CN111429848A - 显示面板外部补偿装置、显示面板及电压补偿方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板外部补偿装置、显示面板及电压补偿方法,所述显示面板外部补偿装置包括:数据单元、时序控制单元、存储单元、采集单元、比对单元以及电流转换单元,该装置用以连接一显示面板的驱动电路,获取不同灰阶的电压数据,电压数据包括该显示面板薄膜晶体管的阈值电压(Vth)以及位于所述薄膜晶体管两端的节点的电位值,薄膜晶体管的一端节点接入一时序控制单元产生的时序信号,薄膜晶体管的另一端的节点用以被所述数据单元获取初始电压值以及实时电压值。并且通过比对单元以及所述时序控制单元对所述显示面板的驱动电路的薄膜晶体管的一端节点进行电压补偿。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是一种显示面板外部补偿装置、显示面板及电压补偿方法。
背景技术
有机电致发光二极管(organic light emitting diode,OLED)是一种自发光的显示技术,具有视角宽、对比度高、功耗低、色彩鲜艳等优点。由于这些优势,有源有机电致发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)在显示行业所占的比重正在逐年增加。氧化物薄膜晶体管由于迁移率高,均匀性好等优点而在大尺寸AMOLED中广泛使用。但随着面板使用时间延长,薄膜晶体管以及OLED的电性会发生漂移,最终因显示不均匀等问题而失效。
因此,急需提供一种显示面板外部补偿装置、显示面板及电压补偿方法,用以对像素内部驱动电路的薄膜晶体管进行阈值电压补偿。
发明内容
本发明的目的是,本发明提供一种显示面板外部补偿装置、显示面板及电压补偿方法,用以对像素内部驱动电路的薄膜晶体管进行阈值电压补偿。
为达到上述目的,提供一种显示面板外部补偿装置,包括:数据单元,用以连接一显示面板的驱动电路,获取不同灰阶的电压数据,所述电压数据包括该所述显示面板的薄膜晶体管的阈值电压(Vth)以及位于所述薄膜晶体管两端的节点的电位值,所述薄膜晶体管的一端节点接入一时序控制单元产生的时序信号,所述薄膜晶体管的另一端的节点用以被所述数据单元获取初始电压值以及实时电压值;时序控制单元,接入所述显示面板的驱动电路,用以提供一探测阶段时序以及显示驱动时序;存储单元,用以存储所述数据单元所获取的电压数据;采集单元,用以采集所述存储单元的电压数据;比对单元,比对所述初始电压数据以及所述获取的电压数据是否相同,若否,则通过控制所述时序控制单元对所述显示面板的驱动电路的薄膜晶体管的一端节点进行电压补偿,用以使所述实时电压值与所述初始电压值相同。
进一步地,还包括:电流转换单元,根据电容充电原理将所述实时电压值转换为实时电流值。
进一步地,所述存储单元、数据单元、时序控制单元、存储单元、采集单元以及比对单元都分布在一电路板上;和/或,所述存储单元为闪存芯片。
进一步地,所述时序开关控制单元包括:定电压输出单元,用以输出一恒定电压信号;读取电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号;数据电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号;写入电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号;参考电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号。
进一步地,所述显示面板的驱动电路包括:第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点(G),所述第一薄膜晶体管的源极电性连接第二节点(S),所述第一薄膜晶体管的漏极接入电源电压(VDD),所述电源电压(VDD)由所述定电压输出单元控制,所述第二节点(S)为所述薄膜晶体管的另一端的节点;第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管的栅极接入写入信号(WR),所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号(Data),所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接第一节点(G),所述写入信号(WR)由所述写入电压输出单元控制,所述数据信号(Data)由所述数据电压输出单元控制;第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管的栅极接入读取信号(RD),所述第三薄膜晶体管的源极电性连接第一节点(G),所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接感应线(Sensing),所述读取信号(RD)由所述读取电压输出单元控制;第一电容(Cst),所述第一电容(Cst)的一端电性连接所述第一节点(G),另一端电性连接所述第二节点(S);有机发光二极管(D1),所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接所述第二节点(S),所述有机发光二极管(D1)的阴极接地;其中,所述感应线(Sensing)电性连接多个寄生电容,每个寄生电容接地,每个寄生电容相互并联,所述感应线(Sensing)电性通过一第二开关(Spre)接入一参考电压(Vref),所述参考电压(Vref)由所述参考电压输出单元控制。
进一步地,所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、及所述第三薄膜晶体管(T3)均包括:低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
