KR20210027333A - 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 - Google Patents

처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR20210027333A
KR20210027333A KR1020210027694A KR20210027694A KR20210027333A KR 20210027333 A KR20210027333 A KR 20210027333A KR 1020210027694 A KR1020210027694 A KR 1020210027694A KR 20210027694 A KR20210027694 A KR 20210027694A KR 20210027333 A KR20210027333 A KR 20210027333A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
processing container
cleaning
supply
processing
Prior art date
Application number
KR1020210027694A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102297247B1 (ko
Inventor
고에이 구리바야시
겐지 가메다
츠카사 가마쿠라
다케오 하나시마
히로아키 히라마츠
신야 에바타
히로토 야마기시
사다오 히사카도
다카후미 사사키
다카토모 야마구치
슈헤이 사이도
Original Assignee
가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 filed Critical 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Publication of KR20210027333A publication Critical patent/KR20210027333A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102297247B1 publication Critical patent/KR102297247B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은, 처리 용기 내의 클리닝 처리의 균일성을 향상시킨다. (a) 기판에 대하여 처리를 행한 후의 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 클리닝 가스와, 클리닝 가스와 반응하는 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정과, (b) 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 첨가 가스를 공급하는 공급부 중 적어도 어느 것을, (a)에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 클리닝 가스와, 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 처리 용기 내의 부재를 클리닝한다.

Description

처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램{METHOD OF CLEANING MEMBER IN PROCESS CONTAINER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND PROGRAM}
본 발명은, 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 처리 용기 내의 기판을 처리하는 공정이 행하여지는 경우가 있다. 이 공정을 행함으로써, 처리 용기 내에 소정량의 퇴적물이 부착되면, 소정의 타이밍에 처리 용기 내의 클리닝 처리가 행하여지는 경우가 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2015-153956호 공보
본 발명의 목적은, 처리 용기 내의 클리닝 처리의 균일성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면,
(a) 기판에 대하여 처리를 행한 후의 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 클리닝 가스와, 상기 클리닝 가스와 반응하는 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정과,
(b) 상기 처리 용기 내에, 상기 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부 중 적어도 어느 것을, (a)에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 상기 클리닝 가스와, 상기 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정
을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 기술이 제공된다.
본 발명에 따르면, 처리 용기 내의 클리닝 처리의 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 종단면도로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리로의 일부의 개략 구성도이며, 처리로의 일부를 도 1의 A-A선 단면도로 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 클리닝 처리의 가스 공급 시퀀스를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 클리닝 처리의 가스 공급 시퀀스의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태의 클리닝 처리의 가스 공급 시퀀스의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태의 클리닝 처리의 가스 공급 시퀀스의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 8의 (a), (b)는 각각, 클리닝 처리를 실시했을 때의 배기관의 온도 변화를 예시하는 도면이다.
도 9의 (a), (b)는 각각, 클리닝 처리를 실시했을 때의 배기관의 온도 변화를 예시하는 도면이다.
도 10의 (a), (b)는 각각, 종형 처리로의 변형예를 도시하는 횡단면도이며, 반응관, 버퍼실 및 노즐 등을 부분적으로 빼내서 도시하는 도면이다.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1에 도시한 바와 같이, 처리로(202)는 가열 기구(온도 조정부)로서의 히터(207)를 갖는다. 히터(207)는 원통 형상이며, 보유 지지판에 지지됨으로써 수직으로 거치되어 있다. 히터(207)는, 가스를 열로 활성화(여기)시키는 활성화 기구(여기부)로서도 기능한다.
히터(207)의 내측에는, 히터(207)와 동심원상으로 반응관(203)이 배치되어 있다. 반응관(203)은, 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료에 의해 구성되고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 있다. 반응관(203)의 하방에는, 반응관(203)과 동심원상으로, 매니폴드(209)가 배치되어 있다. 매니폴드(209)는, 예를 들어 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료에 의해 구성되고, 상단 및 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 있다. 매니폴드(209)의 상단부는, 반응관(203)의 하단부에 걸림 결합하고 있어, 반응관(203)을 지지하도록 구성되어 있다. 매니폴드(209)와 반응관(203)의 사이에는, 시일 부재로서의 O링(220a)이 마련되어 있다. 반응관(203)은 히터(207)와 마찬가지로 수직으로 거치되어 있다. 주로, 반응관(203)과 매니폴드(209)에 의해 처리 용기(반응 용기)가 구성된다. 처리 용기의 통 중공부에는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 수용 가능하게 구성되어 있다. 이 처리실(201) 내에서 웨이퍼(200)에 대한 처리가 행하여진다.
처리실(201) 내에는, 제1 공급부 내지 제3 공급부로서의 노즐(249a 내지 249c)이, 매니폴드(209)의 측벽을 관통하도록 마련되어 있다. 노즐(249a 내지 249c)을 제1 노즐 내지 제3 노즐이라고도 칭한다. 노즐(249a 내지 249c)에는, 가스 공급관(232a 내지 232c)이 각각 접속되어 있다. 노즐(249a 내지 249c)은 각각 상이한 노즐이며, 노즐(249a, 249c) 각각은, 노즐(249b)에 인접해서 마련되어 있고, 노즐(249b)을 양측으로부터 사이에 두도록 배치되어 있다.
가스 공급관(232a 내지 232c)에는, 가스류의 상류측부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241a 내지 241c) 및 개폐 밸브인 밸브(243a 내지 243c)가 각각 마련되어 있다. 가스 공급관(232a 내지 232c)의 밸브(243a 내지 243c)보다도 하류측에는, 가스 공급관(232d 내지 232f)이 각각 접속되어 있다. 가스 공급관(232d 내지 232f)에는, 가스류의 상류측부터 순서대로 MFC(241d 내지 241f) 및 밸브(243d 내지 243f)가 각각 마련되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 노즐(249a 내지 249c)은, 반응관(203)의 내벽과 웨이퍼(200)의 사이에서의 평면으로 보아 원환 형상의 공간에, 반응관(203)의 내벽 하부로부터 상부를 따라, 웨이퍼(200)의 배열 방향 상방을 향해서 상승되도록 각각 마련되어 있다. 즉, 노즐(249a 내지 249c)은, 웨이퍼(200)가 배열되는 웨이퍼 배열 영역의 측방의, 웨이퍼 배열 영역을 수평하게 둘러싸는 영역에, 웨이퍼 배열 영역을 따르도록 각각 마련되어 있다. 노즐(249b)은, 평면으로 보아, 처리실(201) 내에 반입되는 웨이퍼(200)의 중심을 사이에 두고, 후술하는 배기구(231a)와 일직선 상으로 대향하도록 배치되어 있다. 노즐(249a, 249c)은, 노즐(249b)을 사이에 두고 그 양측에, 즉, 반응관(203)의 내벽(웨이퍼(200)의 외주부)을 따라 노즐(249b)을 양측으로부터 사이에 두도록 배치되어 있다. 노즐(249a 내지 249c)의 측면에는, 가스를 공급하는 가스 분출구(250a 내지 250c)가 각각 마련되어 있다. 가스 분출구(250a 내지 250c)는, 각각이, 평면으로 보아 배기구(231a)와 대향하도록 개구되어 있어, 웨이퍼(200)를 향해서 가스를 공급하는 것이 가능하게 되어 있다. 가스 분출구(250a 내지 250c)는, 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐 복수 마련되어 있다.
가스 공급관(232a)으로부터는, 후술하는 원료와는 화학 구조(분자 구조)가 상이한 반응체(리액턴트)로서, 예를 들어 질소(N) 함유 가스로서의 질화 가스인 질화수소계 가스가, MFC(241a), 밸브(243a), 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 질화수소계 가스는, N 소스로서 작용한다. 질화수소계 가스로서는, 예를 들어 암모니아(NH3) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232b)으로부터는, 원료(원료 가스)로서, 예를 들어 막을 구성하는 소정 원소(주 원소)로서의 Si 및 할로겐 원소를 포함하는 할로실란계 가스가, MFC(241b), 밸브(243b), 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 원료 가스란, 기체 상태의 원료, 예를 들어 상온 상압 하에서 액체 상태인 원료를 기화함으로써 얻어지는 가스나, 상온 상압 하에서 기체 상태인 원료 등이다. 할로실란이란, 할로겐기를 갖는 실란이다. 할로겐기에는, 클로로기, 플루오로기, 브로모기, 요오드기 등이 포함된다. 즉, 할로겐기에는, 염소(Cl), 불소(F), 브롬(Br), 요오드(I) 등의 할로겐 원소가 포함된다. 할로실란계 가스로서는, 예를 들어 Si 및 Cl을 포함하는 원료 가스, 즉, 클로로실란계 가스를 사용할 수 있다. 클로로실란계 가스는, Si 소스로서 작용한다. 클로로실란계 가스로서는, 예를 들어 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS) 가스를 사용할 수 있다. HCDS 가스는, 상술한 처리 조건 하에서 그 단독으로 고체가 되는 원소(Si)를 포함하는 가스, 즉, 상술한 처리 조건 하에서 그 단독으로 막을 퇴적시킬 수 있는 가스이다.
가스 공급관(232a 내지 232c)으로부터는, 클리닝 가스로서 불소계 가스가, MFC(241a 내지 241c), 밸브(243a 내지 243c), 가스 공급관(232a 내지 232c), 노즐(249a 내지 249c)을 각각 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 불소계 가스로서는, 예를 들어 불소(F2) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232a 내지 232c)으로부터는, 첨가 가스로서 산화질소계 가스가, MFC(241a 내지 241c), 밸브(243a 내지 243c), 가스 공급관(232a 내지 232c), 노즐(249a 내지 249c)을 각각 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 산화질소계 가스는, 그 단체로는 클리닝 작용을 발휘하지 않지만, 불소계 가스와 반응함으로써 예를 들어 할로겐화니트로실 화합물 등의 활성종을 생성하여, 불소계 가스의 클리닝 작용을 향상시키도록 작용한다. 산화질소계 가스로서는, 예를 들어 일산화질소(NO) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232d 내지 232f)으로부터는, 불활성 가스로서, 예를 들어 질소(N2) 가스가, 각각 MFC(241d 내지 241f), 밸브(243d 내지 243f), 가스 공급관(232a 내지 232c), 노즐(249a 내지 249c)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. N2 가스는, 퍼지 가스, 캐리어 가스, 희석 가스 등으로서 작용한다.
주로, 가스 공급관(232a), MFC(241a), 밸브(243a)에 의해, 반응체 공급계가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232b), MFC(241b), 밸브(243b)에 의해, 원료 공급계가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232a 내지 232c), MFC(241a 내지 241c), 밸브(243a 내지 243c)에 의해, 클리닝 가스 공급계 및 첨가 가스 공급계가 각각 구성된다. 주로, 가스 공급관(232d 내지 232f), MFC(241d 내지 241f), 밸브(243d 내지 243f)에 의해, 불활성 가스 공급계가 구성된다.
상술한 각종 공급계 중, 어느 것, 또는 모든 공급계는, 밸브(243a 내지 243f)나 MFC(241a 내지 241f) 등이 집적되어 이루어지는 집적형 공급 시스템(248)으로서 구성되어 있어도 된다. 집적형 공급 시스템(248)은, 가스 공급관(232a 내지 232f) 각각에 대하여 접속되어, 가스 공급관(232a 내지 232f) 내에의 각종 가스의 공급 동작, 즉, 밸브(243a 내지 243f)의 개폐 동작이나 MFC(241a 내지 241f)에 의한 유량 조정 동작 등이, 후술하는 컨트롤러(121)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 집적형 공급 시스템(248)은, 일체형, 또는 분할형의 집적 유닛으로서 구성되어 있고, 가스 공급관(232a 내지 232f) 등에 대하여 집적 유닛 단위로 착탈을 행할 수 있어, 집적형 공급 시스템(248)의 메인터넌스, 교환, 증설 등을, 집적 유닛 단위로 행하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
반응관(203)의 측벽 하방에는, 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 배기구(231a)가 마련되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 배기구(231a)는, 평면으로 보아, 웨이퍼(200)를 사이에 두고 노즐(249a 내지 249c)(가스 분출구(250a 내지 250c))과 대향(대면)하는 위치에 마련되어 있다. 배기구(231a)는, 반응관(203)의 측벽의 하부로부터 상부를 따라, 즉, 웨이퍼 배열 영역을 따라서 마련되어 있어도 된다. 배기구(231a)에는 배기관(231)이 접속되어 있다. 배기관(231)에는, 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 통해서, 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속되어 있다. APC 밸브(244)는, 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 밸브를 개폐함으로써, 처리실(201) 내의 진공 배기 및 진공 배기 정지를 행할 수 있고, 또한 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서, 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 밸브 개방도를 조절함으로써, 처리실(201) 내의 압력을 조정할 수 있도록 구성되어 있다. 주로, 배기관(231), APC 밸브(244), 압력 센서(245)에 의해 배기계가 구성된다. 진공 펌프(246)를 배기계에 포함해서 생각해도 된다.
