CN110165171B - 一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用 - Google Patents

一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN110165171B
CN110165171B CN201910410113.1A CN201910410113A CN110165171B CN 110165171 B CN110165171 B CN 110165171B CN 201910410113 A CN201910410113 A CN 201910410113A CN 110165171 B CN110165171 B CN 110165171B
Authority
CN
China
Prior art keywords
composite material
solution
cobalt disulfide
rgo
situ self
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910410113.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110165171A (zh
Inventor
廖松义
闵永刚
刘屹东
张诗洋
王勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Dongguan South China Design and Innovation Institute
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Dongguan South China Design and Innovation Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology, Dongguan South China Design and Innovation Institute filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201910410113.1A priority Critical patent/CN110165171B/zh
Publication of CN110165171A publication Critical patent/CN110165171A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110165171B publication Critical patent/CN110165171B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/362—Composites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/581—Chalcogenides or intercalation compounds thereof
    • H01M4/5815—Sulfides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
    • H01M4/624—Electric conductive fillers
    • H01M4/625—Carbon or graphite
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
    • H01M2004/027—Negative electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Abstract

本发明公开一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用，所述原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料是将GO水溶液加入到可溶性钴盐水溶液和硫化剂水溶液的混合溶液中，经搅拌，超声后，将所得的GO混合溶液在不锈钢反应釜中，在150～280℃反应，随炉冷却，抽滤后可得到固体进行冷冻干燥处理制得。该复合材料具有纳米花状的三维微观结构，其纳米花由二硫化钴单晶片组成，原位生长在二维rGO纳米片基体上，该基体能够有效的容纳二硫化钴在充放电过程中的体积效应，导电性能好。同时，该复合材料具有优异的充放电循环性能和倍率性能，可应用在锂离子电池负极材料领域中。

Description

一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方 法和应用
技术领域
本发明属于锂离子电池负极材料技术领域，更具体地，涉及一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用。
背景技术
随着社会的进步与发展，人类所面临的能源问题日益凸显。锂离子电池作为目前最为成功的商业化储能装置，缓解了人们对于能源存储方面的部分忧虑，因此受到了各界人士的热捧。特别地，由于锂离子电池的绿色/环保及可循环利用等优势，其在电动汽车领域得到广泛的发展应用。目前，市场上锂离子电池中所采用的负极活性材料通常是各种导电性好/具有层状结构的石墨类材料，其理论比容量为372mAh/g，比较适合锂离子的嵌入和脱嵌，且表现出较高的首次库伦效率和较好的循环稳定性。但是，随着行业及技术的发展，人们对锂离子电池的性能参数如容量、能量密度和循环寿命提出了更高的要求，石墨类负极材料制备的锂离子电池在目前已无法满足高比能量锂离子电池的要求。
