CN109300915A - 一种阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，包括衬底以及位于衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层材料不同；第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层为低温多晶硅层；第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极位于同一层；第一有源层和第一栅极之间具有第一栅极绝缘层，第二有源层位于第一栅极绝缘层远离衬底的一侧或者靠近衬底的一侧，但第二有源层与第一栅极绝缘层不直接接触，从而不仅可以减少阵列基板上的膜层，而且可以避免第一薄膜晶体管中的第一栅极绝缘层影响第二薄膜晶体管的性能。

Description

一种阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
阵列基板一般分为显示区域和包围显示区域的非显示区域。在非显示区域，采用低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon-Thin Film Transistor，LTPSTFT)，可以实现窄边框和传感器电路的集成；在显示区域，由于氧化物薄膜晶体管(OxideThin Film Transistor，Oxide TFT)具有较小的漏电流，因此，可以实现像素低频驱动，以降低功耗。
但是，由于现有的阵列基板中低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管共用的膜层较少，因此，需要增加较多的金属层和绝缘层，这就导致阵列基板上的膜层较多、制作工序较繁琐。而为了减少阵列基板的膜层，需要将低温多晶硅薄膜晶体管的部分膜层与氧化物薄膜晶体管的部分膜层同层设置，但是，这会导致低温多晶硅薄膜晶体管的部分膜层影响氧化物薄膜晶体管的性能，不利于阵列基板的实际应用。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以减少阵列基板的膜层、简化制作工序。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种阵列基板，包括衬底以及位于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源层材料不同；
所述第一薄膜晶体管包括依次位于所述衬底上的第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅层；所述第二薄膜晶体管包括依次位于所述衬底上的第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极位于同一层；
所述第一有源层和所述第一栅极之间具有第一栅极绝缘层，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，或者，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述衬底的一侧，但所述第二有源层与所述第一栅极绝缘层不直接接触。
可选地，所述第二有源层为氧化物半导体层。
可选地，所述第一栅极绝缘层具有镂空区域，所述第二有源层在所述衬底上的投影位于所述镂空区域在所述衬底上的投影内。
可选地，所述第二有源层与所述第一栅极绝缘层之间至少具有第一缓冲层，所述第一缓冲层的氢含量小于所述第一栅极绝缘层的氢含量。
可选地，所述第一缓冲层和所述第一栅极绝缘层之间还具有第二缓冲层；
所述第二缓冲层的氢含量大于所述第一缓冲层的氢含量。
可选地，所述第一缓冲层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的氢含量大于0、小于1％。
可选地，所述第二缓冲层为氮化硅层，所述氮化硅层的氢含量大于1％、小于20％。
可选地，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述第二有源层与所述第一栅极位于同一层。
可选地，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述第二有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间。
可选地，所述第二薄膜晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极与所述第一栅极位于同一层。
可选地，所述第一薄膜晶体管还包括第一电容，所述第一电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极复用所述第一栅极，所述第二电极与所述第二有源层位于同一层。
可选地，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述衬底的一侧，且所述第二有源层与所述第一有源层位于同一层。
一种显示面板，包括如上任一项所述的阵列基板。
一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明所提供的阵列基板、显示面板和显示装置，第一源极、第一漏极和第二源极、第二漏极位于同一层，且第二有源层位于第一栅极绝缘层远离衬底的一侧，或者，第二有源层位于第一栅极绝缘层靠近衬底的一侧，因此，可以减少阵列基板上的膜层、简化制作工序；并且，由于第二有源层与第一栅极绝缘层不直接接触，因此，可以避免第一薄膜晶体管中的第一栅极绝缘层影响第二薄膜晶体管的性能，有利于集成有低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管的阵列基板的实际应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图2为现有的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图4为图3所示的阵列基板沿切割线BB’的一种剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的阵列基板中低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管共用的膜层较少，导致阵列基板上的膜层较多、制作工序较繁琐。如图1所示，图1为现有的一种阵列基板的剖面结构示意图，即便低温多晶硅薄膜晶体管10的源极101和漏极102与氧化物薄膜晶体管11的源极110和漏极111同层设置，但是，阵列基板上的膜层仍较多。
如图2所示，图2为现有的一种阵列基板的剖面结构示意图，为了最大化地减少阵列基板的膜层，发明人将低温多晶硅薄膜晶体管的有源层103与氧化物薄膜晶体管的底部栅极112同层设置，但是，这样就会导致低温多晶硅薄膜晶体管的栅极绝缘层104与氧化物薄膜晶体管的有源层113直接接触，而低温多晶硅薄膜晶体管的栅极绝缘层104是富含氢的膜层，会对氧化物薄膜晶体管的有源层113的性能产生影响，造成氧化物薄膜晶体管特性的漂移。
基于此，本发明提供了一种阵列基板，以克服现有技术存在的上述问题，包括衬底以及位于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源层材料不同；
所述第一薄膜晶体管包括依次位于所述衬底上的第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅层；所述第二薄膜晶体管包括依次位于所述衬底上的第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极位于同一层；
所述第一有源层和所述第一栅极之间具有第一栅极绝缘层，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，或者，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述衬底的一侧，但所述第二有源层不与所述第一栅极绝缘层直接接触。
本发明还提供了一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
本发明还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本发明所提供的阵列基板、显示面板和显示装置，第一源极、第一漏极和第二源极、第二漏极位于同一层，且第二有源层位于第一栅极绝缘层远离衬底的一侧，或者，第二有源层位于第一栅极绝缘层靠近衬底的一侧，因此，可以减少阵列基板上的膜层、简化制作工序；并且，由于第二有源层与第一栅极绝缘层不直接接触，因此，可以避免第一薄膜晶体管中的第一栅极绝缘层影响第二薄膜晶体管的性能，有利于集成有低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管的阵列基板的实际应用。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图3所示，图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，该阵列基板包括显示区AA和围绕显示区的非显示区AA’。
其中，显示区AA包括多条栅极线30、多条数据线31和多个像素32等。每个像素32包括像素电极320和至少一个薄膜晶体管321，该薄膜晶体管321栅极与栅极线30连接、源极与数据线31连接、漏极与像素电极320连接。非显示区AA’包括栅极驱动电路33和数据驱动电路34等，栅极驱动电路33和数据驱动电路34都包括多个薄膜晶体管(图中未示出)。
如图4所示，图4为图3所示的阵列基板沿切割线BB’的一种剖面结构示意图，该阵列基板包括衬底40、位于衬底40上的第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42。其中，衬底40包括但不仅限于玻璃衬底，衬底40和第一薄膜晶体管41之间还具有缓冲层43，该缓冲层43可选为二氧化硅层。
本发明实施例中，第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42都位于显示区AA，当然，本发明并不仅限于此，第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42还可以都位于非显示区AA’，或者，第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42中一个位于显示区AA、另一个位于非显示区AA’。只要阵列基板同时具有第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42即可采用本发明实施例中的膜层结构，或者说，只要阵列基板同时具有有源层材料不同的两种薄膜晶体管即可采用本发明实施例中的膜层结构。
