CN111063302A - 像素混合补偿电路及像素混合补偿方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种像素混合补偿电路以及像素混合补偿方法,包括呈阵列式排布的多个像素内部驱动电路以及电性连接每一像素内部驱动电路的外部补偿电路。通过在第三薄膜晶体管的源极和漏极间加入了第四薄膜晶体管和第二电容,第四薄膜晶体管仅在探测阶段逐行开启,第二电容用于将第二节点电位的变化耦合反馈到感应线上,外部补偿电路根据感应线探测得到第二节点的电位变化(即因阈值电压Vth和迁移率漂移引起的电流变化),可以直接反应电流的变化情况;并将需要调整的电压值发送至数据信号,数据信号调整第一节点的电压,保持第一薄膜晶体管的不变,进而完成对第一薄膜晶体管的补偿。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是一种像素混合补偿电路及像素混合补偿方法。
背景技术
有机电致发光二极管(organic light emitting diode,OLED)是一种自发光的显示技术,具有视角宽、对比度高、功耗低、色彩鲜艳等优点。由于这些优势,有源有机电致发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)在显示行业所占的比重正在逐年增加。氧化物薄膜晶体管由于迁移率高,均匀性好等优点而在大尺寸AMOLED中广泛使用。但随着面板使用时间延长,薄膜晶体管以及OLED的电性会发生漂移,最终因显示不均匀等问题而失效。
因此,急需提供一种新的像素混合补偿电路及像素混合补偿方法,用以对像素内部驱动电路的薄膜晶体管进行电压补偿。
发明内容
本发明的目的是,提供一种像素混合补偿电路以及像素混合补偿方法,通过在第三薄膜晶体管(T3)的源极和漏极间加入了第四薄膜晶体管(T4)和第二电容(Cp),第四薄膜晶体管(T4)仅在探测阶段逐行开启(正常点亮关断防止不同行之间的相互影响),第二电容(Cp)用于将第二节点(S)电位的变化耦合反馈到感应线上,外部补偿电路根据感应线探测得到第二节点(S)的电位变化(即因阈值电压Vth和迁移率漂移引起的电流变化),可以直接反应电流的变化情况;并将需要调整的电压值发送至数据信号(Data),数据信号(Data)调整第一节点(G)的电压,保持第一薄膜晶体管(T1)的Vgs不变,进而完成对第一薄膜晶体管(T1)的补偿。
为达到上述目的,本发明提供一种像素混合补偿电路,包括呈阵列式排布的多个像素内部驱动电路、及通过一第一开关(Scan)电性连接每一像素内部驱动电路的外部补偿电路;每一像素内部驱动电路均包括:第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点(G),所述第一薄膜晶体管的源极电性连接第二节点(S),所述第一薄膜晶体管的漏极接入电源电压(VDD);第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管的栅极接入写入信号(WR),所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号(Data),所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接第一节点(G);第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管的栅极接入写入信号(WR),所述第三薄膜晶体管的源极电性连接第一节点(G),所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接感应线(Sensing);第四薄膜晶体管(T4),所述第四薄膜晶体管的栅极接入扫描信号(Sen),所述第四薄膜晶体管的源极电性连接第二电容(Cp),所述第四薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二节点(S);第一电容(Cst),所述第一电容(Cst)的一端电性连接所述第一节点(G),另一端电性连接所述第二节点(S);第二电容(Cp),所述第二电容(Cp)的一端电性连接所述感应线(Sensing);有机发光二极管(D1),所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接所述第二节点(S),所述有机发光二极管(D1)的阴极接地;其中,所述感应线(Sensing)电性连接多个寄生电容,每个寄生电容接地,每个寄生电容相互并联,所述感应线(Sensing)电性通过一第二开关(Spre)接入一参考电压(Vref);所述外部补偿电路用以检测所述第一节点与所述第二节点的基准电压Vgs与所述电源电压(VDD)是否相同,若不相同,则根据所述基准电压Vgs与所述电源电压(VDD)的差值,对输入至所述像素电路的数据信号进行校准,并将校准后的数据信号输入至所述像素电路。
进一步地,所述外部补偿电路包括:模数转换器,其输入端电性连接对应的所述列像素内部驱动电路中的感应线(Sensing),其输出端电性连接电流比较器的输入端;电压比较器,其输出端电性连接控制模块的输入端;控制模块,其输出端电性连接存储器的输入端;存储器,其输出端电性连接数模转换器的输入端;数模转换器,其输出端电性连接对应的所述列像素内部驱动电路中第二薄膜晶体管(T2)的源极。
