CN110634766A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够缩短基片处理装置在基片输送方向的长度的技术。实施方式的基片处理装置包括可动工作台和工作台移动机构。可动工作台具有能够输送用处理液浸湿了的基片的输送机构。工作台移动机构能够使可动工作台至少在上下方向移动。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1中公开了一种技术，其中一边由辊输送机构输对在表面形成有曝光后的光致抗蚀剂膜的基片进行输送，一边对基片的表面供给显影液，以使基片显影。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-124309号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供缩短基片处理装置在基片输送方向的长度的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式的基片处理装置包括可动工作台和工作台移动机构。可动工作台具有能够输送用处理液浸湿了的基片的输送机构。工作台移动机构能够使可动工作台至少在上下方向移动。
发明效果
依照本发明，能够缩短基片处理装置在基片输送方向的长度。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理装置的概略结构的示意图。
图2是表示第一实施方式的由辊输送机构进行的基片输送的示意图。
图3是表示第一实施方式的显影单元的概略结构的示意图。
图4是表示第一实施方式的显影处理部的概略结构的示意图。
图5是表示变形例的显影处理部的概略结构的示意图。
图6是表示变形例的显影处理部的概略结构的示意图。
图7是表示第二实施方式的显影处理部的左视的概略结构的示意图。
图8是表示第二实施方式的显影处理部的俯视的概略结构的示意图。
图9是表示第二实施方式的显影处理部的后视的概略结构的示意图。
图10是表示变形例的显影处理部的左视的概略结构的示意图。
图11是表示变形例的显影处理部的后视的概略结构的示意图。
图12是表示第三实施方式的显影处理部的左视的概略结构的示意图。
图13是表示变形例的显影处理部的左视的概略结构的示意图。
图14A是表示在变形例的显影工作台中，将基片浸渍了的状态的示意图。
图14B是表示在变形例的显影工作台中，排出显影液的状态的示意图。
图14C是表示在变形例的显影工作台中，排出清洗水的状态的示意图。
图14D是表示在变形例的显影工作台中，积存有显影液的状态的示意图。
附图标记说明
1 基片处理装置
40 显影单元
44 辊输送机构(输送机构)
44a 辊
50 显影处理部
51 冲洗处理部(清洗处理部)
60 固定工作台
61 可动工作台
62 工作台移动机构
70 可动工作台
71 显影工作台
75 显影工作台
76 显影液供给喷嘴
77 摆动机构
78 显影液回收管线
79 清洗水供给喷嘴(清洗水供给部)
80 清洗水回收管线
81 隔板。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。
(第一实施方式)
<整体结构>
参照图1，说明第一实施方式的基片处理装置1。图1是表示第一实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。
基片处理装置1包括盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。
在盒站2载置用于收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的盒C。盒站2包括：能够载置多个盒C的载置工作台10；在盒C与第一处理站3之间、第二处理站5与盒C之间输送基片S的输送装置11。
输送装置11包括输送臂11a。输送臂11a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。
第一处理站3对基片S进行包括涂敷光致抗蚀剂的处理。第一处理站3包括准分子UV照射单元(e-UV)20、擦洗单元(SCR)21、预热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。上述单元20～24配置在从盒站2向接口站4去的方向。具体而言，按准分子UV照射单元20、擦洗单元21、预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序配置。
另外，第一处理站3包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25、减压干燥单元(DP)26、第一加热单元(HT)27和第二冷却单元(COL)28。上述的单元25～28在从第一冷却单元24向接口站4去的方向按照光致抗蚀剂涂敷单元25、减压干燥单元26、第一加热单元27、第二冷却单元28的顺序配置。此外，第一处理站3包括辊输送装置(参照图2)29和输送装置30。