此外，需要说明的是，第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42的结构可以相同，如第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42都为只具有一个栅极的单栅薄膜晶体管，但是，本发明并不仅限于此，也就是说，第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42的结构也可以不同，如，第一薄膜晶体管41为只具有一个栅极的单栅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管42为具有两个栅极的双栅薄膜晶体管。
但必须注意的是，本发明实施例中的第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42的有源层材料不同，即第一薄膜晶体管41和第二薄膜晶体管42为有源层材料不同的两种类型的薄膜晶体管。
如图4所示，第一薄膜晶体管41包括依次位于衬底40上的第一有源层410、第一栅极411、第一源极412和第一漏极413，第一有源层410为低温多晶硅层。第二薄膜晶体管42包括依次位于衬底40上的第二有源层420、第二栅极421、第二源极422和第二漏极423。
也就是说，本发明实施例中的第一薄膜晶体管41为低温多晶硅薄膜晶体管，即第一薄膜晶体管41的有源层410的材料为低温多晶硅。第二薄膜晶体管42可选为氧化物薄膜晶体管，即第二薄膜晶体管42的有源层420的材料为氧化物半导体。该氧化物半导体的材料包括IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)和氧化锌ZnO等。
此外，第二有源层420和第二栅极421之间还具有第二栅极绝缘层424，第二栅极421和第二源极422之间还具有第二层间绝缘层425。第一有源层410和第一栅极411之间还具有第一栅极绝缘层414，第一栅极411和第一源极412之间还具有第一层间绝缘层415，其中，第一层间绝缘层415包括第二栅极绝缘层424和第二层间绝缘层425。第一源极412和第二源极420上方还具有平坦化层44，平坦化层44上方还具有分别与第一漏极413和第二漏极423电连接的像素电极45等，在此不再赘述。
本发明实施例中，第一栅极411、第一源极412、第一漏极413、第二栅极421、第二源极422和第二漏极423的材料都为金属，如钼、钛、铝等。并且，第一栅极411、第一源极412、第一漏极413、第二栅极421、第二源极422和第二漏极423中位于同一层的结构优选采用同一种金属材料，位于不同层的结构可以采用不同的金属材料，也可以采用同一种金属材料。
可选地，第一栅极绝缘层414为氮化硅，第一栅极绝缘层414中的氢含量大于1％，进一步可选地，第一栅极绝缘层414中的氢含量大于6％，以通过第一栅极绝缘层414对第一有源层410的氢化，减少第一有源层410中的缺陷等，提高第一有源层410的性能。可选地，第二栅极绝缘层424和第二层间绝缘层425为氧化硅等。
由于第一有源层410为低温多晶硅层，其内部存在较多缺陷态，主要的缺陷态是悬挂键，因此，通过第一栅极绝缘层414对第一有源层410进行氢化，可以使得第一栅极绝缘层414中的氢离子扩散进入第一有源层410，并与第一有源层410中的悬挂键结合，修复缺陷。
本发明实施例中，第一源极412、第一漏极413与第二源极422和第二漏极423位于同一层，即第一源极412、第一漏极413与第二源极422和第二漏极423的材质相同，且采用同一工序制作而成。第二有源层420位于第一栅极绝缘层414远离衬底40的一侧，或者，第二有源层420位于第一栅极绝缘层414靠近衬底40的一侧，但第二有源层420与第一栅极绝缘层414不直接接触。
本发明实施例中，由于第一源极412、第一漏极413与第二源极422和第二漏极423的材质都为金属，制作工艺也相同，因此，本发明实施例中通过将第一源极412、第一漏极413与第二源极422和第二漏极423同层设置，可以减少阵列基板的膜层、简化制作工序。而将第二有源层420设置在第一栅极绝缘层414远离衬底40的一侧或者靠近衬底40的一侧，可以进一步减少阵列基板的膜层、简化制作工序。此外，由于第二有源层420与第一栅极绝缘层414不直接接触，第一栅极绝缘层414与第一有源层410直接接触，因此，不仅可以通过富含氢的第一栅极绝缘层414消除第一有源层410中的缺陷等，还可以避免第一薄膜晶体管41中的第一栅极绝缘层414影响第二薄膜晶体管42的性能，有利于具有低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管的阵列基板的实际应用。
本发明实施例中，第二有源层420位于第一栅极绝缘层414远离衬底40的一侧，第二有源层420和第一栅极绝缘层414之间具有缓冲层和/或第一栅极绝缘层414与第二有源层420相对的区域镂空；或者，第二有源层420位于第一栅极绝缘层414靠近衬底40的一侧，第二有源层420和第一栅极绝缘层414之间具有缓冲层和/或第一栅极绝缘层414与第二有源层420相对的区域镂空。