进一步地,所述探测阶段时序包括:一第一阶段、一第二阶段以及一第三阶段;在所述第一阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一高电平信号,所述参考电压输单元输出一高电平信号;在所述第二阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一低电平信号;在所述第三阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一低电平信号。
进一步地,在所述显示驱动时序阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一低电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一高电平信号。
一方面,本发明提供一种显示面板,包括前文所述的显示面板外部补偿装置。
一方面,本发明提供一种电压补偿方法,包括如下步骤:提供前文所述的显示面板外部补偿装置;所述显示面板的驱动电路进入探测阶段时序的第一阶段,在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述读取信号(RD)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述参考电压(Vref)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)及所述第三薄膜晶体管(T3)打开,所述数据信号(Data)和所述参考电压(Vref)分别对第一节点(G)和第二节点(S)点写入初始电位;所述显示面板的驱动电路进入探测阶段的第二阶段,在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述参考电压(Vref)提供低电位,所述第二薄膜晶体管(T2)关闭,且所述参考电压Vref与所述感应线断开,所述电源电压(VDD)开始对第二节点(S)充电,第一节点(G)的电位由于第一电容(Cst)的耦合上升,基准电压(Vgs)保持不变;进入探测阶段时序的第三阶段,在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,打开第一开关(Scan);在所述第三阶段中,在t时间点探测不同像素在不同灰阶下感应线(Sensing)上的电位,即第二节点(S)的电位,通过所述数据单元记录初始电压值Vs0;循环所述探测阶段,在每个阶段的相同的时间点t测量感应线(Sensing)上的电位Vsi,并通过所述电流转换单元进行电压电流转换,如若探测的Vsi与所述Vs0不同,则通过所述比对单元对所述显示面板的驱动电路进行电压补偿,直至Vsi与初始值Vs0相同;其中,i代表的是循环所述探测阶段时序的次数。
本发明的有益效果是:本发明提供一种显示面板外部补偿装置、显示面板及电压补偿方法,所述显示面板外部补偿装置用以连接一显示面板的驱动电路,获取不同灰阶的电压数据,所述电压数据包括显示面板的薄膜晶体管的阈值电压(Vth)以及位于所述薄膜晶体管两端的节点的电位值,所述薄膜晶体管的一端节点接入一时序控制单元产生的时序信号,所述薄膜晶体管的另一端的节点用以被所述数据单元获取初始电压值以及实时电压值。并且通过比对单元以及所述时序控制单元对所述显示面板的驱动电路的薄膜晶体管的一端节点进行电压补偿。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明提供的显示面板外部补偿装置的功能模块图;
图2为本发明提供的显示面板的驱动电路的电路图;
图3为本发明提供的时序控制单元的时序图;
显示面板外部补偿装置200;显示面板的驱动电路100;
数据单元201;时序控制单元202;存储单元203;
采集单元204;比对单元205;电流转换单元206。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容,下面通过具体的实施例对本发明作进一步说明,但本发明的实施和保护范围不限于此。
以下实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
如图1所示,本发明提供一种显示面板外部补偿装置200,包括:数据单元201、时序控制单元202、存储单元203、采集单元204、比对单元205以及电流转换单元206。
所述数据单元201,用以连接一显示面板的驱动电路100,获取不同灰阶的电压数据,所述电压数据包括该显示面板薄膜晶体管的阈值电压(Vth)以及位于所述薄膜晶体管两端的节点的电位值,所述薄膜晶体管的一端节点接入一时序控制单元202产生的时序信号,所述薄膜晶体管的另一端的节点用以被所述数据单元201获取初始电压值以及实时电压值。
所述时序控制单元202接入所述显示面板的驱动电路100,用以提供一探测阶段时序以及显示驱动时序。
所述时序开关控制单元包括:定电压输出单元、读取电压输出单元、数据电压输出单元、写入电压输出单元以及参考电压输出单元。
所述定电压输出单元用以输出一恒定电压信号;所述读取电压输出单元用以输出一高电平信号或低电平信号;所述数据电压输出单元用以输出一高电平信号或低电平信号;所述写入电压输出单元用以输出一高电平信号或低电平信号;所述参考电压输出单元用以输出一高电平信号或低电平信号。
所述读取电压输出单元输出一高电平信号值大于所述数据电压输出单元和所述写入电压输出单元输出一高电平信号。
所述存储单元203用以存储所述数据单元201所获取的电压数据。
所述采集单元204用以采集所述存储单元203的电压数据。