또한, 배기관(231)은, 내열성이나 내식성이 우수한 합금에 의해 구성되어 있다. 합금으로서는, SUS 외에, 예를 들어 니켈(Ni)에 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 등을 첨가함으로써 내열성, 내식성을 높인 하스텔로이(등록 상표)나, Ni에 Fe, Cr, 니오븀(Nb), Mo 등을 첨가함으로써 내열성, 내식성을 높인 인코넬(등록 상표) 등을 적합하게 사용할 수 있다.
매니폴드(209)의 하방에는, 매니폴드(209)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 노구 덮개로서의 시일 캡(219)이 마련되어 있다. 시일 캡(219)은, 예를 들어 SUS 등의 금속 재료에 의해 구성되고, 원반 형상으로 형성되어 있다. 시일 캡(219)의 상면에는, 매니폴드(209)의 하단과 맞닿는 시일 부재로서의 O링(220b)이 마련되어 있다. 시일 캡(219)의 하방에는, 후술하는 보트(217)를 회전시키는 회전 기구(267)가 설치되어 있다. 회전 기구(267)의 회전축(255)은, 시일 캡(219)을 관통해서 보트(217)에 접속되어 있다. 회전 기구(267)는, 보트(217)를 회전시킴으로써 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성되어 있다. 시일 캡(219)은, 반응관(203)의 외부에 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다. 보트 엘리베이터(115)는, 시일 캡(219)을 승강시킴으로써, 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내외로 반입 및 반출(반송)하는 반송 장치(반송 기구)로서 구성되어 있다. 매니폴드(209)의 하방에는, 시일 캡(219)을 강하시켜 보트(217)를 처리실(201) 내로부터 반출한 상태에서, 매니폴드(209)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 노구 덮개로서의 셔터(219s)가 마련되어 있다. 셔터(219s)는, 예를 들어 SUS 등의 금속 재료에 의해 구성되고, 원반 형상으로 형성되어 있다. 셔터(219s)의 상면에는, 매니폴드(209)의 하단과 맞닿는 시일 부재로서의 O링(220c)이 마련되어 있다. 셔터(219s)의 개폐 동작(승강 동작이나 회동 동작 등)은 셔터 개폐 기구(115s)에 의해 제어된다.
기판 지지구로서의 보트(217)는, 복수매, 예를 들어 25 내지 200매의 웨이퍼(200)를, 수평 자세이면서 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 수직 방향으로 정렬시켜 다단으로 지지하도록, 즉, 간격을 두고 배열시키도록 구성되어 있다. 보트(217)는, 예를 들어 석영이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 보트(217)의 하부에는, 예를 들어 석영이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성되는 단열판(218)이 다단으로 지지되어 있다.
반응관(203) 내에는, 온도 검출기로서의 온도 센서(263)가 설치되어 있다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 통전 상태를 조정함으로써, 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포로 된다. 온도 센서(263)는, 반응관(203)의 내벽을 따라 마련되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피나, 후술하는 클리닝 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 클리닝 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 클리닝 레시피는, 후술하는 클리닝 처리에서의 각 수순을, 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 프로세스 레시피, 클리닝 레시피, 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 프로세스 레시피나 클리닝 레시피를, 간단히 레시피라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우에는, 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 MFC(241a 내지 241f), 밸브(243a 내지 243f), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 온도 센서(263), 히터(207), 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115), 셔터 개폐 기구(115s) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 레시피의 내용을 따르도록, MFC(241a 내지 241f)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243a 내지 243f)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작, 셔터 개폐 기구(115s)에 의한 셔터(219s)의 개폐 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 외부 기억 장치(123)에 저장된 상술한 프로그램을, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 외부 기억 장치(123)는, 예를 들어 HDD 등의 자기 디스크, CD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리 등을 포함한다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성되어 있다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에의 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(123)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(2) 기판 처리
상술한 기판 처리 장치를 사용하여, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 막을 형성하는 기판 처리 시퀀스 예, 즉, 성막 시퀀스 예에 대해서 설명한다. 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
본 실시 형태의 성막 시퀀스에서는,
처리 용기 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료로서 HCDS 가스를 공급하는 스텝 1과, 처리 용기 내의 웨이퍼(200)에 대하여 반응체로서 NH3 가스를 공급하는 스텝 2를 비동시에 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 막으로서, Si 및 N을 포함하는 막인 실리콘 질화막(SiN막)을 형성한다.
본 명세서에서는, 상술한 성막 시퀀스를, 편의상, 이하와 같이 나타내는 경우도 있다. 이하의 변형예 등의 설명에서도, 마찬가지의 표기를 사용한다.
(HCDS→NH3)×n ⇒ SiN
본 명세서에서 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체를 의미하는 경우나, 웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막과의 적층체를 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 말을 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼 상에 소정의 층을 형성한다」라고 기재했을 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면 상에 소정의 층을 직접 형성하는 것을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성되어 있는 층 등의 위에 소정의 층을 형성하는 것을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「기판」이라는 말을 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우와 동의이다.
(웨이퍼 차지 및 보트 로드)
복수매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)되면, 셔터 개폐 기구(115s)에 의해 셔터(219s)가 이동되어, 매니폴드(209)의 하단 개구가 개방된다(셔터 오픈). 그 후, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(200)를 지지한 보트(217)는, 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져서 처리실(201) 내에 반입(보트 로드)된다. 이 상태에서, 시일 캡(219)은, O링(220b)을 통해서 매니폴드(209)의 하단을 시일한 상태가 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
처리실(201) 내, 즉, 웨이퍼(200)가 존재하는 공간이 원하는 압력(진공도)으로 되도록, 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기(감압 배기)된다. 이때, 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245)로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244)가 피드백 제어된다. 또한, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)가 원하는 온도로 되도록, 히터(207)에 의해 가열된다. 이때, 처리실(201) 내가 원하는 온도 분포로 되도록, 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 통전 상태가 피드백 제어된다. 또한, 회전 기구(267)에 의한 웨이퍼(200)의 회전을 개시한다. 처리실(201) 내의 배기, 웨이퍼(200)의 가열 및 회전은, 모두, 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안에는 계속해서 행하여진다.
(성막 스텝)
그 후, 다음 스텝 1, 2를 순차 실행한다.
[스텝 1]
이 스텝에서는, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS 가스를 공급한다(HCDS 가스 공급 스텝). 구체적으로는, 밸브(243b)를 개방하고, 가스 공급관(232b) 내에 HCDS 가스를 흘린다. HCDS 가스는, MFC(241b)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급되고, 배기구(231a)로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS 가스가 공급된다. 이때, 밸브(243d 내지 243f) 중 적어도 어느 것을 개방하여, 노즐(249a 내지 249c) 중 적어도 어느 것을 통해서 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급하도록 해도 된다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
HCDS 가스 공급 유량: 0.01 내지 2slm, 바람직하게는 0.1 내지 1slm
N2 가스 공급 유량(가스 공급관마다): 0 내지 10slm
각 가스 공급 시간: 1 내지 120초, 바람직하게는 1 내지 60초
처리 온도: 250 내지 800℃, 바람직하게는 400 내지 700℃
처리 압력: 1 내지 2666Pa, 바람직하게는 67 내지 1333Pa
이 예시된다. 또한, 본 명세서에서의 「250 내지 800℃」와 같은 수치 범위의 표기는, 하한값 및 상한값이 그 범위에 포함되는 것을 의미한다. 따라서, 예를 들어 「250 내지 800℃」란 「250℃ 이상 800℃ 이하」를 의미한다. 다른 수치 범위에 대해서도 마찬가지이다.
상술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(200)의 최표면 상에 제1층으로서, Cl을 포함하는 Si 함유층이 형성된다. Cl을 포함하는 Si 함유층은, 웨이퍼(200)의 최표면에, HCDS가 물리 흡착되거나, HCDS의 일부가 분해한 물질(이하, SixCly)이 화학 흡착되거나, HCDS가 열분해하거나 하는 것 등에 의해 형성된다. Cl을 포함하는 Si 함유층은, HCDS나 SixCly의 흡착층(물리 흡착층이나 화학 흡착층)이어도 되고, Cl을 포함하는 Si층이어도 된다. 본 명세서에서는, Cl을 포함하는 Si 함유층을, 간단히 Si 함유층이라고도 칭한다.
제1층이 형성된 후, 밸브(243b)를 폐쇄하고, 처리실(201) 내에의 HCDS 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 처리실(201) 내를 진공 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스 등을 처리실(201) 내로부터 배제한다(퍼지 스텝). 이때, 밸브(243d 내지 243f)를 개방하고, 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다.
원료로서는, HCDS 가스 외에, 모노클로로실란(SiH3Cl, 약칭: MCS) 가스, 디클로로실란(SiH2Cl2, 약칭: DCS) 가스, 트리클로로실란(SiHCl3, 약칭: TCS) 가스, 테트라클로로실란(SiCl4, 약칭: STC) 가스, 옥타클로로트리실란(Si3Cl8, 약칭: OCTS) 가스 등의 클로로실란계 가스를 사용할 수 있다. 이들 가스는, HCDS 가스와 마찬가지로, 상술한 처리 조건 하에서 그 단독으로 막을 퇴적시킬 수 있는 가스이다.
불활성 가스로서는, N2 가스 외에, Ar 가스, He 가스, Ne 가스, Xe 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다. 이 점은, 후술하는 스텝 2 및 클리닝 처리에서도 마찬가지이다.
[스텝 2]
스텝 1이 종료된 후, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200), 즉, 웨이퍼(200) 상에 형성된 제1층에 대하여 NH3 가스를 공급한다(NH3 가스 공급 스텝). 구체적으로는, 밸브(243a)를 개방하고, 가스 공급관(232a) 내에 NH3 가스를 흘린다. NH3 가스는, MFC(241a)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급되고, 배기구(231a)로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 NH3 가스가 공급된다. 이때, 밸브(243d 내지 243f) 중 적어도 어느 것을 개방하여, 노즐(249a 내지 249c) 중 적어도 어느 것을 통해서 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급하도록 해도 된다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
NH3 가스 공급 유량: 0.1 내지 10slm
N2 가스 공급 유량(가스 공급관마다): 0 내지 2slm
NH3 가스 공급 시간: 1 내지 120초, 바람직하게는 1 내지 60초
처리 압력: 1 내지 4000Pa, 바람직하게는 1 내지 3000Pa
이 예시된다. 다른 처리 조건은, 스텝 1에서의 처리 조건과 마찬가지의 처리 조건으로 한다.
상술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 NH3 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(200) 상에 형성된 제1층의 적어도 일부가 질화(개질)된다. 제1층이 개질됨으로써, 웨이퍼(200) 상에 Si 및 N을 포함하는 제2층, 즉, SiN층이 형성된다. 제2층을 형성할 때, 제1층에 포함되어 있던 Cl 등의 불순물은, NH3 가스에 의한 제1층의 개질 반응의 과정에서, 적어도 Cl을 포함하는 가스 상태 물질을 구성하여, 처리실(201) 내로부터 배출된다. 이에 의해, 제2층은, 제1층에 비해 Cl 등의 불순물이 적은 층으로 된다.
제2층이 형성된 후, 밸브(243a)를 폐쇄하고, 처리실(201) 내에의 NH3 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 스텝 1의 퍼지 스텝과 마찬가지의 처리 수순에 의해, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스 등을 처리실(201) 내로부터 배제한다(퍼지 스텝).
반응체로서는, NH3 가스 외에, 예를 들어 디아젠(N2H2) 가스, 히드라진(N2H4) 가스, N3H8 가스 등의 질화수소계 가스를 사용할 수 있다.
[소정 횟수 실시]
상술한 스텝 1, 2를 비동시에, 즉, 동기시키지 않고 행하는 사이클을 소정 횟수(n회, n은 1 이상의 정수) 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiN막을 형성할 수 있다. 상술한 사이클은, 복수회 반복하는 것이 바람직하다. 즉, 상술한 사이클을 1회 행할 때 형성되는 제2층의 두께를 원하는 막 두께보다도 얇게 하고, 제2층을 적층함으로써 형성되는 SiN막의 막 두께가 원하는 막 두께로 될 때까지, 상술한 사이클을 복수회 반복하는 것이 바람직하다.
(애프터 퍼지 및 대기압 복귀)
성막 스텝이 종료된 후, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 퍼지 가스로서의 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하고, 배기구(231a)로부터 배기한다. 이에 의해, 처리실(201) 내가 퍼지되어, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스나 반응 부생성물이 처리실(201) 내로부터 제거된다(애프터 퍼지). 그 후, 처리실(201) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되고(불활성 가스 치환), 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).
(보트 언로드 및 웨이퍼 디스차지)
보트 엘리베이터(115)에 의해 시일 캡(219)이 하강되어, 매니폴드(209)의 하단이 개구된다. 그리고, 처리가 끝난 웨이퍼(200)가, 보트(217)에 지지된 상태에서 매니폴드(209)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부로 반출(보트 언로드)된다. 보트 언로드 후에는 셔터(219s)가 이동되어, 매니폴드(209)의 하단 개구가 O링(220c)을 통해서 셔터(219s)에 의해 시일된다(셔터 클로즈). 처리가 끝난 웨이퍼(200)는, 반응관(203)의 외부로 반출된 후, 보트(217)로부터 취출된다(웨이퍼 디스차지).
(3) 클리닝 처리
상술한 기판 처리를 행하면, 처리 용기의 내부, 예를 들어 반응관(203)의 내벽, 노즐(249a 내지 249c)의 표면, 보트(217)의 표면 등에, SiN막 등의 박막을 포함하는 퇴적물이 누적된다. 즉, 이 박막을 포함하는 퇴적물이, 성막 온도로 가열된 처리실(201) 내의 부재의 표면 등에 부착되어 누적된다.
또한, 성막 온도로 가열된 노즐(249a 내지 249c)의 내부에도, SiN막 등의 박막을 포함하는 퇴적물이 부착되어 누적되는 경우가 있다. 왜냐하면, 상술한 스텝 1에서, HCDS 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐(249a, 249c) 각각으로부터 N2 가스를 공급해도, 노즐(249a, 249c)의 내부에 소정량의 HCDS 가스가 침입할 경우가 있다. 또한, 상술한 스텝 2에서, NH3 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐(249b, 249c) 각각으로부터 N2 가스를 공급해도, 노즐(249b, 249c)의 내부에 소정량의 NH3 가스가 침입할 경우가 있다. 이러한 경우, 노즐(249a 내지 249c)의 내부에서, 상술한 성막 반응에 상당하는 반응이 진행되어, SiN막 등의 박막을 포함하는 퇴적물이 누적되는 경우가 있다. 특히, 그 단독으로 고체가 되는 원소인 Si를 포함하는 HCDS 가스를 공급하는 노즐(249b)의 내부에는, 노즐(249a, 249c)의 내부에 비해, 퇴적물이 누적되기 쉽고, 또한 Si 리치한 퇴적물이 누적되는 경향이 있다.
본 실시 형태에서는, 처리 용기 내에 누적된 퇴적물의 양, 즉, 누적 막 두께가, 퇴적물에 박리나 낙하가 발생하기 전의 소정의 양(두께)에 달한 시점에서, 처리 용기 내를 클리닝한다. 본 명세서에서는, 처리 용기에 대하여 행하는 이 처리를, 클리닝 처리라고 칭한다.
클리닝 처리에서는,
상술한 기판 처리를 행한 후의 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부로서의 노즐(249a 내지 249c) 중 어느 2개의 노즐로부터, 클리닝 가스와, 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 스텝 a와,
상술한 처리 용기 내에, 노즐(249a 내지 249c) 중 어느 2개의 노즐로부터, 클리닝 가스를 공급하는 노즐 및 첨가 가스를 공급하는 노즐 중 적어도 어느 것을, 스텝 a에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 클리닝 가스와, 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 스텝 b,
를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행한다.
이하, 클리닝 가스로서 F2 가스를, 첨가 가스로서 NO 가스를 사용하는 클리닝 처리의 일례를, 주로 도 4를 사용해서 설명한다. 도 4에서는, 스텝 a, b의 실시 기간을 각각 a, b로 나타내고 있다. 또한, 스텝 a, b의 실시 기간 중에 행하는 후술하는 스텝 c1, d1, e1, c2, d2, e2의 실시 기간을, 각각, c1, d1, e1, c2, d2, e2로 나타내고 있다. 또한, 노즐(249a 내지 249c)을, 편의상, R1 내지 R3으로 나타내고 있다. 이러한 점은, 후술하는 각 변형예의 가스 공급 시퀀스를 도시하는 도 5 내지 도 7에서도 마찬가지이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 클리닝 처리에서는, 스텝 b에서 F2 가스를 공급하는 노즐을, 스텝 a에서의 그것과 상이하게 한다. 또한, 스텝 b에서 NO 가스를 공급하는 노즐을, 스텝 a에서의 그것과 상이하게 한다. 즉, 스텝 b에서 F2 가스를 공급하는 노즐 및 NO 가스를 공급하는 노즐 양쪽을, 스텝 a에서의 그것들과 상이하게 한다.
구체적으로는, 스텝 a에서, 노즐(249a)로부터 F2 가스를, 노즐(249c)로부터 NO 가스를, 처리 용기 내에 각각 따로따로 공급한다. 이때, 상술한 성막 스텝에서 HCDS 가스의 공급에 사용한 노즐(249b)로부터의 F2 가스, NO 가스의 공급을 각각 실시하지 않는다. 또한, 스텝 b에서, 노즐(249c)로부터 F2 가스를, 노즐(249a)로부터 NO 가스를, 처리 용기 내에 각각 따로따로 공급한다. 이때, 상술한 성막 스텝에서 HCDS 가스의 공급에 사용한 노즐(249b)로부터의 F2 가스, NO 가스의 공급을 각각 실시하지 않는다.
이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
(보트 로드)
셔터 개폐 기구(115s)에 의해 셔터(219s)가 이동되어, 매니폴드(209)의 하단 개구가 개방된다(셔터 오픈). 그 후, 빈 보트(217), 즉, 웨이퍼(200)를 장전하고 있지 않은 보트(217)가, 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져서 처리실(201) 내에 반입된다. 이 상태에서, 시일 캡(219)은, O링(220b)을 개재해서 매니폴드(209)의 하단을 시일한 상태가 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
처리실(201) 내가 원하는 압력(진공도)으로 되도록, 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기된다. 또한, 처리실(201) 내가 원하는 온도로 되도록, 히터(206)에 의해 가열된다. 이때, 처리실(201) 내의 부재, 즉, 반응관(203)의 내벽, 노즐(249a 내지 249c)의 표면이나 내부(내벽), 보트(217)의 표면 등도, 원하는 온도로 가열된다. 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도에 도달하면, 후술하는 클리닝 스텝이 완료될 때까지의 동안은, 그 온도가 유지되도록 제어한다. 계속해서, 회전 기구(254)에 의한 보트(217)의 회전을 개시한다. 보트(217)의 회전은, 후술하는 클리닝 스텝이 완료될 때까지의 동안은, 계속해서 행하여진다. 보트(217)는 회전시키지 않아도 된다.
(클리닝 스텝)
그 후, 다음의 스텝 a, b를 순서대로 실행한다.
[스텝 a]
먼저, 스텝 a를 개시한다. 본 스텝에서는, 먼저, 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태, 즉, 배기계를 폐색한 상태에서, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 따로따로 공급한다(스텝 c1). 구체적으로는, APC 밸브(244)를 완전 폐쇄(풀 클로즈)로 하고, 배기계에 의한 처리실(201) 내의 배기를 정지한다. 또한, 밸브(243a, 243c)를 개방하고, 가스 공급관(232a) 내에 F2 가스를, 가스 공급관(232c) 내에 NO 가스를, 각각 흘린다. F2 가스, NO 가스는, 각각 MFC(241a, 241c)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a, 249c)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 이때 동시에 밸브(243e)를 개방하고, 가스 공급관(232e) 내에 N2 가스를 흘린다. N2 가스는, MFC(241e)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다.
스텝 c1에서의 처리 조건으로서는,
F2 가스 공급 유량: 0.5 내지 10slm
NO 가스 공급 유량: 0.5 내지 5slm
NO 가스/F2 가스 유량비: 0.5 내지 2
N2 가스 공급 유량: 0.01 내지 0.5slm, 바람직하게는 0.01 내지 0.1slm
각 가스 공급 시간: 1 내지 100초, 바람직하게는 5 내지 60초
처리 온도: 400℃ 미만, 바람직하게는 200 내지 350℃
가 예시된다.
배기계를 폐색한 상태에서, 처리실(201) 내에 F2 가스, NO 가스 등을 공급함으로써, 처리실(201) 내의 압력이 상승하기 시작한다. 가스의 공급을 계속함으로써 최종적으로 도달하는 처리실(201) 내의 압력(도달 압력)은, 예를 들어 1330 내지 53320Pa, 바람직하게는 9000 내지 15000Pa의 범위 내의 압력으로 한다.
처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력까지 상승하면, 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 처리 용기 내에의 F2 가스와 NO 가스의 공급을 정지하고, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 봉입된 상태를 유지한다(스텝 d1). 구체적으로는, APC 밸브(244)를 완전 폐쇄로 한 상태에서, 밸브(243a, 243c)를 폐쇄하여, 처리실(201) 내에의 F2 가스, NO 가스의 공급을 각각 정지하고, 이 상태를 소정 시간 유지한다. 이때 동시에 밸브(243d 내지 243f)를 개방하고, 가스 공급관(232d 내지 232f) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스는, MFC(241d 내지 241f)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a 내지 249c)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 노즐(249a 내지 249c)로부터 공급하는 N2 가스의 유량은, 예를 들어 동일 유량으로 한다.
스텝 d1에서의 처리 조건으로서는,
N2 가스 공급 유량(각 가스 공급관): 0.01 내지 0.5slm, 바람직하게는 0.01 내지 0.1slm
봉입 시간: 10 내지 200초, 바람직하게는 50 내지 120초
가 예시된다. 다른 처리 조건은, 처리실(201) 내에의 N2 가스의 공급에 의해, 처리실(201) 내의 압력이 약간 계속해서 상승하는 것을 제외하고, 스텝 c1에서의 처리 조건과 마찬가지의 처리 조건으로 한다.
스텝 c1, d1을 행함으로써, F2 가스 및 NO 가스를 처리실(201) 내에서 혼합시켜 반응시키는 것이 가능하게 된다. 이 반응에 의해, 처리실(201) 내에서, 예를 들어 불화니트로실(FNO) 등의 활성종을 생성하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 처리실(201) 내에는, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스가 존재 하게 된다. 그리고, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스는, 처리실(201) 내의 부재, 예를 들어 반응관(203)의 내벽, 노즐(249a 내지 249c)의 표면, 보트(217)의 표면 등에 접촉한다. 이때, 열화학 반응(에칭 반응)에 의해, 처리실(201) 내의 부재에 부착되어 있던 퇴적물을 제거하는 것이 가능하게 된다. FNO는, F2 가스에 의한 에칭 반응을 촉진시켜, 퇴적물의 에칭 레이트를 증대시키도록, 즉, 에칭을 어시스트하도록 작용한다. 이 점은, 후술하는 노즐(249a 내지 249c) 내에서 진행되는 각 에칭 반응이나, 후술하는 스텝 b에서 진행되는 각 에칭 반응에서도 마찬가지이다.
또한, 스텝 c1의 실시 기간 중에는, 가스 분출구(250a)로부터 분출하는 F2 가스의 흐름, 및 가스 분출구(250c)로부터 분출하는 NO 가스의 흐름이 각각 형성된다. 스텝 c1의 실시 기간 중, 노즐(249a)의 근방의 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿는 부재(F2 가스의 주류에 노출되는 부재)에서는, 다른 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿지 않는 부재(F2 가스의 주류에 노출되지 않는 부재)에 비해, 퇴적물의 제거가 높은 레이트로 진행된다.
이에 반해, 스텝 d1의 실시 기간 중에는, 스텝 c1에서 처리실(201) 내에 형성되어 있던 F2 가스, NO 가스의 흐름이 각각 소멸하고, F2 가스, NO 가스는 처리실(201) 내에 균등하게 확산한다. 그 때문에, 스텝 d1의 실시 기간 중, 퇴적물의 제거는, 처리실(201) 내의 전역에 걸쳐 대략 균일한 레이트로 진행된다.
또한, 스텝 c1, d1에서는, 처리실(201) 내에 공급되어, 봉입된 F2 가스 및 NO 가스를, 노즐(249a 내지 249c) 중 적어도 어느 것의 노즐의 내부로 확산(역확산)시키는 것이 가능하게 된다.
예를 들어, 스텝 c1에서, 노즐(249b)로부터의 F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않고, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을, 노즐(249a)로부터 공급하는 F2 가스의 유량, 및 노즐(249c)로부터 공급하는 NO 가스의 유량 각각보다도 작은 유량으로 한다. 이에 의해, 스텝 c1에서는, F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐(249b)의 가스 분출구(250b)로부터, 노즐(249b) 내에, 처리실(201) 내에 공급된 F2 가스와 NO 가스를 각각 침입시키는 것이 가능하게 된다. 노즐(249b) 내에서는, F2 가스와 NO 가스가 혼합해서 반응함으로써, FNO 등의 활성종이 생성된다. 처리실(201) 내에서 생성된 FNO 등의 활성종이 노즐(249b) 내에 침입할 경우도 있다. 그 결과, 노즐(249b) 내에는, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스가 존재하게 된다. 그리고, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스에 의한 에칭 반응에 의해, 노즐(249b)의 내벽에 부착되어 있던 퇴적물이 제거된다. 또한, 스텝 c1에서는, 노즐(249a)로부터 F2 가스를, 노즐(249c)로부터 NO 가스를, 각각 비교적 큰 상술한 유량으로 공급한다. 그 때문에, 스텝 c1의 실시 기간 중에는, 노즐(249a) 내에의 NO 가스 등의 침입이나, 노즐(249c) 내에의 F2 가스 등의 침입은 발생하기 어렵다. 스텝 c1의 실시 기간 중에는, 노즐(249a, 249c)의 내부에서 FNO 등의 활성종이 발생하기 어려워, FNO에 의한 상술한 에칭 어시스트의 작용이 얻어지기 어려워진다. 이러한 점에서, 스텝 c1의 실시 기간 중에는, 노즐(249b)의 내부에서만 집중적으로 퇴적물을 제거하면서, 노즐(249a, 249c)의 내부에서는 퇴적물의 제거를 거의 또는 전혀 행하지 않도록 하는 것이 가능하게 된다.
또한, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 조정함으로써, 노즐(249b) 내에의 F2 가스 및 NO 가스의 침입 정도나 농도 등을 조정하여, 노즐(249b) 내의 클리닝 범위를 조정할 수 있다. 예를 들어, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 0.01 내지 0.1slm으로 함으로써, 노즐(249b) 내의 전체를 충분히 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 또한 예를 들어, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 0.2 내지 0.5slm으로 함으로써, 노즐(249b) 내의 선단부만을 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 또한, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 0.5slm을 초과하는 유량, 예를 들어 1.0slm으로 함으로써, 노즐(249b) 내의 클리닝을 행하지 않도록 할 수도 있다. 이렇게 노즐(249b) 내의 클리닝 범위를 조정 가능한 것은, 후술하는 스텝 c2에서도 마찬가지이다.
또한 예를 들어, 스텝 d1에서는, 노즐(249a 내지 249c) 각각의 가스 분출구(250a 내지 250c)로부터, 노즐(249a 내지 249c) 내에, 처리실(201) 내에 봉입된 F2 가스와 NO 가스를 침입시키는 것이 가능하게 된다. 노즐(249a 내지 249c) 내에서는, 각각 F2 가스와 NO 가스가 혼합해서 반응함으로써, FNO 등의 활성종이 생성된다. 처리실(201) 내에서 생성된 FNO 등의 활성종이 노즐(249a 내지 249c) 내에 침입할 경우도 있다. 그 결과, 노즐(249a 내지 249c) 내에는, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스가 존재하게 된다. 그리고, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스에 의한 에칭 반응에 의해, 노즐(249a 내지 249c)의 내벽에 부착되어 있던 퇴적물이 각각 제거된다. 스텝 d1에서 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 N2 가스를 동일 유량으로 공급하는 경우, 노즐(249a 내지 249c) 내에 침입하는 F2 가스 등의 양은, 노즐간에 서로 대략 동등한 양이 된다. 이로부터, 스텝 d1에서는, 노즐(249a 내지 249c) 내 각각에서, 퇴적물의 제거를 대략 균일한 레이트로 진행시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 조정함으로써, 노즐(249a 내지 249c) 내에의 F2 가스 및 NO 가스의 침입 정도나 농도 등을 조정하여, 노즐(249a 내지 249c) 내의 클리닝 범위를 조정할 수 있다. 예를 들어, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 0.01 내지 0.1slm으로 함으로써, 노즐(249a 내지 249c) 내의 전체를 충분히 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 또한 예를 들어, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 0.2 내지 0.5slm으로 함으로써, 노즐(249a 내지 249c) 내의 선단부만을 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 또한, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 0.5slm을 초과하는 유량, 예를 들어 1.0slm으로 함으로써, 노즐(249a 내지 249c) 내의 클리닝을 행하지 않도록 할 수도 있다. 이렇게 노즐(249a 내지 249c) 내의 클리닝 범위를 조정 가능한 것은, 후술하는 스텝 d2에서도 마찬가지이다.
소정의 봉입 시간이 경과한 후, APC 밸브(244)를 개방하고, 처리실(201) 내를 배기한다(스텝 e1). 이때, 밸브(243d 내지 243f)를 개방하고, 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다.
[스텝 b]
계속해서, 스텝 b를 개시한다. 본 스텝에서는, 스텝 c1과 마찬가지의 처리 수순에 의해, 먼저, 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 따로따로 공급한다(스텝 c2). 본 스텝에서는, F2 가스를 공급하는 노즐 및 NO 가스를 공급하는 노즐 양쪽을, 스텝 a에서의 그것들과 상이하게 한다. 구체적으로는, APC 밸브(244)를 완전 폐쇄로 한 상태에서, 밸브(243c, 243a)를 개방하고, 가스 공급관(232c) 내에 F2 가스를, 가스 공급관(232a) 내에 NO 가스를, 각각 흘린다. F2 가스, NO 가스는, 각각 MFC(241c, 241a)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249c, 249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 이때 동시에 밸브(243e)를 개방하여, 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다.
처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력까지 상승하면, 스텝 d1과 마찬가지의 처리 수순에 의해, 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 처리 용기 내에의 F2 가스와 NO 가스의 공급을 정지하고, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 봉입한 상태를 유지한다(스텝 d2).
스텝 c2, d2에서의 각각의 처리 조건은, F2 가스와 NO 가스의 공급 개소 이외는, 스텝 c1, d1에서의 각각의 처리 조건과 마찬가지로 한다.
스텝 c2, d2를 행함으로써, F2 가스 및 NO 가스를, 처리실(201) 내에서 혼합시켜 반응시킬 수 있다. 이 반응에 의해, 처리실(201) 내에서 FNO 등의 활성종이 생성된다. 그 결과, 처리실(201) 내에는, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스가 존재하게 된다. 그리고, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스에 의한 에칭 반응에 의해, 처리실(201) 내의 부재에 부착되어 있던 퇴적물을 제거할 수 있다.
또한, 스텝 c2의 실시 기간 중에는, 가스 분출구(250c)로부터 분출하는 F2 가스의 흐름, 및 가스 분출구(250a)로부터 분출하는 NO 가스의 흐름이 각각 형성된다. 스텝 c2의 실시 기간 중, 노즐(249c)의 근방의 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿는 부재에서는, 다른 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿지 않는 부재에 비해, 퇴적물의 제거가 높은 레이트로 진행되는 경향이 있다.
이에 반해, 스텝 d2의 실시 기간 중에는, 스텝 c2에서 처리실(201) 내에 형성되어 있던 F2 가스, NO 가스의 흐름이 각각 소멸하고, F2 가스, NO 가스는 처리실(201) 내에 균등하게 확산한다. 그 때문에, 스텝 d2의 실시 기간 중, 퇴적물의 제거는, 처리실(201) 내의 전역에 걸쳐 대략 균일한 레이트로 진행된다.
또한, 스텝 c2, d2에서는, 처리실(201) 내에 공급되어, 봉입된 F2 가스 및 NO 가스를, 노즐(249a 내지 249c) 중 적어도 어느 것의 노즐의 내부에 확산(역확산)시킬 수 있다.
예를 들어, 스텝 c2에서, 노즐(249b)로부터의 F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않으면서, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을, 노즐(249c)로부터 공급하는 F2 가스의 유량, 및 노즐(249a)로부터 공급하는 NO 가스의 유량 각각보다도 작은 유량으로 한다. 이에 의해, 스텝 c2에서는, F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐(249b)의 가스 분출구(250b)로부터, 노즐(249b) 내에, 처리실(201) 내에 공급된 F2 가스와 NO 가스를 각각 침입시키거나, 처리실(201) 내에서 생성된 FNO 등의 활성종을 침입시키거나 하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 노즐(249b) 내에는, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스가 존재하게 되고, 스텝 c1과 마찬가지로, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스에 의한 에칭 반응에 의해, 노즐(249b)의 내벽에 부착되어 있던 퇴적물이 제거된다. 또한, 스텝 c2의 실시 기간 중에는, 노즐(249a) 내에의 F2 가스 등의 침입이나, 노즐(249c) 내에의 NO 가스 등의 침입은 발생하기 어렵다. 스텝 c2에서도, 스텝 c1과 마찬가지로, 노즐(249b)의 내부에서만 집중적으로 퇴적물을 제거하면서, 노즐(249a, 249c)의 내부에서는 퇴적물의 제거를 거의 또는 전혀 행하지 않도록 하는 것이 가능하게 된다.
또한 예를 들어, 스텝 d2에서는, 노즐(249a 내지 249c) 각각의 가스 분출구(250a 내지 250c)로부터, 노즐(249a 내지 249c) 내에, 처리실(201) 내에 봉입된 F2 가스와 NO 가스를 침입시키거나, 처리실(201) 내에서 생성된 FNO 등의 활성종을 침입시키거나 하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 노즐(249a 내지 249c) 내에는, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스가 존재하게 되고, 스텝 d1과 마찬가지로, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스에 의한 에칭 반응에 의해, 노즐(249a 내지 249c)의 내벽에 부착되어 있던 퇴적물이 각각 제거된다. 스텝 d2에서 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 N2 가스를 동일 유량으로 공급하는 경우, 노즐(249a 내지 249c) 내에 침입하는 F2 가스 등의 양은, 노즐간에 서로 대략 동등한 양이 된다. 이로부터, 스텝 d2에서는, 노즐(249a 내지 249c) 내 각각에서, 퇴적물의 제거를 대략 균일한 레이트로 진행시키는 것이 가능하게 된다.
소정의 봉입 시간이 경과한 후, APC 밸브(244)를 개방하고, 처리실(201) 내를 배기한다(스텝 e2). 이때, 밸브(243d 내지 243f)를 개방하고, 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다.
[소정 횟수 실시]
상술한 스텝 a, b를 포함하는 사이클을 소정 횟수(1회 이상) 행함으로써, 처리실(201) 내의 부재의 표면에 부착된 퇴적물, 및 노즐(249a 내지 249c)의 내부에 부착된 퇴적물을, 각각 제거할 수 있다.
클리닝 가스로서는, F2 가스 외에, 불화수소(HF) 가스, 불화염소(ClF3) 가스, 불화질소(NF3) 가스, 또는 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
첨가 가스로서는, NO 가스 외에, 수소(H2) 가스, 산소(O2) 가스, 아산화질소(N2O) 가스, 이소프로필알코올((CH3)2CHOH, 약칭: IPA) 가스, 메탄올(CH3OH) 가스, 수증기(H2O 가스), 또는 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
또한, 클리닝 가스로서 HF 가스를, 첨가 가스로서 IPA 가스, 메탄올 가스 및 H2O 가스 중 적어도 어느 것을 사용하는 경우에는, 클리닝 처리에서의 상술한 처리 온도를, 예를 들어 30 내지 300℃의 범위 내의 소정의 온도로 할 수 있다.
(애프터 퍼지 및 대기압 복귀)
처리 용기 내의 클리닝이 완료되면, 상술한 기판 처리 공정에서의 애프터 퍼지와 마찬가지의 처리 수순에 의해, 처리실(201) 내를 퍼지한다(애프터 퍼지). 그 후, 처리실(201) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되고(불활성 가스 치환), 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).
(보트 언로드)
보트 엘리베이터(115)에 의해 시일 캡(219)이 하강되어, 매니폴드(209)의 하단이 개구된다. 그리고, 빈 보트(217)가, 매니폴드(209)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부로 반출된다(보트 언로드). 이들 일련의 공정이 종료되면, 상술한 기판 처리 공정이 재개된다.
(3) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
(a) 스텝 a, b를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 처리 용기 내의 클리닝 처리의 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
왜냐하면, 스텝 a 중 스텝 c1에서는, 노즐(249a)로부터 F2 가스를 공급하고, 노즐(249c)로부터 NO 가스를 공급한다. 스텝 a 중 스텝 c1의 실시 기간 중, 노즐(249a)의 근방의 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿는 부재에서는, 다른 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿지 않는 부재에 비해, 퇴적물의 제거가 높은 레이트로 진행된다. 또한, 스텝 b 중 스텝 c2의 실시 기간 중, 노즐(249c)의 근방의 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿는 부재에서는, 다른 부재, 즉, F2 가스의 주류가 닿지 않는 부재에 비해, 퇴적물의 제거가 높은 레이트로 진행된다.
본 실시 형태와 같이, 스텝 c1을 포함하는 스텝 a와, 스텝 c2를 포함하는 스텝 b를 교대로 소정 횟수 실시함으로써, 처리 용기 내를 균형있게 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 즉, 퇴적물의 에칭 레이트가 비교적 커지는 영역을 교대로 전환하면서 클리닝 처리를 행하는 것이 가능하게 되고, 이에 의해, 처리 용기 내의 전역에 걸쳐, 대략 균일하게 클리닝 처리를 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, F2 가스의 주류가 닿는 부재를 교대로 전환하면서 클리닝 처리를 행하는 것이 가능하게 되고, 이에 의해, 처리 용기 내에 마련된 석영 부재의 국소적인 에칭 대미지 등을 저감시키는 것도 가능하게 된다. 또한, 발명자들의 예의 연구에 의하면, F2 가스의 유량과 NO 가스의 유량의 비율이 2:1(=F2:NO)이 되는 개소에서, 퇴적물의 에칭레이트가 최대가 되어, 석영 부재의 에칭 대미지가 진행되기 쉬운 것을 알았다.
(b) 스텝 c1, c2를 행한 후, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 봉입한 상태를 유지하는 스텝 d1, d2를 각각 행함으로써, 처리 용기 내의 클리닝 처리의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다. 이것은, 스텝 c1, c2를 행한 후, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 봉입한 상태를 유지함으로써, F2 가스 및 NO 가스를 처리실(201) 내의 전체에 확산시켜, 처리실(201) 내의 전역에 걸쳐 널리 골고루 퍼지게 하는 것이 가능하게 되기 때문이다.
또한, 스텝 c1, c2의 실시 기간 중에는, 처리 용기 내에서, 가스 분출구(250a, 250c)로부터 분출하는 F2 가스 등의 흐름이 형성된다. 그 때문에, 처리 용기 내에는, F2 가스 등이 공급되기 쉬운 개소뿐만 아니라, F2 가스 등이 공급되기 어려운 개소가 발생하게 된다. 본 실시 형태와 같이 스텝 d1, d2를 실행함으로써, 처리 용기 내에 F2 가스 등을 균등하게 확산시켜, 스텝 c1, c2의 실시 기간 중에 있어서 F2 가스 등이 공급되기 어려웠던 개소에 F2 가스 등을 공급하는 것이 가능하게 된다. 즉, F2 가스 등이 공급되기 어려운 개소를 감소 또는 소멸시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 처리 용기 내의 클리닝 처리의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(c) 배기계를 폐색한 상태에서 스텝 c1, c2, d1, d2를 각각 행함으로써, F2 가스와 NO 가스의 반응시간을 길게 확보할 수 있어, FNO 등의 활성종의 생성 효율을 높이는 것이 가능하게 된다. 또한, F2 가스에 FNO 등이 첨가되어 이루어지는 혼합 가스와 퇴적물의 반응 시간을 길게 확보하는 것도 가능하게 된다. 이러한 결과, 클리닝 처리의 효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(d) 배기계를 폐색한 상태에서 스텝 c1, c2, d1, d2를 각각 행함으로써, 클리닝 처리에 기여하지 않고 배기구(231a)로부터 배기되어버리는 F2 가스 및 NO 가스의 양을 각각 감소시켜, 가스 비용을 저감하는 것이 가능하게 된다. 본 실시 형태에서는, 배기계를 폐색하지 않고 처리실(201) 내에 F2 가스와 NO 가스를 공급하는 경우에 비해, 클리닝 처리를 완료시키는데 필요한 F2 가스 및 NO 가스의 사용량을, 각각, 예를 들어 1/3 이하로까지 저감시키는 것이 가능하게 된다.
(e) 배기계를 폐색한 상태에서 스텝 c1, c2, d1, d2를 각각 행함으로써, 클리닝 처리를 실시함으로써, 배기관(231) 내에서 발생하는 발열 반응을 억제하여, 배기관(231)의 온도 상승을 억제하는 것이 가능하게 된다.
왜냐하면, 상술한 기판 처리를 행하면, 처리실(201) 내나 배기관(231) 내를 유통하는 HCDS 가스에 포함되는 Cl과, 처리실(201) 내나 배기관(231) 내를 유통하는 NH3 가스 등에 포함되는 N이나 H가, 특히 저온부에서 반응하여, 저온부인 배기관(231)의 내벽에, 염화암모늄(NH4Cl) 등을 포함하는 반응 부생성물이 부착되는 경우가 있다. 배기관(231)이, 내벽에 요철 구조를 갖는 벨로우즈 관으로서 구성되어 있는 경우, 반응 부생성물의 부착량이 증가하기 쉬워진다. 배기관(231)의 내벽에 반응 부생성물이 부착된 상태에서, 배기계를 폐색하지 않고 처리실(201) 내에 F2 가스와 NO 가스를 공급하면, 배기관(231) 내에 유입한 F2 가스 등과, 상술한 반응 부생성물이 반응하는 경우가 있다. 이 반응에서 발생하는 반응열에 의해, 배기관(231)의 온도가 상승하는 경우가 있다. 배기관(231)의 내벽에 반응 부생성물이 다량으로 부착된 상태에서 F2 가스 등을 배기관(231) 내에 흘리면, 배기관(231)의 온도가 과잉으로 상승하고, 배기관(231)의 내벽이 고온 하에서 F2 가스 등에 노출되어, 배기관(231)이 부식되어버리는 경우가 있다.
본 실시 형태와 같이, 배기계를 폐색한 상태에서 스텝 c1, c2, d1, d2를 각각 행함으로써, 스텝 c1, c2, d1, d2 각각에서, 배기관(231) 내에의 F2 가스 등의 유입을 방지할 수 있어, F2 가스 등과, 상술한 반응 부생성물의 반응을 억제할 수 있다. 이에 의해, 상술한 반응열의 발생을 억제하여, 배기관(231)의 온도 상승을 방지하는 것이 가능하게 된다.
여기서, 본 실시 형태와 같이, 스텝 c1, c2, d1, d2를 행한 후, 스텝 e1, e2를 행하는 경우, 처리실(201) 내에 봉입되어 있던 F2 가스 등이 배기관(231) 내에 한꺼번에 유입되어, 반응 부생성물과 반응해서 반응열을 발생시키는 사태도 생각할 수 있다. 그러나, 스텝 c1, c2, d1, d2에서 처리실(201) 내에 봉입되어 있던 F2 가스 등은, 처리실(201) 내의 퇴적물과 반응함으로써, 그 대부분이 소비되어, 실활 상태가 된다. 또한, 상술한 바와 같이, 본 실시 형태와 같이 배기계를 폐색한 상태에서 스텝 c1, c2, d1, d2를 각각 행하는 경우, 배기계를 폐색하지 않고 처리실(201) 내에 F2 가스 등을 공급하는 경우에 비해, F2 가스 등의 사용량을 대폭 저감할 수 있고, 배기관(231) 내를 흐르는 F2 가스 등의 절대량을 적게 하는 것이 가능하게 된다. 이러한 점에서, 스텝 c1, c2, d1, d2를 실시한 후, 스텝 e1, e2를 행해도, 배기관(231)의 내부에서는 F2 가스 등과 반응 부생성물의 반응은 과잉으로는 진행되지 않아, 배기관(231)의 온도 상승은 매우 완만해진다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 배기관(231)의 온도 상승을 억제하거나, 배기관(231)을 강온시키거나 하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 배기관(231) 내가 고온 하에서 F2 가스 등에 노출되는 것을 억제할 수 있어, 배기관(231)의 부식을 억제하는 것이 가능하게 된다.
(f) 클리닝 처리에서는, 스텝 a, b 각각에서, 처리실(201) 내에 공급된 F2 가스 및 NO 가스를, 노즐(249a 내지 249c)의 내부에 확산시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 노즐(249a 내지 249c)의 내벽에 부착되어 있던 퇴적물을 제거하는 것이 가능하게 된다.
예를 들어, 스텝 c1, c2에서는, F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐(249b)의 가스 분출구(250b)로부터, 노즐(249b) 내에, 처리실(201) 내에 공급된 F2 가스와 NO 가스를 침입시키는 것이 가능하게 된다. 상술한 바와 같이, 노즐(249b)의 내부에는, 노즐(249a, 249c)의 내부에 비해, 퇴적물이 누적되기 쉬운 경향이 있다. 스텝 c1, c2를 행함으로써, 퇴적물이 누적되기 쉬운 노즐(249b)의 내부의 클리닝을, 집중적으로 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 스텝 c1의 실시 기간 중에는, 노즐(249a) 내에의 NO 가스 등의 침입이나, 노즐(249c) 내에의 F2 가스 등의 침입은 발생하기 어렵고, 또한 스텝 c2의 실시 기간 중에는, 노즐(249a) 내에의 F2 가스 등의 침입이나, 노즐(249c) 내에의 NO 가스 등의 침입은 발생하기 어렵다. 이러한 점에서, 스텝 c1, c2에서는, 노즐(249b) 내에 비해, 노즐(249a, 249c) 내에서의 클리닝 처리는 진행하기 어려워진다.
또한 예를 들어, 스텝 d1, d2에서는, 노즐(249a 내지 249c) 각각의 가스 분출구(250a 내지 250c)로부터, 노즐(249a 내지 249c) 내에, 처리실(201) 내에 봉입된 F2 가스와 NO 가스를 침입시키는 것이 가능하게 된다. 본 실시 형태와 같이 스텝 d1, d2에서 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 N2 가스를 동일 유량으로 공급하는 경우, 노즐(249a 내지 249c) 내에 침입하는 F2 가스 등의 양을, 노즐간에 서로 대략 동등한 양으로 할 수 있다. 결과로서, 노즐(249a 내지 249c) 내 각각에 있어서, 클리닝 처리를 대략 균일한 정도로 진행시키는 것이 가능하게 된다.
이와 같이, 본 실시 형태의 클리닝 처리에서는, 노즐(249a 내지 249c)의 내벽에 부착되어 있던 퇴적물을 제거하는 것이 가능하게 된다. 또한, 노즐(249b) 내를 집중적으로 클리닝하는 스텝 c1, c2와, 노즐(249a 내지 249c) 내를 대략 균일한 정도로 클리닝하는 스텝 d1, d2를 조합해서 행함으로써, 노즐(249a 내지 249c)의 내부에 부착되어 있는 퇴적물의 양에 따라, 에칭 처리의 정도를 개별로 조정하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 노즐(249a 내지 249c)의 내벽의 오버 에칭을 억제하면서, 노즐(249a 내지 249c) 각각의 내부를 확실하게 클리닝하는 것이 가능하게 된다.
(g) 본 실시 형태에 따르면, 처리실(201) 내의 클리닝 처리와, 노즐(249a 내지 249c) 내의 클리닝 처리를, 동일한 온도 조건 하에서 동시에 진행시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 처리실(201) 내의 클리닝 처리와, 노즐(249a 내지 249c) 내의 클리닝 처리를, 상이한 온도 조건 하에서 따로따로 행하는 경우와 같이, 각각의 클리닝 처리 시간을 마련할 필요가 없고, 또한 그들 사이에서, 처리 온도를 변경시키기 위한 대기 시간을 마련할 필요가 없다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 처리실(201) 내의 클리닝 처리와, 노즐(249a 내지 249c) 내의 클리닝 처리의 온도 조건을 상이하게 하는 경우와 비교하여, 클리닝 처리의 소요 시간을 대폭 단축시키는 것이 가능하게 된다.
(h) 본 실시 형태에 따르면, 스텝 c1, c2에서는 노즐(249b)로부터 N2 가스를 공급하고, 스텝 d1, d2에서는 노즐(249a 내지 249c)로부터 N2 가스를 공급함으로써, 노즐(249a 내지 249c) 내에의 F2 가스, NO 가스의 과잉의 역확산을 억제하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 집적형 공급 시스템(248)을 보호하는 것이 가능하게 되고, 그 고장을 피하는 것이 가능하게 된다.
(i) 상술한 효과는, 클리닝 처리에 있어서, F2 가스 이외의 클리닝 가스를 사용하는 경우나, NO 가스 이외의 첨가 가스를 사용하는 경우나, N2 가스 이외의 불활성 가스를 사용하는 경우에도, 마찬가지로 얻을 수 있다. 또한, 상술한 효과는, 기판 처리에 있어서, HCDS 가스 이외의 원료를 사용하는 경우나, NH3 가스 이외의 반응체를 사용하는 경우나, N2 가스 이외의 불활성 가스를 사용하는 경우에도, 마찬가지로 얻을 수 있다.
(4) 변형예
본 실시 형태에서의 클리닝 처리는, 도 4에 도시하는 양태에 한정되지 않고, 이하에 나타내는 변형예와 같이 변경할 수 있다. 이들 변형예는, 임의로 조합할 수 있다. 특별히 설명이 없는 한, 각 변형예의 각 스텝에서의 처리 수순, 처리 조건은, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 각 스텝에서의 처리 수순, 처리 조건과 마찬가지로 할 수 있다.
(변형예 1)
도 5에 도시한 바와 같이, 스텝 a, b에서는, 처리 용기 내를 배기한 상태, 즉, 배기계를 개방한 상태에서, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 공급하는 스텝 f1, f2와, 처리 용기 내를 배기(퍼지)하는 스텝 e1, e2를 행하도록 해도 된다. 도 5에서는, 스텝 f1, f2의 실시 기간을, 각각 f1, f2로 나타내고 있다. 스텝 f1, f2에서의 처리 수순, 처리 조건은, APC 밸브(244)를 완전 폐쇄로 하지 않고 개방한 상태로 하는 점, 및 그에 수반해서 변화하는 조건을 제외하고, 스텝 c1, c2에서의 처리 수순, 처리 조건과 마찬가지로 할 수 있다.
또한, 스텝 a에서 스텝 f1, e1을 실시하고, 스텝 b에서 상술한 스텝 c2, d2, e2를 실시하도록 해도 된다. 또한, 스텝 a에서 상술한 스텝 c1, d1, e1을 실시하고, 스텝 b에서 스텝 f2, e2를 실시하도록 해도 된다. 또한, 도 5에 도시하는 바와 같이 스텝 a에서 스텝 f1, e1을 실시하고, 스텝 b에서 스텝 f2, e2를 실시하도록 해도 된다. 즉, 처리 용기 내에의 F2 가스와 NO 가스의 봉입은, 스텝 a, b 중 어느 한쪽에서 실시하지 않아도 되고, 도 5에 도시하는 바와 같이 스텝 a, b의 양쪽에서 실시하지 않아도 된다.
본 변형예에서도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 단, 도 4에 도시하는 클리닝 처리가, 본 변형예의 클리닝 처리보다도, 처리 용기 내에 F2 가스 등을 보다 더 균일하게 확산시킬 수 있고, 클리닝 처리의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다. 또한, 도 4에 도시하는 클리닝 처리가, 본 변형예의 클리닝 처리보다도, 가스 비용을 더 저감시키는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다. 또한, 도 4에 도시하는 클리닝 처리가, 본 변형예의 클리닝 처리보다도, 배기관(231)의 온도 상승을 더 억제하는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다.
(변형예 2)
도 6에 도시하는 바와 같이, 스텝 a, b에서는, 처리실(201) 내에의 F2 가스의 공급을 노즐(249a, 249c)로부터 이들을 교대로 전환하면서 행하고, 처리실(201) 내에의 NO 가스의 공급을 노즐(249b)로부터 다른 노즐로 전환하지 않고 행하도록 해도 된다.
구체적으로는, 스텝 a의 스텝 c1에서, 노즐(249a)로부터 F2 가스를, 노즐(249b)로부터 NO 가스를, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 스텝 c1에서의 F2 가스, NO 가스의 유량과 마찬가지의 유량으로 처리 용기 내에 각각 공급한다. 이때 노즐(249c)로부터 N2 가스를, 예를 들어 0.01 내지 0.5slm, 바람직하게는 0.01 내지 0.1slm의 유량으로 공급한다. 또한, 스텝 b의 스텝 c2에서, 노즐(249c)로부터 F2 가스를, 노즐(249b)로부터 NO 가스를, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 스텝 c1에서의 F2 가스, NO 가스의 유량과 마찬가지의 유량으로 처리 용기 내에 각각 공급한다. 이때 노즐(249a)로부터 N2 가스를, 예를 들어 0.01 내지 0.5slm, 바람직하게는 0.01 내지 0.1slm의 유량으로 공급한다. 이와 같이, 스텝 b에서 F2 가스를 공급하는 노즐 및 NO 가스를 공급하는 노즐의 한쪽만(여기에서는 F2 가스를 공급하는 노즐만)을 스텝 a에서의 그것과 상이하게 해도 된다.
본 변형예에서도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 단, 도 4에 도시하는 클리닝 처리가, 본 변형예에 비해, 처리 용기 내의 클리닝의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다.
또한, 본 변형예에서는, 스텝 c1과 스텝 c2에서, F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐을 변경하고, F2 가스와 NO 가스를 침입시키는 노즐을 변경하도록 하고 있다. 구체적으로는, 스텝 c1에서는, 노즐(249c) 내에 F2 가스와 NO 가스를 침입시키고, 스텝 c2에서는, 노즐(249a) 내에 F2 가스와 NO 가스를 침입시키도록 하고 있다. 본 변형예에서는, 스텝 c1을 포함하는 스텝 a와, 스텝 c2를 포함하는 스텝 b를 교대로 소정 횟수 행함으로써, 2개의 노즐(249c, 249a) 내를 구석구석까지 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 본 변형예는, 노즐(249a, 249c) 내가 노즐(249b) 내보다도 퇴적물이 더 퇴적되기 쉬워지는 처리 수순으로 기판 처리를 행하는 경우, 예를 들어 성막 스텝의 스텝 1에서 노즐(249a, 249c)로부터 HCDS 가스를 공급하고, 스텝 2에서 노즐(249b)로부터 NH3 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(200) 상에 SiN막을 형성하는 경우에, 특히 유효하다.
(변형예 3)
도 7에 도시하는 바와 같이, 스텝 a, b에서는, 처리실(201) 내에의 F2 가스의 공급을 노즐(249b)로부터 다른 노즐로 전환하지 않고 행하고, 처리실(201) 내에의 NO 가스의 공급을 노즐(249a, 249c)로부터 이들을 교대로 전환하면서 행하도록 해도 된다.
구체적으로는, 스텝 a의 스텝 c1에서, 노즐(249b)로부터 F2 가스를, 노즐(249a)로부터 NO 가스를, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 스텝 c1에서의 F2 가스, NO 가스의 유량과 마찬가지의 유량으로 처리 용기 내에 각각 공급한다. 이때 노즐(249c)로부터 N2 가스를, 예를 들어 0.01 내지 0.5slm, 바람직하게는 0.01 내지 0.1slm의 유량으로 공급한다. 또한, 스텝 b의 스텝 c2에서, 노즐(249b)로부터 F2 가스를, 노즐(249c)로부터 NO 가스를, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 스텝 c1에서의 F2 가스, NO 가스의 유량과 마찬가지의 유량으로 처리 용기 내에 각각 공급한다. 이때 노즐(249a)로부터 N2 가스를, 예를 들어 0.01 내지 0.5slm, 바람직하게는 0.01 내지 0.1slm의 유량으로 공급한다. 이와 같이, 스텝 b에서 F2 가스를 공급하는 노즐 및 NO 가스를 공급하는 노즐의 한쪽만(여기에서는 NO 가스를 공급하는 노즐만)을 스텝 a에서의 그것과 상이하게 해도 된다.
본 변형예에서도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 단, 도 4에 도시하는 클리닝 처리나, 상술한 변형예 2가, 본 변형예에 비해, 처리 용기 내의 클리닝의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다.
또한, 본 변형예에서는, 변형예 2와 마찬가지로, 스텝 c1과 스텝 c2에서, F2 가스와 NO 가스의 공급을 실시하지 않는 노즐을 변경하고, F2 가스와 NO 가스를 침입시키는 노즐을 변경하도록 하고 있다. 구체적으로는, 스텝 c1에서는, 노즐(249c) 내에 F2 가스와 NO 가스를 침입시키고, 스텝 c2에서는, 노즐(249a) 내에 F2 가스와 NO 가스를 침입시키도록 하고 있다. 본 변형예에서는, 스텝 c1을 포함하는 스텝 a와, 스텝 c2를 포함하는 스텝 b를 교대로 소정 횟수 행함으로써, 2개의 노즐(249c, 249a) 내를 구석구석까지 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 본 변형예는, 노즐(249a, 249c) 내가 노즐(249b) 내보다도 퇴적물이 더 퇴적되기 쉬워지는 처리 수순으로 기판 처리를 행하는 경우, 예를 들어 성막 스텝의 스텝 1에서 노즐(249a, 249c)로부터 HCDS 가스를 공급하고, 스텝 2에서 노즐(249b)로부터 NH3 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(200) 상에 SiN막을 형성하는 경우에, 특히 유효하다.
(변형예 4)
도 4에 도시하는 클리닝 처리(클리닝 처리 A)와, 도 6에 도시하는 클리닝 처리(클리닝 처리 B)와, 도 7에 도시하는 클리닝 처리(클리닝 처리 C)를 포함하는 사이클을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 소정 횟수 행하도록 해도 된다.
본 변형예에서도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리나, 변형예 2, 3과 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 클리닝 처리 A에서는, 상술한 바와 같이, 노즐(249b) 내의 클리닝 처리가, 노즐(249a, 249c) 내의 클리닝 처리보다도 진행되기 쉬운 경향이 있다. 또한, 클리닝 처리 B, C에서는, 상술한 바와 같이, 노즐(249a, 249c) 내의 클리닝 처리가, 노즐(249b) 내의 클리닝 처리보다도 진행되기 쉬운 경향이 있다. 그 때문에, 본 변형예에서, 노즐(249b) 내의 클리닝 처리를 노즐(249a, 249c) 내보다도 우선적으로 행하고 싶은 경우에는, 클리닝 처리 A에서의 스텝 c1, c2의 합계 실시 기간(노즐(249b) 내에 F2 가스 등이 역확산하는 합계 시간)을, 클리닝 처리 B, C에서의 스텝 c1, c2의 합계 실시 기간(노즐(249a, 249c) 내에 F2 가스 등이 역확산하는 합계 시간)보다도, 길게 설정하는 것이 좋다.
(변형예 5)
스텝 c1, d1, c2, d2 중 적어도 어느 것에서는, 노즐(249a 내지 249c)로부터의 N2 가스의 공급을 실시하지 않아도 된다.
예를 들어, 스텝 c1, c2에서 노즐(249b)로부터의 N2 가스의 공급을 실시하지 않아도 된다. 이 경우에도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이 경우, 도 4에 도시하는 클리닝 처리에 비해, 스텝 c1, c2에서의 노즐(249b) 내에의 F2 가스와 NO 가스의 침입을 더욱 재촉하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 노즐(249b) 내의 집중적인 클리닝을 더욱 촉진시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 이때, 노즐(249b)로부터 소량의 NO 가스를 공급함으로써, NO 가스 분위기로 한 노즐(249b) 내에 F2 가스 등을 침입시킬 수 있어, 노즐(249b) 내의 집중적인 클리닝을 더욱 촉진시키는 것이 가능하게 된다. 노즐(249b)로부터 공급하는 NO 가스의 유량은, 노즐(249b) 내에의 F2 가스 등의 침입을 허용할 정도로 하는 것이 좋으며, 예를 들어 0.01 내지 0.1slm 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이때, 노즐(249b)로부터 소량의 NO 가스를 공급하는 대신에, 소량의 F2 가스를 공급하도록 해도, 상술과 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한 예를 들어, 스텝 d1, d2에서 노즐(249a 내지 249c)로부터의 N2 가스의 공급을 각각 실시하지 않아도 된다. 이 경우에도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이 경우, 도 4에 도시하는 클리닝 처리에 비해, 스텝 d1, d2에서의 노즐(249a 내지 249c) 내에의 F2 가스와 NO 가스의 침입을 각각 더욱 재촉하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 노즐(249a 내지 249c) 내를 보다 효율적으로 클리닝하는 것이 가능하게 된다.
또한, 이때, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 소량의 NO 가스를 공급함으로써, NO 가스 분위기로 한 노즐(249a 내지 249c) 내에 F2 가스 등을 침입시킬 수 있고, 노즐(249a 내지 249c) 내를 더욱 효과적으로 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 공급하는 NO 가스의 유량은, 노즐(249a 내지 249c) 내에의 F2 가스 등의 침입을 허용할 정도로 하는 것이 좋으며, 각각 예를 들어 0.01 내지 0.1slm 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이때, 노즐(249a 내지 249c) 각각으로부터 소량의 NO 가스를 공급하는 대신에, 소량의 F2 가스를 공급하도록 해도, 상술과 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한 예를 들어, 스텝 d1, d2에서 노즐(249b)로부터의 N2 가스의 공급을 실시하지 않으면서, 노즐(249a, 249c)로부터의 N2 가스의 공급을 각각 실시하도록 해도 된다. 이 경우에도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이 경우, 스텝 d1, d2에서 노즐(249b) 내에의 F2 가스와 NO 가스의 침입을 더욱 재촉하면서, 노즐(249a, 249c) 내에의 F2 가스와 NO 가스의 침입을 각각 억제하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 도 4에 도시하는 클리닝 처리에 비해, 노즐(249b) 내의 집중적인 클리닝을 더욱 촉진시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 노즐(249a, 249c)의 내벽의 오버 에칭을 적정하게 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 이때, 상술과 마찬가지로, 노즐(249b)로부터 소량의 NO 가스나 F2 가스를 공급함으로써, 상술과 마찬가지의 이유에 의해, 노즐(249b) 내의 집중적인 클리닝을 더욱 촉진시키는 것이 가능하게 된다.
(변형예 6)
스텝 d1, d2 중 적어도 어느 것에서는, 노즐(249a 내지 249c)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을 서로 상이하게 해도 된다. 예를 들어, 스텝 d1, d2에서, 노즐(249b)로부터 공급하는 N2 가스의 유량을, 노즐(249a, 249c)로부터 공급하는 N2 가스의 유량보다도 큰 유량으로 설정해도 된다. 이 경우에도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이 경우, 스텝 d1, d2에서 노즐(249b) 내에의 F2 가스와 NO 가스의 침입을 억제하면서, 노즐(249a, 249c) 내에의 F2 가스와 NO 가스의 침입을 각각 재촉하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 도 4에 도시하는 클리닝 처리에 비해, 노즐(249b) 내의 클리닝을 억제하는 것이 가능하게 되고, 노즐(249b)의 내벽의 오버 에칭을 적정하게 억제하는 것이 가능하게 된다.
(변형예 7)
스텝 a, b를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행할 때, 스텝 e1, e2 중 적어도 어느 것을 실시하지 않아도 된다. 예를 들어, 도 4에 도시하는 클리닝 처리에 있어서, 스텝 d1과 스텝 c2의 사이, 및 스텝 d2와 스텝 c1의 사이 중 적어도 어느 것에서, 처리 용기 내의 퍼지(스텝 e1, e2)를 행하지 않고, 스텝 a, b를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행하도록 해도 된다. 또한 예를 들어, 도 5에 도시하는 클리닝 처리에 있어서, 스텝 f1과 스텝 f2의 사이, 및 스텝 f2와 스텝 f1의 사이 중 적어도 어느 것에서, 처리 용기 내의 퍼지(스텝 e1, e2)를 행하지 않고, 스텝 a, b를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행하도록 해도 된다. 본 변형예에서도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 본 변형예에서는, 노즐(249a, 249c) 내에서의 F2 가스와 NO 가스의 혼합을 재촉하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 도 4나 도 5에 도시하는 클리닝 처리에 비해, 노즐(249a, 249c) 내의 클리닝을 더욱 촉진시키는 것이 가능하게 된다.
(변형예 8)
클리닝 처리에 있어서 행하는 상술한 사이클은, 이하의 사이클 A, B를 포함하도록 해도 된다.
사이클 A에서의 스텝 a, b는, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 스텝 a, b와 마찬가지로 행할 수 있다. 즉, 사이클 A에서의 스텝 a, b에서는,
처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 공급하는 스텝 c1, c2와,
처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 처리 용기 내에의 F2 가스와 NO 가스의 공급을 정지하고, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 봉입한 상태를 유지하는 스텝 d1, d2와,
처리 용기 내를 배기하는 스텝 e1, e2를 각각 행할 수 있다.
사이클 B에서의 스텝 a, b는, 도 5에 도시하는 클리닝 처리의 스텝 a, b와 마찬가지로 행할 수 있다. 즉, 사이클 B에서의 스텝 a, b에서는,
처리 용기 내를 배기한 상태에서, 처리 용기 내에 F2 가스와 NO 가스를 공급하는 스텝 f1, f2와,
처리 용기 내를 배기(퍼지)하는 스텝 e1, e2를 각각 행할 수 있다.
이와 같이, 처리 용기 내에의 F2 가스와 NO 가스의 봉입을 실시하는 사이클 A와, 처리 용기 내에의 F2 가스와 NO 가스의 봉입을 실시하지 않는 사이클 B를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행하도록 해도 된다. 즉, 도 4에 도시하는 클리닝 처리의 사이클(사이클 A)과, 도 5에 도시하는 클리닝 처리의 사이클(사이클 B)을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행하도록 해도 된다.
본 변형예에서도, 도 4에 도시하는 클리닝 처리나 변형예 1과 대략 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 본 변형예에서는, 변형예 1보다도, 처리 용기 내에 F2 가스 등을 균일하게 확산시켜, 클리닝 처리의 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다. 또한, 본 변형예에서는, 변형예 1보다도, 배기관(231)의 온도 상승을 억제하는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다. 또한, 본 변형예에서는, 변형예 1보다도, F2 가스 등의 사용량을 저감할 수 있어, 가스 비용을 저감하는 것이 가능하게 되는 점에서 바람직하다. 또한, 본 변형예에서는, 사이클 A를 사이클 B보다도 선행해서 행하는 것이 바람직하다. 이렇게 할 경우에는, 사이클 B를 사이클 A보다도 선행해서 행하는 경우에 비해, 배기관(231)의 온도 상승 레이트를 완만하게 하는 것이 가능하게 된다.
<다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였다. 단, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
상술한 실시 형태에서는, 처리 용기 내의 웨이퍼 상에 SiN막을 형성한 후, 처리 용기 내나 노즐 내를 클리닝하는 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이러한 양태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상술한 클리닝 처리는, 처리 용기 내의 웨이퍼 상에 실리콘 산화막(SiO막), 실리콘 산탄질화막(SiOCN막), 실리콘 산탄화막(SiOC막), 실리콘 산질화막(SiON막), 실리콘 탄질화막(SiCN막), 실리콘 붕탄질화막(SiBCN막), 실리콘 붕질화막(SiBN막) 등의 실리콘계 절연막을 형성한 후, 처리 용기 내나 노즐 내를 클리닝할 경우에도, 적합하게 적용 가능하다.
기판 처리나 클리닝 처리에 사용되는 레시피는, 처리 내용에 따라 개별로 준비하여, 전기 통신 회선이나 외부 기억 장치(123)를 통해서 기억 장치(121c) 내에 저장해 두는 것이 바람직하다. 그리고, 기판 처리나 클리닝 처리를 개시할 때, CPU(121a)가, 기억 장치(121c) 내에 저장된 복수의 레시피 중에서, 기판 처리나 클리닝 처리의 내용에 따라, 적정한 레시피를 적절히 선택하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 1대의 기판 처리 장치에서 다양한 막종, 조성비, 막질, 막 두께의 막을, 재현성 좋게 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 처리 용기(처리실(201)) 내나 공급부(노즐) 내에 부착된 다양한 막을 포함하는 퇴적물에 따라, 적정한 클리닝 처리를 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 오퍼레이터의 부담을 저감할 수 있어, 조작 미스를 피하면서, 처리를 신속하게 개시할 수 있게 된다.
상술한 레시피는, 새롭게 작성하는 경우에 한하지 않고, 예를 들어 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 변경함으로써 준비해도 된다. 레시피를 변경하는 경우에는, 변경 후의 레시피를, 전기 통신 회선이나 당해 레시피를 기록한 기록 매체를 통해서, 기판 처리 장치에 인스톨해도 된다. 또한, 기존의 기판 처리 장치가 구비하는 입출력 장치(122)를 조작하여, 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 직접 변경하도록 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 제1 내지 제3 공급부로서의 제1 내지 제3 노즐(노즐(249a 내지 249c))이 반응관의 내벽을 따르도록 처리실 내에 마련되어 있는 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어 도 10의 (a)에 종형 처리로의 단면 구조를 도시하는 바와 같이, 반응관의 측벽에 버퍼실을 마련하고, 이 버퍼실 내에, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 구성의 제1 내지 제3 노즐을, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 배치로 마련하도록 해도 된다. 도 10의 (a)에서는, 반응관의 측벽에 공급용 버퍼실과 배기용 버퍼실을 마련하고, 각각을, 웨이퍼를 사이에 두고 대향하는 위치에 배치한 예를 도시하고 있다. 또한, 공급용 버퍼실과 배기용 버퍼실 각각은, 반응관의 측벽 하부로부터 상부를 따라, 즉, 웨이퍼 배열 영역을 따라서 마련되어 있다. 또한, 도 10의 (a)에서는, 공급용 버퍼실을 복수(3개)의 공간으로 구획하고, 각각의 공간에 각 노즐을 배치한 예를 도시하고 있다. 버퍼실의 3개의 공간의 배치는, 제1 내지 제3 노즐의 배치와 마찬가지가 된다. 제1 내지 제3 노즐이 배치되는 각각의 공간을, 제1 내지 제3 버퍼실이라고 칭할 수도 있다. 제1 노즐 및 제1 버퍼실, 제2 노즐 및 제2 버퍼실, 제3 노즐 및 제3 버퍼실을, 각각 제1 공급부, 제2 공급부, 제3 공급부라고 생각할 수도 있다. 또한 예를 들어, 도 10의 (b)에 종형 처리로의 단면 구조를 도시하는 바와 같이, 도 10의 (a)와 마찬가지의 배치로 버퍼실을 마련하고, 버퍼실 내에 제2 노즐을 마련하고, 이 버퍼실의 처리실과의 연통부를 양측으로부터 사이에 둠과 함께 반응관의 내벽을 따르도록 제1, 제3 노즐을 마련하도록 해도 된다. 제1 노즐, 제2 노즐 및 버퍼실, 제3 노즐을, 각각 제1 공급부, 제2 공급부, 제3 공급부라고 생각할 수도 있다. 도 10의 (a), 도 10의 (b)에서 설명한 버퍼실이나 반응관 이외의 구성은, 도 1에 도시하는 처리로의 각 부의 구성과 마찬가지이다. 이러한 처리로를 사용한 경우에도, 상술한 실시 형태와 마찬가지로, 처리실 내나 공급부(노즐, 버퍼실) 내의 클리닝 처리를 행할 수 있고, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
상술한 실시 형태에서는, 한번에 복수매의 기판을 처리하는 뱃치식 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 예를 들어 한번에 1매 또는 수매의 기판을 처리하는 매엽식 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도, 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 핫월형의 처리로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 콜드월형의 처리로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도, 적합하게 적용할 수 있다.
이러한 기판 처리 장치를 사용하는 경우에서도, 상술한 실시 형태나 변형예와 마찬가지의 시퀀스, 처리 조건에서 기판 처리나 클리닝 처리를 행할 수 있고, 상술한 실시 형태나 변형예와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 상술한 실시 형태나 변형예 등은, 적절히 조합해서 사용할 수 있다. 이때의 처리 수순, 처리 조건은, 예를 들어 상술한 실시 형태의 처리 수순, 처리 조건과 마찬가지로 할 수 있다.
[실시예]
실시예 1로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용해서 상술한 기판 처리(SiN막 형성)를 행한 후, 배기관의 온도를 측정하면서, 도 4에 도시하는 클리닝 처리를 실시하였다. 실시예 1에서는, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 도 4에 도시하는 스텝 a, b를 이 순서대로 행하는 사이클(Packing CLN)을 8회 실시하였다. 즉, 실시예 1에서는, Packing CLN만을 반복해서 실시하였다. 기판 처리, 클리닝 처리의 각 스텝에서의 처리 조건은, 상술한 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다.
실시예 2로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용해서 상술한 기판 처리(SiN막 형성)를 행한 후, 배기관의 온도를 측정하면서, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와, 도 5에 도시하는 클리닝 처리를 교대로 실시하였다. 실시예 2에서는, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 도 5에 도시하는 스텝 a, b를 이 순서대로 행하는 사이클(non-Packing CLN)을 1, 4, 7 사이클째에 각각 실시하고, 도 4에 도시하는 스텝 a, b를 이 순서대로 행하는 사이클(Packing CLN)을 2, 3, 5, 6, 8 사이클째에 각각 실시하였다. 즉, 실시예 2에서는, Packing CLN과 non-Packing CLN을 조합해서 실시하고, 그 때, non-Packing CLN을 Packing CLN보다도 선행해서 실시하였다. 기판 처리, 클리닝 처리의 각 스텝에서의 처리 조건은, 상술한 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다.
실시예 3으로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용해서 상술한 기판 처리(SiN막 형성)를 행한 후, 배기관의 온도를 측정하면서, 도 4에 도시하는 클리닝 처리와, 도 5에 도시하는 클리닝 처리를 교대로 실시하였다. 실시예 3에서는, 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 도 4에 도시하는 스텝 a, b를 이 순서대로 행하는 사이클(Packing CLN)을 1, 2, 5 내지 7 사이클째에 각각 실시하고, 도 5에 도시하는 스텝 a, b를 이 순서대로 행하는 사이클(non-Packing CLN)을 3, 4사이클째에 각각 실시하였다. 즉, 실시예 3에서는, Packing CLN과 non-Packing CLN을 조합해서 실시하고, 그 때, Packing CLN을 non-Packing CLN보다도 선행해서 실시하였다. 기판 처리, 클리닝 처리의 각 스텝에서의 처리 조건은, 상술한 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다.
실시예 4로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용해서 상술한 기판 처리(SiN막 형성)를 행한 후, 배기관의 온도를 측정하면서, 도 5에 도시하는 클리닝 처리를 실시하였다. 실시예 4에서는, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 도 5에 도시하는 스텝 a, b를 이 순서대로 행하는 사이클(non-Packing CLN)을 6회 실시하였다. 즉, 실시예 4에서는, non-Packing CLN만을 반복해서 실시하였다. 기판 처리, 클리닝 처리의 각 스텝에서의 처리 조건은, 상술한 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다.
도 8의 (a), 도 8의 (b), 도 9의 (a), 도 9의 (b)에, 실시예 1 내지 4의 클리닝 처리를 실시했을 때의 배기관의 온도 변화를 각각 나타낸다. 이들 도면의 횡축은 각각 경과 시간(a.u.)을, 종축은 각각 배기관의 온도(a.u.)를 나타내고 있다. 이들 도면에서는, 배기관에 부식이 발생하는 온도인 한계 온도(예를 들어 150 내지 200℃ 정도)를 각각 일점쇄선으로 나타내고 있다.
