具有一第三表面及相对于该第三表面的一第四表面；
多个像素电路，个别具有一第一部分及一第二部分，其中该些像素电路的该些第一部分阵列排列于该第一表面，该些像素电路的该些第二部分阵列排列于该第三表面；以及
多个穿孔，形成于该第一基板上及该第二基板上，以电性连接各该些像素电路的该第一部分及该第二部分。
2.如权利要求1所述的显示面板，还包括一粘着层，用以粘贴该第一基板及该第二基板。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中基于该粘着层该第三表面与该第二表面相对。
4.如权利要求2所述的显示面板，其中基于该粘着层该第四表面与该第二表面相对。
5.如权利要求1所述的显示面板，其中该些穿孔的多个内部穿孔配置于配置该些像素电路的一像素阵列区域内。
6.如权利要求1所述的显示面板，其中该些穿孔的多个信号穿孔配置于配置该些像素电路的一像素阵列区域内。
7.如权利要求1所述的显示面板，其中该些穿孔的多个信号穿孔配置于配置该些像素电路的一像素阵列区域外。
8.如权利要求1所述的显示面板，其中该些像素电路的该些第一部分包括至少一发光元件。
9.如权利要求8所述的显示面板，其中该至少一发光元件包括一发光二极管及一有机发光二极管的其中之一。
10.如权利要求8所述的显示面板，还包括一栅极驱动电路，配置于该第四表面上。
11.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一基板的半导体层材的材质相同于该第二基板的半导体层材的材质。
12.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一基板的半导体层材的材质不同于该第二基板的半导体层材的材质。
13.如权利要求12所述的显示面板，其中该第一基板的半导体层的材质为低温多晶硅材质，并且该第二基板的半导体层的材质为金属氧化物半导体材质。
14.如权利要求1所述的显示面板，其中配置于该第一基板的电源线的第一延伸方向与配置于该第二基板的信号线的第二延伸方向的夹角为0～90度。
15.如权利要求14所述的显示面板，其中该第一延伸方向与该第二延伸方向的夹角为30～60度。
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