所述比对单元205用以比对所述初始电压数据以及所述获取的电压数据是否相同,若否,则通过控制所述时序控制单元202对所述显示面板的驱动电路100的薄膜晶体管的一端节点进行电压补偿,用以使所述实时电压值与所述初始电压值相同。
所述电流转换单元206根据电容充电原理将所述实时电压值转换为实时电流值。
所述存储单元203、数据单元201、时序控制单元202、存储单元203、采集单元204以及比对单元205都分布在一电路板上;和/或,所述存储单元203为闪存芯片。
如图2所示,所述显示面板的驱动电路100包括:第一薄膜晶体管(T1)~第三薄膜晶体管(T3)、第一电容(Cst)以及有机发光二极管(D1)。
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),所述第一薄膜晶体管的源极电性连接第二节点(S),所述第一薄膜晶体管的漏极接入电源电压(VDD),所述电源电压(VDD)由所述定电压输出单元控制,所述第二节点(S)为所述薄膜晶体管的另一端的节点。所述第一节点(G)为薄膜晶体管的一端节点。
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入写入信号(WR),所述第二薄膜晶体管(T2)的源极接入数据信号(Data),所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极电性连接第一节点(G),所述写入信号(WR)由所述写入电压输出单元控制,所述数据信号(Data)由所述数据电压输出单元控制。
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入读取信号(RD),所述第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接第一节点(G),所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极电性连接感应线(Sensing),所述读取信号(RD)由所述读取电压输出单元控制。
所述第一电容(Cst)的一端电性连接所述第一节点(G),另一端电性连接所述第二节点(S)。
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接所述第二节点(S),所述有机发光二极管(D1)的阴极接地。;
所述感应线(Sensing)电性连接多个寄生电容,每个寄生电容接地,每个寄生电容相互并联,所述感应线(Sensing)电性通过一第二开关(Spre)接入一参考电压(Vref),所述参考电压(Vref)由所述参考电压输出单元控制。
所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、及所述第三薄膜晶体管(T3)均包括:低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
如图3所示,所述探测阶段时序包括:一第一阶段、一第二阶段以及一第三阶段。
在所述第一阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一高电平信号,所述参考电压输单元输出一高电平信号。
在所述第二阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一低电平信号。
在所述第三阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一低电平信号。
在所述显示驱动时序阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一低电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一高电平信号。
本发明提供一种显示面板,包括所述的显示面板外部补偿装置200。本发明提供的显示面板可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
所述显示面板外部补偿装置200用以连接一显示面板的驱动电路100,获取不同灰阶的电压数据,所述电压数据包括该显示面板薄膜晶体管的阈值电压(Vth)以及位于所述薄膜晶体管两端的节点的电位值,所述薄膜晶体管的一端节点接入一时序控制单元202产生的时序信号,所述薄膜晶体管的另一端的节点用以被所述数据单元201获取初始电压值以及实时电压值。并且通过比对单元205以及所述时序控制单元202对所述显示面板的驱动电路100的薄膜晶体管的一端节点进行电压补偿。
本发明提供的显示面板外部补偿装置200可以为多种形式,只要具有上述功能单元即可。本领域技术人员可以采用硬件、软件、固件或三折的结合来实现上述功能单元,从而形成本发明实施例的装置和显示面板。
本发明还提供一种电压补偿方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1)提供前文所述的显示面板外部补偿装置200,以及如。
步骤S2)所述显示面板的驱动电路100进入探测阶段时序的第一阶段,在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述读取信号(RD)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述参考电压(Vref)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)及所述第三薄膜晶体管(T3)打开,所述数据信号(Data)和所述参考电压(Vref)分别对第一节点(G)和第二节点(S)点写入初始电位。