二硫化钴作为锂离子电池电极材料，其理论比容量通常高达>700mAh/g，是商业化石墨类负极材料的至少两倍以上，此外，硫元素储量非常丰富，价格十分低廉，且二硫化钴材料的嵌锂电压相对较低，非常适合作为下一代高能量的锂离子电池电芯的负极材料。然而，该类材料在进入锂离子充放电过程中，会产生较大的体积膨胀率，导致二硫化钴材料的粉化和脱落，其一方面将影响活性材料与集流体之间的接触，阻碍的电子传输过程；另一方面，也会导致固体电解质界面膜在循环过程中逐渐增厚，从而不断地消耗锂离子并会增大电池内部阻抗，使得容量和库伦效率不断衰减，循环寿命下降。因此，必须在其充放电过程缓冲其产生的体积效应，从而尽可能提高其循环稳定性。
针对上述问题，目前常用的解决方案是制备硫化钴纳米颗粒、制备硫化钴片，以及将其与碳材料进行复合，是一种比较有前景的方法。但是，现有的硫化钴/石墨烯复合材料，仅仅对二硫化钴材料进行简单的机械包覆，对其容量发挥及循环寿命的改善都比较有限，无法满足目前产业化的需求。rGO作为性能优异的二维材料，其优越的导电性能及纳米层状结构，在各个领域受到科学家们的青睐。但是，在新型锂离子复合材料的制备中，还没有完全发挥体现出其特殊的价值。特别地，目前还没有研究报道过，在二维rGO纳米片上原位生长二硫化钴纳米花状的三维结构的锂离子复合材料。
发明内容
为了解决上述现有技术中碳负极材料及其类似的复合材料中的在高能量密度锂离子电池应用中存在的不足和缺点，本发明的首要目的在于提供一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。该复合材料具有较好的三维纳米花状的柔性结构，能够充分的发挥二硫化钴纳米粒子的容量，并可有效的容纳其在充放电过程中的体积效应，具有良好的导电性能，优异的倍率及循环性能。
本发明的另一目的在于提供一种上述原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的制备方法。
本发明的再一目的在于提供一种上述原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的应用。
本发明的目的通过下述技术方案来实现：
一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料，所述原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料是将GO水溶液加入到可溶性钴盐水溶液和硫化剂水溶液的混合溶液中，经搅拌，超声后，将所得的GO混合溶液在不锈钢反应釜中，在150～280℃反应，随炉冷却，抽滤后将得到固体进行冷冻干燥处理制得。
优选地，所述可溶性钴盐水溶液中可溶性钴盐为CoCl2、C4H6CoO4、CoSO4、Co(NO3)2及上述盐的水合物中一种以上。
优选地，所述硫化剂水溶液中硫化剂为硫化钠、硫代乙酰胺、L-半胱氨酸中的一种以上。
优选地，所述可溶性钴盐与硫化剂的摩尔比为(0.5～1)：1。
优选地，所述rGO与硫化剂的质量比为(0.1～1)：1。
优选地，所述可溶性钴盐水溶液的浓度0.01～0.1mol/L，所述硫化剂水溶液的浓度0.01～0.1mol/L。
优选地，所述的搅拌的时间为5～60min；所述超声的时间为30～120min，所述反应的时间为12～36h；所述冷冻干燥的温度为-40～-50℃，所述冷冻干燥的时间为24～48h。
所述的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的制备方法，包括如下具体步骤：
S1.将可溶性钴盐和硫化剂分别溶解于去离子水中，得到溶液A和溶液B；
S2.将溶液A加入溶液B中混合搅拌均匀后，得到溶液C；
S3.将GO水溶液加入到溶液C中，经搅拌，超声分散后得到GO混合溶液D；
S4.将溶液D倒入不锈钢反应釜中，干燥保温处理，随炉冷却后再进行抽滤，得到固体D；
S5.将固体D进行冷冻干燥后，即得原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。
优选地，步骤S1中所述将可溶性钴盐的质量和去离子水的体积比为(1000～2000)：100mg/mL；所述硫化剂的质量和去离子水的体积比为(40～400)：100mg/mL。
所述的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料在锂离子电池负极材料领域中的应用。
本发明先将可溶性钴盐及硫化剂分别溶解于去离子水中，然后将其两者充分混合均匀并完全反应，之后加入GO水溶液，使反应后的产物吸附在GO二维纳米片上，分散搅拌均匀，再通过简单的水热反应，使二硫化钴在GO纳米片上原位生长成单晶片，然后自组装形成纳米花结构，二硫化钴与GO材料在微观结构上结合的非常紧密，同时GO也被还原成rGO，且片之间也形成了有序的相互连接的多孔片层结构。最后再通过对产物进行抽滤及冷冻干燥处理，得到三维纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。通过以上技术方案得到的负极材料中，二硫化钴单晶片在rGO片上自组装形成三维纳米花结构，同时rGO片与片之间也相互连接，形成有序的多孔结构，最终得到了一种三维纳米花三维多孔的结构。