进一步地,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
进一步地,所述写入信号(WR)以及扫描信号(Sen)通过外部时序控制器提供。
进一步地,所述写入信号(WR)、所述扫描信号(Sen)、及所述数据信号(Data)相组合,先后对应于一探测阶段,所述探测阶段包括:一第一阶段、一第二阶段以及一第三阶段;在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均打开;在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,且所述参考电压(Vref)与所述感应线断开;在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
进一步地,所述写入信号(WR)、所述扫描信号(Sen)、及所述数据信号(Data)相组合,先后对应于一探测阶段之后,还包括一驱动发光阶段;在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
进一步地,所述扫描信号(Sen)提供的高电位大于所述写入信号(WR)提供的高电位;所述扫描信号(Sen)提供的高电位大于所述数据信号(Data)提供高电位。
本发明提供一种像素混合补偿方法,包括如下步骤:提供如前文所述的像素混合补偿电路;进入探测阶段的第一阶段,在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均打开,所述数据信号(Data)和所述参考电压(Vref)分别对第一节点(G)和第二节点(S)点写入初始电位;进入探测阶段的第二阶段,在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,且所述参考电压Vref与所述感应线断开,所述电源电压(VDD)开始对第二节点(S)充电,第一节点(G)的电位由于第一电容(Cst)的耦合上升,所述基准电压(Vgs)基本保持不变,所述感应线(Sensing)上的电位因所述第二电容(Cp)的耦合而同步上升;进入探测阶段的第三阶段,在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,打开第一开关(Scan),通过所述外部补偿电路探测基准电压Vgs并对所述像素内部驱动电路进行电压补偿。
进一步地,还包括:在所述第三阶段中,在t时间点探测不同像素在不同灰阶下感应线(Sensing)上的电位并记录初始值Vs0;循环所述探测阶段,在每个阶段的相同的时间点t测量感应线(Sensing)上的电位Vsi,i代表的是循环所述探测阶的次数,直至Vsi与初始值Vs0相同,如若探测的Vsi与所述Vs0不同,则通过所述外部补偿电路开始对所述像素内部驱动电路进行电压补偿。
进一步地,进入所述驱动发光阶段,在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
本发明的有益效果是:本发明提供一种像素混合补偿电路以及像素混合补偿方法,通过在第三薄膜晶体管(T3)的源极和漏极间加入了第四薄膜晶体管(T4)和第二电容(Cp),第四薄膜晶体管(T4)仅在探测阶段逐行开启(正常点亮关断防止不同行之间的相互影响),第二电容(Cp)用于将第二节点(S)电位的变化耦合反馈到感应线上,外部补偿电路根据感应线探测得到第二节点(S)的电位变化(即因阈值电压Vth和迁移率漂移引起的电流变化),可以直接反应电流的变化情况;并将需要调整的电压值发送至数据信号(Data),数据信号(Data)调整第一节点(G)的电压,保持第一薄膜晶体管(T1)的Vgs不变,进而完成对第一薄膜晶体管(T1)的补偿。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明提供的像素混合补偿电路的电路图。
图2为本发明提供的像素混合补偿电路的时序图。
像素混合补偿电路100;外部补偿电路200;
模数转换器201;电压比较器202;控制模块203;
存储器204;数模转换器205。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容,下面通过具体的实施例对本发明作进一步说明,但本发明的实施和保护范围不限于此。
如图1所示,本发明提供一种像素混合补偿电路100,包括呈阵列式排布的多个像素内部驱动电路、及通过一第一开关(Scan)电性连接每一像素内部驱动电路的外部补偿电路200。
每一像素内部驱动电路均包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(Cst)以及有机发光二极管(D1)。
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),所述第一薄膜晶体管(T1)的源极电性连接第二节点(S),所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极接入电源电压(VDD)。
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入写入信号(WR),所述第二薄膜晶体管(T2)的源极接入数据信号(Data),所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极电性连接第一节点(G)。
