CN110872701B

CN110872701B - 基板处理装置及半导体装置的制造方法

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Publication number: CN110872701B
Application number: CN201910803261.XA
Authority: CN
Inventors: 白子贤治; 谷山智志
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 2018-09-04
Filing date: 2019-08-28
Publication date: 2022-04-08
Anticipated expiration: 2039-08-28
Also published as: JP6896682B2; US20200071821A1; KR20200027430A; JP2020038904A; CN110872701A; US10590531B1; KR102271228B1

Abstract

本发明提供基板处理装置及半导体装置的制造方法，在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。该基板处理装置具备：第一处理模块；第二处理模块；第一排气箱；第二排气箱；通用供给箱；第一阀组；以及第二阀组，为了在第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜，而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理，关于所错开的时间，通过以多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。

Description

基板处理装置及半导体装置的制造方法

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

基板处理装置具备处理模块，该处理模块具有对配置于纵向的多个基板进行处理的处理炉。在这种基板处理装置中，提出有一种具备多个处理模块的基板处理装置(日本特开2016－9724号公报、美国专利第6902624号说明书)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－9724号公报

专利文献2：美国专利第6902624号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

在具备第一处理模块和第二处理模块的基板处理装置中，在利用各个处理模块在基板上形成相同的膜的情况下，在多个处理模块之间所生成的膜的品质有可能不同。

本公开的课题是提供如下的一种技术，即在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下，能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。

其它的课题和新特征可以通过本说明书的记载和附图而明了。

用于解决课题的方案

下面简单地对本公开的代表性的概要进行说明。

根据一方案，可提供一种技术，其具备：

第一处理模块，其具有对纵向配置的多个基板进行处理的第一处理容器；

第二处理模块，其具有与所述第一处理容器相邻地配置并对纵向配置的多个基板进行处理的第二处理容器；

第一排气箱，其收纳有对所述第一处理容器内进行排气的第一排气***；

第二排气箱，其收纳有对所述第二处理容器内进行排气的第二排气***；

通用供给箱，其控制向所述第一处理容器及第二处理容器内供给的多种处理气体的流路和流量的至少一方；

第一阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第一处理容器连接；以及

第二阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第二处理容器连接，

为了在所述第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜，而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理，

关于所错开的时间，通过以所述多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。

发明的效果

根据本公开，能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。

附图说明

图1是概略地表示适用于实施方式的基板处理装置的一例的俯视图。

图2是概略地表示适用于实施方式的基板处理装置的一例的纵向剖视图。

图3是概略地表示适用于实施方式的基板处理装置的一例的纵向剖视图。

图4是概略地表示适用于实施方式的处理炉的一例的纵向剖视图。

图5是概略地表示适用于实施方式的处理模块的一例的横向剖视图。

图6A是对控制器的配方的控制例进行说明的图。

图6B是对控制器的配方的控制例进行说明的图。

图6C的对控制器的配方的控制例进行说明的图。

图7是对控制器的配方的其它的控制例进行说明的图。

图8是表示决定偏移量的处理流程的图。

图9是概略地表示变形例1的基板处理装置的一例的俯视图。

图10是概略地表示变形例2的基板处理装置的一例的俯视图。

图11是表示变形例3的气体供给***的图。

图中：

3—处理模块；4—反应管；72—供给箱；74—排气箱；76—控制箱；100—控制器。

具体实施方式

以下参照附图对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。

在各图中对于相同或者对应的结构标记相同或者对应的参照符号并省略重复的说明。另外，将后述的收纳室9侧作为正面侧(前侧)，将后述的搬运室6A、6B侧作为背面侧(后侧)。此外，将朝向后述的处理模块3A、3B的边界线(相邻面)侧作为内侧，将远离后述的处理模块3A、3B的边界线侧作为外侧。

在本实施方式中，基板处理装置2构成为立式基板处理装置(以下称为处理装置)2，其作为半导体装置(器件)的制造方法中的制造工序的一个工序而实施热处理等基板处理工序。

如图1、图2所示，处理装置2具备相邻的两个处理模块3A、3B。处理模块3A由处理炉4A和搬运室6A构成。处理模块3B由处理炉4B和搬运室6B构成。分别在处理炉4A、4B的下方配置有搬运室6A、6B。与搬运室6A、6B的正面侧相邻地配置有移载室8，该移载室8具备移载晶圆W的移载机7。在移载室8的正面侧连结有收纳室9，该收纳室9对收纳多张晶圆W的晶圆盒(FOUP)5进行收纳。在收纳室9的整面设置输入输出口22，经由输输入输出口22可将晶圆盒5送入处理装置2内或者送出到处理装置2外。

分别在搬运室6A、6B与移载室8的边界壁(相邻面)设置闸阀90A、90B。移载室8内及搬运室6A、6B内分别设置有压力检测器，移载室8内的压力设定为低于搬运室6A、6B内的压力。另外，在移载室8内及搬运室6A、6B内分别设置有氧浓度检测器，移载室8A内及搬运室6A、6B内的氧浓度维持低于大气中的氧浓度。如图3所示，在移载室8的顶盖部设置有向移载室8内供给清洁空气的清洁单元62C，且构成为移载室8内使作为清洁空气的例如惰性气体循环。在移载室8内利用惰性气体进行循环清洗，从而能够使移载室8内形成洁净的环境气体。采用这种结构，能够抑制搬运室6A、6B内的尘粒等混入到移载室8内的情况，并抑制在移载室8内及搬运室6A、6B内在晶圆W上形成自然氧化膜的情况。

处理模块3A及处理模块3B具有相同的结构，因此以下仅以处理模块3A为代表进行说明。

如图4所示，处理炉4A具备：圆筒形状的反应管10A、以及在反应管10A的外周设置的作为加热单元(加热机构)的加热器12A。反应管例如由石英、SiC形成。在反应管10A的内部形成对作为基板的晶圆W进行处理的处理室14A。在反应管10A设置作为温度检测器的温度检测部16A。温度检测部16A沿着反应管10A的内壁立设。

在基板处理中使用的气体通过作为气体供给***的气体供给机构34向处理室14A内供给。气体供给机构34供给的气体可根据进行成膜的膜的种类来更换。此处，气体供给机构34包含：原料气体供给部、反应气体供给部以及惰性气体供给部。气体供给机构34收纳于后述的供给箱72。此外，供给箱72相对于处理模块3A、3B通用地设置，因此可视为通用供给箱。

