JP6896682B2

JP6896682B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法

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Publication number: JP6896682B2
Application number: JP2018165213A
Authority: JP
Inventors: 賢治白子; 谷山　智志; 智志谷山
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 2018-09-04
Filing date: 2018-09-04
Publication date: 2021-06-30
Anticipated expiration: 2038-09-04
Also published as: CN110872701A; JP2020038904A; US20200071821A1; US10590531B1; KR102271228B1; CN110872701B; KR20200027430A

Description

本開示は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。

基板処理装置は、縦方向に配置された複数の基板を処理する処理炉を有する処理モジュールを備える。この種の基板処理装置において、複数の処理モジュールを備える基板処理装置が提案されている（特開２０１６−９７２４号公報、米国特許第６９０２６２４号明細書）。

特開２０１６−９７２４号公報米国特許第６９０２６２４号明細書

第１の処理モジュールと第２の処理モジュールとを備える基板処理装置において、それぞれの処理モジュールにより基板上に同じ膜を生成した場合、複数の処理モジュール間において生成された膜の品質が異なる場合があった。

本開示の課題は、第１および第２の処理モジュールにおいて、同じ膜を生成する場合、第１および第２の処理モジュール間において、生成された膜の品質を同等にすることが可能な技術を提供することにある。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

一態様によれば、
縦方向に配置された複数の基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理容器に隣接して配置され、縦方向に配置された複数の基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系が収納された第１の排気ボックスと、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系が収納された第２の排気ボックスと、
前記第１及び第２の処理容器内に供給する複数の処理ガスの流路もしくは流量の少なくとも一方を制御する共通供給ボックスと、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第１の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第１のバルブ群と、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第２の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第２のバルブ群と、を備え、
前記第１及び第２の処理モジュールにおいて、同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンスを繰り返す処理を、時間をずらして並行して行い、
前記ずらす時間は、前記複数の処理ガスの内の特定のガスの供給タイミングが、先に処理を開始した前記第１及び第２の処理モジュールの一方のガス供給シーケンスと重ならないように、後に処理を開始する前記第１及び第２の処理モジュールの他方のガス供給シーケンスを遅らせる方法によって決定される技術が提供される。

本開示によれば、第１および第２の処理モジュール間において、生成された膜の品質を同等にすることができる。

実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す上面図である。実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。実施形態で好適に用いられる処理炉の一例を概略的に示す縦断面図である。実施形態で好適に用いられる処理モジュールの一例を概略的に示す横断面図である。コントローラによるレシピの制御例を説明する図である。コントローラによるレシピの制御例を説明する図である。コントローラによるレシピの制御例を説明する図である。コントローラによるレシピの他の制御例を説明する図である。ずれ量を決定する処理フローを示す図である。変形例１に係る基板処理装置の一例を概略的に示す上面図である。変形例２に係る基板処理装置の一例を概略的に示す上面図である。変形例３に係るガス供給系を示す図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。全図面中、同一または対応する構成については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、後述する収納室９側を正面側（前側）、後述する搬送室６Ａ、６Ｂ側を背面側（後ろ側）とする。さらに、後述する処理モジュール３Ａ、３Ｂの境界線（隣接面）に向う側を内側、境界線から離れる側を外側とする。

本実施形態において、基板処理装置２は、半導体装置（デバイス）の製造方法における製造工程の一工程として熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、処理装置と称する）２として構成されている。

図１、図２に示すように、処理装置２は隣接する２つの処理モジュール３Ａ、３Ｂを備えている。処理モジュール３Ａは、処理炉４Ａと搬送室６Ａにより構成される。処理モジュール３Ｂは、処理炉４Ｂと搬送室６Ｂにより構成される。処理炉４Ａ、４Ｂの下方には、搬送室６Ａ、６Ｂがそれぞれ配置されている。搬送室６Ａ、６Ｂの正面側に隣接して、ウエハＷを移載する移載機７を備える移載室８が配置されている。移載室８の正面側には、ウエハＷを複数枚収納するポッド（フープ）５を収納する収納室９が連結されている。収納室９の全面にはＩ／Ｏポート２２が設置され、Ｉ／Ｏポート２２を介して処理装置２内外にポッド５が搬入出される。

搬送室６Ａ、６Ｂと移載室８との境界壁（隣接面）には、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂがそれぞれ設置される。移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には圧力検知器がそれぞれに設置されており、移載室８内の圧力は、搬送室６Ａ、６Ｂ内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には酸素濃度検知器がそれぞれに設置されており、移載室８Ａ内および搬送室６Ａ、６Ｂ内の酸素濃度は大気中における酸素濃度よりも低く維持されている。図３に示すように、移載室８の天井部には、移載室８内にクリーンエアを供給するクリーンユニット６２Ｃが設置されており、移載室８内にクリーンエアとして、例えば、不活性ガスを循環させるように構成されている。移載室８内を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室８内を清浄な雰囲気とすることができる。このような構成により、移載室８内に搬送室６Ａ、６Ｂ内のパーティクル等が混入することを抑制することができ、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内でウエハＷ上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。

処理モジュール３Ａおよび処理モジュール３Ｂは同一の構成を備えるため、以下においては、代表して処理モジュール３Ａについてのみ説明する。

図４に示すように、処理炉４Ａは、円筒形状の反応管１０Ａと、反応管１０Ａの外周に設置された加熱手段（加熱機構）としてのヒータ１２Ａとを備える。反応管は、例えば石英やＳｉＣにより形成される。反応管１０Ａの内部には、基板としてのウエハＷを処理する処理室１４Ａが形成される。反応管１０Ａには、温度検出器としての温度検出部１６Ａが設置される。温度検出部１６Ａは、反応管１０Ａの内壁に沿って立設されている。

基板処理に使用されるガスは、ガス供給系としてのガス供給機構３４によって処理室１４Ａ内に供給される。ガス供給機構３４が供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構３４は、原料ガス供給部、反応ガス供給部および不活性ガス供給部を含む。ガス供給機構３４は後述する供給ボックス７２に収納されている。なお、供給ボックス７２は、処理モジュール３Ａ、３Ｂに対して共通に設けられるので、共通供給ボックスと見做される。

第１のガス供給部である原料ガス供給部は、ガス供給管３６ａを備え、ガス供給管３６ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８ａおよび開閉弁であるバルブ４１ａ、４０ａが設けられている。ガス供給管３６ａはマニホールド１８の側壁を貫通するノズル４４ａに接続される。ノズル４４ａは、反応管１０Ａ内に上下方向に沿って立設し、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル４４ａの供給孔を通してウエハＷに対して原料ガスが供給される。

以下、同様の構成にて、第２のガス供給部である反応ガス供給部からは、供給管３６ｂ、ＭＦＣ３８ｂ、バルブ４１ｂ、バルブ４０ｂおよびノズル４４ｂを介して、反応ガスがウエハＷに対して供給される。不活性ガス供給部からは、供給管３６ｃ、３６ｄ、ＭＦＣ３８ｃ、３８ｄ、バルブ４１ｃ、４１ｄ、バルブ４０ｃ、４０ｄおよびノズル４４ａ、４４ｂを介して、ウエハＷに対して不活性ガスが供給される。ノズル４４ｂは、反応管１０Ａ内に上下方向に沿って立設し、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル４４ｂの供給孔を通してウエハＷに対して原料ガスが供給される。

また、ガス供給機構３４には、反応ガス、原料ガス、または、基板処理に寄与しない不活性ガスやクリーニングガスをウエハＷに対して供給するため、第３のガス供給部も設けられている。第３のガス供給部からは、供給管３６ｅ、ＭＦＣ３８ｅ、バルブ４１ｅ、バルブ４０ｅおよびノズル４４ｃを介して、反応ガスがウエハＷに対して供給される。不活性ガス供給部からは、供給管３６ｆ、ＭＦＣ３８ｆ、バルブ４１ｆ、バルブ４０ｆおよびノズル４４ｃを介して、ウエハＷに対して不活性ガスまたはクリーニングガスが供給される。ノズル４４ｃは、反応管１０Ａ内に上下方向に沿って立設し、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル４４ｃの供給孔を通してウエハＷに対して原料ガスが供給される。