当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，还可以采用其他方式实现第二有源层420与第一栅极绝缘层414不直接接触。
在本发明一个实施例中，如图4所示，第一栅极绝缘层414与第二有源层420相对的区域镂空，也就是说，第一栅极绝缘层414具有镂空区域414a，第二有源层420在衬底40上的投影位于镂空区域414a在衬底40上的投影内。该镂空区域414a的形状和大小与第二有源层420的形状和大小对应设置，以避免第一栅极绝缘层414与第二有源层420直接接触。
本实施例中，通过将与第二有源层420对应区域的第一栅极绝缘层414挖空或刻蚀掉，来避免第二有源层420与第一栅极绝缘层414直接接触，进而避免第一薄膜晶体管41中的第一栅极绝缘层414影响第二薄膜晶体管42的性能。
在此基础上，如图4所示，第二有源层420可以与第一栅极411位于同一层，以进一步的减少阵列基板上的膜层、简化工序。需要说明的是，刻蚀掉镂空区域414a的第一栅极绝缘层414后，可在该镂空区域414a形成缓冲层，以使第二有源层420能够与第一栅极411同层设置。需要说明的是，当第二有源层420与镂空区域414a的缓冲层直接接触时，该缓冲层优选为二氧化硅层。
由于第二有源层420的材料为氧化物半导体，第一栅极411的材料为金属，因此，在制作过程中，可以先在第一栅极绝缘层414上形成第一栅极411，然后在镂空区域414a的绝缘层上形成第二有源层420。
如图5所示，图5为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图，第二有源层420可以不与第一栅极411位于同一层，即第二有源层420位于第一栅极411和第二栅极421之间，如第二有源层420位于第一栅极411远离衬底40的一侧，第一栅极绝缘层414与第二有源层420相对的区域镂空，且第二有源层420和第一栅极411或第一栅极绝缘层414之间具有第一缓冲层426。
本实施例中，将与第二有源层420对应区域的第一栅极绝缘层414挖空或刻蚀掉，并在第二有源层420与第一栅极绝缘层414之间设置第一缓冲层426，来更有效的避免第二有源层420与第一栅极绝缘层414直接接触，进而避免第一薄膜晶体管41中的第一栅极绝缘层414影响第二薄膜晶体管42的性能。
在图5所示的结构中，第二薄膜晶体管42还包括第三栅极428，第三栅极428与第一栅极411位于同一层。基于此，本发明实施例中的第二薄膜晶体管42还可以为双栅薄膜晶体管。
此外，第一薄膜晶体管41还包括第一电容，第一电容包括第一电极和第二电极，第一电极复用第一栅极411，第二电极416与第二有源层420位于同一层。通过该第一电容可以提高第一薄膜晶体管41存储电荷的能力，提高第一薄膜晶体管41的开关性能。
需要说明的是，本发明实施例中的第二薄膜晶体管42的第二有源层420还可以包括源极引线420a和漏极引线420b，源极引线420a通过通孔与第二源极422电连接，漏极引线420b通过另一个通孔与第二漏极423电连接。在图6和图7的结构中，源极引线420a和漏极引线420b与第二电极416位于同层，但是，本发明并不仅限于此。源极引线420a和漏极引线420b可以避免在形成通孔时，对第二有源层420过刻蚀，影响第二有源层420的性能。
如图6所示，图6为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图，第一栅极绝缘层414与第二有源层420相对的区域镂空，第二有源层420位于第一栅极411靠近衬底40的一侧，且第二有源层420与第一有源层410位于同一层。
基于此，第二栅极421可以与第一栅极411位于同一层，第一栅极绝缘层414可以与第二栅极绝缘层424位于同一层，第一层间绝缘层415可以与第二层间绝缘层425位于同一层，从而可以最大化的减少阵列基板上的膜层，简化制作工艺。
在本发明一个实施例中，如图7所示，图7为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图，第二有源层420位于第一栅极绝缘层414远离衬底40的一侧，且第二有源层420与第一栅极绝缘层414之间至少具有第一缓冲层426，且第一缓冲层426的氢含量小于第一栅极绝缘层414的氢含量。可选地，第一缓冲层426为二氧化硅层，该二氧化硅层的氢含量大于0、小于1％。
图7所示的结构中，在第二有源层420与第一栅极绝缘层414之间设置第一缓冲层426，来更有效的避免第二有源层420与第一栅极绝缘层414直接接触，进而避免第一薄膜晶体管41中的第一栅极绝缘层414影响第二薄膜晶体管42的性能。
如图8所示，图8为本发明实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图，第一缓冲层426和第一栅极绝缘层414之间还具有第二缓冲层427。第二缓冲层427的氢含量大于第一缓冲层426的氢含量。
可选地，第一缓冲层426为二氧化硅层，该二氧化硅层的氢含量大于0、小于1％。可选地，第二缓冲层427为氮化硅层，该氮化硅层的氢含量大于1％、小于20％。