所述第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入写入信号(WR),所述第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接第一节点(G),所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极电性连接感应线(Sensing)。
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入扫描信号(Sen),所述第四薄膜晶体管(T4)的源极电性连接第二电容(Cp),所述第四薄膜晶体管(T4)的漏极电性连接第二节点(S)。第四薄膜晶体管(T4)仅在探测阶段逐行开启(正常点亮关断防止不同行之间的相互影响),第二电容(Cp)用于将第二节点(S)的电位的变化耦合反馈到感应线(Sensing)上。
所述第一电容(Cst)一端电性连接第一节点(G),另一端电性连接第二节点(S)。
所述第二电容(Cp)一端电性连接所述感应线(Sensing)。
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(S),所述有机发光二极管(D1)的的阴极接地。
其中,所述感应线(Sensing)电性连接多个寄生电容,每个寄生电容接地,每个寄生电容相互并联;所述感应线(Sensing)电性通过一第二开关(Spre)接入一参考电压(Vref);
所述外部补偿电路200用以检测所述第一节点与所述第二节点的基准电压Vgs与所述电源电压(VDD)是否相同,若不相同,则根据所述基准电压Vgs与所述电源电压(VDD)的差值,对输入至所述像素电路的数据信号进行校准,并将校准后的数据信号输入至所述像素电路。
所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述外部补偿电路200包括:模数转换器201、电压比较器202、控制模块203、存储器204以及数模转换器205。
所述模数转换器201的输入端电性连接对应的所述列像素内部驱动电路中的感应线(Sensing),其输出端电性连接电流比较器的输入端。
所述电压比较器202的输出端电性连接控制模块203的输入端。
所述控制模块203的输出端电性连接存储器204的输入端。
所述存储器204的输出端电性连接数模转换器205的输入端。
所述数模转换器205的输出端电性连接对应的所述列像素内部驱动电路中第二薄膜晶体管(T2)的源极。
所述写入信号(WR)以及扫描信号(Sen)通过外部时序控制器提供。
如图2所示,所述写入信号(WR)、所述扫描信号(Sen)、及所述数据信号(Data)相组合,先后对应于一探测阶段,所述探测阶段包括:一第一阶段、一第二阶段以及一第三阶段;
在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均打开;
在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,且所述参考电压(Vref)与所述感应线断开。
在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
所述写入信号(WR)、所述扫描信号(Sen)、及所述数据信号(Data)相组合,先后对应于一探测阶段之后,还包括一驱动发光阶段。
在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
所述扫描信号(Sen)提供的高电位大于所述写入信号(WR)提供的高电位。
所述扫描信号(Sen)提供的高电位大于所述数据信号(Data)提供高电位。
本发明还提供一种像素混合补偿方法,包括如下步骤。
步骤S1)提供前文所述的像素混合补偿电路100。
步骤S2)进入探测阶段的第一阶段,在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均打开,所述数据信号(Data)和所述参考电压(Vref)分别对第一节点(G)和第二节点(S)点写入初始电位。
步骤S3)进入探测阶段的第二阶段,在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,且所述参考电压Vref与所述感应线断开,所述电源电压(VDD)开始对第二节点(S)充电,第一节点(G)的电位由于第一电容(Cst)的耦合上升,所述基准电压(Vgs)基本保持不变,所述感应线(Sensing)上的电位因所述第二电容(Cp)的耦合而同步上升。
步骤S4)进入探测阶段的第三阶段,在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,打开第一开关(Scan),通过所述外部补偿电路200探测基准电压Vgs并对所述像素驱动电路进行电压补偿。
探测感应线(Sensing)上的电位(该时间点应处于第二节点(S)电位开始饱和之前),设该点与写入信号(WR)关断时间的差为δt,探测到的电压为V0,保证在时间t内Vgs基本保持不变,即流过T1的电流基本保持不变设为I0,则根据电容充电的原理有:t*I0=(V0-Vref)*C,即对于固定的面板而言,C为常数,若固定t则(V0-Vref)与I0正比,当Vref取0V时,V0和I0成正比,即可以通过探测到的V0值直接反应I0的变化。