反応管１０Ａ内には、３つのノズル４４ａ、４４ｂ、４４ｃが設けられており、反応管１０Ａ内に、３種類の原料ガスを所定の順序かつ、または、所定の周期で供給することが可能に構成されている。反応管１０Ａ内のノズル４４ａ、４４ｂ、４４ｃに接続されるバルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ、４０ｆは、最終バルブとされ、後述される最終バルブ設置部７５Ａに設けられている。同様に、反応管１０Ｂ内には、３つのノズル４４ａ、４４ｂ、４４ｃが設けられており、反応管１０Ｂ内に、３種類の原料ガスを所定の順序かつ、または、所定の周期で供給することが可能に構成されている。反応管１０Ｂ内のノズル４４ａ、４４ｂ、４４ｃに接続されるバルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ、４０ｆは、最終バルブとされ、後述される最終バルブ設置部７５Ｂに設けられている。

バルブ４１ａ〜４１ｆの出力側の複数の複数のガス管３５は、バルブ４１ａ〜４１ｆとバルブ４０ａ〜４０ｆの間において、反応管１０Ａのバルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ、４０ｆのそれぞれに接続される複数のガス分配管３５Ａと、反応管１０Ｂのバルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ、４０ｆのそれぞれに接続される複数のガス分配管３５Ｂと、に分岐される。複数のガス管３５は、反応管１０Ａ、１０Ｂに対する共通のガス管と見做すことができる。

マニホールド１８Ａには、排気管４６Ａが取り付けられている。排気管４６Ａには、処理室１４Ａ内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４８Ａおよび圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ５０Ａを介して、真空排気装置としての真空ポンプ５２Ａが接続されている。このような構成により、処理室１４Ａ内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。主に、排気管４６Ａ、ＡＰＣバルブ５０Ａ、圧力センサ４８Ａにより、排気系Ａが構成される。排気系Ａは後述する排気ボックス７４Ａに収納されている。真空ポンプ５２Ａは、処理モジュール３Ａと３Ｂに共通して１つ設置されても良い。

処理室１４Ａは、複数枚、例えば２５〜１５０枚のウエハＷを垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート２６Ａを内部に収納する。ボート２６Ａは、蓋部２２Ａおよび断熱部２４Ａを貫通する回転軸２８Ａにより、断熱部２４Ａの上方に支持される。回転軸２８Ａは蓋部２２Ａの下方に設置された回転機構３０Ａに接続されており、回転軸２８Ａは反応管１０Ａの内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部２２Ａは昇降機構としてのボートエレベータ３２Ａにより上下方向に駆動される。これにより、ボート２６Ａおよび蓋部２２Ａが一体的に昇降され、反応管１０Ａに対してボート２６Ａが搬入出される。

ボート２６ＡへのウエハＷの移載は搬送室６Ａで行われる。図１に示すように、搬送室６Ａ内の一側面（搬送室６Ａの外側側面、搬送室６Ｂに面する側面と反対側の側面）には、クリーンユニット６０Ａが設置されており、搬送室６Ａ内にクリーンエア（例えば、不活性ガス）を循環させるように構成されている。搬送室６Ａ内に供給された不活性ガスは、ボート２６Ａを挟んでクリーンユニット６０Ａと対面する側面（搬送室６Ｂに面する側面）に設置された排気部６２Ａによって搬送室６Ａ内から排気され、クリーンユニット６０Ａから搬送室６Ａ内に再供給される（循環パージ）。搬送室６Ａ内の圧力は移載室８内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、搬送室６Ａ内の酸素濃度は、大気中における酸素濃度よりも低くなるように設定されている。このような構成により、ウエハＷの搬送作業中にウエハＷ上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。

回転機構３０Ａ、ボートエレベータ３２Ａ、ガス供給機構３４ＡのＭＦＣ３８ａ〜ｆおよびバルブ４１ａ〜ｆ、４０ａ〜ｆ、ＡＰＣバルブ５０Ａには、これらを制御するコントローラ１００が接続される。コントローラ１００は、例えば、ＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置２の動作を制御するよう構成される。コントローラ１００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１０２が接続されている。コントローラ１００は、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂとで夫々に１つずつ設置されても良いし、共通して１つ設置されても良い。

記憶部１０４は、コントローラ１００に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記録装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。また、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置１０２からの指示等にて記憶部１０４から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。コントローラ１００は、コントローラボックス７６（７６Ａ、７６Ｂ）に収納される。コントローラ１００が処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂとで夫々に１つずつ設置される場合、コントローラボックス７６Ａに、処理モジュール３Ａを制御するコントローラ１００（Ａ）が設置され、コントローラボックス７６Ｂに、処理モジュール３Ｂを制御するコントローラ１００（Ｂ）が設置される。

次に、上述の処理装置２を用い、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）について説明する。ここでは、ウエハＷに対して、原料ガスとして第１の処理ガス（原料ガス）としてヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤＳ）ガスと、反応ガスとして第２の処理ガス（反応ガス）としてアンモニア（ＮＨ_３）ガスとを供給することで、ウエハＷ上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、処理装置２を構成する各部の動作はコントローラ１００により制御される。

本実施形態における成膜処理では、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＨＣＤＳガスを供給する工程と、処理室１４Ａ内からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程と、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＮＨ_３ガスを供給する工程と、処理室１４Ａ内からＮＨ_３ガス（残留ガス）を除去する工程と、を所定回数（１回以上）繰り返すことで、ウエハＷ上にＳｉＮ膜を形成する。本明細書では、この成膜シーケンスを、便宜上、以下のように表記する。

（ＨＣＤＳ→ＮＨ_３）×ｎ ⇒ ＳｉＮ
（ウエハチャージおよびボートロード）
ゲートバルブ９０Ａを開き、ボート２０Ａに対してウエハＷを搬送する。複数枚のウエハＷがボート２６Ａに装填（ウエハチャージ）されると、ゲートバルブ９０Ａが閉じられる。ボート２６Ａは、ボートエレベータ３２Ａによって処理室１４内に搬入（ボートロード）され、反応管１０Ａの下部開口は蓋部２２Ａによって気密に閉塞（シール）された状態となる。

（圧力調整および温度調整）
処理室１４Ａ内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室１４Ａ内の圧力は、圧力センサ４８Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０Ａが、フィードバック制御される。また、処理室１４Ａ内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２Ａによって加熱される。この際、処理室１４Ａが所定の温度分布となるように、温度検出部１６Ａが検出した温度情報に基づきヒータ１２Ａへの通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０Ａによるボート２６ＡおよびウエハＷの回転を開始する。

（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
処理室１４Ａ内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＨＣＤＳガスを供給する。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａ、バルブ４１ａ、４０ａおよびノズル４４ａを介して処理室１４Ａ内に供給される。

［原料ガス排気工程］
次に、ＨＣＤＳガスガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ_２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。

［反応ガス供給工程］
次に、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＮＨ_３ガスを供給する。ＮＨ_３ガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂ、バルブ４１ｂ、４０ｂおよびノズル４４ｂを介して処理室１４Ａ内に供給される。

［反応ガス排気工程］
次に、ＮＨ_３ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ_２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。

（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ_２ガスが供給され、処理室１４Ａ内がＮ_２ガスに置換されると共に、処理室１４Ａの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２Ａにより蓋部２２Ａが降下されて、ボート２６Ａが反応管１０Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６Ａより取出される（ウエハディスチャージ）。

その後、ウエハＷはポッド５に収納され処理装置２外に搬出されても良いし、処理炉４Ｂへ搬送され、例えば、アニール等の基板処理が連続して行われても良い。処理炉４ＡでのウエハＷの処理後に連続して処理炉４ＢでウエハＷの処理を行う場合、ゲートバルブ９０Ａおよび９０Ｂを開とし、ボート２６Ａからボート２６ＢへウエハＷが直接搬送される。その後の処理炉４Ｂ内へのウエハＷの搬入出は、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。また、処理炉４Ｂ内での基板処理は、例えば、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。

ウエハＷにＳｉＮ膜を形成する際の処理条件としては、例えば、下記が例示される。
処理温度（ウエハ温度）：１００℃〜８００℃、
処理圧力（処理室内圧力）５Ｐａ〜４０００Ｐａ、
ＨＣＤＳガス供給流量：１ｓｃｃｍ〜２０００ｓｃｃｍ、
ＮＨ_３ガス供給流量：１００ｓｃｃｍ〜３００００ｓｃｃｍ、
Ｎ₂ガス供給流量：１ｓｃｃｍ〜５００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。

