JP2019110340A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019110340A JP2019110340A JP2019059946A JP2019059946A JP2019110340A JP 2019110340 A JP2019110340 A JP 2019110340A JP 2019059946 A JP2019059946 A JP 2019059946A JP 2019059946 A JP2019059946 A JP 2019059946A JP 2019110340 A JP2019110340 A JP 2019110340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- processing module
- substrate
- utility system
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
基板処理用の第1の処理容器を有する第1の処理モジュールと、
前記第1の処理モジュールの側面側に隣接して配置され、基板処理用の第2の処理容器を有する第2の処理モジュールと、
前記第1の処理容器内を排気する第1の排気系と、前記第1の処理容器内に処理ガスを供給する第1の供給系とを含み、前記第1の処理モジュール背面に隣接して配置される第1のユーティリティ系と、
前記第2の処理容器内を排気する第2の排気系と、前記第2の処理容器内に処理ガスを供給する第2の供給系とを含み、前記第2の処理モジュール背面に隣接して配置される第2のユーティリティ系と、
を備える基板処理装置であって、
前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの背面方向には、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される技術が提供される。
ゲートバルブ90Aを開き、ボート20Aに対してウエハWを搬送する。複数枚のウエハWがボート26Aに装填(ウエハチャージ)されると、ゲートバルブ90Aが閉じられる。ボート26Aは、ボートエレベータ32Aによって処理室14内に搬入(ボートロード)され、反応管10Aの下部開口は蓋部22Aによって気密に閉塞(シール)された状態となる。
処理室14A内が所定の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ52Aによって真空排気(減圧排気)される。処理室14A内の圧力は、圧力センサ48Aで測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ50Aが、フィードバック制御される。また、処理室14A内のウエハWが所定の温度となるように、ヒータ12Aによって加熱される。この際、処理室14Aが所定の温度分布となるように、温度検出部16Aが検出した温度情報に基づきヒータ12Aへの通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構30Aによるボート26AおよびウエハWの回転を開始する。
[原料ガス供給工程]
処理室14A内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室14A内のウエハWに対してDCSガスを供給する。DCSガスは、MFC38aにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管36aおよびノズル44aを介して処理室14A内に供給される。
次に、DCSガスの供給を停止し、真空ポンプ52Aにより処理室14A内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてN2ガスを処理室14A内に供給しても良い(不活性ガスパージ)。
次に、処理室14A内のウエハWに対してO2ガスを供給する。O2ガスは、MFC38bにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管36bおよびノズル44bを介して処理室14A内に供給される。
次に、O2ガスの供給を停止し、真空ポンプ52Aにより処理室14A内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からN2ガスを処理室14A内に供給しても良い(不活性ガスパージ)。
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からN2ガスが供給され、処理室14A内がN2ガスに置換されると共に、処理室14Aの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ32Aにより蓋部22Aが降下されて、ボート26Aが反応管10Aから搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済ウエハWはボート26Aより取出される(ウエハディスチャージ)。
処理温度(ウエハ温度):300℃〜700℃、
処理圧力(処理室内圧力)1Pa〜4000Pa、
DCSガス:100sccm〜10000sccm、
O2ガス:100sccm〜10000sccm、
N2ガス:100sccm〜10000sccm、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
例えば、ボート26が破損した場合には、ボート26を交換する必要がある。また、反応管10が破損した場合や、反応管10のクリーニングが必要な場合は、反応管10を取り外す必要がある。このように、搬送室6や処理炉4におけるメンテナンスを実施する場合には、処理装置2の背面側のメンテナンスエリアからメンテナンスを行う。
搬送室6A内が不活性ガスで循環パージされている場合、メンテナンス扉80Aを開放できないようにインターロックが設定されている。また、搬送室6A内の酸素濃度が大気圧における酸素濃度よりも低い場合も、メンテナンス扉80Aを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉80Bに関しても同様である。さらに、メンテナンス扉80A、80Bを開いているときは、ゲートバルブ90A、90Bを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉80A、80Bが開の状態でゲートバルブ90A、90Bを開とする場合は、処理装置2全体をメンテナンスモードとした上で、別途設置されているメンテナンススイッチをオンとすることにより、ゲートバルブ90A、90Bに関するインターロックが解除され、ゲートバルブ90A、90Bを開とすることができる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
72・・・供給ボックス
74・・・排気ボックス
76・・・コントローラボックス
Claims (40)
- 基板処理用の第1の処理容器を有する第1の処理モジュールと、
前記第1の処理モジュールの側面側に隣接して配置され、基板処理用の第2の処理容器を有する第2の処理モジュールと、
前記第1の処理容器内を排気する第1の排気系と、前記第1の処理容器内に処理ガスを供給する第1の供給系とを含み、前記第1の処理モジュール背面に隣接して配置される第1のユーティリティ系と、
前記第2の処理容器内を排気する第2の排気系と、前記第2の処理容器内に処理ガスを供給する第2の供給系とを含み、前記第2の処理モジュール背面に隣接して配置される第2のユーティリティ系と、
を備え、
前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの背面方向には、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される、基板処理装置。 - 前記第1のユーティリティ系は、前記第1の供給系を含む第1の供給ボックスと、前記第1の排気系を含む第1の排気ボックスを含み、