在所述第三阶段中,在t时间点探测不同像素在不同灰阶下感应线(Sensing)上的电位并记录初始值Vs0,即第二节点(S)的电位。
步骤S5)循环所述探测阶段,在每个阶段的相同的时间点t测量感应线(Sensing)上的电位Vsi,i代表的是循环所述探测阶的次数,直至Vsi与初始值Vs0相同,如若探测的Vsi与所述Vs0不同,则通过所述外部补偿电路200开始对所述像素内部驱动电路进行电压补偿。
当探测值Vsi与初始值Vs0一致时,说明薄膜晶体管的电性以及OLED的阳极电压未发生漂移,相同电压下电流无变化,数据信号(Data)电压保持不变。
当探测值Vsi与初始值Vs0不一致时,以数据信号(Data)的最小步长调整电压,按照探测步骤调整数据信号(Data)的电压,直到探测值Vsi等于初始值Vs0,记录此时的数据信号(Data)电压Vdata为补偿后的电压值(如图2所示,Data电压信号的两次调整,即对第一节点(G)进行补偿调整,进而使得整个Vgs电压可以稳定),假设调整Vdata过程中,无法得到与初始值Vs0完全一致的探测值Vsi,则取最接近值作为数据信号(Date)的电压值)。
本方法可以一次完成TFT电性漂移的探测与补偿,且由于探测可以在短时间内快速完成,因此可以在开关机时探测补偿,亦可以在面板的使用过程中实时的侦测补偿。
在探测的过程中,假设Cp以及sensing线上的这些寄生电容(假设第二电容(Cp)和寄生电容的和为C)。
步骤S6)进入所述驱动发光阶段,在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
根据本发明提供的像素混合补偿方法,以及以图2作为时序控制,提供一数据实施例,该数据实施例探测一实施例中像素内部驱动电路的电性参数。
表1不同薄膜晶体管下探测所得的电性参数
按照图2所示的时序,分别探测了不同薄膜晶体管Vth和迁移率下所需矫正的数据信号(data)电压和补偿前后的电流大小。薄膜晶体管阈值电压Vth相当于图1电路图的第一节点(G)以及第二节点(S)的电压Vgs。
初始时假设TFT的迁移率为U0,设置data电压为5V,在t时间点探测感应线上的电位,其大小如表中的所示为VADC=5.813V,之后按照所述像素混合补偿方法的步骤对感应线上的电位进行探测,直到探测到的电压和初始电压一致,记录此时的数据电压为补偿后的数据信号(data)电压值。
从电流的结果可以看出仅Vth变化时(±1.5V),不补偿时电流变异在44%以上,补偿后电流变异量在0.5%以下;仅迁移率变化时(变化0.5倍或者1.5倍),不补偿时电流变异量在16%以上,补偿后在2%以下;当Vth和迁移率同时变化时,不补偿时。
本发明提供一种像素混合补偿电路100以及像素混合补偿方法,通过在第三薄膜晶体管(T3)的源极和漏极间加入了第四薄膜晶体管(T4)和第二电容(Cp),第四薄膜晶体管(T4)仅在探测阶段逐行开启(正常点亮关断防止不同行之间的相互影响),第二电容(Cp)用于将第二节点(S)电位的变化耦合反馈到感应线上,外部补偿电路200根据感应线探测得到第二节点(S)的电位变化(即因阈值电压Vth和迁移率漂移引起的电流变化),可以直接反应电流的变化情况;并将需要调整的电压值发送至数据信号(Data),数据信号(Data)调整第一节点(G)的电压,保持第一薄膜晶体管(T1)的Vgs不变,进而完成对第一薄膜晶体管(T1)的补偿。
应当指出,对于经充分说明的本发明来说,还可具有多种变换及改型的实施方案,并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明,而不是对本发明的限制。总之,本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。
Claims (10)
1.一种像素混合补偿电路,其特征在于,包括呈阵列式排布的多个像素内部驱动电路、及通过一第一开关(Scan)电性连接每一像素内部驱动电路的外部补偿电路;
每一像素内部驱动电路均包括:
第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点(G),所述第一薄膜晶体管的源极电性连接第二节点(S),所述第一薄膜晶体管的漏极接入电源电压(VDD);
第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管的栅极接入写入信号(WR),所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号(Data),所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接第一节点(G);
第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管的栅极接入写入信号(WR),所述第三薄膜晶体管的源极电性连接第一节点(G),所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接感应线(Sensing);
第四薄膜晶体管(T4),所述第四薄膜晶体管的栅极接入扫描信号(Sen),所述第四薄膜晶体管的源极电性连接第二电容(Cp),所述第四薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二节点(S);