도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, Packing CLN만을 반복해서 실시한 실시예 1에서는, 처리 용기 내 및 노즐 내의 클리닝 처리를 균일하게 행하면서, 배기관의 온도 상승을 효과적으로 억제할 수 있었다.
도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, non-Packing CLN을 Packing CLN보다도 선행해서 실시한 실시예 2에서는, non-Packing CLN을 실시할 때마다 실시예 1보다도 높은 레이트로 배기관의 온도가 상승하는데, 처리 용기 내 및 노즐 내의 클리닝 처리를 균일하게 행하면서, 배기관의 온도가 한계 온도를 초과하지 않을 정도로 배기관의 온도 상승을 적정하게 억제할 수 있었다. 본 실시예에서는, Packing CLN을 적정한 타이밍에 실시함으로써, 즉, 배기계를 폐색하고 배기관 내에서의 F2 가스 등과 반응 부생성물의 반응을 일시적으로 정지하는 기간을 적정한 타이밍에 마련함으로써, 배기관의 과잉의 온도 상승을 피할 수 있었다.
도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, Packing CLN을 non-Packing CLN보다도 선행해서 실시한 실시예 3에서는, 실시예 1보다도 높은 레이트로 배기관의 온도가 상승하는 기간이 일시적으로 존재하지만, 처리 용기 내 및 노즐 내의 클리닝 처리를 균일하게 행하면서, 배기관의 온도 상승 레이트를 완만하게 할 수 있었다. 본 실시예에서는, non-Packing CLN을 실시하기 전에 Packing CLN을 선행해서 행함(1, 2사이클째)으로써, 배기관의 온도 상승을 실시예 1과 마찬가지로 억제하면서, 배기관 내에 부착되어 있던 반응 부생성물의 대부분을 제거하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 본 실시예에서는, non-Packing CLN을 행했을 때(3, 4사이클째)의 배기관의 온도 상승 레이트를, 실시예 2에서 클리닝 처리의 첫회(1 사이클째)에 non-Packing CLN을 행했을 때의 배기관의 온도 상승 레이트보다도 억제하는 것이 가능하게 된다.
도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, non-Packing CLN만을 반복해서 실시한 실시예 4에서는, 처리 용기 내 및 노즐 내의 클리닝 처리를 균일하게 행할 수 있었지만, 실시예 1 내지 3에 비해, 배기관의 온도 상승이 커졌다. 실시예 4에서는, 배기관의 온도가 한계 온도를 초과하지 않도록 하기 위해서, non-Packing CLN을 예를 들어 3회 정도 실시하면, 냉각 대기를 위한 대기 시간을 마련할 필요가 있었다.
200 : 웨이퍼(기판) 249a : 노즐(공급부)
249b : 노즐(공급부) 249c : 노즐(공급부)

Claims (21)

  1. (a) 기판에 대하여 처리를 행한 후의 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 클리닝 가스와, 상기 클리닝 가스와 반응하는 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정과,
    (b) 상기 처리 용기 내에, 상기 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부 중 적어도 어느 것을, (a)에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 상기 클리닝 가스와, 상기 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정
    을 포함하는 사이클을, 상기 처리 용기 내의 온도를 200℃ 이상 400℃ 미만으로 하여, 복수회 행함으로써, 상기 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    (b)에서 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부를, (a)에서의 그것과 상이하게 하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    (b)에서 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부를, (a)에서의 그것과 상이하게 하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    (b)에서 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부 양쪽을, (a)에서의 그것들과 상이하게 하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    (b)에서는, (a)에서 상기 첨가 가스를 공급한 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하고, (a)에서 상기 클리닝 가스를 공급한 공급부로부터, 상기 첨가 가스를 공급하는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    (b)에서는, (a)에서 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 실시하지 않은 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하고, (a)에서 상기 첨가 가스를 공급한 공급부 또는 상기 클리닝 가스를 공급한 공급부로부터, 상기 첨가 가스를 공급하는, 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a)와 (b)의 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 행하면서, 상기 사이클을 소정 횟수 행하는, 방법.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a)와 (b)의 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 행하지 않고, 상기 사이클을 소정 횟수 행하는, 방법.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a) 및 (b) 중 적어도 어느 것에서는, 상기 적어도 3개의 공급부 중 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 실시하지 않는 공급부의 가스 분출구로부터, 해당 공급부 내에, 상기 처리 용기 내에 공급된 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 침입시키는, 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 실시하지 않는 공급부는, 상기 기판을 처리할 때, 상기 처리 용기 내에, 그 단독으로 막을 퇴적시킬 수 있는 가스를 공급하는 공급부인, 방법.
  11. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a) 및 (b) 중 적어도 어느 것에서는, 상기 적어도 3개의 공급부 각각으로부터 불활성 가스를 동일 유량으로 공급하는, 방법.
  12. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a) 및 (b) 중 적어도 어느 것은,
    (c) 상기 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 상기 처리 용기 내에 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 공급하는 공정과,
    (d) 상기 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 상기 처리 용기 내에의 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리 용기 내에 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 봉입한 상태를 유지하는 공정과,
    (e) 상기 처리 용기 내를 배기하는 공정
    을 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    (c)에서는, 상기 적어도 3개의 공급부 중 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 실시하지 않는 공급부의 가스 분출구로부터, 해당 공급부 내에, 상기 처리 용기 내에 공급된 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 침입시키고,
    (d)에서는, 적어도 (c)에서 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 실시하지 않은 공급부의 가스 분출구로부터, 해당 공급부 내에, 상기 처리 용기 내에 봉입된 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 침입시키는, 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    (d)에서는, 상기 적어도 3개의 공급부 각각의 가스 분출구로부터, 각각의 공급부 내에, 상기 처리 용기 내에 봉입된 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 침입시키는, 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    (c) 및 (d) 중 적어도 어느 것에서는, 상기 적어도 3개의 공급부 각각으로부터 불활성 가스를 동일 유량으로 공급하는, 방법.
  16. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 사이클은, 사이클 A와, 사이클 B를 포함하고,
    상기 사이클 A에서의 (a) 및 (b)는,
    (c) 상기 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 상기 처리 용기 내에 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 공급하는 공정과,
    (d) 상기 처리 용기 내의 배기를 정지한 상태에서, 상기 처리 용기 내에의 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리 용기 내에 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 봉입한 상태를 유지하는 공정과,
    (e) 상기 처리 용기 내를 배기하는 공정을 포함하고,
    상기 사이클 B에서의 (a) 및 (b)는,
    (f) 상기 처리 용기 내를 배기한 상태에서, 상기 처리 용기 내에 상기 클리닝 가스와 상기 첨가 가스를 공급하는 공정을 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 사이클 A를 상기 사이클 B보다도 선행해서 행하는, 방법.
  18. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 사이클을, 상기 처리 용기 내의 온도를 200℃ 이상 350℃ 이하로 하여, 복수회 행하는, 방법.
  19. 처리 용기 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 공정과,
    상기 기판에 대하여 처리를 행한 후의 상기 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 공정
    을 갖고, 상기 클리닝하는 공정에서는,
    (a) 상기 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 클리닝 가스와, 상기 클리닝 가스와 반응하는 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정과,
    (b) 상기 처리 용기 내에, 상기 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부 중 적어도 어느 것을, (a)에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 상기 클리닝 가스와, 상기 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 공정
    을 포함하는 사이클을, 상기 처리 용기 내의 온도를 200℃ 이상 400℃ 미만으로 하여, 복수회 행하는,
    반도체 장치의 제조 방법.
  20. 기판에 대하여 처리가 행하여지는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 적어도 3개의 공급부와,
    상기 처리 용기 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내에 상기 클리닝 가스와 반응하는 첨가 가스를 공급하는 첨가 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 온도를 조정하는 온도 조정부와,
    (a) 기판에 대하여 처리를 행한 후의 상기 처리 용기 내에, 상기 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 상기 클리닝 가스와, 상기 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 처리와, (b) 상기 처리 용기 내에, 상기 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부 중 적어도 어느 것을, (a)에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 상기 클리닝 가스와, 상기 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 처리를 포함하는 사이클을, 상기 처리 용기 내의 온도를 200℃ 이상 400℃ 미만으로 하여, 복수회 행함으로써, 상기 처리 용기 내의 부재를 클리닝하도록, 상기 클리닝 가스 공급계, 상기 첨가 가스 공급계, 및 상기 온도 조정부를 제어하도록 구성되는 제어부
    를 갖는 기판 처리 장치.
  21. (a) 기판에 대하여 처리를 행한 후의 기판 처리 장치의 처리 용기 내에, 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 클리닝 가스와, 상기 클리닝 가스와 반응하는 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 수순과,
    (b) 상기 처리 용기 내에, 상기 적어도 3개의 공급부 중 어느 2개의 공급부로부터, 상기 클리닝 가스를 공급하는 공급부 및 상기 첨가 가스를 공급하는 공급부 중 적어도 어느 것을, (a)에서의 그것, 또는 그것들과 상이하게 하여, 상기 클리닝 가스와, 상기 첨가 가스를, 각각 따로따로 공급하는 수순
    을 포함하는 사이클을, 상기 처리 용기 내의 온도를 200℃ 이상 400℃ 미만으로 하여, 복수회 행함으로써, 상기 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 수순을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
KR1020210027694A 2018-02-22 2021-03-02 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 KR102297247B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018029643A JP6785809B2 (ja) 2018-02-22 2018-02-22 処理容器内の部材をクリーニングする方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JPJP-P-2018-029643 2018-02-22
KR1020190018881A KR102224893B1 (ko) 2018-02-22 2019-02-19 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190018881A Division KR102224893B1 (ko) 2018-02-22 2019-02-19 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210027333A true KR20210027333A (ko) 2021-03-10
KR102297247B1 KR102297247B1 (ko) 2021-09-03

Family

ID=67617438

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190018881A KR102224893B1 (ko) 2018-02-22 2019-02-19 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
KR1020210027694A KR102297247B1 (ko) 2018-02-22 2021-03-02 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190018881A KR102224893B1 (ko) 2018-02-22 2019-02-19 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190255576A1 (ko)
JP (1) JP6785809B2 (ko)
KR (2) KR102224893B1 (ko)
CN (1) CN110190008B (ko)
SG (2) SG10201901422SA (ko)
TW (2) TWI761933B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102034766B1 (ko) * 2018-04-12 2019-10-22 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220035234A (ko) * 2019-09-20 2022-03-21 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP2021100047A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001089860A (ja) * 1999-06-11 2001-04-03 Tokyo Electron Ltd 処理室をドライクリーニングするための装置及び方法
JP2003059915A (ja) * 2001-06-08 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法
KR20050053795A (ko) * 2002-11-11 2005-06-08 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
KR20130043574A (ko) * 2011-10-20 2013-04-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 클리닝 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR20140116815A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR20150001708A (ko) * 2012-03-30 2015-01-06 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 클리닝 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
US20150232986A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 Hitachi Kokusai Electric Inc. Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
WO2016140166A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
JP2017005090A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5113705B2 (ja) * 2007-10-16 2013-01-09 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP2011058031A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2012049349A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP6347543B2 (ja) * 2014-06-30 2018-06-27 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001089860A (ja) * 1999-06-11 2001-04-03 Tokyo Electron Ltd 処理室をドライクリーニングするための装置及び方法
JP2003059915A (ja) * 2001-06-08 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法
KR20050053795A (ko) * 2002-11-11 2005-06-08 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
KR20130043574A (ko) * 2011-10-20 2013-04-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 클리닝 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR20150001708A (ko) * 2012-03-30 2015-01-06 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 클리닝 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR20140116815A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
US20150232986A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 Hitachi Kokusai Electric Inc. Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP2015153956A (ja) 2014-02-17 2015-08-24 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
KR20150097413A (ko) * 2014-02-17 2015-08-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
WO2016140166A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
JP2017005090A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201901422SA (en) 2019-09-27
TW201938837A (zh) 2019-10-01
SG10202005565RA (en) 2020-07-29
KR102297247B1 (ko) 2021-09-03
KR20190101289A (ko) 2019-08-30
JP2019145705A (ja) 2019-08-29
TW202117066A (zh) 2021-05-01
TWI706052B (zh) 2020-10-01
CN110190008A (zh) 2019-08-30
KR102224893B1 (ko) 2021-03-09
CN110190008B (zh) 2024-02-09
JP6785809B2 (ja) 2020-11-18
US20190255576A1 (en) 2019-08-22
TWI761933B (zh) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6998106B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび反応管
KR102137477B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR102145102B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR102297247B1 (ko) 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
CN110931386B (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质
KR102264071B1 (ko) 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR102483295B1 (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
TWI777151B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理方法及基板處理裝置
US20230220546A1 (en) Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
KR102224294B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 표면 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
WO2019180805A1 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
TWI817226B (zh) 基板處理方法、半導體裝置的製造方法、預塗方法、基板處理裝置、及為了基板處理的電腦程式
CN111986985B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
KR102685504B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
CN116057677A (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序
CN113113284A (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right