步骤S3)所述显示面板的驱动电路100进入探测阶段的第二阶段,在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述参考电压(Vref)提供低电位,所述第二薄膜晶体管(T2)关闭,且所述参考电压Vref与所述感应线断开,所述电源电压(VDD)开始对第二节点(S)充电,第一节点(G)的电位由于第一电容(Cst)的耦合上升,基准电压(Vgs)保持不变,所述基准电压即第一节点(G)以及第二节点(S)之间的电压,即是栅极-源极之间的电压。
步骤S4)进入探测阶段时序的第三阶段,在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,打开第一开关(Scan),通过所述外部补偿电路探测第二节点(S)的电压。
步骤S5)在所述第三阶段中,在t时间点探测不同像素在不同灰阶下感应线(Sensing)上的电位,即第二节点(S)的电位,通过所述数据单元201记录初始电压值Vs0。
步骤S6)循环所述探测阶段,在每个阶段的相同的时间点t测量感应线(Sensing)上的电位Vsi,并通过所述电流转换单元206进行电压电流转换,如若探测的Vsi与所述Vs0不同,则通过所述比对单元205对所述显示面板的驱动电路100进行电压补偿,直至Vsi与初始值Vs0相同;其中,i代表的是循环所述探测阶段时序的次数。
其中,在第三阶段,设该点与写入信号(WR)关断时间的差为δt,探测到的电压为V0,保证在时间t内Vgs基本保持不变,即流过T1的电流基本保持不变设为I0,则根据电容充电的原理有:t*I0=(V0-Vref)*C,即对于固定的面板而言,C为常数,若固定t则(V0-Vref)与I0正比,当Vref取0V时,V0和I0成正比,即可以通过探测到的V0值直接反应I0的变化,V0即所述Vsi,即第二节点的电压值。
本方法可以一次完成TFT电性漂移的探测与补偿,且由于探测可以在短时间内快速完成,因此可以在开关机时探测补偿,亦可以在面板的使用过程中实时的侦测补偿,也可以侦测不同灰阶电流的变化。
在探测的过程中,假设Cst以及sensing线上的这些寄生电容(假设电容(Cst)和寄生电容的和为C)。
步骤S7)进入所述驱动发光阶段,在所述驱动发光阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述扫描信号(Sen)提供低电位,所述数据信号(Data)提供高电位。
根据本发明提供的电压补偿方法,以及以图2作为时序控制,提供一数据实施例,该数据实施例探测一实施例中像素内部驱动电路的电性参数。
表1不同薄膜晶体管下探测所得的电性参数
按照图2所示的时序,我们分别探测了不同Vth和迁移率下所需矫正的数据电压和补偿前后的电流大小。初始时假设TFT的迁移率为U0,我们设置数据电压为5V,在δt时间点探测S点电位,其大小如表一所示为VADC=9.51V,之后按照前面所述的步骤对S点电位进行探测,直到探测到的电压和初始电压一致,记录此时的数据电压为补偿后的data电压值。
从电流的结果我们可以看出仅Vth变化时(±1.5V),不补偿时电流变异在40%以上,补偿后电流变异量在1%以下;仅迁移率变化时(变化0.5倍或者1.5倍),不补偿时电流变异量在15%以上,补偿后在2%左右;当Vth和迁移率同时变化时,不补偿时电流变异量在19%以上,补偿后在2%左右。从以上仿真结果可以明显的看出该方案可以有效的补偿Vth和迁移率变化对电流的影响。
应当指出,对于经充分说明的本发明来说,还可具有多种变换及改型的实施方案,并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明,而不是对本发明的限制。总之,本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。
Claims (10)
1.一种显示面板外部补偿装置,其特征在于,包括:
数据单元,用以连接一显示面板的驱动电路,获取不同灰阶的电压数据,所述电压数据包括所述显示面板的薄膜晶体管的阈值电压(Vth)以及位于所述薄膜晶体管两端的节点的电位值,所述薄膜晶体管的一端节点接入一时序控制单元产生的时序信号,所述薄膜晶体管的另一端的节点用以被所述数据单元获取初始电压值以及实时电压值;
时序控制单元,接入所述显示面板的驱动电路,用以提供一探测阶段时序以及显示驱动时序;
存储单元,用以存储所述数据单元所获取的电压数据;
采集单元,用以采集所述存储单元的电压数据;
比对单元,比对所述初始电压数据以及所述获取的电压数据是否相同,若否,则通过控制所述时序控制单元对所述显示面板的驱动电路的薄膜晶体管的一端节点进行电压补偿,用以使所述实时电压值与所述初始电压值相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,还包括:
电流转换单元,根据电容充电原理将所述实时电压值转换为实时电流值。
3.根据权利要求1所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,所述存储单元、数据单元、时序控制单元、存储单元、采集单元以及比对单元都分布在一电路板上;和/或,
所述存储单元为闪存芯片。
4.根据权利要求1所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,所述时序开关控制单元包括:
定电压输出单元,用以输出一恒定电压信号;
读取电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号;
数据电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号;
写入电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号;
参考电压输出单元,用以输出一高电平信号或低电平信号。
