JP2015138857A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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【課題】チップの側面にデブリが付着することのない金属膜付きチップを複数形成できるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハ1に対して吸収性を有する波長のレーザビーム12をウェーハ1の裏面3に向かって分割予定ライン4に沿って照射することにより、ウェーハ1の裏面3に被覆された金属膜7を分断する分断溝8を形成する分断溝形成ステップと、切削ブレード22をウェーハ1の表面2から分断溝8に至る深さまで切り込ませ、分割予定ライン4に沿って切削ブレード22によってウェーハ1を切削して裏面に金属膜7が被覆された金属膜付きチップ10を複数形成する切削ステップとを備えているため、分断溝形成ステップ中に発生したデブリが当該切削ステップにおいて分割された各金属膜付きチップ10の側面に付着することがない。【選択図】図6

Description

本発明は、ウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法に関する。
被加工物であるウェーハは、その表面において格子状の分割予定ラインによってそれぞれ区画された領域にデバイスが形成されており、分割予定ラインに沿って分割することによってデバイスを有する個々のチップに分割される。
また、ウェーハには、その裏面に、デバイスの電気的特性を良好にするための金属膜が被膜されているものがあり、このウェーハを個々のチップに分割する方法としては、例えば下記の特許文献1に開示されているウェーハの分割方法がある。このウェーハの分割方法では、ウェーハの表面側からストリートに沿って切削ブレードで切削して裏面から所定厚みの残存部を残した切削溝を形成し、当該切削溝に沿ってレーザビームを照射して切削溝を分断することにより、ウェーハを個々のチップに分割することができる。このように、切削ブレードによって金属膜を切削しないため、切削ブレードの目詰まりを防止するとともにウェーハの切断面に欠けを生じさせることがない。
特開2008−53500号公報
しかしながら、上記のウェーハの分割方法においては、ウェーハの表面側から切削ブレードで切削溝を形成した後、レーザビームによる加工(アブレーション加工)によって該切断溝に沿って金属膜を切断するため、アブレーション加工によって発生したデブリが切削溝の側面に付着してしまい、次の工程でウェーハを複数のチップに分割した後も各チップの側面にデブリが残存してしまうという問題がある。
本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、ウェーハを個々のチップに分割しても各チップの側面にデブリが付着することのない金属膜付きチップを形成できるようにすることを目的としている。
本発明は、表面の交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに裏面に金属膜が被覆されたウェーハの加工方法であって、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームをウェーハの裏面に向かって該分割予定ラインに沿って照射することにより、ウェーハの裏面に被覆された該金属膜を分断する分断溝を形成する分断溝形成ステップと、該分断溝形成ステップを実施した後、切削ブレードをウェーハの表面から該分断溝に至る深さまで切り込ませ、切削ブレードにより該分割予定ラインに沿って該ウェーハを切削して裏面に金属膜が被覆されたチップを複数形成する切削ステップと、を備えている。
さらに、本発明は、上記分断溝形成ステップを実施する前にウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、該分断溝形成ステップを実施した後、上記切削ステップを実施する前にウェーハの裏面にテープを貼着するとともにウェーハの表面から該表面保護部材を除去する転写ステップと、該切削ステップを実施した後、該テープから前記チップをピックアップするピックアップステップと、を備えている。
本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの裏面に被膜された金属膜を分断する分断溝をレーザビームの照射により形成する分断溝形成ステップの後に切削ステップを実施するため、切削ブレードで金属膜を切削することはなく、切削ブレードに目詰まりが発生することはない上、分割溝形成ステップの実施時には切削溝が形成されていないため、レーザビームの照射によって発生したデブリが、切削ステップで形成される切削溝の内部に付着することはない。このように、レーザビームの照射によって発生したデブリを各チップの側面に付着させることなくチップを複数形成することが可能となる。
さらに、本発明のウェーハの加工方法では、切削ステップを実施する前に転写ステップを実施した上で、該切削ステップとピックアップステップとを順次実施するため、分断溝形成ステップの際に発生したデブリがウェーハの裏面に付着していたとしても、切削ステップで分割された各チップをテープからピックアップする際には、テープの粘着力でデブリがテープに残存するため、各チップにデブリが残ることはない。