次に、処理装置２の背面構成について説明する。

例えば、ボート２６が破損した場合には、ボート２６を交換する必要がある。また、反応管１０が破損した場合や、反応管１０のクリーニングが必要な場合は、反応管１０を取り外す必要がある。このように、搬送室６や処理炉４におけるメンテナンスを実施する場合には、処理装置２の背面側のメンテナンスエリアＡ、Ｂからメンテナンスを行う。

図１に示すように、搬送室６Ａ、６Ｂの背面側には、メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂがそれぞれ形成されている。メンテナンス口７８Ａは搬送室６Ａの搬送室６Ｂ側に形成され、メンテナンス口７８Ｂは搬送室６Ｂの搬送室６Ａ側に形成される。メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂはメンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂにより開閉される。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂはヒンジ８２Ａ、８２Ｂを基軸として回動可能に構成される。ヒンジ８２Ａは搬送室６Ａの搬送室６Ｂ側に設置され、ヒンジ８２Ｂは搬送室６Ｂの搬送室６Ａ側に設置される。すなわち、ヒンジ８２Ａ、８２Ｂは搬送室６Ａ、６Ｂの背面側の隣接面に位置する内側角部付近に互いに隣接するように設置される。メンテナンスエリアは処理モジュール３Ａ背面における処理モジュール３Ｂ側と処理モジュール３Ｂ背面における処理モジュール３Ａ側とに形成されている。

想像線で示すように、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂがヒンジ８２Ａ、８２Ｂを中心にして搬送室６Ａ、６Ｂの背面側後方に水平に回動されることにより、背面メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂが開かれる。メンテナンス扉８０Ａは、搬送室６Ａに向かって左開きに１８０°まで開放可能なように構成される。メンテナンス扉８０Ｂは、搬送室６Ｂに向かって右開きに１８０°まで開放可能なように構成される。すなわち、搬送室６Ａに向かって、メンテナンス扉８０Ａは時計回りに回動し、メンテナンス扉８０Ｂは反時計回りに回動する。言い換えれば、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂは、互いに反対方向に回動される。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂは取外し可能に構成されており、取り外してメンテナンスを行っても良い。

搬送室６Ａ、６Ｂの背面近傍には、ユーティリティ系７０が設置されている。ユーティリティ系７０はメンテナンスリアＡ、Ｂの間に配置される。ユーティリティ系７０のメンテナンスを行う際は、メンテナンスエリアＡ、Ｂから行う。

ユーティリティ系７０は、最終バルブ設置部７５Ａ，７５Ｂ、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ、供給ボックス７２、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂを含む。

ユーティリティ系７０は、筐体側（搬送室６Ａ、６Ｂ側）から順に、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ、供給ボックス７２、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂで構成されている。最終バルブ設置部７５Ａ，７５Ｂは、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの上方に設けられる。ユーティリティ系７０の各ボックスのメンテナンス口はそれぞれメンテナンスエリアＡ、Ｂ側に形成されている。供給ボックス７２は、排気ボックス７４Ａの搬送室６Ａに隣接する側と反対側および供給ボックス７２Ｂは、排気ボックス７４Ｂの搬送室６Ｂに隣接する側に隣接して配置される。

図３に示すように、処理モジュール３Ａにおいて、ガス供給機構３４のファイナルバルブ（ガス供給系の最下段に位置するバルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ）が設置される最終バルブ設置部７５Ａは、排気ボックス７４Ａの上方に配置されている。好ましくは、排気ボックス７４Ａの真上（直上）に配置されている。このような構成により、供給ボックス７２を筐体側から離れたところに設置しても、ファイナルバルブから処理室内への配管長を短くすることができるため、成膜の品質を向上させることができる。図３には図示されないが、バルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃの他、バルブ４０ｄ、４０ｅ、４０ｆも、最終バルブ設置部７５Ａに配置される。

また、図示されないが、処理モジュール３Ｂにおいて、ガス供給機構３４のファイナルバルブ（ガス供給系の最下段に位置するバルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ）が設置される最終バルブ設置部７５Ｂは、排気ボックス７４Ｂの上方に配置されている。好ましくは、排気ボックス７４Ｂの真上（直上）に配置されている。このような構成により、供給ボックス７２を筐体側から離れたところに設置しても、ファイナルバルブから処理室内への配管長を短くすることができるため、成膜の品質を向上させることができる。バルブ４０ａ、４０ｂ、４０ｃの他、バルブ４０ｄ、４０ｅ、４０ｆも、最終バルブ設置部７５Ｂに配置される。

図５に示すように、処理モジュール３Ａ、３Ｂおよびユーティリティ系７０の各構成は、処理モジュール３Ａ、３Ｂの隣接面Ｓ_１に対して面対称に配置されている。また、反応管１０Ａ、１０Ｂも、処理モジュール３Ａ、３Ｂの隣接面Ｓ_１に対して面対称に配置されている。これにより、処理モジュール３Ａ、３Ｂから排気ボックス７４Ａ、７４Ｂまでの排気管４６Ａ、４６Ｂの配管長が、処理モジュール３Ａ、３Ｂで略同じ長さとなるように配管が配置されている。また、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂに設置されたファイナルバルブ４０Ａ、４０Ｂからノズル４４Ａ、４４Ｂまでの配管長が、処理モジュール３Ａ、３Ｂで略同じ長さとなるように配管(ガスパイプ)が配置されている。

図５において、ファイナルバルブ４０Ａは、処理モジュール３Ａのバルブ４０ａ〜４０ｆを示すものであり、ファイナルバルブ４０Ｂは、処理モジュール３Ｂのバルブ４０ａ〜４０ｆを示すものである。また、ノズル４４Ａは、処理モジュール３Ａのノズル４４ａ〜４４ｃを示すものであり、ノズル４４Ｂは、処理モジュール３Ｂのノズル４４ａ〜４４ｃを示すものである。たとえば、配管１０Ａａが処理モジュール３Ａのバルブ４０ａと処理モジュール３Ａのノズル４４ａとの間の配管に対応し、配管１０Ｂａが処理モジュール３Ｂのバルブ４０ａと処理モジュール３Ｂのノズル４４ａとの間の配管に対応する場合、配管１０Ａａと配管１０Ｂａとは、配管長が略同じ長さである。また、配管１０Ａｂが処理モジュール３Ａのバルブ４０ｂと処理モジュール３Ａのノズル４４ｂとの間の配管に対応し、配管１０Ｂｂが処理モジュール３Ｂのバルブ４０ｂと処理モジュール３Ｂのノズル４４ｂとの間の配管に対応する場合、配管１０Ａｂと配管１０Ｂｂとは、配管長が略同じ長さである。これにより、供給ボックス７２から同じガスを、処理モジュール３Ａのバルブ４０ａおよび配管１０Ａａを介して処理モジュール３Ａのノズル４４ａへ供給する場合と、処理モジュール３Ｂのバルブ４０ａおよび配管１０Ｂａを介して処理モジュール３Ｂのノズル４４ａへ供給する場合とで、同一の到達時間とできる。したがって、コントローラ１００による処理モジュール３Ａ、３Ｂのレシピ管理が容易化できる。さらに、図５中の矢印で示すように、ウエハＷの回転方向も処理炉４Ａ、４Ｂにおいて互いに反対方向となるように構成される。

なお、反応管１０Ａ、１０Ｂの配置形態は、図５に限定されない。ノズル４４Ａ、４４Ｂのそれぞれが最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂに対応するように設置してもよい。また、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂまでの排気管４６Ａ、４６Ｂが最短長になるように、反応管１０Ａ、１０Ｂを配置してもよい。ただし、反応管１０Ａ、１０Ｂは処理モジュール３Ａ、３Ｂの隣接面Ｓ_１に対して面対称に配置するのが良い。

処理モジュール３Ａ，３Ｂに対して、共通の供給ボックス７２を設け、供給ボックス７２から最終バルブ４０Ａ、４０Ｂまでのガス管を共有するので、基板処理装置の省スペース化が可能である。

また、基板処理装置２が必要とするフットプリントが低下し、必要な生産量に対して、クリーンルームの使用面積を抑えることが可能となり、経済性において非常に有利である。

図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃは、コントローラによるレシピの制御例を説明する図である。レシピとは、反応ガスや原料ガス等の各プロセスガスの供給量、目標真空度（もしくは排気速度）、処理室温度などを、時系列に記述したものであり、一定の周期で反復されるパターンを含みうる。レシピという用語は、狭義にはこの反復パターンの１サイクルを示す場合がある。作成されたレシピは、コントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。処理装置２が処理モジュール３Ａ、３Ｂを備えた場合、レシピ開始のタイミング次第では同じガスを、処理モジュール３Ａ、３Ｂ間で使用する可能性がある。