5.根据权利要求4所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,所述显示面板的驱动电路包括:
第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点(G),所述第一薄膜晶体管的源极电性连接第二节点(S),所述第一薄膜晶体管的漏极接入电源电压(VDD),所述电源电压(VDD)由所述定电压输出单元控制,所述第二节点(S)为所述薄膜晶体管的另一端的节点;
第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管的栅极接入写入信号(WR),所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号(Data),所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接第一节点(G),所述写入信号(WR)由所述写入电压输出单元控制,所述数据信号(Data)由所述数据电压输出单元控制;
第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管的栅极接入读取信号(RD),所述第三薄膜晶体管的源极电性连接第一节点(G),所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接感应线(Sensing),所述读取信号(RD)由所述读取电压输出单元控制;
第一电容(Cst),所述第一电容(Cst)的一端电性连接所述第一节点(G),另一端电性连接所述第二节点(S);
有机发光二极管(D1),所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接所述第二节点(S),所述有机发光二极管(D1)的阴极接地;
其中,所述感应线(Sensing)电性连接多个寄生电容,每个寄生电容接地,每个寄生电容相互并联,所述感应线(Sensing)电性通过一第二开关(Spre)接入一参考电压(Vref),所述参考电压(Vref)由所述参考电压输出单元控制。
6.根据权利要求5所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、及所述第三薄膜晶体管(T3)均包括:低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
7.根据权利要求4所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,所述探测阶段时序包括:一第一阶段、一第二阶段以及一第三阶段;
在所述第一阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一高电平信号,所述参考电压输单元输出一高电平信号;
在所述第二阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一低电平信号;
在所述第三阶段,所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一高电平信号,所述数据电压输出单元输出一高电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一低电平信号。
8.根据权利要求4所述的显示面板外部补偿装置,其特征在于,在所述显示驱动时序阶段,
所述定电压输出单元输出一恒定电压信号,所述读取电压输出单元输出一低电平信号,所述写入电压输出单元输出一低电平信号,所述参考电压输出单元输出一高电平信号。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的显示面板外部补偿装置。
10.一种电压补偿方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供如权利要求1~8任一项所述的显示面板外部补偿装置;
所述显示面板的驱动电路进入探测阶段时序的第一阶段,在所述第一阶段,所述写入信号(WR)提供高电位,所述读取信号(RD)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,所述参考电压(Vref)提供高电位,所述第二薄膜晶体管(T2)及所述第三薄膜晶体管(T3)打开,所述数据信号(Data)和所述参考电压(Vref)分别对第一节点(G)和第二节点(S)点写入初始电位;
所述显示面板的驱动电路进入探测阶段的第二阶段,在所述第二阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述参考电压(Vref)提供低电位,所述第二薄膜晶体管(T2)关闭,且所述参考电压Vref与所述感应线断开,所述电源电压(VDD)开始对第二节点(S)充电,第一节点(G)的电位由于第一电容(Cst)的耦合上升,基准电压(Vgs)保持不变;
进入探测阶段时序的第三阶段,在所述第三阶段,所述写入信号(WR)提供低电位,所述扫描信号(Sen)提供高电位,所述数据信号(Data)提供高电位,打开第一开关(Scan);
在所述第三阶段中,在t时间点探测不同像素在不同灰阶下感应线(Sensing)上的电位,即第二节点(S)的电位,通过所述数据单元记录初始电压值Vs0;
循环所述探测阶段,在每个阶段的相同的时间点t测量感应线(Sensing)上的电位Vsi,并通过所述电流转换单元进行电压电流转换,如若探测的Vsi与所述Vs0不同,则通过所述比对单元对所述显示面板的驱动电路进行电压补偿,直至Vsi与初始值Vs0相同;其中,i代表的是循环所述探测阶段时序的次数。
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