第一气体供给部即原料气体供给部具备气体供给管36a，在气体供给管36a从上游方向起依次设置有：作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)38a以及作为开闭阀的阀41a、40a。气体供给管36a与贯通岐管18的侧壁的喷嘴44a连接。喷嘴44a在反应管10A内沿着上下方向立设，且形成有朝向被晶舟26保持的晶圆W开口的多个供给孔。经由喷嘴44a的供给孔向晶圆W供给原料气体。

以下采用同样的结构，从第二气体供给部即反应气体供给部，经由供给管36b、MFC38b、阀41b、阀40b以及喷嘴44b向晶圆W供给反应气体。从惰性气体供给部，经由供给管36c、36d、MFC38c、38d、阀41c、41d、阀40c、40d以及喷嘴44a、44b向晶圆W供给惰性气体。喷嘴44b在反应管10A内沿着上下方向立设，且形成有朝向被晶舟26保持的晶圆W开口的多个供给孔。经由喷嘴44b的供给孔向晶圆W供给原料气体。

另外，气体供给机构34也设置有第三气体供给部，用于向晶圆W供给反应气体、原料气体、或者无助于基板处理的惰性气体、清洁气体。从第三气体供给部经由供给管36e、MFC38e、阀41e、阀40e以及喷嘴44c向晶圆W供给反应气体。从惰性气体供给部经过有供给管36f、MFC38f、阀41f、阀40f以及喷嘴44c向晶圆W供给惰性气体或者清洁气体。喷嘴44c在反应管10A内沿着上下方向立设，且形成有朝向被晶舟26保持的晶圆W开口的多个供给孔。经由喷嘴44c的供给孔向晶圆W供给原料气体。

在反应管10A内设置有三个喷嘴44a、44b、44c，且构成为能够在反应管10A内将三种原料气体以预定的顺序并且、或者预定的周期进行供给。反应管10A内的喷嘴44a、44b、44c所连接的阀40a、40b、40c、40d、40e、40f为最终阀，且设置于后述的最终阀设置部75A。同样地，在反应管10B内设置有三个喷嘴44a、44b、44c，且构成为能够在反应管10B内将三种原料气体以预定的顺序并且、或者预定的周期进行供给。反应管10B内的喷嘴44a、44b、44c所连接的阀40a、40b、40c、40d、40e、40f为最终阀，且设置于后述的最终阀设置部75B。

阀41a～41f的输出侧的多个气体管35在阀41a～41f与阀40a～40f之间分支为：与反应管10A的阀40a、40b、40c、40d、40e、40f分别连接的多个气体分配管35A；以及与反应管10B的阀40a、40b、40c、40d、40e、40f分别连接的多个气体分配管35B。多个气体管35可以视为相对于反应管10A、10B通用的气体管。

在岐管18A安装有排气管46A。排气管46A经由对处理室14A内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器48A以及作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀50A，与作为真空排气装置的真空泵52A连接。采用这种结构，能够使处理室14A内的压力成为与处理对应的处理压力。主要由排气管46A、APC阀50A、压力传感器48A构成排气***A。排气***A收纳于后述的排气箱74A。真空泵52A也可以对于处理模块3A和3B通用地设置一个。

处理室14A在内部收纳作为基板保持具的晶舟26A，该晶舟26A将多张、例如25～150张的晶圆W垂直地支撑为搁板状。晶舟26A被贯通盖部22A及隔热部24A的旋转轴28A支撑于隔热部24A的上方。旋转轴28A与在盖部22A下方设置的旋转机构30A连接，旋转轴28A构成为能够以使反应管10A内部气密地密封的状态旋转。盖部22A利用作为升降机构的晶舟升降机32A沿着上下方向进行驱动。由此，使晶舟26A及盖部22A一体地进行升降，将晶舟26A送入反应管10A或者从中取出。

在搬运室6A中进行晶圆W向晶舟26A的移载。如图1所示，在搬运室6A内的一侧面(搬运室6A的外侧侧面、与面向搬运室6B的侧面为相反侧的侧面)设置有清洁单元60A，且构成为使清洁空气(例如惰性气体)在搬运室6A内循环。向搬运室6A内供给的惰性气体被在隔着晶舟26A与清洁单元60A面对的侧面(面向搬运室6B的侧面)设置的排气部62A从搬运室6A内排出，并从清洁单元60A向搬运室6A内进行再供给(循环清洗)。搬运室6A内的压力设定为低于移载室8内的压力。另外，搬运室6A内的氧浓度设定为低于大气中的氧浓度。采用这种结构，能够抑制在晶圆W的搬运作业中在晶圆W上形成自然氧化膜的情况。

旋转机构30A、晶舟升降机32A、气体供给机构34A的MFC38a～f及阀41a～f、40a～f、APC阀50A与对它们进行控制的控制器100连接。控制器100例如由具备CPU的微处理器(计算机)构成，且构成为能够对处理装置2的动作进行控制。控制器100与例如作为触控面板等构成的输入输出装置102连接。控制器100可以在处理模块3A和处理模块3B中各设置一个，也可以通用地设置一个。

存储部104可以是内置于控制器100的存储装置(硬盘、闪存)，也可以是可移动的外部记录装置(磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等的半导体存储器)。另外，程序向计算机的提供也可以使用互联网、专用线路等通信方式来进行。程序根据需要按照来自输入输出装置102的指示等被从存储部104读出，基于所读出的配方的处理由控制器100执行，从而处理装置2在控制器100的控制下执行所需的处理。控制器100收纳于控制箱76(76A、76B)。在控制器100在处理模块3A和处理模块3B中各设置一个的情况下，在控制箱76A中设置对处理模块3A进行控制的控制器100(A)，在控制箱76B中设置对处理模块3B进行控制的控制器100(B)。

接下来，对使用上述的处理装置2在基板上形成膜的处理(成膜处理)进行说明。此处对如下例子进行说明，即，通过向晶圆W供给原料气体即作为第一处理气体(原料气体)的六氯乙硅烷(Si₂Cl₆，简称：HCDS)气体、以及反应气体即作为第二处理气体(反应气体)的氨(NH₃)气体，从而在晶圆W上形成氮化硅(SiN)膜的例子。此外，在以下的说明中，构成处理装置2的各部的动作通过控制器100进行控制。