本実施形態では、レシピを管理するコントローラ１００は、同一のプロセスガスを、処理モジュール３Ａ、３Ｂの反応管１０Ａ、１０Ｂへ、同時に流せないように、相互間監視の機能を有している。監視すべき対象のガス及びバルブをコントローラ内のパラメータもしくはレシピに登録することによって、コントローラ１００は登録されたガス及びバルブをもとに、処理モジュール３Ａ、３Ｂに対するレシピの相互監視を行い、同一のプロセスガスを処理モジュール３Ａ、３Ｂに同時に流さないようにレシピの開始時間等を最適化する制御を実施する。レシピの開始時間等の最適化は、反応管１０Ａ、１０Ｂ内を真空にするための真空ポンプ（５２Ａ）の真空引き時間、または、反応管１０Ａ、１０Ｂ内をＮ_２ガスでパージするパージ時間などを用いて、調整することができる。相互監視及び制御には、バルブレベルのものと、レシピレベルのものが含まれる。

図６Ａには、処理モジュール３Ａ、３Ｂのそれぞれで実行されるレシピＲＣ１、ＲＣ２の一例が示される。レシピＲＣ１、ＲＣ２は、同一のレシピであり、３つの処理ガスＡ、Ｂ、Ｃを用いる。反応管１０Ａ、１０Ｂ内のそれぞれの基板の上に同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンスのレシピＲＣ１、ＲＣ２が複数サイクル繰り返し実行される。レシピＲＣ１、ＲＣ２の各々は、実質的に同じガス供給シーケンスであるプロセスステップＰＳ１〜ＰＳ９を含む。プロセスステップＰＳ１は、反応管１０Ａまたは１０Ｂ内に、処理ガスＡを供給する処理（Ａ）である。プロセスステップＰＳ４は、反応管１０Ａまたは１０Ｂ内に、処理ガスＢを供給する処理（Ｂ）である。プロセスステップＰＳ７は、反応管１０Ａまたは１０Ｂ内に、処理ガスＣを供給する処理（Ｃ）である。それぞれのプロセスステップＰＳ１、ＰＳ４、ＰＳ７の後には、プロセスステップＰＳ２、ＰＳ５、ＰＳ８が実行される。プロセスステップＰＳ２、ＰＳ５、ＰＳ８は、目標真空度を比較的低圧（例えば、１０〜１００Ｐａ）に設定して、反応管１０Ａまたは１０Ｂ内を真空引きする処理（Ｖ）である。それぞれのプロセスステップＰＳ２、ＰＳ５、ＰＳ８の後には、プロセスステップＰＳ３、ＰＳ６、ＰＳ９が実行される。プロセスステップＰＳ３、ＰＳ６，ＰＳ９は、反応管１０Ａ、１０Ｂ内にパージガス（Ｎ_２ガス）を流しながら、反応管１０Ａ、１０Ｂ内を真空引きする処理（Ｐ）である。

図６Ａに示すように、レシピＲＣ１、ＲＣ２において、レシピＲＣ１、ＲＣ２が、時間Ｔに対して、短時間の差で開始された場合、同時に同じ処理ガスＡ、Ｂ、Ｃが使用されることが想定される。つまり、処理モジュール３ＡのプロセスステップＰＳ１、ＰＳ４、ＰＳ７と処理モジュール３ＢのプロセスステップＰＳ１、ＰＳ４、ＰＳ７とが同時に実行される場合がある。しかし、その処理ガスＡ、Ｂ、Ｃに対応するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）は１つしかない。図４に示すように、供給ボックス７２に収納されたガス供給機構３４において、たとえば、処理ガスＡに対するマスフローコントローラはＭＦＣ３８ａの１つであり、処理ガスＢに対するマスフローコントローラはＭＦＣ３８ｂの１つであり、処理ガスＣに対するマスフローコントローラはＭＦＣ３８ｃの１つである。このため、処理モジュール３Ａ、３Ｂにおいて、同時に同じ処理ガス（Ａ、Ｂ、または、Ｃ）を使用した場合、各処理モジュール３Ａ、３Ｂへの流量を、従来と同等の精度で制御できず、処理モジュール３Ａ、３Ｂ間でレシピが異なってしまうことになる。処理モジュール３Ａ、３Ｂ間でレシピが異なってしまうことは、処理モジュール３Ａ、３Ｂで生成される膜の品質に影響する。このため、処理モジュール３Ａ、３Ｂにおいて、同時に同じ処理ガス（Ａ、Ｂ、または、Ｃ）を使用することは、避けることが好ましい。

バルブレベルの制御では、処理モジュール３Ａ、３Ｂのコントローラ１００は、処理モジュール３Ａのバルブ４０ａ〜４０ｃの開閉状態と処理モジュール３Ｂのバルブ４０ａ〜４０ｃの開閉状態を、処理モジュール３Ａ、３Ｂの間で相互に監視する。このバルブレベルの制御はインターロックとも呼ばれる。

たとえば、処理モジュール３Ａのコントローラ１００は、相手側の処理モジュール３Ｂの対応する（つまり同じ分配配管で接続されている）ファイナルバルブが閉じていれば、レシピ通りに自己の処理モジュール（３Ａ）のファイナルバルブを開ける。一方、相手側の処理モジュール（３Ｂ）の対応する（つまり同じ分配配管で接続されている）ファイナルバルブが開いていれば、そのファイナルバルブが閉じるまで、自己の処理モジュール（３Ａ）のレシピを中断するように制御する。また、処理モジュール３Ｂのコントローラ１００は、相手側の処理モジュール（３Ａ）の対応する（つまり同じ分配配管で接続されている）ファイナルバルブが閉じていれば、レシピ通りに自己の処理モジュール（３Ｂ）のファイナルバルブを開ける。一方、相手側の処理モジュール（３Ａ）の対応する（つまり同じ分配配管で接続されている）ファイナルバルブが開いていれば、そのファイナルバルブが閉じるまで、自己の処理モジュール（３Ｂ）のレシピを中断するように制御する。

一方、プロセスレシピレベルの制御において、コントローラ１００はレシピ（ＲＣ１、ＲＣ２）開始時、ボートロード前等の各タイミングでレシピ（ＲＣ１、ＲＣ２）の進捗具合を監視し、使用されるガスＡ、Ｂ、Ｃの流れるシーケンスのタイミングを予測する。処理モジュール３Ａ、３Ｂにおいて、同じ処理ガス（Ａ、Ｂ、または、Ｃ）が同じタイミングで流れない場合、レシピ（ＲＣ１、ＲＣ２）はそのまま進行する。一方、処理モジュール３Ａ、３Ｂにおいて、同じ処理ガス（Ａ、Ｂ、または、Ｃ）が同じタイミングで流れることが予測された場合、コントローラ１００は、同時に同じプロセスガスが流れないシーケンスを算出し、使用されるガスの供給するタイミングを、時間的にずらす制御を実施する。

つまり、処理モジュール３Ａ、３Ｂにおいて、同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンスを繰り返す処理を、時間をずらして並行して行なう。このずらす時間は、複数の処理ガス（Ａ、Ｂ、Ｃ）の内の特定のガスの供給タイミングが、先に処理を開始した処理モジュール３Ａ、３Ｂの一方のガス供給シーケンスと重ならないように、後に処理を開始する処理モジュール３Ａ、３Ｂの他方のガス供給シーケンスを遅らせる方法によって決定される。