表面保護テープ配設ステップを示す斜視図である。 分断溝形成ステップを示す断面図である。 分断溝形成ステップ実施後のウェーハの状態を示す断面図である。 転写ステップを示す断面図である。 切削ステップを示す断面図である。 切削溝が形成されたウェーハを示す断面図である。 ピックアップステップを示す断面図である。
図1に示すウェーハ1は、被加工物の一例であって、例えばシリコン基板、サファイア基板などにより形成されている。ウェーハ1の表面2には、縦横に交差する複数の分割予定ライン4によってそれぞれ区画された各領域においてデバイス5が形成されている。一方、ウェーハ1の表面2と反対側の面である裏面3には、デバイス5の電気的特性を良好にするため、鉛、金などによって形成される金属膜が被膜されている。以下では、このように構成されるウェーハ1を複数のチップに形成する加工方法について説明する。
(1) 表面保護部材配設ステップ
まず、図1に示すように、ウェーハ1と略同径の表面保護部材である表面保護テープ6をウェーハ1の表面2に対面させ、表面保護テープ6をウェーハ1の表面2に貼着する。その結果、ウェーハ1と表面保護テープ6とが一体となる。なお、表面保護テープ6は、少なくともウェーハ1の表面2と接触する面に粘着層を有しているものを使用する。
ウェーハ1の表面2を保護する表面保護部材としては、表面保護テープ6に限定されない。例えばガラスなどにより構成される表面保護プレートを使用してもよい。この場合には、表面保護プレートをウェーハ1の表面2に対面させ、接着剤を介してウェーハ1の表面2に表面保護プレートを貼着する。この表面保護部材配設ステップは後記の分断溝形成ステップを実施する前に実施する。
(2) 分断溝形成ステップ
表面保護部材配設ステップを実施した後、図2に示すように、レーザビーム照射手段11によって、ウェーハ1の裏面3側からレーザビームを照射して裏面3に被膜された金属膜7に対して所定深さの分断溝を形成する。レーザビーム照射手段11は、レーザ発振器と集光レンズとを少なくとも備えており、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射することができる。
図2に示すように、ウェーハ1の裏面3側を上向きにして該裏面3に被膜された金属膜7を露出させるとともに、ウェーハ1をレーザビーム照射手段11の下方に移動させる。そして、レーザビーム照射手段11は、形成しようとする分断溝の幅や所望の加工品質に応じ、ウェーハ1の裏面3にジャストフォーカスさせるか、裏面3よりも上方(レーザビーム照射手段11側)にデフォーカスさせた位置に集光点を位置付ける。
次に、ウェーハ1を例えば矢印X方向に水平移動させながら、レーザビーム照射手段11は、ウェーハ1に対して吸収性を有する波長(例えば、355nmの波長)のレーザビーム12をウェーハ1の裏面3に向けて図1で示した分割予定ライン4に沿って照射する。
レーザビーム12が金属膜7に照射されると、図3に示すように、ウェーハ1の裏面3に被膜された金属膜7を分断する分断溝8が形成される。分断溝8の深さは、金属膜7を分断できる程度の深さであればよく、金属膜7は非常に薄いもので、分断溝8も非常に浅いため、レーザ加工によるデブリはほとんど発生しない。デブリが発生したとしても、後記の転写ステップで図4に示すテープ13にそのデブリが貼りつき、最終的に形成されるチップには残存しない。このようにしてウェーハ1の全ての分割予定ライン4に沿ってレーザビーム12を照射して分断溝8を形成したら、分断溝形成ステップを終了する。
(3) 転写ステップ
分断溝形成ステップを実施した後、後記の切削ステップを実施する前に、図3で示した
分断溝8が裏面3に形成されたウェーハ1を裏返し、表面保護テープ6が貼着された表面2側を上向きにする。そして、図4に示すように、中央部が開口した環状のフレーム14の下部に粘着性のテープ13を貼着し、該中央部から露出したテープ13に金属膜7が被膜されたウェーハ1の裏面3側を貼着するとともに、上向きになったウェーハ1の表面2から表面保護テープ6を剥離する。このようにしてウェーハ1は、テープ13を介してフレーム14と一体となった状態となる。
(4) 切削ステップ
次に、図5に示すように、保持テーブル15においてウェーハ1を保持するとともに、切削手段20によってウェーハ1を切削することでウェーハ1を複数のチップに分割する。保持テーブル15は、ウェーハ1を保持する保持面15aを有しており、保持テーブル15の外周側には、フレーム14が載置されるフレーム載置部16と、フレーム載置部16に配設された軸部17と、軸部17を中心に回転しフレーム載置部16に載置されたフレーム14を固定するクランプ部18とを備えている。切削手段20は、回転可能なスピンドル21と、スピンドル21の先端において着脱可能に装着された切削ブレード22とを少なくとも備えている。スピンドル21が所定の回転速度で回転することにより、切削ブレード22を所定の回転速度で回転させることができる。
図5に示すように、テープ13が貼着され金属膜7が被膜されたウェーハ1の裏面3側を保持テーブル15の保持面15aに載置するとともに、フレーム14をフレーム載置部16に載置する。次いで、クランプ部18は、軸部17を中心として回転し、フレーム14の上部を押さえて固定する。このようにウェーハ1が保持テーブル15において保持された後、スピンドル21の回転により切削ブレード22を所定の回転速度で例えば矢印A方向に回転させつつ、切削手段20をウェーハ1の表面2に接近する方向に下降させる。そして、切削ブレード22でウェーハ1の表面2から所定の深さまで切り込ませて切削を行う。
具体的には、図6に示すように、ウェーハ1の表面2から裏面3側に形成された分断溝8に至る深さまで切削ブレード22の刃先22aを切り込ませ、図1で示した一列の分割予定ライン4に沿って切削することにより、分断溝8と連通する切削溝9を形成する。その結果、分断溝8及び切削溝9を分割溝として、ウェーハ1を、その下面に金属膜7が被膜された金属膜付きチップ10に分割することができる。このようにして、全ての分割予定ライン4に沿って切削ブレード22によって切削し、ウェーハ1を複数の金属膜付きチップ10に分割する。切削ステップの前に分断溝形成ステップが実施されているため、分断溝形成ステップで発生するデブリがチップ10の側面に付着することはない。
(5) ピックアップステップ
切削ステップを実施した後、図7に示すように、搬出手段30によって金属膜付きチップ10をテープ13からピックアップする。搬出手段30は、金属膜付きチップ10を吸着することができる吸着面31を備えており、鉛直方向に昇降可能となっている。搬出手段30は、金属膜付きチップ10の上面を吸着面31で吸着するとともに上昇することでテープ13から金属膜付きチップ10をピックアップする。分断溝形成ステップにおいて発生したデブリがチップ10の裏面に付着していたとしても、ピックアップ時にはテープ13にデブリが残存するため、チップ10にデブリが付着したままになることはない。こうして全ての金属膜付きチップ10がテープ13からピックアップされて搬送された時点でピックアップステップが終了する。
以上のとおり、本発明のウェーハの加工方法では、分断溝形成ステップを実施してレーザビーム12をウェーハ1の裏面3側に照射しウェーハ1の裏面3に被膜された金属膜7を分断する分断溝8を形成した後に、切削ステップを実施して切削ブレード22で分断溝8に至る切削溝9を形成してウェーハ1を個々の金属膜付きチップ10に分割することができる。これにより、切削ブレード22で金属膜7を切削することはなく、切削ブレード22に目詰まりが発生することはない上、分割溝形成ステップの実施時には切削溝が形成されていないため、レーザビーム12の照射によって発生したデブリが、切削ステップで形成される切削溝9の内部に付着することはない。
また、本発明のウェーハの加工方法では、切削ステップを実施する前に転写ステップを実施し、切削ステップを実施した後にピックアップステップを実施するため、分断溝形成ステップの際に発生したデブリが金属膜付きチップ10の下面側に付着していても、金属膜付きチップ10をテープ13からピックアップする際には、テープ13の粘着力でデブリがテープ13に残存するため、各金属膜付きチップ10にデブリが付着することはなく、製品の品質に悪影響を及ぼすことがない。
1:ウェーハ 2:表面 3:裏面 4:分割予定ライン 5:デバイス
6:表面保護テープ 7:金属膜 8:分断溝 9:切削溝 10:金属膜付きチップ
11:レーザビーム照射手段 12:レーザビーム 13:テープ 14:フレーム
15:保持テーブル 15a:保持面 16:フレーム載置部 17:軸部
18:クランプ部
20:切削手段 21:スピンドル 22:切削ブレード 30:搬出手段

Claims (2)

  1. 表面の交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに裏面に金属膜が被覆されたウェーハの加工方法であって、
    ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームをウェーハの裏面に向かって該分割予定ラインに沿って照射することにより、ウェーハの裏面に被覆された該金属膜を分断する分断溝を形成する分断溝形成ステップと、
    該分断溝形成ステップを実施した後、切削ブレードをウェーハの表面から該分断溝に至る深さまで切り込ませ、該切削ブレードにより該分割予定ラインに沿ってウェーハを切削し、裏面に金属膜が被覆されたチップを複数形成する切削ステップと、を備えたウェーハの加工方法。
  2. 前記分断溝形成ステップを実施する前にウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護部材配設ステップと、
    該分断溝形成ステップを実施した後、前記切削ステップを実施する前にウェーハの裏面にテープを貼着するとともにウェーハの表面から該表面保護部材を除去する転写ステップと、
    該切削ステップを実施した後、該テープから前記チップをピックアップするピックアップステップと、を備えた請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018006520A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018018980A (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 株式会社ディスコ デバイスウエーハの加工方法
KR20180051394A (ko) 2016-11-08 2018-05-16 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
CN108711550A (zh) * 2017-04-04 2018-10-26 株式会社迪思科 加工方法
CN110449754A (zh) * 2018-05-07 2019-11-15 无锡天创光电科技有限公司 一种plc排版方法
JP2021180338A (ja) * 2018-02-27 2021-11-18 株式会社東芝 半導体装置及びダイシング方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05166926A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Hitachi Ltd 半導体基板ダイシング法
JP2009105211A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2011029439A (ja) * 2009-07-27 2011-02-10 Disco Abrasive Syst Ltd 金属層付きチップの製造方法
JP2012183760A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Tdk Corp 電子部品の製造方法
US20130221517A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Michael Su Semiconductor workpiece with backside metallization and methods of dicing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05166926A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Hitachi Ltd 半導体基板ダイシング法
JP2009105211A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2011029439A (ja) * 2009-07-27 2011-02-10 Disco Abrasive Syst Ltd 金属層付きチップの製造方法
JP2012183760A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Tdk Corp 電子部品の製造方法
US20130221517A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Michael Su Semiconductor workpiece with backside metallization and methods of dicing the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018006520A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018018980A (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 株式会社ディスコ デバイスウエーハの加工方法
KR20180051394A (ko) 2016-11-08 2018-05-16 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2018078162A (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102336955B1 (ko) 2016-11-08 2021-12-09 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
CN108711550A (zh) * 2017-04-04 2018-10-26 株式会社迪思科 加工方法
CN108711550B (zh) * 2017-04-04 2024-02-20 株式会社迪思科 加工方法
JP2021180338A (ja) * 2018-02-27 2021-11-18 株式会社東芝 半導体装置及びダイシング方法
JP7240455B2 (ja) 2018-02-27 2023-03-15 株式会社東芝 半導体装置及びダイシング方法
CN110449754A (zh) * 2018-05-07 2019-11-15 无锡天创光电科技有限公司 一种plc排版方法

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