在本实施方式的成膜处理中，通过将以下工序重复执行预定次数(一次以上)，从而在晶圆W上形成SiN膜，所述工序包括：向处理室14A内的晶圆W供给HCDS气体的工序、从处理室14A内除去HCDS气体(残留气体)的工序、向处理室14A内的晶圆W供给NH₃气体的工序、以及从处理室14A内除去NH₃气体(残留气体)的工序。在本说明书中为了方便而将该成膜序列表示如下。

(晶圆装填及晶舟装载)

打开闸阀90A向晶舟20A搬运晶圆W。当晶舟26A装填(晶圆装填)了多张晶圆W时则关闭闸阀90A。晶舟26A被晶舟升降机32A搬入(晶舟装载)处理室14内，并成为反应管10A的下部开口被盖部22A气密地封堵(密封)的状态。

(压力调整及温度调整)

利用真空泵52A进行真空排气(减压排气)，使得处理室14A内成为预定的压力(真空度)。处理室14A内的压力利用压力传感器48A进行测定，并基于该测定的压力信息对APC阀50A进行反馈控制。另外，为了使处理室14A内的晶圆W达到预定的温度而利用加热器12A进行加热。此时，基于温度检测部16A检出的温度信息对加热器12A的通电状态进行反馈控制，使得处理室14A成为预定的温度分布。另外，利用旋转机构30A使晶舟26A及晶圆W开始旋转。

(成膜处理)

[原料气体供给工序]

当处理室14A内的温度稳定于预先设定的处理温度时，则向处理室14A内的晶圆W供给HCDS气体。HCDS气体通过MFC38a被控制为所需的流量，并经由气体供给管36a、阀41a、40a以及喷嘴44a向处理室14A内供给。

[原料气体排气工序]

接下来，停止HCDS气体的供给，利用真空泵52A对处理室14A内进行真空排气。此时，可以从惰性气体供给部将作为惰性气体的N₂气体向处理室14A内供给(惰性气体清扫)。

[反应气体供给工序]

接下来，向处理室14A内的晶圆W供给NH₃气体。NH₃气体通过MFC38b被控制为所需的流量，并经由气体供给管36b、阀41b、40b及喷嘴44b向处理室14A内供给。

[反应气体排气工序]

接下来，停止NH₃气体的供给，利用真空泵52A对处理室14A内进行真空排气。此时，可以从惰性气体供给部将N₂气体向处理室14A内供给(惰性气体清扫)。通过使执行上述四个工序的循环进行预定次数(一次以上)，从而能够在晶圆W上形成预定组成及预定膜厚的SiN膜。

(晶舟卸载及晶圆卸除)

在形成了预定膜厚的膜之后，从惰性气体供给部供给N₂气体，将处理室14A内置换为N₂气体，并且使处理室14A的压力恢复为常压。之后，利用晶舟升降机32A使盖部22A降下，将晶舟26A从反应管10A搬出(晶舟卸载)。之后，利用晶舟26A将处理后的晶圆W取出(晶圆卸除)。

之后，可以将晶圆W收纳于晶圆盒5并搬出到处理装置2外，且向处理炉4B搬运，例如可以连续地进行退火等基板处理。在利用处理炉4A对晶圆W进行处理后连续地利用处理炉4B对晶圆W进行处理的情况下，打开闸阀90A及90B并将晶圆W从晶舟26A直接向晶舟26B搬运。此后，晶圆W向处理炉4B内的搬入以及搬出，以与利用上述的处理炉4A进行的基板处理同样的步骤进行。另外，处理炉4B内的基板处理例如以与利用上述的处理炉4A进行的基板处理同样的步骤进行。

作为在晶圆W形成SiN膜时的处理条件例如可例示如下。处理温度(晶圆温度)：100℃～800℃、处理压力(处理室内压力)5Pa～4000Pa、HCDS气体供给流量：1sccm～2000sccm、NH₃气体供给流量：100sccm～30000sccm、N₂气体供给流量：1sccm～50000sccm，通过将各处理条件设定为各自范围内的值，从而能够使成膜处理适当地进行。

接下来，对处理装置2的背面结构进行说明。

例如在晶舟26发生了破损的情况下需要对晶舟26进行更换。另外，在反应管10发生了破损的情况下或者在需要对反应管10进行清洁的情况下需要将反应管10取下。这样，在对搬运室6或处理炉4实施维护的情况下，从处理装置2背面侧的维护区A、B来进行维护。

如图1所示，分别在搬运室6A、6B的背面侧形成有维护口78A、78B。维护口78A形成于搬运室6A的搬运室6B侧，维护口78B形成于搬运室6B的搬运室6A侧。维护口78A、78B利用维护门80A、80B进行开闭。维护门80A、80B构成为能够以铰链82A、82B为基轴进行转动。铰链82A设置于搬运室6A的搬运室6B侧，铰链82B设置于搬运室6B的搬运室6A侧。即，铰链82A、82B以在位于搬运室6A、6B背面侧的相邻面的内侧角部附近彼此相邻的方式设置。维护区在处理模块3A背面的处理模块3B侧和处理模块3B背面的处理模块3A侧形成。

如假想线所示，通过使维护门80A、80B以铰链82A、82B为中心向搬运室6A、6B的背面侧后方水平地转动，从而将背面维护口78A、78B打开。维护门80A构成为能够朝向搬运室6A左开至180°。维护门80B构成为能够朝向搬运室6B右开至180°。即，维护门80A朝向搬运室6A顺时针转动，维护门80B逆时针转动。换言之，维护门80A、80B彼此向相反方向转动。维护门80A、80B构成为能够取下，可在取下后进行维护。

在搬运室6A、6B的背面附近设置有公用***70。公用***70配置在维护区A、B之间。在对公用***70进行维护时从维护区A、B进行。

公用***70包含：最终阀设置部75A、75B、排气箱74A、74B、供给箱72、控制箱76A、76B。

公用***70从框体侧(搬运室6A、6B侧)起依次由排气箱74A、74B、供给箱72、控制箱76A、76B构成。最终阀设置部75A、75B在排气箱74A、74B的上方设置。公用***70的各箱的维护口分别形成于维护区A、B侧。供给箱72相邻地配置在排气箱74A的与搬运室6A相邻侧相反的一侧以及排气箱74B的与搬运室6B相邻侧相反的一侧。