准分子UV照射单元20从发出紫外线的紫外线灯对基片S照射紫外线，除去附着于基片S上的有机物。
擦洗单元21对除去了有机物的基片S供给清洗液(例如去离子水(DIW))，并利用刷子等清洗部件对基片S的表面进行清洗。另外，擦洗单元21利用鼓风机等使清洗过的基片S干燥。
预热单元22进一步加热经擦洗单元21干燥后的基片S，进一步使基片S干燥。
粘接单元23对干燥后的基片S吹出六甲基二硅氮烷(HMDS)，对基片S进行疏水化处理。
第一冷却单元24对进行了疏水化处理的基片S吹出冷风以冷却基片S。
光致抗蚀剂涂敷单元25对冷却后的基片S上供给光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。
减压干燥单元26使形成于基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。
第一加热单元27加热对光致抗蚀剂膜进行了干燥的基片S，除去光致抗蚀剂膜中所含的溶剂等。
第二冷却单元28对除去了溶剂等的基片S吹出冷风以冷却基片S。
此处，参照图2，说明辊输送装置29。图2是表示第一实施方式的由辊输送装置29进行的基片输送的示意图。
辊输送装置29包括多个辊29a和多个驱动装置29b。辊输送装置29利用驱动装置29b使辊29a旋转，随着辊29a的旋转而沿基片S的面方向输送基片S。即，辊输送装置29平流式输送基片S。驱动装置29b例如是电动马达。
辊输送装置29如图1中的箭头L所示，将基片S从准分子UV照射单元20输送到第一冷却单元24。另外，辊输送装置29如图1中的箭头M所示，将基片S从第一加热单元27输送到第二冷却单元28。
返回图1，输送装置30包括输送臂30a。输送臂30a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。
输送装置30将基片S从第一冷却单元24输送到光致抗蚀剂涂敷单元25。输送装置30将基片S从光致抗蚀剂涂敷单元25输送到减压干燥单元26。此外，输送装置30将基片S从减压干燥单元26输送到第一加热单元27。输送装置30可以具有多个输送臂，也可以具有在各单元间输送基片S的不同的输送臂。
在接口站4，由第一处理站3将形成有光致抗蚀剂膜的基片S输送到外部曝光装置8和第二处理站5。接口站4包括输送装置31和旋转工作台(RS)32。
外部曝光装置8包括外部装置区块8A和曝光装置8B。外部装置区块8A利用周边曝光装置(EE)除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。此外，外部装置区块8A利用打标器(TITLER)在由曝光装置8B按电路图案曝光后的基片S写入规定的信息。
曝光装置8B使用具有与电路图案对应的图案的光掩模来曝光光致抗蚀剂膜。
输送装置31包括输送臂31a。输送臂31a能够在水平方向和铅垂方向移动，并以铅垂轴为中心旋转。
输送装置31将基片S从第二冷却单元28输送到旋转工作台32。另外，输送装置31将基片S从旋转工作台32输送到外部装置区块8A的周边曝光装置，将被除去了外周部的光致抗蚀剂膜的基片S输送到曝光装置8B。
另外，输送装置31将按电路图案曝光后的基片S从曝光装置8B输送到外部装置区块8A的打标器。然后，输送装置31将写入了规定的信息的基片S从打标器输送到第二处理站5的显影单元(DEV)40。
第二处理站5进行包括显影的处理。第二处理站5包括显影单元40、第二加热单元(HT)41、第三冷却单元(COL)42、检查单元(IP)43和辊输送装置44(参照图2)。上述的单元40～43在从接口站4向盒站2去的方向按显影单元40、第二加热单元41、第三冷却单元42和检查单元43的顺序配置。
显影单元40利用显影液使曝光后的光致抗蚀剂膜显影。另外，显影单元40利用冲洗液除去对光致抗蚀剂膜进行了显影的基片S上的显影液，使冲洗液干燥。对于显影单元40的结构，在后文说明。
第二加热单元41加热将冲洗液干燥后的基片S，除去残留在光致抗蚀剂膜的溶剂和冲洗液。
第三冷却单元42对除去了溶剂和冲洗液的基片S吹出冷风来冷却基片S。
检查单元43对冷却后的基片S进行测量光致抗蚀剂图案(线)的极限寸法(CD)等的检查。
由检查单元43进行了检查的基片S，被输送装置11的输送臂11a从第二处理站5输送到盒站2的盒C。
辊输送装置44的结构与第一处理站3中的辊输送装置29相同，省略此处的说明。辊输送装置44如箭头N所示，将基片S从显影单元40输送到检查单元43。即，辊输送机构44对在表面形成有曝光后的光致抗蚀剂膜的基片S进行平流式输送。
控制装置6例如是计算机，包括控制部6A和存储部6B。存储部6B例如由RAM(RandomAccess Memory，随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。