前記第2のユーティリティ系は、前記第2の供給系を含む第2の供給ボックスと、前記第2の排気系を含む第2の排気ボックスを含む請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記メンテナンスエリアは、前記第1のユーティリティ系と前記第2のユーティリティ系の背面側よりも前記第1のユーティリティ系と前記第2のユーティリティ系の正面側の方が大きい領域を備える請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1の処理容器と前記第1の供給ボックスとの間の第1配管に設けられる第1のファイナルバルブと、
前記第2の処理容器と前記第2の供給ボックスとの間の第2配管に設けられる第2のファイナルバルブとを更に備え、
前記第1のファイナルバルブおよび前記第2のファイナルバルブは、前記メンテナンスエリアを避けて配置される請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1の排気ボックスのメンテナンス口と前記第2の排気ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合い、前記第1の供給ボックスのメンテナンス口と前記第2の供給ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合うように、前記メンテナンスエリア側に配置される請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1のユーティリティ系には、前記第1の排気ボックス及び前記第1の供給ボックスよりも背面側に、前記第1のファイナルバルブ、前記第1の排気系及び前記第1の供給系の動作を制御する第1のコントローラを収納する第1のコントローラボックスが設けられ、
前記第2のユーティリティ系には、前記第2の排気ボックス及び前記第2の供給ボックスよりも背面側に、前記第2のファイナルバルブ、前記第2の排気系及び前記第2の供給系の動作を制御する第2のコントローラを収納する第2のコントローラボックスが設けられる請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記第1の排気ボックスは、少なくとも前記第1の排気系が備える第1のAPCバルブを収納し、
前記第2の排気ボックスは、少なくとも前記第2の排気系が備える第2のAPCバルブを収納する請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理モジュールと前記第2の処理モジュールは、前記第1の処理モジュールと前記第2の処理モジュールの隣接面に対して面対称に配置され、
前記第1のユーティリティ系と前記第2のユーティリティ系は、前記隣接面に対して面対称に配置される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理容器で処理される基板と、前記第2の処理容器で処理される基板は、互いに反対方向に回転される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1の処理容器と前記第2の処理容器は、複数枚の基板を垂直に棚状に支持する基板保持具を内部にそれぞれ収容する請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1のファイナルバルブは、前記第1のユーティリティ系の外に設けられ、
前記第2のファイナルバルブは、前記第2のユーティリティ系の外に設けられる請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記第1のコントローラは、前記第1のファイナルバルブに、原料ガスと反応ガスを前記第1の処理容器内へ順次供給するサイクルを複数回行わせることが可能なように構成される請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記第1のファイナルバルブから前記第1の処理容器への配管長と、前記第2のファイナルバルブから前記第2の処理容器への配管長は、等しく構成される請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第1の処理モジュールと前記第2の処理モジュールは、互いに隙間を設けずに配置される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1の供給ボックスは、少なくとも前記第1の供給系が備えるガス集積システムを収納し、
前記第2の供給ボックスは、少なくとも前記第2の供給系が備えるガス集積システムを収納する請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1のユーティリティ系内において、前記第1の供給ボックス及び前記第1の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第1の処理モジュール側に配置され、
前記第2のユーティリティ系内において、前記第2の供給ボックス及び前記第2の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第2の処理モジュール側に配置される請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記メンテナンスエリアは、前記第1の処理モジュールの第1の搬送室及び前記第2の処理モジュールの第2の搬送室に対して共通に使用される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記メンテナンスエリアは、前記第1の処理モジュールの第1の搬送室及び前記第2の処理モジュールの第2の搬送室の背面に隣接し、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系のいずれも存在しなくて、前記第1の搬送室及び前記第2の搬送室に対して共通に使用される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記メンテナンスエリアは、前記第1の処理モジュールの第1の搬送室の第1のメンテナンス扉及び前記第2の処理モジュールの第2の搬送室の第2のメンテナンス扉の背面に隣接し、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系のいずれも存在しなくて、前記第1のメンテナンス扉及び前記第2のメンテナンス扉の開閉に対して共通に使用される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 第1の処理モジュールの第1の処理容器内を排気する第1の排気系と、前記第1の処理容器内に処理ガスを供給する第1の供給系とを含み、前記第1の処理モジュール背面に隣接して配置される第1のユーティリティ系と、
第2の処理モジュールの第2の処理容器内を排気する第2の排気系と、前記第2の処理容器内に処理ガスを供給する第2の供給系とを含み、前記第2の処理モジュール背面に隣接して配置される第2のユーティリティ系とを備え、
前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの背面方向には、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される基板処理装置を使用し、
前記第1の供給系から前記第1の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第1の排気系から前記第1の処理容器内を排気し、前記第1の処理容器内で基板を処理する第1処理工程と、
前記第2の供給系から前記第2の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第2の排気系から前記第2の処理容器内を排気し、前記第2の処理容器内で基板を処理する第2処理工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1のユーティリティ系は、前記第1の供給系を含む第1の供給ボックスと、前記第1の排気系を含む第1の排気ボックスを含み、