由于第一有源层410内的缺陷数量有限，因此，若第一栅极绝缘层414中的氢含量小于6％，其对第一有源层410的修复效果较差，即不能更好的修复第一有源层410中的缺陷，若第一栅极绝缘层414中的氢含量大于20％，多余的氢离子会作为新的缺陷留在第一有源层410中，影响第一薄膜晶体管41的稳定性。
需要说明的是，本发明实施例中，在形成第一栅极绝缘层414之后，或者在形成第一栅极411之后，或者在形成第二缓冲层427之后，需要完成活化及氢化工艺，可选地，工艺温度为440℃±60℃。
图8所示的结构中，通过第二缓冲层427不仅可以实现第一栅极绝缘层414和第一缓冲层426之间的过渡，提高第一栅极绝缘层414和第一缓冲层426之间的结合力，而且，还可以进一步对第一有源层410进行氢化，减少第一有源层410的缺陷等。
同样，在图7和图8所示的结构中，第一薄膜晶体管41还可以包括第一电容，第二薄膜晶体管42还可以包括第三栅极428、源极引线420a和漏极引线420b等，在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示面板，如图9所示，图9为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，该显示面板包括阵列基板1、彩膜基板2以及设置在阵列基板1和彩膜基板2之间的液晶层3。
其中，该阵列基板1为上述任一实施例提供的阵列基板。图9中仅以液晶显示面板为例进行说明，本发明并不仅限于此，也就是说，本发明实施例中的显示面板还可以是LED显示面板或OLED显示面板等。
本发明实施例还提供了一种显示装置，如图10所示，图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置P包括但是不仅限于手机、平板电脑和数码相机等。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源层材料不同；
所述第一薄膜晶体管包括依次位于所述衬底上的第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅层；所述第二薄膜晶体管包括依次位于所述衬底上的第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极位于同一层；
所述第一有源层和所述第一栅极之间具有第一栅极绝缘层，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，或者，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述衬底的一侧，但所述第二有源层与所述第一栅极绝缘层不直接接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层为氧化物半导体层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层具有镂空区域，所述第二有源层在所述衬底上的投影位于所述镂空区域在所述衬底上的投影内。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层与所述第一栅极绝缘层之间至少具有第一缓冲层，所述第一缓冲层的氢含量小于所述第一栅极绝缘层的氢含量。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第一栅极绝缘层之间还具有第二缓冲层；
所述第二缓冲层的氢含量大于所述第一缓冲层的氢含量。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的氢含量大于0、小于1％。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二缓冲层为氮化硅层，所述氮化硅层的氢含量大于1％、小于20％。
8.根据权利要求1～7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述第二有源层与所述第一栅极位于同一层。
9.根据权利要求1～7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述第二有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极与所述第一栅极位于同一层。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一电容，所述第一电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极复用所述第一栅极，所述第二电极与所述第二有源层位于同一层。
12.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述衬底的一侧，且所述第二有源层与所述第一有源层位于同一层。
13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～12任一项所述的阵列基板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。
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