たとえば、図６Ａに示すように、コントローラ１００がレシピ（ＲＣ１、ＲＣ２）開始時、使用される処理ガスＡ、Ｂ、Ｃの流れるガス供給シーケンスのタイミングを予測したとする。つまり、同じ処理ガス（Ａ、Ｂ、または、Ｃ）が同じタイミングで処理モジュール３Ａ、３Ｂに流れることが予測されたとする。この場合、コントローラ１００は、同時に同じプロセスガスが流れないシーケンスを算出し、使用されるガスの供給するタイミングを、時間的にずらす制御を実施する。つまり、コントローラ１００は、レシピ（ＲＣ１、ＲＣ２）開始前に、処理モジュール３Ａ、３Ｂにおいて、同じ処理ガス（Ａ、Ｂ、Ｃ）が同じタイミングで流れないようにガス供給シーケンスのタイミングが時間的にずらされたレシピＲＣ２を生成する。図６Ｂに示すように、処理モジュール３Ｂで実施されるレシピＲＣ２において、プロセスステップＰＳＡ１がプロセスステップＰＳ１の前に、コントローラ１００によって自動的に追加される。プロセスステップＰＳＡ１は、たとえば、反応管１０Ｂ内にパージガス（Ｎ_２ガス）を流しながら、反応管１０Ｂ内を真空引きする処理（Ｐ）である。なお、プロセスステップＰＳＡ１は、レシピＲＣ２（ＰＳ１〜ＰＳ９）が複数サイクル実行される場合において、１回目のサイクルの先頭のプロセスステップＰＳ１の前にのみ追加される。プロセスステップＰＳＡ１は、レシピＲＣ２（ＰＳ１〜ＰＳ９）の２回目以降のサイクルにおいて、プロセスステップＰＳ１の前には、追加されない。つまり、レシピＲＣ２（ＰＳ１〜ＰＳ９）の１回目のサイクルの最後のプロセスステップＰＳ９の実施後、レシピＲＣ２（ＰＳ１〜ＰＳ９）の２回目のサイクルの最初のプロセスステップＰＳ１が実施される。同様に、レシピＲＣ２（ＰＳ１〜ＰＳ９）の２回目のサイクルの最後のプロセスステップＰＳ９の実施後、レシピＲＣ２（ＰＳ１〜ＰＳ９）の３回目のサイクルの最初のプロセスステップＰＳ１が実施される。

図６Ｂの例では、同時に流すことのできない処理ガスＡ、Ｂ，Ｃの内、レシピ（ＲＣ１，ＲＣ２）の１サイクルにおける供給時間が最も長いもの（t_max）を選択（ここでは、ＰＳ７）し、処理モジュール３Ａ、３Ｂの間のレシピの時差t_diffを、t_max + n * t_cycleに一致させるよう、どちらかのレシピ（ＲＣ１、ＲＣ２）のプロセスステップＰＳ１の開始時間を遅らせることで調整する。図６Ｂの例では、レシピＲＣ２におけるＰＳ１の開始時間が、レシピＲＣ１におけるＰＳ１の開始時間と比べて、プロセスステップＰＳＡ１を追加した時間だけ、遅らせる。つまり、調整後の時差t_{diff_adj} = t_max + n * t_cycle、（ここでnは任意の整数、t_cycleはレシピの１サイクルの時間：ＰＳ１の開始時間からＰＳ７の終了時間までの時間）である。なお、t_max≦t_cycle/2を前提とする。

遅らせる時間を少なくすることが好ましい場合は、現在の時差（処理モジュール３ＡのレシピＲＣ１を基準としたときの現在の処理モジュール３ＢのレシピＲＣ２の進み時間）t_diffに依存して、
｛
if (t_max ≦ (|t_diff| % t_cycle) < t_max + t_cycle/2) then 進んでいる方の処理モジュールを(|t_diff | % t_cycle) - t_max遅らせる（つまりt_{diff_adj} = t_diff - ((|t_diff | % t_cycle) - t_max)）
else if ((|t_diff| % t_cycle) < t_max) then遅れている方のPMを(|t_diff | % t_cycle) - t_max遅らせる
Else 遅れている方の処理モジュールをt_cycle -(|t_diff | % t_cycle) - t_max遅らせる
｝
ここで、％は最小非負剰余の演算子であり、0 < (t_diff % t_cycle) < t_cycle/2のとき、処理モジュール３Ａが進んでおり、それ以外のときは処理モジュール３Ｂが進んでいる。

また、コントローラ１００は、処理室１０Ａ、１０Ｂの熱履歴を同じにする調整機能も有する。決められた時間を設定し、同時進行のレシピだけでなく、バッチ間での履歴を設定したパージ時間で待機した分の時間を自動で調整し合わせることができる。つまり、図６Ｂに示す処理モジュール３Ａ、３ＢのレシピＲＣ１、ＲＣ２を複数サイクル繰り返し実行した最後のサイクルでは、処理モジュール３ＡのレシピＲＣ１のプロセスステップＰＳ９は、処理モジュール３ＢのレシピＲＣ２のプロセスステップＰＳ９に比べて、時間的に早く終了することになる。したがって、処理室１０Ａの熱履歴と処理室１０Ｂの熱履歴とが異なってしまう。

図６Ｃに示すように、処理モジュール３ＡのレシピＲＣ１の最終のサイクルにおいて、ＰＳＡ１と同じ時間のプロセスステップＰＳＡ２がプロセスステップＰＳ９の後に、コントローラ１００によって自動的に追加される。これにより、処理室１０Ａの熱履歴と処理室１０Ｂの熱履歴とを同じにすることができる。プロセスステップＰＳＡ２は、たとえば、反応管１０Ａ内にパージガス（Ｎ_２ガス）を流しながら、反応管１０Ａ内を真空引きする処理（Ｐ）である。

なお、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂとは、基本的に非同期で動作しており、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂとの間の依存性が少ない。このため、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂの一方が故障などにより停止したとても、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂの他方が処理続行可能である。

図７は、コントローラによるレシピの他の制御例を説明する図である。図７には、処理モジュール３Ｂで実施されるレシピＲＣ２において、プロセスステップＰＳ１の前に追加されるプロセスステップ（ＰＳＡ１〜ＰＳＡ４）の処理時間が異なる４つの例を示している。

図７に示すレシピＲＣ２１は、図６Ｂに示すレシピＲＣ２と同じであり、１サイクルにおける供給時間が最も長い処理ガスＣの供給時間分、レシピＲＣ２１の進行時間をずらすルールに基づく。このため、レシピＲＣ２１において、プロセスステップＰＳ１の前に、プロセスステップＰＳＡ１が追加される。これにより、処理モジュール３ＡへのガスＣの供給するプロセスステップＰＳ７の終了後、それに続いて処理モジュール３ＢへのガスＣの供給するプロセスステップＰＳ７が開始される。あるいは、レシピＲＣ２１は、処理ガスＡ及びＢと、処理ガスＣの排気タイミングが重ならないようにするルールに基づいているともいえる。このルールによればて、処理ガスＣが、処理ガスＡ及びＢと気相反応する場合に、共通の真空ポンプ５２の上流において望ましくない固形物の生成を抑制することができる。あるいは、レシピＲＣ２１は、処理ガスＡ、Ｂ及びＣのパージ工程の終了と、何らかのガスの排気工程とが、重ならないようにするルールに基づいているともいえる。このルールによって、パージ終了時点における残留ガス濃度の増加を防ぐことができる。

図７に示すレシピＲＣ２２では、プロセスステップＰＳ１の前に、プロセスステップＰＳＡ２が追加される。これにより、処理モジュール３Ａにて、処理ガスＡ、Ｂを使用した後（プロセスステップＰＳ４の終了後）に、処理モジュール３Ｂにて、処理ガスＡを使用するプロセスステップＰＳ１が開始される。

図７に示すレシピＲＣ２３では、プロセスステップＰＳ１の前に、プロセスステップＰＳＡ３が追加される。処理モジュール３Ａ、３Ｂの間で、レシピの位相を単純に反転させるルール（つまり時間差をt_{diff_adj} =t_cycle/2 に設定する）に基づく。このルールは、その時間的な対称性により、ガス供給系３４と最終バルブ配置部７５Ａ、Ｂの間にバッファタンクを設けた場合でも、各処理モジュール３Ａ、Ｂに均等に同一条件でガスを供給できる。あるいはレシピＲＣ２３は、処理ガスＡ、Ｂ及びＣの排気タイミングが互いに重ならないようにするルールに基づいているともいえる。これは、固形物を生成を抑制１つのガスについての連続する供給、排気およびパージの工程の合計時間が、t_cycle/2以上である場合に好適である。

図７に示すレシピＲＣ２４では、プロセスステップＰＳ１の前に、プロセスステップＰＳＡ４が追加される。これにより、処理モジュール３Ｂへの処理ガスＣの供給の終了後（プロセスステップＰＳ７の終了後）、それに続いて、２サイクル目の処理モジュール３Ａへの処理ガスＣの供給が開始される（２サイクル目のプロセスステップＰＳ７）。処理モジュール３Ａ、３Ｂの間を区別しない（先後を問題としない）場合、処理モジュール３ＢのレシピＲＣ２１と等価である。