前記第2のユーティリティ系は、前記第2の供給系を含む第2の供給ボックスと、前記第2の排気系を含む第2の排気ボックスを含む前記基板処理装置によって行われる請求項20に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1のユーティリティ系と前記第2のユーティリティ系の背面側よりも前記第1のユーティリティ系と前記第2のユーティリティ系の正面側の方が大きい前記メンテナンスエリアが構成される前記基板処理装置によって行われる請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の処理容器と前記第1の供給ボックスの間の第1配管に設けられる第1のファイナルバルブと、
前記第2の処理容器と前記第2の供給ボックスの間の第2配管に設けられる第2のファイナルバルブとを更に備え、
前記第1のファイナルバルブおよび前記第2のファイナルバルブは、前記メンテナンスエリアを避けて配置される前記基板処理装置を使用し、
前記第1処理工程では、前記第1のファイナルバルブを介して、前記処理ガスが前記第1の処理容器に供給され、
前記第2処理工程では、前記第2のファイナルバルブを介して、前記処理ガスが前記第2の処理容器に供給される請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1の排気ボックスのメンテナンス口と前記第2の排気ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合い、前記第1の供給ボックスのメンテナンス口と前記第2の供給ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合うように、前記メンテナンスエリア側に配置された前記基板処理装置によって行われる請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1のユーティリティ系の、前記第1の排気ボックス及び前記第1の供給ボックスよりも背面側に設けられた第1のコントローラボックスに収納された第1のコントローラにより、前記第1のファイナルバルブ、前記第1の排気系及び前記第1の供給系の動作を制御し、
前記第2処理工程では、前記第2のユーティリティ系の、前記第2の排気ボックス及び前記第2の供給ボックスよりも背面側に設けられた第2のコントローラボックスに収納された第2のコントローラにより、前記第2のファイナルバルブ、前記第2の排気系及び前記第2の供給系の動作を制御する請求項23に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1の排気ボックスに収納された、前記第1の排気系が備えるAPCバルブにて前記第1の処理容器内の排気を制御する工程を有し、
前記第2処理工程では、前記第2の排気ボックスに収納された、前記第2の排気系が備えるAPCバルブにて前記第2の処理容器内の排気を制御する工程を有する請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1の処理モジュールと前記第2の処理モジュールが、前記第1の処理モジュールと前記第2の処理モジュールの隣接面に対して面対称に配置され、
前記第1のユーティリティ系と前記第2のユーティリティ系が、前記隣接面に対して面対称に配置された前記基板処理装置によって行われる請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1の処理容器で基板を回転させて処理し、
前記第2処理工程では、前記第2の処理容器で、前記第1の処理容器での基板の回転方向と反対方向に基板を回転させて処理する請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1の処理容器で複数枚の基板を垂直に棚状に支持する基板保持具を内部にそれぞれ収容させて処理し、
前記第2処理工程では、前記第2の処理容器で複数枚の基板を垂直に棚状に支持する基板保持具を内部にそれぞれ収容させて処理する請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1のユーティリティ系の外に設けられた前記第1のファイナルバルブを介して前記処理ガスを前記第1の処理容器に供給し、
前記第2処理工程では、前記第2のユーティリティ系の外に設けられた前記第2のファイナルバルブを介して前記処理ガスを前記第2の処理容器に供給する請求項23に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1のコントローラが、前記第1のファイナルバルブに、原料ガスと反応ガスを前記第1の処理容器内へ順次供給するサイクルを複数回行わせる請求項25に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1のファイナルバルブから前記第1の処理容器への配管長と、前記第2のファイナルバルブから前記第2の処理容器への配管長が等しい前記基板処理装置によって行われる請求項23に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1の処理モジュールと前記第2の処理モジュールは、互いに隙間を設けずに配置された前記基板処理装置によって行われる請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程では、前記第1の供給ボックスに収納された、前記第1の供給系が備えるガス集積システムにて前記第1の処理容器内への前記処理ガスの供給を制御する工程を有し、
前記第2処理工程では、前記第2の供給ボックスに収納された、前記第2の供給系が備えるガス集積システムにて前記第2の処理容器内への前記処理ガスの供給を制御する工程を有する請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記第1のユーティリティ系内において、前記第1の供給ボックス及び前記第1の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第1の処理モジュール側に配置され、
前記第2のユーティリティ系内において、前記第2の供給ボックス及び前記第2の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第2の処理モジュール側に配置される前記基板処理装置によって行われる請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記メンテナンスエリアが、前記第1の処理モジュールの第1の搬送室及び前記第2の処理モジュールの第2の搬送室に対して共通に使用されるように構成された前記基板処理装置によって行われる請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記メンテナンスエリアが、前記第1の処理モジュールの第1の搬送室及び前記第2の処理モジュールの第2の搬送室の背面に隣接し、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系のいずれも存在しなくて、前記第1の搬送室及び前記第2の搬送室に対して共通に使用されるように構成された前記基板処理装置によって行われる請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1処理工程および前記第2処理工程は、
前記メンテナンスエリアが、前記第1の処理モジュールの第1の搬送室の第1のメンテナンス扉及び前記第2の処理モジュールの第2の搬送室の第2のメンテナンス扉の背面に隣接し、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系のいずれも存在しなくて、前記第1のメンテナンス扉及び前記第2のメンテナンス扉の開閉に対して共通に使用されるように構成された前記基板処理装置によって行われる請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。 - 第1の処理モジュールの第1の処理容器内を排気する第1の排気系と、前記第1の処理容器内に処理ガスを供給する第1の供給系とを含み、前記第1の処理モジュール背面に隣接して配置される第1のユーティリティ系と、
第2の処理モジュールの第2の処理容器内を排気する第2の排気系と、前記第2の処理容器内に処理ガスを供給する第2の供給系とを含み、前記第2の処理モジュール背面に隣接して配置される第2のユーティリティ系とを備え、