第一电容(Cst),所述第一电容(Cst)的一端电性连接所述第一节点(G),另一端电性连接所述第二节点(S);
第二电容(Cp),所述第二电容(Cp)的一端电性连接所述感应线(Sensing);
有机发光二极管(D1),所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接所述第二节点(S),所述有机发光二极管(D1)的阴极接地;
其中,所述感应线(Sensing)电性连接多个寄生电容,每个寄生电容接地,每个寄生电容相互并联,所述感应线(Sensing)电性通过一第二开关(Spre)接入一参考电压(Vref);
所述外部补偿电路用以检测所述第一节点与所述第二节点的基准电压Vgs与所述电源电压(VDD)是否相同,若不相同,则根据所述基准电压Vgs与所述电源电压(VDD)的差值,对输入至所述像素电路的数据信号进行校准,并将校准后的数据信号输入至所述像素电路。
2.根据权利要求1所述的像素混合补偿电路,其特征在于,
所述外部补偿电路包括:模数转换器、感应线(Sensing)、电压比较器、控制模块、存储器以及数模转换器;
所述模数转换器,其输入端电性连接对应的所述像素内部驱动电路中的所述感应线(Sensing),其输出端电性连接电压比较器的输入端;
所述电压比较器,其输出端电性连接所述控制模块的输入端;
所述控制模块,其输出端电性连接所述存储器的输入端;
所述存储器,其输出端电性连接所述数模转换器的输入端;
所述数模转换器,其输出端电性连接对应的所述像素内部驱动电路中第二薄膜晶体管(T2)的源极。
3.根据权利要求1所述的像素混合补偿电路,其特征在于,
所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的像素混合补偿电路,其特征在于,
所述写入信号(WR)以及所述扫描信号(Sen)通过外部时序控制器提供。
5.根据权利要求2所述的像素混合补偿电路,其特征在于,
所述写入信号(WR)、所述扫描信号(Sen)、及所述数据信号(Data)相组合,先后对应于一探测阶段,所述探测阶段包括:一第一阶段、一第二阶段以及一第三阶段;
在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均打开;
在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,且所述参考电压(Vref)与所述感应线断开;
在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
6.根据权利要求5所述的像素混合补偿电路,其特征在于,
所述写入信号(WR)、所述扫描信号(Sen)、及所述数据信号(Data)相组合,先后对应于一探测阶段之后,还包括一驱动发光阶段;
在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
7.根据权利要求5所述的像素混合补偿电路,其特征在于,
所述扫描信号(Sen)提供的高电位大于所述写入信号(WR)提供的高电位;
所述扫描信号(Sen)提供的高电位大于所述数据信号(Data)提供高电位。
8.一种像素混合补偿方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供如权利要求1~7任一项所述的像素混合补偿电路;
进入探测阶段的第一阶段,在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、及所述第四薄膜晶体管(T4)均打开,所述数据信号(Data)和所述参考电压(Vref)分别对第一节点(G)和第二节点(S)点写入初始电位;
进入探测阶段的第二阶段,在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)以及所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,且所述参考电压Vref与所述感应线断开,所述电源电压(VDD)开始对第二节点(S)充电,第一节点(G)的电位由于第一电容(Cst)的耦合上升,所述基准电压(Vgs)基本保持不变,所述感应线(Sensing)上的电位因所述第二电容(Cp)的耦合而同步上升;
进入探测阶段的第三阶段,在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,打开第一开关(Scan),通过所述外部补偿电路探测基准电压Vgs并对所述像素内部驱动电路进行电压补偿。
9.根据权利要求8所述的像素混合补偿方法,其特征在于,还包括:
在所述第三阶段中,在t时间点探测不同像素在不同灰阶下感应线(Sensing)上的电位并记录初始值Vs0;
循环所述探测阶段,在每个阶段的相同的时间点t测量感应线(Sensing)上的电位Vsi,i代表的是循环所述探测阶的次数,直至Vsi与初始值Vs0相同,如若探测的Vsi与所述Vs0不同,则通过所述外部补偿电路开始对所述像素内部驱动电路进行电压补偿。
10.根据权利要求9所述的像素混合补偿方法,其特征在于,
进入所述驱动发光阶段,在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
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