本发明的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料中二硫化钴为纳米花状，这有利于提高材料在充放电过程中的克容量发挥，且该纳米花由纳米单晶片组成，结构单一稳定，展现出良好的循环稳定性。同时，该纳米花原位自组装在rGO纳米片上，可降低两者之间的接触电阻。而且rGO纳米片之间形成的有序的相互连接的多孔通道，有利于锂离子的储存和电解液的渗入，从而使二硫化钴纳米花与电解液有一个更好的接触。此外，原位生长的二硫化钴纳米花对rGO层起到了支撑作用，有利于防止层状结构的塌陷和rGO层的重新堆垛，保持较好的柔性结构，为电子和锂离子的传输提供了有效的通道，使得二硫化钴纳米花/rGO复合材料具有较好的倍率性能。而位于二硫化钴纳米花外部的rGO层隔绝了二硫化钴纳米花与电解液的直接接触，保证固态电解质界面膜在石墨烯的表面，形成稳定的固态电解质界面膜。并且三维柔性的rGO片能够有效的容纳二硫化钴在充放电过程中的体积效应，保持较高的比容量。因此，采用本申请技术方案制备的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料具有优异的充放电循环性能和倍率性能。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.本发明的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料具有较好的三维纳米花状的柔性结构，能够充分的发挥二硫化钴纳米粒子的容量，并可有效的容纳其在充放电过程中的体积效应，具有良好的导电性能，优异的倍率及循环性能。
2.本发明的活性物质为二硫化钴，为单晶纳米自组装而成的纳米花结构，有利于其在充放电循环过程中充分发挥去容量及保持优良的循环稳定性。同时rGO使复合材料具有三维多孔结构，有利于离子的储存和电解液的渗入，有利于活性物质与电解液更好的接触，为电子和锂离子的传输提供了有效的通道，使得二硫化钴/rGO复合材料具有较好的倍率性能。
3.本发明中由于二硫化钴纳米花对rGO的支撑作用，使其能够保持较好的柔性结构能够有效的容纳二硫化钴在充放电过程中的体积效应，保持较高的比容量导电性能好，具有优异的充放电循环性能和倍率性能和较高的首次库伦效率。
附图说明
图1是实施例1制得的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的扫描电镜图片。
图2是实施例1制得的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的倍率充放电性能曲线。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
1.将5mmol CoSO4·7H2O及10mmol NaS分别溶解于40mL去离子水中，得到粉红A溶液及透明B溶液；
2.向步骤1所述的A溶液缓慢加入B溶液中混合均匀后，充分搅拌30min，得到浅红色C溶液；
3.称取含50mg GO的水溶液加入到步骤2中的C溶液，搅拌30min后，超声分散10min后得到GO混合溶液D；
4.将步骤3所述溶液D倒入100mL不锈钢反应釜中，再置入鼓风干燥箱中，在150℃进行保温36h，随炉冷却后再进行抽滤，得到固体D；
5.将步骤4所述固体D置于冷冻干燥箱中进行干燥后，即得原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。
图1是本实施例制得的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的扫描电镜图片。从图1中可知，二硫化钴为尺寸200～300nm左右的纳米花状，原位生长在还原氧化石墨烯片上，二硫化钴纳米花由厚为20～30nm的纳米片组成的十字花状。图2是本实施例制得的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的倍率充放电性能曲线。从图2中可知，纯二硫化钴的充电容量及倍率性能都比较差，而二硫化钴/rGO复合材料则表现较为优异的充放电性能，在2.0A/g的电流密度下可以保持克容量为～500mAh/g，经过大倍率充放电后，其容量可以恢复到700mAh/g(0.5A/g)，说明二硫化钴/rGO复合材料具有较强的可逆恢复能力。
实施例2
1.将3mmol CoCl2·6H2O及3mmol TAA(硫代乙酰胺)分别溶解于40mL去离子水中，得到粉红A溶液及透明B溶液；
2.向步骤1所述的A溶液缓慢加入B溶液中混合均匀后，充分搅拌30min，得到浅红色C溶液；
3.称取含30mg GO的水溶液加入到步骤2中的C溶液，搅拌30min后，超声分散10min后得到GO混合溶液D；
4.将步骤3所述溶液D倒入100mL不锈钢反应釜中，再置入鼓风干燥箱中，在150℃进行保温36h，随炉冷却后再进行抽滤，得到固体D；
5.将步骤4所述固体D置于冷冻干燥箱中进行干燥后，即得原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。
实施例3
1.将4mmol CoCl2·6H2O及4mmol L-半胱氨酸分别溶解于40mL去离子水中，得到粉红A溶液及透明B溶液；
2.向步骤1所述的A溶液缓慢加入B溶液中混合均匀后，充分搅拌30min，得到浅红色C溶液；
3.称取含40mg GO的水溶液加入到步骤2中的C溶液，搅拌30min后，超声分散10min后得到GO混合溶液D；
4.将步骤3所述溶液D倒入100mL不锈钢反应釜中，再置入鼓风干燥箱中，在150℃进行保温36h，随炉冷却后再进行抽滤，得到固体D；