前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの背面方向には、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される基板処理装置によって、
前記第1の供給系から前記第1の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第1の排気系から前記第1の処理容器内を排気し、前記第1の処理容器内で基板を処理する第1処理手順と、
前記第2の供給系から前記第2の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第2の排気系から前記第2の処理容器内を排気し、前記第2の処理容器内で基板を処理する第2処理手順と、
を行わせるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されたプログラム。 - 第1の処理モジュールの第1の処理容器内を排気する第1の排気系と、前記第1の処理容器内に処理ガスを供給する第1の供給系とを含み、前記第1の処理モジュール背面に隣接して配置される第1のユーティリティ系と、
第2の処理モジュールの第2の処理容器内を排気する第2の排気系と、前記第2の処理容器内に処理ガスを供給する第2の供給系とを含み、前記第2の処理モジュール背面に隣接して配置される第2のユーティリティ系とを備え、
前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールの背面方向には、前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系の間において、前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第1のユーティリティ系及び前記第2のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される基板処理装置によって、
前記第1の供給系から前記第1の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第1の排気系から前記第1の処理容器内を排気し、前記第1の処理容器内で基板を処理する第1処理手順と、
前記第2の供給系から前記第2の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第2の排気系から前記第2の処理容器内を排気し、前記第2の処理容器内で基板を処理する第2処理手順と、
を行わせるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019059946A JP6616917B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019059946A JP6616917B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018524671A Division JP6621921B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019110340A true JP2019110340A (ja) | 2019-07-04 |
JP6616917B2 JP6616917B2 (ja) | 2019-12-04 |
Family
ID=67180190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019059946A Active JP6616917B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6616917B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7416902B1 (ja) | 2022-06-28 | 2024-01-17 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置及びそれを備える基板処理システム |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204449A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2001023872A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置 |
JP2001210602A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002170781A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2003031562A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2013115275A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
2019
- 2019-03-27 JP JP2019059946A patent/JP6616917B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204449A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2001023872A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置 |
JP2001210602A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002170781A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2003031562A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2013115275A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7416902B1 (ja) | 2022-06-28 | 2024-01-17 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置及びそれを備える基板処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6616917B2 (ja) | 2019-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11456190B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP7429747B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
WO2017138087A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6591711B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP6616917B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP6591710B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP6625256B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP6591712B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
CN216049147U (zh) | 作业用保护件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6616917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |