CN110512246B - 一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,包括以下步骤:聚氨酯的预处理、设置导电丝、预镀、电镀镍、泡沫金属的改性,聚氨酯的预处理是用导电胶法对聚氨酯进行导电化处理,在预处理后的聚氨酯基体中均匀布上导电丝,再进行预镀、电镀镍、泡沫金属的改性。本发明所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,工艺简单,灵活性高,先采用导电胶法进行导电化处理,成本低,工艺简单,通过对电压、电流密度、镀液成分、温度等参数的改进,提高了所述泡沫金属的镀层表面的光滑程度以及力学性能,最后对泡沫金属进行改性,大幅度改善了材料的导热性能,具有良好的发展前景。
Description
技术领域
本发明属于新型材料技术领域,具体涉及一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺。
背景技术
随着现代社会工业信息化的发展,自动化,智能化的趋势越发显现。无论是公共服务、民生以及医疗教育乃至军事都对电子技术的进一步发展有着更高的要求。
现代电子元器件的功耗越来越大,功率越来越高,这些变化带来了更多的发热影响。这对电子元器件的功率提升以及安全性问题都提出了非常多的挑战。散热能力是元器件功耗以及安全的瓶颈之一,增强散热能力无论对于电子元器件性能的提升还是安全性的保障都有着非常重大的意义。
想要提升散热能力,一套完整的散热***是必要且必须的。从构型设计到辅助散热装置的调控,都必须有着严格且合适的设计。考虑到应用范围,极端高温以及极端低温的影响也应当涉及其中。在考虑以上的因素的同时,还应当兼顾散热***的小型化,降低功耗,同时提升可维护性与被散热的器件结合才能真正的达到提升效率以及安全性的结果。
而泡沫金属是一种细胞结构组成的固体金属,一般来说一大部分的体积是孔隙体积。毛孔可以密封(闭孔泡沫)或互联(开孔泡沫)。金属泡沫的定义特征是高孔隙度:通常只有5-25%的体积是金属,使这些超轻型材料有着迥异的机械性能和优良的散热性能。
由于将泡沫金属应用在电子元器件的散热***时,需要贴合电子元器件本身的形状特点,有一定的结构强度,抗弯折性以及稳定性,同时为了提升安全性,应当同时能应对抗冲击震动等特殊情况。因此,研究出一种针对与电子元器件的散热***的泡沫金属十分有必要。并且,目前对于泡沫金属的制备工艺研究还不成熟,并且对于不同应用场合和不同种类的泡沫金属制备工艺的差别较大。
中国专利申请号为CN201820930241.X公开了一种电子元器件散热片,电子元器件散热片套设在电子元器件上,将电子元器件产生的热量吸收后通过导热柱传导给散热雷达,再通过散热雷达将热量散发到空气中,将电子元器件产生的热量及时散发出去,保障电子元器件安全工作。该专利只是通过对散热***的结构进行改进来提高散热能力,没有涉及散热***的使用材料。
发明内容
发明目的:为了克服以上不足,本发明的目的是提供一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,工艺简单,灵活性高,先采用导电胶法进行导电化处理,成本低,工艺简单,通过对电压、电流密度、镀液成分、温度等参数的改进,提高了所述泡沫金属的镀层表面的光滑程度以及力学性能,最后对泡沫金属进行改性,大幅度改善了材料的导热性能,具有良好的发展前景。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)聚氨酯的预处理:用导电胶法对聚氨酯进行导电化处理;
(2)设置导电丝:在预处理后的聚氨酯基体中均匀布上导电丝;
(3)预镀:将镀槽两边分别放置一个钛篮作为正极,所述钛篮中放置相同质量的镍块;将上述聚氨酯固定在镀槽中央,连接好电极后,设定电源为稳压,设定电压为4V;泡沫聚氨酯有接近一半覆盖上镍层时将电压调整为6V,电流密度为2.5A/dm2;直到电流稳定,聚氨酯表面均匀的覆盖上一层镍层时,预镀过程结束;
(4)电镀镍:在镀槽外侧填满镀液,所述镀液的温度为40-50℃,所述镀液为添加有十二烷基硫酸钠、糖精、苯亚磺酸钠、1,4-丁二炔的混合液,并且十二烷基硫酸钠为0.1g/L,糖精为1g/L,苯亚磺酸钠为0.04g/L,1,4-丁二炔为0.3g/L;打开超声波振板,选择脉冲式的超声波,所述超声波的频率为48kHZ,电沉积完成后取出所述泡沫金属,用去离子水洗净后烘干。
本发明所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,先采用导电胶法进行导电化处理,成本低,工艺简单,通过对电压、电流密度、镀液成分、温度等参数的改进,提高了所述泡沫金属的镀层表面的光滑程度以及力学性能。镀液中的添加剂在镀液中的含量很小,但是作用却很大,参与了氧化还原反应和共沉积,达到了细化晶粒和结晶生长定向排列产生层状组织的作用,不仅可以使镀层表面光滑光亮,对镀层的机械和化学性能的影响也很大。其中,糖精同时有应力消除和光亮的作用;十二烷基硫酸钠是润湿剂,它是阴离子表面活性剂,可以吸附在阴极表面使氢气难以滞留,减少针孔和麻点;糖精和苯亚磺酸钠是初级光亮剂,这些物质的磺酰基含不饱和碳键,可以吸附在阴极,增加阴极极化,减小晶粒尺寸。所述添加剂可以在放电时嵌入镀层,夹杂到晶格中,增加晶粒间的电流,从而增加表面平整度。但是同时会使镀层中存在压应力;1,4-丁二炔是次级光亮剂,具有整平作用,可以填补具有一定几何形状的凹坑,并可以抵消压应力。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述聚氨酯为三维通孔结构,孔密度为12PPI,孔径分布在2.0~2.4mm之间。
聚氨酯作为泡沫镍的支架材料,聚氨酯的孔密度和孔径分布分布决定了泡沫金属的孔密度和孔径分布,均匀的孔径分布有易于泡沫金属的力学性能的均匀性。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述步骤(3)中的钛篮中放置镍块的总截面积等于聚氨酯的截面积。
当镍块的总截面积等于泡沫聚氨酯的截面积时,既正负极面积比为1:1,此时能够获得稳定高效的电沉积电流。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺及,所述步骤(2)中的导电丝为0.5mm的软铜丝,在所述聚氨酯长度和宽度方向分别均匀分布5条导电丝。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述聚氨酯的预处理,包括以下步骤:
(1)超声清洗除油:将聚氨酯浸入除油液中在置于超声机中连续清洗10分钟并且用清洗棒按压聚氨酯以充分除油,所述超声频率为28kHZ结束后用纯水洗净烘干;
(2)粗化:将上述聚氨酯浸入清水中粗化液中进行粗化处理,粗化时间为1min;
(3)涂覆导电胶:将上述聚氨酯完全浸没到导电胶中,在超声条件下,反复挤压,持续2分钟后,取出聚氨酯完全挤干多余的导电胶,直到没有被导电胶堵塞的孔为止,重复此操作三次后,60℃烘干。
因为聚氨酯是不导电的,因此要先对聚氨酯进行导电化处理,由于化学镀法毒性大,且成本高,因此本发明采用导电胶法对聚氨酯进行导电化处理。由于聚氨酯生产和运输的过程中不可避免的在表面沾染油渍,为了避免对后续工艺造成影响,需要对聚氨酯进行除油处理;涂覆导电胶前的粗化步骤是使聚氨酯形成粗糙的表面,有利于形成更加厚的导电胶涂覆层,从而增强导电性。本发明采用强氧化性粗化液。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述除油液为Na2CO3、Na3PO4、NaOH、OP-10的混合液;所述Na2CO3为20-30g/L,所述Na3PO4为10-30g/L,所述NaOH为10-20g/L,所述OP-10为0.5mL/L。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述粗化液为H2SO4、KMnO4、NiSO4·6H2O、NiCl2·6H2O的混合液;所述H2SO4为13mL/L,所述KMnO4 7g/L,所述NiSO4·6H2O为250-300g/L,所述NiCl2·6H2O为30-50g/L。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述导电胶为石墨导电胶乳,所述石墨导电胶乳的石墨含量为20%wt,所述石墨的粒径为10μm。
增加石墨含量、减小石墨粒径可以使导电胶保持较低的粘度并增加导电性。在聚氨酯表面形成的导电胶层导电性越好,电沉积镍层就会越均匀。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,还包括如下步骤(5)泡沫金属的改性:将步骤(4)得到的所述泡沫金属浸没在含硅烷偶联剂3%的乙醇稀释液中,充分浸润后取出烘干,加热保持在90℃;将液态的石蜡与碳化硼以重量3:1的比例混合,在保温状态下机械搅拌300n/min搅拌10分钟,混合均匀后将温度降低至60℃,得到所述混合熔体;然后上述泡沫金属浸没在所述混合熔体中,按压抖动泡沫金属排除气泡;放入真空干燥箱中,抽真空至负压-0.8MPa,冷却3小时,取出并去除多余的石蜡,得到所述泡沫金属。
泡沫金属中的聚氨酯、镍涂层的力学性能主导了其力学性能,而石蜡和碳化硼起到了强化作用,改性后的泡沫金属的导热性能是未改性的泡沫金属的2~4倍,添加碳化硼以后导热系数大大增加,泡沫金属形成了完整的导热通路,大幅度改善了材料的导热性能。
进一步的,上述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述步骤(5)中的碳化硼浸没在含硅烷偶联剂3%的乙醇溶液中,充分浸润后取出烘干,加热保持在90℃。
碳化硼在所述泡沫金属中起到吸收热中子的作用,同时碳化硼对泡沫金属的力学性能也起到了强化作用。但是如果碳化硼在基体中分散不均匀,会导致中子的泄漏,也会导致力学性能降低。将碳化硼浸没在含硅烷偶联剂3%的乙醇溶液进行表面处理,硅烷偶联剂改变改善碳化硼和石蜡的润湿性,从而改善碳化硼在石蜡中的分散性。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
(1)本发明公开的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,先采用导电胶法进行导电化处理,相对化学镀法毒性大、成本高,导电胶法成本低,工艺简单,通过除油、粗化解决了导电胶法涂覆不均匀的问题;在预镀、电镀镍工艺中,通过对电压、电流密度、镀液成分、温度等参数的改进,提高了所述泡沫金属的镀层表面的光滑程度以及力学性能;采用石蜡和碳化硼对泡沫金属进行改进,强化了力学性能,大大提高了导热系数;
(2)本发明提出的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,工艺简单,且具有很高的灵活性,满足不同场合的需要,具有良好的发展前景;
(3)本发明提出的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,向镀液中加入了添加剂,虽然添加剂在镀液中的含量很小,但是作用却很大,参与了氧化还原反应和共沉积,达到了细化晶粒和结晶生长定向排列产生层状组织的作用,不仅可以使镀层表面光滑光亮,还提高了镀层的机械和化学性能。
具体实施方式
下面将结合具体实验数据,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通的技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明的保护范围。
以下实施例提供了一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,所述聚氨酯为三维通孔结构,孔密度为12PPI,孔径分布在2.0~2.4mm之间。
进一步的,所述步骤(3)中的钛篮中放置镍块的总截面积等于聚氨酯的截面积。
进一步的,所述步骤(2)中的导电丝为0.5mm的软铜丝,在所述聚氨酯长度和宽度方向分别均匀分布5条导电丝。
并且,所述除油液为Na2CO3、Na3PO4、NaOH、OP-10的混合液;所述Na2CO3为20-30g/L,所述Na3PO4为10-30g/L,所述NaOH为10-20g/L,所述OP-10为0.5mL/L。
进一步的,所述粗化液为H2SO4、KMnO4、NiSO4·6H2O、NiCl2·6H2O的混合液;所述H2SO4为13mL/L,所述KMnO4 7g/L,所述NiSO4·6H2O为250-300g/L,所述NiCl2·6H2O为30-50g/L。
此外,所述导电胶为石墨导电胶乳,所述石墨导电胶乳的石墨含量为20%wt,所述石墨的粒径为10μm。
实施例1
未改性的泡沫金属的制备:
(1)聚氨酯的预处理:用导电胶法对聚氨酯进行导电化处理;
1)超声清洗除油:将聚氨酯浸入除油液中在置于超声机中连续清洗10分钟并且用清洗棒按压聚氨酯以充分除油,所述超声频率为28kHZ结束后用纯水洗净烘干;
2)粗化:将上述聚氨酯浸入清水中粗化液中进行粗化处理,粗化时间为1min;
(3)涂覆导电胶:将上述聚氨酯完全浸没到导电胶中,在超声条件下,反复挤压,持续2分钟后,取出聚氨酯完全挤干多余的导电胶,直到没有被导电胶堵塞的孔为止,重复此操作三次后,60℃烘干;
(2)设置导电丝:在预处理后的聚氨酯基体中均匀布上导电丝;
(3)预镀:将镀槽两边分别放置一个钛篮作为正极,所述钛篮中放置相同质量的镍块;将上述聚氨酯固定在镀槽中央,连接好电极后,设定电源为稳压,设定电压为4V;泡沫聚氨酯有接近一半覆盖上镍层时将电压调整为6V,电流密度为2.5A/dm2;直到电流稳定,聚氨酯表面均匀的覆盖上一层镍层时,预镀过程结束;
(4)电镀镍:在镀槽外侧填满镀液,所述镀液的温度为40-50℃,所述镀液为添加有十二烷基硫酸钠、糖精、苯亚磺酸钠、1,4-丁二炔的混合液,并且十二烷基硫酸钠为0.1g/L,糖精为1g/L,苯亚磺酸钠为0.04g/L,1,4-丁二炔为0.3g/L;打开超声波振板,选择脉冲式的超声波,所述超声波的频率为48kHZ,电沉积完成后取出所述泡沫金属,用去离子水洗净后烘干。
实施例2
改性泡沫金属的制备:
(1)聚氨酯的预处理:用导电胶法对聚氨酯进行导电化处理;
(2)设置导电丝:在预处理后的聚氨酯基体中均匀布上导电丝;
(3)预镀:将镀槽两边分别放置一个钛篮作为正极,所述钛篮中放置相同质量的镍块;将上述聚氨酯固定在镀槽中央,连接好电极后,设定电源为稳压,设定电压为4V;泡沫聚氨酯有接近一半覆盖上镍层时将电压调整为6V,电流密度为2.5A/dm2;直到电流稳定,聚氨酯表面均匀的覆盖上一层镍层时,预镀过程结束;
(4)电镀镍:在镀槽外侧填满镀液,所述镀液的温度为40-50℃,所述镀液为添加有十二烷基硫酸钠、糖精、苯亚磺酸钠、1,4-丁二炔的混合液,并且十二烷基硫酸钠为0.1g/L,糖精为1g/L,苯亚磺酸钠为0.04g/L,1,4-丁二炔为0.3g/L;打开超声波振板,选择脉冲式的超声波,所述超声波的频率为48kHZ,电沉积完成后取出所述泡沫金属,用去离子水洗净后烘干。
(5)泡沫金属的改性:将步骤(4)得到的所述泡沫金属浸没在含硅烷偶联剂3%的乙醇稀释液中,充分浸润后取出烘干,加热保持在90℃;将碳化硼浸没在含硅烷偶联剂3%的乙醇溶液中,充分浸润后取出烘干,加热保持在90℃;将液态的石蜡与上述碳化硼以重量3:1的比例混合,在保温状态下机械搅拌300n/min搅拌10分钟,混合均匀后将温度降低至60℃,得到所述混合熔体;然后上述泡沫金属浸没在所述混合熔体中,按压抖动泡沫金属排除气泡;放入真空干燥箱中,抽真空至负压-0.8MPa,冷却3小时,取出并去除多余的石蜡,得到所述泡沫金属。
效果验证:
按照下述标准对由上述实施例1、实施例2得到的用于电子元器件散热***的泡沫金属进行性能检测,测试结果如表1所示。
导热性能:导热系数的测试方法为热流法,使用的导热系数测试仪为DRL-Ⅲ导热系数测试***,将上述实施例1、实施例2得到的用于电子元器件散热***的泡沫金属样品制成10cm×20cm的圆柱体,热源设定为60℃,冷端为0℃的冰水混合物。为了避免热源与材料的不良接触,在样品两端涂覆导热硅脂以增强热接触。重复测试三次取平均值。
力学性能测试:使用动态热机械分析仪(DMAQ800)测试由上述实施例1、实施例2得到的用于电子元器件散热***的泡沫金属的抗拉强度,力的范围:0.0001~18N;力的敏度:0.00001N;动态变形范围:0.5μm~10mm;静态变形范围:0.5μm~26mm。样品起始夹持位置距离为2cm,中间狭小部分宽度为3mm,厚度为1mm。打开炉子,安装拉伸夹具,将试样安装在夹具上。设定施加在样品上的一系列频率固定而力的大小以一定步长增加的动态力,,每组试样记录三次数据。设定测试环境温度为26℃,拉伸速度为9N/min,应变的分辨率为1nm。样品呈哑铃状,只有在试样中间狭小平行部分的断裂才有效。
表1样品性能测试结果
本发明具体应用途径很多,以上所述仅是本发明的优选实施方式。应当指出,以上实施例仅用于说明本发明,而并不用于限制本发明的保护范围。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进,这些改进也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,其特征在于,包括以下步骤:
(1)聚氨酯的预处理:用导电胶法对聚氨酯进行导电化处理;
(2)设置导电丝:在预处理后的聚氨酯基体中均匀布上导电丝;
(3)预镀: 将镀槽两边分别放置一个钛篮作为正极,所述钛篮中放置相同质量的镍块;将上述聚氨酯固定在镀槽中央,连接好电极后,设定电源为稳压,设定电压为 4 V;泡沫聚氨酯有接近一半覆盖上镍层时将电压调整为6 V,电流密度为2.5A/dm2;直到电流稳定,聚氨酯表面均匀的覆盖上一层镍层时,预镀过程结束;
(4)电镀镍:在镀槽外侧填满镀液,所述镀液的温度为40-50℃,所述镀液为添加有十二烷基硫酸钠、糖精、苯亚磺酸钠、1, 4-丁二炔的混合液,并且十二烷基硫酸钠为0.1g/L,糖精为1g/L,苯亚磺酸钠为0.04g/L,1, 4-丁二炔为0.3g/L;打开超声波振板,选择脉冲式的超声波,所述超声波的频率为48kHZ,电沉积完成后取出所述泡沫金属,用去离子水洗净后烘干;
(5)泡沫金属的改性:将步骤(4)得到的所述泡沫金属浸没在含硅烷偶联剂 3%的乙醇稀释液中,充分浸润后取出烘干,加热保持在 90℃;将碳化硼浸没在含硅烷偶联剂 3%的乙醇稀释液中,充分浸润后取出烘干,加热保持在 90℃;将液态的石蜡与碳化硼以重量 3:1的比例混合,在保温状态下机械搅拌 300 n/min 搅拌 10 分钟,混合均匀后将温度降低至60℃,得到所述混合熔体;然后上述泡沫金属浸没在所述混合熔体中,按压抖动泡沫金属排除气泡;放入真空干燥箱中,抽真空至负压-0.8 MPa,冷却 3 小时,取出并去除多余的石蜡,得到所述泡沫金属。
2.根据权利要求1所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述聚氨酯为三维通孔结构,孔密度为 12 PPI,孔径分布在 2.0~2.4 mm 之间。
3.根据权利要求1所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述步骤(3)中的钛篮中放置镍块的总截面积等于聚氨酯的截面积。
4.根据权利要求1所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述步骤(2)中的导电丝为0.5 mm 的软铜丝,在所述聚氨酯长度和宽度方向分别均匀分布 5 条导电丝。
5.根据权利要求1所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述聚氨酯的预处理,包括以下步骤:
(1)超声清洗除油:将聚氨酯浸入除油液中在置于超声机中连续清洗 10 分钟并且用清洗棒按压聚氨酯以充分除油,所述超声频率为28 kHZ结束后用纯水洗净烘干;
(2)粗化:将上述聚氨酯浸入清水中粗化液中进行粗化处理,粗化时间为1min;
(3)涂覆导电胶:将上述聚氨酯完全浸没到导电胶中,在超声条件下,反复挤压,持续 2分钟后, 取出聚氨酯完全挤干多余的导电胶, 直到没有被导电胶堵塞的孔为止,重复此操作三次后,60℃烘干。
6.根据权利要求5所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述除油液为Na2CO3、Na3PO4、NaOH 、OP-10的混合液;所述Na2CO3为20-30g/L,所述Na3PO4为10-30 g/L,所述NaOH为10-20 g/L,所述OP-10 为0.5mL/L。
7.根据权利要求5所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述粗化液为H2SO4、KMnO4 、NiSO4·6H2O、NiCl2·6H2O 的混合液;所述H2SO4为13 mL/L,所述KMnO4 7 g/L,所述NiSO4·6H2O为250-300 g/L,所述NiCl2·6H2O为30-50g/L。
8.根据权利要求5所述的用于电子元器件散热***的泡沫金属的制备工艺,其特征在于,所述导电胶为石墨导电胶乳,所述石墨导电胶乳的石墨含量为20%wt,所述石墨的粒径为10μm。
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