5.将步骤4所述固体D置于冷冻干燥箱中进行干燥后，即得原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合和简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料，其特征在于，所述原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料是将GO水溶液加入到可溶性钴盐水溶液和硫化剂水溶液的混合溶液中，经搅拌，超声后，将所得的GO混合溶液在不锈钢反应釜中，在150~280℃反应12~36 h，随炉冷却，抽滤后将得到固体进行冷冻干燥处理制得；所述混合溶液中可溶性钴盐和硫化剂分别为CoCl2和硫代乙酰胺、CoCl2和L-半胱氨酸、CoSO4和硫化钠；所述可溶性钴盐与硫化剂的摩尔比为（0.5~1）：1；所述rGO与硫化剂的质量比为（0.1~1）：1。
2.根据权利要求1所述的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料，其特征在于，所述可溶性钴盐水溶液的浓度为0.01~0.1 mol/L，所述硫化剂水溶液的浓度为0.01~0.1mol/L。
3.根据权利要求1所述的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料，其特征在于，所述的搅拌的时间为5~60 min；所述超声的时间为30~120 min，所述冷冻干燥的温度为-40~-50℃，所述冷冻干燥的时间为24~48 h。
4.根据权利要求1-3任一项所述的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
S1. 将可溶性钴盐和硫化剂分别溶解于去离子水中，得到溶液A和溶液B；
S2. 将溶液A加入溶液B中混合搅拌均匀后，得到溶液C；
S3. 将GO水溶液加入到溶液C中，经搅拌，超声分散后得到溶液D；
S4. 将溶液D倒入不锈钢反应釜中，置入鼓风干燥箱中保温处理，随炉冷却后再进行抽滤，得到固体D；
S5. 将固体D进行冷冻干燥后，即得原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料。
5.权利要求1-3任一项所述的原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料在锂离子电池负极材料领域中的应用。
CN201910410113.1A 2019-05-16 2019-05-16 一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用 Active CN110165171B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910410113.1A CN110165171B (zh) 2019-05-16 2019-05-16 一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910410113.1A CN110165171B (zh) 2019-05-16 2019-05-16 一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110165171A CN110165171A (zh) 2019-08-23
CN110165171B true CN110165171B (zh) 2022-05-13

Family

ID=67631202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910410113.1A Active CN110165171B (zh) 2019-05-16 2019-05-16 一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110165171B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110911684B (zh) * 2019-11-22 2022-05-13 广东工业大学 一种锑掺杂的二硫化钴负载石墨烯及其制备方法和应用
CN111129494B (zh) * 2019-12-28 2021-09-10 常州大学 一种硫代尖晶石/石墨烯电极材料的制备方法及其电极材料
CN113120970B (zh) * 2021-03-26 2023-03-24 东南大学 一种制备含结晶水硫酸钴与氧化还原石墨烯的复合物的方法
CN114956214A (zh) * 2022-05-27 2022-08-30 慧迈材料科技(广东)有限公司 一种二硫化镍交叉纳米花材料及其制备方法及应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105609746A (zh) * 2016-03-29 2016-05-25 浙江大学 一种同时电化学贮钠和贮锂的复合电极及其制备方法
CN106099126A (zh) * 2016-06-11 2016-11-09 北京化工大学 一种花状结构硫化钴/碳复合材料及其制备方法
CN106450193A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 浙江天能能源科技股份有限公司 一种硫化镍/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
CN108855145A (zh) * 2018-06-21 2018-11-23 青岛大学 一种两步法制备硫化钴/硫化钼复合材料及在氢气析出反应应用
CN109721108A (zh) * 2018-12-06 2019-05-07 盐城工学院 一种多孔硫化钴纳米花及其制备方法和应用

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10640391B2 (en) * 2017-10-16 2020-05-05 Ford Global Technologies, Llc LTO coated LRMO cathode and synthesis

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105609746A (zh) * 2016-03-29 2016-05-25 浙江大学 一种同时电化学贮钠和贮锂的复合电极及其制备方法
CN106099126A (zh) * 2016-06-11 2016-11-09 北京化工大学 一种花状结构硫化钴/碳复合材料及其制备方法
CN106450193A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 浙江天能能源科技股份有限公司 一种硫化镍/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
CN108855145A (zh) * 2018-06-21 2018-11-23 青岛大学 一种两步法制备硫化钴/硫化钼复合材料及在氢气析出反应应用
CN109721108A (zh) * 2018-12-06 2019-05-07 盐城工学院 一种多孔硫化钴纳米花及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Improved Electrochemical Performance Based on Nanostructured SnS2@CoS2–rGO Composite Anode for Sodium-Ion Batteries;Xia Wang et al;《NANO-MICRO LETTERS》;20180413;全文 *
金属化合物超级电容器电极材料;殷权 等;《化工进展》;20161115;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110165171A (zh) 2019-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416507B (zh) 一种原位自组装三维花状二硫化钴/MXene复合材料及其制备方法和应用
CN110165171B (zh) 一种原位自组装纳米花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用
CN113675408B (zh) 一种用于高性能钾离子电池的MoS2/Ti3C2 MXene复合材料的制备方法
WO2018120147A1 (zh) 一种制备锂离子电池用石墨烯/三元材料复合物的方法及其产品
CN112079338B (zh) 三维泡沫状复合材料与制备方法及其在钠离子电池的应用
CN105914369B (zh) 一种纳米级碳包覆硫化锂复合材料及其制备方法和应用
CN108269982B (zh) 一种复合材料、其制备方法及在锂离子电池中的应用
CN107732172B (zh) 一种锂离子电池负极材料及其制备方法
CN106654192B (zh) 一种硫化锡/石墨烯钠离子电池复合负极材料及其制备方法
CN110085847B (zh) 锂离子电池锗/碳复合负极材料及其制备方法和应用
CN104733695A (zh) 一种锂硫电池正极用碳/硫复合材料及制备方法和应用
WO2016023398A1 (zh) 负极活性材料及其制备方法以及锂离子电池
CN107910506B (zh) 一种NaCl改性石墨烯网包覆β-FeOOH锂离子电池负极材料的制备方法
CN110571436A (zh) 用于锂金属负极的三维多孔碳负载片状二硫化钼集流体的制备方法
CN111564612B (zh) 一种高导热导电性锂电正极材料及其制备方法
Jin et al. Pomegranate-like Li3VO4/3D graphene networks nanocomposite as lithium ion battery anode with long cycle life and high-rate capability
CN110880589B (zh) 一种纳米碳管@二氧化钛纳米晶@碳的复合材料及其制备方法和应用
CN110416501B (zh) 一种静电自组装三维花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用
CN112838201A (zh) 一种Cu2MoS4复合负极材料及其制备方法和钠离子电池
CN103400980A (zh) 三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜及其制备方法和应用
CN110416508B (zh) 一种静电自组装三维花状二硫化钴/MXene复合材料及其制备方法和应用
CN105810911B (zh) 一种高倍率磷酸铁锂/石墨烯复合正极材料的制备方法
CN107959024B (zh) 一种钠离子电池负极用片状Sb2Se3纳米晶的制备方法
CN112186166A (zh) 一种钼/钴氧化物-碳复合材料及其制备方法、锂离子电池负极极片和锂离子电池
WO2016023399A1 (zh) 负极活性材料及其制备方法以及锂离子电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant