JP2005142399A - ダイシング方法 - Google Patents
ダイシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005142399A JP2005142399A JP2003378100A JP2003378100A JP2005142399A JP 2005142399 A JP2005142399 A JP 2005142399A JP 2003378100 A JP2003378100 A JP 2003378100A JP 2003378100 A JP2003378100 A JP 2003378100A JP 2005142399 A JP2005142399 A JP 2005142399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dicing
- blade
- тeg
- dicing blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】ストリートにТEGが形成されたウェーハに対し、ТEG膜Eのめくれや剥れによってウェーハ表面が汚染されることがなく、またТEG膜Eの影響によるウェーハ裏面チッピングが生じないダイシング方法を提供すること。
【解決手段】第1のダイシングブレード10を用いてウェーハWの表面側から研削溝G1を形成し、ウェーハWを不完全切断してТEGを完全に取り去り(第1の加工)、次に第2のダイシングブレード11を用い、不完全切断で切り残された部分に研削溝G2を形成(第2の加工)することによって、ウェーハWを完全切断するようにした。
【選択図】 図4
【解決手段】第1のダイシングブレード10を用いてウェーハWの表面側から研削溝G1を形成し、ウェーハWを不完全切断してТEGを完全に取り去り(第1の加工)、次に第2のダイシングブレード11を用い、不完全切断で切り残された部分に研削溝G2を形成(第2の加工)することによって、ウェーハWを完全切断するようにした。
【選択図】 図4
Description
本発明はダイシング方法に関し、特に半導体装置や電子部品等のウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法に関する。
半導体製造工程等において、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ(ダイ、又はペレットとも言われる)に分割され、次に個々のチップはダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後はワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされた後は、樹脂モールドされて、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
プロービング工程の後ウェーハは、図3に示すように、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングシート又はダイシングテープとも呼ばれる)Sに裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームFにマウントされる。ウェーハWはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程ダイボンディング工程間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
ダイシング工程では、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハWに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられている。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ30μm程度の極薄のものが用いられる。
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハWに切込み、ウェーハWを完全切断(フルカット)する。このときウェーハWの裏面に貼られた粘着シートSは、表面から10μm程度しか切り込まれていないので、ウェーハWは個々のチップTに切断されてはいるものの、個々のチップTがバラバラにはならず、チップT同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハWが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハWの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップTの性能を低下させる要因になっていた。
一方、ダイシングブレードの一般的な機能向上を図るために、ダイシングブレードの表裏両面に複数の溝を放射状に形成し、加工部への切削水の供給と切粉の排除の改善を狙ったダイシングブレードが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平6−188308号公報
ところで、近年、表面に多数の半導体装置が形成されたウェーハWには、各半導体チップ間のダイシングエリア(ストリートと称される)上にТEG(test elementary group) と称されるプロセスおよびデバイスの評価や管理を行うためのテストパターンが形成されたものが多くなってきた。
このТEGはストリート上に単層又は多層の薄膜で形成されており、最近の狭ストリート化傾向によりストリート幅いっぱいに形成されるものが多い。
このようなТEG付のウェーハWをダイシングすると、ТEG膜にめくれや剥れが生じ、剥れた微細なТEG膜が半導体チップ内の回路パターンに付着汚染すると言う問題があった。
図7は、ウェーハWのストリートKにダイシング溝Gを加工した状態を示す平面図である。ストリートKに形成されたТEG膜Eが切り残されている。この切り残されたТEG膜Eは部分的にめくれや剥れが生じている。
このように、ウェーハWの一方向にダイシング溝を形成した時に切り残されたТEG膜Eが、そのダイシング方向と直交する方向にダイシング溝を形成する時に剥れて飛び散り、ウェーハWの表面を汚染するケースが顕著にみられる。
また、ТEG膜EごとウェーハWを完全切断する時に、ТEG膜Eがダイシングブレードの刃先に付着し、ウェーハWの裏面に発生するチッピングを増大させるという問題もあった。
このダイシング時に発生するТEG膜Eのめくれや剥れ、及びウェーハ裏面のチッピングは、機能向上が図られているはずの前出の特許文献1に記載されたダイシングブレードを用いても改善することができなかった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ストリートにТEGが形成されたウェーハに対し、ТEG膜Eのめくれや剥れによってウェーハ表面が汚染されることがなく、またТEG膜Eの影響によるウェーハ裏面チッピングが生じないダイシング方法を提供することを目的とする。
本発明は前記目的を達成するために、表面のダイシング領域にテストパターン(ТEGと呼称される)が形成されたウェーハのダイシング方法において、第1のダイシングブレードを用いて前記ウェーハの表面側から研削溝を形成し、前記ウェーハを不完全切断して前記ТEGを完全に取り去り(第1の加工)、次に第2のダイシングブレードを用い、前記不完全切断で切り残された部分を研削(第2の加工)することによって、前記ウェーハを完全切断することを特徴とする。
本発明によれば、第1の加工によってウェーハのダイシング領域(ストリート)に形成されたТEG膜を根こそぎ取り去り、次に第2の加工によってウェーハを完全切断するので、ТEG膜のめくれや剥れによってウェーハ表面が汚染されることが防止される。また第2の加工ではТEG膜の全く無い部分をカットするので、ウェーハ裏面のチッピングが減少する。
また本発明は、前記第2のダイシングブレードの厚さは、前記第1のダイシングブレードの厚さより薄いことを付加的要件としている。これにより、第2の加工時に第2のダイシングブレードが第1の加工によって形成された研削溝の壁面に接触することが防止される。
更に本発明は、前記第1のダイシングブレードを取り付けるスピンドルと、前記第2のダイシングブレードを取り付けるスピンドルとの2本のスピンドルを有するダイシング装置を用い、前記第2の加工を前記第1の加工に対して僅かな時間差で、又は1ライン或いは複数ライン遅れで、同時に行うことを付加的要件としている。
この付加的要件によれば、ウェーハの表面側の研削溝加工によるТEG膜完全除去加工(第1の加工)と、この研削溝の底部に行う切断加工(第2の加工)とを所定の時間差で同時進行するので、ダイシング時間が大幅に短縮される。
以上説明したように本発明のダイシング方法によれば、ウェーハの表面側の研削溝加工によってТEG膜を完全に除去するので、ТEG膜のめくれや剥れによってウェーハ表面が汚染されることが防止される。また、次いで行われるこの研削溝内の完全切断加工は、ТEGの全く存在しない部分を研削するので、ТEG膜がダイシングブレードの刃先に付着することに起因するウェーハ裏面チッピングが生じない。
以下添付図面に従って本発明に係るダイシング方法の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
先ず最初に、本発明に係るダイシング方法で使用するダイシング装置について説明する。図1は、ダイシング装置の外観を示す斜視図である。ダイシング装置100は、複数のウェーハWが収納されたカセットを外部装置との間で受渡すロードポート60と、吸着部51を有しウェーハWを装置各部に搬送する搬送手段50と、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段81と、加工部20と、加工後のウェーハWを洗浄し、乾燥させるスピンナ40、及び装置各部の動作を制御するコントローラ90等とから構成されている。
加工部20には、2本対向して配置され、先端に第1のダイシングブレード10が取付けられる高周波モータ内蔵型のエアーベアリング式スピンドル22Aと、第2のダイシングブレード11が取付けられる高周波モータ内蔵型のエアーベアリング式スピンドル22Bとが設けられており、どちらも30,000rpm〜60,000rpmで高速回転されるとともに、互いに独立して図のY方向のインデックス送りとZ方向の切込み送りとがなされる。また、ウェーハWを吸着載置するワークテーブル23がXテーブル30の移動によって図のX方向に研削送りされるように構成されている。
ウェーハWは、図3に示すように、粘着シートSを介してフレームFにマウントされ、ダイシング装置100に供給される。
図2は、本発明のダイシング方法に用いられる第1のダイシングブレードを表わす側断面図である。第1のダイシングブレード10は、図2に示すように、アルミニューム(Al )製のフランジ10Bと切断刃10Aとから成っている。
切断刃10Aは、フランジ10Bの一方の端面にダイヤモンド砥粒を、ニッケル(Ni )を結合材として、電気メッキ技術を用いた電鋳法で固着させたもので、ダイヤモンド砥粒を固着させた後フランジ10Bの鍔部10C(図2の2点鎖線で示す部分)をエッチングで取り除くことにより刃部が形成される。
なお、結合材に通常のニッケルよりも軟質の金属、例えばニッケル(Ni )と銅(Cu)等のニッケルよりも軟質の金属との合金を用いることにより、砥粒の自生作用が活発化し切れ味が持続する効果を持たせることができる。
ダイヤモンド砥粒は粒度#4000〜#6000の細かい砥粒が用いられ、ウェーハ切断時のチッピングを減少させるようになっている。また、切断刃10A中に占める砥粒の割合を表わす集中度は、ダイヤモンドの重量単位を基準としており、4.4ct/cm3 を100とすることから、体積%の4倍の値となっているが、本実施の形態では60〜90とした。
集中度が60よりも小さいと、砥粒の数が不足して切れ味が低下し、90よりも大きいと砥粒間に形成されるポケットが小さすぎて切削水の供給と切り粉の排除が悪くなり、同じく切れ味が低下する。本実施の形態では、集中度は60〜90が好ましいが、70〜80が更に好適である。
切断刃10Aの外径は約50mmで、厚さは60μm〜90μm程度のもので、ウェーハWのストリートKの幅よりも10μm程度マイナスした厚さのものがストリート幅に対応して用いられる。
第2のダイシングブレード11も、その構造は図2に示した第1のダイシングブレード10と同じで、アルミニューム(Al )製のフランジと切断刃とから成っている。
第2のダイシングブレード11の切断刃は、フランジの一方の端面にダイヤモンド砥粒を、ニッケル(Ni )を結合材として、電気メッキ技術を用いた電鋳法で固着させたもので、第1のダイシングブレード10同様、ダイヤモンド砥粒を固着させた後フランジ鍔部をエッチングで取り除くことにより刃部が形成される。
また、結合材に通常のニッケルよりも軟質の金属を用い、砥粒の自生作用を活発化させ切れ味を持続させる効果を持たせてもよい。
ダイヤモンド砥粒も第1のダイシングブレード10同様、粒度#4000〜#6000(好ましくは♯5000)の細かい砥粒が用いられ、ウェーハ切断時の裏面のチッピングを減少させるようになっている。♯4000より粗いとウェーハWの裏面チッピングが許容値以上に発生し、♯6000より細かいと研削負荷が大き過ぎてダイシングできない。また、切断刃中に占める砥粒の割合を表わす集中度も、60〜90とした。
集中度が60よりも小さいと、砥粒の数が不足して切れ味が低下し、90よりも大きいと砥粒間に形成されるポケットが小さすぎて切削水の供給と切り粉の排除が悪くなり、同じく切れ味が低下する。本実施の形態では、集中度を60〜90としたが、70〜80が更に好適である。
第2のダイシングブレード11の切断刃の外径は約50mmで、厚さは20μm〜30μm程度(好ましくは15μm〜20μm)である。刃厚が20μmより薄いと剛性が弱くてすぐに破損してしまい実用的でなく、30μmより厚いと研削負荷がかかり過ぎ、裏面チッピングが生じやすい。
図4は、本発明のダイシング方法に係る実施の形態を説明する概念図である。ダイシング装置100の対向配置された2本のスピンドル22A、22Bの内、手前側(図4では左側)のスピンドル22Aには第1のダイシングブレード10が取り付けられ、奥側(図4では右側)のスピンドル22Bには極薄の第2のダイシングブレード11が取り付けられている。
第1のダイシングブレード10は、50,000〜55,000rpmで回転される。また、極薄の第2のダイシングブレード11も50,000rpm〜55,000rpmで回転される。
本発明のダイシング方法では、先ず図4(a)に示すように、ウェーハWの裏面を粘着シートSに貼付した状態で、ウェーハWの主表面に形成された複数の回路パターン面P間のストリートKに第1のダイシングブレード10で研削溝G1を形成し、ストリートKに形成されたテストパターン(ТEG)のТEG膜Eを完全に除去する。
研削溝G1の研削にあたっては、第1のダイシングブレード10を挟んで設けられた図示しないノズルから研削液を供給しながら、ウェーハWの表面側から切り込み、不完全切断を行う。研削液としては純水にCО2 をバブリングしたものを使用している。
図5は、ウェーハWの表面側の一部を拡大した平面図で、研削溝G1によってストリートKに形成されたТEG膜Eが深さ方向においてのみならず幅方向においても完全に取り去られている状態を表わしている。
即ち、第1のダイシングブレード10の厚さをストリートKの幅より10μm程度少ないものを用いることにより、ТEG膜Eを切り残すことなく、完全に根こそぎ除去することができる。
この研削溝G1形成を数ライン行った後、図4(b)に示すように、最初の研削溝G1の底を極薄の第2のダイシングブレード11を用いて、粘着シートSに10μm程度切り込む形で研削溝G2を形成し、フルカットダイシング(完全切断)を行う。
この研削溝G2形成によるフルカットダイシング(完全切断)においては、フルカットダイシング(完全切断)に先立って行われる第1のダイシングブレード10によるハーフカット(研削溝G1形成)によって、ストリートKに形成されたТEG膜Eが完全に除去されているので、ТEG膜Eが第2のダイシングブレード11の刃先に付着することがなく、ウェーハWの裏面に発生するチッピングを極力抑えることができる。
また、研削溝G1の底を極薄の第2のダイシングブレード11を用いてフルカットダイシングを行う時は、研削溝G1に研削水が回り込み易いので研削ポイントへの研削水の供給が良好になり、ウェーハWの裏面チッピング低減、及び第2のダイシングブレード11の先端部への粘着シートSの付着による目詰まり低減等の効果がもたらされる。
形成された研削溝G1、及び研削溝G2は、図4(c)のA部に示すようになっている。図6はこのA部の拡大図である。同図に示すように、研削溝G1によりストリートKに形成されているТEG膜Eが完全に除去され、研削溝G1の底部に研削溝G2が粘着シートSに10μm程度切り込んだ形で形成され、ウェーハWが完全切断されている。
このように図4(c)に示すように、順次研削溝G1形成によるハーフカットダイシングと研削溝G2形成によるフルカットダイシングとが同時進行し、全てのストリートKの加工が終了すると、ウェーハWを90°回転させ、先程のストリートKと直行するストリートKの研削溝G1形成と研削溝G2形成によるフルカットダイシングとを行う。
直行するストリートKの研削溝G1形成時には、ストリートKに形成されているТEG膜Eが完全に除去されているので、良好なハーフカットを行うことができる。このようにしてウェーハWから多数のチップT、T、…が分割される。
このように、第1のダイシングブレード10を用いて、ストリートKに形成されているТEG膜Eを根こそぎ取り去り(第1の加工)、次に第2のダイシングブレード11を用いてウェーハを完全切断(第2の加工)するので、ТEG膜Eのめくれや剥れによってウェーハ表面が汚染されることが防止される。また第2の加工ではТEG膜Eの全く無い部分をカットするので、ウェーハ裏面のチッピングが減少する。
また、フルカットダイシングを所定時間遅れでハーフカットダイシングと同時に行うので、ダイシング時間の増加を抑制することができる。
なお、前述の実施の形態では、第1のダイシングブレード10及び第2のダイシングブレード11はフランジ付タイプで説明したが、本発明はこれに限らず、フランジと一体になっていないワッシャタイプのブレードであってもよい。また、使用砥粒もダイヤモンド砥粒に限らず、CBN(キュービック・ボロン・ナイトライド)砥粒等を用いてもよく、更に電鋳ブレードに限らず、通常のメタルボンドブレードやレジンボンドブレードを適用してもよい。
10…第1のダイシングブレード、11…第2のダイシングブレード、10A…切断刃、10B…フランジ、22A、22B…スピンドル、100…ダイシング装置、E…ТEG膜、F…フレーム、G1、G2…研削溝、P…回路パターン面、S…粘着シート、T…チップ、W…ウェーハ
Claims (3)
- 表面のダイシング領域にテストパターン(ТEGと呼称される)が形成されたウェーハのダイシング方法において、
第1のダイシングブレードを用いて前記ウェーハの表面側から研削溝を形成し、前記ウェーハを不完全切断して前記ТEGを完全に取り去り(第1の加工)、
次に第2のダイシングブレードを用い、前記不完全切断で切り残された部分を研削(第2の加工)することによって、前記ウェーハを完全切断することを特徴とするダイシング方法。 - 前記第2のダイシングブレードの厚さは、前記第1のダイシングブレードの厚さより薄いことを特徴とする、請求項1に記載のダイシング方法。
- 前記第1のダイシングブレードを取り付けるスピンドルと、前記第2のダイシングブレードを取り付けるスピンドルとの2本のスピンドルを有するダイシング装置を用い、
前記第2の加工を前記第1の加工に対して僅かな時間差で、又は1ライン或いは複数ライン遅れで、同時に行うことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のダイシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003378100A JP2005142399A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003378100A JP2005142399A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | ダイシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005142399A true JP2005142399A (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=34688594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003378100A Pending JP2005142399A (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005142399A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214243A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100870288B1 (ko) | 2006-03-16 | 2008-11-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2012230955A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2015012149A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子の製造方法、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2016082192A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の分割方法 |
US9929051B1 (en) | 2016-09-23 | 2018-03-27 | Chipbond Technology Corporation | Wafer dicing method |
JP2018181905A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2018181904A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
-
2003
- 2003-11-07 JP JP2003378100A patent/JP2005142399A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214243A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100870288B1 (ko) | 2006-03-16 | 2008-11-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2012230955A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2015012149A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子の製造方法、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2016082192A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の分割方法 |
US9929051B1 (en) | 2016-09-23 | 2018-03-27 | Chipbond Technology Corporation | Wafer dicing method |
JP2018050020A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | ウェハーの切断方法 |
JP2018181905A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2018181904A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6609965B2 (en) | Cutting blade | |
JP4040819B2 (ja) | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
TW201438078A (zh) | 晶圓製程的切割方法 | |
JP5498857B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2005142399A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2008277602A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP4636377B2 (ja) | ウェーハダイシング方法及びウェーハダイシング装置 | |
JP5410917B2 (ja) | 積層ドレッシングボード並びにこれを使用したドレッシング方法及び切削方法 | |
JP2004349275A (ja) | チップ製造方法 | |
TWI818091B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2007152440A (ja) | 硬脆材の加工方法 | |
JP7037422B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2005129742A (ja) | ダイシングブレード及びダイシング方法 | |
JP2005129743A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2005175148A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2005129830A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2006049419A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2005129741A (ja) | ダイシングブレード及びダイシング方法 | |
JPH11188590A (ja) | エッジポリッシング装置 | |
JPH07302772A (ja) | ダイシング方法およびウエハおよびウエハ固定用テープならびに半導体装置 | |
US7086394B2 (en) | Grindable self-cleaning singulation saw blade and method | |
JP2004207591A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009124036A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2858705B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005251909A (ja) | ドレッシング方法 |