控制部6A包括含有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)、RAM、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。微型计算机的CPU通过读取并执行存储于ROM的程序，来实现各站2～5的控制。
此外，程序也可以存储于能够计算机可读取的存储介质，从存储介质安装到控制装置6的存储部6B。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<显影单元的结构>
接着，参照图3，对显影单元40进行说明。图3是表示第一实施方式的显影单元40的概略结构的示意图。在图3中，为了说明而省略了辊输送机构44等的一部分结构。以下使用的图中也相同。
此处，规定前后方向，其中在由辊输送机构44输送基片S的输送方向，以接口站4(参照图1)侧为后方，以盒站2(参照图1)侧为前方。即，前后方向与基片S的输送方向一致。另外，规定上下方向，其中以重力作用的方向为下方，以与重力作用的方向相反的方向为上方。另外，规定左右方向，其中在从后方侧观察基片S时，以右手侧为右方向，以左手侧为左方向。
显影单元40包括显影处理部50、冲洗处理部51和干燥处理部52。显影处理部50、冲洗处理部51和干燥处理部52从后方向前方按显影处理部50、冲洗处理部51和干燥处理部52的顺序依次配置。即，显影处理部50、冲洗处理部51和干燥处理部52沿基片S的输送方向按照显影处理部50、冲洗处理部51和干燥处理部52的顺序配置。
显影处理部50从显影液供给喷嘴53a对基片S释放显影液，将显影液供给到基片S进行显影处理。从显影液供给源53b经由显影液供给管线53c对显影液供给喷嘴53a供给显影液。
冲洗处理部51从气刀54a对基片S释放空气，将供给到基片S的显影液除液，进行除液处理。从空气供给源54b经由空气供给管线54c对气刀54a供给空气。气刀54a生成气幕(air curtain)，利用气幕来将显影液除液。
另外，冲洗处理部51从冲洗液供给喷嘴55a对基片S释放冲洗液，清洗基片S，进行冲洗处理。从冲洗液供给源55b经由冲洗液供给管线55c对冲洗液供给喷嘴55a供给冲洗液。
其中，虽然省略了详细的说明，但在显影液供给管线53c等能够设置开闭阀或流量控制阀等。
干燥处理部52对由冲洗处理部51清洗过的基片S进行干燥处理。
接着，参照图4，对显影处理部50进行说明。图4是表示第一实施方式的显影处理部50的概略结构的示意图。
显影处理部50包括固定工作台60、多个可动工作台61和工作台移动机构62。此外，在图4中，以具有4个可动工作台61的显影处理部50为一例进行了表示，不过可动工作台61的数量不限于此。例如，可动工作台61可以是3个。此外，可动工作台61也可以是1个。
各工作台60、61分别具有辊输送机构44(参照图2，输送机构的一例)。各辊输送机构44能够改变辊44a的旋转速度。即，各辊输送机构44能够改变由各工作台60、61输送的基片S的输送速度。
固定工作台60设置于比冲洗处理部51低的位置，位置是固定的。光致抗蚀剂膜被曝光了的基片S由输送装置31(参照图1)输送到固定工作台60。
固定工作台60从显影液供给喷嘴53a对向前方输送的基片S释放显影液，对基片S供给显影液，将基片S送入到初始位置的可动工作台61。初始位置是与固定工作台60的前方相邻的位置，是在固定工作台60的基片S的高度与在可动工作台61的基片S的高度大致相等的位置。换言之，初始位置是能够容易地将基片从固定工作台60送入到可动工作台61的位置。图4中，由“61A”表示初始位置的可动工作台61。
在显影液被供给到基片S的情况下，为了缓和基片S的显影时间差，固定工作台60和在初始位置的可动工作台61的辊输送机构44以预先设定的第一高速输送速度输送基片S。另外，一边以第一高速输送速度输送基片S，一边对基片S供给显影液，由此能够缩短由从显影液供给喷嘴53a释放的显影液在基片S的前端产生显影液的涡流的时间。因此，能够抑制基片S的前端的显影比其它部位进展快的状况，能够抑制基片S的显影斑的产生。
可动工作台61能够在上下方向和前后方向移动。可动工作台61具有能够输送被显影液(处理液的一例)浸湿了的基片S的辊输送机构44，用于输送被显影液浸湿了的基片S。具体而言，可动工作台61一边通过辊输送机构44向前方输送被供给了显影液的基片S，一边在上下方向、前后方向移动。即，基片处理装置1中，在可动工作台61内进行输送基片S的步骤和使可动工作台61至少在上下方向移动的步骤，该可动工作台61具有能够输送被显影液(处理液的一例)浸湿了的基片S的辊输送机构44(输送机构的一例)。
具体而言，将在固定工作台60被供给了显影液的基片S送入初始位置之后，可动工作台61一边通过辊输送机构44向前方输送基片S，一边从初始位置向预先设定的上升位置上升。上升位置是在冲洗处理部51的基片S的高度与在可动工作台61的基片S的高度大致相等的位置。在图4中由“61B”表示上升位置的可动工作台61。
可动工作台61上升到上升位置之后，一边由辊输送机构44向前方输送基片S，一边从上升位置向预先设定的前进位置前进。前进位置是与上升位置高度相同的位置，并且是与冲洗处理部51的后方相邻、能够将基片S送入冲洗处理部51的位置。换言之，前进位置是能够容易地将基片S从可动工作台61送入冲洗处理部51的高度的位置。在图4中，由“61C”表示将前进位置的可动工作台61。
此外，可动工作台61的辊输送机构44在从初始位置移动到前进位置期间，以预先设定的低速输送速度向前方输送基片S。低速输送速度是比第一高速输送速度小的输送速度。在可动工作台61从初始位置移动到前进位置的期间，进行基片S的显影。可动工作台61以低速输送速度输送基片S，由此能够缩短可动工作台61的前后方向的长度。
可动工作台61在前进到前进位置之后，由辊输送机构44向前方输送基片S，将基片S送入冲洗处理部51。
可动工作台61在将基片S送入到冲洗处理部51的情况下，为了缓和基片S中的显影时间差，以预先设定的第二高速输送速度将基片S送入冲洗处理部51。第二高速输送速度是比低速输送速度大的速度。此外，第二高速输送速度可以是与第一高速输送速度相同的速度，也可以是与第一高速输送速度不同的速度，例如是比第一高速输送速度小的速度。
可动工作台61在通过辊输送机构44将基片S送入冲洗处理部51之后，从前进位置向预先设定的退避位置下降。退避位置是与初始位置高度相同的位置。在图4中，由“61D”表示退避位置的可动工作台61。并且，可动工作台61下降到退避位置之后，向初始位置后退。
像这样，可动工作台61按照初始位置、上升位置、前进位置、退避位置的顺序移动，之后返回到初始位置。此外，可动工作台61也可以以与此相反的顺序进行移动。
工作台移动机构62例如是由电动机62a驱动的链式输送机构或带式输送机构，能够使可动工作台61至少在上下方向移动。具体而言，工作台移动机构62能够使可动工作台61在上下方向和前后方向移动。此外，也可以分别在各可动工作台61设置电动机62a。
显影处理部50一边使多个可动工作台61如上所述在上下方向和前后方向移动，并且对多个基片S进行显影处理。即，显影处理部50对某一可动工作台61在初始位置送入基片S，使送入有基片S的可动工作台61上升到上升位置。然后，显影处理部50对下一可动工作台61在初始位置重新送入基片S。
像这样，显影处理部50一边在多个可动工作台61分别进行基片S的显影处理，一边使多个可动工作台61移动。因此，关于基片处理装置1，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。另外，基片处理装置1能够提高基片S的显影处理中的生产量(吞吐量)。
将由上述的显影处理部50进行了显影的基片S送入冲洗处理部51，利用冲洗液进行清洗。即，冲洗处理部(清洗处理部的一例)51对从可动工作台61送入的基片S进行清洗。
<变形例>
接着，对第一实施方式的基片处理装置1的显影处理部50的变形例进行说明。
变形例的显影处理部50中，如图5所示，固定工作台60设置在比冲洗处理部51高的位置。图5是表示变形例的显影处理部50的概略结构的示意图。
可动工作台61从初始位置下降至预先设定的下降位置。下降位置是在冲洗处理部51的基片S的高度与在可动工作台61的基片S的高度大致相等的位置。在图5中，由“61A”表示初始位置的可动工作台61，由“61B”表示下降位置的可动工作台61。
可动工作台61下降至下降位置之后，从下降位置前进至预先设定的前进位置，将基片S送入冲洗处理部51。前进位置是与下降位置高度相同的位置，并且是与冲洗处理部51的后方相邻、能够将基片S送入冲洗处理部51的位置。即，可动工作台61在由工作台移动机构62移动到下方的状态下将基片S送入冲洗处理部51(清洗处理部的一例)。在图5中，由“61C”表示前进位置的可动工作台61。
然后，可动工作台61将基片S送入冲洗处理部51之后，从前进位置上升至预先设定的退避位置。退避位置是与初始位置高度相同的位置。在图5中，由“61D”表示退避位置的可动工作台61。
像这样，可动工作台61按照初始位置、下降位置、前进位置、退避位置的顺序移动，然后返回到初始位置。此外，可动工作台61也可以按照与此相反的顺序移动。
变形例的基片处理装置1例如能够使冲洗处理部51、干燥处理部52的高度为与已有的基片处理装置相同的高度，减少从已有的基片处理装置的变更部位，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
另外，变形例的显影处理部50中，如图6所示，也可以以在固定工作台60的基片S的高度与在冲洗处理部51的基片S的高度大致相等的方式设置固定工作台60。图6是表示变形例的显影处理部50的概略结构的示意图。
可动工作台61从初始位置上升至预先设定的上升位置。在图6中，由“61A”表示初始位置的可动工作台61，由“61B”表示上升位置的可动工作台61。可动工作台61上升至上升位置之后，从上升位置前进至预先设定的前进位置。前进位置是与上升位置高度相同的位置。在图6中，由“61C”表示前进位置的可动工作台61。
可动工作台61前进至前进位置之后，从前进位置下降至预先设定的下降位置，将基片S送入冲洗处理部51。下降位置是在冲洗处理部51的基片S的高度与在可动工作台61的基片S的高度大致相等的位置，并且是与冲洗处理部51的后方相邻、能够将基片S送入冲洗处理部51的位置。在图6中，由“61D”表示下降位置的可动工作台61。可动工作台61在下降了的状态下将基片S送入冲洗处理部51。
然后，可动工作台61将基片S送入冲洗处理部51之后，从下降位置后退至初始位置。像这样，可动工作台61按照初始位置、上升位置、前进位置、下降位置的顺序移动，之后再次返回到初始位置。
变形例的基片处理装置1与图5所示的变形例同样，减少从已有的基片处理装置的变更部位，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
也可以为在由可动工作台61输送基片S时，变形例的显影处理部50使基片S在前后方向往复。即，也可以为辊输送机构44(输送机构的一例)将辊44a的旋转方向改变为正向、逆向，利用可动工作台61使基片S前进和后退。由此，变形例的基片处理装置1能够一边利用可动工作台61使基片S在前后方向往复，一边使基片S显影，能够缩短可动工作台61在前后方向的长度。因此，关于变形例的基片处理装置1，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
此外，可动工作台61也可以向斜上方、斜下方移动。即，可动工作台61的向上下方向、前后方向的移动包括向倾斜方向的移动。
<效果>
基片处理装置1包括可动工作台61和使可动工作台61至少在上下方向移动的工作台移动机构62，该可动工作台61具有能够输送被显影液(处理液的一例)浸湿了的基片S的辊输送机构44(输送机构的一例)。具体而言，可动工作台61能够输送被供给了显影液的基片S。
换言之，基片处理装置1执行基片处理方法，该基片处理方法包括在可动工作台61内输送基片S的步骤和使可动工作台61至少在上下方向移动的步骤，该可动工作台61具有能够输送被显影液(处理液的一例)浸湿了的基片S的辊输送机构44(输送机构的一例)。
由此，基片处理装置1在对光致抗蚀剂膜被曝光了的基片S供给显影液来进行显影处理时，能够使基片S在上下方向移动，并且使基片S显影。因此，关于基片处理装置1，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
另外，基片处理装置1中，能够在可动工作台61内在前后方向输送基片S，能够抑制在基片S的背面产生例如辊44a的转印痕迹。
辊输送机构44能够改变基片S的输送速度。
由此，基片处理装置1在对基片S供给显影液时，能够以第一高速输送速度输送基片S，能够缓和基片S中的显影时间差。另外，基片处理装置1在从基片S将显影液除液时，能够以第二高速输送速度输送基片S，能够缓和基片S中的显影时间差。另外，基片处理装置1能够抑制在基片S的前端产生显影液的涡流的状况，能够抑制在基片S产生显影斑。
并且，基片处理装置1中，在可动工作台61从初始位置移动至前进位置的期间，能够在可动工作台61内以低速输送速度输送基片S。因此，关于基片处理装置1，能够缩短可动工作台61在前后方向的长度，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
工作台移动机构62能够使可动工作台61在前后方向移动。由此，基片处理装置1能够抑制基片处理装置1在左右方向变长的情况。
基片处理装置1包括对从可动工作台61送入的基片S进行清洗的冲洗处理部51(清洗处理部的一例)。可动工作台61在被工作台移动机构62移动到下方的状态下将基片S送入冲洗处理部51。
由此，基片处理装置1能够使冲洗处理部51等的高度与已有的基片处理装置的高度相同，能够减少从已有的基片处理装置的变更部位，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
辊输送机构44利用可动工作台61使基片S前进、后退。由此，关于基片处理装置1，能够缩短可动工作台61在前后方向的长度，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
(第二实施方式)
<显影处理部的结构>
接着，参照图7～图9，对第二实施方式的基片处理装置1的显影处理部50进行说明。图7是表示第二实施方式的显影处理部50的左视的概略结构的示意图。图8是表示第二实施方式的显影处理部50的俯视的概略结构的示意图。图9是表示第二实施方式的显影处理部50的后视的概略结构的示意图。此外，这里，以与第一实施方式不同之处为中心进行说明，对与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记，并省略详细的说明。另外，对于在第二实施方式中能够适用的第一实施方式的变形例和效果也进行省略。
固定工作台60设置在比冲洗处理部51高的位置。
可动工作台61能够在上下方向、左右方向移动。可动工作台61一边利用辊输送机构44(参照图2)向前方输送被供给了显影液的基片S，一边在上下方向、左右方向移动。
具体而言，在利用固定工作台60将被供给了显影液的基片S送入到初始位置之后，可动工作台61从初始位置下降至预先设定的下降位置。下降位置是在冲洗处理部51的基片S的高度与在可动工作台61的基片的高度大致相等的位置，并且是与冲洗处理部51的后方相邻、能够将基片S送入冲洗处理部51的位置。在图7～图9中，由“61A”表示初始位置的可动工作台61，由“61B”表示下降位置的可动工作台61。
可动工作台61下降至下降位置之后，将基片S送入冲洗处理部51。可动工作台61在将基片S送入冲洗处理部51之后，从下降位置移动至预先设定的第一退避位置。第一退避位置是与下降位置高度相同且相对于下降位置位于右方的位置。在图7～图9中，由“61C”表示第一退避位置的可动工作台61。此外，第一退避位置是相对于下降位置位于左方的位置。
可动工作台61在移动到第一退避位置之后，从第一退避位置上升至预先设定的第二退避位置。第二退避位置是与初始位置高度相同的位置。在图7～图9中，由“61D”表示第二退避位置的可动工作台61。然后，可动工作台61上升至第二退避位置之后，从第二退避位置移动至初始位置。
像这样，可动工作台61按照初始位置、下降位置、第一退避位置、第二退避位置的顺序移动，之后返回到初始位置。此外，可动工作台61也可以按照与此相反的顺序移动。
工作台移动机构62能够使可动工作台61在上下方向、左右方向移动。
显影处理部50一边使多个可动工作台61在上下方向、左右方向移动，一边对多个基片S进行显影处理。由此，关于基片处理装置1，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
<变形例>
接着，对第二实施方式的基片处理装置1的显影处理部50的变形例进行说明。
变形例的显影处理部50中，如图10所示，固定工作台60被设置在与冲洗处理部51高度相同处。图10是表示变形例的显影处理部50的左视的概略结构的示意图。
可动工作台61从初始位置向预先设定的第一退避位置移动。第一退避位置如图11所示是与初始位置高度相同且相对于初始位置位于右方的位置。图11是表示变形例的显影处理部50的后视的概略结构的示意图。在图10、图11中，由“61A”表示初始位置的可动工作台61，由“61B”表示第一退避位置的可动工作台61。
可动工作台61移动至第一退避位置之后，从第一退避位置上升至预先设定的第二退避位置。在图10、图11中，由“61C”表示第二退避位置的可动工作台61。
可动工作台61上升至第二退避位置之后，从第二退避位置移动至预先设定的第三退避位置。第三退避位置是与第二退避位置高度相同且在初始位置的上方的位置。在图10、图11中，由“61D”表示第三退避位置的可动工作台61。可动工作台61移动至第三退避位置之后，从第三退避位置下降至初始位置。
然后，可动工作台61在下降至初始位置时，将基片S送入冲洗处理部51。即，可动工作台61在初始位置从固定工作台60被送入基片S，移动到第一退避位置、第二退避位置、第三退避位置之后，在初始位置将基片S送入冲洗处理部51。另外，能够从固定工作台60将新的基片S送入可动工作台61。
像这样，可动工作台61在初始位置将基片S送入冲洗处理部51，并且能够被送入新的基片S。
<效果>
工作台移动机构62能够使可动工作台61在左右方向移动。由此，基片处理装置1能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。
(第三实施方式)
<显影处理部的结构>
接着，参照图12，对第三实施方式的基片处理装置1的显影处理部50进行说明。图12是表示第三实施方式的显影处理部50的左视的概略结构的示意图。此外，这里，以与第一实施方式不同之处为中心进行说明，对于与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记，并省略详细的说明。另外，对于在第三实施方式中能够适用的第一实施方式的变形例和效果也省略了说明。
显影处理部50包括固定工作台60、可动工作台70、多个显影工作台71和工作台移动机构62。此外，图12中，以具有3个显影工作台71的显影处理部50为一例进行了表示，但是显影工作台71的数量不限于此。例如，显影工作台71可以是4个。另外，显影工作台71也可以是1个。
各工作台60、70、71分别具有辊输送机构44(参照图2，输送机构的一例)。另外，设置于可动工作台70和显影工作台71的辊输送机构44能够改变辊44a的旋转方向。即，设置于可动工作台61和显影工作台71的辊输送机构44能够将辊44a的旋转方向改变为正向、逆向，从而使基片S前进、后退。
可动工作台70能够在上下方向移动。可动工作台70中，沿上下方向设置有多层辊输送机构44，能够由各辊输送机构44输送基片S。即，可动工作台70一边在多层输送基片S，一边在上下方向移动。
具体而言，在可动工作台70设置有2层的辊输送机构44，由上层的辊输送机构44输送没有被供给显影液的基片S，由下层的辊输送机构44输送被供给了显影液的基片S(用处理液浸湿了的基片的一例)。