図７のレシピＲＣ１〜ＲＣ４に示すように、処理モジュール３Ｂにおいて処理ガスＡを使用するプロセスステップＰＳ１の開始タイミングは、設定パラメータと予測されたシーケンスにより最適に制御可能である。

しかしながら、図７のレシピＲＣ１、ＲＣ２１〜ＲＣ２４のいずれも、任意のレシピに対して、全てガスの供給タイミングが重ならないことは、保証されていないともいえる。

図８は、供給タイミングが重ならないずれ量を決定する処理フローを示す図である。図８の処理フローは、処理モジュール３Ａ、３Ｂのレシピのサイクル間の時差t_adjが０の状態から開始して、必要なずれ量を算出するものである。

ステップＳ１：処理モジュール３Ｂのレシピを現在の時差t_adjよりも更に遅らせるべき時間を示す変数t_{adj_add}に、０を代入する。

ステップＳ２：処理ガスの中から順次１つ（ガスｘ）を選択することで、処理ガスのそれぞれについて以下の処理（ステップＳ２１〜Ｓ２３）を行う。

ステップＳ２１：処理モジュール３Ａにおけるレシピの特定の１サイクルの中で、ガスｘの供給区間を、先頭から順次選択し、その開始時間t_{1xi_start}とその終了時間t_{1xi_end}を特定する。ここで、iはn_x個存在する供給区間のインデックスである。

ステップＳ２２：処理モジュール３Ａとt_adjの時差のある処理モジュール３Ｂにおけるレシピの任意の１サイクルの中に、開始時間t_{1xi_start}から終了時間t_{1xi_end}の間に開始されるガスｘの供給がないか検査し、供給区間の重なりの解消に必要な遅れ時間の最大値を更新する。具体的には、t_{1xi_start} ≦t_{2xj_start}＜t_{1xi_end}を満たすt_{2xj_start}を、サイクル供給区間ｊ＝1.. n_xのすべての中から探し、t_{adj_add} ＜ t_{2xj_start} - t_{1xi_start} であればt_{adj_add} に t_{2xj_start} - t_{1xi_start}を代入する。

ステップＳ２３：インデックスiがn_xに達していなければ、ステップＳ２１に戻り、達していれば、次の処理（ステップＳ３）に進む。
ステップＳ３：保持されている変数t_{adj_add}が０であれば、現在の時差t_adj に確定して(つまり、t_adj をt_{diff_adj}もしくはt_maxとして決定して)処理を終了する。

ステップ３で非０だった場合、ステップＳ４として、t_cycle ＜ t_{diff_adj} + t_adjであれば、重なりの解消は不可能なので処理を中断する。

ステップＳ４で、t_cycle ＜ t_{diff_adj} + t_adjでなければ、ステップＳ５として、t_{diff_adj}に t_{diff_adj} - t_adjを代入して、ステップＳ１に戻る。

以上纏めると、以下になる。
基板処理装置（２）は、
縦方向に配置された複数の基板（Ｗ）を処理する第１の処理容器（反応管１０Ａ）を有する第１の処理モジュール（３Ａ）と、
前記第１の処理容器（１０Ａ）に隣接して配置され、縦方向に配置された複数の基板を処理する第２の処理容器（反応管１０Ｂ）を有する第２の処理モジュール（３Ａ）と、
前記第１の処理容器（１０Ａ）内を排気する第１の排気系が収納された第１の排気ボックス（７４Ａ）と、
前記第２の処理容器（１０Ｂ）内を排気する第２の排気系が収納された第２の排気ボックス（７４Ｂ）と、
前記第１及び第２の処理容器（１０Ａ、１０Ｂ）内に供給する複数の処理ガス（Ａ、Ｂ、Ｃ）の流路もしくは流量の少なくとも一方を制御する共通供給ボックス（７２）と、
前記共通供給ボックス（７２）からのガス管を、前記第１の処理容器（１０Ａ）へ、連通状態を制御可能に接続する第１のバルブ群（４０Ａ、４０ａ〜４０ｆ）と、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第２の処理容器（１０Ｂ）へ、連通状態を制御可能に接続する第２のバルブ群（４０Ｂ、４０ａ〜４０ｆ）と、を備え、
前記第１及び第２の処理モジュール（３Ａ、３Ｂ）において、同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンス（レシピＲＣ１、ＲＣ２）を繰り返す処理を、時間をずらして並行して行い、
前記ずらす時間は、前記複数の処理ガス（Ａ、Ｂ、Ｃ）の内の特定のガス（Ｃ）の供給タイミング（ＰＳ７）が、先に処理を開始した前記第１及び第２の処理モジュール（３Ａ、３Ｂ）の一方（３Ａ）のガス供給シーケンス（レシピＲＣ１のＰＳ７）と重ならないように、後に処理を開始する前記第１及び第２の処理モジュール（３Ａ、３Ｂ）の他方（３Ｂ）のガス供給シーケンス（レシピＲＣ２のＰＳ７）を遅らせる方法（レシピＲＣ２に対するＰＳＡ１の挿入）によって決定される。

また、基板処理装置（２）において、
前記第１及び第２の処理モジュール（３Ａ、３Ｂ）が隣接する面（Ｓ_１、Ｓ２）を基準として、前記第１及び第２の処理モジュール（３Ａ、３Ｂ）、前記第１及び第２の排気ボックス（７４Ａ，７４Ｂ）、前記第１及び第２のバルブ群（４０Ａ、４０Ｂ）のそれぞれが、互いに面対称に構成され、且つ、配置され、
前記第１のバルブ群（４０Ａ）と前記第１の処理モジュール（３Ａ）との間の複数のガスパイプ（１０Ａａ、１０Ａｂ）の長さは、前記第２のバルブ群（４０Ｂ）と前記第２の処理モジュール（３Ｂ）との間の対応するガスパイプ（１０Ｂａ、１０Ｂｂ）の長さと等しい。

また、基板処理装置（２）において、
前記複数の処理ガスは、３種類の原料ガスを含み、
前記ガス供給シーケンス（レシピＲＣ１、ＲＣ２）は、１つの処理容器に対して、３種類の処理ガス（Ａ、Ｂ、Ｃ）を、時間的な間隔を開けて周期的に供給するものであり、
前記第１及び第２の処理モジュール（３Ａ、３Ｂ）において並行して行う間、前記３種類の処理ガス（Ａ、Ｂ、Ｃ）のそれぞれは、前記第１及び第２の処理容器（３Ａ、３Ｂ）のいずれにも供給されないタイミング（図６Ｂにおいて、ＲＣ１のＰＳ２、ＰＳ３とＲＣ２のＰＳＡ１、ＲＣ１のＰＳ５、ＰＳ６とＲＣ２のＰＳ２、ＰＳ３）が存在する。

基板処理装置（２）において、
前記第１の処理モジュール（３Ａ）、前記第１の排気ボックス（７４Ａ）及び前記第１のバルブ群（４０Ａ）を制御する第１のプロセス制御器（コントローラ１００（Ａ））と、
前記第２の処理モジュール（３Ｂ）、前記第２の排気ボックス（７４Ｂ）及び前記第２のバルブ群（４０Ｂ）を制御する第２のプロセス制御器（コントローラ１００（Ｂ））と、
前記第１及び第２のプロセス制御器（１００（Ａ）、１００（Ｂ））は、それぞれが制御する前記第１及び前記第２のバルブ群（４０Ａ、４０Ｂ）の流通状態を実質的に表す情報を、他のプロセス制御器（１００（Ａ）、１００（Ｂ））に伝達し、前記第１及び前記第２のバルブ群（４０Ａ、４０Ｂ）で同一のガスのバルブの同時供給を禁止している間を除き、前記第１及び前記第２の処理モジュール（３Ａ、Ｂ）は、非同期で運用される。

（変形例）
以下いくつかの変形例を説明する。

（変形例１）
図９は、変形例１に係る基板処理装置の一例を概略的に示す上面図である。

図９に示すように、ユーティリティ系７０は、供給ボックス７２、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂで構成されている。供給ボックス７２、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂは、搬送室６Ａ、６Ｂの隣接面Ｓ_２に対して面対称に配置されている。排気ボックス７４Ａは、搬送室６Ａの背面における搬送室６Ｂとは反対側に位置する外側角部に配置される。排気ボックス７４Ｂは、搬送室６Ｂの背面における搬送室６Ａとは反対側に位置する外側角部に配置される。すなわち、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂは、搬送室６Ａ、６Ｂの外側側面と排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの外側側面とが平面に接続するように、平坦に（なめらかに）設置される。

供給ボックス７２は、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの間において、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂと離間して中央に配置される。供給ボックス７２の前面は、搬送室６Ａ、６Ｂの背面に接するように配置される。最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂは、処理炉４Ａ、４Ｂの背面と接するように設置される。最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂの側面の接する部分は、供給ボックス７２の前面の上側に設けられている。最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂと供給ボックス７２との重なる部分において、供給ボックス７２から最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂへ複数の配管が配置される。コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂは、供給ボックス７２の背面に接して設けられる。

このような構成においても、図５で説明されたと同様に、供給ボックス７２から同じガスを、処理モジュール３Ａのバルブ４０ａおよび配管１０Ａａを介して処理モジュール３Ａのノズル４４ａへ供給する場合と、処理モジュール３Ｂのバルブ４０ａおよび配管１０Ｂａを介して処理モジュール３Ｂのノズル４４ａへ供給する場合とで、同一の到達時間とできる。

（変形例２）
図１０は、変形例２に係る基板処理装置の一例を概略的に示す上面図である。図１０が、図９と異なる点は、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂが排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの背面に設けられた点と、供給ボックス７２がフロアー全面に設けられた点である。他の構成は、図１０と同じである。なお、供給ボックス７２から最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂへ複数の配管は、四角形の点線ＢＢで示す位置に配置することができる。

（変形例３）
図１１は、変形例３に係るガス供給系を示す図である。

図１１には、例示的に、窒素ガス（Ｎ_２）、アンモニアガス（ＮＨ_３）、ＨＣＤＳガス、およびクリーニングガス（ＧＣＬ）を供給するガス供給系３４について説明する。なお、最終バルブ設置部７５Ａの構成と最終バルブ設置部７５Ｂの構成は同じであり、最終バルブ設置部７５Ｂの構成の記載は省略する。

ＨＣＤＳガスは、バルブ４２ａ、ＭＦＣ３８ａ、バルブ４１ａ、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ａを介して、反応管１０Ａ、１０Ｂのノズル４４ａへ供給可能にされている。

アンモニアガス（ＮＨ_３）は、バルブ４２ｂ、ＭＦＣ３８ｂ、バルブ４１ｂ、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ｂを介して、反応管１０Ａ、１０Ｂのノズル４４ｂへ供給可能にされている。アンモニアガス（ＮＨ_３）は、また、バルブ４１ｂ２、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ｆを介して、反応管１０Ａ、１０Ｂのノズル４４ｃへも供給可能にされている。

窒素ガス（Ｎ_２）は、バルブ４２ｄ、ＭＦＣ３８ｃ、バルブ４１ｃ、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ｃを介して、反応管１０Ａ、１０Ｂのノズル４４ａへ供給可能にされている。また、窒素ガス（Ｎ_２）は、バルブ４２ｄ、ＭＦＣ３８ｄ、バルブ４１ｄ、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ｄを介して、反応管１０Ａ、１０Ｂのノズル４４ｂへも供給可能にされている。さらに、窒素ガス（Ｎ_２）は、バルブ４２ｄ、ＭＦＣ３８ｆ、バルブ４１ｆ、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ｆを介して、反応管１０Ａ、１０Ｂのノズル４４ｃへも供給可能にされている。

クリーニングガスＧＣＬは、バルブ４２ｇ、ＭＦＣ３８ｇ、バルブ４１ｇ、最終バルブ設置部７５Ａ、７５Ｂのバルブ４０ｇ、４０ｇ２、４０ｇ３を介して、反応管１０Ａ、１０Ｂの全ノズル４４ａ、４０ｂ、４０ｃへ供給可能にされている。

また、ＭＦＣ３８ｃの下流のバルブ４１ａ２、ＭＦＣ３８ｂの下流の４１ｂ３、ＭＦＣ３８ｂの下流のバルブ４１ｇ２は、排気系ＥＳへ接続されている。

図１１に示すように、ガス供給系３４の下流側の分配配管である複数のガス管３５は、最終バルブ設置部７５Ａへ接続される複数のガス分配管３５Ａと、最終バルブ設置部７５Ｂへ接続される複数のガス管３５Ｂと、に分岐される。分岐後の複数のガス分配管３５Ａと複数のガス管３５Ｂは、互いに等しい長さを有する。複数のガス管３５には、適宜、ヒータ、フィルタ、チェック弁（逆止弁）、バッファタンク等が設けられうる。

処理モジュール３Ａのファイナルバルブ群であるバルブ４０ａ〜、４０ｄ、４０ｆ、４０ｇ、４０ｇ２、４０ｇ３は、処理モジュール３Ａの反応管１０Ａが有する３本のノズル（インジェクタともいう）４４ａ、４４ｂ、４４ｃの手前に設けられ、インジェクタへのガス供給をコントローラ１００により直接的に操作することが可能である。図１１のファイナルバルブ群（バルブ４０ａ〜、４０ｄ、４０ｆ、４０ｇ、４０ｇ２、４０ｇ３)は、１つのインジェクタ（４４ａ、４４ｂ、４４ｃ）に対し、複数のガスを同時に（つまり混合して）供給できる。また、１つの分配配管からのクリーニングガスＧＣＬは、すべてのインジェクタ（４４ａ、４４ｂ、４４ｃ）に供給できるように構成される。処理モジュール３Ｂのファイナルバルブ群であるバルブ４０ａ〜、４０ｄ、４０ｆ、４０ｇ、４０ｇ２、４０ｇ３は、処理モジュール３Ａのファイナルバルブ群（バルブ４０ａ〜、４０ｄ、４０ｆ、４０ｇ、４０ｇ２、４０ｇ３）と同一の構成を有する。

本実施形態によれば、以下の１また複数の効果を得ることができる。

１）複数の処理モジュール（３Ａ，３Ｂ）間において、生成された膜の品質を同等にすることができる。

２）複数の処理モジュール（３Ａ，３Ｂ）間において、熱履歴を同等にすることができる。

３）複数の処理モジュール（３Ａ，３Ｂ）に対して、共通の供給ボックスを設け、供給ボックスから最終バルブまでのガス管を共有するので、基板処理装置の省スペース化が可能である。

４）上記３）により、基板処理装置が必要とするフットプリントが低下し、必要な生産量に対して、クリーンルームの使用面積を抑えることが可能となり、経済性において非常に有利である。

例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＨＣＤＳガスを用いる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、ＤＣＳ（Ｓｉ_２Ｈ₄Ｃｌ_６：ジクロロジシラン）ガス、ＭＣＳ（ＳｉＨ_３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ_３：トリクロロシラン）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ_２［ＮＨ（Ｃ_４Ｈ_９）］_２：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ_４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ_２Ｈ_６：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。

例えば、上述の実施形態では、ＳｉＮ膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、これらの他、もしくは、これらに加え、アンモニア（ＮＨ_３）ガス等の窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ_３）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。

上述の実施形態では、ウエハＷ上に膜を堆積させる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハＷやウエハＷ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

たとえば、1つのガス供給ユニットに対して、３つ以上の複数の処理モジュールの反応室を配置し、長さの等しい供給管によってガスを供給するように構成することも可能である。また、当業者であれば、使用するガスの全部ではなく一部（例えばＳｉ原料ガス）が共通する２つの同一時間のレシピを所定の時差で並列に実行する装置にも、容易に適用しうる。
〈本開示の好ましい態様〉
以下に、付記として本開示の態様を記す。
(付記１)
縦方向に配置された複数の基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理容器に隣接して配置され、縦方向に配置された複数の基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系が収納された第１の排気ボックスと、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系が収納された第２の排気ボックスと、
前記第１及び第２の処理容器内に供給する複数の処理ガスの流路もしくは流量の少なくとも一方を制御する共通供給ボックスと、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第１の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第１のバルブ群と、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第２の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第２のバルブ群と、を備え、
前記第１のバルブ群に含まれる複数のバブルと、前記第２のバルブ群に含まれる複数のバブルは、それぞれガス分配管を介して、前記共通供給ボックスからの同じガス管の分岐点に接続され、互いに流体連通可能であり、
前記第１及び第２の処理モジュールにおいて、同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンスを繰り返す処理を、時間をずらして並行して行い、
前記ずらす時間は、前記複数の処理ガスの内の特定のガスの供給タイミングが、先に処理を開始した前記第１及び第２の処理モジュールの一方のガス供給シーケンスと重ならないように、後に処理を開始する前記第１及び第２の処理モジュールの他方のガス供給シーケンスを遅らせる方法によって決定される、基板処理装置。
(付記２)
付記１において、
前記複数の処理ガスは、３種類の原料ガスを含み、
前記ガス供給シーケンスは、１つの処理容器に対して、前記３種類の原料ガスを、時間的な間隔を開けて周期的に供給するものであり、
前記ガス供給シーケンスは、少なくとも前記時間的な間隔の間、第１又は第２の排気系による排気が行われる。
(付記３)
付記２において、
前記排気は、第１又は第２の排気系による排気が行われる排気工程と、排気工程の後にパージガスを流しながら第１又は第２の排気系による排気を行うパージ工程と、を含む、基板処理装置。
(付記４)
付記２において、
前記ずらす時間は、前記ガス供給シーケンスにおいて、前記３種類の原料ガスのうち供給時間が最も長い原料ガスの供給時間と同じ時間である。
(付記５)
付記２において、
前記ずらす時間は、前記３種類の原料ガスに含まれる第１ガスと第２ガスの排気タイミングが、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールの間で重ならないようにするルールに基づいて、更に制限される基板処理装置。
(付記６)
付記２において、
前記ずらす時間は、前記３種類の原料ガスに含まれる第１ガスのパージ工程の終了と、第２ガスの排気工程とが、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールの間で重ならないようにするルールに基づいて、更に制限される基板処理装置。

３：処理モジュール
４：反応管
７２：供給ボックス
７４：排気ボックス
７６：コントローラボックス
１００：コントローラ

Claims

縦方向に配置された複数の基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理容器に隣接して配置され、縦方向に配置された複数の基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、
前記第１及び第２の処理容器内に供給する複数の処理ガスの流路もしくは流量の少なくとも一方を制御する共通供給ボックスと、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第１の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第１のバルブ群と、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第２の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第２のバルブ群と、
前記第１の処理モジュール、前記第１の排気系及び前記第１のバルブ群を制御する第１のプロセス制御器と、
前記第２の処理モジュール、前記第２の排気系及び前記第２のバルブ群を制御する第２のプロセス制御器と、を備え、
前記第１及び第２の処理モジュールにおいて、同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンスを繰り返す処理を、時間をずらして並行して行い、
前記第１及び第２のプロセス制御器は、それぞれが制御する前記第１及び前記第２のバルブ群の流通状態を実質的に表す情報を、他のプロセス制御器に伝達し、前記第１及び前記第２のバルブ群で同一のガスのバルブの同時供給を禁止している間を除き、前記第１及び前記第２の処理モジュールは、非同期で運用され、
前記ずらす時間は、前記複数の処理ガスの内の特定のガスの供給タイミングが、先に処理を開始した前記第１及び第２の処理モジュールの一方のガス供給シーケンスと重ならないように、後に処理を開始する前記第１及び第２の処理モジュールの他方のガス供給シーケンスを遅らせる方法によって決定される、基板処理装置。
請求項１において、
前記共通供給ボックスと前記第１のバルブ群との間の複数のガス分配管の少なくとも１つと、前記共通供給ボックスと前記第２のバルブ群との間の対応するガス分配管には、バッファタンクが設けられる、基板処理装置。
請求項１において、
前記複数の処理ガスは、３種類の原料ガスを含み、
前記ガス供給シーケンスは、１つの処理容器に対して、前記３種類の原料ガスを、時間的な間隔を開けて周期的に供給し、前記時間的な間隔の間、排気が行われるものであり、
前記排気は、前記第１又は第２の排気系による排気が行われる排気工程と、前記排気工程の後にパージガスを流しながら前記第１又は第２の排気系による排気を行うパージ工程と、を含む、基板処理装置。
縦方向に配置された複数の基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理容器に隣接して配置され、縦方向に配置された複数の基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、
前記第１及び第２の処理容器内に供給する複数の処理ガスの流路もしくは流量の少なくとも一方を制御する共通供給ボックスと、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第１の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第１のバルブ群と、
前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第２の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第２のバルブ群と、
前記第１の処理モジュール、前記第１の排気系及び前記第１のバルブ群を制御する第１のプロセス制御器と、
前記第２の処理モジュール、前記第２の排気系及び前記第２のバルブ群を制御する第２のプロセス制御器と、を備え、
前記複数の処理ガスは、３種類の原料ガスを含み、
前記第１及び第２の処理モジュールにおいて、同じ膜を生成させるために、実質的に同じガス供給シーケンスを繰り返す処理を、時間をずらして並行して行い、
前記ガス供給シーケンスは、１つの処理容器に対して、前記３種類の原料ガスを、時間的な間隔を開けて周期的に供給し、前記時間的な間隔の間、排気が行われるものであり、
前記ずらす時間は、前記複数の処理ガスのうち供給時間が最も長い原料ガスの供給時間と同じ時間とする第１ルールと、前記３種類の原料ガスに含まれる第１ガスと第２ガスの排気タイミングが、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールの間で重ならないようにする第２ルールと、前記３種類の原料ガスに含まれる第１ガスのパージ工程の終了と、第２ガスの排気工程とが、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールの間で重ならないようにする第３ルールと、前記３種類の原料ガスのそれぞれの排気工程が、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールの間で重ならないようにする第４ルールと、の内の少なくとも１つに基づいて決定される基板処理装置。
請求項１又は４において、
前記第１の排気系を収納する第1の排気ボックスと、前記第２の排気系を収納する第２の排気ボックスは、前記第１及び第２の処理モジュールの外側側面と前記第１及び第２の排気ボックスの外側側面とが平面に接続するように設置され、
前記共通供給ボックスは、前記第１及び第２の排気ボックスの間のフロアに設けられる基板処理装置。
請求項１又は４において、
前記第１及び第２の排気系と、前記共通供給ボックスと、前記第１及び第２のバルブ群は、前記第１及び前記第２の処理モジュールの背面近傍に配置されるユーティリティ系の中に設けられ、
前記ユーティリティ系の両側には、前記第１及び第２の処理モジュールのそれぞれのメンテナンスを行うための第１及び第２のメンテナンスエリアが形成される、基板処理装置。
縦方向に配置された複数の基板を処理する第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、前記第１の処理容器に隣接して配置され、縦方向に配置された複数の基板を処理する第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、前記第１及び第２の処理容器内に供給する複数の処理ガスの流路もしくは流量の少なくとも一方を制御する共通供給ボックスと、前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第１の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第１のバルブ群と、前記共通供給ボックスからのガス管を、前記第２の処理容器へ、連通状態を制御可能に接続する第２のバルブ群と、を備える基板処理装置の前記第１の処理容器および前記第２の処理容器のそれぞれに、縦方向に配置された複数の基板を搬入する工程と、
前記第１及び第２の処理モジュールにおいて、同じ膜を生成させるために、第１のプロセス制御器が前記第１の処理モジュール、前記第１の排気系及び前記第１のバルブ群を制御し、第２のプロセス制御器が前記第２の処理モジュール、前記第２の排気系及び前記第２のバルブ群を制御して、実質的に同じガス供給シーケンスを繰り返す処理を、時間をずらして並行して行う工程と、を含み、
前記並行して行う工程では、前記第１及び第２のプロセス制御器は、それぞれが制御する前記第１及び前記第２のバルブ群の流通状態を実質的に表す情報を、他のプロセス制御器に伝達し、前記第１及び前記第２のバルブ群で同一のガスのバルブの同時供給を禁止している間を除き、前記第１及び前記第２の処理モジュールを非同期で運用し、
前記ずらす時間は、前記複数の処理ガスの内の特定のガスの供給タイミングが、先に処理を開始した前記第１及び第２の処理モジュールの一方のガス供給シーケンスと重ならないように、後に処理を開始する前記第１及び第２の処理モジュールの他方のガス供給シーケンスを遅らせる方法によって決定される、半導体装置の製造方法。