如图3所示，在处理模块3A中，设置气体供给机构34的最终阀(位于气体供给***的最下级的阀40a、40b、40c)的最终阀设置部75A配置于排气箱74A的上方。优选配置于排气箱74A的正上方。采用这种结构，即使将供给箱72设置于远离框体侧的位置，也能够缩短从最终阀到处理室内的配管长度，因此能够提高成膜的品质。虽然在图3中没有图示，但是除了阀40a、40b、40c之外，阀40d、40e、40f也配置于最终阀设置部75A。

另外，虽然没有图示，在处理模块3B中，设置气体供给机构34的最终阀(位于气体供给***的最下级的阀40a、40b、40c)的最终阀设置部75B配置于排气箱74B的上方。优选配置于排气箱74B的正上方。采用这种结构，即使将供给箱72设置于远离框体侧的位置，也能够缩短从最终阀到处理室内的配管长度，因此能够提高成膜的品质。除了阀40a、40b、40c之外，阀40d、40e、40f也配置于最终阀设置部75B。

如图5所示，处理模块3A、3B以及公用***70的各结构配置为相对于处理模块3A、3B的相邻面S1而言呈面对称。另外，反应管10A、10B也配置为相对于处理模块3A、3B的相邻面S1而言呈面对称。由此，将配管配置为从处理模块3A、3B起到排气箱74A、74B为止的排气管46A、46B的配管长度在处理模块3A、3B中为大致相同的长度。另外，将配管(气体管道)配置为从设置于最终阀设置部75A、75B的最终阀40A、40B起到喷嘴44A、44B为止的配管长度在处理模块3A、3B中为大致相同的长度。

在图5中，最终阀40A表示处理模块3A的阀40a～40f，最终阀40B表示处理模块3B的阀40a～40f。另外，喷嘴44A表示处理模块3A的喷嘴44a～44c，喷嘴44B表示处理模块3B的喷嘴44a～44c。例如，在配管10Aa与处理模块3A的阀40a和处理模块3A的喷嘴44a之间的配管对应、配管10Ba与处理模块3B的阀40a和处理模块3B的喷嘴44a之间的配管对应的情况下，配管10Aa和配管10Ba的配管长度为大致相同的长度。另外，在配管10Ab与处理模块3A的阀40b和处理模块3A的喷嘴44b之间的配管对应、配管10Bb与处理模块3B的阀40b和处理模块3B的喷嘴44b之间的配管对应的情况下，配管10Ab和配管10Bb的配管长度为大致相同的长度。由此，在从供给箱72将相同的气体经由处理模块3A的阀40a和配管10Aa向处理模块3A的喷嘴44a供给的情况下、以及经由处理模块3B的阀40a和配管10Ba向处理模块3B的喷嘴44a供给的情况下，能够实现相同的到达时间。因此，能够使控制器100对处理模块3A、3B的配方管理变得容易。此外，如图5中的箭头所示那样，晶圆W的旋转方向也构成为在处理炉4A、4B中为彼此相反的方向。

此外，反应管10A、10B的配置方式并不限定于图5。也可以配置为喷嘴44A、44B分别与最终阀设置部75A、75B对应。另外，也可以将反应管10A、10B配置为使得到排气箱74A、74B为止的排气管46A、46B成为最短长度。但是，反应管10A、10B可以配置为相对于处理模块3A、3B的相邻面S1呈面对称。

由于针对处理模块3A、3B设置通用的供给箱72且共有从供给箱72起到最终阀40A、40B为止的气体管，因此能够实现基板处理装置的省空间化。

另外，基板处理装置2所需的占用空间降低，能够相对于所需的生产量而言抑制无尘室使用面积，在经济性方面非常有利。

图6A、图6B、图6C是对控制器的配方的控制例进行说明的图。配方是将反应气体、原料气体等各处理气体的供给量、目标真空度(或者排气速度)、处理室温度等按照时序记载而成，可包含以一定的周期重复的模式。配方这个用语有时狭义地表示该重复模式的一个循环。由控制器100执行所作成的配方，从而处理装置2在控制器100的控制下执行所需的处理。在处理装置2具备处理模块3A、3B的情况下，有可能依据配方开始的定时而在处理模块3A、3B之间使用相同的气体。

在本实施方式中，管理配方的控制器100具有相互间监视的功能，以避免使相同的处理气体同时流向处理模块3A、3B的反应管10A、10B。通过将作为监视对象的气体及阀登记在控制器内的参数或者配方中，从而控制器100基于登记的气体及阀进行针对处理模块3A、3B的配方的相互监视，以避免相同的处理气体同时流向处理模块3A、3B的方式执行使配方的开始时间等优化的控制。配方的开始时间等的优化可以利用使反应管10A、10B内形成真空的真空泵52A的真空抽吸时间、或者以N₂气体对反应管10A、10B内进行清扫的清扫时间等来进行调整。相互监视及控制包含阀级别、配方级别。

图6A示出处理模块3A、3B各自执行的配方RC1、RC2的一例。配方RC1、RC2是相同的配方并使用三种处理气体A、B、C。为了在反应管10A、10B内各自的基板上生成相同的膜，将实质上相同的气体供给序列的配方RC1、RC2重复执行多个循环。配方RC1、RC2各自包含实质上相同的气体供给序列即处理步骤PS1～PS9。处理步骤PS1是向反应管10A或者10B内供给处理气体A的处理(A)。处理步骤PS4是向反应管10A或者10B内供给处理气体B的处理(B)。处理步骤PS7是向反应管10A或者10B内供给处理气体C的处理(C)。在各处理步骤PS1、PS4、PS7之后，执行处理步骤PS2、PS5、PS8。处理步骤PS2、PS5、PS8是将目标真空度设定为相对而言的低压(例如10～100Pa)来对反应管10A或者10B内进行真空抽吸的处理(V)。在各处理步骤PS2、PS5、PS8之后执行处理步骤PS3、PS6、PS9。处理步骤PS3、PS6、PS9是一边向反应管10A、10B内流通清扫气体(N2气体)一边对反应管10A、10B内进行真空抽吸的处理(P)。

如图6A所示，在配方RC1、RC2中设想在配方RC1、RC2相对于时间T而言以短时间差开始的情况同时使用相同的处理气体A、B、C的情况。即，有时会同时地执行处理模块3A的处理步骤PS1、PS4、PS7和处理模块3B的处理步骤PS1、PS4、PS7。但是，与该处理气体A、B、C对应的质量流控制器(MFC)仅为一个。如图4所示，在供给箱72所收纳的气体供给机构34中，例如，针对处理气体A的质量流控制器是MFC38a这一个，针对处理气体B的质量流控制器是MFC38b这一个，针对处理气体C的质量流控制器是MFC38c这一个。因此，在处理模块3A、3B中同时地使用相同的处理气体A、B或C的情况下，无法以与以往相同的精度来控制向各处理模块3A、3B的流量，会导致在处理模块3A、3B之间配方不同。在处理模块3A、3B之间配方不同的情况会影响在处理模块3A、3B中生成的膜的品质。因此，优选避免在处理模块3A、3B中同时地使用相同的处理气体A、B或C。

就阀级别的控制而言，处理模块3A、3B的控制器100在处理模块3A、3B之间相互地监视：处理模块3A的阀40a～40c的开闭状态和处理模块3B的阀40a～40c的开闭状态。该阀级别的控制也称为联锁。

例如，如果对方侧的处理模块3B的对应的(即由相同的分配配管连接的)最终阀关闭，则处理模块3A的控制器100按照配方使自己的处理模块3A的最终阀打开。另一方面，如果对方侧的处理模块3B的对应的(即通过相同的分配配管连接的)最终阀打开，则控制为直到该最终阀关闭为止使自己的处理模块3A的配方中断。另外，如果对方侧的处理模块3A的对应的(即通过相同的分配配管连接的)最终阀关闭，则处理模块3B的控制器100按照配方使自己的处理模块3B的最终阀打开。另一方面，如果对方侧的处理模块3A的对应的(即通过相同的分配配管连接的)最终阀打开，则控制为直到该最终阀关闭为止使自己的处理模块3B的配方中断。

另一方面，在处理配方级别的控制中，控制器100在配方RC1、RC2开始时、晶舟装载前等各定时监视配方RC1、RC2的进度状态，并预测所使用的气体A、B、C的流动的序列的定时。在处理模块3A、3B中，在没有相同的处理气体A、B或C以相同的定时流动的情况下，配方RC1、RC2持续进行。另一方面，在处理模块3A、3B中，在预测相同的处理气体A、B或C以相同的定时流动的情况下，控制器100计算没有相同的处理气体同时地流动的序列，执行将所使用的气体的供给定时在时间上错开的控制。

即，为了在处理模块3A、3B中生成相同的膜，使重复实质上相同的气体供给序列的处理错开时间并行地进行。关于该错开的时间，通过以多种处理气体A、B、C中的特定气体的供给定时不与先开始处理的处理模块3A、3B的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的处理模块3A、3B的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。

例如，如图6A所示，控制器100预测配方RC1、RC2开始时、所使用的处理气体A、B、C的流动的气体供给序列的定时。即，预测相同的处理气体A、B或C以相同的定时在处理模块3A、3B中流动的情况。此时，控制器100计算没有相同的处理气体同时地流动的序列，实施将所使用的气体的供给定时在时间上错开的控制。即，控制器100在配方RC1、RC2开始前，在处理模块3A、3B中生成以避免相同的处理气体A、B、C在相同的定时流动的方式将气体供给序列的定时在时间上错开的配方RC2。如图6B所示，在通过处理模块3B实施的配方RC2中，在处理步骤PS1之前通过控制器100自动地追加处理步骤PSA1。处理步骤PSA1例如是一边向反应管10B内流通清扫气体(N₂气体)一边对反应管10B内进行真空抽吸的处理(P)。此外，在配方RC2(PS1～PS9)执行多个循环的情况下，仅在第一次循环开始的处理步骤PS1前追加处理步骤PSA1。在配方RC2(PS1～PS9)的第二次以后的循环中，不在处理步骤PS1之前追加处理步骤PSA1。即，在配方RC2(PS1～PS9)的第一次循环的最后的处理步骤PS9实施后，实施配方RC2(PS1～PS9)的第二次循环的最初的处理步骤PS1。同样地，在配方RC2(PS1～PS9)的第二次循环的最后的处理步骤PS9实施后，实施配方RC2(PS1～PS9)的第三次循环的最初的处理步骤PS1。

在图6B的例中，在不能同时地流动的处理气体A、B、C中选择配方RC1、RC2的一个循环的供给时间最长的(t_max)(此处为PS7)，并以使处理模块3A、3B之间的配方的时差tdiff与t_max+n*t_cycle一致的方式使某个配方RC1、RC2的处理步骤PS1的开始时间延迟来进行调整。在图6B的例中，配方RC2的PS1的开始时间与配方RC1的PS1的开始时间相比以追加了处理步骤PSA1的时间延迟。即，是调整后的时差t_{diff_adj}＝t_max+n*t_cycle(这里n是任意的整数，t_cycle是配方的一个循环的时间：从PS1的开始时间起到PS7结束的时间为止的时间)。此外，以t_max≤t_cycle/2为前提。

在优选减少延迟时间的情况下，依存于当前的时差(以处理模块3A的配方RC1为基准时的当前的处理模块3B的配方RC2的进展时间)t_diff，

{

if(t_max≤(|t_diff|％t_cycle)<t_max+t_cycle/2)then使进展方的处理模块延迟(|t_diff|％t_cycle)-t_max(即t_{diff_adj}＝t_diff-((|t_diff|％t_cycle)-t_max))

elseif((|t_diff|％t_cycle)<t_max)then使延迟方的PM延迟|t_diff|％t_cycle)-t_max

Else使延迟方的处理模块延迟t_cycle-(|t_diff|％tcycle)-t_max

}

这里，％是最小非负余数的运算符，当0<(t_diff％t_cycle)<t_cycle/2时，处理模块3A进展，除此以外的时间则是处理模块3B进展。

另外，控制器100也具有使处理室10A、10B的热历史记录相同的调整功能。对所决定的时间进行设定，不仅是同时进行的配方，也可以自动地相互调整在设定了间歇期间的过程的清扫时间待机的程度的时间。即，在图6B所示的重复多个循环执行了处理模块3A、3B的配方RC1、RC2的最后的循环中，处理模块3A的配方RC1的处理步骤PS9与处理模块3B的配方RC2的处理步骤PS9相比在时间上更早地结束。因此，会导致处理室10A的热历史记录与处理室10B的热历史记录不同。

如图6C所示，在处理模块3A的配方RC1的最终循环中，在处理步骤PS9之后通过控制器100自动地追加与PSA1相同时间的处理步骤PSA2。由此，能够使处理室10A的热历史记录和处理室10B的热历史记录相同。处理步骤PSA2是例如一边向反应管10A内流通清扫气体(N₂气体)一边对反应管10A内进行真空抽吸的处理(P)。

此外，处理模块3A和处理模块3B基本上非同步地动作，且处理模块3A与处理模块3B之间的依赖性小。因此，即使处理模块3A和处理模块3B的一方因故障等而停止，处理模块3A和处理模块3B的另一方也能够继续处理。

图7是对控制器的配方的其它控制例进行说明的图。图7示出了在通过处理模块3B实施的配方RC2中在处理步骤PS1之前追加的处理步骤(PSA1～PSA4)的处理时间不同的四个例子。

图7所示的配方RC21与图6B所示的配方RC2相同，遵循以一个循环中的供给时间最长的处理气体C的供给时间的程度使配方RC21的进行时间错开的规则。因此，在配方RC21中在处理步骤PS1之前追加处理步骤PSA1。由此，在气体C向处理模块3A供给的处理步骤PS7结束后，随即开始气体C向处理模块3B供给的处理步骤PS7。或者，也可以说配方RC21遵循避免处理气体A和B与处理气体C的排气定时重叠的规则。根据该规则，在处理气体C与处理气体A和B发生气相反应的情况下，能够抑制在通用的真空泵52的上游生成不需要的固态物的情况。或者，也可以说配方RC21遵循避免处理气体A、B及C的清扫工序的结束与某种气体的排气工序重叠的规则。根据该规则，能够防止清扫结束时刻的残留气体浓度的增加。

在图7所示的配方RC22中在处理步骤PS1之前追加处理步骤PSA2。由此，在处理模块3A中使用了处理气体A、B之后(处理步骤PS4的结束后)，开始在处理模块3B中使用处理气体A的处理步骤PS1。

在图7所示的配方RC23中在处理步骤PS1之前追加处理步骤PSA3。遵循在处理模块3A、3B之间使配方的相位简单地翻转的规则(即，设定时间差为t_{diff_adj}＝t_cycle/2)。该规则因其时间的对称性而即使在气体供给***34和最终阀配置部75A、B之间设置有缓冲箱的情况下，也能够向各处理模块3A、B均等地以相同条件供给气体。或者也可以说配方RC23遵循避免处理气体A、B及C的排气定时彼此重叠的规则。这适合于抑制固态物生成的一种气体的连续供给、排气及清扫的工序的合计时间为t_cycle/2以上的情况。

在图7所示的配方RC24中在处理步骤PS1之前追加处理步骤PSA4。由此，在处理气体C向处理模块3B的供给结束后(处理步骤PS7的结束后)，随即开始第二循环的处理气体C向处理模块3A的供给(第二循环的处理步骤PS7)。在不对处理模块3A、3B之间进行区别的(先后顺序无所谓的)情况下，与处理模块3B的配方RC21是等效的。

如图7的配方RC1～RC4所示，在处理模块3B中使用处理气体A的处理步骤PS1的开始定时能够通过设定参数和所预测的序列而最适合地进行控制。

但是，也可以说图7的配方RC1、RC21～RC24都相对于任意的配方而言并未保证全部气体的供给定时不重叠。

图8是表示决定供给定时不重叠的偏移量的处理流程的图。图8的处理流程从处理模块3A、3B的配方的循环之间的时差t_adj为0的状态开始计算所需的偏移量。

步骤S1：向表示使处理模块3B的配方比当前的时差t_adj更延迟的时间的变量t_{adj_add}代入0。

步骤S2：从处理气体中依次选择一种(气体x)而对各处理气体分别进行以下的处理(步骤S21～S23)。

步骤S21：在处理模块3A的配方的特定的一个循环中，从开始起依次选择气体x的供给区间，特定其开始时间t_{1xi_start}以及其结束时间t_{1xi_end}。这里，i是存在n_x个的供给区间的指标。

步骤S22：在处理模块3A和具有t_adj的时差的处理模块3B的配方的任意的一个循环中，检查是否有在从开始时间t_{1xi_start}起到结束时间t_{1xi_end}为止期间开始的气体x的供给，更新使供给区间的重叠消除所需的延迟时间的最大值。具体而言，是从循环供给区间j＝1～n_x的全部项目中搜索满足t_{1xi_start}≤t_{2xj_start}＜t_{1xi_end}的t_{2xj_start}，如果t_{adj_add}＜t_{2xj_start}-t_{1xi_start}，则将t_{2xj_start}-t_{1xi_start}代入t_{adj_add}。

步骤S23：如果指标i没有达到n_x则返回步骤S21，如果达到了则进入下一处理(步骤S3)。

步骤S3：如果所保持的变量t_{adj_add}为0，则确定为当前的时差t_adj(即，决定t_adj为t_{diff_adj}或者t_max)并结束处理。

在步骤3中非0的情况下，如果作为步骤S4是t_cycle＜t_{diff_adj}+t_adj，则由于不可能消除重叠而中断处理。

在步骤S4中，如果不是t_cycle＜t_{diff_adj}+t_adj，则作为步骤S5将t_{diff_adj}-t_adj代入t_{diff_adj}并返回步骤S1。

对以上总结如下。

基板处理装置2具备：

第一处理模块3A，其具有对配置于纵向的多个基板W进行处理的第一处理容器(反应管10A)；

第二处理模块3A，其具有与所述第一处理容器10A相邻地配置并对配置于纵向的多个基板进行处理的第二处理容器(反应管10B)；

第一排气箱74A，其收纳有对所述第一处理容器10A内进行排气的第一排气***；

第二排气箱74B，其收纳有对所述第二处理容器10B内进行排气的第二排气***；

通用供给箱72)其对向所述第一和第二处理容器10A、10B内供给的多种处理气体A、B、C的流路或者流量的至少一方进行控制；

第一阀组40A、40a～40f，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱72的气体管与所述第一处理容器10A连接；

第二阀组40B、40a～40f，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第二处理容器10B连接，

为了在所述第一和第二处理模块3A、3B中生成相同的膜，使重复实质上相同的气体供给序列(配方RC1、RC2)的处理错开时间并行地进行，

关于所述错开的时间，通过以所述多种处理气体A、B、C中的特定的气体C的供给定时PS7不与先开始处理的所述第一和第二处理模块3A、3B的一方3A的气体供给序列(配方RC1的PS7)重叠的方式，使后开始处理的所述第一和第二处理模块3A、3B的另一方3B的气体供给序列(配方RC2的PS7)延迟的方法(PSA1向配方RC2中的***)来决定。

另外，在基板处理装置2中，

所述第一和第二处理模块3A、3B以相邻的面S1、S2为基准，所述第一和第二处理模块3A、3B、所述第一和第二排气箱74A、74B、所述第一和第二阀组40A、40B分别构成且配置为彼此呈面对称，

所述第一阀组40A和所述第一处理模块3A之间的多个气体管道10Aa、10Ab的长度，与所述第二阀组40B和所述第二处理模块3B之间的对应的气体管道10Ba、10Bb的长度相等。

另外，在基板处理装置2中，

所述多种处理气体包含三种的原料气体，

所述气体供给序列(配方RC1、RC2)针对一个处理容器空开时间的间隔周期性地供给三种处理气体A、B、C，

在所述第一和第二处理模块3A、3B中并行地进行处理的期间，所述三种处理气体A、B、C分别存在向所述第一和第二处理容器3A、3B都不进行供给的定时(在图6B中为RC1的PS2、PS3和RC2的PSA1、RC1的PS5、PS6和RC2的PS2、PS3)。

在基板处理装置2中，还具备：

对所述第一处理模块3A、所述第一排气箱74A及所述第一阀组40A进行控制的第一处理控制器(控制器100(A))；以及

对所述第二处理模块3B、所述第二排气箱74B及所述第二阀组40B进行控制的第二处理控制器(控制器100(B))；

将实质地表示所述第一和第二处理控制器(100(A)、100(B))各自控制的所述第一和所述第二阀组40A、40B的流通状态的信息向其它的处理控制器(100(A)、100(B))传递，除了利用所述第一和所述第二阀组40A、40B禁止了相同气体的阀的同时供给的期间之外，非同步地运用所述第一和所述第二处理模块3A、3B。

(变形例)

对以下几个变形例进行说明。

(变形例1)

图9是概略地表示变形例1的基板处理装置的一例的俯视图。

如图9所示，公用***70由供给箱72、排气箱74A、74B、控制箱76A、76B构成。供给箱72、排气箱74A、74B、控制箱76A、76B配置为相对于搬运室6A、6B的相邻面S2呈面对称。排气箱74A配置在搬运室6A背面的位于搬运室6B的相反侧的外侧角部。排气箱74B配置在搬运室6B背面的位于搬运室6A的相反侧的外侧角部。即，排气箱74A、74B以搬运室6A、6B的外侧侧面与排气箱74A、74B的外侧侧面连接成平面的方式平坦(平滑)地设置。

供给箱72在排气箱74A、74B之间远离排气箱74A、74B配置于中央。供给箱72的前表面以与搬运室6A、6B的背面相接的方式配置。最终阀设置部75A、75B以与处理炉4A、4B的背面相接的方式设置。最终阀设置部75A、75B的侧面的相接的部分设置在供给箱72的前表面的上侧。在最终阀设置部75A、75B与供给箱72重叠的部分，从供给箱72到最终阀设置部75A、75B配置多个配管。控制箱76A、76B与供给箱72的背面相接地设置。

在这种结构中，与通过图5进行的说明同样地，在从供给箱72将相同的气体经由处理模块3A的阀40a和配管10Aa向处理模块3A的喷嘴44a供给的情况下、以及经由处理模块3B的阀40a和配管10Ba向处理模块3B的喷嘴44a供给的情况下，可实现相同的到达时间。

(变形例2)

图10是概略地表示变形例2的基板处理装置的一例的俯视图。图10与图9的区别在于：控制箱76A、76B设置在排气箱74A、74B的背面；以及供给箱72设置于地板整面。其它的结构与图10相同。此外，可以从供给箱72到最终阀设置部75A、75B将多个配管配置在由四边形的虚线BB示出的位置。

(变形例3)

图11是表示变形例3的气体供给***的图。

图11例示性地对供给氮气(N₂)、氨气(NH₃)、HCDS气体以及清洁气体(GCL)的气体供给***34进行说明。此外，最终阀设置部75A的结构与最终阀设置部75B的结构相同，并省略对最终阀设置部75B的结构的记载。

HCDS气体能够经由阀42a、MFC38a、阀41a、最终阀设置部75A、75B的阀40a向反应管10A、10B的喷嘴44a供给。

氨气(NH₃)能够经由阀42b、MFC38b、阀41b、最终阀设置部75A、75B的阀40b向反应管10A、10B的喷嘴44b供给。氨气(NH₃)还能够经由阀41b2、最终阀设置部75A、75B的阀40f也向反应管10A、10B的喷嘴44c供给。

氮气(N₂)能够经由阀42d、MFC38c、阀41c、最终阀设置部75A、75B的阀40c向反应管10A、10B的喷嘴44a供给。另外，氮气(N₂)能够经由阀42d、MFC38d、阀41d、最终阀设置部75A、75B的阀40d也向反应管10A、10B的喷嘴44b供给。此外，氮气(N₂)能够经由阀42d、MFC38f、阀41f、最终阀设置部75A、75B的阀40f也向反应管10A、10B的喷嘴44c供给。

清洁气体GCL能够经由阀42g、MFC38g、阀41g、最终阀设置部75A、75B的阀40g、40g2、40g3向反应管10A、10B的所有喷嘴44a、40b、40c供给。

另外，MFC38c下游的阀41a2、MFC38b下游的41b3、MFC38b下游的阀41g2与排气***ES连接。

如图11所示，气体供给***34下游侧的分配配管即多个气体管35分支为：与最终阀设置部75A连接的多个气体分配管35A、以及与最终阀设置部75B连接的多个气体管35B。分支后的多个气体分配管35A和多个气体管35B具有彼此相等的长度。可以在多个气体管35适当地设置有加热器、过滤器、截止阀(单向阀)、缓冲箱等。

处理模块3A的最终阀组即阀40a～、40d、40f、40g、40g2、40g3设置在处理模块3A的反应管10A具有的三个喷嘴(也称为喷射器)44a、44b、44c的近前，能够通过控制器100直接地操作向喷射器的气体供给。图11的最终阀组(阀40a～、40d、40f、40g、40g2、40g3)能够针对一个喷射器(44a、44b、44c)同时地(即混合地)供给多种气体。另外，构成为能够将来自一个分配配管的清洁气体GCL向全部的喷射器(44a、44b、44c)供给。处理模块3B的最终阀组即阀40a～、40d、40f、40g、40g2、40g3具有与处理模块3A的最终阀组(阀40a～、40d、40f、40f、40g2、40g3)相同的结构。

根据本实施方式，能够获得以下的一个或多个效果。

1)能够在多个处理模块3A、3B之间使所生成的膜的品质相同。

2)能够在多个处理模块3A、3B之间使热历史记录相同。

3)针对多个处理模块3A、3B设置通用的供给箱并具有从供给箱到最终阀为止的气体管，因此能够实现基板处理装置的省空间化。

4)根据上述3)，基板处理装置所需的占用空间降低，能够相对于所需的生产量而言抑制无尘室使用面积，在经济性方面非常有利。

例如，虽然在上述的实施方式中，是对将HCDS气体用作原料气体的例子进行了说明，但是本发明并不限定于该方式。例如作为原料气体，除了HCDS气体之外，也可以使用DCS(Si₂H₄Cl₆：二氯硅烷)气体、MCS(SiH₃Cl：一氯硅烷)气体、TCS(SiHCl₃：三氯硅烷)气体等无机类卤硅烷原料气体、3DMAS(Si[N(CH₃)₂]₃H：三(二甲胺)硅烷)气体、BTBAS(SiH₂[NH(C₄H₉)]₂：双(叔丁基氨基)硅烷)气体等的不含卤素基的氨基类(胺类)硅烷原料气体、MS(SiH₄：甲硅烷)气体、DS(Si₂H₆：乙硅烷)气体等不含卤素基的无机类硅烷原料气体。

例如在上述实施方式中是对形成SiN膜的例子进行了说明。但是本发明并不限定于这种方式。例如除此之外或者在此基础上，能够使用氨(NH₃)气等含氮(N)气体(氮化气体)、丙烯(C₃H₆)气体等含碳(C)气体、三氯化硼(BCl₃)气体等含硼(B)气体等，形成SiO₂膜、SiON膜、SiOCN膜、SiOC膜、SiCN膜、SiBN膜、SiBCN膜等。在形成这些膜的情况下，能够以与上述实施方式同样的处理条件进行成膜，并获得与上述实施方式同样的效果。

虽然在上述实施方式中是对在晶圆W上沉积膜的例子进行了说明，但是本发明并不限定于这种方式。例如在针对晶圆W或在晶圆W上形成的膜等进行氧化处理、扩散处理、退火处理、蚀刻处理等处理的情况下能够很好地适用。

虽然以上对本发明人做出的发明基于实施例具体地进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式及实施例而能够进行各种变更。

例如也可以构成为，针对一个气体供给单元配置三个以上的多个处理模块的反应室，并利用长度相等的供给管供给气体。另外，如果是本领域技术人员，则能够容易地应用于将所使用的气体的一部分(例如Si原料气体)而不是全部通用的两个相同时间的配方以预定的时差并列地执行的装置。

Claims

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

第一阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第一处理容器连接；

第一处理控制器，其对所述第一处理模块、所述第一排气箱及所述第一阀组进行控制；以及

第二处理控制器，其对所述第二处理模块、所述第二排气箱及所述第二阀组进行控制，

所述第一处理控制器及第二处理控制器将实质地表示各自控制的所述第一阀组及所述第二阀组的流通状态的信息传递给另一个处理控制器，除了禁止所述第一阀组及所述第二阀组的相同气体的阀的同时供给的期间之外，非同步地运用所述第一处理模块及所述第二处理模块，

通过以所述多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定所错开的时间。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

以所述第一处理模块及第二处理模块相邻的面为基准，所述第一处理模块及第二处理模块、所述第一排气箱及第二排气箱、所述第一阀组及第二阀组分别构成且配置为彼此呈面对称，

所述第一阀组和所述第一处理模块之间的多个气体分配管的长度，与所述第二阀组和所述第二处理模块之间的对应的气体分配管的长度相等。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述多种处理气体包括三种原料气体，

所述气体供给序列针对一个处理容器将所述三种原料气体空开时间的间隔周期性地供给，

在所述第一处理模块及第二处理模块中并行地进行处理的期间，存在所述三种原料气体各自都不向所述第一处理容器和第二处理容器进行供给的定时。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述多种处理气体包括三种原料气体，所述气体供给序列针对一个处理容器将所述三种原料气体空开时间的间隔周期性地供给，所述气体供给序列至少在所述时间的间隔之间利用第一排气***或第二排气***进行排气。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述时间的间隔之间进行的排气包含：利用第一排气***或第二排气***进行排气的排气工序；以及在排气工序之后边流通清扫气体边利用第一排气***或第二排气***进行排气的清扫工序。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所错开的时间是在所述气体供给序列中与所述三种原料气体中的供给时间最长的原料气体的供给时间相同的时间。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

基于所述三种原料气体所含的第一气体和第二气体的排气定时在第一处理模块和第二处理模块之间不重叠的规则来进一步限制所错开的时间。

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

基于所述三种原料气体所含的第一气体的清扫工序的结束与第二气体的排气工序在第一处理模块和第二处理模块之间不重叠的规则来进一步限制所错开的时间。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

向基板处理装置的第一处理容器及第二处理容器分别搬入纵向配置的多个基板的工序，其中，所述基板处理装置具备：第一处理模块，其具有对纵向配置的多个基板进行处理的第一处理容器；第二处理模块，其具有与所述第一处理容器相邻地配置并对纵向配置的多个基板进行处理的第二处理容器；第一排气箱，其收纳有对所述第一处理容器内进行排气的第一排气***；第二排气箱，其收纳有对所述第二处理容器内进行排气的第二排气***；通用供给箱，其控制向所述第一处理容器及第二处理容器内供给的多种处理气体的流路和流量的至少一方；第一阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第一处理容器连接；以及第二阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第二处理容器连接；以及

为了在所述第一处理模块及所述第二处理模块中生成相同的膜，第一处理控制器对所述第一处理模块、所述第一排气***及所述第一阀组进行控制，第二处理控制器对所述第二处理模块、所述第二排气***及所述第二阀组进行控制，而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理的工序，

在所述并行地进行的工序中，所述第一处理控制器及所述第二处理控制器将实质地表示各自控制的所述第一阀组及所述第二阀组的流通状态的信息传递给另一个处理控制器，除了禁止所述第一阀组及所述第二阀组的相同气体的阀的同时供给的期间之外，非同步地运用所述第一处理模块及所述第二处理模块，