在可动工作台70中，将没有被供给显影液的基片S从固定工作台60送入到上层。可动工作台70将没有被供给显影液的基片S从上层送入显影工作台71。
另外，在可动工作台70中，将被供给了显影液的基片S从显影工作台71送入下层。可动工作台70将被供给了显影液的基片S从下层送入冲洗处理部51。
工作台移动机构62能够使可动工作台70在上下方向移动。
显影工作台71设置在冲洗处理部51的上方。显影工作台71包括显影液供给喷嘴53a。显影工作台71利用显影液使由可动工作台70送入的基片S显影。具体而言，显影工作台71从显影液供给喷嘴53a对从可动工作台70的上层送入的基片S释放显影液，来供给显影液。
显影工作台71使被供给了显影液的基片S在预先设定的显影时间在前后方向往复后，如图12中虚线所示，将被供给了显影液的基片S送入可动工作台70的下层。
冲洗处理部51设置在显影工作台71的下方，对从可动工作台70送入的基片S进行清洗。
<变形例>
接着，对第三实施方式的基片处理装置1的显影处理部50的变形例进行说明。
变形例的显影处理部50中，如图13所示，显影工作台75为积存显影液的显影液槽。显影工作台75将基片S浸渍在显影液中来使基片S显影。图13是表示变形例的显影处理部50的左视的概略结构的示意图。此外，在图13中，以具有3个显影工作台75的显影处理部50为一例进行了表示，但显影工作台75的数量并不限于此。例如，显影工作台75可以为4个。另外，显影工作台75也可以为1个。
显影工作台75形成为在上下方向的截面呈大致L字状，为了积存显影液，底面75a是倾斜的。具体而言，底面75a以前端较高的方式倾斜。从显影液供给喷嘴76对显影工作台75供给显影液，显影工作台75积存显影液。
显影工作台75以底面75a的前端降低的方式由摆动机构77摆动，从而将显影液排出到显影液回收管线78。显影液回收管线78利用摆动机构77摆动显影工作台75，由此回收从显影工作台75排出的显影液。
另外，在显影工作台75中，在其被摆动机构77摆动以使得底面75a的前端降低的状态下，从清洗水供给喷嘴79供给清洗水。即，清洗水供给喷嘴79(清洗水供给部的一例)对由摆动机构77摆动显影工作台75而显影液被排出了的状态的显影工作台75供给清洗水。将供给到显影工作台75的清洗水排出到清洗水回收管线80。清洗水回收管线80回收从显影工作台75排出的清洗水。
摆动机构77能够使显影工作台75摆动。具体而言，摆动机构77通过驱动电动机77a(例如摆动电动机)来摆动显影工作台75。此外，摆动机构77可以分别设置在各显影工作台75。
显影液向显影液回收管线78排出和清洗水向清洗水回收管线80排出这两个动作能够通过可动式的隔板81来切换。即，隔板81使从显影工作台75排出的显影液或者清洗水选择性地流入显影液回收管线78或者清洗水回收管线80。
显影工作台75在积存有显影液的状态下由可动工作台70送入基片S时，如图14A所示，将基片S浸渍在显影液中。图14A是表示变形例的显影工作台75中将基片S浸渍了的状态的示意图。
基片S以预先设定的显影时间被浸渍在显影液中，当显影结束时，显影工作台75被摆动机构77摆动，如图14B所示，底面75a的前端降低，将显影液排出到显影液回收管线78。图14B是表示在变形例的显影工作台75中，排出显影液的状态的示意图。此外，能够利用隔板81来防止显影液流入清洗水回收管线80。
当显影液的排出完成时，从清洗水供给喷嘴79对显影工作台75供给清洗水，来清洗基片S。如图14C所示，清洗水被排出到清洗水回收管线80。图14C是表示在变形例的显影工作台75中，排出清洗水的状态的示意图。此外，隔板81以不将清洗水排出到显影液回收管线78的方式移动，能够防止清洗水流入显影液回收管线78。
此外，也可以在显影工作台75设置止挡件，以使得在排出显影液或者清洗水时基片S不能从显影工作台75滑出。
并且，当基片S的清洗完成时，将被清洗水(处理液的一例)浸湿了的基片S送入可动工作台70。此外，显影处理部50中，利用吸附垫吸附基片S的端部，将基片S从显影工作台75输送到可动工作台70。另外，显影处理部50也可以利用推出机构推出基片S，以将基片S从显影工作台75送入到可动工作台70。
另外，变形例的显影处理部50中，也可以使显影工作台75摆动来供给清洗水，由此使基片S滑动而从显影工作台75送入到可动工作台70。在该情况下，也可以使可动工作台70摆动。由此，能够容易地将基片S送入可动工作台70。
在基片S被送入可动工作台70之后，如图14D所示，显影工作台75以底面75a的前端变高的方式由摆动机构77摆动。然后，由显影液供给喷嘴76对显影工作台75供给显影液，在显影工作台75积存显影液。图14D是表示变形例的显影工作台中，积存有显影液的状态的示意图。
此外，显影工作台75能够使显影液在显影工作台75内循环。由此，在显影工作台75内能够抑制显影液的浓度、温度发生不均，能够抑制显影斑的产生。
另外，变形例的显影工作台75也可以为不具有摆动机构77、清洗水供给喷嘴79等，而能够浸渍基片S的结构。在该情况下，例如在显影工作台75，辊输送机构44设置在比显影液的液面靠下方处，利用辊输送机构44来输送基片S。
<效果>
基片处理装置1包括：利用显影液使由可动工作台70送入的基片S显影的多个显影工作台71、75；和冲洗处理部51(清洗处理部的一例)，其设置于显影工作台75的下方，能够对从可动工作台70送入的基片S进行清洗。
由此，关于基片处理装置1，能够在上下方向配置显影工作台71、75和冲洗处理部51，能够缩短基片处理装置1在前后方向的长度。另外，基片处理装置1中，即使在某显影工作台71、75发生了不良状况的情况下，也能够由其它的显影工作台71、75进行显影处理。另外，基片处理装置1中，例如能够由不同的显影工作台71、75进行显影液的浓度不同的多个显影处理。
显影工作台75将基片S浸渍在显影液中来使基片S显影。由此，基片处理装置1能够抑制在基片S的前端产生显影液的涡流的情况，能够抑制在基片S产生显影斑。
基片处理装置1包括：使显影工作台75摆动的摆动机构77；和显影液回收管线78，其回收由摆动机构77摆动显影工作台75从而从显影工作台75排出的显影液。此外，基片处理装置1包括清洗水供给喷嘴79(清洗水供给部的一例)，其对由摆动机构77摆动显影工作台75而排出了显影液的状态的显影工作台75供给清洗水。另外，基片处理装置1包括：回收从显影工作台75排出的清洗水的清洗水回收管线80；和可动式的隔板81，其使从显影工作台75排出的显影液或者清洗水选择性地流入显影液回收管线78或者清洗水回收管线80。
由此，基片处理装置1能够防止从显影工作台75排出的显影液流入清洗水回收管线80。另外，基片处理装置1能够防止从显影工作台75排出的清洗水流入显影液回收管线78。
此外，本发明所公开的实施方式的全部内容仅为例示，不应该理解为限定性的内容。实际上，上述实施方式能够以各种各样的形式具体实现。另外，上述实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够进行各种形式的省略、置换和改变。

Claims (11)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
可动工作台，其具有能够输送用处理液浸湿了的基片的输送机构；和
工作台移动机构，其能够使所述可动工作台至少在上下方向移动。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述可动工作台能够输送被供给了显影液的所述基片。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述工作台移动机构能够使所述可动工作台在前后方向移动。
4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述工作台移动机构能够使所述可动工作台在左右方向移动。
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括清洗处理部，其能够清洗从所述可动工作台送入的所述基片，
所述可动工作台在其被所述工作台移动机构移动到下方的状态下将所述基片送入所述清洗处理部。
6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
多个显影工作台，其利用显影液使由所述可动工作台送入的所述基片显影；和
清洗处理部，其设置在所述显影工作台的下方，能够清洗从所述可动工作台送入的所述基片。
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述显影工作台将所述基片浸渍于所述显影液中来使所述基片显影。
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
使所述显影工作台摆动的摆动机构；
显影液回收管线，通过由所述摆动机构摆动所述显影工作台，其回收从所述显影工作台排出的所述显影液；
清洗水供给部，其将清水供给到由所述摆动机构摆动所述显影工作台而排出了所述显影液的状态的所述显影工作台；
回收从所述显影工作台排出的所述清洗水的清洗水回收管线；和
可动式的隔板，其使从所述显影工作台排出的所述显影液或者所述清洗水选择性地流入所述显影液回收管线或者所述清洗水回收管线。
9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述输送机构能够改变所述基片的输送速度。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述输送机构利用所述可动工作台使所述基片前进、后退。
11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
在可动工作台内输送基片的步骤，其中所述可动工作台具有能够输送用处理液浸湿了的所述基片的输送装置；和
使所述可动工作台至少在上下方向移动的步骤。
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